JP2022122413A - オンアクシス炭化珪素単結晶成長法 - Google Patents
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Abstract
Description
前記選択された炭化珪素原料のアルミニウム濃度は、1E16cm-3以下であることが好ましい。
2 断熱材
3 黒鉛坩堝
4 種結晶
5 選択された炭化珪素原料
6 二次元核種
7 ガス源
Claims (10)
- オンアクシス炭化珪素単結晶成長法であって、
(A)炭化珪素原料の選択を行い、大きさが1cmより大きなものを残し、選択された炭化珪素原料として用いるステップと、
(B)前記選択された炭化珪素原料を黒鉛坩堝の底部に充填するステップと、
(C)オンアクシス炭化珪素を前記黒鉛坩堝の頂部に設置し、種結晶として用いるステップと、
(D)前記選択された炭化珪素原料及び前記種結晶が収容された前記黒鉛坩堝を、物理的輸送法に用いる誘導炉中に設置するステップと、
(E)炭化珪素結晶成長工程を行うステップと、
(F)炭化珪素単結晶を得るステップと、を含むことを特徴とするオンアクシス炭化珪素単結晶成長法。 - 前記選択された炭化珪素原料の形状は、三角以上の多角形板状、円形、リング状、柱状又は錐状であることを特徴とする請求項1に記載のオンアクシス炭化珪素単結晶成長法。
- 前記選択された炭化珪素原料の任意の次元的大きさは、1cmより大きいことを特徴とする請求項1に記載のオンアクシス炭化珪素単結晶成長法。
- 前記選択された炭化珪素原料の密度は、3g/cm3以上であることを特徴とする請求項1に記載のオンアクシス炭化珪素単結晶成長法。
- 前記選択された炭化珪素原料の純度は、99.99%以上であることを特徴とする請求項1に記載のオンアクシス炭化珪素単結晶成長法。
- 前記選択された炭化珪素原料の窒素濃度は、1E16cm-3以下であることを特徴とする請求項1に記載のオンアクシス炭化珪素単結晶成長法。
- 前記選択された炭化珪素原料のホウ素濃度は、1E16cm-3以下であることを特徴とする請求項1に記載のオンアクシス炭化珪素単結晶成長法。
- 前記選択された炭化珪素原料の燐濃度は、1E16cm-3以下であることを特徴とする請求項1に記載のオンアクシス炭化珪素単結晶成長法。
- 前記選択された炭化珪素原料のアルミニウム濃度は、1E16cm-3以下であることを特徴とする請求項1に記載のオンアクシス炭化珪素単結晶成長法。
- 前記選択された炭化珪素原料の任意の次元的大きさは、1.5~2cmであることを特徴とする請求項1に記載のオンアクシス炭化珪素単結晶成長法。
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