JP2022145423A - ウエハエッジ部の改質装置及び改質方法 - Google Patents
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- 230000004048 modification Effects 0.000 title abstract description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 title abstract description 4
- 238000002715 modification method Methods 0.000 title description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 145
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000002407 reforming Methods 0.000 claims description 5
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 abstract description 9
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 abstract 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 101
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 49
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 26
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
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Landscapes
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
さらに、上記のレーザ熱処理を用いたウエハエッジ部の改質装置において、前記レーザ光を前記階層ごとの前記光学系で前記照射区間ごとに照射するよう照射位置を制御する姿勢制御手段を備えることが望ましい。
2…上面
3…下面
4…ノッチ部
5…レーザ光
6、7、21、24、52、55…ポリゴンミラー
8…集光レンズ
9、36、37、39、40、41、43…ミラー
10、51…レーザ光源
11、50…切替え手段
12…姿勢制御手段
22、27、28、54、61…回転ミラー
23、25、29、31、33、34、53、56、58、59、63…固定ミラー
26、30、32、35、57、60、62…偏向ミラー
38、42…ビームスプリッタ
70…制御部
71…偏向素子
T…端面
X1、X2…斜面
R1、R2…R部
f…垂直二等分線
Claims (9)
- レーザ熱処理を用いたウエハエッジ部の改質装置において、
レーザ光源からのレーザ光をノッチ部へ照射する光学系を有し、
前記光学系は、
前記レーザ光を複数回反射して折り返すように組み合わせられた凹面鏡となる円弧型であるミラーへ導くポリゴンミラーと、
断面形状が平凸型で平面視で円弧状に形成された3次元曲面体である集光レンズと、
を備え、前記レーザ光は前記ポリゴンミラーで反射して前記ミラーの前記組み合わせの一方側に入射し、他方側で反射して前記集光レンズへ至り、前記レーザ光を前記ノッチ部へ集光し、前記ポリゴンミラーが回転することで前記ノッチ部へ前記レーザ光を走査して照射することを特徴とするウエハエッジ部の改質装置。 - 前記ノッチ部の照射区間を(1)片R部、(2)直線部、(3)ボトムR部、前記(2)直線部と傾き方向が異なる(2')直線部、前記(1)片R部と対称の(1')片R部に分け、前記光学系は3次元的に複数の階層ごとに構成され、前記レーザ光は前記階層ごとの前記光学系で前記照射区間ごとに照射されることを特徴とする請求項1に記載のウエハエッジ部の改質装置。
- 前記レーザ光を前記階層ごとの前記光学系で前記照射区間ごとに照射するよう照射位置を制御する姿勢制御手段を備えることを特徴とする請求項2に記載のウエハエッジ部の改質装置。
- 前記照射区間である前記(2)直線部、前記(2')直線部は、前記ミラーと前記ポリゴンミラーとの回転中心間の距離を大きくしてレーザ走査軌道が直線近似されることを特徴とする請求項2又は3に記載のウエハエッジ部の改質装置。
- 前記ノッチ部の結晶方位に対応した累積照射エネルギを決定して前記レーザ光を前記照射することを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のウエハエッジ部の改質装置。
- 前記ノッチ部の曲率に対応してエネルギ密度、スキャンピッチ、照射回数の少なくともいずれか一つを変えて前記照射することを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載のウエハエッジ部の改質装置。
- 前記レーザ光は、ナノ秒パルスレーザの前記照射と共に、CW(連続)レーザ照射が併用されることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載のウエハエッジ部の改質装置。
- レーザ熱処理を用いたウエハエッジ部の改質方法であって、
レーザ光を複数回反射して折り返すように組み合わせられた凹面鏡となる円弧型であるミラーへ導くポリゴンミラーと、
断面形状が平凸型で平面視で円弧状に形成された3次元曲面体である集光レンズと、
を備えた光学系を用いて、前記レーザ光を前記ポリゴンミラーで反射して前記ミラーの前記組み合わせの一方側に入射し、他方側で反射して前記集光レンズでノッチ部へ集光し、前記ポリゴンミラーを回転させることで前記ノッチ部へ前記レーザ光を走査して照射することを特徴とするウエハエッジ部の改質方法。 - 前記ノッチ部の照射区間を(1)片R部、(2)直線部、(3)ボトムR部、前記(2)直線部と傾き方向が異なる(2')直線部、前記(1)片R部と対称の(1')片R部に分け、前記光学系は各前記照射区間に対応して複数の階層に立体配置され、前記レーザ光は前記階層ごとの前記光学系で前記照射区間ごとに照射することを特徴とする請求項8に記載のウエハエッジ部の改質方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021133140A JP7221345B2 (ja) | 2021-03-19 | 2021-08-18 | ウエハエッジ部の改質装置及び改質方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021045451A JP6932865B1 (ja) | 2021-03-19 | 2021-03-19 | ウエハエッジ部の改質装置及び改質方法 |
JP2021133140A JP7221345B2 (ja) | 2021-03-19 | 2021-08-18 | ウエハエッジ部の改質装置及び改質方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022145423A true JP2022145423A (ja) | 2022-10-04 |
JP7221345B2 JP7221345B2 (ja) | 2023-02-13 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2021133140A Active JP7221345B2 (ja) | 2021-03-19 | 2021-08-18 | ウエハエッジ部の改質装置及び改質方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP7221345B2 (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008100257A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Seiko Epson Corp | スクライブ装置、基板の分断方法及び、電気光学装置の製造方法 |
WO2009078324A1 (ja) * | 2007-12-19 | 2009-06-25 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | 脆性材料基板の面取り加工方法および面取り加工装置 |
WO2009157319A1 (ja) * | 2008-06-25 | 2009-12-30 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 面取り加工装置 |
JP2014016398A (ja) * | 2012-07-06 | 2014-01-30 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 光走査装置及びレーザ加工装置 |
JP2020003518A (ja) * | 2018-06-25 | 2020-01-09 | 川崎重工業株式会社 | 導光装置及びレーザ加工装置 |
JP2020131218A (ja) * | 2019-02-15 | 2020-08-31 | 株式会社東京精密 | シリコンウェハの研削後表面のレーザー照射修復装置及び修復方法 |
JP2020141088A (ja) * | 2019-03-01 | 2020-09-03 | 株式会社東京精密 | シリコンウェハの表面の研削修復装置及び研削修復方法 |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008100257A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Seiko Epson Corp | スクライブ装置、基板の分断方法及び、電気光学装置の製造方法 |
WO2009078324A1 (ja) * | 2007-12-19 | 2009-06-25 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | 脆性材料基板の面取り加工方法および面取り加工装置 |
WO2009157319A1 (ja) * | 2008-06-25 | 2009-12-30 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 面取り加工装置 |
JP2014016398A (ja) * | 2012-07-06 | 2014-01-30 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 光走査装置及びレーザ加工装置 |
JP2020003518A (ja) * | 2018-06-25 | 2020-01-09 | 川崎重工業株式会社 | 導光装置及びレーザ加工装置 |
JP2020131218A (ja) * | 2019-02-15 | 2020-08-31 | 株式会社東京精密 | シリコンウェハの研削後表面のレーザー照射修復装置及び修復方法 |
JP2020141088A (ja) * | 2019-03-01 | 2020-09-03 | 株式会社東京精密 | シリコンウェハの表面の研削修復装置及び研削修復方法 |
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