JP2022119445A - 配線基板、電子部品、および配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電子素子を安定して接続できる配線基板を提供する。【解決手段】配線基板は、基準面に沿って形成されている下層配線層と、複数の端子部を有し、下層配線層よりも基準面から上方に離れた位置に形成されている上層配線層と、上層配線層と下層配線層との間の少なくとも一部を電気的に絶縁する層間絶縁膜と、複数の端子部の少なくとも１つと基準面との間に配置され、少なくとも１つの端子部と電気的に接続されていない支持層と、を備え、基準面から複数の端子部の上面までのそれぞれの距離が略等しい。【選択図】図１

Description

本発明は、配線基板、電子部品、および配線基板の製造方法に関する。

保持基板上に複数層に渡って配線層を形成した配線基板が提案されている。また、配線基板において、電子素子と電気的に接続される電極以外に、その電極と概ね同じ高さのダミー電極を設けることで、電子素子の安定性を向上させた配線基板も提案されている（特許文献１参照）。

特開２００５－３２８０９９号公報

配線基板においては、半導体チップ等の電子素子と接続される複数の端子部の支持基板からの高さに差がない事が望ましい。しかしながら、多層配線を備える配線基板においては、最上層の配線層に形成されている複数の端子部のそれぞれと支持基板との間に下層配線層が形成されているか否かにより、複数の端子部の基板からの高さが異なり、電子素子の接続時に傾きが生じるという課題がある。

特許文献１の配線基板は、電子素子である半導体チップと接合される配線基板の表面の一部にダミー電極を設けるものである。従って、多層配線を有する配線基板に特許文献１に記載されているダミー電極を用いても、保持基板から最上層の配線層の中の複数の端子部までの高さを均一にすることはできない。

第１の態様によると、配線基板は、基準面に沿って形成されている下層配線層と、複数の端子部を有し、前記下層配線層よりも前記基準面から上方に離れた位置に形成されている上層配線層と、前記上層配線層と前記下層配線層との間の少なくとも一部を電気的に絶縁する層間絶縁膜と、複数の前記端子部の少なくとも１つと前記基準面との間に配置され、前記少なくとも１つの端子部と電気的に接続されていない支持層と、を備え、前記基準面から複数の前記端子部の上面までのそれぞれの距離が略等しい。
第２の態様によると、電子部品は、第１の態様の配線基板と、前記配線基板の前記端子部に電気的に接続された電子素子と、を備える。
第３の態様によると、配線基板の製造方法は、支持基板を用意すること、前記支持基板上の第１領域に下層配線層を形成すること、前記支持基板上の第２領域に支持層を形成すること、前記下層配線層の上部および前記支持層の上部に、上層配線層を形成すること、を備え、前記支持層は直上の前記上層配線層とは電気的に接続されないとともに、前記支持層の厚さを、前記支持基板から前記下層配線層の上部における前記上層配線層の上面まで距離と、前記支持基板から前記支持層の上部における前記上層配線層の上面まで距離とが略等しくなるように設定する。

本発明によれば、多層配線を有し、支持基板から複数の端子部までのそれぞれの距離が略等しい配線基板を実現することができる。

第１実施形態の配線基板の製造方法を説明する図。 第１実施形態の配線基板の製造方法を説明する図であり、図１に続く工程を示す図。 第１実施形態の配線基板の製造方法を説明する図であり、図２に続く工程を示す図。 図４（ａ）および図４（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を説明する図であり、図３に続く工程を示す図。図４（ｃ）は、変形例の配線基板の製造方法を説明する図。 下層配線が多層配線により形成されている配線基板の断面図。 図６（ａ）および図６（ｂ）は、第３実施形態の電子部品の製造方法を説明する図であり、図６（ｃ）は、変形例の電子部品を表す図。

（第１実施形態の配線基板の製造方法）
以下、図１から図４を参照して、第１実施形態の配線基板１の製造方法を説明する。図１（ａ）から図４（ｂ）までの各図、ならびに後述する図６（ａ）および図６（ｂ）に矢印で示したＸ方向、Ｙ方向、およびＺ方向は、それぞれ同一の方向を示し、その矢印の指し示す方向を＋方向とする。また、Ｘ方向、Ｙ方向、およびＺ方向は、相互に直交する方向である。以下では、＋Ｚ方向を「上方」とも呼ぶ。

（支持基板の用意）
図１に示した支持基板１０を用意する。図１（ａ）は、支持基板１０を、そのおもて面１０ａに対して垂直上方（＋Ｚ方向）から見た上面図であり、図１（ｂ）は、支持基板１０の図１（ａ）に示したＡＡ線における断面図である。支持基板１０は、例えばエポキシ樹脂またはフェノール樹脂等の樹脂、あるいはガラスを含むリジッド基板であっても良く、フレキシブル基板であっても良い。支持基板１０のＺ方向の厚さは、例えば、０．１ｍｍ程度から３ｍｍ程度である。

（下層配線層の形成）
図１に示したとおり、支持基板１０のおもて面１０ａの第１領域１１に下層配線層１３を形成する。下層配線層１３を形成する領域は、第１領域１１と一致しているので、上面図である図１（ａ）では、下層配線層１３と第１領域１１とが一致するように図示している。
下層配線層１３の－Ｚ側の面である下面は、支持基板１０のおもて面１０ａと一致して形成される。本明細書では、下層配線層１３の下面を含む平面のことを「基準面」１３ａと呼ぶ。

下層配線層１３は、例えば、金属ペースト材料をスクリーン印刷等の印刷により、あるいはインクジェットプリンターまたはディスペンサーにより第１領域１１に形成し、形成した金属ペースト材料を焼結することにより形成する。あるいは、支持基板１０のおもて面１０ａのほぼ全面にめっき等により金属膜を形成し、エッチングにより第１領域１１以外の金属膜を除去することにより形成しても良い。

下層配線層１３は電解めっきにより形成しても良い。この場合、始めに支持基板１０のおもて面１０ａのほぼ全面にめっきやスパッタリング等によりシード層を形成した後、シード層の上にレジストを塗布する。そしてレジストをパターニングして、シード層の一部を露出させ、露出したシード層を電極として、シード層の上に下層配線層１３を電解めっきにより形成する。その後、レジストを除去し、下層配線層１３に覆われていないシード層をエッチングにより除去する。シード層のうち、下層配線層１３に覆われている部分は、そのまま下層配線層１３の一部となる。なお、後述するように、後の工程で支持基板１０を下層配線層１３から除去する場合には、上述した電解めっき用の電極としたシード層を、下層配線層１３から除去しても良い。

（支持層の形成）
図２（ａ）および図２（ｂ）に示したように、第１領域１１に下層配線層１３を形成した支持基板１０のおもて面１０ａの、第１領域１１とは異なる第２領域１２に支持層１４を形成する。図２（ａ）は、支持基板１０を＋Ｚ方向から見た上面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示したＡＡ線における断面図である。支持層１４を形成する領域は、第２領域１２と一致しているので、上面図である図２（ａ）では、支持層１４と第２領域１２とが一致するように図示している。

支持層１４は、例えばエポキシ樹脂等で形成する。支持層１４についても、一例として、スクリーン印刷等の印刷により、あるいはインクジェットプリンターまたはディスペンサーにより、第２領域１２に形成する。一例として、支持層１４のＺ方向の厚さｈ２は、下層配線層１３のＺ方向の厚さｈ１と概ね等しく設定する。

（層間絶縁膜の形成）
図３（ａ）に示したように、支持基板１０のおもて面１０ａに、下層配線層１３の少なくとも一部および支持層１４を覆う層間絶縁膜１５を形成する。層間絶縁膜１５は、例えばエポキシ樹脂等で形成する。層間絶縁膜１５は、例えばスピンコートまたはスプレイコート等の塗布により、あるいは樹脂等のフィルムを支持基板１０のおもて面１０ａにラミネートすることにより形成する。なお、下層配線層１３の一部を層間絶縁膜１５で覆わずに露出させることで、完成後の配線基板１の外部との電気的な接点として用いることができる。

（ＶＩＡプラグの形成）
図３（ｂ）に示したように、下層配線層１３の上方（＋Ｚ方向）に位置する層間絶縁膜１５の一部に、開口部１５ｈを形成する。開口部１５ｈは、例えばレーザーアブレーションにより、またはリソグラフィーにより形成する。これにより、下層配線層１３の上面（＋Ｚ側面）が開口部１５ｈを介して露出する。
そして、図３（ｃ）に示したように、めっきによる製法やペーストの塗付により開口部１５ｈ内に金属等の導電材料を埋め込み、ＶＩＡプラグ１６を形成する。ＶＩＡプラグ１６は、例えば下層配線層１３を電極とする電解めっきにより形成する。
なお、開口部１５ｈを設ける箇所にレジストを形成しておき、層間絶縁膜１５を形成した後にレジストを除去することにより、開口部１５ｈを形成しても良い。

（上層配線層の形成）
図４（ａ）および図４（ｂ）に示したように、層間絶縁膜１５およびＶＩＡプラグ１６上の一部に上層配線層１７ａ、１７ｂを形成する。図４（ａ）は、支持基板１０を＋Ｚ方向から見た上面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示したＡＡ線における断面図である。なお、図４（ａ）では、上層配線層１７ａ、１７ｂの、下層配線層１３および支持層１４との位置関係を示すために、層間絶縁膜１５の表示を省略している。また、図４（ａ）では、上方から見ると上層配線層１７ｂにより遮蔽されて見えない支持層１４を破線で示している。

図４（ｂ）に示したように、上層配線層１７ａは下層配線層１３の上方に形成され、ＶＩＡプラグ１６を介して下層配線層１３と電気的に接続されている。一方の上層配線層１７ｂは支持層１４の上方に形成され、層間絶縁膜１５により下層配線層１３とは電気的に絶縁されている。

以上の工程により、第１実施形態の配線基板１が完成する。
端子部１８ａ、１８ｂは、上層配線層１７ａ、１７ｂの上面に後述する電子素子１９を取り付ける際に、電子素子１９の端子２０ａ、２０ｂがそれぞれ電気的に接続される領域であり、図４（ａ）において実線で示す部分である。端子部１８ａ、１８ｂは、上層配線層１７ａ、１７ｂの上面の少なくとも一部に相当し、下層配線層１３または支持層１４の上方に位置する。なお、端子部１８ａ、１８ｂの数は、図４（ａ）および図４（ｂ）に示した４箇所に限られるわけではなく、より多くの端子部を有していても良い。

後述する電子素子１９の傾きを抑えて取り付けるためには、端子部１８ａ、１８ｂのそれぞれの高さ、すなわち支持基板１０のおもて面１０ａから端子部１８ａまでの距離ｈ３と、おもて面１０ａから端子部１８ｂまでの距離ｈ４との差が小さいほど好ましく、±５μｍの範囲内であることが望ましい。このために、形成する支持層１４の厚さｈ２（図２（ｂ）参照）を、おもて面１０ａから端子部１８ａの距離ｈ３と、おもて面１０ａから端子部１８ｂの距離ｈ４とが略等しくなるような厚さに設定する。

一例として、形成する支持層１４の厚さを、支持基板１０のおもて面１０ａから複数の端子部１８ａ、１８ｂまでのそれぞれの距離（ｈ３、ｈ４）の差が、上層配線層１７ａ、１７ｂの厚さの１／４以下にするように設定しても良い。

以上の説明では、図４（ａ）に示したように、下層配線層１３と上層配線層１７ａ、１７ｂとは、支持基板１０のおもて面１０ａ内で重なり合わないものとして説明したが、下層配線層１３と上層配線層１７ａ、１７ｂとの少なくとも一部は、支持基板１０のおもて面１０ａ内で重なり合っていても良い。この場合であっても、層間絶縁膜１５により、下層配線層１３と上層配線層１７ａ、１７ｂとの絶縁性が確保される。

なお、支持層１４を上述したように樹脂等の絶縁部材により形成する場合には、上層配線層１７ｂと支持層１４の間には、層間絶縁膜１５を設けなくても良い。この場合には、支持層１４の厚さを、下層配線層１３と層間絶縁膜１５との厚さの合計と等しくなるように設定すると良い。

以上の説明では、支持層１４は樹脂等の絶縁部材により形成するものとしたが、支持層１４を導電部材で形成しても良い。この場合には、導電部材である支持層１４と下層配線層１３または上層配線層１７ｂとの間に層間絶縁膜１５等の絶縁部材を設け、支持層１４と下層配線層１３または上層配線層１７ｂとを直接接触させないようにすると良い。

支持層１４と下層配線層１３とを、同一の工程で、一度に形成しても良い。この場合、支持層１４のみを形成する工程を省略することができる。また、この場合、支持層１４は、下層配線層１３を構成する金属層の一部であるということができる。
一方、支持層１４を絶縁部材で形成する場合には、支持層１４は、下層配線層１３の一部に代えて配置されているということができる。

支持層１４を導電部材で形成する場合、絶縁部材で形成する場合のいずれにおいても、支持層１４は直上の上層配線層１７ｂとは電気的に接続されない。ここで、電気的に接続されないとは、支持層１４と上層配線層１７ｂとの間に層間絶縁膜１５が形成されていること、または支持層１４自体が絶縁材料で形成されていることの、少なくとも一方であることを言う。

以上の説明で述べたとおり、下層配線層１３または上層配線層１７ａ、１７ｂの少なくとも一方を、形成した金属ペースト材料を焼結することにより形成しても良い。この場合、おもて面１０ａのほぼ全面に導電膜を形成して、導電膜を部分的にエッチングすることで配線層を形成する方法に比べ、金属材料の使用量を削減でき、かつ工程も簡略化できるため、より安価に配線層を形成することができる。

なお、図４（ａ）および図４（ｂ）に破線で示した切断線Ｂに沿って、配線基板１を複数の配線基板に切断（分離）しても良い。換言すれば、支持基板１０上に配線基板１を複数並べて形成し、それらを分離することにより複数の配線基板１を製造しても良い。この場合、分離された１つの配線基板１に含まれる端子部１８ａ、１８ｂの数は、図４（ａ）および図４（ｂ）に示した２箇所に限られるわけではなく、より多くの端子部を有していても良い。

以上の説明においては、下層配線層１３として１層の配線層を形成するものとしたが、複数の下層配線層と層間絶縁膜とをＺ方向に積層し、多層の下層配線層１３として形成しても良い。図５は、下層配線層１３が２層の多層配線層（１３１、１３２）により形成されている配線基板１ａの断面図である。

端子部１８ｃは上層配線層１７ｃの一部であり、その下に２層の下層配線層１３１、１３２、およびＶＩＡプラグ１６１、１６２が形成されている。端子部１８ｄは上層配線層１７ｄの一部であり、その下に２層の支持層１４１、１４２、および層間絶縁膜１５が形成されている。

端子部１８ｅは上層配線層１７ｅの上面の一部であり、その直下にＶＩＡプラグ１６２を介して１層の下層配線層１３２が形成されており、下層配線層１３２の下には、層間絶縁膜１５および１層の支持層１４１が形成されている。端子部１８ｆは上層配線層１７ｆの上面の一部であり、その直下には層間絶縁膜１５および１層の支持層１４２が形成されており、支持層１４２の下には、層間絶縁膜１５および１層の下層配線層１３１が形成されている。

従って、この場合には、上層配線層１７ｃ～１７ｆと支持基板１０との間に、複数層の支持層１４１、１４２を配置することにより、支持基板１０のおもて面１０ａから端子部１８ｃ～１８ｆまでの各距離ｈ５～ｈ８を略等しくする。

支持層１４１、１４２の厚さは、下層配線層１３の中の複数の配線層１３１、１３２のうちの１層と略同じ厚さであっても良い。
なお、下層配線層１３に含まれる配線層の数は、３層以上の任意の総数であっても良い。

（第１実施形態の配線基板の製造方法の効果）
（１）以上で説明した第１実施形態の配線基板の製造方法は、支持基板１０を用意すること、支持基板１０上の第１領域１１に下層配線層１３を形成すること、支持基板１０上の第２領域１２に支持層１４を形成すること、下層配線層１３の上部および支持層１４の上部に、上層配線層１７ａ、１７ｂを形成すること、を備えている。そして、支持層１４は直上の上層配線層１７ｂとは電気的に接続されないとともに、支持層１４の厚さｈ２を、支持基板１０から下層配線層１３の上部における上層配線層１７ａにおける端子部１８ａまでの距離ｈ３と、支持基板１０から支持層１４の上部における上層配線層１７ｂにおける端子部１８ｂまでの距離ｈ４とが略等しくなるように設定する。
この構成により、多層配線（下層配線層１３、上層配線層１７ａ、１７ｂ）を有し、支持基板１０から複数の端子部１８ａ、１８ｂまでのそれぞれの距離が略等しい配線基板を製造することができる。これにより、端子部１８ａ、１８ｂ上に、電子素子１９を傾きを抑えて接続することができる配線基板１を製造することができる。

（変形例の配線基板の製造方法）
図４（ｃ）を参照して、変形例の配線基板の製造方法を説明する。
変形例の配線基板の製造方法においては、上述の第１実施形態の配線基板の製造方法で製造された配線基板１から、支持基板１０を除去することをさらに備えている。配線基板１から支持基板１０を除去したものが配線基板１ｂである。

支持基板１０の除去は、上層配線層１７ａ、１７ｂを形成した後に、少なくとも下層配線層１３から支持基板１０を除去することにより行う。支持基板１０の除去は、機械的な剥離、支持基板１０を研削または研磨することによる除去、あるいは化学的なエッチングにより支持基板１０を溶解することにより行っても良い。

支持基板１０の除去後に、図４（ｃ）に破線で示した切断線Ｂに沿って、配線基板１ｂを複数の配線基板１ｂに切断（分離）しても良い。
以上で説明した変形例の配線基板の製造方法においても、上述した第１実施形態の配線基板の製造方法と同様の効果が得られる。

（第２実施形態の配線基板）
以下、第２実施形態の配線基板について説明する。ただし、第２実施形態の配線基板は、上述した第１実施形態の配線基板の製造方法により製造された配線基板１であるため、その詳細な説明は省略する。なお、上述した第１実施形態の配線基板の製造方法で説明した各部材の構造および材料、あるいはＺ方向の厚さに関する事項は、第２実施形態の配線基板１についても同様に適用される。

図４（ａ）および図４（ｂ）に示したように、第２実施形態の配線基板１は、支持基板１０のおもて面１０ａに沿って形成されている下層配線層１３を有している。換言すれば、下層配線層１３の－Ｚ側の面である下面を含む平面であり、おもて面１０ａと一致する基準面１３ａに沿って、下層配線層１３は形成されている。そして、複数の端子部１８ａ、１８ｂを有し、下層配線層１３よりも基準面１３ａから上方に離れた位置に形成されている上層配線層１７ａ、１７ｂを有している。また、上層配線層１７ａ、１７ｂと下層配線層１３との間の少なくとも一部を電気的に絶縁する層間絶縁膜１５を有している。

第２実施形態の配線基板１は、さらに、複数の端子部１８ａ、１８ｂの少なくとも１つと基準面１３ａとの間に配置され、少なくとも１つの端子部１８ｂと電気的に接続されていない支持層１４を有している。そして、基準面１３ａから下層配線層１３の上部に配置されている端子部１８ａまでの距離ｈ３と、基準面１３ａから支持層１４の上部に配置されている端子部１８ｂまでの距離ｈ４とが、略等しい。

第２実施形態の配線基板１は、少なくとも下層配線層１３を保持する支持基板１０を有し、基準面１３ａが、支持基板１０の一面であるおもて面１０ａと一致している配線基板であるということもできる。
なお、第２実施形態の配線基板１においても、第１実施形態の配線基板の製造方法の説明で述べたように、下層配線層１３は多層の配線層が積層されたものであっても良い。

（第２実施形態の配線基板の効果）
（２）以上で説明した第２実施形態の配線基板１は、基準面１３ａに沿って形成されている下層配線層１３と、複数の端子部１８ａ、１８ｂを有し、下層配線層１３よりも基準面１３ａから上方に離れた位置に形成されている上層配線層１７ａ、１７ｂとを有している。さらに、上層配線層１７ａ、１７ｂと下層配線層１３との間の少なくとも一部を電気的に絶縁する層間絶縁膜１５と、複数の端子部１８ａ、１８ｂの少なくとも１つと基準面１３ａとの間に配置され、前記少なくとも１つの端子部１８ｂと電気的に接続されていない支持層１４と、を有している。そして、基準面１３ａから複数の端子部１８ａ、１８ｂまでのそれぞれの距離が略等しい。
この構成により、多層配線（下層配線層１３、上層配線層１７ａ、１７ｂ）を有し、支持基板１０から複数の端子部１８ａ、１８ｂまでのそれぞれの距離が略等しい配線基板１を実現することができる。これにより、端子部１８ａ、１８ｂ上に、電子素子１９を傾きを抑えて接続することができるため、接続不良の生じにくい配線基板１を実現することができる。

（変形例の配線基板）
以下、図４（ｃ）を参照して、変形例の配線基板１ｂについて説明する。ただし、変形例の配線基板１ｂは、上述した変形例の配線基板１ｂの製造方法により製造された配線基板１ｂであるため、その詳細な説明は省略する。なお、上述した第１実施形態の配線基板１の製造方法および変形例の配線基板１ｂの製造方法で説明した各部材の構造および材料、あるいはＺ方向の厚さに関する事項は、変形例の配線基板１ｂについても同様に適用される。

変形例の配線基板１ｂは、上述した第１実施形態の配線基板１から、支持基板１０を除去することにより構成として備えないものである。変形例の配線基板１ｂにおいても、上述した第１実施形態の配線基板１と同様の効果が得られる。また、支持基板１０を備えないことにより、変形例の配線基板１ｂはよりフレキシブル（可撓）であり、かつ軽量な配線基板となる。

（第３実施形態の電子部品）
以下、図６（ａ）および図６（ｂ）を参照して、第３実施形態の電子部品２について説明する。第３実施形態の電子部品２は、上述した図４（ａ）および図４（ｂ）、または図５に示した多層の下層配線層１３をもつ配線基板１ａを用いて製造することができる。以下、第３実施形態の電子部品２の製造方法について説明する。

（半導体素子の配置）
図６（ａ）に示したように、半導体素子等の電子素子１９を、その端子２０ａ、２０ｂを配線基板１の端子部１８ａ、１８ｂにそれぞれ電気的に接続させて配置して、配線基板１に接合する。電子素子１９は、一例としてＣＰＵ等のロジック回路ＩＣ、ＤＲＡＭ等のメモリーＩＣ、ＬＥＤ等の発光素子、ＲＦ集積回路等の半導体素子である。電子素子１９の端子２０ａ、２０ｂには、配線基板１への接合に先立って、はんだ、またはピラー（不図示）を形成しておく。電子素子１９の接合は、各種のフリップチップボンダーを用いて行うことができる。

（封止部材による封止）
図６（ｂ）に示したように、電子素子１９、上層配線層１７ａ、１７ｂ、層間絶縁膜１５を封止部材２１により封止する。封止部材２１として、例えばエポキシベースの樹脂にシリカなどのフィラーを充填した樹脂を使用しても良い。封止は、コンプレッションモールド法によって、液状の樹脂を金型で加圧して形成しても良い。あるいは、トランスファモールド法によって形成しても良い。電子素子１９がＬＥＤ等の発光素子であれば、封止部材２１の材料として透光性の材料を用いると良い。

以上の工程により、電子部品２が完成する。
１つの電子素子１９に形成されている端子２０ａ、２０ｂの数は、図示した２個に限られるわけではなく、より多くの端子が形成されていても良い。
なお、図６（ｂ）に破線で示した切断線Ｃに沿って、電子部品２を複数の電子部品に切断（分離）しても良い。換言すれば、支持基板１０および配線基板１上に電子部品２を複数並べて形成し、それらを分離することにより複数の電子部品２を製造しても良い。

（第３実施形態の電子部品の効果）
（３）以上で説明した第３実施形態の電子部品２は、上述した第２実施形態の配線基板１と、配線基板１の端子部１８ａ、１８ｂに電気的に接続された電子素子１９とを有している。この構成においては、配線基板１の端子部１８ａの支持基板１０のおもて面１０ａからの距離と、端子部１８ｂの支持基板１０のおもて面１０ａからの距離、すなわちそれぞれの高さが略等しいため、電子素子１９の端子２０ａ、２０ｂを傾きを抑えて接続することができる。

電子部品２に含まれる電子素子１９は、上述した各種の半導体素子であって良い。
なお、電子素子１９がＬＥＤ等の発光素子である場合、光の照射方向を制御する必要性があり、傾きを抑えて接続されることによる恩恵が特に大きい。さらに、ＬＥＤ等の発光素子を複数接続する場合には、それぞれの発光素子の傾きを抑えられることにより、複数の発光素子による面状発光における発光ムラを小さくできるという効果も発揮する。

（変形例の電子部品）
以下、図６（ｃ）を参照して、変形例の電子部品２ａについて説明する。変形例の電子部品２ａは、上述した第３実施形態の電子部品２から、支持基板１０を除去することにより構成として備えないものであるため、その詳細についての説明は省略する。変形例の電子部品２ａにおいても、上述した第３実施形態の電子部品２と同様の効果が得られる。また、支持基板１０を備えないことにより、変形例の電子部品２ａはより薄型であり、かつ軽量な電子部品となる。
なお、支持基板１０を除去した後に、図６（ｃ）に破線で示した切断線Ｃに沿って切断することにより、任意の数の電子素子を搭載した電子部品２ａを得ることが出来る。

本発明は以上の内容に限定されるものではない。本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も本発明の範囲内に含まれる。

１，１ａ，１ｂ：配線基板、２，２ａ：電子部品、１０：支持基板、１０ａ：おもて面、１１：第１領域、１２：第２領域、１３，１３１，１３２：下層配線層、１３ａ：基準面、１４，１４１，１４２：支持層、１５：層間絶縁膜１５、１６，１６１，１６２：ＶＩＡプラグ、１７ａ～１７ｆ：上層配線層、１８ａ～１８ｆ：端子部、１９：電子素子、２１：封止部材

Claims (18)

1. 基準面に沿って形成されている下層配線層と、
   複数の端子部を有し、前記下層配線層よりも前記基準面から上方に離れた位置に形成されている上層配線層と、
   前記上層配線層と前記下層配線層との間の少なくとも一部を電気的に絶縁する層間絶縁膜と、
   複数の前記端子部の少なくとも１つと前記基準面との間に配置され、前記少なくとも１つの端子部と電気的に接続されていない支持層と、
   を備え、
   前記基準面から複数の前記端子部の上面までのそれぞれの距離が略等しい、配線基板。
2. 請求項１に記載の配線基板において、
   前記基準面から複数の前記端子部の上面までのそれぞれの距離の差は、前記上層配線層の厚さの１／４以下である、配線基板。
3. 請求項１または請求項２に記載の配線基板において、
   前記支持層は、前記下層配線層の一部である、配線基板。
4. 請求項１または請求項２に記載の配線基板において、
   前記支持層は、前記下層配線層の一部に代えて配置されている、配線基板。
5. 請求項４に記載の配線基板において、
   前記支持層は絶縁部材により形成されている、配線基板。
6. 請求項５に記載の配線基板において、
   前記絶縁部材は樹脂である、配線基板。
7. 請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の配線基板において、
   前記下層配線層は複数の配線層を含む、配線基板。
8. 請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の配線基板において、
   前記下層配線層または前記上層配線層の少なくとも一方は、焼結された金属である、配線基板。
9. 請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の配線基板において、
   少なくとも前記下層配線層を支持する支持基板をさらに備え、
   前記基準面は、前記支持基板の一面と一致している、配線基板。
10. 請求項１から請求項９までのいずれか一項に記載の配線基板と、
    前記配線基板の前記端子部に電気的に接続された電子素子と、
    を備える、電子部品。
11. 請求項１０に記載の電子部品において、
    前記電子素子が、前記配線基板上に複数配置されている、電子部品。
12. 支持基板を用意すること、
    前記支持基板上の第１領域に下層配線層を形成すること、
    前記支持基板上の第２領域に支持層を形成すること、
    前記下層配線層の上部および前記支持層の上部に、上層配線層を形成すること、
    を備え、
    前記支持層は直上の前記上層配線層とは電気的に接続されないとともに、
    前記支持層の厚さを、前記支持基板から前記下層配線層の上部における前記上層配線層の上面までの距離と、前記支持基板から前記支持層の上部における前記上層配線層の上面までの距離とが略等しくなるように設定する、配線基板の製造方法。
13. 請求項１２に記載の配線基板の製造方法において、
    前記支持基板から前記下層配線層の上部における前記上層配線層の上面までの距離と、前記支持基板から前記支持層の上部における前記上層配線層の上面までの距離との差を、前記上層配線層の厚さの１／４以下に設定する、配線基板の製造方法。
14. 請求項１２または請求項１３に記載の配線基板の製造方法において、
    前記支持層を、前記下層配線層と同一の材料で形成する、配線基板の製造方法。
15. 請求項１２または請求項１３に記載の配線基板の製造方法において、
    前記支持層を絶縁部材により形成する、配線基板の製造方法。
16. 請求項１５に記載の配線基板の製造方法において、
    前記絶縁部材を樹脂により形成する、配線基板の製造方法。
17. 請求項１２から請求項１５までのいずれか一項に記載の配線基板の製造方法において、
    前記下層配線層または前記上層配線層の少なくとも一方を、金属ペーストを焼結することにより形成する、配線基板の製造方法。
18. 請求項１２から請求項１７までのいずれか一項に記載の配線基板の製造方法において、
    前記上層配線層を形成した後に、前記支持基板を少なくとも前記下層配線層から除去する、配線基板の製造方法。

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