JP2022108403A - 磁気センサ及び検査装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1(a)及び図1(b)は、第1実施形態に係る磁気センサを例示する模式図である。
図1(a)は、平面図である。図1(b)は、断面図である。
図2(a)~図2(c)は、第1実施形態に係る磁気センサを例示する模式的断面図である。
図1(a)及び図1(b)に示すように、実施形態に係る磁気センサ110は、基体55と、磁性部材51と、素子部10Uと、を含む。
図3(a)の横軸は、比Rd1である。比Rd1は、以下に説明する距離dPzの、長さLz1に対する比である。距離dPzは、第1磁気素子11EのZ軸方向の端部と、磁性部材51のZ軸方向の端部と、の間のZ軸方向に沿う距離である。距離dPzが正の場合は、第1磁気素子11Eは、Y軸方向において磁性部材51と重ならない。距離dPzが負の場合は、第1磁気素子11Eは、Y軸方向において磁性部材51と重なる。距離dPzが負である場合において、距離dPzの絶対値は、第1磁気素子11Eのうちの磁性部材51と重なる部分(一部11P)のZ軸方向に沿う長さ(幅)に対応する。比Rd1が正の場合は、第1磁気素子11Eは、Y軸方向において磁性部材51と重ならない。比Rd1が負のときに、第1磁気素子11Eは、Y軸方向において磁性部材51と重なる。
図4(a)の横軸は、比Rd2である。比Rd2は、基体端部55eと第1磁気素子11Eとの間の第3方向(Z軸方向)に沿う距離dz1の、第1磁気素子11Eの第3方向に沿う長さLz1に対する比(すなわち、dz1/Lz1)である。図4の縦軸は、ゲインPG1である。図4には、図3(b)において、dP1/Lz1が0.4以下を満たす全ての値が示されている。図4からわかるように、比Rd2が1.5以上の場合に、ゲインPG1が2よりも高くなる。実施形態において、比Rd2(すなわち、dz1/Lz1)は、1.5以上であることが好ましい。比Rd2は、2.0以上でも良い。
図1(a)に示すように、第1磁気素子11Eの第2方向(例えばX軸方向)に沿う長さを長さLx1とする。例えば、長さLx1は、第1磁気素子11Eの第3方向(Z軸方向)に沿う長さLz1よりも長い。第2磁気素子12Eの第2方向(例えばX軸方向)に沿う長さを長さLx2とする。例えば、長さLx2は、第2磁気素子12Eの第3方向(Z軸方向)に沿う長さLz2よりも長い。第3磁気素子13Eの第2方向(例えばX軸方向)に沿う長さを長さLx3とする。例えば、長さLx3は、第3磁気素子13Eの第3方向(Z軸方向)に沿う長さLz3よりも長い。第4磁気素子14Eの第2方向(例えばX軸方向)に沿う長さを長さLx4とする。例えば、長さLx4は、第4磁気素子14Eの第3方向(Z軸方向)に沿う長さLz4よりも長い。長さLz1~Lz4が短いことで、例えば、検出対象80からの、第3方向(Z軸方向)の成分を有する磁界を効率的に検出できる。長さLz1~Lz4が短いことで、例えば、磁性部材51と検出対象80との間の距離を短くできる。より高い空間分解能が得られる。
図5は、第1実施形態に係る磁気センサを例示する模式図である。
図5は、第1~第4磁気素子11E~14Eにおける電気的な接続の例を示している。図5において、電気的な接続関係が分かりやすいように、第1~第4磁気素子11E~14Eの空間的な配置が、図1(a)の例から変形して描かれている。
図6(b)~図6(d)は、導電部材20における電気的な接続についてのいくつかの例を示している。図6(a)~図6(d)において、電気的な接続関係が分かりやすいように、第1~第4対応部21~24の空間的な配置が、図1(a)の例から変形して描かれている。図5に例示する磁気素子の構成が、図6(a)~図6(d)に示すいずれかの構成と組み合わされて良い。
図7(a)、図8(a)、図9(a)、図10(a)、図11(a)及び図12(a)は、第1~第4磁気素子11E~14Eの接続に関する第1~第6素子構成CF1~CF6を例示している。図7(b)、図7(c)、図8(b)、図8(c)、図9(b)、図9(c)、図10(b)、図10(c)、図11(b)、図11(c)、図12(b)及び、図12(c)は、第1~第4対応部21~24における接続に関する第1~第12対応部構成CG1~CG12を例示している。
これらの図の横軸は、導電部材20(例えば第1対応部21)に流れる電流(例えば第1電流I1)の値に対応する。縦軸は、第1磁気素子11Eの電気抵抗Rxである。図13(a)及び図13(b)に示すように、実施形態において、電気抵抗Rxは、電流(第1電流I1)の変化に対して偶関数の特性を示す。
これらの図の横軸は、第1磁気素子11Eに印加される外部磁界Hexの強度である。縦軸は、第1磁気素子11Eの電気抵抗Rxである。これらの図は、R-H特性に対応する。図14(a)及び図14(b)に示すように、電気抵抗Rxは、第1磁気素子11Eに印加される磁界(外部磁界Hex、例えば、Z軸方向の磁界)に対して偶関数の特性を有する。
以下では、第1電流I1は交流電流であり、直流成分を実質的に含まない場合の例について説明する。第1対応部21に第1電流I1(交流電流)が供給され、交流電流による交流磁界が第1磁気素子11Eに印加される。このときの電気抵抗Rxの変化の例について説明する。
図15(a)は、第1磁気素子11Eに印加される信号磁界Hsig(外部磁界)が0のときの特性を示す。図15(b)は、信号磁界Hsigが正のときの特性を示す。図15(c)は、信号磁界Hsigが負のときの特性を示す。これらの図は、磁界Hと抵抗R(電気抵抗Rxに対応)との関係を示す。
図16(a)に示すように、実施形態に係る磁気センサ115においては、素子部10Uは、第1磁気素子11E、第2磁気素子12E、第1抵抗素子11R及び第2抵抗素子12Rを含む。磁気センサ115におけるこれ以外の構成は、例えば、磁気センサ110などと同じで良い。例えば、磁気センサ115も、基体55、磁性部材51及び素子部10Uが設けられる。
第2実施形態は、検査装置に係る。後述するように、検査装置は、診断装置を含んでも良い。
図17に示すように、実施形態に係る検査装置550は、実施形態に係る磁気センサ(図17の例では、磁気センサ110)と、処理部78と、を含む。処理部78は、磁気センサ110から得られる出力信号SigXを処理する。この例では、処理部78は、センサ制御回路部75c、第1ロックインアンプ75a、及び、第2ロックインアンプ75bを含む。例えば、センサ制御回路部75cにより、第1電流回路71が制御され、第1電流回路71から、交流成分を含む第1電流I1がセンサ部10Sに供給される。第1電流I1の交流成分の周波数は、例えば、100kHz以下である。素子電流回路75から、素子電流Idがセンサ部10Sに供給される。センサ部10Sは、例えば、素子部10Uを含む。検出回路73により、センサ部10Sにおける電位の変化が検出される。例えば、検出回路73の出力が、出力信号SigXとなる。
図18に示すように、実施形態に係る検査装置551は、実施形態に係る磁気センサ(例えば磁気センサ110)と、処理部78と、を含む。検査装置551における、磁気センサ及び処理部78の構成は、検査装置550におけるそれらの構成と同様で良い。この例においては、検査装置551は、検出対象駆動部76Bを含む。検出対象駆動部76Bは、検出対象80に含まれる検査導電部材80cに電流を供給可能である。検査導電部材80cは、例えば、検出対象80に含まれる配線である。検査導電部材80cに流れる電流80iによる磁界が磁気センサ110により検出される。磁気センサ110による検出結果による異常に基づいて、検査導電部材80cを検査できる。検出対象80は、例えば、半導体装置などの電子装置でも良い。検出対象80は、例えば、電池などでも良い。
図19に示すように、実施形態に係る検査装置710は、磁気センサ150aと、処理部770と、を含む。磁気センサ150aは、第1、第2実施形態のいずれかに係る磁気センサ及びその変形で良い。処理部770は、磁気センサ150aから得られる出力信号を処理する。処理部770において、磁気センサ150aから得られた信号と、基準値と、の比較などが行われても良い。処理部770は、処理結果に基づいて、検査結果を出力可能である。
図20に示すように、磁気センサ150aは、例えば、実施形態に係る複数の磁気センサを含む。この例では、磁気センサ150aは、複数の磁気センサ(例えば、磁気センサ110など)を含む。複数の磁気センサは、例えば、2つの方向に沿って並ぶ。複数の磁気センサ110は、例えば、基体の上に設けられる。
図21に示すように、検査装置710の例である診断装置500は、磁気センサ150を含む。磁気センサ150は、第1、第2実施形態に関して説明した磁気センサ、及び、それらの変形を含む。
図22は、心磁計の一例である。図22に示す例では、平板状の硬質の基体305上にセンサ部301が設けられる。
(構成1)
基体端部を含む基体と、
磁性部材であって、前記基体から前記磁性部材への方向は第1方向に沿う、前記磁性部材と、
素子部であって、前記素子部は、第1磁気素子及び第2磁気素子を含み、前記第1磁気素子から前記第2磁気素子への向きは、前記第1方向と交差する第2方向に沿い、前記第1磁気素子の一部、及び、前記第2磁気素子の一部は、前記第1方向において前記基体と前記磁性部材との間にあり、前記第1磁気素子の他部の第3方向における位置、及び、前記第2磁気素子の他部の前記第3方向における位置は、前記基体端部の前記第3方向における位置と、前記磁性部材の前記第3方向における位置と、の間にあり、前記第3方向は、前記第1方向及び前記第2方向を含む平面と交差した、前記素子部と、
を備えた磁気センサ。
前記素子部は、第1接続部材をさらに含み、
前記第1接続部材は、前記第1磁気素子の一端部及び他端部の一方と電気的に接続され、
前記第1接続部材の少なくとも一部は、前記第1方向において、前記基体と前記磁性部材との間にある、構成1記載の磁気センサ。
前記素子部は、第2接続部材をさらに含み、
前記第2接続部材は、前記第1磁気素子の前記一端部及び前記他端部の他方と電気的に接続され、
前記第2接続部材の前記第3方向における位置は、前記基体端部の前記第3方向における位置と、前記第1磁気素子及び前記第2磁気素子の少なくともいずれかの前記第3方向における位置と、の間にある、構成2記載の磁気センサ。
前記第2磁気素子の少なくとも一部は、前記第3方向において、前記第2接続部材の少なくとも一部と、前記第1接続部材の少なくとも一部と、の間にある、構成3記載の磁気センサ。
前記素子部は、導電部材をさらに含み、
前記導電部材は、
前記第1磁気素子に対応する第1対応部と、
前記第2磁気素子に対応する第2対応部と、
を含む、構成3または4に記載の磁気センサ。
前記第1磁気素子の前記他端部は、前記第2磁気素子の一端部と電気的に接続され、
前記第1磁気素子の前記一端部と前記第2磁気素子の他端部との間に素子電流が流れ、
前記第1対応部は、
前記第1磁気素子の前記一端部に対応する第1対応一部と、
前記第1磁気素子の前記他端部に対応する第1対応他部と、
を含み、
前記第2対応部は、
前記第2磁気素子の前記一端部に対応する第2対応一部と、
前記第2磁気素子の前記他端部に対応する第2対応他部と、
を含み、
前記導電部材に交流成分を含む第1電流が供給されたときの第1時刻において、
前記素子電流は、前記第1磁気素子の前記一端部から前記第1磁気素子の前記他端部への向きに前記第1磁気素子を流れ、
前記素子電流は、前記第2磁気素子の前記一端部から前記第2磁気素子の前記他端部への向きに前記第2磁気素子を流れ、
前記第1電流は、前記第1対応他部から前記第1対応一部への向きに、前記第1対応部を流れ、
前記第1電流は、前記第2対応一部から前記第2対応他部への向きに、前記第2対応部を流れる、構成5記載の磁気センサ。
前記素子部は、第3磁気素子、第4磁気素子及び第3接続部材をさらに含み、
前記第1磁気素子から前記第3磁気素子への向きは、前記第2方向に沿い、
前記第1磁気素子から前記第4磁気素子への向きは、前記第2方向に沿い、
前記第3接続部材は、前記第2磁気素子、前記第3磁気素子及び前記第4磁気素子のいずれかと電気的に接続され、
前記第3接続部材の少なくとも一部は、前記第1方向において、前記基体と前記磁性部材との間にある、構成3または4に記載の磁気センサ。
前記素子部は、第4接続部材をさらに含み、
前記第4接続部材は、前記第2磁気素子、前記第3磁気素子及び前記第4磁気素子のいずれかと電気的に接続され、
前記第4接続部材の前記第3方向における位置は、前記基体端部の前記第3方向における位置と、前記第2磁気素子、前記第3磁気素子及び前記第4磁気素子の前記いずれかの前記第3方向における位置と、の間にある、構成7記載の磁気センサ。
前記素子部は、導電部材をさらに含み、
前記導電部材は、
前記第1磁気素子に対応する第1対応部と、
前記第2磁気素子に対応する第2対応部と、
前記第3磁気素子に対応する第3対応部と、
前記第4磁気素子に対応する第4対応部と、
を含む、構成7または8に記載の磁気センサ。
前記第1磁気素子の前記他端部は、前記第2磁気素子の一端部と電気的に接続され、
前記第1磁気素子の前記一端部は、前記第3磁気素子の前記一端部と電気的に接続され、
前記第3磁気素子の前記他端部は、前記第4磁気素子の一端部と電気的に接続され、
前記第2磁気素子の前記他端部は、前記第4磁気素子の他端部と電気的に接続され、
前記第1対応部は、
前記第1磁気素子の前記一端部に対応する第1対応一部と、
前記第1磁気素子の前記他端部に対応する第1対応他部と、
を含み、
前記第2対応部は、
前記第2磁気素子の前記一端部に対応する第2対応一部と、
前記第2磁気素子の前記他端部に対応する第2対応他部と、
を含み、
前記第3対応部は、
前記第3磁気素子の前記一端部に対応する第3対応一部と、
前記第3磁気素子の前記他端部に対応する第3対応他部と
を含み、
前記第4対応部は、
前記第4磁気素子の前記一端部に対応する第4対応一部と、
前記第4磁気素子の前記他端部に対応する第4対応他部と、
を含み、
前記導電部材に交流成分を含む第1電流が供給されたときの第1時刻において、
前記素子電流は、前記第1磁気素子の前記一端部から前記第1磁気素子の前記他端部への向きに前記第1磁気素子を流れ、
前記素子電流は、前記第2磁気素子の前記一端部から前記第2磁気素子の前記他端部への向きに前記第2磁気素子を流れ、
前記素子電流は、前記第3磁気素子の前記一端部から前記第3磁気素子の前記他端部への向きに前記第3磁気素子を流れ、
前記素子電流は、前記第4磁気素子の前記一端部から前記第4磁気素子の前記他端部への向きに前記第4磁気素子を流れ、
前記第1電流は、前記第1対応他部から前記第1対応一部への向きに、前記第1対応部を流れ、
前記第1電流は、前記第2対応一部から前記第2対応他部への向きに、前記第2対応部を流れる、
前記第1電流は、前記第3対応一部から前記第3対応他部への向きに、前記第3対応部を流れる、
前記第1電流は、前記第4対応他部から前記第4対応一部への向きに、前記第4対応部を流れる、構成9記載の磁気センサ。
前記第1磁気素子の前記他端部は、前記第2磁気素子の一端部と電気的に接続され、
前記第1磁気素子の前記一端部は、前記第3磁気素子の前記一端部と電気的に接続され、
前記第3磁気素子の前記他端部は、前記第4磁気素子の一端部と電気的に接続され、
前記第2磁気素子の前記他端部は、前記第4磁気素子の他端部と電気的に接続され、
前記第1対応部は、
前記第1磁気素子の前記一端部に対応する第1対応一部と、
前記第1磁気素子の前記他端部に対応する第1対応他部と、
を含み、
前記第2対応部は、
前記第2磁気素子の前記一端部に対応する第2対応一部と、
前記第2磁気素子の前記他端部に対応する第2対応他部と、
を含み、
前記第3対応部は、
前記第3磁気素子の前記一端部に対応する第3対応一部と、
前記第3磁気素子の前記他端部に対応する第3対応他部と、
を含み、
前記第4対応部は、
前記第4磁気素子の前記一端部に対応する第4対応一部と、
前記第4磁気素子の前記他端部に対応する第4対応他部と、
を含み、
前記第1対応一部は、前記第3対応一部と電気的に接続され、
前記第1対応他部は、前記第2対応一部と電気的に接続され、
前記第3対応他部は、前記第4対応一部と電気的に接続され、
前記第2対応他部は、前記第4対応他部と電気的に接続された、構成9記載の磁気センサ。
第1電流回路をさらに備え、
前記第1電流回路は、前記第1対応他部と前記第2対応一部との第5接続点と、前記第3対応他部と前記第4対応一部との第6接続点と、の間に交流を含む第1電流を供給可能である、構成11記載の磁気センサ。
前記第1磁気素子の前記他端部は、前記第2磁気素子の一端部と電気的に接続され、
前記第1磁気素子の前記一端部は、前記第3磁気素子の前記一端部と電気的に接続され、
前記第3磁気素子の前記他端部は、前記第4磁気素子の一端部と電気的に接続され、
前記第2磁気素子の前記他端部は、前記第4磁気素子の他端部と電気的に接続され、
前記第1対応部は、
前記第1磁気素子の前記一端部に対応する第1対応一部と、
前記第1磁気素子の前記他端部に対応する第1対応他部と、
を含み、
前記第2対応部は、
前記第2磁気素子の前記一端部に対応する第2対応一部と、
前記第2磁気素子の前記他端部に対応する第2対応他部と、
を含み、
前記第3対応部は、
前記第3磁気素子の前記一端部に対応する第3対応一部と、
前記第3磁気素子の前記他端部に対応する第3対応他部と、
を含み、
前記第4対応部は、
前記第4磁気素子の前記一端部に対応する第4対応一部と、
前記第4磁気素子の前記他端部に対応する第4対応他部と、
を含み、
前記第1対応一部は、前記第2対応他部と電気的に接続され、
前記第1対応他部は、前記第4対応一部と電気的に接続され、
前記第3対応一部は、前記第4対応他部と電気的に接続され、
前記第3対応他部は、前記第2対応一部と電気的に接続された、構成9記載の磁気センサ。
第1電流回路をさらに備え、
前記第1電流回路は、前記第1対応一部と前記第2対応他部との第7接続点と、前記第3対応一部と前記第4対応他部との第8接続点と、の間に交流を含む第1電流を供給可能である、構成12記載の磁気センサ。
前記第1磁気素子の前記他端部は、前記第2磁気素子の一端部と電気的に接続され、
前記第1磁気素子の前記一端部は、前記第3磁気素子の前記一端部と電気的に接続され、
前記第3磁気素子の前記他端部は、前記第4磁気素子の一端部と電気的に接続され、
前記第2磁気素子の前記他端部は、前記第4磁気素子の他端部と電気的に接続され、
前記第1対応部は、
前記第1磁気素子の前記一端部に対応する第1対応一部と、
前記第1磁気素子の前記他端部に対応する第1対応他部と、
を含み、
前記第2対応部は、
前記第2磁気素子の前記一端部に対応する第2対応一部と、
前記第2磁気素子の前記他端部に対応する第2対応他部と、
を含み、
前記第3対応部は、
前記第3磁気素子の前記一端部に対応する第3対応一部と、
前記第3磁気素子の前記他端部に対応する第3対応他部と、
を含み、
前記第4対応部は、
前記第4磁気素子の前記一端部に対応する第4対応一部と、
前記第4磁気素子の前記他端部に対応する第4対応他部と、
を含み、
前記第1対応他部は、前記第4対応一部と電気的に接続され、
前記第4対応他部は、前記第2対応他部と電気的に接続され、
前記第2対応一部は、前記第3対応他部と電気的に接続された、構成9記載の磁気センサ。
第1電流回路をさらに備え、
前記第1電流回路は、前記第1対応一部と前記第3対応一部との間に交流を含む第1電流を供給可能である、構成15記載の磁気センサ。
素子電流回路をさらに備え、
前記素子電流回路は、前記第1磁気素子の前記一端部と前記第3磁気素子の前記一端部との第1接続点と、前記第2磁気素子の前記他端部と前記第4磁気素子の前記他端部との第2接続点と、の間に素子電流を供給可能である、構成10~16のいずれか1つに記載の磁気センサ。
検出回路をさらに備え、
前記検出回路は、前記第1磁気素子の前記他端部と前記第2磁気素子の前記一端部との第3接続点と、前記第3磁気素子の前記他端部と前記第4磁気素子の前記一端部との第4接続点と、の間の電位の変化を検出可能である、構成17記載の磁気センサ。
前記導電部材の一部は、前記第1方向において、前記磁性部材と重なる、構成10~18のいずれか1つに記載の磁気センサ。
前記第1磁気素子の前記一部の前記第3方向に沿う長さは、前記第1磁気素子の前記第3方向に沿う長さの0.4倍以下である、構成1~19のいずれか1つに記載の磁気センサ。
前記基体端部と前記第1磁気素子との間の前記第3方向に沿う距離の、前記第1磁気素子の前記第3方向に沿う前記長さに対する比は、1.5倍以上である、構成1~20のいずれか1つに記載の磁気センサ。
構成1~21のいずれか1つに記載の磁気センサと、
前記磁気センサから出力される信号を処理可能な処理部と、
を備えた検査装置。
Claims (9)
- 基体端部を含む基体と、
磁性部材であって、前記基体から前記磁性部材への方向は第1方向に沿う、前記磁性部材と、
素子部であって、前記素子部は、第1磁気素子及び第2磁気素子を含み、前記第1磁気素子から前記第2磁気素子への向きは、前記第1方向と交差する第2方向に沿い、前記第1磁気素子の一部、及び、前記第2磁気素子の一部は、前記第1方向において前記基体と前記磁性部材との間にあり、前記第1磁気素子の他部の第3方向における位置、及び、前記第2磁気素子の他部の前記第3方向における位置は、前記基体端部の前記第3方向における位置と、前記磁性部材の前記第3方向における位置と、の間にあり、前記第3方向は、前記第1方向及び前記第2方向を含む平面と交差した、前記素子部と、
を備えた磁気センサ。 - 前記素子部は、第1接続部材をさらに含み、
前記第1接続部材は、前記第1磁気素子の一端部及び他端部の一方と電気的に接続され、
前記第1接続部材の少なくとも一部は、前記第1方向において、前記基体と前記磁性部材との間にある、請求項1記載の磁気センサ。 - 前記素子部は、第2接続部材をさらに含み、
前記第2接続部材は、前記第1磁気素子の前記一端部及び前記他端部の他方と電気的に接続され、
前記第2接続部材の前記第3方向における位置は、前記基体端部の前記第3方向における位置と、前記第1磁気素子及び前記第2磁気素子の少なくともいずれかの前記第3方向における位置と、の間にある、請求項2記載の磁気センサ。 - 前記第2磁気素子の少なくとも一部は、前記第3方向において、前記第2接続部材の少なくとも一部と、前記第1接続部材の少なくとも一部と、の間にある、請求項3記載の磁気センサ。
- 前記素子部は、第3磁気素子、第4磁気素子及び第3接続部材をさらに含み、
前記第1磁気素子から前記第3磁気素子への向きは、前記第2方向に沿い、
前記第1磁気素子から前記第4磁気素子への向きは、前記第2方向に沿い、
前記第3接続部材は、前記第2磁気素子、前記第3磁気素子及び前記第4磁気素子のいずれかと電気的に接続され、
前記第3接続部材の少なくとも一部は、前記第1方向において、前記基体と前記磁性部材との間にある、請求項3または4に記載の磁気センサ。 - 前記素子部は、導電部材をさらに含み、
前記導電部材は、
前記第1磁気素子に対応する第1対応部と、
前記第2磁気素子に対応する第2対応部と、
前記第3磁気素子に対応する第3対応部と、
前記第4磁気素子に対応する第4対応部と、
を含む、請求項5記載の磁気センサ。 - 前記第1磁気素子の前記他端部は、前記第2磁気素子の一端部と電気的に接続され、
前記第1磁気素子の前記一端部は、前記第3磁気素子の前記一端部と電気的に接続され、
前記第3磁気素子の前記他端部は、前記第4磁気素子の一端部と電気的に接続され、
前記第2磁気素子の前記他端部は、前記第4磁気素子の他端部と電気的に接続され、
前記第1対応部は、
前記第1磁気素子の前記一端部に対応する第1対応一部と、
前記第1磁気素子の前記他端部に対応する第1対応他部と、
を含み、
前記第2対応部は、
前記第2磁気素子の前記一端部に対応する第2対応一部と、
前記第2磁気素子の前記他端部に対応する第2対応他部と、
を含み、
前記第3対応部は、
前記第3磁気素子の前記一端部に対応する第3対応一部と、
前記第3磁気素子の前記他端部に対応する第3対応他部と、
を含み、
前記第4対応部は、
前記第4磁気素子の前記一端部に対応する第4対応一部と、
前記第4磁気素子の前記他端部に対応する第4対応他部と、
を含み、
前記導電部材に交流成分を含む第1電流が供給されたときの第1時刻において、
前記素子電流は、前記第1磁気素子の前記一端部から前記第1磁気素子の前記他端部への向きに前記第1磁気素子を流れ、
前記素子電流は、前記第2磁気素子の前記一端部から前記第2磁気素子の前記他端部への向きに前記第2磁気素子を流れ、
前記素子電流は、前記第3磁気素子の前記一端部から前記第3磁気素子の前記他端部への向きに前記第3磁気素子を流れ、
前記素子電流は、前記第4磁気素子の前記一端部から前記第4磁気素子の前記他端部への向きに前記第4磁気素子を流れ、
前記第1電流は、前記第1対応他部から前記第1対応一部への向きに、前記第1対応部を流れ、
前記第1電流は、前記第2対応一部から前記第2対応他部への向きに、前記第2対応部を流れる、
前記第1電流は、前記第3対応一部から前記第3対応他部への向きに、前記第3対応部を流れる、
前記第1電流は、前記第4対応他部から前記第4対応一部への向きに、前記第4対応部を流れる、請求項6記載の磁気センサ。 - 前記第1磁気素子の前記他端部は、前記第2磁気素子の一端部と電気的に接続され、
前記第1磁気素子の前記一端部は、前記第3磁気素子の前記一端部と電気的に接続され、
前記第3磁気素子の前記他端部は、前記第4磁気素子の一端部と電気的に接続され、
前記第2磁気素子の前記他端部は、前記第4磁気素子の他端部と電気的に接続され、
前記第1対応部は、
前記第1磁気素子の前記一端部に対応する第1対応一部と、
前記第1磁気素子の前記他端部に対応する第1対応他部と、
を含み、
前記第2対応部は、
前記第2磁気素子の前記一端部に対応する第2対応一部と、
前記第2磁気素子の前記他端部に対応する第2対応他部と、
を含み、
前記第3対応部は、
前記第3磁気素子の前記一端部に対応する第3対応一部と、
前記第3磁気素子の前記他端部に対応する第3対応他部と、
を含み、
前記第4対応部は、
前記第4磁気素子の前記一端部に対応する第4対応一部と、
前記第4磁気素子の前記他端部に対応する第4対応他部と、
を含み、
前記第1対応一部は、前記第3対応一部と電気的に接続され、
前記第1対応他部は、前記第2対応一部と電気的に接続され、
前記第3対応他部は、前記第4対応一部と電気的に接続され、
前記第2対応他部は、前記第4対応他部と電気的に接続された、請求項6記載の磁気センサ。 - 請求項1~8のいずれか1つに記載の磁気センサと、
前記磁気センサから出力される信号を処理可能な処理部と、
を備えた検査装置。
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