JP2022155227A - 基板処理システム - Google Patents

Abstract

【課題】流体供給装置内の消耗品の消耗品、流体供給装置の運転にかかる電力コストを抑制することができる基板処理システムを提供すること。【解決手段】純水３００の供給を許容する開閉弁８を有する基板処理装置２と、基板処理装置２に接続され、基板処理装置２で使用される純水３００を供給する流体供給装置３と、を有する基板処理システム１であって、流体供給装置３は、基板処理装置２に純水３００が供給される純水供給管７に設置された流量計８４を有し、開閉弁８が純水３００の受け入れを停止し、流量計８４が事前に設定された時間以上、基板処理装置２への純水３００の供給を計測しなかったときは、流体供給装置３の運転を停止する。【選択図】図１

Description

本発明は、基板処理装置に流体を供給する流体供給装置を有する基板処理システムに関する。

基板処理装置では加工点の冷却、加工屑の排出、駆動部の冷却などのために純水が使用されている。また良好に加工するために、純水に炭酸ガスや薬剤を混合させている場合もある。

このような流体は、基板処理装置と接続された流体供給装置によって供給され、流体供給装置によって温度や流量が制御されている。また廃棄を必須とする特殊な薬液を利用しない場合や廃液処理に制限がある特殊な被加工物を加工しない場合は、流体を循環させて繰り返し利用している（例えば、特許文献１参照）。

通常基板処理装置の運転を停止する際は、流体供給装置の運転も同じく停止する事が一般的であるが、基板処理装置と流体供給装置とが離れて設置されている場合や、一台の流体供給装置に対して複数台の基板処理装置が接続されている場合は、オペレータが流体供給装置の電源を切りわすれる恐れや、電源を切ってもよいか判断しにくく、流体供給装置のみが継続的に稼働してしまう恐れがある。

特開２００９－１９０１２８号公報

基板処理装置と流体供給装置との制御ユニットがそれぞれ運転状況を通信し合い、電源を落とす設計になっていれば、自動制御が可能であるが、実際の半導体製造構造では、基板処理装置と流体供給装置の制御ユニット同士が、電気的に通信していないことも多い。

このために、流体供給装置のみが継続的に稼働してしまう恐れがある。流体供給装置のみが継続的に稼働すると、この流体供給装置の消耗品が無駄に消費される恐れや、電力が必要となって、コストが高騰する恐れが生じる。

本発明の目的は、流体供給装置内の消耗品の消耗品、流体供給装置の運転にかかる電力コストを抑制することができる基板処理システムを提供することである。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の基板処理システムは、流体の供給を許容する流体供給許容手段を有する基板処理装置と、該基板処理装置に接続され、該基板処理装置で使用される流体を供給する流体供給装置と、を有する基板処理システムであって、該流体供給装置は、該基板処理装置に該流体が供給される流路に設置された流量計を有し、該流体供給許容手段が該流体の受け入れを停止し、該流量計が事前に設定された時間以上、基板処理装置への流体の供給を計測しなかったときは、該流体供給装置の運転を停止することを特徴とする。

前記基板処理システムにおいて、該流体供給許容手段は、ポンプまたは開閉弁であっても良い。

前記基板処理システムにおいて、該流体供給装置１台に対して複数台の該基板処理装置が接続され、該流体供給装置は複数台の該基板処理装置に流体を供給しても良い。

本発明は、流体供給装置内の消耗品の消耗品、流体供給装置の運転にかかる電力コストを抑制することができるという効果を奏する。

図１は、実施形態１に係る基板処理システムの構成を示す図である。 図２は、図１に示された基板処理システムの基板処理装置の概略の構成を示す図である。 図３は、図１に示された基板処理システムの流体供給装置の構成例を分解して示す分解斜視図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係る基板処理システムを図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係る基板処理システムの構成を示す図である。図２は、図１に示された基板処理システムの基板処理装置の概略の構成を示す図である。図３は、図１に示された基板処理システムの流体供給装置の構成例を分解して示す分解斜視図である。

図１に示す実施形態１に係る基板処理システム１は、図２に示す基板２００を処理するシステムである。なお、処理とは、基板２００に、切削、研削、研磨、プラズマエッチング、樹脂被覆、レーザー加工等種々の加工を施すことをいう。実施形態１では、基板２００は、シリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハなどのウエーハである。基板２００は、表面２０１に分割予定ライン２０２が複数設定され、表面２０１の分割予定ライン２０２により区画された各領域に図示しないデバイスが形成されている。

また、本発明では、基板２００は、基板上に配設されたデバイスチップがモールド樹脂で被覆されたパッケージ基板、電子部品に使用される各種セラミック基板、樹脂基板、又はガラス基板などであってもよい。実施形態１では、例えば、基板２００は、図２に示すように、基板２００よりも大径な円板状の粘着テープ２０９が表面２０１の裏側の裏面２０３に貼着され、粘着テープ２０９の外縁部に内径が基板２００の外径よりも大きな環状フレーム２１０が貼着されて、粘着テープ２０９を介して環状フレーム２１０に支持される。実施形態１では、基板２００は、前述した処理が施されて、個々のデバイスに分割される。

実施形態１に係る基板処理システム１は、図１に示すように、複数台の基板処理装置２と、１台の流体供給装置３とを有する。基板処理装置２は、基板２００に前述した処理を施す装置である。実施形態１では、基板２００を分割予定ライン２０２に沿って切削する切削装置である。

実施形態１において、基板処理装置２は、図２に示すように、基板２００を保持するチャックテーブル１０と、チャックテーブル１０に保持された基板２００を切削する切削ユニット２０と、チャックテーブル１０と切削ユニット２０とを相対的に移動させる図示しない移動ユニットと、各構成要素を制御する制御ユニット２７とを備える。

チャックテーブル１０は、円盤状に形成され、基板２００を保持面１１で吸引保持する。チャックテーブル１０は、保持面１１が図示しない真空吸引源に接続され、真空吸引源により保持面１１が吸引されることで、保持面１１に粘着テープ２０９を介して載置された基板２００を吸引保持する。また、チャックテーブル１０は、周囲に環状フレーム２１０をクランプするクランプ部（図２では、省略する）が設けられている。

切削ユニット２０は、切削ブレード２１がスピンドル２３に装着され、チャックテーブル１０に保持された基板２００を切削する処理ユニットである。切削ユニット２０は、基板２００を切削する切削ブレード２１と、スピンドルハウジング２２と、スピンドルハウジング２２に軸心回りに回転可能に設けられ先端に切削ブレード２１が装着される駆動部であるスピンドル２３と、スピンドル２３を軸心回りに回転する図示しないスピンドルモータと、スピンドルハウジング２２の先端面に取り付けられ、切削ブレード２１の上方を覆うブレードカバー２４と、切削ブレード２１に流体としての純水３００を供給する純水供給ノズル２５とを備える。

純水供給ノズル２５は、ブレードカバー２４に取り付けられ、ブレードカバー２４の供給管２６を通して流体としての純水３００が流体供給装置３から供給される。純水供給ノズル２５は、切削ブレード２１に純水３００を供給することで、基板２００に切削ブレード２１の切り刃が切り込む加工点に純水３００を供給することとなる。

また、切削ユニット２０は、スピンドルハウジング２２内に純水３００が供給され、スピンドルハウジング２２内に供給される純水３００によりスピンドル２３が軸心回りに回転（駆動）することで発生する熱が冷却される。

制御ユニット２７は、基板処理装置２を構成する上述した各構成要素をそれぞれ制御するものである。即ち、制御ユニット２７は、基板２００に対する処理動作を基板処理装置２に実行させるものである。制御ユニット２７は、ＣＰＵ（central processing unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read only memory）又はＲＡＭ（random access memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有するコンピュータである。

制御ユニット２７の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、基板処理装置２を制御するための制御信号を、入出力インターフェース装置を介して基板処理装置２の上述した構成要素に出力する。また、制御ユニット２７は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される表示ユニット、オペレータが加工条件などを登録する際に用いる入力ユニットと接続されている。入力ユニットは、表示ユニットに設けられたタッチパネルと、キーボード等とのうち少なくとも一つにより構成される。

また、基板処理装置２は、切削前後の基板２００を複数収容するカセットと、カセットに基板２００を出し入れする搬出入手段と、切削後の基板２００を洗浄する洗浄手段と、基板２００を搬送する搬送手段等を備えている。

基板処理装置２は、基板２００を処理する処理動作では、搬出入手段によりカセット内から切削前の基板２００を取り出し、取り出された基板２００を搬送手段によりチャックテーブル１０に搬送する。そして、基板処理装置２は、チャックテーブル１０により基板２００を吸引保持し、移動ユニットにより、チャックテーブル１０と切削ユニット２０とを水平方向と平行なＸ軸方向、水平方向と平行でかつＸ軸方向に対して直交するＹ軸方向、鉛直方向と平行なＺ軸方向及びＺ軸方向と平行な軸心回りに相対的に移動させて、切削水を供給しながら基板２００を切削して個々のデバイスに分割する。基板処理装置２は、切削後の基板２００を搬送手段によりチャックテーブル１０から洗浄手段に搬送した後、洗浄手段により洗浄する。そして、基板処理装置２は、洗浄後の基板２００を搬送手段により搬出入手段に搬送し、搬出入手段によりカセット内に収容する。

なお、基板処理装置２は、処理動作では、流体としての純水３００が純水供給ノズル２５、スピンドルハウジング２２内、また図示しない洗浄手段に切削後の基板２００を洗浄するために供給される。また、基板処理装置２は、純水３００と切削等の処理により生じる加工屑とを含む加工廃液３０１を流体供給装置３に向けて送り出す。また、実施形態１では、基板処理装置２は、３台設けられている。なお、純水供給ノズル２５に供給される流体は、加工廃液３０１に加工屑が混入するために加工屑を除去して循環させる必要がある。一方、スピンドルハウジング２２内に供給される流体は加工屑が混入しないため温度管理のみを行い繰り返し循環させることができる。よって、純水供給ノズル２５に供給される流体のように加工点の冷却や洗浄のために加工点に供給され加工液として機能する流体と、スピンドルハウジング２２のような駆動部に供給される冷却水として機能する流体と、は、流体供給装置から異なる流路を通って供給され管理されても良い。その場合、流量計８４は、どちらかの流路のみに設置されても良いし、両方の流路に設置されても良い。

また、基板処理装置２は、図１に示すように、加工廃液供給管５と、純水供給管７と、開閉弁８とを有する。加工廃液供給管５及び純水供給管７は、一端が複数台の基板処理装置２それぞれに接続され、他端が１台の流体供給装置３に接続されている。加工廃液供給管５及び純水供給管７は、基板処理装置２と１対１で対応し、一端が対応した基板処理装置２に接続している。こうして、加工廃液供給管５及び純水供給管７により、流体供給装置３、１台に対して、複数台（実施形態１では、３台）の基板処理装置２が接続している。加工廃液供給管５は、基板処理装置２から流体供給装置３に加工廃液３０１が供給される加工廃液３０１の流路である。純水供給管７は、流体供給装置３から基板処理装置２に純水３００が供給される純水３００の流路である。

開閉弁８は、基板処理装置２に設置されている。開閉弁８は、開くことで、純水３００の基板処理装置２への供給を許容し、閉じることで、純水３００の基板処理装置２への供給（受け入れ）を停止するものである。このために、開閉弁８は、基板処理装置２の処理ユニットである切削ユニット２０に接続して、基板処理装置２への純水３００の供給を許容する流体供給許容手段である。基板処理装置２は、流体供給許容手段として開閉弁の代わりに制御ユニット２７によって制御されるポンプを利用してもよい。基板処理装置２は、制御ユニット２７によってポンプの駆動することで流体供給装置３から必要な流量に応じて純水３００の供給を受け入れ、ポンプの駆動を停止する事で純水３００の受け入れを停止しても良い。

流体供給装置３は、基板処理装置２に接続され、基板処理装置２で使用される流体である純水３００を基板処理装置２に供給するものである。実施形態１では、流体供給装置３は、基板処理装置２から基板２００の切削に使用された純水３００と加工屑を含む加工廃液３０１（基板処理装置２から排出される流体に相当）が供給され、この加工廃液３０１を純水３００（加工屑が除去された流体に相当）に精製して基板処理装置２で再利用するためのものである。流体供給装置３は、図３に示すように、循環ユニット６と、制御ユニット４とを備える。

循環ユニット６は、基板処理装置２から排出される加工廃液３０１が加工廃液供給管５から供給され、加工廃液３０１から加工屑を除去し、加工屑が除去された純水３００を生成して、精製した純水３００を純水供給管７を通して再度基板処理装置２に供給するものである。循環ユニット６は、廃液貯留タンク３０と、フィルタユニット４０と、清水収容ユニット５０と、純水精製ユニット６０と、精密フィルタ７０と、温度調整ユニット８０とを備える。

廃液貯留タンク３０は、基板処理装置２により排出された加工屑を含む加工廃液３０１を貯留するものである。即ち、廃液貯留タンク３０が貯留する加工廃液３０１は、基板処理装置２が基板２００を加工するのに用いた使用済みの加工廃液であり、加工屑を含むものである。廃液貯留タンク３０は、加工廃液供給管５を通して基板処理装置２から供給された加工廃液３０１を貯留する密閉タンクである廃液タンク３１と、廃液タンク３１内の加工廃液３０１を送給する図３に示す廃液送給ポンプ３２を備えている。

フィルタユニット４０は、廃液貯留タンク３０に一旦貯留されかつ廃液貯留タンク３０から送給された加工廃液３０１から加工屑を濾過して除去し、加工廃液３０１を清水３０２に精製するものである。フィルタユニット４０は、廃液貯留タンク３０から送給された加工廃液３０１が配管４１を介して導入される第１のフィルタ４２と、加工廃液３０１が配管４１を介して導入される第２のフィルタ４３と、第１のフィルタ４２及び第２のフィルタ４３を着脱自在に設けた清水受けパン４６などを備えている。廃液送給ポンプ３２と第１のフィルタ４２及び第２のフィルタ４３とを接続する配管４１には、電磁開閉弁４４－１，４４－２が設けられている。電磁開閉弁４４－１，４４－２が開くと、第１のフィルタ４２及び第２のフィルタ４３に加工廃液３０１が導入される。また、配管４１には、加工廃液３０１の圧力を検知する圧力検知手段４５が取り付けられている。

第１のフィルタ４２及び第２のフィルタ４３は、導入された加工廃液３０１を濾過し、加工廃液３０１中の加工屑を捕捉して、清水３０２に精製する。第１のフィルタ４２及び第２のフィルタ４３は、精製した清水３０２を清水受けパン４６上に流出する。清水受けパン４６は、フレキシブルホースなどからなる配管４７を通して清水３０２を清水収容ユニット５０に送る。

清水収容ユニット５０は、フィルタユニット４０からの清水３０２を貯留するものである。清水収容ユニット５０は、配管４７を通してフィルタユニット４０から供給された清水３０２を収容する密閉タンクである清水貯留タンク５１を備えている。

純水精製ユニット６０は、清水３０２を純水３００に精製するものである。純水精製ユニット６０は、加圧ポンプ６１と、紫外線照射ユニット７２と、第１のイオン交換ユニット６２と、第２のイオン交換ユニット６３と、吸引ポンプ６４とを備える。加圧ポンプ６１は、清水貯留タンク５１内の清水３０２を配管６５を通して、紫外線照射ユニット７２に送給する。

紫外線照射ユニット７２は、加工屑が除去された清水３０２に紫外線を照射するものである。紫外線照射ユニット７２は、清水３０２が導入されかつ導入された清水３０２を収容する密閉タンクである清水収容タンク７３と、清水収容タンク７３内に設置されかつ清水収容タンク７３内に導入された清水３０２に紫外線を照射して有機物を分解し殺菌する図示しない紫外線照射ランプと、を備える。清水収容タンク７３は、金属により構成されて、内部に設置された紫外線照射ランプからの紫外線が外部に漏れることを抑制する。

紫外線照射ユニット７２は、配管７４を通して第１のイオン交換ユニット６２及び第２のイオン交換ユニット６３の流入口に接続している。紫外線照射ユニット７２と第１のイオン交換ユニット６２及び第２のイオン交換ユニット６３とを接続する配管７４には、電磁開閉弁６６－１，６６－２が設けられている。電磁開閉弁６６－１，６６－２が開くと、第１のイオン交換ユニット６２及び第２のイオン交換ユニット６３に清水３０２が導入される。

第１のイオン交換ユニット６２及び第２のイオン交換ユニット６３は、紫外線照射ユニット７２から送水される清水３０２をイオン交換して純水３００に精製するものである。第１のイオン交換ユニット６２及び第２のイオン交換ユニット６３は、上部に設けられた流入口と下部に設けられた排出口を備え、流入口が配管７４に接続し、排出口が配管６７を介して精密フィルタ７０に接続している。第１のイオン交換ユニット６２及び第２のイオン交換ユニット６３は、図示しない消耗品であるイオン交換樹脂を収容している。

イオン交換樹脂は、アニオン交換樹脂、カチオン交換樹脂のうちの少なくとも一方などが用いられる。なお、実施形態１では、イオン交換樹脂として、アニオン交換樹脂、カチオン交換樹脂の両方が所定の割合で各イオン交換ユニット６２，６３内に充填されている。カチオン交換樹脂は、アニオン交換樹脂よりも比重が大きい。イオン交換樹脂は、清水３０２が供給されると、イオン分が吸着して、体積収縮を起こし、イオン交換樹脂間に隙間を生じさせる。

具体的には、カチオン交換樹脂は、清水３０２中の陽イオンを取ってＨ^＋を放出し、アニオン交換樹脂は、陰イオンを取ってＯＨ^－を放出する。カチオン交換樹脂及びアニオン交換樹脂などのイオン交換樹脂中のＨ^＋やＯＨ^－は、Ｈ_２Ｏとくっついて存在しており、交換されるイオンと比較して体積が大きい。このために、カチオン交換樹脂及びアニオン交換樹脂などのイオン交換樹脂は、イオン交換を実施していくと体積が徐々に減少する。

第１のイオン交換ユニット６２及び第２のイオン交換ユニット６３は、流入口から導入された清水３０２を収容したイオン交換樹脂間に導き、イオン交換樹脂によりイオン交換して純水３００に精製し、排出口から配管６７に送り出す。

また、第１のイオン交換ユニット６２及び第２のイオン交換ユニット６３の排出口と精密フィルタ７０とを接続する配管６７には、第１のイオン交換ユニット６２及び第２のイオン交換ユニット６３の排出口からの純水３００の圧力を検知する圧力検知手段６８、比抵抗計６９及び精製された純水３００を吸引する吸引ポンプ６４が取り付けられている。

精密フィルタ７０は、純水３００中のイオン交換樹脂などの樹脂屑などの微細な物質を捕捉して除去し、微細な物質が捕捉された純水３００を配管７１を通して温度調整ユニット８０に送り出す。温度調整ユニット８０は、純水３００を所定温度に調整して、供給配管８１及び純水供給管７を通して基板処理装置２に送給するものである。なお、供給配管８１は、各基板処理装置２の純水供給管７に接続している。

前述した構成の流体供給装置３は、圧力検知手段４５，６８－１の検出結果に基づいて、電磁開閉弁４４－１，４４－２，６６－１，６６－２、加圧ポンプ６１及び吸引ポンプ６４を制御して、加工廃液３０１を廃液貯留タンク３０に収容した後、フィルタユニット４０で濾過して清水３０２に精製し、清水３０２を清水収容ユニット５０に収容した後、純水精製ユニット６０で純水３００に精製し、精密フィルタ７０及び温度調整ユニット８０を介して複数台の基板処理装置２に純水３００を供給する。このために、ポンプ６１，６４は、流体供給装置３内で流体を循環させる。

また、流体供給装置３は、両端が配管７１と配管４７とに接続して純水３００などの流体を通すことが可能な循環配管８２と、循環配管８２に設置された開閉弁８３と、純水供給管７に設置された流量計８４とを有する。

循環配管８２は、配管７１に送り出された純水３００を配管４７を通して、清水収容ユニット５０の清水貯留タンク５１に導いて、純水３００を清水収容ユニット５０と純水精製ユニット６０との間で循環させるものである。

開閉弁８３は、開くことで、純水３００の清水収容ユニット５０の清水貯留タンク５１への供給を許容して、純水３００の清水収容ユニット５０と純水精製ユニット６０との間の循環を許容するものである。開閉弁８３は、閉じることで、純水３００の清水収容ユニット５０の清水貯留タンク５１への供給（受け入れ）を停止して、純水３００の清水収容ユニット５０と純水精製ユニット６０との間の循環を停止するものである。

流量計８４は、流体供給装置３の中の供給配管８１に設置されている。即ち、流量計８４は、基板処理装置２の複数台に対して一つ設けられている。

流量計８４は、基板処理装置２に供給される純水３００の流量を検出し、検出結果を制御ユニット４に出力する。例えば、実施形態１では、流量計８４は、対応した基板処理装置２の開閉弁８が閉じた時に検出する純水３００の流量が０（Ｌ／ｍｉｎ）となり、対応した基板処理装置２の開閉弁８が開いた時に検出する純水３００の流量が所定値（Ｌ／ｍｉｎ）となる。

流量計８４は、超音波式流量計、電磁式流量計、リオリ式流量計、熱式流量計、カルマン渦式流量計、羽根車式流量計、浮き子式流量計、又は差圧式流量計などである。

制御ユニット４は、流体供給装置３を構成する上述した各構成要素をそれぞれ制御して、加工廃液３０１を純水３００に精製する精製動作を流体供給装置３に実行させるものである。制御ユニット４は、ＣＰＵ（central processing unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read only memory）又はＲＡＭ（random access memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有するコンピュータである。

制御ユニット４の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、流体供給装置３を制御するための制御信号を、入出力インターフェース装置を介して流体供給装置３の上述した構成要素に出力する。また、制御ユニット４は、各構成要素の動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される表示ユニット、オペレータが動作条件などを登録する際に用いる入力ユニットと接続されている。入力ユニットは、表示ユニットに設けられたタッチパネルと、キーボード等とのうち少なくとも一つにより構成される。

前述した構成の流体供給装置３は、加工廃液３０１を純水３００に精製する循環ユニット６を備えて、所謂純水精製装置が一体となっている。また、流体供給装置３は、基板処理装置２から離れた位置に設置されても良い。

このように、実施形態１に係る基板処理システム１は、基板処理装置２が制御ユニット２７を備え、流体供給装置３が制御ユニット２７から独立して動作する制御ユニット４を備えている。実施形態１に係る基板処理システム１は、制御ユニット２７と制御ユニット４とが互いに情報の送受信せずに、制御ユニット２７と制御ユニット４とにより基板処理装置２と流体供給装置３との動作が互いに独立して制御される。

前述した基板処理システム１は、少なくとも１台の基板処理装置２が処理動作を開始する際には、流体供給装置３がまず精製動作を開始する。開閉弁８を閉じたまま、流体供給装置３は、開閉弁８３を開いて、ポンプ３２，６１，６４を駆動して、加工廃液３０１を純水３００に精製、精製した純水３００を清水収容ユニット５０と純水精製ユニット６０との間で所定時間循環させて、純水３００の温度と品質を基板処理装置２が必要な状態に安定させる。または流体供給装置３は、流体供給源から新たな流体を供給し、清水収容ユニット５０と純水精製ユニット６０との間で所定時間循環させて、純水３００の温度と品質を基板処理装置２が必要な状態に安定させてもよい。

基板処理システム１は、流体供給装置３が精製動作を開始してから所定時間経過すると、制御ユニット４が開閉弁８３を閉じ、制御ユニット２７が開閉弁８を開いて、各基板処理装置２が処理動作を開始する。基板処理システム１は、各基板処理装置２が処理動作を開始すると、各基板処理装置２が流体供給装置３から純水３００が供給され、開閉弁８が開いた純水供給管７に設置された流量計８４が流体供給装置３から基板処理装置２に供給される純水３００の流量を検出する。

また、基板処理システム１は、各基板処理装置２が処理動作を開始すると、各基板処理装置２が、加工廃液３０１を加工廃液供給管５を通して流体供給装置３に供給する。

また、基板処理システム１は、各基板処理装置２が処理動作を開始した後に各基板処理装置２が処理動作を終了する際には、制御ユニット２７が開閉弁８を閉じる。すると、開閉弁８が閉じた純水供給管７に設置された流量計８４が検出する純水３００の流量が０（Ｌ／ｍｉｎ）となる。

基板処理システム１は、全ての基板処理装置２の開閉弁８が閉じ、流体供給装置３の流量計８４の検出する純水３００の流量が０（Ｌ／ｍｉｎ）になると、流体供給装置３の配管７１内の水圧が上がり、一定以上の圧力がかかると開くように設計された開閉弁８３が開かれ、純水精製ユニット６０が精製した純水３００を、循環配管８２内を通して清水収容ユニット５０と純水精製ユニット６０との間で循環させる。なお、開閉弁８３は圧力によって自動で開かず、制御ユニット４によって開かれても良い。

基板処理システム１は、流体供給装置３の全ての流量計８４の検出する純水３００の流量が０（Ｌ／ｍｉｎ）、即ち、全ての基板処理装置２の開閉弁８が閉じてから事前に設定された所定時間（実施形態１では。例えば、３時間）以上経過すると、流体供給装置３の制御ユニット４が、ポンプ３２，６１，６４の動作を停止して、純水３００の清水収容ユニット５０と純水精製ユニット６０との間の循環を停止し、流体供給装置３の運転を停止する。このように、流体供給装置３の制御ユニット４は、流体供給装置３の全ての流量計８４の検出する純水３００の流量が０（Ｌ／ｍｉｎ）、即ち、全ての基板処理装置２が処理動作を終了して、全ての開閉弁８が基板処理装置２への純水３００の受け入れを停止し、全ての流量計８４が事前に設定された所定時間以上、全ての基板処理装置２への純水３００の供給を計測（検出）しなかったときは、流体供給装置３の運転を停止する。

以上のように、実施形態１に係る基板処理システム１は、流体供給装置３の制御ユニット４が、全ての開閉弁８が基板処理装置２への純水３００の受け入れを停止し、全ての流量計８４が事前に設定された所定時間以上、全ての基板処理装置２への純水３００の供給を計測（検出）しなかったときは、流体供給装置３の運転を停止する。このように、実施形態１に係る基板処理システム１は、流体供給装置３単体で、各基板処理装置２の稼働状況を判断し、流体供給装置３自体の運転を停止する事ができる。

その結果、基板処理システム１は、基板処理装置２と流体供給装置３の動作が互いに独立して制御されても、流体供給装置３内の消耗品であるイオン交換樹脂や紫外線照射ランプ等の消耗品、流体供給装置３の運転にかかる電力コストを抑制することができるという効果を奏する。

また、実施形態１に係る基板処理システム１は、流体供給装置３が備えている流量計８４を利用することで、追加のコストをかけずに、複数台の基板処理装置２と接続されていたとしても、流体供給装置３単体で、各基板処理装置２の稼働状況を判断し、流体供給装置３自体の運転を停止でき、流体供給装置３内の消耗品であるイオン交換樹脂や紫外線照射ランプ等の消耗品、流体供給装置３の運転にかかる電力コストを抑制することができるという効果を奏する。流体供給装置３は基板処理装置２が一台でも稼働している間は運転する必要があるとともに、各基板処理装置２に必要な流量の管理は、各基板処理装置２が有する流体供給許容手段が行うため、個別にどの基板処理装置２が稼働しているかを把握していなくても良い場合が多い。そのため複数台の基板処理装置２に接続されていたとしても、基板処理装置２の数に応じた複数の流量計８４を備える必要が無く、流体供給装置３に設置された１つの流量計８４で流体供給装置３の運転を制御できるため経済的である。

実施形態１に係る基板処理システム１の流体供給装置３は、炭酸ガスや界面活性剤などの薬液を混合させるユニットを更に有しても良い。また、実施形態１に係る基板処理システム１の流体供給装置３は、流体供給源と排出部とに接続され、加工廃液３０１を循環させる循環ユニット６を有さず、純水３００の流量と温度管理のみを行っても良い。

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。

実施形態１では、基板処理装置２は、基板２００を切削する切削装置であるが、本発明では、切削装置に限定されない。本発明では、基板処理装置２は、基板２００を研削する研削装置、基板２００を研磨する研磨装置、基板をプラスマエッチングするプラズマエッチング装置、基板２００を液状樹脂で被覆する被覆装置、基板をレーザー加工するレーザー加工装置でも良い。

また、基板処理装置２が、研削装置または研磨装置である場合には、流体供給装置３は、研削砥石または研磨パッドと基板２００とが接触する加工点に供給される加工液、スピンドル等の駆動部を冷却する冷却液、加工後の基板２００を洗浄する洗浄ユニットで用いられる洗浄液を供給するのが望ましい。

また、基板処理装置２が、プラズマエッチング装置である場合には、流体供給装置３は、プラズマ化されて基板２００のエッチングされる加工点に供給されるエッチングガスを供給するのが望ましい。

また、基板処理装置２が、被覆装置である場合には、流体供給装置３は、基板２００に被覆される液状樹脂を供給するのが望ましい。

また、基板処理装置２が、レーザー加工装置である場合には、レーザー加工装置が加工屑の基板２００への付着を防止するために基板２００を液状樹脂で被覆する樹脂被覆ユニットに用いられる液状樹脂、レーザー加工後の基板２００を洗浄する洗浄ユニットで用いられる洗浄液を供給するのが望ましい。

１ 基板処理システム
２ 基板処理装置
３ 流体供給装置
７ 純水供給管（流路）
８ 開閉弁（流体供給許容手段）
６１ 加圧ポンプ
６４ 吸引ポンプ
８４ 流量計
３００ 純水（流体）

Claims (3)

1. 流体の供給を許容する流体供給許容手段を有する基板処理装置と、
   該基板処理装置に接続され、該基板処理装置で使用される流体を供給する流体供給装置と、を有する基板処理システムであって、
   該流体供給装置は、
   該基板処理装置に該流体が供給される流路に設置された流量計を有し、
   該流体供給許容手段が該流体の受け入れを停止し、
   該流量計が事前に設定された時間以上、基板処理装置への流体の供給を計測しなかったときは、該流体供給装置の運転を停止することを特徴とする基板処理システム。
2. 該流体供給許容手段は、
   ポンプまたは開閉弁であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。
3. 該流体供給装置１台に対して複数台の該基板処理装置が接続され、
   該流体供給装置は複数台の該基板処理装置に流体を供給することを特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。

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