JP2022104867A - 弾性波デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】より矩形に近く、低損失で急峻性に優れた通過帯域特性を持つ多重モード型共振器を用いた弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュールを提供する。【解決手段】圧電基板と、前記圧電基板上に形成され、多重モード型共振器を備えるバンドパスフィルタとを備える弾性波デバイスであって、前記多重モード型共振器は、第１のＩＤＴ電極、第２のＩＤＴ電極、第３のＩＤＴ電極、第４のＩＤＴ電極および第５のＩＤＴ電極を備え、前記第３のＩＤＴ電極の対数は、前記第１のＩＤＴ電極、前記第２のＩＤＴ電極、前記第４のＩＤＴ電極および前記第５のＩＤＴ電極の対数の合計よりも多い、弾性波デバイス。【選択図】図２

Description

本発明は、弾性波デバイスに関連する。

近年の技術的進歩により、移動体通信端末に代表されるスマートフォンなどは、目覚ましく小型化、軽量化されている。このような移動通信端末に用いられるフィルタとしては、小型化が可能な弾性波デバイスが用いられている。また、移動体通信システムとしては、同時送受信する通信システムが急増しデュプレクサ等の需要が急増している。

これらの状況によって、デュプレクサの受信側のフィルタとして不平衡―平衡変換機能を有する多重モード型共振器が使用されている。さらには移動通信システムの変化に伴い、デュプレクサの要求仕様がより厳しくなってきている。すなわち、従来に比してより矩形に近く、低損失で急峻性に優れた通過帯域特性を持つ多重モード型共振器が必要となっている。

特許文献１には、弾性波デバイスに関する技術の一例が開示されている。

特開２０２０－１４１３８０

しかしながら、特許文献１に開示の技術では、十分な通過帯域特性を持つ多重モード型共振器を用いた弾性波デバイスを提供することができない。本発明は、より矩形に近く、低損失で急峻性に優れた通過帯域特性を持つ多重モード型共振器を用いた弾性波デバイスを提供することを目的とする。

本発明にかかる弾性波デバイスは、
圧電基板と、
前記圧電基板上に形成され、多重モード型共振器を備えるバンドパスフィルタと
を備える弾性波デバイスであって、
前記多重モード型共振器は、第１のＩＤＴ電極、第２のＩＤＴ電極、第３のＩＤＴ電極、第４のＩＤＴ電極および第５のＩＤＴ電極を備え、
前記第３のＩＤＴ電極の対数は、前記第１のＩＤＴ電極、前記第２のＩＤＴ電極、前記第４のＩＤＴ電極および前記第５のＩＤＴ電極の対数の合計よりも多く、
前記バンドパスフィルタの配線パターンは、第１金属層、前記第１金属層上に形成された第２金属層および前記第１金属層と前記第２金属層の間に形成された絶縁体を含み、前記第１金属層は、前記第３のＩＤＴ電極の信号ラインに囲まれ、かつ、絶縁されたアイランドパターンを有し、前記アイランドパターンは、前記第２金属層を介して前記第２のＩＤＴ電極および前記第４のＩＤＴ電極のグランドラインと電気的に接続されている弾性波デバイスとした。

前記第１のＩＤＴ電極の対数と前記第５のＩＤＴ電極の対数は同等であることが、本発明の一形態とされる。

前記第２のＩＤＴ電極の対数と前記第４のＩＤＴ電極の対数は同等であることが、本発明の一形態とされる。

前記圧電基板は、前記バンドパスフィルタが形成された面とは反対の主面に、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスからなる基板が接合されていることが、本発明の一形態とされる。

前記バンドパスフィルタは受信フィルタであり、さらに送信フィルタを備えたデュプレクサであることが、本発明の一形態とされる。

前記受信フィルタの通過帯域は、前記送信フィルタの通過帯域よりも低周波であることが、本発明の一形態とされる。

前記送信フィルタは、ラダー型に配置された複数の共振器を備えることが、本発明の一形態とされる。

前記送信フィルタのラダー型に配置された複数の共振器は、音響薄膜共振器であることが、本発明の一形態とされる。

前記送信フィルタは、前記圧電基板上に形成されていることが、本発明の一形態とされる。

前記弾性波デバイスを備えるモジュールが、本発明の一形態とされる。

本発明によれば、より矩形に近く、低損失で急峻性に優れた通過帯域特性を持つ多重モード型共振器を用いた弾性波デバイスを提供することができる。

図１は、実施例１にかかる弾性波デバイス１の断面図である。 図２は、デバイスチップ５（Ｒｘ）の構成例を示す図である。 図３は、本実施例と比較例の多重モード型共振器の共振特性を示す図である。 図４は、本実施例と比較例のバンドパスフィルタの通過特性を示す図である。 図５は、図２において破線で囲われた領域ＦＩＧ．５の構成を説明するための図である。 図６は、デバイスチップ５（Ｔｘ）の構成例を示す図である。 図７は、弾性波素子５２が弾性表面波共振器である例を示す平面図である。 図８は、弾性波素子５２が圧電薄膜共振器である例を示す断面図である。 図９は、実施例１にかかるデュプレクサの帯域特性を示す図である。 図１０は、実施例２にかかるデバイスチップ１０５の構成例を示す図である。 図１１は、本発明の実施例３にかかるモジュール１００の断面図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施の形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

（実施例１）
図１は、実施例１にかかる弾性波デバイス１の断面図である。

図１に示すように、本実施例にかかる弾性波デバイス１は、配線基板３と、配線基板３上に実装された、２つのデバイスチップ５を備える。本実施例では、デバイスチップ５（Ｒｘ）を受信フィルタとして、デバイスチップ５（Ｔｘ）を送信フィルタとする、デュプレクサである弾性波デバイスの例を示すが、当然のことながら、本発明の適用対象として、デバイスチップ５が一つであるバンドパスフィルタとしての弾性波デバイスでもよいし、クワトロプレクサとしてもよい。また、一つのデバイスチップ上にデュプレクサを実現する機能素子を形成することもできる。

配線基板３は、例えば、樹脂からなる多層基板、または、複数の誘電体層からなる低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）多層基板等が用いられる。また、配線基板３は、複数の外部接続端子３１を備える。

デバイスチップ５上には、所望の周波数帯域の電気信号が通過するように構成されたバンドパスフィルタが形成されている。デバイスチップ５（Ｒｘ）上には、多重モード型共振器７を含むバンドパスフィルタが形成されている。本実施例において、デバイスチップ５（Ｒｘ）は、受信フィルタである。

デバイスチップ５（Ｔｘ）上には、ラダー型フィルタが形成されている。本実施例において、デバイスチップ５（Ｔｘ）は送信フィルタである。

デバイスチップ５は、例えば、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムまたは水晶などの圧電単結晶、あるいは圧電セラミックスからなる基板を用いることができる。あるいは、後述するように、音響薄膜共振器を用いたバンドパスフィルタにおいては、シリコン等の半導体基板、または、サファイア、アルミナ、スピネルもしくはガラス等の絶縁基板を用いることができる。

また、デバイスチップ５は、圧電基板と支持基板が接合された基板を用いてもよい。支持基板は、例えば、サファイア基板、アルミナ基板、スピネル基板またはシリコン基板を用いることができる。

配線基板３上に、複数の電極パッド９が形成されている。電極パッド９は、例えば、銅または銅を含む合金を用いることができる。また、電極パッド９は、例えば、１０μｍ～２０μｍの厚みとすることができる。

デバイスチップ５を覆うように、封止部１７が形成されている。封止部１７は、例えば、合成樹脂等の絶縁体により形成してもよく、金属を用いてもよい。合成樹脂は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミドなどを用いることができるが、これらに限るものではない。好ましくは、エポキシ樹脂を用い、低温硬化プロセスを用いて封止部１７を形成する。

デバイスチップ５は、バンプ１５を介して、配線基板３にフリップチップボンディングにより実装されている。

バンプ１５は、例えば、金バンプを用いることができる。バンプ１５の高さは、例えば、２０μｍから５０μｍである。

電極パッド９は、バンプ１５を介して、デバイスチップ５と電気的に接続されている。

図２は、デバイスチップ５（Ｒｘ）の構成例を示す図である。

図２に示すように、デバイスチップ５（Ｒｘ）上に、弾性波素子５２および配線パターン５４が形成されている。

弾性波素子５２は、多重モード型共振器７を含む。多重モード型共振器７は、第１のＩＤＴ電極７１、第２のＩＤＴ電極７２、第３のＩＤＴ電極７３、第４のＩＤＴ電極７４および第５のＩＤＴ電極７５を備える。

本実施例において、第１のＩＤＴ電極７１の対数は、１８である。また、第２のＩＤＴ電極７２の対数は、２２である。また、第３のＩＤＴ電極７３の対数は、９６．５である。また、第４のＩＤＴ電極７４の対数は、２２である。また、第５のＩＤＴ電極７５の対数は、１８である。すなわち、第３のＩＤＴ電極７３の対数は、第１のＩＤＴ電極７１、第２のＩＤＴ電極７２、第４のＩＤＴ電極７４および第５のＩＤＴ電極７５の対数の合計よりも多い。

第１のＩＤＴ電極７１の対数と第５のＩＤＴ電極７５の対数は１８で、同等である。また、第２のＩＤＴ電極７２の対数と第４のＩＤＴ電極７４の対数は２２で、同等である。

配線パターン５４は、第１金属層と第２金属層（図２においては図示しない）を含み、第１金属層と第２金属層との間に、絶縁体（図２においては図示しない）が形成されている。絶縁体は、例えば、ポリイミドを用いることができる。絶縁体は、例えば、１０００ｎｍの膜厚で形成する。

配線パターン５４は、絶縁体を介して第１金属層と第２金属層とが立体的に交差するように配線される、立体配線部５８を有する。

弾性波素子５２および配線パターン５４は、例えば、銀、アルミニウム、銅、チタン、パラジウムなどの適宜の金属もしくは合金により形成することができる。また、これらの金属パターンは、複数の金属層を積層してなる積層金属膜により形成されてもよい。弾性波素子５２および配線パターン５４は、その厚みが、例えば、１５０ｎｍから４００ｎｍとすることができる。

配線パターン５４は、入力パッドＩｎ、出力パッドＯｕｔおよびグランドパッドＧＮＤを構成する配線を含んでいる。また、配線パターン５４は、弾性波素子５２と電気的に接続されている。

図２に示すように、第３のＩＤＴ電極７３は、出力パッドＯｕｔと、出力パッドＯｕｔと直接電気的に接続された弾性波素子５２を介して、複数の立体配線部５８により、電気的に接続されている。

図２に示すように、弾性波素子５２を複数形成することで、バンドパスフィルタを構成することができる。バンドパスフィルタは、入力パッドＩｎから入力された電気信号のうち、所望の周波数帯域のみの電気信号を通過させるように設計されている。

入力パッドＩｎから入力された電気信号は、バンドパスフィルタを通過し、所望の周波数帯域の電気信号が、出力パッドＯｕｔに出力される。

出力パッドＯｕｔに出力された電気信号は、バンプ１５および電極パッド９を介して、配線基板３の外部接続端子３１から出力される。

図３は、本実施例と比較例の多重モード型共振器の共振特性を示す図である。

実線で示された波形は、本実施例である弾性波デバイスの多重モード型共振器７の共振特性を示す。また、破線で示された波形は、比較例の多重モード型共振器の共振特性を示す。比較例の多重モード型共振器は、第１のＩＤＴ電極の対数を１８、第２のＩＤＴ電極の対数を２２、第３のＩＤＴ電極の対数を７８．５、第４のＩＤＴ電極の対数を２２、第５のＩＤＴ電極の対数を１８とした。その他の条件は、本実施例の多重モード型共振器７と同様とした。

図３に示すように、通過帯域の特性は、本実施例および比較例ともに同等の特性であるのに対して、通過帯域外となる８２０ＭＨｚ付近よりも高周波となる領域から、本実施例の減衰特性が優れていることがわかる。

図４は、本実施例と比較例のバンドパスフィルタの通過特性を示す図である。

実線で示された波形は、本実施例である弾性波デバイスのバンドパスフィルタの通過特性を示す。また、破線で示された波形は、比較例の通過特性を示す。比較例のバンドパスフィルタは、図３で示した共振特性をもつ比較例の多重モード型共振器を用いたバンドパスフィルタである。その他の条件は、本実施例のバンドパスフィルタと同様とした。

図４に示すように、通過帯域の特性は、本実施例および比較例ともに同等の特性であるのに対して、通過帯域外となる８２０ＭＨｚ付近よりも高周波となる領域から、本実施例の減衰特性が優れていることがわかる。

すなわち、本発明によれば、より矩形に近く、低損失で急峻性に優れた通過帯域特性を持つ多重モード型共振器を用いた弾性波デバイスを提供することができる。

図５は、図２において破線で囲われた領域ＦＩＧ．５の構成を説明するための図である。

図５に示すように、デバイスチップ５（Ｒｘ）上に、第１金属層５４Ｍ１が形成されている。また、第１金属層５４Ｍ１である、第３のＩＤＴ電極７３の信号ラインＬ７３に囲まれ、かつ、絶縁されているアイランドパターンＩＰが形成されている。

第２のＩＤＴ電極７２と第４のＩＤＴ電極７４のグランドラインＧＬが形成されている。また、グランドラインＧＬとアイランドパターンＩＰを電気的に接続する第２金属層５４Ｍ２が形成されている。また、第２金属層５４Ｍ２と信号ラインＬ７３の間に、絶縁体５６が形成されている。

このように、信号ラインＬ７３、絶縁体５６および第２金属層５４Ｍ２は、立体的に配線される立体配線部５８を構成している。

本発明の第３のＩＤＴ電極７３は、幅が大きいため、絶縁体５６が剥離するという問題が生じた。そこで、発明者は、第３のＩＤＴ電極７３への配線にかかる立体配線を分割して、複数の立体配線により配線を行うことで、絶縁体５６が剥離するという問題を解決した。

また、図５に示すように、アイランドパターンＩＰを２つ形成して、立体配線部５８を３つ形成してもよいし、アイランドパターンＩＰを１つ形成して立体配線部５８を２つ形成してもよい。アイランドパターンＩＰを１つ形成するときは、必要に応じて長くするなどしてもよい。

ここで、絶縁体５６の厚みや面積如何により、立体配線部５８は信号ラインＬ７３とグランドラインＧＬである第２金属層５４Ｍ２との間に寄生容量が生じ、バンドパスフィルタの特性に影響がでてしまう場合がある。絶縁体５６の厚みを厚くするほど、寄生容量は少なくなる一方で、絶縁体５６が剥離しやすくなる。また、絶縁体５６の面積を大きくするほど、剥離しにくくなるが、寄生容量は大きくなる。

また、アイランドパターンＩＰを長くとると、寄生容量を低減できるが、長くしすぎると、信号ラインＬ７３の配線パターン５４が狭くなり、抵抗値が増大することを考慮する。

本発明の構成によれば、絶縁体５６の剥離や寄生容量による特性劣化を防止しつつ、最適化した設計をすることができる。本発明の構成によれば、設計の自由度が高く、優れた特性の弾性波デバイスを提供することができる。

図６は、デバイスチップ５（Ｔｘ）の構成例を示す図である。

図６に示すように、デバイスチップ５（Ｔｘ）上に、弾性波素子５２および配線パターン５４が形成されている。

弾性波素子５２および配線パターン５４は、例えば、銀、アルミニウム、銅、チタン、パラジウムなどの適宜の金属もしくは合金により形成することができる。また、これらの金属パターンは、複数の金属層を積層してなる積層金属膜により形成されてもよい。弾性波素子５２および配線パターン５４は、その厚みが、例えば、１５０ｎｍから４００ｎｍとすることができる。

配線パターン５４は、入力パッドＩｎ、出力パッドＯｕｔおよびグランドパッドＧＮＤを構成する配線を含んでいる。また、配線パターン５４は、弾性波素子５２と電気的に接続されている。

図６に示すように、弾性波素子５２を複数形成することで、バンドパスフィルタを構成することができる。弾性波素子５２は、複数形成され、直列共振器、並列共振器のいずれかとしてラダー型に配置されている。バンドパスフィルタは、入力パッドＩｎから入力された電気信号のうち、所望の周波数帯域のみの電気信号を通過させるように設計されている。

入力パッドＩｎから入力された電気信号は、バンドパスフィルタを通過し、所望の周波数帯域の電気信号が、出力パッドＯｕｔに出力される。

出力パッドＯｕｔに出力された電気信号は、バンプ１５および電極パッド９を介して、配線基板３の外部接続端子３１から出力される。

図７は、弾性波素子５２が弾性表面波共振器である例を示す平面図である。

図７に示すように、デバイスチップ５上に、弾性表面波を励振するＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）５２ａと反射器５２ｂが形成されている。ＩＤＴ５２ａは、互いに対向する一対の櫛形電極５２ｃを有する。櫛形電極５２ｃは、複数の電極指５２ｄと複数の電極指５２ｄを接続するバスバー５２ｅを有する。反射器５２ｂは、ＩＤＴ５２ａの両側に設けられている。

ＩＤＴ５２ａおよび反射器５２ｂは、例えば、アルミニウムと銅の合金からなる。ＩＤＴ５２ａおよび反射器５２ｂは、その厚みが、例えば、１５０ｎｍから４００ｎｍの薄膜である。ＩＤＴ５２ａおよび反射器５２ｂは、他の金属、例えば、チタン、パラジウム、銀などの適宜の金属もしくはこれらの合金を含んでもよく、これらの合金により形成されてもよい。また、ＩＤＴ５２ａおよび反射器５２ｂは、複数の金属層を積層してなる積層金属膜により形成されてもよい。

図８は、弾性波素子５２が圧電薄膜共振器である例を示す断面図である。

図８に示すように、チップ基板６０上に圧電膜６２が設けられている。圧電膜６２を挟むように下部電極６４および上部電極６６が設けられている。下部電極６４とチップ基板６０との間に空隙６８が形成されている。下部電極６４および上部電極６６は、圧電膜６２内に、厚み縦振動モードの弾性波を励振する。

チップ基板６０は、例えば、シリコン等の半導体基板、または、サファイア、アルミナ、スピネルもしくはガラス等の絶縁基板を用いることができる。圧電膜６２は、例えば、窒化アルミニウムを用いることができる。下部電極６４および上部電極６６は、例えば、ルテニウム等の金属を用いることができる。

弾性波素子５２は、所望のバンドパスフィルタとしての特性が得られるよう、適宜、多重モード型フィルタやラダー型フィルタに採用されることができる。

図９は、実施例１にかかるデュプレクサの帯域特性を示す図である。

図９に示すように、実施例１にかかるデュプレクサは、受信フィルタの通過帯域Ｒｘが、送信フィルタの通過帯域Ｔｘよりも周波数が低い。このような周波数関係にあるデュプレクサにおいては、受信フィルタは、受信フィルタの通過帯域Ｒｘの高周波側に急峻な抑圧を求められる。一般に、多重モード型フィルタは、通過帯域の高周波側の抑圧を急峻とすることが難しいが、本発明によれば、このような周波数関係にあるデュプレクサであっても、受信フィルタの通過帯域、送信フィルタの通過帯域ともに、優れた通過特性を得られる。

（実施例２）
次に、本発明の別の実施形態である実施例２について説明する。

図１０は、実施例２にかかるデバイスチップ１０５の構成例を示す図である。

図１０に示すように、一つのデバイスチップ１０５上に、受信フィルタＲｘＢＰＦと送信フィルタＴｘＢＰＦが形成されている。これにより、一つのデバイスチップでデュプレクサとしての弾性波デバイスを提供することができる。

図１０に示すように、受信フィルタＲｘＢＰＦの入力端子Ｉｎ（Ｒｘ）と送信フィルタＴｘＢＰＦの出力端子Ｏｕｔ（Ｔｘ）は、共通端子となっている。また、受信フィルタＲｘＢＰＦの出力端子Ｏｕｔ（Ｒｘ）と送信フィルタＴｘＢＰＦの入力端子Ｉｎ（Ｔｘ）は、デバイスチップ１０５上において、最も離れた配置とすることが望ましい。受信フィルタＲｘＢＰＦと送信フィルタＴｘＢＰＦ間の干渉を低減することができ、デュプレクサの特性が向上するからである。

また、一つのデバイスチップ上での受信フィルタＲｘＢＰＦと送信フィルタＴｘＢＰＦの設計において、受信フィルタＲｘＢＰＦは、省スペースで通過帯域外の抑圧を確保するため、多重モード型フィルタが望ましく、送信フィルタＴｘＢＰＦは、耐電力を確保するため、ラダー型フィルタとすることが望ましい。

その他の構成は、実施例１と同様の構成を採用することができるため、説明を省略する。

（実施例３）
次に、本発明の別の実施形態である実施例３について説明する。

図１１は、本発明の実施例３にかかるモジュール１００の断面図である。

図１１に示すように、配線基板１３０の主面上に、弾性波デバイス１が実装されている。弾性波デバイス１は、例えば、実施例１または実施例２で説明した構成を採用したデュプレクサであるとすることができる。配線基板１３０は、複数の外部接続端子１３１を有している。複数の外部接続端子１３１は、所定の移動通信端末のマザーボードに実装される構成となっている。

配線基板１３０の主面上に、インピーダンスマッチングのため、インダクタ１１１が実装されている。インダクタ１１１は、Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｐａｓｓｉｖｅ Ｄｅｖｉｃｅ（ＩＰＤ）とすることができる。モジュール１００は、弾性波デバイス１を含む複数の電子部品を封止するための封止部１１７により、封止されている。

配線基板１３０の内部に、集積回路部品ＩＣが実装されている。集積回路部品ＩＣは、図示はしないが、スイッチング回路、ローノイズアンプを含む。

その他の構成は、実施例１または実施例２で説明した内容と重複するため、省略する。

以上説明した本発明の実施形態によれば、より矩形に近く、低損失で急峻性に優れた通過帯域特性を持つ多重モード型共振器を用いた弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュールを提供することすることができる。

なお、当然のことながら、本発明は以上に説明した実施態様に限定されるものではなく、本発明の目的を達成し得るすべての実施態様を含むものである。

また、少なくとも一つの実施形態のいくつかの側面を上述したが、様々な改変、修正および改善が当業者にとって容易に想起されることを理解されたい。かかる改変、修正および改善は、本開示の一部となることが意図され、かつ、本発明の範囲内にあることが意図される。理解するべきことだが、ここで述べられた方法および装置の実施形態は、上記説明に記載され又は添付図面に例示された構成要素の構造および配列の詳細への適用に限られない。方法および装置は、他の実施形態で実装し、様々な態様で実施又は実行することができる。特定の実装例は、例示のみを目的としてここに与えられ、限定されることを意図しない。また、ここで使用される表現および用語は、説明目的であって、限定としてみなすべきではない。ここでの「含む」、「備える」、「有する」、「包含する」およびこれらの変形の使用は、以降に列挙される項目およびその均等物並びに付加項目の包括を意味する。「又は（若しくは）」の言及は、「又は（若しくは）」を使用して記載される任意の用語が、当該記載の用語の一つの、一つを超える、およびすべてのものを示すように解釈され得る。前後左右、頂底上下、および横縦への言及はいずれも、記載の便宜を意図しており、本発明の構成要素がいずれか一つの位置的又は空間的配向に限られるものではない。したがって、上記説明および図面は例示にすぎない。

１ 弾性波デバイス
３ １３０ 配線基板
５ １０５ デバイスチップ
７ 多重モード型共振器
９ 電極パッド
１５ バンプ
１７ １１７ 封止部
３１ １３１ 外部接続端子
５２ 弾性波素子
５４ 配線パターン
５４Ｍ１ 第１金属層
５４Ｍ２ 第２金属層
５６ 絶縁体
ＩＰ アイランドパターン
ＧＬ グランドライン
６０ チップ基板
６２ 圧電膜
６４ 下部電極
６６ 上部電極
６８ 空隙
７１ 第１のＩＤＴ電極
７２ 第２のＩＤＴ電極
７３ 第３のＩＤＴ電極
Ｌ７３ 信号ライン
７４ 第４のＩＤＴ電極
７５ 第５のＩＤＴ電極
１００ モジュール
１１１ インダクタ
１１２ 第２のインダクタ
ＩＣ 集積回路部品

Claims (10)

1. 圧電基板と、
   前記圧電基板上に形成され、多重モード型共振器を備えるバンドパスフィルタと
   を備える弾性波デバイスであって、
   前記多重モード型共振器は、第１のＩＤＴ電極、第２のＩＤＴ電極、第３のＩＤＴ電極、第４のＩＤＴ電極および第５のＩＤＴ電極を備え、
   前記第３のＩＤＴ電極の対数は、前記第１のＩＤＴ電極、前記第２のＩＤＴ電極、前記第４のＩＤＴ電極および前記第５のＩＤＴ電極の対数の合計よりも多く、
   前記バンドパスフィルタの配線パターンは、第１金属層、前記第１金属層上に形成された第２金属層および前記第１金属層と前記第２金属層の間に形成された絶縁体を含み、前記第１金属層は、前記第３のＩＤＴ電極の信号ラインに囲まれ、かつ、絶縁されたアイランドパターンを有し、前記アイランドパターンは、前記第２金属層を介して前記第２のＩＤＴ電極および前記第４のＩＤＴ電極のグランドラインと電気的に接続されている弾性波デバイス。
2. 前記第１のＩＤＴ電極の対数と前記第５のＩＤＴ電極の対数は同等である請求項１に記載の弾性波デバイス。
3. 前記第２のＩＤＴ電極の対数と前記第４のＩＤＴ電極の対数は同等である請求項１または２に記載の弾性波デバイス。
4. 前記圧電基板は、前記バンドパスフィルタが形成された面とは反対の主面に、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスからなる基板が接合されている請求項１～３に記載の弾性波デバイス。
5. 前記バンドパスフィルタは受信フィルタであり、さらに送信フィルタを備えたデュプレクサである請求項１～４に記載の弾性波デバイス。
6. 前記受信フィルタの通過帯域は、前記送信フィルタの通過帯域よりも低周波である請求項５に記載の弾性波デバイス。
7. 前記送信フィルタは、ラダー型に配置された複数の共振器を備える請求項５または６に記載の弾性波デバイス。
8. 前記送信フィルタのラダー型に配置された複数の共振器は、音響薄膜共振器である請求項７に記載の弾性波デバイス。
9. 前記送信フィルタは、前記圧電基板上に形成されている請求項５～７に記載の弾性波デバイス。
10. 請求項１～９に記載の弾性波デバイスを備えるモジュール。
    
    
    

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