JP2022151000A - Substrate, detection device, and detection module - Google Patents
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Abstract
Description
本開示はX線検出素子搭載用の基板、検出装置および検出モジュールに関する。 The present disclosure relates to a substrate for mounting an X-ray detection element, a detection device, and a detection module.
従来、絶縁基板の主面にX線検出素子を搭載する検出素子搭載用基板および検出装置が知られている。特許文献1には、このような検出素子搭載用基板が備える絶縁層の内部に、X線を減衰するための複数のビアを配置している構成が開示されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a detection element mounting substrate and a detection device are known, in which an X-ray detection element is mounted on the main surface of an insulating substrate.
X線検出装置が作動すると、X線検出素子またはその他の電子素子が発熱する。そのため、X線検出素子を搭載する基板において、発熱に伴って基板に歪みが生じる可能性を低減することが望まれる。 When the X-ray detection device operates, the X-ray detection elements or other electronic elements generate heat. Therefore, it is desired to reduce the possibility that the substrate on which the X-ray detection element is mounted is distorted due to heat generation.
本開示の一態様に係る基板は、積層体であって、複数の絶縁層と、該複数の絶縁層の間に位置する複数の金属層と、X線検出素子が搭載される第1搭載部および電子素子が搭載される、前記第1搭載部と反対側の第2搭載部と、前記第1搭載部が位置する側と、前記第2搭載部が位置する側とを前記金属層を介して接続する複数のビア導体とを備え、前記複数の絶縁層の積層方向において、前記複数のビア導体が直線状に並んだビア導体集合体を少なくとも1つ有しており、前記積層体において、前記ビア導体集合体に接続されている複数の金属層の少なくとも一部は、前記ビア導体集合体から互いに異なる方向に延びている。 A substrate according to an aspect of the present disclosure is a laminate, and includes a plurality of insulating layers, a plurality of metal layers positioned between the plurality of insulating layers, and a first mounting portion on which an X-ray detection element is mounted. and a second mounting portion opposite to the first mounting portion on which an electronic element is mounted, a side on which the first mounting portion is positioned, and a side on which the second mounting portion is positioned, with the metal layer interposed therebetween. at least one via-conductor aggregate in which the plurality of via-conductors are arranged linearly in the lamination direction of the plurality of insulating layers; and in the laminate, At least some of the plurality of metal layers connected to the via-conductor assembly extend in different directions from the via-conductor assembly.
本開示の一態様によれば、発熱に伴う基板の歪みを低減することができる。 According to one aspect of the present disclosure, distortion of the substrate due to heat generation can be reduced.
〔実施形態〕
以下、本開示の例示的な実施形態について、添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。
[Embodiment]
Exemplary embodiments of the present disclosure are described in detail below with reference to the accompanying drawings.
図1は、図2に示す検出装置100のI-I線矢視断面図である。図2は、本実施形態の検出装置100の上面図である。図3は、検出装置100の下面図である。
FIG. 1 is a sectional view taken along line II of the
添付の図面において、基板1および検出装置100は、仮想のXYZ空間におけるX-Y平面に実装されているとする。本明細書において、上方向とは、仮想のZ軸の正方向のことをいう。なお、以下の説明における上下の区別は便宜的なものであり、実際に基板1等が使用される際の上下を限定するものではない。また、基板1の厚み方向とは、Z軸の方向のことをいう。
In the attached drawings, it is assumed that the
図1に示すように、検出装置100は、基板1と、基板1の第1面11Aに搭載された検出素子2と、基板1の第2面11Bに搭載された電子素子3とを含む。検出装置100は、例えば、検出モジュールを構成するモジュール基板上にはんだを用いて接続され得る。
As shown in FIG. 1, the
基板1は、検出素子2を搭載するための基板である。基板1の構成については、以下で詳述する。
A
検出素子2は、基板1に入射するX線を電気信号に変換する、X線検出素子である。検出素子2は、例えば、X線を光に変換するシンチレータと、光を電気信号に変換するフォトダイオードとを有している。すなわち、検出装置100に入射したX線は、シンチレータにより光に変換され、変換された光は、フォトダイオードにより電気信号に変換される。
The
電子素子3は、検出素子2から出力される電気信号を検出し、情報として処理する素子であり、例えば、集積回路デバイスである。検出素子2および電子素子3は、例えば、はんだバンプ、金バンプまたは導電性樹脂(異方性導電樹脂等)等の接続部材4を介して、検出素子2の電極または電子素子3の電極と、配線パターン17とが電気的および機械的に接続されることにより基板1に搭載される。
The
(基板1の構成)
図1に示すように、本実施形態に係る基板1は、複数の絶縁層11Cを積層することによって構成される絶縁基板11を備える積層体である。絶縁基板11は、第1面11A(上面)および第2面11B(下面)と、側面とを有する。絶縁基板11は、第1面11Aに、検出素子2が搭載される第1搭載部12を有している。また、絶縁基板11は、第1面11Aと反対側の第2面11Bに、電子素子3が搭載される第2搭載部13を有する。換言すると、基板1は、第1搭載部12と第2搭載部13との間に位置する複数の絶縁層11Cを備えている。
(Structure of substrate 1)
As shown in FIG. 1, the
図1では、第1面11A側の絶縁層11Cと、第2面11B側の絶縁層11Cの厚さ(Z軸方向の長さ)が厚く、他の絶縁層11Cは薄い構成となっている。また、各金属層間の絶縁層11Cの厚みは、同等である。しかしながら、基板1に含まれる各絶縁層11Cの厚みは、当該構成に限定されない。例えば、絶縁層11Cの厚さは全て同じでもよいし、全て異なっていてもよい。絶縁層11Cそれぞれの厚さを調節することにより、絶縁層11C間に配置される金属層18のZ軸方向の位置を調節することができる。なお、基板1に含まれる絶縁層11Cの数もまた、図1に示す例に限定されない。
In FIG. 1, the
基板1は、複数の絶縁層11Cの間に位置する複数の金属層18を備える。また、基板1は、複数の絶縁層11Cによって構成される絶縁基板11の、第1搭載部12が位置する側と、第2搭載部13が位置する側とを金属層18を介して接続する複数のビア導体16と備える。
The
基板1に含まれる複数のビア導体16は、基板1において、複数の「直線状に並んだビア導体の集合(以降、ビア導体集合体と称する)」を構成するように配置され得る。例えば、図4に示すように、ビア導体集合体16Aは、基板1の厚み方向に直線状に並んだ5つのビア導体16によって構成されている。また、図1~図3に示すように、基板1は、基板1の上面から見たときに、ビア導体集合体16Aが、格子状に位置している。なお、図2および図3において破線の円で示してある位置は、平面透視したときの基板1におけるビア導体集合体16Aの位置を示している。
A plurality of via
図2および図3に示すように、基板1は、ビア導体集合体16Aを、X軸方向に7列、Y軸方向に4列、計28個含んでいるが、基板1に含まれるビア導体集合体16Aの数はこれに限定されない。
As shown in FIGS. 2 and 3, the
絶縁基板11は、平面視すなわち第1面11Aに垂直な方向から見ると、例えば、矩形の板状の形状を有している。絶縁基板11は、検出素子2および電子素子3を支持するための支持体として機能する。
The
絶縁基板11は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体(アルミナセラミックス)、窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪素質焼結体、ムライト質焼結体またはガラスセラミックス焼結体等のセラミックスを用いることができる。絶縁基板11は、例えば酸化アルミニウム質焼結体である場合であれば、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化珪素(SiO2)、酸化マグネシウム(MgO)、酸化カルシウム(CaO)等の原料粉末に適当な有機バインダーおよび溶剤等を添加混合して泥漿物を作製する。この泥漿物を、従来周知のドクターブレード法またはカレンダーロール法等を採用してシート状に成形することによってセラミックグリーンシートを作製する。次に、このセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに、セラミックグリーンシートを複数枚積層して生成形体を形成し、この生成形体を高温(約1600℃)で焼成することによって絶縁基板11が製作される。
For the
絶縁基板11の第1面11Aには、検出素子2と電気的に接続するための配線パターン17が設けられている。絶縁基板11の第2面11Bには、電子素子3と電気的に接続するための配線パターン17が設けられている。
A
ビア導体16および金属層18は、絶縁基板11の内部に設けられている。第1面11Aの配線パターン17と、第2面の配線パターン17とは、ビア導体16および金属層18を介して電気的に接続されている。
Via
金属層18および配線パターン17は、例えば、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)等を主成分とする金属粉末メタライズである。例えば、絶縁基板11が酸化アルミニウム質焼結体から成る場合である場合は、以下のように金属層18および配線パターン17を形成する。まず、W、MoまたはMn等の高融点金属粉末に適当な有機バインダーおよび溶媒等を添加混合して得たメタライズペーストを、絶縁基板11用のセラミックグリーンシートに予めスクリーン印刷法によって所定のパターンに印刷塗布する。その後、当該パターンは、絶縁基板11用のセラミックグリーンシートと同時に焼成することによって、絶縁基板11の所定位置に被着形成される。
The
ビア導体16は、例えば、まず、絶縁基板11用のセラミックグリーンシートに金型またはパンチングによる打ち抜き加工またはレーザー加工等の加工方法によってビア導体16用の貫通孔を形成する。その後、この貫通孔に、ビア導体16用のメタライズペーストを上記印刷手段によって充填しておき、絶縁基板11用のセラミックグリーンシートとともに焼成することによって形成される。メタライズペーストは、上述の金属粉末に適当な溶剤およびバインダーを加えて混練することによって、適度な粘度に調整して作製される。なお、絶縁基板11との接合強度を高めるために、ガラス粉末、セラミック粉末を含んでいても構わない。ビア導体16は、Z軸方向からの平面視において、例えば円形状を有している。すなわち、本実施形態の基板1では、ビア導体16は、円柱状である。しかしながら、ビア導体16の形状は円柱状に限定されず、例えば角柱状であってもよい。
For the via
金属層18は、ビア導体16同士を接続するとともに、基板1を透過するX線を遮蔽するために配置される。複数の金属層18によって平面透視で第2搭載部13と重なる領域を覆うことにより、第1面11A側から入射したX線が、基板1内を透過し、電子素子3に照射されることを低減することができる。これにより、検出装置100は、X線による電子素子3の機能低下が抑制され、電気信号を良好に検出し、処理することができる。また、金属層18は、隣接する絶縁層11Cに配置され、1つの回路を形成するビア導体16同士を電気的に接続し得る。
(直線状に並ぶビア導体16と、金属層18の構成)
以下では、図4~図9を用いて、直線状に並ぶ複数のビア導体16(ビア導体集合体16A)と、当該ビア導体集合体16Aに接続する複数の金属層18の構成について説明する。
(Structure of
The configuration of a plurality of linearly arranged via conductors 16 (via
図4は、図1の領域Rで示されている要部拡大断面図である。図4に示す例において、5つのビア導体16は、基板1の厚み方向に直線状に並んでおり、ビア導体集合体16Aを形成している。各ビア導体16は、複数の絶縁層11Cの間に位置する4つの金属層18(18A1・18A2・18A3・18A4)を介して接続されている。すなわち、複数のビア導体16は、複数の絶縁層11Cによって構成される絶縁基板11の、第1面11Aと、第2面11Bとを、前記複数の金属層18を介して接続している。なお、以降の図面において、部材番号18Anは、ビア導体集合体16Aに含まれるビア導体16に接続する金属層であり、第1面11A側から数えてn層目の金属層であることを示している。
FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of a main part indicated by region R in FIG. In the example shown in FIG. 4, five via
図5は、図2の領域Sを上面から平面透視したときの金属層18A1~18A4の配置を示す図である。換言すると、図5は、5つのビア導体16が直線状に並んだ方向に向かって絶縁基板11を平面透視した図である。なお、簡単のために、図5は、金属層18A1~18A4以外の部材については省略して示している。また、ビア導体集合体16Aは、金属層18A1~18A4の群の中央部に位置している。
FIG. 5 is a diagram showing the arrangement of the metal layers 18A1 to 18A4 when the area S in FIG. 2 is viewed from above. In other words, FIG. 5 is a plan perspective view of insulating
図6は、直線状に並んだ5つのビア導体16および金属層18A1~18A4の構成を示す斜視図である。図6の符号601に示す図は、金属層18A1~18A4を、第1面11A側から順に並べた図である。なお、図5および図6に示す接続部Tは、金属層18と、ビア導体16との接続部である。また、接続部Tの中央を、金属層18とビア導体16との接続位置と定義する。
FIG. 6 is a perspective view showing a configuration of five linearly arranged via
図5および図6に示すように、ビア導体集合体16Aに接続されている金属層18A1~18A4は、ビア導体集合体16Aに含まれるビア導体16から互いに異なる方向に延びている。
As shown in FIGS. 5 and 6, metal layers 18A1-18A4 connected to via-
また、図5に示すように、例えば、金属層18A1(第1の金属層)と金属層18A2(第2の金属層)とは、金属層18A1を、ビア導体集合体16Aを軸として回転させた場合に、基板1の平面透視において金属層18A2と重なる構成である。
Further, as shown in FIG. 5, for example, metal layer 18A1 (first metal layer) and metal layer 18A2 (second metal layer) are formed by rotating metal layer 18A1 around via-
さらに、図5に示すように、金属層18A1~18A4は、基板1の平面透視において、個々の金属層18がビア導体集合体16Aを軸として周期的に回転した位置関係にある。
Furthermore, as shown in FIG. 5, the metal layers 18A1 to 18A4 are in a positional relationship in which each
検出装置100が作動すると、検出素子2または電子素子3が発熱する。基板1には、例えばセラミックによって構成される絶縁層11Cと、金属導体であるビア導体16および金属層18とが含まれるが、絶縁層11Cと、金属導体とでは熱による膨張度が異なる。そのため、X線検出装置の作動に伴い生じた熱によって、熱膨張差に起因する応力が生じる虞がある。
When the
上述の構成により、検出素子2または電子素子3が発熱した場合でも、絶縁層11C、ビア導体16および金属層18の間の熱膨張差による応力が分散される。これにより、X線検出素子を搭載する基板1に歪みが生じる可能性を低減できる。
With the above configuration, even when the detecting
(金属層18の構成例)
図7は、金属層18の構成例を示す平面図である。図7の符号701に示す金属層18(G)は、略正方形の形状を有しており、接続部Tは、正方形の1つの角に近い位置(第1の位置)に設けられている。図7の符号702に示す金属層18(H)は、接続部Tが、正方形の隣接する2つの角の間であり、かつ当該2つの角間の辺から、離隔した位置(第2の位置)に設けられている点が、金属層18Aと異なる。なお、以降の図面において、部材番号の末尾に(G)と付されているものは、接続部Tが上記第1の位置に設けられている金属層(第1の金属層)であることを示している。一方、部材番号の末尾に(H)と付されているものは、接続部Tが上記第2の位置に設けられている金属層(第2の金属層)であることを示している。
(Configuration example of metal layer 18)
FIG. 7 is a plan view showing a configuration example of the
また、接続部Tの中央と金属層18(G)の外縁との間の距離L2は、接続部Tの中央と金属層18(G)の中央Pとの間の距離L1よりも短い。金属層18(H)についても同様である。L2がL1よりも短いことにより、金属層18は、ビア導体に対して顕著に変位することができ、金属層と絶縁層との間で発生する応力を効果的に分散させることができる。
Also, the distance L2 between the center of the connection portion T and the outer edge of the metal layer 18(G) is shorter than the distance L1 between the center of the connection portion T and the center P of the metal layer 18(G). The same applies to the metal layer 18(H). Since L2 is shorter than L1, the
なお、金属層18の形状は、正方形状に限定されない、例えば、長方形、多角形状、円形状などであってもよい。
In addition, the shape of the
(金属層18Anの構成(変形例))
図1~図6では、ビア導体集合体16Aに、4つの金属層18が接続されている(n=4)例を示している。しかしながら、ビア導体16および金属層18の数はこの例に限定されない。
(Structure of Metal Layer 18An (Modified Example))
1 to 6 show an example in which four
図8は、直線状に並ぶビア導体16(ビア導体集合体16A)と接続される複数の金属層18(金属層18An)の構成例を示す図である。図8は、n=8の場合を示しており、図6の符号601と同様に、金属層18Anを、第1面11A側から順に並べた図である。図8に示すように、直線状に並んだ複数のビア導体16に接続されている複数の金属層18には、ビア導体との接続位置(接続部Tの位置)が異なる金属層18が含まれていてもよい。より具体的には、図8に示すように、接続部Tの位置が上記第1の位置である金属層18An(G)の組(第1の金属層の組)と、上記第2の位置である金属層18An(H)の組(第2の金属層の組)とが含まれていてもよい。
FIG. 8 is a diagram showing a configuration example of a plurality of metal layers 18 (metal layers 18An) connected to linearly arranged via conductors 16 (via
図9は、金属層18Anの別の構成例を示す図である。図9も、図6の符号601と同様に、金属層18Anを、第1面11A側から順に並べた図である。図9に示すように、接続部T位置が上記第1の位置である金属層18An(G)と、上記第2の位置である金属層18An(H)が交互に配置されていてもよい。
FIG. 9 is a diagram showing another configuration example of the metal layer 18An. FIG. 9 is also a diagram in which the metal layers 18An are arranged in order from the
(基板1の、積層方向において同一の位置にある金属層18について)
以下では、図10を用いて基板1の、積層方向において同一の位置にある金属層18について説明する。
(Regarding
The metal layers 18 at the same position in the stacking direction of the
上述したように、基板1は、直線状に並ぶビア導体16の集合を複数備えている。
As described above, the
基板1に含まれる複数の金属層18のうち、絶縁層11Cの積層方向(Z軸方向)において同一の位置にある前記金属層に注目する。
Of the plurality of
図10の符号1001~1004は、それぞれ絶縁層11Cの積層方向において同一の位置にある金属層18の構成例を示す平面概略図である。第1面11A側から数えて、符号1001は第1層目、符号1001は第2層目、符号1003は第3層目、符号1004は第4層目を示している。なお、簡単のために、基板1に含まれる直線状に並ぶビア導体16の集合のうち、16個の集合に接続される金属層18のみを図示している。
図10に示されるように、積層方向において同一の位置にある金属層18An(第3の金属層)と、金属層18Bn(第4の金属層)とは、互いに接続していない。金属層18Anは、第1のビア導体集合体16Aに含まれるビア導体16に接続されるn層目の金属層を示している。金属層18Bnは、第2のビア導体集合体16Bに含まれるビア導体16に接続されるn層目の金属層を示している。
As shown in FIG. 10, the metal layer 18An (third metal layer) and the metal layer 18Bn (fourth metal layer) at the same position in the stacking direction are not connected to each other. A metal layer 18An represents an n-th metal layer connected to the via
当該構成により、積層方向において同一の位置にある金属層同士が重なっていないため、金属導体と絶縁層11Cとの間で発生する応力が分散されやすくなる。また、異なるビア導体集合体同士が電気的に接続されないため、電気信号を正確に伝送することができる。
With this configuration, the metal layers at the same position in the stacking direction do not overlap with each other, so the stress generated between the metal conductor and the insulating
また、積層方向において同一の位置にある金属層18An(第3の金属層)と、金属層18Bn(第4の金属層)とは、各々の金属層が接続されている第1のビア導体集合体16Aまたは第2のビア導体集合体16Bに対して同一の方向に位置している。換言すると、積層方向において同一の位置にある各金属層18は、平面視において同じ位置に接続部Tを有している。
Also, the metal layer 18An (third metal layer) and the metal layer 18Bn (fourth metal layer) located at the same position in the lamination direction are connected to the first via conductor set. It is positioned in the same direction with respect to the
当該構成により、絶縁層の積層方向における同一の位置において、複数のビア導体集合体に接続される金属層が分散して配置されるため、金属導体と絶縁層との間で発生する応力が分散されやすくなる。また、絶縁層11Cの積層方向における同一の位置において金属層18がバランスよく配置されるため、基板の均質性が向上する。
With this configuration, the metal layers connected to the plurality of via-conductor aggregates are dispersedly arranged at the same position in the stacking direction of the insulating layers, so that the stress generated between the metal conductors and the insulating layers is dispersed. easier to be Further, since the metal layers 18 are arranged in a well-balanced manner at the same position in the stacking direction of the insulating
(基板1を平面透視したときの金属層18について)
以下では、図11を用いて、基板1を平面透視したときの、金属層18について説明する。
(Regarding the
Below, the
図11は、基板1を平面透視したときの金属層18を示す平面概略図である。なお、図11では、簡単のために、第1のビア導体集合体16A、第2のビア導体集合体16B、第3のビア導体集合体16C、第4のビア導体集合体16Dに注目し、これらの集合に接続されている金属層18のみを示している。金属層18Cnは、第3のビア導体集合体16Cに含まれるビア導体16に接続されるn層目の金属層を示している。金属層18Dnは、第4のビア導体集合体16Dに含まれるビア導体16に接続されるn層目の金属層を示している。
FIG. 11 is a schematic plan view showing the
図11に示されるように、第1のビア導体集合体16Aに接続されている金属層18Anの少なくとも一部と、第2のビア導体集合体16Bに接続されている金属層18Bnの少なくとも一部とは、基板1の平面透視において重なっている。このことは、隣接するビア導体集合体同士について同様である。図11では、隣接するビア導体集合体にそれぞれ接続された金属層18が重複している箇所を、斜線領域Qで示している。また、図5に示す例と同様に、第1のビア導体集合体16Aは、金属層18A1~18A4の群の中央部に位置している。同様に第2のビア導体集合体16Bは、金属層18B1~18B4の群の中央部に位置し、第3のビア導体集合体16Cは、金属層18C1~18C4の群の中央部に位置し、第4のビア導体集合体16Dは、金属層18D1~18D4の群の中央部に位置している。
As shown in FIG. 11, at least part of metal layer 18An connected to first via-
当該構成により、隣接するビア導体集合体合にそれぞれ接続された複数の金属層同士が積層体の平面透視において互いに重なる部分が存在するため、X線の遮蔽効果を高めることができる。 With this configuration, the plurality of metal layers connected to the adjacent via-conductor aggregates have portions that overlap each other when the laminate is viewed through the plan view, so that the X-ray shielding effect can be enhanced.
上述の実施形態では、絶縁基板11の第1面11A側と第2面11B側とを接続する複数のビア導体16が全て直線状に並んでいる例を示しているが、当該複数のビア導体16の少なくとも一部が直線状に並んでいればよい。例えば、絶縁基板11は、直線状に並ぶビア導体を含む第1絶縁基板と、電子素子3の大きさに合わせて、配線を引き回すための第2絶縁基板とを含んでもよい。当該第2絶縁基板は、内部にビア導体16および内部配線層を含み得る。
In the above-described embodiment, the plurality of via
〔付記事項〕
以上、本開示に係る発明について、諸図面および実施例に基づいて説明してきた。しかし、本開示に係る発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。すなわち、本開示に係る発明は本開示で示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本開示に係る発明の技術的範囲に含まれる。つまり、当業者であれば本開示に基づき種々の変形または修正を行うことが容易であることに注意されたい。また、これらの変形または修正は本開示の範囲に含まれることに留意されたい。
[Additional notes]
The invention according to the present disclosure has been described above based on the drawings and examples. However, the invention according to the present disclosure is not limited to each embodiment described above. That is, the invention according to the present disclosure can be variously modified within the scope shown in the present disclosure, and the embodiments obtained by appropriately combining the technical means disclosed in different embodiments can also be applied to the invention according to the present disclosure. Included in the technical scope. In other words, it should be noted that a person skilled in the art can easily make various variations or modifications based on this disclosure. Also, note that these variations or modifications are included within the scope of this disclosure.
1 ・・・基板
11 ・・・絶縁基板
11A・・・第1面
11B・・・第2面
11C・・・絶縁層
12 ・・・第1搭載部
13 ・・・第2搭載部
16 ・・・ビア導体
16A、16B、16C、16D・・・ビア導体集合体
17 ・・・配線パターン
18 ・・・金属層
2 ・・・検出素子
3 ・・・電子素子
100・・・検出装置
Claims (10)
複数の絶縁層と、
該複数の絶縁層の間に位置する複数の金属層と、
X線検出素子が搭載される第1搭載部および電子素子が搭載される、前記第1搭載部と反対側の第2搭載部と、
前記第1搭載部が位置する側と、前記第2搭載部が位置する側とを前記金属層を介して接続する複数のビア導体とを備え、
前記複数の絶縁層の積層方向において、前記複数のビア導体が直線状に並んだビア導体集合体を少なくとも1つ有しており、
前記積層体において、前記ビア導体集合体に接続されている複数の金属層の少なくとも一部は、前記ビア導体集合体から互いに異なる方向に延びている基板。 A laminate,
a plurality of insulating layers;
a plurality of metal layers positioned between the plurality of insulating layers;
a first mounting portion on which an X-ray detection element is mounted and a second mounting portion on which an electronic element is mounted, on the opposite side of the first mounting portion;
a plurality of via conductors connecting the side on which the first mounting portion is located and the side on which the second mounting portion is located through the metal layer;
having at least one via-conductor assembly in which the plurality of via-conductors are arranged linearly in the stacking direction of the plurality of insulating layers;
In the laminate, at least a portion of the plurality of metal layers connected to the via-conductor assembly extends in different directions from the via-conductor assembly.
前記複数の金属層は、第3の金属層および第4の金属層を含んでおり、
前記絶縁層の積層方向における同一の位置にある前記複数の金属層において、前記第1のビア導体集合体に接続される前記第3の金属層と、前記第2のビア導体集合体に接続される前記第4の金属層とは、接続していない、請求項1から4のいずれか1項に記載の基板。 comprising a plurality of the via-conductor assemblies, including a first via-conductor assembly and a second via-conductor assembly;
the plurality of metal layers includes a third metal layer and a fourth metal layer;
In the plurality of metal layers located at the same position in the stacking direction of the insulating layers, the third metal layer connected to the first via-conductor aggregate and the third metal layer connected to the second via-conductor aggregate 5. A substrate according to any one of claims 1 to 4, wherein the fourth metal layer is not connected.
前記第1のビア導体集合体に接続される前記複数の金属層の少なくとも一部と、前記第1のビア導体集合体に隣接する前記第2のビア導体集合体に接続される前記複数の金属層の少なくとも一部とは、前記積層体の平面透視において重なっている、請求項1から5のいずれか1項に記載の基板。 comprising a plurality of the via-conductor assemblies, including a first via-conductor assembly and a second via-conductor assembly;
At least part of the plurality of metal layers connected to the first via-conductor assembly, and the plurality of metal layers connected to the second via-conductor assembly adjacent to the first via-conductor assembly 6. The substrate according to any one of claims 1 to 5, wherein at least a portion of the layer overlaps with the laminate when seen from above.
前記複数の金属層は、第3の金属層および第4の金属層を含んでおり、
前記絶縁層の積層方向における同一の位置にある前記複数の金属層において、前記第1のビア導体集合体に接続される前記第3の金属層と、前記第2のビア導体集合体に接続される前記第4の金属層とは、各々の金属層が接続されている前記第1のビア導体集合体または前記第2のビア導体集合体に対して同一の方向に位置している、請求項1から6のいずれか1項に記載の基板。 comprising a plurality of the via-conductor assemblies, including a first via-conductor assembly and a second via-conductor assembly;
the plurality of metal layers includes a third metal layer and a fourth metal layer;
In the plurality of metal layers located at the same position in the stacking direction of the insulating layers, the third metal layer connected to the first via-conductor aggregate and the third metal layer connected to the second via-conductor aggregate and said fourth metal layer is positioned in the same direction with respect to said first via-conductor assembly or said second via-conductor assembly to which each metal layer is connected. 7. The substrate according to any one of 1 to 6.
前記第1搭載部に搭載されたX線検出素子と、
前記第2搭載部に搭載された電子素子とを有する、検出装置。 A substrate according to any one of claims 1 to 8;
an X-ray detection element mounted on the first mounting portion;
and an electronic element mounted on the second mounting portion.
該モジュール基板にはんだを介して接続された請求項9に記載の検出装置とを有する、検出モジュール。 a module substrate;
A detection module according to claim 9 connected to said module substrate via solder.
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