JP2022182991A - ドロップパターンのハイブリッド生成のためのデバイス、システム及び方法 - Google Patents

ドロップパターンのハイブリッド生成のためのデバイス、システム及び方法 Download PDF

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Abstract

【課題】インプリントリソグラフィのためのドロップパターンの生成。【解決手段】領域の材料マップを取得し、領域を複数のサブ領域に分割し、複数のサブ領域のうちの１つ以上のサブ領域のそれぞれについて、第１ドロップパターン生成プロセスを行い、第１ドロップパターン生成プロセスは、材料マップに基づいて、サブ領域に対する個別の初期ドロップパターンを生成し、複数のサブ領域のうちの１つ以上のサブ領域のそれぞれについて、第２ドロップパターン生成プロセスを行い、第２ドロップパターン生成プロセスは、材料マップ、及び、サブ領域に対する前個別の初期ドロップパターンに基づいて、前記サブ領域に対する個別の改正ドロップパターンを生成する。【選択図】図１

Description

本出願は、一般的に、インプリントリソグラフィのためのドロップパターンの生成に関する。
ナノ製造は、１００ナノメートル以下のフィーチャを有する非常に小さな構造の製造を含む。ナノ製造の１つのアプリケーションは、集積回路の製造である。半導体プロセス産業は、基板上に形成される単位面積当たりの回路を増加させながら、より大きな生産歩留まりを追求し続けている。ナノ製造の改善は、より優れたプロセス制御を提供すること、及び、形成された構造の最小フィーチャ寸法の継続的な縮小も可能にしながら、スループットを増加させること、を含む。
１つのナノ製造技術は、一般的に、ナノインプリントリソグラフィと呼ばれている。ナノインプリントリソグラフィは、例えば、集積デバイスの１つ以上の層（レイヤ）を製造することを含む様々なアプリケーションで有用である。集積デバイスの例は、ＣＭＯＳロジック、マイクロプロセッサ、ＮＡＮＤフラッシュメモリ、ＮＯＲフラッシュメモリ、ＤＲＡＭメモリ、ＭＲＡＭ、３Ｄクロスポイントメモリ、Ｒｅ－ＲＡＭ、Ｆｅ－ＲＡＭ、ＳＴＴ－ＲＡＭ、ＭＥＭＳなどを含む。ナノインプリントリソグラフィシステム及びプロセスの例は、米国特許第８，３４９，２４１号、米国特許第８，０６６，９３０号及び米国特許第６，９３６，１９４号などの多数の刊行物に詳細に記載されている。
上述した特許のそれぞれに開示されたナノインプリントリソグラフィ技術は、成形可能材料（重合可能）層におけるレリーフパターンの形成によって、レリーフパターンに対応するパターンを、下にある基板の中又は上に転写することを記載している。パターニングプロセスは、基板から離間したテンプレートを使用し、成形可能液体は、テンプレートと基板との間に適用（塗布）される。成形可能液体は、成形可能液体に接触するテンプレートの表面の形状に一致するパターンを有する固体層を形成するために固化される。固化後、テンプレートは、テンプレートと基板とが離間するように、固化層から引き離される。そして、基板及び固化層は、固化層のパターンに対応するレリーフイメージを基板内又は基板上に転写するために、エッチングプロセスなどの追加のプロセスを受ける。パターニングされた基板は、例えば、硬化、酸化、層形成、堆積、ドーピング、平坦化、エッチング、成形可能材料の除去、ダイシング、ボンディング、パッケージングなどを含むデバイス（物品）製造のための公知の手順及びプロセスを更に受けることができる。
ドロップパターンを生成するための方法の幾つかの実施形態は、領域の材料マップを取得することと、前記領域を複数のサブ領域に分割することと、前記複数のサブ領域のうちの１つ以上のサブ領域のそれぞれについて、第１ドロップパターン生成プロセスを行い、前記第１ドロップパターン生成プロセスは、前記材料マップに基づいて、前記サブ領域に対する個別の初期ドロップパターンを生成することと、前記複数のサブ領域のうちの前記１つ以上のサブ領域のそれぞれについて、第２ドロップパターン生成プロセスを行い、前記第２ドロップパターン生成プロセスは、前記材料マップ、及び、前記サブ領域に対する前記個別の初期ドロップパターンに基づいて、前記サブ領域に対する個別の改正ドロップパターンを生成することと、を有することを特徴とする。
装置の幾つかの実施形態は、１つ以上のコンピュータ可読記憶媒体と、前記１つ以上のコンピュータ可読記憶媒体と通信し、前記１つ以上のコンピュータ可読記憶媒体と協働する１つ以上のプロセッサと、を有し、前記１つ以上のプロセッサは、前記装置に、領域の材料マップを取得することと、前記領域を複数のサブ領域に分割することと、前記複数のサブ領域のうちの第１サブ領域について、第１ドロップパターン生成プロセスを行い、前記第１ドロップパターン生成プロセスは、前記材料マップに基づいて、前記第１サブ領域に対する個別の初期ドロップパターンを生成することと、前記第１サブ領域について、第２ドロップパターン生成プロセスを行い、前記第２ドロップパターン生成プロセスは、前記材料マップ、及び、前記第１サブ領域に対する前記個別の初期ドロップパターンに基づいて、前記第１サブ領域に対する個別の改正ドロップパターンを生成することと、をさせることを特徴とする。
１つ以上のコンピュータ可読記憶媒体の幾つかの実施形態は、１つ以上のコンピュータデバイスによって実行された場合に、前記１つ以上のコンピュータデバイスに動作を行わせる命令を記憶し、前記動作は、領域の材料マップを取得することと、前記領域を複数のサブ領域に分割することと、前記複数のサブ領域のうちの１つ以上のサブ領域のそれぞれについて、第１ドロップパターン生成プロセスを行い、前記第１ドロップパターン生成プロセスは、前記材料マップに基づいて、前記サブ領域に対する個別の初期ドロップパターンを生成することと、前記複数のサブ領域のうちの前記１つ以上のサブ領域のそれぞれについて、第２ドロップパターン生成プロセスを行い、前記第２ドロップパターン生成プロセスは、前記材料マップ、及び、前記サブ領域に対する前記個別の初期ドロップパターンに基づいて、前記サブ領域に対する個別の改正ドロップパターンを生成することと、を有することを特徴とする。
図１は、ナノインプリントリソグラフィシステムの例示的な実施形態を示す。 図２Ａは、ナノインプリントリソグラフィシステムの例示的な実施形態の斜視図を示す。 図２Ｂは、流体分配ヘッド及び流体分配ポートの例示的な実施形態を示す。 図３は、基板、アップリケ、流体ディスペンサ、テンプレート及びドロップパターンの例示的な実施形態の平面図（ｚ軸に沿った図）を示す。 図４は、ドロップパターンを生成するための動作フローの例示的な実施形態を示す。 図５は、フィールド材料マップの例示的な実施形態を示す。 図６は、ドロップパターン生成フィールド及び複数のサブ領域の例示的な実施形態を示す。 図７は、ドロップパターンを生成するための動作フローの例示的な実施形態を示す。 図８は、ドロップパターンを生成するための動作フローの例示的な実施形態を示す。 図９は、ドロップパターンを生成するための動作フローの例示的な実施形態を示す。 図１０は、ドロップパターン生成フィールド及び複数のサブ領域の例示的な実施形態を示す。 図１１は、図１０における幾つかのサブ領域に対する最適ドロップパターンの例示的な実施形態を示す。 図１２は、図１０におけるサブ領域に対する改正ドロップパターンの例示的な実施形態を示す。 ドロップパターン生成デバイスの例示的な実施形態を示す。 図１４Ａは、残留層の例示的な実施形態を示す。 図１４Ｂは、最上層の例示的な実施形態を示す。
以下の段落は、特定の説明的な実施形態を記載する。他の実施形態は、代替、等価及び修正を含んでいてもよい。また、説明的な実施形態は、幾つかのフィーチャを含んでいてもよく、特定のフィーチャは、ここに記載されるデバイス、システム及び方向の幾つかの実施形態に必須ではないことがある。更に、幾つかの実施形態は、以下の説明的な実施形態のうちの２つ以上からの特徴を含む。
また、ここで使用されるように、接続詞「又は（ｏｒ）」は、一般的に、包括的な「又は（ｏｒ）」を指すが、「又は（ｏｒ）」は、明示的に示される場合、又は、「又は（ｏｒ）」が排他的な「又は（ｏｒ）」でなければならないことを文脈が示す場合、排他的な「又は（ｏｒ）」を指してもよい。
更に、この記載及び図面において、参照番号上のアルファベットの添字は、参照番号によって識別されるフィーチャの特定の例を示すために使用されてもよい。例えば、インプリントフィールドのグループにおけるインプリントフィールドは、特定のインプリントフィールドが区別されていない場合、参照番号１４１で識別されてもよい。しかしながら、１４１Ａは、特定のインプリントフィールドが残りのインプリントフィールド１４１から区別されている場合、特定のインプリントフィールドを識別するために使用されてもよい。
図１は、ナノインプリントリソグラフィシステム１００の例示的な実施形態を示す。動作時、ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、基板１０２（例えば、ウエハ）の上に成形可能材料（例えば、レジスト）のドロップ１２４を堆積し、基板１０２の上の成形可能材料をインプリントするために、テンプレート１０８を使用して、基板１０２の上のインプリントフィールドにおける成形可能材料に、レリーフパターンを有するパターン層１２５を形成する。テンプレート１０８は、パターニング面１１２を有するメサ（モールドとも称される）１１０を含む。また、単一のメサ１１０は、単一の基板１０２又は複数の基板１０２の上の複数のインプリントフィールドにおける成形可能材料をインプリントするために使用されてもよい。
図１のナノインプリントリソグラフィシステム１００の実施形態において、基板１０２の周囲は、アップリケ１０６によって囲まれる。アップリケ１０６は、テンプレート１０８の下の局所的なガス環境を安定させるように、又は、例えば、テンプレートが基板面１３０の上にない場合に、パーティクルからパターニング面１１２を保護することに役立つように構成されてもよい。更に、アップリケ１０６の上面は、（例えば、図１に示されるように）下にあってもよいし、或いは、基板面１３０と同一平面上にあってもよい。
また、基板１０２は、アップリケ１０６も支持する基板チャック１０４に結合される。基板チャック１０４の例は、真空チャック、ピン型チャック、溝型チャック、静電チャック及び電磁チャックを含む。図１に示す実施形態などの幾つかの実施形態において、アップリケ１０６は、アップリケの如何なる部分も基板チャック１０４と基板１０２との間に挟まれることなく、基板チャック１０４の上に載置される。基板チャック１０４は、基板位置決めステージ１０７によって支持される。
基板位置決めステージ１０７は、ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸、θ軸及びφ軸のうちの１つ以上に沿った並進又は回転運動を提供してもよい。基板位置決めステージ１０７、基板１０２及び基板チャック１０４は、ベース（不図示）の上に位置決めされてもよい。また、基板位置決めステージ１０７は、位置決めシステム又は位置決めサブシステムの一部であってもよい。
テンプレート１０８は、ｚ軸に沿って基板１０２に向かって延在するメサ１１０（モールドとも称される）を含む本体を含んでいてもよい。メサ１１０は、その上に、パターニング面１１２を有していてもよい。また、テンプレート１０８は、メサ１１０なしで形成されていてもよい。このように、幾つかの実施形態において、基板１０２に対向するテンプレート１０８の表面は、メサ１１０として機能し、パターニング面１１２は、基板１０２に対向するテンプレート１０８の表面に含まれる。テンプレート１０８又はメサ１１０を構成する材料の例は、溶融シリカ、石英、シリコン、有機ポリマー、シロキサンポリマー、ホウケイ酸ガラス、フルオロカーボンポリマー、金属及び硬化サファイアを含む。
パターニング面１１２は、複数の離間したテンプレート凹部１１４又はテンプレート凸部１１６によって定義されるフィーチャを有するが、幾つかの実施形態は、他の構造（例えば、平面）を含む。パターニング面１１２は、基板１０２の上の成形可能材料のドロップ１２４から形成されるパターン層１２５のレリーフパターンの基礎（例えば、逆）を形成するパターンを定義する。幾つかの実施形態において、パターニング面１１２は、フィーチャレスであり、この場合、基板１０２の上の成形可能材料から平面が形成される。
幾つかの実施形態（例えば、Ｉｎｋｊｅｔ－ｂａｓｅｄ Ａｄａｐｔｉｖｅ Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ（ＩＰＡ）を行う実施形態）において、パターニング面１１２は、フィーチャレスであり、実質的に、基板１０２と同じサイズであり、この場合、基板１０２の全体にわたって、成形可能材料から平面が形成される。
テンプレート１０８は、テンプレートチャック１１８に結合されていてもよい。テンプレートチャック１１８の例は、真空チャック、ピン型チャック、溝型チャック、静電チャック及び電磁チャックを含む。テンプレートチャック１１８は、テンプレート１０８にわたって変化する力をテンプレート１０８に与えるように構成されていてもよい。テンプレートチャック１１８は、テンプレートチャック１１８、インプリントヘッド１１９及びテンプレート１０８が少なくともｚ軸方向に移動可能であるように、次に、ブリッジ１２０に移動可能に結合されてもよいインプリントヘッド１１９に結合されていてもよい。幾つかの実施形態において、テンプレートチャック１１８、インプリントヘッド１１９及びテンプレート１０８は、ｘ軸、ｙ軸、θ軸及びφ軸のうちの１つ以上の方向に移動可能である。ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、テンプレート１０８、テンプレートチャック１１８又はインプリントヘッド１１９を移動させる１つ以上のモータを含んでいてもよい。
ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、流体ディスペンサ１２２も含む。流体ディスペンサ１２２は、流体分配ヘッド１２７と、流体分配ポートとを含んでいてもよい。図２Ｂは、流体分配ヘッド１２７及び流体分配ポート１２９の例示的な実施形態を示す。流体分配ポート１２９は、流体分配ヘッド１２７及び流体分配ポート１２９がユニットとして移動し、互いに独立して移動しないように、固定された構造を有していてもよい。このように、流体分配ポート１２９は、流体分配ヘッド１２７の上で互いに対して固定されていてもよい。流体分配ポート１２９の数は、実施形態の間で変化させることができる。図２Ｂの実施形態は、６つの流体分配ポート１２９を有するが、幾つかの実施形態は、少なくとも２つの流体分配ポート１２９、少なくとも３つの流体分配ポート１２９、少なくとも４つの流体分配ポート１２９、少なくとも５つの流体分配ポート、少なくとも１０の流体分配ポート１２９及び少なくとも２０の流体分配ポート１２９などの異なる数の流体分配ポート１２９を有する。幾つかの実施形態において、流体分配ポート１２９は、線に沿って位置する少なくとも３つの流体分配ポート１２９のセットを含む。幾つかの実施形態において、流体分配ヘッド１２７は、多数の平行な線に沿って位置する何百の流体分配ポートを含む。
また、流体ディスペンサ１２２は、ブリッジ１２０に移動可能に結合されていてもよい。幾つかの実施形態において、流体ディスペンサ１２２及びテンプレートチャック１１８は、１つ以上の位置決め構成要素を共有する。幾つかの実施形態において、流体ディスペンサ１２２及びテンプレートチャック１１８は、互いに独立して移動する。幾つかの実施形態において、流体ディスペンサ１２２及びテンプレートチャック１１８は、ナノインプリントリソグラフィシステム１００の異なるサブシステムに位置し、基板１０２は、異なるサブシステムの間で移動される。
動作時、流体ディスペンサ１２２の流体分配ポート１２９は、ドロップパターンに従って、基板１０２の上に液体成形可能材料のドロップ１２４を堆積させる。成形可能材料は、例えば、レジスト（例えば、フォトレジスト）、又は、別の重合可能材料であってもよく、成形可能材料は、モノマーを含む混合物を備えていてもよい。
また、ナノインプリントリソグラフィシステム１００の幾つかの実施形態は、
ｘ方向及びｙ方向のいずれか又は両方に固定された分配ピッチを有し、ナノインプリントリソグラフィシステム１００の幾つかの実施形態は、ｘ方向及びｙ方向のいずれにも固定されない分配ピッチを有する。ここで使用されるように、用語「ピッチ」は、フィーチャの中心から隣接するフィーチャの中心までの距離である。従って、分配ピッチは、ナノインプリントリソグラフィシステム１００がドロップ１２４を分配することができる位置の中心から、ナノインプリントリソグラフィシステム１００がドロップ１２４を分配することができる隣接する位置の中心までの距離である。デカルト座標において、２次元パターン（上面図から見たパターン）は、ｘ方向に計測されるフィーチャの中心間の距離に対応するｘ方向のピッチを有することができ、ｙ方向に計測されるフィーチャの中心間の距離に対応するｙ方向のピッチを有することができる。また、ナノインプリントリソグラフィシステム１００の幾つかの実施形態において、ｙ方向の分配ピッチは、隣接する流体分配ポート１２９の中心間の距離によって固定され、そのために、ｙ方向の分配ピッチは、流体分配ヘッド１２７における流体分配ポート１２９の物理的なレイアウトによって決定される。ｘ方向の分配ピッチは、ｙ方向の分配ピッチと同じであってもよいし、異なっていてもよい。また、ｘ方向の分配ピッチは、流体分配ヘッド１２７における流体分配ポート１２９の物理的なレイアウト、ナノインプリントリソグラフィシステム１００の他の部材の物理的な機能、又は、ナノインプリントリソグラフィシステム１００を制御するソフトウエアに基づいていてもよい。例えば、幾つかの実施形態において、ｘ方向の分配ピッチは、流体分配ポート１２９からの流体ドロップ分配レート（例えば、ミリ秒当たりの分配）が既知である分配の間に、基板１０２と流体分配ポート１２９との間の相対速度を制御することによって調整することができる。流体ドロップ分配レートが一定のままであると仮定すると、基板１０２と流体分配ポート１２９との間の相対速度が増加するにつれて、ｘ方向の分配ピッチが増加し、基板１０２と流体分配ポート１２９との間の相対速度が減少するにつれて、ｘ方向の分配ピッチが減少する。幾つかの実施形態（例えば、図２Ｂの実施形態）において、ｙ方向の分配ピッチは、流体分配ポート１２９の間隔及び統合に依存するため、ｙ方向の分配ピッチを調整することは、ｘ方向の分配ピッチを調整することよりも困難である。幾つかの実施形態において、流体分配ポート１２９は、様々な異なるｙ方向の分配ピッチを達成するために、それらが互いに対して固定位置に留まっている間に回転させることができる。
成形可能材料のドロップ１２４は、実施形態に応じて、所望のフィールド体積がパターニング面１１２と基板１０２との間に定義される前又は後に、基板１０２の上に分配されてもよい。フィールド体積は、パターン層１２５の所望のフィーチャの全て（例えば、インプリントフィールドにおけるパターン層１２５のフィーチャの全て）を生成するために必要とされる成形可能材料の体積を示す。異なる流体ディスペンサ１２２は、ドロップ１２４を分配するために異なる技術を使用してもよい。成形可能材料が噴射可能である場合、成形可能材料のドロップ１２４を分配するために、インクジェット型の流体ディスペンサ１２２が使用されてもよい。例えば、サーマルインクジェット、マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）ベースのインクジェット及び圧電インクジェットは、噴射可能な液体を分配するための技術である。
更に、付加的な成形可能材料が、例えば、ドロップディスペンス、スピンコーティング、ディップコーティング、化学蒸着（ＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、薄膜蒸着、厚膜蒸着などの種々の技術を使用して、基板１０２に加えられてもよい。
ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、露光パス１２８に沿って化学線エネルギーを導くエネルギーソース１２６も含む。インプリントヘッド１１９及び基板位置決めステージ１０７は、露光パス１２８の上に、（例えば、重ね合わせて）テンプレート１０８及び基板１０２を位置決めするように構成されていてもよい。カメラ１３６は、同様に、カメラ１３６の撮像視野が露光パス１２８の少なくとも一部と重ね合わされるように位置決めされてもよい。
成形可能材料のドロップ１２４が基板の上に堆積されると、インプリントヘッド１１９及び基板位置決めステージ１０７のいずれか又は両方は、成形可能材料によって充填される所望のフィールド体積を定義するために、メサ１１０と基板１０２との間の距離を変化させる。例えば、インプリントヘッド１１９は、基板１０２の上にある成形可能材料のドロップ１２４に接触するようにメサ１１０を移動させる力を、テンプレート１０８に与えてもよい。所望のフィールド体積が成形可能材料で充填された後、エネルギーソース１２６は、露光パス１２８に沿って成形可能材料に向けられ、基板面１３０の形状及びパターニング面１１２と一致して、成形可能材料を硬化、固化、又は、架橋させるエネルギー（例えば、化学線（ＵＶ））を生成し、それによって、基板１０２の上にパターン層１２５を定義する。成形可能材料は、テンプレート１０８が成形可能材料と接触している間に硬化され、それによって、基板１０２の上にパターン層１２５を形成する。このように、ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、パターニング面１１２のパターンの逆である凹部及び凸部を有するパターン層１２５を形成するために、インプリントプロセスを使用する。
インプリントプロセスは、基板面１３０にわたって広がる複数のインプリントフィールド（例えば、図２Ａのインプリントフィールド１４１）において、繰り返し行ってもよい。例えば、インプリントフィールドのそれぞれは、メサ１１０と同じサイズであってもよいし、メサ１１０のパターン領域のみと同じサイズであってもよい。メサ１１０のパターン領域は、基板００２の上にパターンをインプリントするために使用されるパターニング面１１２の領域（例えば、テンプレートの凹部１１４及びテンプレートの凸部１１６を含む領域）である。メサ１１０のパターン領域は、押し出しを防止するために使用される流体制御フィーチャを含んでいてもよい。幾つかの実施形態において、基板１０２は、１つのインプリントフィールドのみを有し、かかるインプリントフィールドは、基板１０２又はメサ１１０でパターニングされる基板１０２の領域と同じサイズである。また、幾つかの実施形態において、インプリントフィールドは、重複する。インプリントフィールドの幾つかは、基板１０２の境界と交差するパーシャルインプリントフィールドであってもよい。
パターン層１２５は、残膜厚（ＲＬＴ）を有する残留層を有するように形成されてもよい。例えば、図１４Ａは、残留層の例示的な実施形態を示す。パターン層１２５は、残留層の上に延在する凸部などの１つ以上のフィーチャを含んでいてもよい。これらの凸部は、メサ１１０のパターニング面１１２における凹部１１４と一致する。
パターン層１２５は、例えば、硬化、酸化、層形成、堆積、ドーピング、平坦化、エッチング、成形可能材料の除去、ダイシング、ボンディング、パッケージングなどを含むデバイス（物品）製造のための公知の手順及びプロセスを更に受けることができる。物品の例は、ＣＭＯＳロジック、マイクロプロセッサ、ＮＡＮＤフラッシュメモリ、ＮＯＲフラッシュメモリ、ＤＲＡＭメモリ、ＭＲＡＭ、３Ｄクロスポイントメモリ、Ｒｅ－ＲＡＭ、Ｆｅ－ＲＡＭ、ＳＴＴ－ＲＡＭ及びＭＥＭＳを含む。
また、ＩＡＰを行うナノインプリントリソグラフィシステム１００の実施形態において、基板１０２は、その表面に、パターンを有していてもよく、成形可能材料のドロップ１２４は、基板１０２のパターンを充填するパターン層１２５を形成してもよく、パターン層１２５は、基板１０２の上に延在し、最上層厚（ＴＬＴ）を有する最上層を有していてもよい。最上層の上面は、フィーチャレス及び平面であってもよい。例えば、図１４Ｂは、最上層の例示的な実施形態を示す。
ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、基板位置決めステージ１０７、インプリントヘッド１１９、流体ディスペンサ１２２、エネルギーソース１２６又はカメラ１３６などの１つ以上の構成要素又はサブシステムと通信する１つ以上のプロセッサ１３２（例えば、コントローラ）によって、調整、制御及び／又は指示され、１つ以上のコンピュータ可読記憶媒体１３４に記憶されたコンピュータ可読プログラムの命令に基づいて動作してもよい。図１の実施形態を含む幾つかの実施形態において、１つ以上のプロセッサ１３２及び１つ以上のコンピュータ可読記憶媒体１３４は、ナノインプリントリソグラフィ制御デバイス１３５に含まれる。ナノインプリントリソグラフィ制御デバイス１３５は、ナノインプリントリソグラフィシステム１００の動作を調整、制御又は指示する。
１つ以上のプロセッサ１３２のそれぞれは、マイクロプロセッサ（例えば、シングルコアマイクロプロセッサ、マルチコアプロセッサ）を含んでもよい中央演算処理装置（ＣＰＵ）、グラフィックス処理装置（ＧＰＵｓ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）、特別に構成されたコンピュータ及び他の電子回路（例えば、他の集積回路）の１つ以上であってもよいし、含んでいてもよい。例えば、プロセサ１３２は、専用のコントローラであってもよいし、ナノインプリントリソグラフィシステムコントローラであるように特別に構成された汎用コントローラであってもよい。
コンピュータ可読記憶媒体の例は、これらに限定されないが、磁気ディスク（例えば、フロッピーディスク、ハードディスク）、光ディスク（例えば、ＣＤ、ＤＶＤ、Ｂｌｕ－ｒａｙ（登録商標））、光磁気ディスク、磁気テープ、半導体メモリ（例えば、不揮発性メモリカード、フラッシュメモリ、半導体ドライブ、ＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ）、ネットワーク接続型記憶装置（ＮＡＳ）、イントラネット接続コンピュータ可読ストレージデバイス及びインターネット接続コンピュータ可読ストレージデバイスを含む。
図１の実施形態において、ナノインプリントリソグラフィ制御デバイス１３５は、１つ以上のドロップパターンを生成するドロップパターン生成デバイスとして動作してもよいし、ナノインプリントリソグラフィ制御デバイス１３５は、１つ以上のドロップパターンを生成する別のデバイス（例えば、ドロップパターン生成デバイス）から、１つ以上のドロップパターンを取得してもよい。例えば、１つ以上のプロセッサ１３２は、分析が行われ、ドロップパターンなどの制御ファイルが生成されるネットワークコンピュータと通信してもよい。ドロップパターンは、流体ディスペンサ１２２が液体成形可能材料のドロップ１２４を基板１０２の上に堆積すべき位置を示す。ドロップパターンは、少なくとも部分的に、フィールド体積又はインプリントフィールドフィーチャに基づいて生成されてもよい。また、インプリントフィールドフィーチャを考慮するために、ドロップパターンのドロップ密度は、インプリントフィールドにわたって変化してもよい。また、ドロップパターンは、均一な密度を有するインプリントフィールドの領域（例えば、ブランク領域、又は、インプリントフィールドフィーチャが均一なフィーチャ密度を有する領域）にわたって、均一なドロップ密度を有していてもよい。
図２Ａは、ナノインプリントリソグラフィシステム１００の例示的な実施形態の斜視図を示す。ナノインプリントリソグラフィシステム１００のこの実施形態は、基板１０２と、アップリケ１０６と、流体ディスペンサ１２２と、メサ１１０と、テンプレートチャック１１８と、インプリントヘッド１１９と、を含む。また、図２Ａは、基板１０２の上の複数のインプリントフィールド１４１を示す。更に、流体ディスペンサ１２２は、インプリントフィールド１４１Ａの上に、成形可能材料のドロップ１２４を堆積させている。
図３は、基板１０２、アップリケ１０６、流体ディスペンサ１２２、テンプレート１０８及びドロップパターン１４２の例示的な実施形態の平面図（ｚ軸に沿った図）を示す。テンプレート１０８は、メサ１１０を含む。基板１０２の上のドロップパターン生成フィールド１４５は、複数のインプリントフィールド１４１を含んでいてもよい。ドロップパターン生成フィールド１４５は、成形可能材料のドロップ１２４が堆積される基板１０２の領域である。幾つかの実施形態において、ドロップパターン生成フィールド１４５は、図３に示されるドロップパターン生成フィールド１４５の形状とは異なる形状を有し、幾つかの実施形態において、ドロップパターン生成フィールド１４５は、基板１０２の全体を含む。
インプリントフィールド１４１のそれぞれの上に、成形可能材料（例えば、パターン層、平面層）から個別の層が形成されてもよい。アップリケ１０６及び基板１０２を支持する基板位置決めステージは、ｘ軸及びｙ軸の両方に沿って、アップリケ１０６及び基板１０２を移動させることができる。これにより、基板位置決めステージは、インプリントフィールド１４１の上に成形可能材料のドロップを堆積する流体ディスペンサ１２２の下に、次いで、インプリントフィールド１４１の上に堆積された成形可能材料にパターン（例えば、パターン層）を形成するテンプレート１０８の下に、インプリントフィールド１４１のそれぞれを位置決めすることができる。幾つかの実施形態において、基板面の上に１つのインプリントフィールド１４１のみがある。
インプリントフィールド１４１が流体ディスペンサ１２２の下に位置決めされると、流体ディスペンサ１２２は、インプリントフィールド１４１の上に成形可能材料のドロップ１２４を堆積させることができる。例えば、図３は、ドロップパターン１４２に従って、成形可能材料のドロップ１２４が流体ディスペンサ１２２によって堆積されたインプリントフィールド１４１Ａを示す。幾つかの実施形態において、流体ディスペンサ１２２は、同じドロップパターンに従って、インプリントフィールド１４１のそれぞれの上にドロップ１２４を堆積させる。しかしながら、幾つかの実施形態において、流体ディスペンサ１２２は、インプリントフィールド１４１の幾つかに対して、異なるドロップパターンを使用する。
図４は、ドロップパターンを生成するための動作フローの例示的な実施形態を示す。ここで記載されるこの動作フロー及び他の動作フローは、それぞれ、特定のそれぞれの順序で提示されるが、これらの動作フローの幾つかの実施形態は、提示された順序とは異なる順序で、少なくとも動作の幾つかを行う。異なる順序の例は、同時、並列、オーバーラップ、並べ替え、同期、インクリメンタル及びインターリーブされた順序を含む。また、これらの動作フローの幾つかの実施形態は、ここで記載される動作フローの２つ以上からの動作（例えば、ブロック）を含む。このように、動作フローの幾つかの実施形態は、ブロックを省略し、ブロックを追加し（例えば、ここで記載される他の動作フローからのブロックを含む）、ブロックの順序を変更し、ブロックを結合し、又は、ブロックを、ここで説明される動作フローの例示的な実施形態に対して、より多くのブロックに分割してもよい。
更に、ここで記載されるこの動作フロー及び他の動作フローは、ドロップパターン生成デバイスによって行われるが、これらの動作フローの幾つかの実施形態は、２つ以上のドロップパターン生成デバイス、又は、１つ以上の他の特別に構成されたコンピュータデバイス（例えば、ナノインプリントリソグラフィ制御デバイス）によって行われる。
図４において、フローは、ブロックＢ４００で開始し、次いで、ドロップパターン生成デバイスが、単一のドロップにおける成形可能材料の体積を示す、成形可能材料のドロップの体積（ドロップ体積）を設定又は取得する（例えば、回収する、受け取る）、ブロックＢ４０５に移行する。対応するナノインプリントリソグラフィシステムの構成要素（例えば、流体ディスペンサ）に応じて、ドロップ体積は、可能な体積の範囲（例えば、調整可能である）、可能な体積の調整可能なセットを有してもよいし、又は、ドロップ体積は、固定体積であってもよい。次に、ブロックＢ４１０において、ドロップパターン生成デバイスは、１つ以上のインプリントフィールドを含み、フィールド体積を定義する、ドロップパターン生成フィールドの材料マップ（フィールド材料マップ）を取得する。フィールド材料マップは、基板の全体をカバーしてもよいし、或いは、基板の一部のみをカバーしてもよい。例えば、フィールド材料マップは、各タイル（例えば、ピクセル、ボクセル）のそれぞれの値がインプリント材料の体積（例えば、図１のパターン層１２５などのパターン層の体積）を示す画像（例えば、ビットマップ、ＰＮＧ）であってもよいし、或いは、ＧＤＳＩＩデータ又はＯＡＳＩＳデータなどのレイアウトデータに基づいて生成されてもよい。図５は、フィールド材料マップ１６０の例示的な実施形態を示す。フィールド材料マップ１６０における異なるシェードは、タイルの位置におけるインプリント材料の個別の体積を示す。
次に、ブロックＢ４１５において、ドロップパターン生成デバイスは、ドロップパターン生成フィールドを、複数のサブ領域に分割（区分）する。例えば、幾つかの実施形態において、サブ領域は、他の如何なるサブ領域とも重複しない（サブ領域は、オーバーラップしない）。また、集合的に、サブ領域は、ドロップパターン生成フィールドの全体をカバーしてもよい（即ち、サブ領域の結合は、ドロップパターン生成フィールドの全体を含む）。このように、サブ領域の間にギャップはなくてもよいし、各サブ領域は、１つ以上の他のサブ領域に隣接してもよい（例えば、１つ以上の境界を共有してもよい）。
幾つかの実施形態において、サブ領域の全ては、同じサイズ及び形状を有し、幾つかの実施形態において、サブ領域の少なくとも幾つかは、異なるサイズ及び形状を有する。更に、サブ領域のサイズ及び形状は、インプリントフィールド１４１のサイズ及び形状と異なっていてもよい。例えば、図６は、ドロップパターン生成フィールド１６２及び複数のサブ領域１６４の例示的な実施形態を示す。図６において、サブ領域は、異なるサイズ及び形状を有し、サブ領域１６４のうちの１つは、円形であり、他の３つのサブ領域１６４は、環状である。
また、サブ領域の寸法（例えば、長さ、幅、半径）の最小サイズは、ナノインプリントリソグラフィシステムの１つ以上の分配ピッチに基づいていてもよい（例えば、倍数であってもよい）。例えば、サブ領域の寸法の最小サイズは、分配ピッチの２倍、３倍、又は、１０倍であってもよい。更に、ブロックＢ４２５～Ｂ４３０を行うことができる速度は、例えば、第２ドロップパターン生成プロセスが２次式ランタイム（例えば、サブ領域におけるドロップの数の２乗に従って増加するランタイム）を有する実施形態において、サブ領域のサイズが減少するにつれて、増加してもよい。
そして、ブロックＢ４２０において、ドロップパターン生成デバイスは、（ブロックＢ４２０の第１反復における）第１サブ領域、又は、（ブロックＢ４２０の第１反復に続くブロックＢ４２０の反復における）次のサブ領域を選択する。サブ領域が選択される順序は、変化させてもよい。例えば、幾つかの実施形態において、順序は、サブ領域の形状、サブ領域の空間的関係、コンピュータ環境及びユーザ入力の１つ以上に基づいている。サブ領域を選択するために、ドロップパターン生成デバイスは、選択されたサブ領域以外の全てをカバーするマスクを、ドロップパターン生成フィールドに適用してもよい。
そして、フローは、ドロップパターン生成デバイスが、第１ドロップパターン生成プロセスを使用して、選択されたサブ領域に対する初期ドロップパターンを生成する、ブロックＢ４２５に移行する。第１ドロップパターン生成プロセスは、入力として、選択されたサブ領域に対応するフィールド材料マップの部分を使用してもよい。初期ドロップパターンは、線形ランタイム（例えば、０（ｎ）ランタイム、ここで、ｎは、選択されたサブ領域の面積、又は、選択されたサブ領域におけるドロップの数である）を有してもよく、非反復であってもよい。例えば、第１ドロップパターン生成プロセスは、米国特許出願公開第１６／９０６，８０５号又は米国特許出願公開第１６／９１２，４９５号に記載されたドロップパターン生成プロセスのうちの１つであってもよく、これらは参照により本明細書に組み込まれる。
そして、ブロックＢ４３０において、ドロップパターン生成デバイスは、初期ドロップパターンに基づいて、第２ドロップパターン生成プロセスを使用して、選択されたサブ領域に対する改正ドロップパターンを生成する。第２ドロップパターン生成プロセスは、開始ドロップパターンとして、初期ドロップパターンを使用し、初期ドロップパターンを修正（例えば、改正、改良、最適化）する。第２ドロップパターン生成プロセスは、反復であってもよく、非線形ランタイムを有していてもよい。例えば、第２ドロップパターン生成プロセスは、２次式ランタイム（例えば、０（ｎ２）ランタイム、ここで、ｎは、選択されたサブ領域の面積、又は、選択されたサブ領域におけるドロップの数である）、又は、２次式ランタイムよりも大きいランタイムを有していてもよい。また、例えば、第２ドロップパターン生成プロセスは、米国特許第８，１１９，０５２号に記載されたドロップパターン生成プロセスのうちの１つであってもよく、参照により本明細書に組み込まれる。更に、第１ドロップパターン生成プロセスによって生成された初期ドロップパターンから開始すると、第２ドロップパターン生成プロセスは、より優れた（例えば、より最適な）ドロップパターンから開始されるため、第２ドロップパターン生成プロセスの速度が更に増加する。
第１ドロップパターン生成プロセスによって生成されるドロップパターンのＲＬＴの均一性及びＴＬＴの均一性（ＲＬＴ／ＴＬＴ均一性）は、通常、第２ドロップパターン生成プロセスによって生成されるドロップパターンのＲＬＴ／ＴＬＴ均一性ほど良好ではない。領域（例えば、ドロップパターン生成フィールド、インプリントフィールド）がＲＬＴ／ＴＬＴ均一性を有する場合、基板の上面から硬化した成形可能材料の上面までの距離は、かかる領域において、どこでも同じである。しかしながら、第１ドロップパターン生成プロセスは、第２ドロップパターン生成プロセスよりも迅速に行うことができる。
次に、ブロックＢ４３５において、ドロップパターン生成デバイスは、個別の改正ドロップパターンが各サブ領域に対して生成されたかどうかを判定する。ドロップパターン生成デバイスが、個別の改正ドロップパターンが各サブ領域に対して生成されていないと判定した場合（Ｂ４３５＝Ｎｏ）、フローは、ブロックＢ４２０に戻る。ドロップパターン生成デバイスが、個別の改正ドロップパターンが各サブ領域に対して生成されていると判定した場合（Ｂ４３５＝Ｙｅｓ）、フローは、ブロックＢ４４０に移行する。
ブロックＢ４４０において、ドロップパターン生成デバイスは、サブ領域の改正ドロップパターンに基づいて、ドロップパターン生成フィールドの全体のドロップパターンを生成する。例えば、ドロップパターン生成デバイスは、サブ領域の改正ドロップパターンの全てを結合することによって、ドロップパターン生成フィールドの全体のドロップパターンを形成してもよく、改正ドロップパターンのそれぞれは、ドロップパターン生成フィールドで個別のサブ領域が占める、ドロップパターンの同じ位置を占めてもよい。最後に、フローは、ブロックＢ４４５において終了する。
１つの例示的な実施形態において、ドロップパターン生成フィールドは、円形であり、約３００ｍｍの直径を有する。また、フィールド材料マップは、（例えば、図５に示すように）多くのサブフィールド、ダイ及びセルを有する。ブロックＢ４１５において、ドロップパターン生成デバイスは、円形のドロップパターン生成フィールドを、サブ領域、例えば、図６に示されるサブ領域１６４に分割する。図６は、ドロップパターン生成フィールドの中心（これは、図６では正確な縮尺ではないが、ドロップパターン生成フィールドの直径の１０％である直径を有する）に中心が位置する円形のサブ領域１６４Ａと、円形のサブ領域１６４Ａの中心に位置する同心の環状のサブ領域１６４Ｂ～Ｄと、を含む。
ブロックＢ４２０において、ドロップパターン生成デバイスは、この例では、円形のサブ領域（例えば、図６のサブ領域１６４Ａ）である第１サブ領域を選択する。例えば、ドロップパターン生成デバイスは、円形のサブ領域に含まれないドロップパターン生成フィールドの領域を除外するために、マスクを使用してもよい。
そして、ブロックＢ４２５において、ドロップパターン生成デバイスは、第１ドロップパターン生成プロセスを使用して、円形のサブ領域（例えば、図６のサブ領域１６４Ａ）に対する初期ドロップパターン（ＤＰ１Ａ）を生成する。次に、ブロックＢ４３０において、ドロップパターン生成デバイスは、開始ドロップパターンとして初期ドロップパターン（ＤＰ１Ａ）を使用し、初期ドロップパターンを修正する第２ドロップパターン生成プロセスを使用して、円形のサブ領域に対する改正ドロップパターン（ＤＰ１Ｂ）を生成し、これにより、改正ドロップパターン（ＤＰ１Ｂ）が生成される円形のサブ領域の改正ドロップパターン（ＤＰ１Ｂ）は、ドロップパターン生成デバイスが、第１ドロップパターン生成プロセスを行わずに、ドロップパターン生成フィールドの全体に対して第２ドロップパターン生成プロセスを行った場合（例えば、ドロップパターン生成デバイスが、開始ドロップパターンとして、ランダムドロップパターンを使用して、第２ドロップパターン生成プロセスを行った場合）に、円形のサブ領域に対して生成されたドロップパターンと類似又は同一であってもよい。
次に、ブロックＢ４３５において、ドロップパターン生成デバイスは、個別の改正ドロップパターンが各サブ領域に対して生成されていないと判定し、フローは、ブロックＢ４２０に戻り、ドロップパターン生成デバイスは、円形のサブ領域（例えば、図６のサブ領域１６４Ｂ）と境界を共有する円環状であるサブ領域を選択する。サブ領域は、ドロップパターン生成フィールドの直径の４．２％である厚さを有する（図６では正確な縮尺ではない）。この厚さにより、２つのサブ領域（中央の円及び環）がほぼ同じ面積を有するため、ブロックＢ４２５～Ｂ４３０の反復の計算負荷は、ブロックＢ４２５～Ｂ４３０の最初の反復の計算負荷と同様となる。
環状のサブ領域を選択するために、ドロップパターン生成デバイスは、ドロップパターン生成フィールドの中心に中心が位置し、環状のサブ領域の内及び外半径に等しい半径を有する２つの同心円を有する環状の形状であるドロップパターン生成フィールドに、マスクを適用してもよい。連続するマスクが互いに重ね合わされる幾つかの実施形態において、マスクジオメトリが、偶数回（０回を含む）交差するサブ領域が隠され、奇数回交差するサブ領域が可視されるマスクコンベンションが使用される。
そして、ドロップパターン生成デバイスは、選択されたサブ領域に対して、ブロックＢ４２５～Ｂ４３０を行い、これにより、選択されたサブ領域に対する初期ドロップパターン（ＤＰ２Ａ）及び改正ドロップパターン（ＤＰ２Ｂ）を生成する。この例において、ブロックＢ４２５～Ｂ４３０の間、円形の領域（図６のサブ領域１６４Ａ）に対する改正ドロップパターン（ＤＰ１Ｂ）は、変更されない。
そして、ドロップパターン生成デバイスは、残りのサブ領域に対して、ブロックＢ４２５～Ｂ４３０を行う。ブロックＢ４２５～Ｂ４３０の各反復において、ドロップパターン生成デバイスは、隣接する環状のサブ領域（例えば、改正ドロップパターンが先行の反復において生成されたサブ領域を取り囲む、より大きな環状のサブ領域）を選択し、これにより、円形のドロップパターン生成フィールドの全体がカバーされるまで、付加的な初期ドロップパターン（ＤＰ３Ａ、ＤＰ４Ａなど）及び改正ドロップパターン（ＤＰ３Ｂ、ＤＰ４Ｂなど）を生成する。
ここで記載される動作フロー及び他の動作フローは、実質的に、ドロップパターン生成デバイスがドロップパターンを生成することができる速度を増加させる。例えば、幾つかの実施形態において、１４９ｍｍの半径ｒ及び１ｍｍの厚さ（９３６ｍｍ２の面積を有する）を備えるフルウエハに対して第２ドロップパターン生成プロセスを行うことと、そのエッジ（１５０ｍｍの半径及び７０,６８６ｍｍ２の面積）までのウエハに対して第２ドロップパターン生成プロセスを行うこととの対比は、２次式ランタイムを仮定すると、第２ケースにおけるランタイムを、反復ごとに、第１ケースよりも５７００倍長くする。ウエハの中央の円形のサブ領域までの全てのリング状のサブ領域（合計で１５０リング、各１ｍｍ厚さ）に対して改正ドロップパターン生成を繰り返し、（小さい面積を有する）より小さいリングのより短いランタイムを考慮すると、ドロップパターン生成フィールドの全体に対するドロップパターン生成は、（ドロップパターン生成フィールドの全体に対して第２ドロップパターン生成プロセスを行うのに対して）７５倍高速である。
また、例えば、幾つかの実施形態において、３００ｍｍの円形のドロップパターン生成フィールドは、中央の円を備え、同心リングの形状である、１５０のサブ領域に分割される。第２ドロップパターン生成プロセスのｍ回の反復を仮定すると、ウエハの全体に対して第２ドロップパターン生成プロセスを行うランタイムは、ｋｍ（π１５０２）＝５Ｅ９ｋｍであり、ここで、ｋは、１回の反復のランタイムである。一方、図４のハイブリッドプロセスのランタイムは、
Figure 2022182991000002
であり、ここで、Ｔ１は、第１ドロップパターン生成プロセスのランタイムである。このように、ハイブリッドランタイムは、非ハイブリッドランタイムの０．２８％未満である。
図７は、ドロップパターンを生成するための動作フローの例示的な実施形態を示す。フローは、ブロック７００で開始し、次いで、ドロップパターン生成デバイスが、ドロップ体積を設定又は取得する、ブロックＢ７０５に移行する。次に、ブロックＢ７１０において、ドロップパターン生成デバイスは、フィールド材料マップを取得する。そして、ブロックＢ７１５において、ドロップパターン生成デバイスは、フィール材料マップを、複数のサブ領域に分割する。
そして、フローは、ドロップパターン生成デバイスが、複数のサブ領域のうちの第１サブ領域を選択する、ブロックＢ７２０に移る。そして、フローは、ドロップパターン生成デバイスが、第１ドロップパターン生成プロセスを行うことによって、選択されたサブ領域に対する初期ドロップパターンを生成する、ブロクＢ７２５に移行する。第１ドロップパターン生成プロセスは、入力として、選択されたサブ領域に対応するフィールド材料マップの部分を使用してもよい。
次に、ブロックＢ７３０において、ドロップパターン生成デバイスは、隣接するサブ領域の改正ドロップパターンの１つ以上の境界領域を修正するかどうかを判定する。例えば、ドロップパターン生成デバイスは、隣接するサブ領域の改正ドロップパターンの１つ以上の境界領域の修正を可能する設定が（例えば、ユーザによって、ソフトウエアアプリケーションによって、機械学習モデルによって）設定されているかどうかを判定してもよいし、或いは、ドロップパターン生成デバイスは、隣接するサブ領域の任意の改正ドロップパターンが生成されたかどうかを判定してもよい。ドロップパターン生成デバイスが、隣接するサブ領域の改正ドロップパターンの１つ以上の境界領域を修正しないと判定した場合（Ｂ７３０＝０）、フローは、ボロックＢ７３５に移る。ドロップパターン生成デバイスが、隣接するサブ領域の改正ドロップパターンの１つ以上の境界領域を修正すると判定した場合（Ｂ７３０＝Ｙｅｓ）、フローは、ブロックＢ７４０に進む。
ブロックＢ７３５において、ドロップパターン生成デバイスは、第２ドロップパターン生成プロセスを行うことによって、選択されたサブ領域に対する改正ドロップパターンを生成する。第２ドロップパターン生成プロセスは、入力として、初期ドロップパターン、及び、選択されたサブ領域に対応するフィールド材料マップの部分を使用してもよい。ブロックＢ７３５から、フローは、ブロックＢ７４５に移る。
ブロックＢ７４０において、ドロップパターン生成デバイスは、第２ドロップパターン生成プロセスを行うことによって、選択されたサブ領域に対する改正ドロップパターンを生成する。また、ドロップパターン生成デバイスは、隣接するサブ領域の改正ドロップパターンの１つ以上の境界領域を修正してもよい。境界領域は、距離（例えば、２０μｍ、５０μｍ、１００μｍ、２００μｍ、３００μｍ、５００μｍ、７５０μｍ、１，０００μｍ）によって、又は、分配ピッチの倍数（例えば、２倍の分配ピッチ、３倍の分配ピッチ、５倍の分配ピッチ、１０倍の分配ピッチ、２０倍の分配ピッチ、５０倍の分配ピッチ、８０倍の分配ピッチ、１００倍の分配ピッチ）によって定義されてもよい。幾つかの実施形態において、倍数は、負ではない整数である。また、境界領域は、異なる軸上で異なるように定義されてもよい。例えば、境界境域が分配ピッチの倍数によって定義され、ｙ方向の分配ピッチがｘ方向の分配ピッチと異なる場合、境界領域のサイズは、異なっていてもよい。更に、ドロップパターン生成デバイスは、境界領域におけるドロップ位置と、善悪されたサブ領域における最も近いドロップ位置との間の距離が分配ピッチの倍数であるように、境界領域におけるドロップ位置を変更してもよい。
第２ドロップパターン生成プロセスは、入力として、少なくとも、初期ドロップパターン、隣接するサブ領域の改正ドロップパターンの１つ以上の個別の境界領域、及び、サブ領域及び境界領域に対応するフィールド材料マップの部分を使用してもよい。ブロックＢ７４０から、フローは、ブロックＢ７４５に移る。
ブロックＢ７４５において、ドロップパターン生成デバイスは、個別の改正ドロップパターンが各サブ領域に対して生成されたかどうかを判定する。
ドロップパターン生成デバイスが、個別の改正ドロップパターンが各サブ領域に対して生成されていないと判定した場合（Ｂ７４５＝Ｎｏ）、フローは、ドロップパターン生成デバイスが、次のサブ領域を選択する、ブロックＢ７２０に戻る。ドロップパターン生成デバイスが、個別の改正ドロップパターンが各サブ領域に対して生成されていると判定した場合（Ｂ７４５＝Ｙｅｓ）、フローは、ブロックＢ７５０に移行する。
ブロックＢ７５０において、ドロップパターン生成デバイスは、サブ領域の改正ドロップパターンに基づいて、ドロップパターン生成フィールドの全体のドロップパターンを生成する。最後に、フローは、ブロックＢ７５５において終了する。
図８は、ドロップパターンを生成するための動作フローの例示的な実施形態を示す。フローは、ブロック８００で開始し、次いで、ドロップパターン生成デバイスが、ドロップ体積を設定又は取得する、ブロックＢ８０５に移行する。次に、ブロックＢ８１０において、ドロップパターン生成デバイスは、フィールド材料マップを取得する。そして、ブロックＢ８１５において、ドロップパターン生成デバイスは、フィールド材料マップを、複数のサブ領域に分割する。そして、フローは、ドロップパターン生成デバイスが、複数のサブ領域のうちの（ブロックＢ８２０の第１反復における）第１サブ領域、又は、（ブロックＢ８２０の後続の反復における）次のサブ領域を選択する、ブロックＢ８２０に移る。
そして、フローは、ドロップパターン生成デバイスが、選択されたサブ領域に対して、最適ドロップパターンが既に利用可能であるかどうかを判定する、ブロックＢ８２５に進む。例えば、サブ領域がフィーチャレス領域又はブランク領域である場合、格子ドロップパターンは、サブ領域に対して最適である。ドロップパターン生成デバイスの幾つかの実施形態は、選択されたサブ領域に対する最適ドロップパターンのための１つ以上のデータベースを検索する。ドロップパターン生成デバイスが、選択されたサブ領域に対して、最適ドロップパターンが既に利用可能であり、最適ドロップパターンを取得可能であると判定した場合、フローは、ブロックＢ８３０に移る。ブロックＢ８３０において、ドロップパターン生成デバイスは、選択されたサブ領域に対して、最適ドロップパターンを割り当てて、フローは、ブロックＢ８５０に移る。
ドロップパターン生成デバイスが、選択されたサブ領域に対して、最適ドロップパターンがまだ利用可能でないと判定した場合、或いは、ドロップパターン生成デバイスが、最適ドロップパターンを取得することができない場合、フローは、ブロックＢ８３５に進む。
ブロックＢ８３５において、ドロップパターン生成デバイスは、選択されたサブ領域の初期ドロップパターンを生成する第１ドロップパターン生成プロセスを行う。第１ドロップパターン生成プロセスは、入力として、少なくとも、選択されたサブ領域に対応するフィールド材料マップの部分を使用してもよい。次に、ブロックＢ８４０において、ドロップパターン生成デバイスは、選択されたサブ領域に対する改正ドロップパターンを生成する第２ドロップパターン生成プロセスを行う。第２ドロップパターン生成プロセスは、入力として、少なくとも、初期ドロップパターン、及び、選択されたサブ領域に対応するフィールド材料マップの部分を使用してもよい。そして、フローは、ドロップパターン生成デバイスが、選択されたサブ領域に対して、改正ドロップパターンを割り当てる、ブロックＢ８４５に移る。ブロックＢ８４５から、フローは、ブロックＢ８５０に移る。
ブロックＢ８５０において、ドロップパターン生成デバイスは、個別のドロップパターンが各サブ領域に対して割り当てられたかどうかを判定する。ドロップパターン生成デバイスが、個別のドロップパターンが各サブ領域に対して割り当てられていないと判定した場合（Ｂ８５０＝Ｎｏ）、フローは、ブロックＢ８２０に戻る。ドロップパターン生成デバイスが、個別のドロップパターンが各サブ領域に対して割り当てられたと判定した場合（Ｂ８５０＝Ｙｅｓ）、フローは、ブロックＢ８５５に移行する。
ブロックＢ８５５において、ドロップパターン生成デバイスは、サブ領域の割り当てられたドロップパターン（改正ドロップパターン及び最適ドロップパターン）に基づいて、ドロップパターン生成フィールドの全体に対するドロップパターンを生成する。最後に、フローは、ブロックＢ８６０において終了する。
図９は、ドロップパターンを生成するための動作フローの例示的な実施形態を示す。フローは、ブロック９００で開始し、次いで、ドロップパターン生成デバイスが、フィールド材料マップを取得し、ドロップ体積を設定する、ブロックＢ９０５に移行する。そして、ブロックＢ９１０において、ドロップパターン生成デバイスは、フィールド材料マップを、複数のサブ領域に分割する。そして、フローは、ドロップパターン生成デバイスが、サブ領域のそれぞれを、（１）利用可能な最適ドロップパターンを有するか、或いは、（２）利用可能な最適ドロップパターンを有していないか、のいずれかに分類する、ブロックＢ９１５に移る。例えば、図１０は、（ドロップパターン生成フィールドの全体に対する）フィールド材料マップ１６２、及び、複数のサブ領域１６４の例示的な実施形態を示す。そして、この例において、ドロップパターン生成デバイスは、サブ領域１６４Ａ及び１６４Ｃに対して、最適ドロップパターンが利用可能であると判定し、従って、サブ領域１６４Ａ及び１６４Ｃを、（１）利用可能な最適ドロップパターンを有する、と分類する。例えば、図１１は、図１０のサブ領域１６４Ａ及び１６４Ｃに対する最適ドロップパターン１６５の例示的な実施形態を示す。ドロップパターン１６５Ａは、サブ領域１６４Ａに対する最適ドロップパターンであり、ドロップパターン１６５Ｃは、サブ領域１６４Ｃに対する最適ドロップパターンである。しかしながら、ドロップパターン生成デバイスは、サブ領域１６４Ｂに対して、最適ドロップパターンが利用可能ではないと判定し、従って、サブ領域１６４Ｂを、（２）利用可能な最適ドロップパターンを有していない、と分類する。
そして、フローは、第１フローと、第２フローとに分割される。
第１フローは、ドロップパターン生成デバイスが、最適ドロップパターンが利用可能であるサブ領域に対して、個別の最適ドロップパターンを割り当てる、ブロックＢ９２０に移る。そして、第１フローは、第１フローが第２フローと再結合する、ブロックＢ９５５に移行する。
第２フローは、ドロップパターン生成デバイスが、利用可能な最適ドロップパターンを有していないＮ個のサブ領域をキューに加える、ブロックＢ９２５に進む。次に、ブロックＢ９３０において、ドロップパターン生成デバイスは、インデックスｎを１に設定する。そして、ブロックＢ９３５において、ドロップパターン生成デバイスは、キューにおけるサブ領域Ｓｎに対するサブ領域マスクを生成する。そして、第２フローは、ドロップパターン生成デバイスが、サブ領域Ｓｎに対する初期ドロップパターンＩＤＰｎを生成する第１ドロップパターン生成プロセスを行う、ブロックＢ９４０に移行する。そして、第２フローは、ドロップパターン生成デバイスが、サブ領域Ｓｎに対する改正ドロップパターンＲＤＰｎを生成する第２ドロップパターン生成プロセスを行う、ブロックＢ９４５に移る。そして、ブロックＢ９５０において、ドロップパターン生成デバイスは、改正ドロップパターンＲＤＰｎをサブ領域Ｓｎに割り当てる。例えば、図１２は、図１０のサブ領域１６４Ｂに対する改正ドロップパターン１６５Ｂの例示的な実施形態を示す。
そして、第２フローは、第２フローが第１フローに再結合し、ドロップパターン生成デバイスが、改正ドロップパターンがキューにおける各サブ領域に対して生成されたかどうかを判定する、ブロックＢ９５５に進む。ドロップパターン生成デバイスが、改正ドロップパターンがキューにおける各サブ領域に対して生成されていないと判定した場合（Ｂ９５５＝Ｎｏ）、フローは、ブロックＢ９６０に移行する。ブロックＢ９６０において、ドロップパターン生成デバイスは、インデックスｎを１だけ増加させ（ｎ＝ｎ＋１）、そして、第２フローは、ブロックＢ９３５に戻る。ドロップパターン生成デバイスが、改正ドロップパターンがキューにおける各サブ領域に対して生成されたと判定した場合（Ｂ９５５＝Ｙｅｓ）、第２フローは、ブロックＢ９６５に移る。
ブロックＢ９６５において、ドロップパターン生成デバイスは、改正ドロップパターンＲＤＰｎ（ｎ＝１～Ｎ）、及び、サブ領域に割り当てられた最適ドロップパターンに基づいて、ドロップパターン生成フィールドの全体に対するドロップパターンを生成する。最後に、フローは、ブロックＢ９７０において終了する。
図１３は、ドロップパターン生成デバイスの例示的な実施形態を示す。ドロップパターン生成デバイス１３７０は、１つ以上のプロセッサ１３７２と、１つ以上のＩ／Ｏコンポーネント１３７３と、記憶装置１３７４とを含む。また、ドロップパターン生成デバイス１３７０のハードウエアコンポーネントは、１つ以上のバス又はその他の電気的接続を介して通信する。バスの例は、ユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）、ＩＥＥＥ １３９４バス、ペリフェラル コンポーネント インターコネクト（ＰＣＩ）バス、ペリフェラル コンポーネント インターコネクト エクスプレス（ＰＣＩｅ）バス、アクセラレーテッド グラフィックス ポート（ＡＧＰ）バス、シリアル ＡＴ アタッチメント（ＳＡＴＡ）バス、及び、スモール コンピュータ システム インタフェース（ＳＣＳＩ）バスを含む。
１つ以上のプロセッサ１３７２は、マイクロプロセッサ（例えば、シングルコアマイクロプロセッサ、マルチコアマイクロプロセッサ）、１つ以上のグラフィック処理装置（ＧＰＵｓ）、１つ以上のテンソル処理装置（ＴＰＵｓ）、１つ以上の特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣｓ）、１つ以上のフィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡｓ）、１つ以上のデジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰｓ）、又は、その他の電子回路（例えば、その他の集積回路）を含む１つ以上の中央演算処理装置（ＣＰＵｓ）を含む。Ｉ／Ｏコンポーネント１３７３は、基板位置決めステージ、インプリントヘッド、流体ディスペンサ、エネルギーソース及びカメラのうちの１つ以上と通信する通信コンポーネントを含んでいてもよい。また、Ｉ／Ｏコンポーネント１３７３は、ネットワーク、ナノインプリントリソグラフィ制御デバイス、又は、ディスプレイデバイス、キーボード、マウス、プリントデバイス、タッチスクリーン、ライトペン、光学記憶装置、スキャナ、マイクロフォン、ドライブ、ジョイスティック及びコントロールパッドを含む、他の入出力デバイス（不図示）と通信する通信コンポーネント（例えば、グラフィックカード、ネットワークインタフェースコントローラ）を含んでいてもよい。
記憶装置１３７４は、１つ以上のコンピュータ可読記憶媒体を含む。ここで使用されるように、コンピュータ可読記憶媒体は、製造の物品、例えば、磁気ディスク（例えば、フロッピーディスク（登録商標）、ハードディスク）、光ディスク（例えば、ＣＤ、ＤＶＤ、Ｂｌｕ－ｒａｙ（登録商標））、光磁気ディスク、磁気テープ、半導体メモリ（例えば、不揮発性メモリカード、フラッシュメモリ、半導体ドライブ、ＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ）を含む。記憶装置１３７４は、ＲＯＭ及びＲＡＭの両方を含んでもよく、コンピュータ可読データ又はコンピュータ実行可能命令を記憶することができる。
ドロップパターン生成デバイス１３７０は、初期化モジュール１３７４Ａ、フィールド分割及び選択モジュール１３７４Ｂ、第１ドロップパターン生成モジュール１３７４Ｃ、第２ドロップパターン生成モジュール１３７４Ｄ、最適ドロップパターン利用可能モジュール１３７４Ｅ、ドロップパターン結合モジュール１３７４Ｆ、リソグラフィ制御モジュール１３７４Ｇ、及び、通信モジュール１３７４Ｈも含む。モジュールは、論理回路、コンピュータ可読データ又はコンピュータ実行可能命令を含む。図１３に示す実施形態において、モジュールは、ソフトウエア（例えば、Ａｓｓｅｍｂｌｙ、Ｃ、Ｃ＋＋、Ｃ＃、Ｊａｖａ（登録商標）、ＢＡＳＩＣ、Ｐｅｒｌ、Ｖｉｓｕａｌ Ｂａｓｉｃ）で実装される。しかしながら、幾つかの実施形態において、モジュールは、ハードウエア（例えば、カスタマイズされた回路）、又は、代替的に、ソフトウエアとハードウエアとの組み合わせで実装される。モジュールが、少なくとも部分的に、ソフトウエアで実装される場合、ソフトウエアは、記憶装置１３７４に記憶される。また、ドロップパターン生成デバイス１３７０の幾つかの実施形態は、付加的なモジュールを含み、これらのモジュールの幾つかを省略し、これらのモジュールをより少ないモジュールに結合し、又は、これらのモジュールをより多くのモジュールに分割する。更に、ドロップパターン生成デバイス１３７０は、材料マップリポジトリ１３７４Ｉ、及び、ドロップパターンリポジトリ１３７４Ｊを含む。材料マップリポジトリ１３７４Ｉは、フィールド材料マップ及びサブ領域を記憶し、ドロップパターンリポジトリ１３７４Ｊは、ドロップパターン（例えば、初期ドロップパターン、改正ドロップパターン、フルフィールドドロップパターン、最適ドロップパターン）を記憶する。
初期化モジュール１３７４Ａは、ドロップパターン生成デバイス１３７０に、ドロップ体積を取得（例えば、設定、受け取り）させ、フィールド材料マップを取得させ、変数を初期化させ、他の初期化動作を実行させる命令を含む。例えば、初期化モジュール１３７４Ａの幾つかの実施形態は、ドロップパターン生成デバイス１３７０に、図４のブロックＢ４０５～Ｂ４１０、図７のブロックＢ７０５～Ｂ７１０、図８のブロックＢ８０５～Ｂ８１０、及び、図９のブロックＢ９０５に記載された動作のうちの少なくとも幾つかを実行させる命令を含む。
フィールド分割及び選択モジュール１３７４Ｂは、ドロップパターン生成デバイス１３７０に、ドロップパターン生成フィールドをサブ領域に分割させ、サブ領域を善悪させる命令を含む。例えば、フィールド分割及び選択モジュール１３７４Ｂの幾つかの実施形態は、ドロップパターン生成デバイス１３７０に、図４のブロックＢ４１５～Ｂ４２０、図７のブロックＢ７１５～Ｂ７２０及びＢ７４５、図８のブロックＢ８５０、及び、図９のブロックＢ９２５～Ｂ９３０及びＢ９５５～Ｂ９６０に記載された動作のうちの少なくとも幾つかを実行させる命令を含む。また、サブ領域は、材料マップリポジトリ１３７４Ｉに記憶されていてもよい。
第１ドロップパターン生成モジュール１３７４Ｃは、ドロップパターン生成デバイス１３７０に、第１ドロップパターン生成プロセスを行うことによって、サブ領域に対する初期ドロップパターンを生成させる命令を含む。第１ドロップパターン生成プロセスの入力の例は、フィールド材料マップ（例えば、サブ領域に対応するフィールド材料マップの領域）、及び、ドロップ体積を含む。例えば、第１ドロップパターン生成モジュール１３７４Ｃの幾つかの実施形態は、ドロップパターン生成デバイス１３７０に、図４のブロックＢ４２５、図７のブロックＢ７２５、図８のブロックＢ８３５、及び、図９のブロックＢ９３５～Ｂ９４０に記載された動作のうちの少なくとも幾つかを実行させる命令を含む。また、初期ドロップパターンは、ドロップパターンリポジトリ１３７４Ｊに記憶されていてもよい。
第２ドロップパターン生成モジュール１３７４Ｄは、ドロップパターン生成デバイス１３７０に、第２ドロップパターン生成プロセスを行うことによって、サブ領域に対する改正ドロップパターンを生成させる命令を含む。第２ドロップパターン生成プロセスの入力の例は、初期ドロップパターン、フィールド材料マップ（例えば、サブ領域に対応するフィールド材料マップの領域）、ドロップ体積、及び、隣接する改正ドロップパターンの１つ以上の境界領域を含む。例えば、第２ドロップパターン生成モジュール１３７４Ｄの幾つかの実施形態は、ドロップパターン生成デバイス１３７０に、図４のブロックＢ４２５、図７のブロックＢ７３０～Ｂ７４０、図８のブロックＢ８４０～Ｂ８４５、及び、図９のブロックＢ９４５～Ｂ９５０に記載された動作のうちの少なくとも幾つかを実行させる命令を含む。また、改正ドロップパターンは、ドロップパターンリポジトリ１３７４Ｊに記憶されていてもよい。
最適ドロップパターン利用可能モジュール１３７４Ｅは、ドロップパターン生成デバイス１３７０に、個別の最適ドロップパターンがサブ領域に対して利用可能である（例えば、データベースに記憶されている）かどうかを判定させ、個別の最適ドロップパターンをサブ領域に割り当てさせる命令を含む。例えば、最適ドロップパターン利用可能モジュール１３７４Ｅの幾つかの実施形態は、ドロップパターン生成デバイス１３７０に、図８のブロックＢ８２５～Ｂ８３０、及び、図９のブロックＢ９１５～Ｂ９２０に記載された動作のうちの少なくとも幾つかを実行させる命令を含む。
ドロップパターン結合モジュール１３７４Ｆは、ドロップパターン生成デバイス１３７０に、フルドロップパターン生成フィールドを構成するサブ領域のドロップパターン（例えば、改正ドロップパターン、最適ドロップパターン）に基づいて、フルドロップパターン生成フィールドに対するドロップパターンを生成させる命令を含む。例えば、ドロップパターン結合モジュール１３７４Ｆの幾つかの実施形態は、ドロップパターン生成デバイス１３７０に、図４のブロックＢ４４０、図７のブロックＢ７５０、図８のブロックＢ８５５、及び、図９のブロックＢ９６５に記載された動作のうちの少なくとも幾つかを実行させる命令を含む。
リソグラフィ制御モジュール１３７４Ｇは、ドロップパターン生成デバイス１３７０に、基板位置決めステージ、インプリントヘッド、流体ディスペンサ、エネルギーソース及びカメラなどのナノインプリントリソグラフィシステムの他の構成要素又はサブシステムを調整、制御又は指示させる命令を含む。
通信モジュール１３７４Ｈは、ドロップパターン生成デバイス１３７０に、１つ以上の他のデバイス（例えば、ナノインプリントリソグラフィ制御デバイス、基板位置決めステージ、インプリントヘッド、流体ディスペンサ、エネルギーソース、カメラ、モニタ、別のコンピュータデバイス）と通信させる命令を含む。
図１４Ａは、残留層の例示的な実施形態を示す。図１４Ａにおいて、パターン層１２５が基板１０２の上に形成されている。パターン層１２５は、残留層１５３と、凸部１５１及び凹部１５２として示される複数のフィーチャと、を含む。凸部１５１は、インプリント厚さｈｔを有し、残留層１５３は、残膜厚（ＲＬＴ）ｈｒｌを有する。
図１４Ｂは、最上層の例示的な実施形態を示す。図１４は、凹部及び凸部を含む基板１０２の上に形成されたパターン層１２５を含む。基板１０２は、基板チャック１０４によって保持される。パターン層１２５は、基板１０２の凹部及び凸部を充填する。オーバーバーデンとも称される最上層１５４は、基板１０２の上に形成され、最上層厚（ＴＬＴ）ｈｔｌを有する。また、最上層１５４の上面１５５は、フィーチャレスであり、平面である。
上述したデバイス、システム及び方法の少なくとも一部は、少なくとも部分的に、上述した動作を実現するためのコンピュータ実行可能命令を含む１つ以上のコンピュータ可読媒体を、コンピュータ実行可能命令を読み出して実行する１つ以上のコンピュータデバイスに提供することによって、実装することができる。システム又はデバイスは、コンピュータ実行可能命令を実行するときに、上述した実施形態の動作を実行する。また、１つ以上のシステム又はデバイス上のオペレーションシステムは、上述した実施形態の動作のうちの少なくとも幾つかを実装してもよい。
更に、幾つかの実施形態は、上述したデバイス、システム及び方法を実装するために、１つ以上の機能ユニットを使用する。機能ユニットは、ハードウエア（例えば、カスタマイズされた回路）だけで実装されてもよいし、ソフトウエアとハードウエアとの組み合わせ（例えば、ソフトウエアを実行するマイクロプロセッサ）で実装されてもよい。

Claims (20)

  1. ドロップパターンを生成する方法であって、
    領域の材料マップを取得することと、
    前記領域を複数のサブ領域に分割することと、
    前記複数のサブ領域のうちの１つ以上のサブ領域のそれぞれについて、第１ドロップパターン生成プロセスを行い、前記第１ドロップパターン生成プロセスは、前記材料マップに基づいて、前記サブ領域に対する個別の初期ドロップパターンを生成することと、
    前記複数のサブ領域のうちの前記１つ以上のサブ領域のそれぞれについて、第２ドロップパターン生成プロセスを行い、前記第２ドロップパターン生成プロセスは、前記材料マップ、及び、前記サブ領域に対する前記個別の初期ドロップパターンに基づいて、前記サブ領域に対する個別の改正ドロップパターンを生成することと、
    を有することを特徴とする方法。
  2. 前記サブ領域は、重複せず、前記サブ領域の集合は、前記領域の全てを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
  3. 前記第１ドロップパターン生成プロセスは、前記第２ドロップパターン生成プロセスよりも計算コストが低いことを特徴とする請求項１に記載の方法。
  4. 前記第１ドロップパターン生成プロセスは、非反復であり、前記第２ドロップパターン生成プロセスは、反復であることを特徴とする請求項３に記載の方法。
  5. 前記第２ドロップパターン生成プロセスは、前記初期ドロップパターンにおける１つ以上のドロップ位置を変更することを特徴とする請求項１に記載の方法。
  6. 前記改正ドロップパターンを組み合わせて、前記領域に対するドロップパターンを形成することを更に有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
  7. 前記複数のサブ領域の各サブ領域を、ドロップパターンが生成されるサブ領域として、或いは、ドロップパターンが生成されないサブ領域として、分類することを更に有し、
    前記複数のサブ領域のうちの前記１つ以上のサブ領域は、ドロップパターンが生成されるサブ領域として分類される前記サブ領域であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
  8. ドロップパターンが生成されないサブ領域として分類される各サブ領域は、ドロップパターンが既に格納されているサブ領域であることを特徴とする請求項７に記載の方法。
  9. 装置であって、
    １つ以上のコンピュータ可読記憶媒体と、
    前記１つ以上のコンピュータ可読記憶媒体と通信し、前記１つ以上のコンピュータ可読記憶媒体と協働する１つ以上のプロセッサと、を有し、
    前記１つ以上のプロセッサは、前記装置に、
    領域の材料マップを取得することと、
    前記領域を複数のサブ領域に分割することと、
    前記複数のサブ領域のうちの第１サブ領域について、第１ドロップパターン生成プロセスを行い、前記第１ドロップパターン生成プロセスは、前記材料マップに基づいて、前記第１サブ領域に対する個別の初期ドロップパターンを生成することと、
    前記第１サブ領域について、第２ドロップパターン生成プロセスを行い、前記第２ドロップパターン生成プロセスは、前記材料マップ、及び、前記第１サブ領域に対する前記個別の初期ドロップパターンに基づいて、前記第１サブ領域に対する個別の改正ドロップパターンを生成することと、
    をさせることを特徴とする装置。
  10. 前記１つ以上のプロセッサは、前記１つ以上のコンピュータ可読記憶媒体と協働して、前記装置に、
    前記複数のサブ領域のうちの第２サブ領域について、前記第１ドロップパターン生成プロセスを行い、前記第１ドロップパターン生成プロセスは、前記材料マップに基づいて、前記第２サブ領域に対する個別の初期ドロップパターンを生成することと、
    前記第２サブ領域について、前記第２ドロップパターン生成プロセスを行い、前記第２ドロップパターン生成プロセスは、前記材料マップ、及び、前記第２サブ領域に対する前記個別の初期ドロップパターンに基づいて、前記第２サブ領域に対する個別の改正ドロップパターンを生成することと、
    を更にさせることを特徴とする請求項９に記載の装置。
  11. 前記装置は、前記第２ドロップパターン生成プロセスよりも迅速に前記第１ドロップパターン生成プロセスを行うことができることを特徴とする請求項９に記載の装置。
  12. 前記第１ドロップパターン生成プロセスは、線形ランタイムを有することを特徴とする請求項１１に記載の装置。
  13. 前記第２ドロップパターン生成プロセスは、２次式ランタイム、又は、別の多項式ランタイムを有することを特徴とする請求項１２に記載の装置。
  14. 前記第１サブ領域は、四角形、三角形、円形及び環状の形状のうちの１つを有することを特徴とする請求項９に記載の装置。
  15. 前記複数のサブ領域は、互いに重複せず、前記複数のサブ領域の集合は、前記領域の全てを含むことを特徴とする請求項９に記載の装置。
  16. １つ以上のコンピュータデバイスによって実行された場合に、前記１つ以上のコンピュータデバイスに動作を行わせる命令を記憶する１つ以上のコンピュータ可読記憶媒体であって、
    前記動作は、
    領域の材料マップを取得することと、
    前記領域を複数のサブ領域に分割することと、
    前記複数のサブ領域のうちの１つ以上のサブ領域のそれぞれについて、第１ドロップパターン生成プロセスを行い、前記第１ドロップパターン生成プロセスは、前記材料マップに基づいて、前記サブ領域に対する個別の初期ドロップパターンを生成することと、
    前記複数のサブ領域のうちの前記１つ以上のサブ領域のそれぞれについて、第２ドロップパターン生成プロセスを行い、前記第２ドロップパターン生成プロセスは、前記材料マップ、及び、前記サブ領域に対する前記個別の初期ドロップパターンに基づいて、前記サブ領域に対する個別の改正ドロップパターンを生成することと、
    を有することを特徴とする１つ以上のコンピュータ可読記憶媒体。
  17. 前記第１ドロップパターン生成プロセスは、線形ランタイムを有し、
    前記第２ドロップパターン生成プロセスは、２次式ランタイム、又は、別の多項式ランタイムを有することを特徴とする請求項１６に記載の１つ以上のコンピュータ可読記憶媒体。
  18. 前記動作は、前記改正ドロップパターンに基づいて、前記領域に対するドロップパターンを生成することを更に有することを特徴とする請求項１６に記載の１つ以上のコンピュータ可読記憶媒体。
  19. 前記動作は、前記複数のサブ領域の各サブ領域を、ドロップパターンが生成されるサブ領域として、或いは、ドロップパターンが生成されないサブ領域として、分類することを更に有し、
    前記複数のサブ領域のうちの前記１つ以上のサブ領域は、ドロップパターンが生成されるサブ領域として分類される前記サブ領域であることを特徴とする請求項１６に記載の１つ以上のコンピュータ可読記憶媒体。
  20. 前記複数のサブ領域のうちの前記１つ以上のサブ領域のそれぞれについて、前記第２ドロップパターン生成プロセスを連続的に行うことを含む前記第２ドロップパターン生成プロセスを行うことを更に有し、
    前記第２ドロップパターン生成プロセスの少なくとも幾つかのパフォーマンスは、前記複数のサブ領域の現在のサブ領域に対する前記個別の改正ドロップパターンを生成しながら、前記複数のサブ領域の他のサブ領域に対して以前に生成された１つ以上の改正ドロップパターンにおける少なくとも１つのドロップ位置を修正し、
    前記少なくとも１つのドロップ位置は、前記現在のサブ領域の分配ピッチ内にあることを特徴とする請求項１６に記載の１つ以上のコンピュータ可読記憶媒体。
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