JP2022118967A - 磁気ディスク装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】スライダと磁気ディスクとの接触を検出することができる磁気ディスク装置及び磁気ディスク装置の検出方法を提供する。【解決手段】磁気ディスク装置は、複数の磁気ディスク1と、磁気ディスクの記録面に露出して設けられる複数の抵抗素子R1と、複数の磁気ディスクに対応して設けられ、アーム3の一端に装着される複数のスライダ2と、ヘッドアンプICと、コントローラと、を含む。コントローラは、複数のスライダに夫々設けられる抵抗素子の抵抗値の変化を検出する。【選択図】図4

Description

実施形態は、磁気ディスク装置に関する。
一般に、磁気ディスク装置のスライダは、そのヘッド面を磁気ディスク側に突出させるための熱抵抗素子が設けられ、この熱抵抗素子はリード素子、及びライト素子付近に搭載される。リード素子、及びライト素子が搭載されているスライダのABS(Air Bering Surface)は、リード素子、及びライト素子を含む素子部の浮上変動が小さくなるように設計されている。このため、何等かの理由でスライダが振動したとしても、リード素子、及びライト素子付近の振動は周りよりも小さく、熱の変動も小さくなり、また、熱抵抗素子が配置される位置は、最も磁気ディスクを傷つける可能性があるリーディング側からは遠く、ヘッド面と磁気ディスクとの接触を検出するのが難しくなっている。
米国特許第9036290号明細書 特開2008-204498号公報 米国特許第9093084号明細書 特開2005-158111号公報 米国特許第79-3365号明細書
既述のように、スライダと、磁気ディスクとが接触するのを検出するのが難しいため、接触が生じてしまう場合がある。このように接触が生じると、コンタミネーションが発生するだけでなく、磁気ディスクに傷をつけ、データを損失するリスクが生じる。また、そのような状態でリード/ライトを継続すると、コンタミネーションにより発生したゴミ等がスライダに付着し、磁気ディスクの別のエリアに傷をつけ、また、磁気ディスクに生じた傷の上をスライダがアクセスすることにより、スライダに設けられるリード素子、ライト素子等にダメージを及ぼし、素子の劣化をもたらすことも生じ得る。このような障害を最小限に抑えるためには、いち早くスライダと、磁気ディスクとの接触を検出する必要がある。
本発明が解決しようとする課題は、スライダと磁気ディスクとの接触を検出することができる磁気ディスク装置を提供することを目的とする。
一実施形態に係る、磁気ディスク装置は、複数の磁気ディスクと、前記磁気ディスクの記録面に露出して設けられる抵抗素子を含み、前記複数の磁気ディスクに対応して設けられる、複数のスライダと、前記複数のスライダにそれぞれ設けられる抵抗素子の抵抗値の変化を検出する制御部と、を備える。
実施形態に係る磁気ディスク装置を備えるシステムの構成の一例を示すブロック図。 他の実施形態に係るスライダの横断面図。 他の実施形態に係るスライダの下面図。 他の実施形態に係る複数のスライダの構成の断面図。 他の実施形態に係る複数のスライダに設けられる抵抗素子とヘッドアンプICとの接の一例を示す図。 第1実施形態に係るスライダの抵抗素子と、ヘッドアンプICとの接続の一例を示す図。 変形例に係るスライダの横断面図。 変形例に係るスライダの下面図。 変形例に係るスライダの縦側面図。 変形例に係るスライダの下面図。 変形例に係るスライダの下面図。 第2実施形態に係る複数のスライダにそれぞれ設けられる抵抗素子と、3つのヘッドアンプとの接続の一例を示す図。 第3実施形態に係る複数のスライダにそれぞれ設けられる抵抗素子と、ヘッドアンプICとの接続の一例を示す図。
以下、実施の形態について図面を参照して説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、以下の実施形態に記載した内容により発明が限定されるものではない。当業者が容易に想到し得る変形は、当然に開示の範囲に含まれる。説明をより明確にするため、図面において、各部分のサイズ、形状等を実際の実施態様に対して変更して模式的に表す場合もある。複数の図面において、対応する要素には同じ参照数字を付して、詳細な説明を省略する場合もある。
(磁気ディスク装置の構成)
図1は、実施形態にかかる磁気ディスク装置10を備えるシステム150の構成の一例を示すブロック図である。本実施形態では、磁気ディスク装置10として、ハードディスクドライブ(以下、HDDとも称する)10を例示する。システム150はホスト100及びHDD10を備えている。ホストI/F120は、ホスト100とHDD10とを接続し、ホスト100とHDD10との間のコマンド、ユーザデータ、コマンド応答、又はステイタス報告、の送受信に利用される。ホストI/F120は、例えば、SATA(Serial Advanced Technology Attachment)規格やSAS(Serial Attached SCSI)規格に準拠する。HDD10は、ホストI/F120を介してホスト100と接続されて、ホスト100のデータ記憶部として機能する。例えばシステム150は、パーソナルコンピュータ、モバイル機器、又はサーバ装置である。例えばホスト100は、パーソナルコンピュータやモバイル装置に備えられるチップセットIC、又はサーバ装置に備えられるサーバコントローラである。
HDD10は、磁気ディスク1、スライダ2、アーム3、ボイスコイルモータ(VCM)4、及びスピンドルモータ(SPM)5を含むヘッド・ディスクアセンブリ(Head-Disk Assembly:HDA)を有する。HDAはHDD10の筐体(図示省略)の内部に収容される。スライダ2は、リードヘッドRH及びライトヘッドWHを含むヘッド部、抵抗素子R及びヒータ素子HEを有する。
また、HDD10は、モータドライバIC(以下、ドライバICとも称する)21、ヘッドアンプIC(以下、ヘッドICとも称する)22、バッファメモリ23、不揮発性メモリ24、及びコントローラ60を含む回路ブロックを有する。コントローラ60は、リードライトチャネル(以下、RWCとも称する。)61、CPU62、及びハードディスクコントローラ(以下、HDCとも称する)63を備える。ヘッドアンプIC22は、少なくともヒータドライバHD、及び抵抗素子アンプを備える。
実施形態にかかるHDD10は、磁気ディスク1にデータを記録する処理(ライト処理)、磁気ディスク1に記録されたデータを読み出す処理(リード処理)、磁気ディスク1に対するスライダ2の一部(主にヘッド部)の浮上高さを制御する処理(浮上制御処理)、スライダ2と、磁気ディスク1との接触を検出する処理、を少なくとも実行する。浮上制御処理は、DFH(Dynamic Fly Height)制御とも称されることがあり、これ以降の説明では、浮上制御処理をDFH制御とも称する。ここで、浮上高さは、例えば磁気ディスク1の表面からのヘッド部の浮上量に対応する。DFH制御では、スライダ2に設けられたヒータ素子HEに電流(又は電圧)を供給することで、スライダ2の一部(ヒータ素子HE及びヘッド部の周辺部)が加熱されて熱膨張により変形して磁気ディスク1に向かって突き出される。なお、以下では、ヒータ素子HEに供給する電流又は電圧を、ヒータ素子HEに供給する電力、として説明する。スライダ2の一部が突き出す量は、ヒータ素子HEに供給する電力に対応する情報によって制御することができる。
磁気ディスク1は、SPM5により回転する。SPM5は、ドライバIC21からの駆動電圧又は駆動電流により回転制御される。アーム3とVCM4はアクチュエータを構成する。スライダ2は、アーム3の一端に装着される。アクチュエータは、スライダ2を磁気ディスク1上の目標位置に移動させる。即ち、アクチュエータは、VCM4の駆動により、アーム3に装着されているスライダ2をディスク1上の径方向に移動させる。VCM4は、ドライバIC21からの駆動電圧又は駆動電流により制御される。
磁気ディスク1は記録面を有し、記録面にデータが記録されることでトラック(データトラック)が形成される。すなわち、磁気ディスク1は、データを記録するための記録面を備えた記録媒体として構成される。磁気ディスク1の記録面は、記録面上のスライダ2の位置を制御するためのサーボデータが記録されたサーボ領域、ホスト100から送信されるユーザデータを記録するためのユーザデータ領域、及びユーザデータ領域に記録されたユーザデータを管理するシステムデータを記録するためのシステム領域、を少なくとも有する。磁気ディスク1の記録面に、ユーザデータ領域に記録されるべきユーザデータを一時的に記録するキャッシュ領域を有してもよい。
サーボデータは、HDD10の製造工程で記録されてHDD10の出荷後には記録されないデータである。システムデータは、HDD10で実行されるライト処理及びリード処理において管理すべきデータを含む。なおシステムデータは、磁気ディスク1のシステム領域でなく不揮発性メモリ24に記録されてもよい。ユーザデータは、ホスト100から送信されてこれから記録されるデータだけでなく、既にユーザデータ領域またはキャッシュ領域に記録されたデータ、及びユーザデータ領域またはキャッシュ領域から読み出されたデータを含む。
スライダ2は、リードヘッドRH及びライトヘッドWHを含むヘッド部、抵抗素子R、及びヒータ素子HEを少なくとも備える。リードヘッドRHは、磁気ディスク1上のトラックに記録されているデータを読み出す。読み出されるデータは、サーボデータ、ユーザデータ、及びシステムデータを含む。ライトヘッドWHは、磁気ディスク1上にユーザデータ及びシステムデータを書き込む。リードヘッドRHは読み出し手段として、ライトヘッドWHは記録手段としてそれぞれ構成される。なお、以下の説明では、スライダ2をヘッド又はヘッド部、と称することがある。抵抗素子Rは、熱抵抗素子であり熱が与えられると抵抗値が変化する。抵抗素子Rは、例えば、HDIセンサーであり、ヘッド部と磁気ディスクの記録面との距離の検出に用いられる。ヒータ素子HEは、供給される電力に応じて発熱してスライダ2の一部を加熱する。加熱されたスライダ2の一部は熱膨張して磁気ディスク1に向かって突き出される。ヒータ素子HEは、リードヘッドRHとライトヘッドWHとの間に1つ、又はリードヘッドRHの近傍とライトヘッドWHの近傍とにそれぞれ1つずつ、設けられる。ヒータ素子HEは、電気回路素子としての抵抗又はコイルで形成される。図1では、単一の磁気ディスク1及びスライダ2が図示されているが、HDD10は複数の磁気ディスク1、及び複数の各磁気ディスク1の各記録面に対応した複数のスライダ2が設けられてもよい。
ヘッドアンプIC22は、リードアンプ、ライトドライバ(共に不図示)、抵抗素子アンプ、及びヒータドライバHDを有する。リードアンプは、リードヘッドRHにより読み出されたリード信号を増幅してRWC61に出力する。ライトドライバは、RWC61から供給されるライトデータに応じたライト電流をライトヘッドWHに出力する。抵抗素子アンプは、スライダ2に設けられる抵抗素子Rと接続され、抵抗素子Rから読み出された信号を増幅してRWC61に出力する。ヒータドライバHDは、CPU62又はHDC63から供給されるヒータデータに応じたヒータ電流(又はヒータ電圧)をヒータ素子HEに出力する。ヒータデータは、ヒータ電流(又はヒータ電圧)に対応する値を示すデータである。なおこれ以降では、ヒータ電流又はヒータ電圧を、単にヒータ電力、として説明する。
コントローラ60は、少なくとも、RWC61、CPU62、及びHDC63を一体に備えた1チップの集積回路として構成されている。コントローラ60は、SoC、FPGA、ASIC、LSIなどの半導体回路として構成される。バッファメモリ23は、磁気ディスク1よりも高速なデータ転送が可能な揮発性メモリであり、DRAM(SDRAM)またはSRAMが適用される。不揮発性メモリ24は、不揮発性の記録部であり、NOR型やNAND型のフラッシュメモリといった半導体メモリが適用される。バッファメモリ23及び不揮発性メモリ24は、コントローラ60の外部に接続されず、コントローラ60の内部に備えられてもよい。不揮発性メモリ24は、磁気ディスク1の記録領域の一部が適用されてもよい。
RWC61は、リードチャネル及びライトチャネル(共に不図示)を含む。リードチャネルは、ヘッドアンプIC22から供給された増幅されたリード信号を処理して、サーボデータ、ユーザデータ、及び抵抗素子R1からリードした抵抗値データを含むデータを復号する。RWC61は、リードチャネルにおいて、ユーザデータのエラーの検出及び訂正に関する処理を実行すると共に、リードしたユーザデータを評価するための情報を生成する。この情報は、CPU62からの要求に応じて、CPU62に送信され得る。また、RWC62は、復号した抵抗値データをCPU62に送信する。リードチャネルは、ビタビ復号回路及びLDPC復号回路を含む。ライトチャネルは、HDC63から供給されたライトすべきデータを符号化したライトデータを、ヘッドアンプIC22に出力する。
HDC63は、バッファメモリ23及び不揮発性メモリ24と接続され、これらとの間で転送されるデータの送受を制御する。HDC63とバッファメモリ23との間で転送されるデータは、ホスト100との間で転送されるリードデータ及びライトデータ、及び、浮上制御処理に関するデータ、を含む。リードデータは磁気ディスク1から読み出されたユーザデータであり、ライトデータは磁気ディスク1に書き込まれるユーザデータである。浮上制御処理に関するデータは、ヒータ素子HEに供給する電力を設定するためのデータを含む。HDC63と不揮発性メモリ24との間で転送されるデータは、CPU62が実行するプログラム、システムデータ、及び、又は浮上制御処理を含む。またHDC63は、RWC61と接続され、RWC61から入力されたデータ、又はRWC61に出力されるデータに対する処理を実行する。さらにHDC63は、ホスト100と接続され、ホスト100から送信されるコマンド及びユーザデータ、又はホスト100に出力するコマンド応答、ステイタス報告、及びユーザデータに対する処理を実行する。ユーザデータに対する処理は、ライト処理におけるライトゲートに関する処理、リード処理におけるリードゲートに関する処理、サーボ制御で必要なサーボゲートに関する処理、を含む。HDC63は、ホスト100から入力されるコマンドに応じた浮上制御処理の実行要求を、CPU62に通知する。HDC63は、バッファメモリ23、不揮発性メモリ24、RWC61、及びホスト100それぞれとの間でデータの送受を制御するためのインターフェース回路を含んで構成される。HDC63は、ヒータドライバHDにヒータデータを出力し得る。この場合、HDC63は、CPU62からの指示に基づいてヒータデータを生成し、生成したヒータデータを出力してもよいし、CPU62からヒータデータを供給され、供給されたヒータデータを出力してもよい。
CPU62は、マイクロプロセッサまたはマイクロコントローラとも称されるICである。CPU62は、ドライバIC21を介してVCM4を制御してヘッド部(リードヘッドRH及びライトヘッドWH)の位置決め制御(サーボ制御)を実行する。サーボ制御は、ヘッド部を磁気ディスク1の半径方向の何れかの位置に位置づける制御と、ヘッド部を磁気ディスク1上で現在位置から目標位置に向かって移動する制御と、を少なくとも含む。また、CPU62は、少なくともRWC61を介して、磁気ディスク1に対するライト処理及びリード処理を制御する。CPU62は、ライト処理及びリード処理と並列的に、浮上制御処理を制御する。なおサーボ処理は、ライト処理及びリード処理の一部の処理として実行され得る。CPU62は、浮上制御処理において、ヒータドライバHDにヒータデータを出力する。さらに、CPU62は、RWC62から送信される抵抗値データに基づいて、スライダ2と、磁気ディスク1との接触を検出する。なお、抵抗値データは、例えば、電流値、又は電流値である。この接触を検出した場合、CPU62は、接触を検出したことを示すデータを不揮発性メモリ24に記憶する。CPU62は、これら複数の処理の制御において、プログラムに従って、以上で説明したHDA及び回路ブロックを利用する。CPU62は、複数の処理を制御する制御部又は制御回路として構成される。
(他の実施形態)
次に、本実施形態と異なる他の実施形態におけるスライダの抵抗素子と、ヘッドアンプICとの接続の一例について、図2から図5を参照して説明する。図2はスライダの横断面図であり、図3はスライダの下面図であり、図4は複数のスライダの構成の断面図であり、図5は複数のスライダに設けられる抵抗素子とヘッドアンプICとの接続を示す図である。
図2及び図3に示すように、抵抗素子(熱抵抗素子)R1は、スライダ2のトレイリング側、かつ、サイドパット2Aの略中央に設けられる。当該近傍には、リードヘッドRHE、及びライトヘッドWHが設けられる(図示省略)。既述のように、一般的に、リードヘッドRE、及びライトヘッドWHが設けられるスライダ2のABSは、リードヘッドRH、及びライトヘッドWHの浮上変動が小さくなるように設計される。このため、何らかの理由によりスライダ2が振動したとしても、リードヘッドRE、及びライトヘッドWHの振動は周囲より小さく、熱の変動小さくなるため抵抗素子R1の抵抗値の変化も小さくなり、スライダ2と、磁気ディスク1との接触を検出するのが難しくなる。また、抵抗素子R1は、トレイリング側に設けられ、磁気ディスク1を傷つけるリーディング側からは遠くに配置されている。この点からも、スライダ2と磁気ディスク1との接触を検出するのが難しくなる。
図4に示すように、複数の磁気ディスク1の両面にそれぞれ設けられるスライダ2が設けられており、各スライダ2には、図2及び図3で説明した抵抗素子R1が配置されている。また、図5に示すように、各スライダ2の抵抗素子R1は、ヘッドアンプIC22に並列に接続されている。このため、スライダ2が磁気ディスク1に接触するか否かを検出する場合、ヘッドアンプIC22で測定するスライダ2を順次切り替えることにより行っている。したがって、測定しているスライダ2が磁気ディスク1に接触しているか否かを検出することはできても、他のスライダ2が磁気ディスクに接触しているか否かを検出することはできない。したがって、全てのスライダ2と、磁気ディスク1との接触を検出するために処理時間がかかることになる。
(第1実施形態)
次に、本第1実施形態におけるスライダ2の抵抗素子R1と、ヘッドアンプIC22との接続の一例について、図6を参照して説明する。なお、スライダ2内の抵抗素子R1の配置は、既述の図2,図3で設説明した位置と同一である。
本第1実施形態では、既述の図5に示すように複数の抵抗素子R1と、ヘッドアンプIC22とが並列に接続されるのではなく、図6に示すように、複数の抵抗素子R1と、ヘッドアンプIC22とが直列に接続されている。このため、CPU62は、ヘッドアンプIC22、RWC61を介して出力される抵抗値を監視することにより、直列に接続される抵抗素子R1の抵抗値の変化を取得できる。このためCPU62は、監視する抵抗値の変化に基づいて、異常、言い換えると、複数のスライダ2のうちのいずれかのスライダ2と、磁気ディスク1とが接触したか否かを検出することが可能になる。
図6に示す構成が設けられていない場合、例えば、磁気ディスク装置10の動作時に外部から何等かの衝撃が加えられると、所定位置に設けられたショックセンサにより衝撃の有無を検出することはできるが、スライダ2と磁気ディスク1との接触の有無を検出することができない。また、図4に示す構成では、測定する対象となっているヘッド部のスライダ2と、磁気ディスク1との接触の有無しか検出することができない。これに対して、本実施形態の磁気ディスク装置10では、衝撃が与えられた場合において、CPU62がヘッドアンプIC22、RWC61を介して出力される抵抗値を監視し、当該抵抗値の変化に基づいて、全てのヘッド部に対して、いずれかのヘッド部に含まれるスライダ2と、磁気ディスク1とが接触したか否かを検出することが可能となる。この場合において、衝撃があったときのスライダ2の位置が確認できる場合、CPU62は、当該位置の周辺に対して、改めて当該接触の有無の検査を行うようにしてもよい。この検査は、後述する個別並列接続モードを用いればよい。
また、いわゆるロード・アンロード(LUL)時は、スライダ2と、磁気ディスク1とが接触するリスクが高い。このため、CPU62は、LUL時に直列に接続される複数の抵抗素子R1の抵抗値の変化を監視することにより、安全にLULされたか否か検出することが可能となる。この場合において、接触を検出した場合、CPU62は、アウター側のエリアでの接触が懸念されるため、改めてLULエリア周辺の異常の有無の検査を行うようにしてもよい。この検査は、後述する個別並列接続モードを用いればよい。
加えて、CPU62は、スライダ2が磁気ディスク1上の所定位置から別の所定位置に移動するシシーク動作時に、直列に接続される複数の抵抗素子R1の抵抗値の変化を監視することにより、異常シーク動作の有無を検出することが可能になる。ここで、異常シーク動作とは、シーク動作中にLULしたり、インナーストッパーに接触したりする動作である。この場合において、接触を検出した場合、接触の位置が確認できる場合、CPU62は、当該位置の周辺に対して、改めて当該接触の有無の検査を行うようにしてもよい。この検査は、後述する個別並列接続モードを用いればよい。
さらに、抵抗素子R1がスライダ2に設けられているため、アウター側からインナー側(又は、インナー側からアウター側)に1シークするだけで、CPU62は、直列に接続される複数の抵抗素子R1の抵抗値の変化に基づいて、磁気ディスク1の状態(異常の有無)を確認することが可能になる。このような処理をパトロール動作(一定時間内にコマンドを受信しない場合行う動作)に組み込むことにより、CPU62は、磁気ディスク1状診断(例えば、突起部の検出の有無)を行う時間を短くすることができる。
また、CPU62は、以上説明したように、所定の動作時に、いずれかのスライダ2と、磁気ディスク1とが接触したことを検出した場合、当該接触を検出した旨を示す情報を不揮発性メモリ24に記憶するようにしてもよい。このように構成すると、所定の動作に対応付けてスライダ2と磁気ディスク1との接触回数をカウントすることが可能になる。この際、接触を検出した位置、及び検出時間も記憶してもよい。このように構成すると、CPU62は、予め不揮発性メモリ24に記憶された閾値と比較することにより、磁気ディスク装置の状態を診断することが可能になると共に、その診断結果に基づくアトリビュート値を外部に出力することが可能になる。これにより、ユーザは、磁気ディスク装置10の状態を把握することが可能になる。したがって、ユーザは、磁気ディスク装置10に致命的な障害が発生する前に、磁気ディスク装置10の交換をすることが可能になる。なお、上記説明では、所定の動作時(衝撃機、LUL時、シーク動作時、パトロール動作時)にスライダ2と、磁気ディスク1との接触を検出する場合で説明したが、これの動作時に加え、又は、これらの動作時とは別に、アイドル時、リード/ライト時にスライダ2と、磁気ディスク1との接触を検出してもよい。
また、このように、CPU62が実行する磁気ディスク装置10の診断は、市場に出荷された後のユーザの使用時のみならず、出荷前の検査時においても利用可能となる。検査時においては、磁気ディスク1の異常検査(例えば、突起検査)を行う場合がある。この検査時に、本実施形態と異なる他の技術では、1ヘッド、1磁気ディスクずつ検査を行っている。しかし、本実施形態によると、1シーク動作でラフにスライダ2と磁気ディスク1との接触の有無を確認し、抵抗値の変化から接触が疑われる箇所がある場合、当該疑わしいところのみを再度確認するように検査を行うことにより検査時間が短くなり、ひいては磁気ディスク装置10の製造時間を短縮することが可能となる。なお、再確認は、後述する個別並列接続モードを用いればよい。
(変形例)
次に、抵抗素子R1の配置の変形例について図面を参照して説明する。以下のいずれの変形例についても、図示は省略するが、各抵抗素子R1と、ヘッドアンプIC22とは全て直列に接続されるように構成される。
まず、第1の変形例について図7から図9を用いて説明する。図7はスライダ2の横断面図であり、図8はスライダ2の下面図であり、図9はスライダ2の縦側面図である。なお、複数のスライダ2の断面の構成については、既述の図4と同一である。なお、図7に示すように、スライダ2は、ピッチ振動し、図9に示すように、ロール振動する。
図7から図9に示すように、スライダ2のサイドパット2Aには、既述の抵抗素子R1に加え(参照:図4)、抵抗素子R2が設けられている。このように抵抗素子R2を追加することにより、スライダ2と磁気ディスクとの距離を検出する機能とは別に、スライダ2と、磁気ディスク1との接触の有無を検出する機能を実現することが可能になる。
次に、第2変形例について図10を参照して説明する。図10はスライダ2の下面図である。図10に示すように、抵抗素子R11,R12,R13,R14は、スライダ2の4つの隅に設けられている。すなわち、抵抗素子R11は、リーディング側、かつ、インナー側に設けられ、抵抗素子R12は、リーディング側、かつ、アウター側に設けられ、抵抗素子R13は、トレイリング側、かつ、インナー側に設けられ、抵抗素子R14は、トレイリング側、かつ、アウター側に設けられる。このように抵抗素子R11,R12,R13,R14を配置することにより、磁気ディスク1に対してスライダ2がどのように傾いた状態でも、CPU62は、スライダ2と、磁気ディスク1との接触を検出することが可能になる。なお、4つの抵抗素子R11,R12,R13,R14のうち少なくとも1つを設けることにより、スライダ2と、磁気ディスク1との接触を検出することができるが、抵抗素子を1つだけ設ける場合は、抵抗素子R11、つまり、リーディング側、かつ、インナー側の隅に設けることが望ましい。スライダ2のリーディング側、かつ、インナー側の隅が、磁気ディスク1と最も接触する可能性が高く、高い確率で傷が発生するためである。また、インナー側、及びアウター側の両方に抵抗素子を配置することが難しい場合、LUL時にスライダ2が磁気ディスク1に接触する場合、接触する箇所が磁気ディスク1のデータエリアになるインナー側、つまり、抵抗素子R11,R13のように配置することが望ましい。
次に、第3変形例について説明する。図11は、スライダ2の下面図である。図11に示すように、ヒータ素子HEの近傍に抵抗素子R21が設けられている。ヒータ素子HEは、既述のように電圧が印加されることにより、スライダ2のヘッド面を磁気ディスク1に対して突き出させる。このため、抵抗素子R21をヒータ素子HEの近傍に設けることにより、CPU62は、スライダ2と磁気ディスク1とが最も接近する位置で、スライダ2と磁気ディスク1との接触の有無を検出することが可能になる。また、磁気ディスク1に近い距離で接触の有無を検出することができるため、S/N比を高くすることができる。
(第2実施形態)
第2実施形態は、磁気ディスク装置10にヘッドアンプIC22が複数設けられている場合について説明する。なお、第1実施形態と同一の構成には同一の符号を付し、これらの構成については詳細な説明を省略する。
図12は、複数のスライダ2にそれぞれ設けられる抵抗素子R1と、ヘッドアンプIC22A,22B,22Cとの接続の一例を示す図である。図12に示すように、ヘッドアンプIC22A,22B,22Cにそれぞれ複数の抵抗素子R1が直列に接続されている。このように、磁気ディスク装置10にヘッドアンプIC22が複数設けられている場合、CPU62は、各ヘッドアンプIC22A,22B,22C毎に直列に接続される複数の抵抗素子R1の抵抗値の変化を監視することにより、当該ヘッドアンプIC22A,22B,22C毎にスライダ2と磁気ディスク1との接触を検出することが可能になる。なお、本実施形態では、ヘッドアンプIC22が3つの場合で説明したが、磁気ディスク装置10に設けられるヘッドアンプICの数に応じて、CPU62は、スライダ2と磁気ディスク1との接触を検出することが可能になる。
(第3実施形態)
第3実施形態は、ヘッドアンプIC22に複数の抵抗素子R1を直列に接続する構成と、複数の抵抗素子を並列に接続する構成とが切り替えられるようになっている場合について説明する。なお、第1実施形態と同一の構成には同一の符号を付し、これらの構成については詳細な説明を省略する。
図13は、複数のスライダ2にそれぞれ設けられる抵抗素子R1と、ヘッドアンプICとの接続の一例を示す図である。ヘッドアンプIC22と複数の抵抗素子R1とが接続線L1,L2により接続される。接続線L1,L2の間にはスイッチS21,S22が設けられている。スイッチS21,S22が閉状態にあるときは各複数の抵抗素子R1とヘッドアンプIC22とが接続状態になり、スイッチS21,S22が開状態にあるときは各複数の抵抗素子R1とヘッドアンプIC22とが非接続状態になる。なお、各抵抗素子R1は、それぞれ1つずつスライダ2に設けられる(参照:図4)。
また、複数の抵抗素子R1の1つは、隣接する他の抵抗素子R1とスイッチS11を介して接続される。スイッチS11が閉状態にあるときは隣接する抵抗素子R1が接続状態になり、スイッチS11が開状態にあるときは隣接する抵抗素子R1が非接続状態になる。
スイッチS11,スイッチS21,S22の開閉は、例えば、CPU62の指示に基づいて行われる。スイッチS11が接続状態にあると共に、端部のスイッチS21(図示の最も上側のスイッチS21)および他端部のスイッチS22(図示の最も下側のスイッチS22)が接続状態にあり、他のスイッチS21,S22が非接続状態にあるときは、複数の抵抗素子R1はヘッドアンプIC22と直列に接続する。一方、スイッチS11が非接続状態にあり、スイッチS21,S22が接続状態にあるときは、複数の抵抗素子R1はヘッドアンプIC22と並列に接続する。さらに、スイッチS11が非接続状態にあり、スイッチS21,S22の組を1つずつ接続することにより、複数の抵抗素子R1を1つずつヘッドアンプIC22に並列に接続することも可能である。このように、CPU62の指示に基づいて、複数の抵抗素子R1と、ヘッドアンプIC22とは、直列、又は並列に接続可能に構成されると共に、抵抗素子R1を個別にヘッドアンプICに接続することも可能に構成される。つまり、CPU62は、ヘッドアンプIC22を、直列接続モード、並列接続モード、及び個別並列接続モードの3つのモードで動作させることが可能になっている。なお、本実施形態では、直列接続モード、並列接続モード、及び個別並列接続モードの3つのモードで動作させる場合で説明するが、直列接続モード、並列接続モードを含むように構成すればよい。
また、ヘッドアンプIC22は、定電圧制御部221A、及び定電流制御部222Bを有している。CPU62の指示に基づいて、定電圧制御部221Aに指定電圧を印加することにより、定電流制御部222Bで指定電流を抵抗素子R1に流すことが可能になり、直列接続モード、並列接続モード、及び個別並列接続モードの3つのモードでの抵抗値の測定が可能になっている。
CPU62は、直列接続モードにて、全てのスライダ2において、全てのスライダ2と、磁気ディスク1との接触があるか否かを抵抗値の変化に基づいて検出し、当該変化に基づいて接触があると判定した場合に、個別並列接続モードにて、接続先を1つずつ切り替えていくことにより、どのスライダ2で接触があったか否かを検出することが可能である。なお、並列接続モードにおいても検出は可能であるが、検出に電力が必要になり、S/N比の低下が大きくなる。一方、個別並列接続モードを用いることにより、検出が低電力で行うことができ、S/N比を高くすることができる。
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1…磁気ディスク、2…スライダ、22…ヘッドアンプIC、24…不揮発性メモリ、R,R1,R11,R12,R13,R14,R21…抵抗素子、S11,S21,S22…スイッチ

Claims (11)

  1. 複数の磁気ディスクと、
    前記磁気ディスクの記録面に露出して設けられる抵抗素子を含み、前記複数の磁気ディスクに対応して設けられる、複数のスライダと、
    前記複数のスライダにそれぞれ設けられる抵抗素子の抵抗値の変化を検出する制御部と、
    を備える磁気ディスク装置。
  2. 前記スライダそれぞれに設けられる、複数の前記抵抗素子は、直列に接続される、
    請求項1に記載の磁気ディスク装置。
  3. 前記スライダそれぞれに設けられる、複数の前記抵抗素子は、並列に接続される、
    請求項1に記載の磁気ディスク装置。
  4. 前記制御部は、前記スライダそれぞれに設けられる、複数の前記抵抗素子を、直列接続、又は並列接続に切り替える、
    請求項1に記載の磁気ディスク装置。
  5. 前記制御部は、
    前記複数の抵抗素子のうち隣接する抵抗素子を直列に接続/非接続にする、複数の第1スイッチと、
    前記複数の抵抗素子と前記制御部とを並列に接続/非接続する、複数の第2スイッチと、
    を含み、
    前記制御部は、前記複数の第1スイッチを非接続状態にすると共に前記複数の第2スイッチをそれぞれ順次接続状態にする個別並列接続モードと、前記第1スイッチを接続状態にすると共に、端部に位置する前記第2スイッチの一方、及び他端部に位置する前記第2スイッチの一方を接続状態にし、他の前記第2スイッチを非接続状態にする直列接続モードを有し、
    前記前記直列接続モードにより前記複数の抵抗素子の抵抗値の変化を検出した場合、前記複数の第1スイッチの状態、及び前記複数の第2スイッチの状態を切り替え前記個別並列接続モードとし、当該切り替えた前記個別並列接続モードにより前記複数の抵抗素子の抵抗値の変化を順次検出する、
    請求項1に記載の磁気ディスク装置。
  6. 前記スライダは、それぞれ前記スライダのヘッド面を前記磁気ディスクの前記記録面に突き出させるヒータを備え、
    前記制御部は、
    複数の前記ヒータにそれぞれ電圧を印加可能に構成され、
    電圧を印加する前記ヒータを含むスライダの前記複数の抵抗素子の抵抗値を前記並列モード、又は、前記直列モードで検出する、
    請求項5に記載の磁気ディスク装置。
  7. 前記磁気ディスク装置は、複数の制御部を含み、
    前記複数の抵抗素子は前記制御部単位で分割され、前記制御部は、分割された単位に含まれる前記複数の抵抗素子の抵抗値の変化を検出する、
    請求項1から6に記載の磁気ディスク装置。
  8. 前記スライダのヘッド面は矩形状であり、前記抵抗素子は、前記矩形状の中央位置、前記矩形状の4隅の少なくともいずれか、トレイリング側の端部のいずれかに設けられる、
    請求項1から7のいずれか一項に記載の磁気ディスク装置。
  9. 前記制御部は、前記複数の抵抗素子の抵抗値の変化に基づいて、前記スライダと、前記磁気ディスクとの接触の有無を検出する、
    請求項1から8のいずれか一項に記載の磁気ディスク装置。
  10. 前記制御部は、パトロールシーク動作時に、前記複数の抵抗素子の抵抗値の変化を検出し、当該抵抗値の変化に基づいて、前記スライダと、前記磁気ディスクとの接触の有無を検出する、
    請求項9に記載の磁気ディスク装置。
  11. データを記憶するメモリを備え、
    前記制御部は、前記スライダと、前記磁気ディスクとの接触の有無の検出結果を前記メモリに記憶し、前記メモリに記憶される前記接触有りを示す結果が所定数に到達した場合、当該旨を示す情報をホストへ出力する、
    請求項9又は10に記載の磁気ディスク装置。
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