JP2022168264A - 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (12)
- n型窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)系半導体材料のn型半導体層と、
前記n型半導体層上の一部領域に設けられるn側電極と、
前記n側電極上に設けられるn側保護金属層と、
前記n型半導体層上の前記一部領域とは異なる領域に設けられるAlGaN系半導体材料の活性層と、を備え、
前記n側電極は、前記n型半導体層上のチタン(Ti)を含む第1層と、前記第1層上のアルミニウム(Al)を含む第2層と、前記第2層上の窒化チタン(TiN)を含む第3層と、を備えることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記n側保護金属層は、白金族金属を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記n側保護金属層は、金属積層膜で構成されることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子。
- 前記第3層は、前記第1層および前記第2層の積層構造の上面および側面を被覆するように設けられることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
- n型窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)系半導体材料のn型半導体層と、
前記n型半導体層上の一部領域に設けられるn側電極と、
前記n型半導体層上の前記一部領域とは異なる領域に設けられるAlGaN系半導体材料の活性層と、を備え、
前記n側電極は、前記n型半導体層上のチタン(Ti)を含む第1層と、前記第1層上のアルミニウム(Al)を含む第2層と、前記第2層上の窒化チタン(TiN)を含む第3層とを備え、前記第3層は、前記第1層および前記第2層の積層構造の上面および側面を被覆することを特徴とする半導体発光素子。 - 前記第3層は、前記第1層および前記第2層の前記積層構造の前記上面および前記側面を被覆するTi層と、前記Ti層の上面および側面を被覆するTiN層と備えることを特徴とする請求項4または5に記載の半導体発光素子。
- 前記第3層は、前記第2層と接触する窒化アルミ(AlN)を含むことを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
- n型窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)系半導体材料のn型半導体層上にAlGaN系半導体材料の活性層を形成する工程と、
前記n型半導体層上の一部領域が露出するように前記活性層および前記n型半導体層の一部を除去する工程と、
前記n型半導体層の前記一部領域上にn側電極を形成する工程と、を備え、
前記n側電極を形成する工程は、前記n型半導体層上のチタン(Ti)を含む第1層を形成する工程と、前記第1層上のアルミニウム(Al)を含む第2層を形成する工程と、前記第2層上の窒化チタン(TiN)を含む第3層を形成する工程と、を備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記第3層を形成する工程は、前記第2層上にTi層を形成する工程と、前記Ti層の表面にアンモニアガスプラズマ処理を施してTiN層を形成する工程とを備えることを特徴とする請求項8に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記第3層を形成する工程は、前記第2層の表面に前記アンモニアガスプラズマ処理を施してAlN層を形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項9に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記第3層を形成する工程は、前記第1層の表面に前記アンモニアガスプラズマ処理を施してTiN層を形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項9または10に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記n側電極上にn側保護金属層を形成する工程をさらに備えることを特徴する請求項8から11のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法。
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