JP2022179861A - Acoustic wave device and module having the acoustic wave device - Google Patents
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Abstract
Description
本開示は、弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュールに関連する。 The present disclosure relates to acoustic wave devices and modules comprising the acoustic wave devices.
特許文献1は、弾性波デバイスを開示する。当該弾性波デバイスは、弾性波デバイスと基板の間に中空部を形成するとともに、その中空部に外部から封止樹脂が侵入することを阻止するダムを備えている。
平面視においてIDT(Interdigital Transducer)電極および接続部を囲むようにダムを形成することで、封止樹脂が弾性波デバイスの電極配置部分に進入することを抑制し得る。しかしながら、ダムは大きなパターンであり、ダムの形成によってデザインエリアが減ったり、デバイスが大型化したりする。また、ダムが金属パターンである場合、カップリングによってデバイスの特性に影響を及ぼしてしまう。さらに、デバイスチップの外縁に沿って形成されるダムでは、封止樹脂の侵入を抑制するために一定の高さが必要となるので、製造が容易ではない。 By forming the dam so as to surround the IDT (Interdigital Transducer) electrode and the connecting portion in plan view, it is possible to suppress the sealing resin from entering the electrode arrangement portion of the acoustic wave device. However, the dam is a large pattern, and the formation of the dam reduces the design area and increases the size of the device. Also, if the dam is a metal pattern, the coupling will affect the characteristics of the device. Furthermore, the dam formed along the outer edge of the device chip requires a certain height in order to prevent the encapsulation resin from entering, so it is not easy to manufacture.
本開示は、上述の課題を解決するためになされた。本開示の目的は、弊害なく又は弊害を減らしつつ、封止樹脂が電極にまで侵入することを抑制する弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュールを提供することである。 The present disclosure has been made to solve the above problems. An object of the present disclosure is to provide an acoustic wave device and a module including the acoustic wave device that suppress penetration of the sealing resin into the electrodes without or with reduced harm.
本開示にかかる弾性波デバイスは、
配線基板と、
前記配線基板の上に設けられ、前記配線基板と電気的に接続されたデバイスチップと、
前記配線基板と前記デバイスチップの間に空間を残しつつ、前記デバイスチップを封止する封止樹脂とを備え、
前記デバイスチップは、前記配線基板に対向する主面に、
配線パターンと、
前記配線パターンが設けられた領域である配線領域に周期的に形成された複数の電極と、
前記配線領域のうち、前記複数の電極よりも前記配線領域の外縁に近い位置に、前記配線パターンから突出して設けられた液体侵入防止パターンと、を有する。
The acoustic wave device according to the present disclosure is
a wiring board;
a device chip provided on the wiring substrate and electrically connected to the wiring substrate;
A sealing resin that seals the device chip while leaving a space between the wiring board and the device chip,
The device chip has, on a main surface facing the wiring substrate,
wiring pattern,
a plurality of electrodes periodically formed in a wiring region, which is a region in which the wiring pattern is provided;
a liquid intrusion prevention pattern provided protruding from the wiring pattern in a position closer to an outer edge of the wiring region than the plurality of electrodes in the wiring region.
前記複数の電極は、弾性表面波を励起する共振器と、前記共振器に隣接する反射器と、を有し、前記液体侵入防止パターンは、前記弾性表面波の伝搬方向と直交する直交方向と非平行に設けられたことが、本開示の一形態とされる。 The plurality of electrodes has a resonator that excites a surface acoustic wave and a reflector adjacent to the resonator, and the liquid penetration prevention pattern extends in an orthogonal direction orthogonal to the propagation direction of the surface acoustic wave. The non-parallel arrangement is one aspect of the present disclosure.
前記配線パターンは、バンプパッドと、前記バンプパッドを前記複数の電極に電気的に接続する配線部分と、を有し、前記液体侵入防止パターンは前記配線部分から突出して設けられたことが、本開示の一形態とされる。 The wiring pattern has a bump pad and a wiring portion electrically connecting the bump pad to the plurality of electrodes, and the liquid penetration prevention pattern is provided so as to protrude from the wiring portion. It is considered a form of disclosure.
前記配線パターンは、バンプパッドと、前記バンプパッドを前記複数の電極に電気的に接続する配線部分と、を有し、前記液体侵入防止パターンは前記バンプパッドから突出して設けられたことが、本開示の一形態とされる。 The wiring pattern has a bump pad and a wiring portion electrically connecting the bump pad to the plurality of electrodes, and the liquid penetration prevention pattern is provided so as to protrude from the bump pad. It is considered a form of disclosure.
前記液体侵入防止パターンは、前記配線パターンから略垂直に伸びる第1部分と、前記第1部分の先端から前記デバイスチップの外縁方向に伸びる第2部分と、を有することが、本開示の一形態とされる。 An aspect of the present disclosure is that the liquid intrusion prevention pattern has a first portion extending substantially perpendicularly from the wiring pattern and a second portion extending from the tip of the first portion in the outer edge direction of the device chip. It is said that
前記液体侵入防止パターンは、前記配線パターンから略垂直に伸びる第1部分と、前記第1部分の先端から前記デバイスチップの外縁方向に伸びる第2部分と、を有し、前記共振器と前記反射器の間の領域を通過する弾性表面波の伝搬方向に直交する線上に前記第1部分があることが、本開示の一形態とされる。 The liquid intrusion prevention pattern has a first portion extending substantially perpendicularly from the wiring pattern and a second portion extending from a tip of the first portion in an outer edge direction of the device chip. It is an aspect of the present disclosure that the first portion is on a line perpendicular to the direction of propagation of surface acoustic waves passing through the region between the devices.
前記液体侵入防止パターンは屈曲した形状を有することが、本開示の一形態とされる。 It is an aspect of the present disclosure that the liquid entry prevention pattern has a curved shape.
前記液体侵入防止パターンは、前記配線パターンの1つの辺に複数形成されたことが、本開示の一形態とされる。 It is an aspect of the present disclosure that a plurality of liquid intrusion prevention patterns are formed on one side of the wiring pattern.
前記液体侵入防止パターンは、前記配線パターンのうち、前記複数の電極の弾性表面波の伝搬方向と略垂直をなす辺にのみ設けられたことが、本開示の一形態とされる。 An aspect of the present disclosure is that the liquid intrusion prevention pattern is provided only on a side of the wiring pattern that is substantially perpendicular to the surface acoustic wave propagation direction of the plurality of electrodes.
前記液体侵入防止パターンは、前記配線パターンより細く形成されたことが、本開示の一形態とされる。 An aspect of the present disclosure is that the liquid intrusion prevention pattern is formed thinner than the wiring pattern.
前記デバイスチップは、圧電性基板と、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスからなる基板と、が接合された基板を有することが、本開示の一形態とされる。 An aspect of the present disclosure is that the device chip has a substrate in which a piezoelectric substrate and a substrate made of sapphire, silicon, alumina, spinel, crystal, or glass are bonded together.
前記封止樹脂は熱硬化性樹脂であることが、本開示の一形態とされる。 It is an aspect of the present disclosure that the sealing resin is a thermosetting resin.
複数の弾性表面波共振器を有するバンドパスフィルタが形成された第2デバイスチップを備えたことが、本開示の一形態とされる。 An embodiment of the present disclosure includes a second device chip formed with a bandpass filter having a plurality of surface acoustic wave resonators.
複数の音響薄膜共振器を有するバンドパスフィルタが形成された第2デバイスチップを備えたことが、本開示の一形態とされる。 One aspect of the present disclosure is to include a second device chip formed with a bandpass filter having a plurality of thin film acoustic resonators.
前記の弾性波デバイスを備えるモジュールが、本開示の一形態とされる。 A module including the acoustic wave device described above is one aspect of the present disclosure.
本開示によれば、弊害なく又は弊害を減らしつつ、封止樹脂が電極にまで侵入することを抑制することができる。 According to the present disclosure, it is possible to suppress penetration of the sealing resin into the electrodes without or with reduced harm.
実施の形態について添付の図面に従って説明する。なお、各図中、同一または相当する部分には同一の符号が付される。当該部分の重複説明は適宜に簡略化ないし省略される。 Embodiments will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, the same code|symbol is attached|subjected to the part which is the same or corresponds in each figure. Redundant description of the relevant part will be simplified or omitted as appropriate.
実施の形態1.
図1は実施の形態1における弾性波デバイスの断面図である。弾性波デバイス1は配線基板2を備えている。一例によれば、配線基板2は樹脂を含む多層基板である。別の例によれば、配線基板2は複数の誘電体層からなる低温同時焼成セラミックス(Low Temperature Co-fired Ceramics:LTCC)多層基板である。配線基板2の内部にコンデンサ又はインダクタ等の受動素子を形成してもよい。
FIG. 1 is a cross-sectional view of an acoustic wave device according to
図1の例では、配線基板2は部品実装面である上面に複数の導電性パッド2bを備えている。配線基板2の下面は例えばマザー基板への取り付け面である。配線基板2の下面には複数の導電性パッド2cが設けられている。導電性パッド2bと導電性パッド2cは対応するものどうしが内部導体2a又はビアホール導体で接続される。
In the example of FIG. 1, the
配線基板2の上には、配線基板2と電気的に接続されたデバイスチップ3がある。デバイスチップ3は表面弾性波デバイスチップである。デバイスチップ3は、圧電材料で形成された圧電基板3aを備えている。一例によれば、圧電基板3aは、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムまたは水晶などの圧電単結晶で形成された基板である。別の例によれば、圧電基板3aは、圧電セラミックスで形成された基板である。さらに別の例によれば、圧電基板3aは、圧電基板と支持基板とが接合された基板である。支持基板は、例えば、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスで形成された基板である。
A
一例によれば、圧電基板3aは機能素子が形成される基板である。例えば、デバイスチップ3の配線基板2に対向する面である主面(下面)において、受信フィルタと送信フィルタとが形成される。
According to one example, the
受信フィルタは、所望の周波数帯域の電気信号が通過し得るように形成される。例えば、受信フィルタは、複数の直列共振器と複数の並列共振器からなるラダー型フィルタである。 The receive filter is formed so that an electrical signal in a desired frequency band can pass. For example, the receive filter is a ladder-type filter consisting of a plurality of series resonators and a plurality of parallel resonators.
送信フィルタは、所望の周波数帯域の電気信号が通過し得るように形成される。例えば、送信フィルタは、複数の直列共振器と複数の並列共振器からなるラダー型フィルタである。 The transmission filter is formed so that an electrical signal in a desired frequency band can pass. For example, the transmission filter is a ladder-type filter consisting of multiple series resonators and multiple parallel resonators.
図1には、デバイスチップ3の主面に、配線パターン3bと、周期的に形成された複数の電極3cとが形成された例が示されている。一例によれば複数の電極3cは櫛歯状の電極指であるIDT電極である。給電側のリード端子からIDT電極に高周波電界を印加することで弾性表面波を励起し、弾性表面波を圧電作用によって高周波電界に変換することによってフィルタ特性を得ることができる。
FIG. 1 shows an example in which a
配線パターン3bと導電性パッド2bはバンプ4によって電気的に接続されている。バンプ4は、例えばAu、導電性接着剤又は半田である。
The
弾性波デバイス1は封止樹脂5を備えている。封止樹脂5は、配線基板2とデバイスチップ3の間に空間6を残しつつ、デバイスチップ3を封止する。一例によれば、配線基板2にデバイスチップ3を実装し、その後デバイスチップの上にデバイスチップ3にまたがるように樹脂シートをのせる。一例によれば、樹脂シートは液状のエポキシ樹脂をシート化したものである。別の例によれば、樹脂シートは、エポキシ樹脂とは異なるポリイミドなどの合成樹脂とすることができる。樹脂シートの上面にポリエチレンテレフタレート(PET)を材料とする保護フィルムを設けたり、樹脂シートの下面にポリエステルを材料とするベースフィルムを設けたりすることができる。
The
デバイスチップ3の上に樹脂シートをのせることで、樹脂シートがデバイスチップ3に仮固定される。そして、デバイスチップ3、樹脂シート及び配線基板2を有する構造を、少なくとも樹脂シートの軟化温度まで加熱した上ローラと下ローラの間を通することで、樹脂シートがデバイスチップ3の側面と配線基板2の上面に充填される。これは熱ローララミネート法と呼ばれる。図1に示すようなラミネートができる方法であれば、熱ローララミネート法以外の方法を採用してもよい。
By placing the resin sheet on the
その後、樹脂シートを完全に硬化させるために、プレス形成工程へと処理を進める。例えば、樹脂の硬化温度まで加熱された上金型と下金型を有するプレス機によって、樹脂シートを配線基板2の方向に押圧することで、空間6のエアーの膨張を抑制しつつ、樹脂を硬化させる。
After that, the process proceeds to a press forming step in order to fully cure the resin sheet. For example, by pressing the resin sheet in the direction of the
この例によれば、樹脂シートを一旦軟化温度まで加熱昇温させてから加圧変形させてデバイスチップ3の外面と配線基板2の上面に密着させた後に、硬化温度まで加熱昇温させて形状を固定することで、封止樹脂5が形成される。封止樹脂5は例えば、空間6を気密空間とし、配線基板2に対するデバイスチップ3の固定力を補強する。図1の例では、空間6は、デバイスチップ3の主面と配線基板2の上面と封止樹脂5によって囲まれた気密空間である。配線基板2に実装するデバイスチップの数は2つ以上とすることができる。一例によれば、封止樹脂5は熱硬化性樹脂である。
According to this example, the resin sheet is once heated up to the softening temperature and then pressurized and deformed so as to adhere to the outer surface of the
図2は、デバイスチップ3の主面の構成例を示す図である。この例では、デバイスチップ3は、主面に、配線パターン3b、3dを備えている。配線パターンは、銀、アルミニウム、銅、チタン、パラジウムなどの適宜の金属もしくは合金により形成される。別の例によれば、配線パターンは、複数の金属層を積層してなる積層金属膜により形成される。例えば、配線パターンの厚みは150nmから400nmである。
FIG. 2 is a diagram showing a configuration example of the main surface of the
配線パターンが設けられた領域は配線領域を構成している。図2では、配線領域10は破線で囲まれた矩形領域である。配線パターンはこの配線領域10の中に形成され配線領域10の外に形成されない。配線領域10には、複数の電極3cが周期的に形成されている。複数の電極3cによって弾性表面波フィルタ(SAWフィルタ)が提供されている。複数の電極3cは、例えば、トランスバーサル型SAWフィルタ、又は、反射器を有するSAW共振器型フィルタを構成する。
A region provided with a wiring pattern constitutes a wiring region. In FIG. 2, the
図2の例では、配線パターン3bはバンプパッドであり、配線パターン3dはバンプパッドを複数の電極3cに電気的に接続する配線部分である。配線パターンの形状と、分布は、設計に応じて任意の変形が可能である。
In the example of FIG. 2, the
配線領域10の中には、配線パターンから突出して設けられた液体侵入防止パターン6、7が設けられている。液体侵入防止パターン6、7は、複数の電極3cよりも配線領域10の外縁に近い位置に設けられる。液体侵入防止パターンは、封止樹脂の液体成分が配線領域10の内側に進入したときに、当該液体成分が複数の電極3cに到達することを阻止又は抑制するものである。そのため、液体侵入防止パターンは、配線領域10の外縁と、複数の電極3cの間にある。図2の例では、液体侵入防止パターン6は、配線パターン3d(配線部分)から突出して設けられ、図中左側から配線領域10の内側に侵入する液体成分が複数の電極3cに到達することを防ぐ。液体侵入防止パターン7は、配線パターン3b(バンプパッド)から突出して設けられ、図中上側から配線領域10の内側に進入する液体成分が複数の電極3cに到達することを防ぐ。図2の配線パターンと、複数の電極と、液体侵入防止パターンのレイアウトは例示であり、任意の変形が可能である。
Liquid
図3は、液体侵入防止パターンの形状例を示す図である。複数の電極3cは、弾性表面波を励起する共振器31と、共振器に隣接する反射器32と、を有している。弾性表面波の伝搬方向はy方向である。液体侵入防止パターン6は、配線パターン3dから略垂直に伸びる第1部分6Aと、第1部分6Aの先端からデバイスチップの外縁方向に伸びる第2部分6Bと、を有する。これにより、封止樹脂5の液体成分がx負方向から配線パターン3dに沿って配線領域10に侵入したときに、当該液体成分は第1部分6Aと第2部分6Bによってせき止められ、当該液体成分が複数の電極3cまで到達することを防止できる。ここで、弾性表面波の伝搬方向はy方向である。そのため、第1部分6Aは、y方向と直交する直交方向であるx方向と非平行に設けられている。仮に第1部分がx方向と平行に設けられると、その第1部分は液体成分をせき止めることに寄与しない。よって、第1部分は、x方向と非平行に設ける必要がある。
FIG. 3 is a diagram showing an example of the shape of the liquid intrusion prevention pattern. The plurality of
図3の例では、共振器31と反射器32の間の領域を通過する弾性表面波の伝搬方向に直交する線上に第1部分6Aがある。これにより、共振器31と反射器32の間に、液体成分が侵入することを防止できる。
In the example of FIG. 3, the
図4は、封止樹脂が配線領域10の中に入り込んだ例を示す図である。この例では、封止樹脂の液体成分5bが、配線パターン3dの段差、すなわち配線パターン3dの側面に沿って配線領域10の中に侵入している。仮に、液体侵入防止パターン6がなければ、液体成分5bが複数の電極3cにまで到達し、IDTのスペースに侵入し得る。しかしながら実施の形態1に係る弾性波デバイスでは、液体侵入防止パターン6がその液体成分5bをせき止め、液体成分5bが複数の電極3cに到達することを防止している。
FIG. 4 is a diagram showing an example in which the sealing resin has entered the
さらに、図2に示す液体侵入防止パターン7は、配線パターン3bに沿って配線領域10の中に入り込んだ液体成分をせき止め、液体成分が複数の電極3cに到達することが防止される。
Furthermore, the liquid
図2、3の例では液体侵入防止パターンは平面視で屈曲した形状を有する。これにより相当量の液体成分が配線領域10に侵入しても液体侵入防止パターンで液体成分をせき止めることができる。図2、3の例では、液体侵入防止パターン6が第1部分6Aと第2部分6Bを有するが、第2部分を省略してもよい。すなわち、液体侵入防止パターンを直線的な形状としてもよい。
In the examples of FIGS. 2 and 3, the liquid entry prevention pattern has a curved shape in plan view. As a result, even if a considerable amount of liquid component enters the
一例によれば、液体侵入防止パターンは、配線パターンより細く形成することができる。液体侵入防止パターンを細くすることは、設計自由度を高める。よって液体侵入防止パターンを例えばIDTの近くに設けることができる。また、液体侵入防止パターンを小さくすることで、液体侵入防止パターンが弾性波デバイスの特性に与える影響を小さくすることができる。 According to one example, the liquid penetration prevention pattern can be formed thinner than the wiring pattern. Narrowing the liquid intrusion prevention pattern increases the degree of freedom in design. Thus, the anti-liquid penetration pattern can be provided near the IDT, for example. Further, by making the liquid intrusion prevention pattern smaller, it is possible to reduce the influence of the liquid intrusion prevention pattern on the characteristics of the acoustic wave device.
液体侵入防止パターンは、配線パターンと同一プロセスで形成することができる。同一プロセスで配線パターンと液体侵入防止パターンを形成することは、プロセスの簡素化を可能とする。別の例によれば、液体侵入防止パターンを複数の電極3cと同じ材料で、複数の電極3cと同時に形成することができる。この場合、IDTと液体侵入防止パターンは同じ材料で形成される。さらに別の例によると、液体侵入防止パターンは絶縁体で形成することができる。この場合、液体侵入防止パターンが、弾性波デバイスの特性に与える影響を無くす又は小さくすることができる。
The liquid penetration prevention pattern can be formed in the same process as the wiring pattern. Forming the wiring pattern and the liquid penetration prevention pattern in the same process enables simplification of the process. According to another example, the anti-liquid entry pattern can be formed of the same material as the
一例によれば、液体侵入防止パターンは、配線パターンのうち、複数の電極の弾性表面波の伝搬方向と略垂直をなす辺にのみ設けることができる。すなわち、図4の例では、配線パターンのうち、弾性表面波の伝搬方向であるy方向と垂直をなすx軸に平行又は略平行な辺にのみ、液体侵入防止パターンを設けることができる。図4の左側又は右側からx正方向又はx負方向に液体成分が進み、配線領域の中に入ると、その液体成分は複数の電極の間にまで容易に到達し、デバイスチップへの悪影響が大きい。よって、この場合、配線パターンのうちx軸と略平行な辺に液体侵入防止パターンを設けることが効果的である。 According to one example, the liquid intrusion prevention pattern can be provided only on a side of the wiring pattern that is substantially perpendicular to the propagation direction of the surface acoustic waves of the plurality of electrodes. That is, in the example of FIG. 4, the liquid intrusion prevention pattern can be provided only on the sides of the wiring pattern that are parallel or substantially parallel to the x-axis that is perpendicular to the y-direction, which is the propagation direction of the surface acoustic waves. When the liquid component advances in the x-positive direction or the x-negative direction from the left or right side of FIG. 4 and enters the wiring area, the liquid component easily reaches between a plurality of electrodes and adversely affects the device chip. big. Therefore, in this case, it is effective to provide the liquid penetration prevention pattern on the side of the wiring pattern that is substantially parallel to the x-axis.
図5は、配線パターンのレイアウト例を示す図である。配線パターンは白色の部分である。このように複雑な配線パターンに液体侵入防止パターンを設けるには、液体侵入防止パターンを小さくする必要がある。図5の任意の位置に液体侵入防止パターンを設けて液体成分が複数の電極に到達することを防止できる。 FIG. 5 is a diagram showing a layout example of wiring patterns. The wiring pattern is the white portion. In order to provide a liquid penetration prevention pattern in such a complicated wiring pattern, it is necessary to make the liquid penetration prevention pattern smaller. A liquid entry prevention pattern can be provided at an arbitrary position in FIG. 5 to prevent liquid components from reaching a plurality of electrodes.
図6は、比較例に係る弾性波デバイスの一部拡大図である。この比較例では、液体侵入防止パターンがないので、封止樹脂の液体成分5bが配線パターン3dに沿って配線領域に侵入し、当該液体成分5bがIDTのスペースにまで到達してしまう。
FIG. 6 is a partially enlarged view of an acoustic wave device according to a comparative example. In this comparative example, since there is no liquid intrusion prevention pattern, the
実施の形態2.
図7は、実施の形態2に係るデバイスチップ主面の構成例を示す図である。配線パターン3dに共振器31と反射器32が接している。液体侵入防止パターン6は、液体成分が、反射器32に到達することを防止する。
FIG. 7 is a diagram showing a configuration example of the main surface of the device chip according to the second embodiment. A
実施の形態3.
図8は、実施の形態3に係るデバイスチップ主面の構成例を示す図である。上側の配線パターン3dに液体侵入防止パターン6が接続され、下側の配線パターン3dに液体侵入防止パターン8が接続されている。これにより、図中左側からx正方向に液体成分が進むことを抑制できる。
FIG. 8 is a diagram showing a configuration example of the main surface of the device chip according to the third embodiment. A liquid
実施の形態4.
図9は、実施の形態4に係るデバイスチップの主面の構成例を示す図である。液体侵入防止パターン6は、屈曲部を備えず、直線的に形成された第1部分6Aのみを有している。この場合、簡素なパターンによって設計自由度を高めることができる。
FIG. 9 is a diagram showing a configuration example of the main surface of the device chip according to the fourth embodiment. The liquid
実施の形態5.
図10は、実施の形態5に係るデバイスチップの主面の構成例を示す図である。液体侵入防止パターン6は、配線パターン3dの1つの辺に2つ形成されている。2つの液体侵入防止パターン6によって、液体成分の侵入を確実に抑制することができる。なお、配線パターンの1つの辺に3つ以上の液体侵入防止パターンを設けることができる。
FIG. 10 is a diagram showing a configuration example of the main surface of the device chip according to the fifth embodiment. Two liquid
ここまでの実施の形態では、1つのデバイスチップに着目して説明したが、別の例によれば、複数のデバイスチップを封止樹脂で封止した弾性波デバイスを提供することができる。例えば、弾性波デバイスは、複数の弾性表面波共振器を有するバンドパスフィルタが形成された第2デバイスチップを備えることができる。さらに別の例によれば、弾性波デバイスは、複数の音響薄膜共振器を有するバンドパスフィルタが形成された第2デバイスチップを備えることができる。さらに別の例によれば、弾性波デバイスは、複数の並列共振器をさらに備えるラダー型フィルタを含むことができる。 Although one device chip has been described in the embodiments so far, according to another example, it is possible to provide an acoustic wave device in which a plurality of device chips are sealed with a sealing resin. For example, an acoustic wave device can include a second device chip formed with a bandpass filter having a plurality of surface acoustic wave resonators. According to yet another example, an acoustic wave device can comprise a second device chip formed with a bandpass filter having a plurality of thin film acoustic resonators. According to yet another example, an acoustic wave device can include a ladder-type filter further comprising a plurality of parallel resonators.
上述したいずれか1つの弾性波デバイスを有するモジュールを提供することができる。モジュールは、配線基板と集積回路部品ICと弾性波デバイスとインダクタと封止部とを備え得る。一例によれば、集積回路部品ICは、配線基板の内部に実装される。集積回路部品ICは、スイッチング回路とローノイズアンプとを含む。弾性波デバイスは、配線基板の主面に実装される。インダクタも、配線基板の主面に実装される。インダクタはインピーダンスマッチングのために実装される。例えば、インダクタは、Integrated Passive Device(IPD)である。封止部は、弾性波デバイスを含む複数の電子部品を封止する。 A module can be provided comprising any one of the acoustic wave devices described above. A module may include a wiring substrate, an integrated circuit component IC, an acoustic wave device, an inductor, and an encapsulation. According to one example, the integrated circuit component IC is mounted inside the wiring substrate. An integrated circuit component IC includes a switching circuit and a low noise amplifier. An acoustic wave device is mounted on the main surface of the wiring board. An inductor is also mounted on the main surface of the wiring board. Inductors are implemented for impedance matching. For example, the inductor is an Integrated Passive Device (IPD). The sealing portion seals a plurality of electronic components including acoustic wave devices.
少なくとも一つの実施形態のいくつかの側面が説明されたが、様々な改変、修正および改善が当業者にとって容易に想起されることを理解されたい。かかる改変、修正および改善は、本開示の一部となることが意図され、かつ、本開示の範囲内にあることが意図される。 Having described several aspects of at least one embodiment, it is to be appreciated various alterations, modifications, and improvements will readily occur to those skilled in the art. Such alterations, modifications, and improvements are intended to be part of this disclosure, and are intended to be within the scope of this disclosure.
理解するべきことだが、ここで述べられた方法および装置の実施形態は、上記説明に記載され又は添付図面に例示された構成要素の構造および配列の詳細への適用に限られない。方法および装置は、他の実施形態で実装し、様々な態様で実施又は実行することができる。 It is to be understood that the method and apparatus embodiments described herein are not limited in application to the details of construction and arrangement of components set forth in the foregoing description or illustrated in the accompanying drawings. The methods and apparatus can be implemented in other embodiments and practiced or carried out in various ways.
特定の実装例は、例示のみを目的としてここに与えられ、限定されることを意図しない。 Specific implementations are provided here for illustrative purposes only and are not intended to be limiting.
本開示で使用される表現および用語は、説明目的であって、限定としてみなすべきではない。ここでの「含む」、「備える」、「有する」、「包含する」およびこれらの変形の使用は、以降に列挙される項目およびその均等物並びに付加項目の包括を意味する。 The phraseology and terminology used in this disclosure is for the purpose of description and should not be regarded as limiting. The use of "including", "comprising", "having", "including" and variations thereof herein is intended to be inclusive of the items listed below and equivalents thereof as well as additional items.
「又は(若しくは)」の言及は、「又は(若しくは)」を使用して記載される任意の用語が、当該記載の用語の一つの、一つを超える、およびすべてのものを示すように解釈され得る。 References to “or (or)” shall be construed such that any term stated using “or (or)” refers to one, more than one, and all of the terms of the statement. can be
前後左右、頂底上下、横縦、表裏への言及は、いずれも、記載の便宜を意図する。当該言及は、本開示の構成要素がいずれか一つの位置的又は空間的配向に限られるものではない。したがって、上記説明および図面は、例示にすぎない。 All references to front, rear, left, right, top, bottom, top, bottom, width, length, and front and back are intended for convenience of description. Such references are not limited to any one positional or spatial orientation of the components of this disclosure. Accordingly, the above description and drawings are exemplary only.
1 弾性波デバイス、 2 配線基板、 3 デバイスチップ、 3a 圧電基板、 3b,3d 配線パターン、 3c 複数の電極、 4 バンプ、 5 封止樹脂、 10 配線領域、 31 共振器、 32 反射器
1
本開示にかかる弾性波デバイスは、
配線基板と、
前記配線基板の上に設けられ、前記配線基板と電気的に接続されたデバイスチップと、
前記配線基板と前記デバイスチップの間に空間を残しつつ、前記デバイスチップを封止する封止樹脂とを備え、
前記デバイスチップは、前記配線基板に対向する主面に、
配線パターンと、
前記配線パターンが設けられた領域である配線領域に周期的に形成された複数の電極と、
前記配線領域のうち、前記複数の電極よりも前記配線領域の外縁に近い位置に、前記配線パターンから突出して設けられた液体侵入防止パターンと、を有し、
前記液体侵入防止パターンは、前記配線パターンから略垂直に伸びる第1部分と、前記第1部分の先端から前記デバイスチップの外縁方向に伸びる第2部分と、を有する。
The acoustic wave device according to the present disclosure is
a wiring board;
a device chip provided on the wiring substrate and electrically connected to the wiring substrate;
A sealing resin that seals the device chip while leaving a space between the wiring board and the device chip,
The device chip has, on a main surface facing the wiring substrate,
wiring pattern,
a plurality of electrodes periodically formed in a wiring region, which is a region in which the wiring pattern is provided;
a liquid intrusion prevention pattern provided protruding from the wiring pattern at a position closer to the outer edge of the wiring region than the plurality of electrodes in the wiring region ,
The liquid intrusion prevention pattern has a first portion extending substantially perpendicularly from the wiring pattern, and a second portion extending from the tip of the first portion toward the outer edge of the device chip.
Claims (15)
前記配線基板の上に設けられ、前記配線基板と電気的に接続されたデバイスチップと、
前記配線基板と前記デバイスチップの間に空間を残しつつ、前記デバイスチップを封止する封止樹脂と、を備え、
前記デバイスチップは、前記配線基板に対向する主面に、
配線パターンと、
前記配線パターンが設けられた領域である配線領域に周期的に形成された複数の電極と、
前記配線領域のうち、前記複数の電極よりも前記配線領域の外縁に近い位置に、前記配線パターンから突出して設けられた液体侵入防止パターンと、を有する弾性波デバイス。 a wiring board;
a device chip provided on the wiring substrate and electrically connected to the wiring substrate;
a sealing resin that seals the device chip while leaving a space between the wiring board and the device chip;
The device chip has, on a main surface facing the wiring substrate,
wiring pattern,
a plurality of electrodes periodically formed in a wiring region, which is a region in which the wiring pattern is provided;
an acoustic wave device comprising: a liquid intrusion prevention pattern provided protruding from the wiring pattern at a position closer to an outer edge of the wiring region than the plurality of electrodes in the wiring region.
前記液体侵入防止パターンは、前記弾性表面波の伝搬方向と直交する直交方向と非平行に設けられた請求項1に記載の弾性波デバイス。 the plurality of electrodes have a resonator that excites surface acoustic waves and a reflector adjacent to the resonator;
2. The acoustic wave device according to claim 1, wherein said liquid intrusion prevention pattern is provided non-parallel to an orthogonal direction orthogonal to the propagation direction of said surface acoustic wave.
前記共振器と前記反射器の間の領域を通過する弾性表面波の伝搬方向に直交する線上に前記第1部分がある、請求項2に記載の弾性波デバイス。 The liquid intrusion prevention pattern has a first portion extending substantially perpendicularly from the wiring pattern and a second portion extending from the tip of the first portion in the outer edge direction of the device chip,
3. The acoustic wave device according to claim 2, wherein said first portion is on a line orthogonal to a propagation direction of surface acoustic waves passing through a region between said resonator and said reflector.
A module comprising the acoustic wave device according to any one of claims 1 to 14.
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