JP2022182917A - 電界効果型両面受光太陽電池 - Google Patents
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 191
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 64
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000010248 power generation Methods 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 15
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 145
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 16
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 9
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 7
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910000070 arsenic hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000005202 decontamination Methods 0.000 description 1
- 230000003588 decontaminative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
Images
Abstract
Description
2 P型層のみ、もしくはN型層のみの素材
3 光を透過する極薄な電極
4 透明絶縁材
5 光を透過する極薄な電極
6 P型層のみ、もしくはN型層のみの素材
7 光を透過する極薄な電極
8 導電性接着剤
9 電気配線
10 負荷もしくは蓄電池
11 エネルギーバンドの傾斜に沿って流れる電子
12 ホールどうしが反発して大きくなったエネルギーバンドの傾斜
13 反発したホール
14 反発したホールの移動方向
15 太陽の光エネルギーによる励起
16 価電子帯
17 禁制帯
18 伝導帯
19 ショットキー障壁
20 ショットキー障壁を越えるホール
21 ホールと電子の対消滅
22 エネルギーバンドの傾斜に沿って流れるホール
23 電子どうしが反発して大きくなったエネルギーバンドの傾斜
24 反発した電子
25 反発した電子の移動方向
26 ショットキー障壁を越える電子
27 引き付けあうホール
28 引き付けあう電子
29 引き付けあうホールと電子
30 ショットキー障壁
31 ホールと電子の対消滅
32 ショットキー障壁
33 エネルギーバンドの傾斜
34 エネルギーバンドの傾斜に沿って流れる電子
35 エネルギーバンドの傾斜
36 エネルギーバンドの傾斜に沿って流れるホール
37 ホールと電子の対消滅
38 エネルギーバンドの傾斜が大きい箇所の励起
39 エネルギーバンドの傾斜が大きい箇所で発生したホール
40 エネルギーバンドの傾斜が大きい箇所で発生したホールの流れ
41 エネルギーバンドの傾斜が大きい箇所の励起
42 エネルギーバンドの傾斜が大きい箇所で発生した電子
43 エネルギーバンドの傾斜が大きい箇所で発生した電子の流れ
44 ショットキー障壁
45 ショットキー障壁の差
46 ショットキー障壁の差
47 透明絶縁材に接している側のエネルギーバンドの傾斜の幅
48 透明絶縁材に接している側と反対側のエネルギーバンドの傾斜の幅
49 透明絶縁材に接している側のエネルギーバンドの傾斜の幅
50 透明絶縁材に接している側と反対側のエネルギーバンドの傾斜の幅
Claims (5)
- 図1に示す発明した太陽光で価電子帯から伝導帯へ電子が励起される素材は、P型層のみ、もしくはN型層のみでPN接合が無い素材であり、P型層どうし、もしくはN型層どうしの素材、あるいはP型層とN型層の素材を2枚用いて、それら2枚の素材の間は透明絶縁材にて絶縁することで2枚の素材それぞれに電界効果を得られるようにし、なお、絶縁材は透明でなくても良く、太陽光で価電子帯から伝導帯へ電子が励起される素材の両面に光を透過する極薄な電極をショットキー接触になるように作り込み、なお、透明絶縁材が作り込まれた側の面の極薄な電極は透明でなくても良く、それぞれの電極に電気配線を接続し、電極に接続した電気配線の反対側は負荷もしくは蓄電池を接続し、両面受光が出来ることを特徴とする太陽電池。
- 絶縁材を介した2つの太陽光で価電子帯から伝導帯へ電子が励起される素材がそれぞれ電界効果を大きくするための電圧印加を行なう役割を持ちながら、なおかつ電界効果が大きくなるような電圧印加を受ける側の役割も受け持つことを特徴とする請求項1に懸かる太陽電池。
- P型層のみの素材(2・6)、あるいはN型層のそれぞれ2枚の素材(2・6)の間の透明絶縁材(4)に接している側のエネルギーバンドの傾斜は、太陽からの光エネルギーにより価電子帯の電子が伝導帯へ励起し、価電子帯のホールおよび伝導帯の電子ができるとき、エネルギーバンドの傾斜がより大きくなるというポジティブフィードバックを持つことを特徴とする請求項1に懸かる太陽電池。
- 電界効果を大きくするための電圧印加が別途に必要無く、P型層のみの素材(2・6)、あるいはN型層のみの素材(2・6)そのものが発電することによって電界効果が大きくなることで、P型層のみの素材(2・6)、あるいはN型層のみの素材(2・6)そのものが別途必要な電圧印加の代わりになっていることを特徴とする請求項1に懸かる太陽電池。
- 2枚の素材(2・6)のそれぞれ透明絶縁材(4)が作り込まれた側の反対側が受光面となる両面受光の太陽電池であり、2枚の素材(2・6)が透明な素材の場合、それぞれが受ける太陽の光エネルギーについて、2枚の素材(2・6)それぞれが吸収しきれなかった太陽の光エネルギーが透明絶縁材(4)と透明電極(1・3・5・7)によりお互い透過して、透明絶縁材(4)を介して向かい合った素材(2・6)へお互いに透過してきた太陽の光エネルギーとして受けることで発電効率が向上することを特徴とする請求項1に懸かる太陽電池。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021112427A JP2022182917A (ja) | 2021-05-26 | 2021-05-26 | 電界効果型両面受光太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021112427A JP2022182917A (ja) | 2021-05-26 | 2021-05-26 | 電界効果型両面受光太陽電池 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022182917A true JP2022182917A (ja) | 2022-12-08 |
Family
ID=84328727
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021112427A Pending JP2022182917A (ja) | 2021-05-26 | 2021-05-26 | 電界効果型両面受光太陽電池 |
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JP (1) | JP2022182917A (ja) |
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