JP2022130036A - 露光装置、露光方法及び物品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】定盤の振動の影響を低減して高精度な露光を実現するのに有利な露光装置を提供する。【解決手段】原版を介して基板の露光を行う露光装置であって、前記基板を保持して移動するステージと、前記ステージが載置される定盤と、前記原版のパターンを前記基板に投影する投影光学系と、前記ステージに保持された前記基板の高さ方向の位置を計測する計測部と、制御部と、を有し、前記制御部は、前記ステージの移動によって振動する前記定盤の振動周期の整数倍に設定された計測期間において前記高さ方向の位置を前記計測部によって計測させ、前記計測部によって計測された前記基板の高さ方向の位置に基づいて、前記投影光学系と露光される前記基板を保持した前記ステージとの間の距離を制御することを特徴とする露光装置を提供する。【選択図】図５

Description

本発明は、露光装置、露光方法及び物品の製造方法に関する。

半導体素子などのデバイスを製造するフォトリソグラフィ工程では、一般的に、原版（マスク又はレチクル）を介して基板を露光することで、原版のパターンを基板に転写する露光装置が用いられている。このような露光装置として、一般的に、ステップ・アンド・リピート方式を採用した露光装置（ステッパ）と、ステップ・アンド・スキャン方式を採用した露光装置（スキャナ）とが知られている。

ステッパは、スキャナと比較して、低コストの装置であり、解像力や高精度な重ね合わせを必要としない工程で用いられている。ステッパでは、基板を保持した基板ステージを投影光学系の下（露光位置）に駆動した後、基板の高さ方向の位置（投影光学系からの距離）をフォーカスセンサで計測し、その計測値に従って基板ステージを駆動することで投影光学系に対して基板を合焦させている。このような基板の高さ方向の位置の計測に関する技術が従来から提案されている（特許文献１参照）。

特開平１１－８７２３３号公報

しかしながら、ステッパにおいて、フォーカスセンサの計測値には、計測対象である基板を保持する基板ステージの振動に起因する誤差が含まれてしまう。かかる誤差のうち、基板ステージの制御偏差は、計測値から除去することで補正することができるが、基板ステージが載置されている定盤の振動などの不可観測成分は、補正することができないため、デフォーカスにつながる。ステッパは、低コストの装置として実現する必要があるため、定盤の振動を計測するためのセンサを設けてリアルタイムに制御することは現実的ではない。

そこで、本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、定盤の振動の影響を低減して高精度な露光を実現するのに有利な露光装置を提供することを例示的目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、原版を介して基板の露光を行う露光装置であって、前記基板を保持して移動するステージと、前記ステージが載置される定盤と、前記原版のパターンを前記基板に投影する投影光学系と、前記ステージに保持された前記基板の高さ方向の位置を計測する計測部と、制御部と、を有し、前記制御部は、前記ステージの移動によって振動する前記定盤の振動周期の整数倍に設定された計測期間において前記高さ方向の位置を前記計測部によって計測させ、前記計測部によって計測された前記基板の高さ方向の位置に基づいて、前記投影光学系と露光される前記基板を保持した前記ステージとの間の距離を制御することを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、例えば、定盤の振動の影響を低減して高精度な露光を実現するのに有利な露光装置を提供することができる。

本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略図である。 図１に示す露光装置による露光処理を説明するためのフローチャートである。 基板の高さ位置の変動の一例を示す図である。 計測部の計測値に含まれる計測誤差量の一例を示す図である。 計測部の計測値に含まれる計測誤差量の一例を示す図である。 計測部の計測期間を設定する処理を説明するためのフローチャートである。 露光レイアウトの一例を示す図である。 基板の高さ位置の変動の一例を示す図である。 計測部の計測値に含まれる計測誤差量の一例を示す図である。

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。更に、添付図面においては、同一もしくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

図１は、本発明の一側面としての露光装置１の構成を示す概略図である。露光装置１は、半導体素子などのデバイスの製造工程に用いられ、原版を介して基板の露光を行うことで、基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置である。露光装置１は、本実施形態では、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置（ステッパ）である。ここで、ステップ・アンド・リピート方式とは、基板のショット領域の一括露光ごとに基板をステップ移動して次のショット領域を露光位置（露光領域）に移動させる露光方式である。

露光装置１は、照明光学系１０２と、投影光学系１０４と、基板Ｓを保持して移動するステージ１０５と、計測部１０６と、構造体１０７と、定盤間センサ１０８と、制御部１０９と、ステージ１０５が載置される定盤１１０とを有する。また、本明細書及び添付図面では、基板Ｓの表面に平行な方向をＸＹ平面とするＸＹＺ座標系で方向を示す。ＸＹＺ座標系におけるＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸のそれぞれに平行な方向をＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向とし、Ｘ軸周りの回転、Ｙ軸周りの回転及びＺ軸周りの回転のそれぞれをθＸ、θＹ及びθＺとする。

照明光学系１０２は、光源１０１からの光を導光して原版１０３を照明する。光源１０１は、例えば、ｉ線水銀ランプやエキシマレーザなどを含む。原版１０３には、基板Ｓに転写すべきパターンが描画されている。投影光学系１０４は、原版１０３のパターン（パターン像）を基板Ｓに投影する。

露光装置１において、原版１０３を通過した光は、投影光学系１０４を介して、ステージ１０５に保持された基板上で結像する。基板Ｓに投影されたパターン像は、基板Ｓに塗布されているレジストなどの感光性材料を反応させるため、かかる基板Ｓを現像することによって、基板上にパターンが形成される。また、上述したように、基板Ｓを保持するステージ１０５をステップ移動させて、基板Ｓのショット領域を順次露光する（即ち、ステップ移動と露光とを繰り返す）ことで、基板Ｓの全てのショット領域を露光することが可能である。

ステージ１０５の位置や姿勢は、干渉計やエンコーダなどを含む位置計測装置によって計測され、その計測値に基づいて、制御部１０９の制御下で高精度に管理されている。このように、ステージ１０５の位置や姿勢を管理することで、高精度な重ね合わせを実現することが可能となる。

計測部１０６は、ステージ１０５に保持された基板Ｓの高さ方向（Ｚ方向）の位置（以下、「基板Ｓの高さ位置」と称する）を計測する。基板Ｓを露光する際には、投影光学系１０４から投影されるパターン像の位置に対して、基板Ｓの高さ位置や傾きを合わせる、即ち、投影光学系１０４の結像面に対して基板Ｓを合焦させる必要がある。従って、計測部１０６で基板Ｓの高さ位置を計測し、その計測値に基づいて、投影光学系１０４の結像面に対して基板Ｓが合焦するように、制御部１０９の制御下で、基板Ｓを保持するステージ１０５の位置及び姿勢の少なくとも一方が制御される。

計測部１０６は、本実施形態では、光学的な検出を行うフォーカスセンサで構成されているが、これに限定されるものではなく、静電容量センサや圧力センサなどを用いた他の検出方式を採用してもよい。また、基板Ｓの高さに加えて、基板Ｓの傾きも得るために、基板上の露光領域には、計測部１０６によって高さ位置が計測される複数の計測点（計測箇所）が設けられる。

投影光学系１０４及び計測部１０６は、外乱振動の影響を受けないように、除振装置を介して浮上した構造体１０７に保持されている。定盤間センサ１０８は、例えば、変位センサを含み、構造体１０７と定盤１１０との間の距離を計測する。ここで、投影光学系１０４は、構造体１０７に対する位置が保証され、ステージ１０５は、定盤１１０に対する位置が保証されている。従って、定盤間センサ１０８で構造体１０７と定盤１１０との間の距離を計測することで、投影光学系１０４とステージ１０５との間の距離を得ることができる。

制御部１０９は、ＣＰＵやメモリなどを含むコンピュータで構成され、例えば、記憶部に記憶されたプログラムに従って露光装置１の各部を統括的に制御して露光装置１を動作させる。制御部１０９は、計測部１０６で得られた基板Ｓの高さや傾きに関する情報や定盤間センサ１０８で得られた投影光学系１０４とステージ１０５との間の距離（の変動）に関する情報に基づいて、ステージ１０５（の移動）を制御する。制御部１０９は、例えば、ステージ１０５をステップ移動させながら基板上のショット領域の露光を繰り返すことで基板Ｓの全域を露光する、所謂、ステップ・アンド・リピート方式で露光を行うように制御する。

図２を参照して、露光装置１の動作、具体的には、原版１０３を介して基板Ｓを露光して原版１０３のパターンを基板Ｓに転写する露光処理（露光方法）について説明する。かかる露光処理は、制御部１０９が露光装置１の各部を統括的に制御することで行われる。

Ｓ２０１では、露光装置１に基板Ｓを搬入する。具体的には、基板搬送部（不図示）を介して、露光装置１に基板Ｓを搬入して、かかる基板Ｓをステージ１０５で保持する。

Ｓ２０２では、基板Ｓを保持したステージ１０５を露光位置に移動させる。例えば、基板上のショット領域（これから露光するショット領域）が投影光学系１０４の下の露光位置に位置するように、基板Ｓを保持したステージ１０５を移動させる。

Ｓ２０３では、計測部１０６によって、投影光学系１０４の下の露光位置に位置するステージ１０５に保持された基板Ｓの高さ位置を計測する。

Ｓ２０４では、基板Ｓの高さ方向の位置合わせ（フォーカス合わせ）を行う。具体的には、Ｓ２０３で計測された基板Ｓの高さ位置に基づいて、投影光学系１０４の結像面に対して基板Ｓが合焦するように、基板Ｓを保持するステージ１０５の位置及び姿勢の少なくとも一方を制御する。換言すれば、ステージ１０５を移動させて、投影光学系１０４の結像面に対して基板Ｓが合焦するように、投影光学系１０４とステージ１０５との間の距離を制御する。

Ｓ２０５では、原版１０３を介して、Ｓ２０４でフォーカス合わせが行われた基板Ｓの露光を行う。

Ｓ２０６では、基板Ｓの全域に露光が行われたか、即ち、基板上の全てのショット領域に対して露光が行われたかを判定する。基板Ｓの全域に露光が行われていない場合には、基板上の未露光のショット領域の露光を行うために、Ｓ２０２に移行する。一方、基板Ｓの全域に露光が行われている場合には、露光処理を終了する。

ここで、このような露光処理に対して、露光装置１が設置される床面からの振動や基板Ｓを保持するステージ１０５の移動が与える影響について説明する。ステージ１０５は、上述したように、定盤１１０に載置されている。定盤１１０は、露光装置１が設置される床面からの振動やステージ１０５の移動の反力などの影響を受けて、主には、定盤１１０の固有値に基づいた周波数で振動する。従って、Ｓ２０３において、計測部１０６で得られる計測値（基板Ｓの高さ位置）には、定盤１１０を介して伝搬されたステージ１０５の振動に起因する誤差が含まれる。同様に、基板Ｓを露光している間（Ｓ２０５）においても、ステージ１０５の振動の影響を受ける。ステージ１０５は、フォーカス合わせが行われるように、制御部１０９によって制御されているが、定盤１１０の振動については不可観測であるため、その影響でデフォーカスが発生してしまう。

図３を参照して、定盤１１０の振動に起因するデフォーカスについて具体的に説明する。図３は、ステージ１０５を露光位置に移動させた後の基板Ｓの高さ位置の変動を示す図である。図３を参照するに、ステージ１０５の移動で発生する反力や床からの振動を受けて、基板Ｓの高さ位置（ステージ１０５）が、長期間にわたって、定盤１１０の固有振動数の周波数ｆで変動（振動）していることがわかる。Ｍｔは、計測部１０６が基板Ｓの高さ位置を計測している計測期間である。ステージ１０５を露光位置に移動させた後、定盤１１０からの振動に起因してステージ１０５に保持された基板Ｓの高さ位置が変動している状態で、計測部１０６は、基板Ｓの高さ位置を計測している。Ｅｔは、計測部１０６で計測された基板Ｓの高さ位置に基づいて基板Ｓのフォーカス合わせをした後、基板Ｓを露光している露光期間である。露光期間Ｅｔにおいても、計測期間Ｍｔと同様に、定盤１１０からの振動に起因してステージ１０５に保持された基板Ｓの高さ位置が変動している状態で、基板Ｓを露光している。

図４は、定盤１１０、即ち、基板Ｓの高さ位置が振幅Ａ、周波数ｆで振動している場合において、計測期間Ｍｔを、０．４×（１／ｆ）に設定したときの各計測開始タイミングに応じた計測誤差量を示す図である。なお、計測開始タイミングとは、計測部１０６が基板Ｓの高さ位置の計測を開始する計測期間Ｍｔの開始タイミングである。図４を参照するに、基板Ｓの高さ位置が振幅Ａで振動している場合に、その周波数ｆの逆数である振動周期（１／ｆ）と一致しない期間を計測期間Ｍｔとして設定すると、計測開始タイミングに応じて計測誤差量が変化する。従って、計測部１０６で基板Ｓの高さ位置を計測して得られる計測値には、図４に示すような計測誤差が含まれることになるため、基板Ｓのフォーカス合わせにおいてデフォーカスの要因となる。

そこで、本実施形態では、ステージ１０５を載置する定盤１１０の振動周期や周波数を予め取得し、計測期間Ｍｔを定盤１１０の振動周期や周波数に応じて設定することで、計測部１０６の計測値に含まれる計測誤差の影響を低減する。換言すれば、計測部１０６の計測値に含まれる計測誤差を平均化し（互いに打ち消し）、それに基づいて基板Ｓのフォーカス合わせを行うことで、不可観測である定盤１１０の振動の影響を低減する。

図５は、計測期間Ｍｔをｔ１（振動周期（１／ｆ）と不一致）、ｔ２（振動周期（１／ｆ）と不一致）及びｔ３（振動周期（１／ｆ）と一致）に設定したときの各計測開始タイミングに応じた計測誤差量を示す図である。図５を参照するに、計測期間Ｍｔを、定盤１１０の振動周期１／ｆの整数倍に設定することで、計測開始タイミングにかかわらず、計測誤差量が平均化されて小さくなる（ゼロになる）ことがわかる。従って、本実施形態では、計測期間Ｍｔを、定盤１１０の振動周期１／ｆの整数倍（ｔ３）に設定する。

また、基板Ｓの露光を行う際（Ｓ２０５）にも、露光期間Ｅｔを、定盤１１０の振動周期１／ｆの整数倍に設定することで、定盤１１０の振動に起因する基板Ｓの高さ位置の変動の影響も平均化（低減）され、更なる精度向上を実現することができる。この際、定盤１１０の振動周期１／ｆの整数倍に設定された露光期間Ｅｔに応じて、基板Ｓにおける露光量が目標露光量となるように、基板Ｓを露光する光の強度を制御するとよい。

次に、図６を参照して、定盤１１０の振動周期を取得して、計測部１０６が基板Ｓの高さ位置を計測している計測期間Ｍｔを設定する処理の一例について説明する。かかる処理は、例えば、図２に示す露光処理を行う本露光期間の前（基板Ｓの露光を行う前）の準備期間に行われる。定盤１１０は、大きな構造体であるため、その振動の周波数は、一般的に、１００Ｈｚ以下となる。一方、本実施形態において、計測部１０６として構成されるフォーカスセンサは、例えば、２ｋＨｚ以上の計測帯域を有しているため、定盤１１０で生じうる振動の最大周波数の２倍よりも十分に高速に計測を行うことができる。

Ｓ６０１では、Ｓ２０１と同様に、露光装置１に基板Ｓを搬入する。Ｓ６０２では、Ｓ２０２と同様に、基板Ｓを保持したステージ１０５を露光位置に移動させる。

Ｓ６０３では、定盤１１０の振動に起因する基板Ｓの高さ位置の変動を取得する。具体的には、基板Ｓが投影光学系１０４の下に位置するようにステージ１０５を移動させている間又はステージ１０５を移動させた後に、所定期間、計測部１０６によって、ステージ１０５に保持された基板Ｓの高さ位置を高速で連続的に計測する。これにより、露光装置１が設置される床面からの振動やステージ１０５の移動の反力などの影響を受けた定盤１１０の振動に起因する基板Ｓの高さ位置の変動を取得することができる。

Ｓ６０４では、Ｓ６０３で取得された基板Ｓの高さ位置の変動から、定盤１１０の振動周期１／ｆ（又は定盤１１０の振動の周波数ｆ）を求める。

Ｓ６０５では、計測部１０６が基板Ｓの高さ位置を計測している計測期間Ｍｔを、Ｓ６０４で求められた定盤１１０の振動周期の整数倍（（１／ｆ）×ｎ（ｎ＝１，２，３，・・・））に設定する。なお、スループットの観点では、計測期間Ｍｔを、定盤１１０の振動周期の１周期（１倍）に設定することが有利であることは明らかである。但し、計測部１０６として構成されるフォーカスセンサの応答特性などによっては、定盤１１０の振動周期よりも計測速度が遅い場合も考えられる。このような場合には、計測速度を満たし、且つ、計測期間Ｍｔが最短となるように、計測期間Ｍｔを定盤１１０の振動周期の整数倍に設定すればよい。

本実施形態では、計測部１０６を用いて定盤１１０の振動周期（振動の周波数（卓越周波数））を取得しているが、これに限定されるものではない。例えば、ステージ１０５や定盤間センサ１０８の振動周波数に基づいて、露光装置１の各部を接続する接続部を介して伝搬する振動から、定盤１１０の特有の卓越周波数成分を分離することで、定盤１１０の振動周期を求めてもよい。また、ステージ１０５の設計値及び定盤１１０の設計値に基づいて、定盤１１０の振動を推定することによって、定盤１１０の振動周期を求めてもよい。

また、本実施形態では、本露光期間の準備期間において、定盤１１０の振動周期を求める場合について説明したが、定盤１１０の振動周期を求めるタイミングは限定されるものではない。例えば、ロットに含まれる複数の基板のうちの先頭の基板を露光装置１に搬入した後、かかる先頭の基板を露光する前の期間（例えば、Ｓ２０２とＳ２０３との間の期間）に定盤１１０の振動周期を求めてもよい。この場合、先頭の基板を露光する前までの期間（例えば、Ｓ２０１及びＳ２０２の工程を行う期間）が準備期間とみなされ、先頭の基板を実際に露光するための期間（例えば、Ｓ２０３乃至Ｓ２０５の工程を行う期間）が本露光期間とみなされる。

また、計測部１０６の計測値から、予め求めた定盤１１０の振動周期が経時変化していると推定される場合には、その経時変化に応じて計測期間Ｍｔを調整するようにするとよい。

このように、本実施形態の露光装置１によれば、計測期間Ｍｔや露光期間Ｅｔを、定盤１１０の振動周期の整数倍に設定することで、定盤１１０の振動の影響を低減し、高精度な露光を実現することができる。

なお、定盤１１０の振動は、ステージ１０５の移動の反力が要因であるため、ステージ１０５を露光位置に移動させた後の定盤１１０の振動の周波数は、基板Ｓのショット領域のレイアウト（露光レイアウト）によって一意に求まる。図７に示すように、露光位置に位置するショット領域がショット領域Ｓａからショット領域Ｓｂとなるようにステージ１０５を移動させることを考える。図８は、露光位置に位置するショット領域がショット領域Ｓａからショット領域Ｓｂとなるようにステージ１０５を移動させた後の基板Ｓの高さ位置の変動を示す図である。露光位置に位置するショット領域をショット領域Ｓａからショット領域Ｓｂにするのに要するステージ１０５の移動時間Ｔ０は、ショット領域のサイズ（ステージ１０５の移動距離）及びステージ１０５の移動速度から、露光レイアウトによって決まった時間となる。定盤１１０の振動は、ステージ１０５の移動の反力によって加振されるため、定盤１１０の振動をショット領域ごとに求めることで、ステージ１０５を移動させた後の定盤１１０の振動位相も求めることができる。

上述したように、基板Ｓの高さ位置の変動、ステージ１０５の移動距離及び移動速度から定盤１１０の振動位相を求めることが可能である。定盤１１０の振動位相を求めることで、ステージ１０５が露光位置に移動してから基板Ｓの高さ位置の計測を開始するまでの時間Ｔ１を、定盤１１０の振動の振幅が最大又は最小となるタイミング（位相角９０度又は２７０度）に設定することができる。これにより、計測部１０６が基板Ｓの高さ位置を計測している計測期間Ｍｔを、定盤１１０の振動周期（１／ｆ）の１／２に設定することが可能となり、計測期間Ｍｔを短くすることができる。図９は、定盤１１０の振動（振幅Ａ、周波数ｆ）に対して、計測期間Ｍｔを、１／２ｆに設定したときの各計測開始タイミングに応じた計測誤差量を示す図である。図９において、９０１、９０２、９０３、９０４、９０５及び９０６は、定盤１１０の振動の振幅が最大又は最小となるタイミングを示している。計測部１０６が基板Ｓの高さ位置の計測を開始する計測期間Ｍｔの開始タイミングを、タイミング９０１、９０２、９０３、９０４、９０５又は９０６に設定することで、計測部１０６の計測値に含まれる計測誤差を平均化して小さくすることができる。

このように、計測期間Ｍｔを、定盤１１０の振動周期の１／２に設定し、且つ、計測期間Ｍｔの開始タイミングを、定盤１１０の振動振幅が最大又は最小となるタイミングに設定することも可能である。この場合、計測期間Ｍｔを短くしながらも、計測部１０６の計測値に含まれる計測誤差を平均化し、不可観測である定盤１１０の振動の影響を低減することができる。

本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、フラットパネルディスプレイ、液晶表示素子、半導体素子、ＭＥＭＳなどの物品を製造するのに好適である。かかる製造方法は、上述した露光装置１を用いて感光剤が塗布された基板を露光する工程と、露光された感光剤を現像する工程とを含む。また、現像された感光剤のパターンをマスクとして基板に対してエッチング工程やイオン注入工程などを行い、基板上に回路パターンが形成される。これらの露光、現像、エッチングなどの工程を繰り返して、基板上に複数の層からなる回路パターンを形成する。後工程で、回路パターンが形成された基板に対してダイシング（加工）を行い、チップのマウンティング、ボンディング、検査工程を行う。また、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、レジスト剥離など）を含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

１：露光装置 １０３：原版 １０４：投影光学系 １０５：ステージ １０６：計測部 １０９：制御部 １１０：定盤 Ｓ：基板

Claims (15)

1. 原版を介して基板の露光を行う露光装置であって、
   前記基板を保持して移動するステージと、
   前記ステージが載置される定盤と、
   前記原版のパターンを前記基板に投影する投影光学系と、
   前記ステージに保持された前記基板の高さ方向の位置を計測する計測部と、
   制御部と、を有し、
   前記制御部は、
   前記ステージの移動によって振動する前記定盤の振動周期の整数倍に設定された計測期間において前記高さ方向の位置を前記計測部によって計測させ、
   前記計測部によって計測された前記基板の高さ方向の位置に基づいて、前記投影光学系と露光される前記基板を保持した前記ステージとの間の距離を制御することを特徴とする露光装置。
2. 前記制御部は、前記基板の露光を行う前に、前記計測期間を前記定盤の振動周期の整数倍に設定することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
3. 前記制御部は、前記基板が前記投影光学系の下に位置するように前記ステージを移動させている間又は前記ステージを移動させた後に、所定期間、前記ステージに保持された前記基板の高さ方向の位置を前記計測部に計測させることで得られる、前記所定期間における前記基板の高さ方向の位置の変動から前記振動周期を求めることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
4. 前記制御部は、前記距離を制御した後に、前記定盤の振動周期の整数倍に設定された露光期間において前記基板を露光することを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の露光装置。
5. 前記制御部は、前記基板の露光を行う前に、前記露光期間を前記定盤の振動周期の整数倍に設定することを特徴とする請求項４に記載の露光装置。
6. 前記制御部は、前記定盤の振動周期の整数倍に設定された前記露光期間に応じて、前記基板における露光量が目標露光量となるように、前記基板を露光する光の強度を制御することを特徴とする請求項４又は５に記載の露光装置。
7. 前記制御部は、前記ステージの設計値及び前記定盤の設計値に基づいて、前記ステージの移動による前記定盤の振動を推定することによって、前記振動周期を求めることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
8. 原版を介して基板の露光を行う露光装置であって、
   前記基板を保持して移動するステージと、
   前記ステージが載置される定盤と、
   前記原版のパターンを前記基板に投影する投影光学系と、
   前記ステージに保持された前記基板の高さ方向の位置を計測する計測部と、
   制御部と、を有し、
   前記制御部は、
   前記ステージの移動によって振動する前記定盤の振動周期の１／２に設定された計測期間において、前記ステージの移動によって振動する前記定盤の振動振幅が最大又は最小となるタイミングから、前記基板の高さ方向の位置を前記計測部によって計測させ、
   前記計測部によって計測された前記基板の高さ方向の位置に基づいて、前記投影光学系と露光される前記基板を保持した前記ステージとの間の距離を制御することを特徴とする露光装置。
9. 前記制御部は、前記基板の露光を行う前に、前記計測期間を前記定盤の振動周期の整数倍に設定し、且つ、前記計測部が前記基板の高さ方向の位置の計測を開始するタイミングを前記定盤の振動振幅が最大又は最小となるタイミングに設定することを特徴とする請求項８に記載の露光装置。
10. 前記制御部は、前記基板が前記投影光学系の下に位置するように前記ステージを移動させている間又は前記ステージを移動させた後に、所定期間、前記ステージに保持された前記基板の高さ方向の位置を前記計測部に計測させることで得られる、前記所定期間における前記基板の高さ方向の位置の変動から前記振動周期を求めるとともに、前記変動、前記ステージの移動距離及び移動速度から前記定盤の振動位相を求めることを特徴とする請求項９に記載の露光装置。
11. 前記制御部は、前記定盤の振動位相に基づいて、前記計測部が前記基板の高さ方向の位置の計測を開始するタイミングを設定することを特徴とする請求項１０に記載の露光装置。
12. 前記露光装置は、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置であることを特徴とする請求項１乃至１１のうちいずれか１項に記載の露光装置。
13. 基板を保持して移動するステージと、前記ステージが載置される定盤と、原版のパターンを前記基板に投影する投影光学系と、前記ステージに保持された前記基板の高さ方向の位置を計測する計測部とを有する露光装置を用いて前記基板の露光を行う露光方法であって、
    前記ステージの移動によって振動する前記定盤の振動周期の整数倍に設定された計測期間において前記高さ方向の位置を前記計測部によって計測させ、
    前記計測部によって計測された前記基板の高さ方向の位置に基づいて、前記投影光学系と露光される前記基板を保持した前記ステージとの間の距離を制御することを特徴とする露光方法。
14. 基板を保持して移動するステージと、前記ステージが載置される定盤と、原版のパターンを前記基板に投影する投影光学系と、前記ステージに保持された前記基板の高さ方向の位置を計測する計測部とを有する露光装置を用いて前記基板の露光を行う露光方法であって、
    前記ステージの移動によって振動する前記定盤の振動周期の１／２に設定された計測期間において、前記ステージの移動によって振動する前記定盤の振動振幅が最大又は最小となるタイミングから、前記基板の高さ方向の位置を前記計測部によって計測させ、
    前記計測部によって計測された前記基板の高さ方向の位置に基づいて、前記投影光学系と露光される前記基板を保持した前記ステージとの間の距離を制御することを特徴とする露光方法。
15. 請求項１乃至１２のうちいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
    露光した前記基板を現像する工程と、
    現像された前記基板から物品を製造する工程と、
    を有することを特徴とする物品の製造方法。

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