JP2022124365A - 信号発生装置とその減衰量補正方法 - Google Patents

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Abstract

Figure 2022124365000001
【課題】温度により特性が変化する機器を備えていても、短時間で出力信号を補正することができる信号発生装置を提供すること。
【解決手段】試験用信号を生成する信号生成部10と、信号生成部10によって生成された信号を減衰させる、温度によって特性が変化する可変減衰器11と、可変減衰器11で減衰された信号のレベルを検出するレベル検出部12と、可変減衰器11の周辺の温度を検出する温度検出部14と、可変減衰器11の周辺の温度に基づいて可変減衰器11の特性を求め、可変減衰器11の減衰量を制御する制御パラメータを所定値としたときのレベル検出部12の検出した信号レベルから可変減衰器11の減衰量を求め、求めた減衰量と所定値とから可変減衰器11の特性を補正する制御部16と、を備える。
【選択図】図1

Description

本発明は、所望の周波数帯の変調波を生成する信号発生装置に関する。
所望の周波数帯の変調波を生成する信号発生装置として、例えば、任意信号発生器で生成された中間周波数信号をミキサなどで周波数変換し、所望の周波数帯の変調波を生成する信号発生装置が知られている。
このような信号発生装置は、例えば、移動体通信端末の試験を行なう移動端末試験装置などに組み込まれ、試験用の信号を生成して、出力するようになっている。
特許文献1には、送信スロット数と減衰量設定値と端子電圧制御値の関係を格納する記憶装置と、送信スロット数に基づいて選定された減衰量設定値に基づいて減衰量を制御する減衰器と、送信スロット数に基づいて選定された端子電圧制御値に基づいて送信信号の送信電力を制御する増幅器とを備え、増幅器の周辺の温度を用いて減衰量設定値と端子電圧制御値を重み付けすることが記載されている。
このように、減衰器や増幅器などの半導体部品を用いている機器では、温度によってその特性が変化するものがある。
特開2006-80992号公報
このような、温度によりその特性が変化するような機器では、機器周辺の温度を計測し、その温度に基づいて特性を選択するが、選択した特性に一致しない場合もあり、特性を特定する調整に時間がかかっていた。特に非直線の特性を有する機器では、調整に時間を要していた。
そこで、本発明は、温度により特性が変化する機器を備えていても、短時間で出力信号を補正することができる信号発生装置を提供することを目的としている。
本発明の信号発生装置は、試験用信号を生成する信号生成部と、前記信号生成部によって生成された信号を減衰させる、温度によって特性が変化する可変減衰器と、前記可変減衰器で減衰された信号のレベルを検出するレベル検出部と、前記可変減衰器の周辺の温度を検出する温度検出部と、前記可変減衰器の周辺の温度に基づいて前記可変減衰器の特性を求め、前記可変減衰器の減衰量を制御する制御パラメータを所定値としたときの前記レベル検出部の検出した信号レベルから前記可変減衰器の減衰量を求め、求めた減衰量と前記所定値とから前記可変減衰器の特性を補正する制御部と、を備えるものである。
この構成により、可変減衰器の周辺の温度に対応する特性が、制御パラメータを所定値としたときのレベル検出部の検出した信号レベルにより補正される。このため、温度により特性が変化する機器を備えていても、短時間で出力信号を補正することができる。
また、本発明の信号発生装置において、前記制御部は、補正した前記可変減衰器の特性に基づいて、所定量ごとの減衰量に対応する前記制御パラメータの値を求める調整を行なうものである。
この構成により、補正した可変減衰器の特性に基づいて、所定量ごとの減衰量に対応する制御パラメータの値が求められる。このため、非直線の特性を有する可変減衰器であっても、短時間で出力信号を補正することができる。
また、本発明の減衰量補正方法は、試験用信号を生成する信号生成部と、前記信号生成部によって生成された信号を減衰させる、温度によって特性が変化する可変減衰器と、前記可変減衰器で減衰された信号のレベルを検出するレベル検出部と、前記可変減衰器の周辺の温度を検出する温度検出部と、を備える信号発生装置の減衰量補正方法であって、前記可変減衰器の周辺の温度に基づいて前記可変減衰器の特性を求めるステップと、前記可変減衰器の減衰量を制御する制御パラメータを所定値としたときの前記レベル検出部の検出した信号レベルから前記可変減衰器の減衰量を求めるステップと、求めた減衰量と前記所定値とから前記可変減衰器の特性を補正するステップと、を備えるものである。
この構成により、可変減衰器の周辺の温度に対応する特性が、制御パラメータを所定値としたときのレベル検出部の検出した信号レベルにより補正される。このため、温度により特性が変化する機器を備えていても、短時間で出力信号を補正することができる。
本発明は、温度により特性が変化する機器を備えていても、短時間で出力信号を補正することができる信号発生装置を提供することができる。
図1は、本発明の一実施形態に係る信号発生装置のブロック図である。 図2は、本発明の一実施形態に係る信号発生装置の可変減衰器の特性の例を示すグラフである。 図3は、本発明の一実施形態に係る信号発生装置の減衰量補正処理の手順を説明するフローチャートである。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態に係る信号発生装置について詳細に説明する。
図1において、本発明の一実施形態に係る信号発生装置1は、試験用信号を生成する信号生成部10と、信号生成部10によって生成された試験用信号を減衰させる可変減衰器11と、可変減衰器11によって減衰された試験用信号のレベルを検出するレベル検出部12と、可変減衰器11によって減衰された試験用信号を出力する出力ポート13と、可変減衰器11の周辺の温度を検出する温度検出部14と、ユーザの操作を受け付けたりユーザに情報を提供したりするユーザインターフェース部15と、装置各部を制御して信号発生装置1としての処理を実行させる制御部16とを含んで構成される。
信号生成部10は、制御部16によって設定された強度及び周波数の試験用信号を生成するシグナルジェネレータによって構成される。可変減衰器11は、例えば、電圧制御タイプの可変減衰器によって構成される。可変減衰器11は、デジタル制御タイプの可変減衰器でもよい。
レベル検出部12は、可変減衰器11によって減衰された試験用信号のレベルを検出し、制御部16に出力する。温度検出部14は、可変減衰器11の周辺の温度を検出し、制御部16に出力する。
ユーザインターフェース部15は、ユーザからの操作入力を受け付ける入力部と、生成する試験用信号のパラメータの設定画面や各種メッセージなどを表示する表示部とを備えている。入力部は、タッチパッドやキーボードやプッシュボタンやロータリーノブなどによって構成される。表示部は、液晶表示装置などによって構成される。
制御部16は、図示しないCPU(Central Processing Unit)と、RAM(Random Access Memory)と、ROM(Read Only Memory)と、ハードディスク装置と、入出力ポートとを備えたコンピュータユニットによって構成されている。
このコンピュータユニットのROM及びハードディスク装置には、各種制御定数や各種マップ等とともに、当該コンピュータユニットを制御部16として機能させるためのプログラムが記憶されている。すなわち、CPUがROM及びハードディスク装置に記憶されたプログラムを実行することにより、当該コンピュータユニットは、制御部16として機能する。なお、ハードディスク装置は、フラッシュメモリによるCF(Compact Flash)カード等であっても良い。
制御部16の入出力ポートには、信号生成部10、可変減衰器11、レベル検出部12、温度検出部14、ユーザインターフェース部15が接続され、制御部16と各部は信号の送受信をできるようになっている。
本実施形態において、可変減衰器11は、図2に示すように、非直線の特性を有している。また、可変減衰器11は、減衰させる信号の周波数により異なる特性を有している。図では、減衰させる信号の周波数が1.0GHz、5.0GHz、7.0GHzの場合を示している。
また、可変減衰器11は、可変減衰器11の温度により特性が変化する。制御部16のハードディスク装置には、例えば、可変減衰器11の所定の温度ごとの特性が記憶されている。制御部16は、温度検出部14により検出した可変減衰器11の周辺の温度に基づき、可変減衰器11の「基本となる特性」を求める。
制御部16は、求めた「基本となる特性」に基づき、所定の減衰量、例えば10dBになるような、可変減衰器11の制御パラメータである制御電圧を求め、その制御電圧で可変減衰器11の減衰量を設定する。
制御部16は、信号生成部10により所定のレベルの信号を生成させ、レベル検出部12により検出された信号レベルから、可変減衰器11による減衰量を検出する。
制御部16は、検出した減衰量と制御電圧の関係から、「基本となる特性」を補正する。制御部16は、例えば、検出した減衰量での制御電圧の値が、設定した電圧値となるように、電圧値の値を補正する。制御部16は、例えば、検出した減衰量での制御電圧の値が、設定した電圧値となるように電圧値全体を移動させる補正を行なう。
制御部16は、「補正した特性」に基づいて、減衰量の25dB分を1dBステップで制御電圧を確認する。このとき、例えば、図2に示すような特性の場合、減衰量が25dBに満たなかった場合は、制御電圧をゼロ[V]に丸める。また、減衰量がゼロdBにならなかった場合は、制御電圧を2.5[V]に丸める。
以上のように構成された本実施形態に係る信号発生装置による減衰量補正処理について、図3を参照して説明する。なお、以下に説明する減衰量補正処理は、ユーザインターフェース部15への操作により出力レベル補正機能が選択されると実行される。
ステップS1において、制御部16は、温度検出部14により可変減衰器11周辺の温度を検出し、この温度に対応する可変減衰器11の特性のマップを「基本となる特性」のマップとする。ステップS1の処理を実行した後、制御部16は、ステップS2の処理を実行する。
ステップS2において、制御部16は、可変減衰器11の制御電圧を所定電圧とし、信号生成部10により所定のレベルの信号を生成させ、レベル検出部12により出力信号のレベルを検出する。ステップS2の処理を実行した後、制御部16は、ステップS3の処理を実行する。
ステップS3において、制御部16は、検出した出力信号のレベルから可変減衰器11の減衰量を求める。ステップS3の処理を実行した後、制御部16は、ステップS4の処理を実行する。
ステップS4において、制御部16は、求めた減衰量と制御電圧として設定された所定電圧から、「基本となる特性」のマップを補正する。ステップS4の処理を実行した後、制御部16は、ステップS5の処理を実行する。
ステップS5において、制御部16は、補正したマップに基づいて、制御電圧を変えて、例えば、減衰量の1dBごとに対応する制御電圧を求めるなどの微調整を行なう。ステップS5の処理を実行した後、制御部16は、減衰量補正処理を終了する。
このように、上述の実施形態では、制御部16は、可変減衰器11の周辺の温度に対応する特性を求め、可変減衰器11の制御電圧を所定電圧としたときのレベル検出部12の検出した信号レベルから可変減衰器11の減衰量を求め、この減衰量と所定電圧とから可変減衰器11の特性を補正する。
これにより、可変減衰器11の周辺の温度に対応する特性が、制御電圧を所定電圧としたときのレベル検出部12の検出した信号レベルにより補正される。このため、温度により特性が変化する機器を備えていても、短時間で出力信号を補正することができる。
また、制御部16は、補正した特性に基づいて、所定量ごとの減衰量に対応する制御電圧を求める調整を行なう。
これにより、補正した特性に基づいて、所定量ごとの減衰量に対応する制御電圧が求められる。このため、非直線の特性を有する可変減衰器11であっても、短時間で出力信号を補正することができる。
本発明の実施形態を開示したが、当業者によっては本発明の範囲を逸脱することなく変更が加えられうることは明白である。すべてのこのような修正及び等価物が次の請求項に含まれることが意図されている。
1 信号発生装置
10 信号生成部
11 可変減衰器
12 レベル検出部
14 温度検出部
16 制御部

Claims (3)

  1. 試験用信号を生成する信号生成部(10)と、
    前記信号生成部によって生成された信号を減衰させる、温度によって特性が変化する可変減衰器(11)と、
    前記可変減衰器で減衰された信号のレベルを検出するレベル検出部(12)と、
    前記可変減衰器の周辺の温度を検出する温度検出部(14)と、
    前記可変減衰器の周辺の温度に基づいて前記可変減衰器の特性を求め、前記可変減衰器の減衰量を制御する制御パラメータを所定値としたときの前記レベル検出部の検出した信号レベルから前記可変減衰器の減衰量を求め、求めた減衰量と前記所定値とから前記可変減衰器の特性を補正する制御部(16)と、を備える信号発生装置。
  2. 前記制御部は、補正した前記可変減衰器の特性に基づいて、所定量ごとの減衰量に対応する前記制御パラメータの値を求める調整を行なう請求項1に記載の信号発生装置。
  3. 試験用信号を生成する信号生成部(10)と、前記信号生成部によって生成された信号を減衰させる、温度によって特性が変化する可変減衰器(11)と、前記可変減衰器で減衰された信号のレベルを検出するレベル検出部(12)と、前記可変減衰器の周辺の温度を検出する温度検出部(14)と、を備える信号発生装置の減衰量補正方法であって、
    前記可変減衰器の周辺の温度に基づいて前記可変減衰器の特性を求めるステップと、
    前記可変減衰器の減衰量を制御する制御パラメータを所定値としたときの前記レベル検出部の検出した信号レベルから前記可変減衰器の減衰量を求めるステップと、
    求めた減衰量と前記所定値とから前記可変減衰器の特性を補正するステップと、を備える減衰量補正方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6144265A (en) * 1997-11-26 2000-11-07 Honeywell Inc. Calibrated high power radio frequency step attenuator
CN103222210A (zh) * 2012-12-10 2013-07-24 华为技术有限公司 一种多径衰落模拟方法和多径衰落模拟装置

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