JP2022099257A - アレイ基板、表示パネル、及び表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ＥＳＤに起因する表示不良を抑制することを目的とする。【解決手段】アレイ基板３０は、第１金属膜ＭＦ１と、第１金属膜ＭＦ１に対して絶縁膜ＩＦ１を介して配された第２金属膜ＭＦ２と、を備え、非表示領域ＮＡＡには、第１金属膜ＭＦ１からなる第１配線５１と、第２金属膜ＭＦ２からなり平面視で第１配線５１と交わるように延在する第２配線５５と、が配されており、第１配線５１は、第２配線５５と交わる方向に延びる主線部５２と、主線部５２から側方に延出する延出部５３と、を有し、延出部５３は、第２配線５５における第１配線５１との非重畳部５５Ａ２に向かって延出すると共に、平面視において主線部５２の側縁部５２Ａのうち第２配線５５と交わる形で重畳する重畳側縁部５２Ａ１を囲むように延出する。【選択図】図５

Description

本願明細書に記載の技術は、アレイ基板、表示パネル、及び表示装置に関する。

液晶表示装置の主要部品である液晶パネルは、一対の基板間に液晶層を封入した構成をなしており、一方の基板（アレイ基板、アクティブマトリクス基板）には、多数の画素電極及びスイッチング素子がマトリックス状に配列されている。アレイ基板は一般に、製造工程において各種の薄膜が成膜、エッチング等されて形成される。

アレイ基板の製造工程において、プラズマＣＶＤ（chemical vapor deposition）法による成膜、ドライエッチング等を行う際に、金属膜が帯電することがある。これにより隔離された金属膜パターン間にＥＳＤ（electro-static discharge, 静電気放電）が発生し、ＥＳＤに起因したリーク電流、ひいては液晶パネルの表示不良が発生することが知られている。そこでＥＳＤ対策として、アレイ基板に、避雷針として機能する放電突起を形成したり、帯電によって発生した電荷を分散するための回避パターンや静電保護素子を形成することが知られており、その一例が特許文献１に開示されている。

国際公開第２００８／０７８４２６公報

しかしながら、従来のＥＳＤ対策を行っても、リーク電流、ひいては液晶パネルの表示不良が発生することがある。特に、アレイ基板の表示領域の外側（すなわち非表示領域）にモノリシックに形成された配線部（液晶パネルを駆動するための駆動回路を含む）にリーク電流が発生すると、表示不良が顕著に現れることがある。より詳しくは、非表示領域において、絶縁膜を介して積層された第１金属膜と第２金属膜とが重畳する部分にＥＳＤが発生すると、絶縁膜が破壊されて、第１金属膜と第２金属膜との間に層間リーク電流が発生し、その結果、線状の表示不良が表示領域全体に亘って現れてしまうことがある。

本願明細書に記載の技術は上記のような実情に基づいて完成されたものであって、ＥＳＤに起因する表示不良を抑制することを目的とする。

（１）本願明細書に記載の技術に関わるアレイ基板は、表示領域と、前記表示領域を取り囲む非表示領域とを有するアレイ基板であって、第１金属膜と、前記第１金属膜に対して絶縁膜を介して配された第２金属膜と、を備え、前記非表示領域には、前記第１金属膜からなる第１配線と、前記第２金属膜からなり平面視で前記第１配線と交わるように延在する第２配線と、が配されており、前記第１配線は、前記第２配線と交わる方向に延びる主線部と、前記主線部から側方に延出する少なくとも１つの延出部と、を有し、前記少なくとも１つの延出部は、平面視において、前記主線部から前記第２配線における前記第１配線との非重畳部に向かって延出するとともに、前記主線部の側縁部のうち前記第２配線と重畳する重畳側縁部を囲むように延出する。

（２）また、上記アレイ基板は、上記（１）に加え、前記少なくとも１つの延出部の延出端が、前記第２配線と間隙を空けて配されていてもよい。

（３）また、上記アレイ基板は、上記（１）又は（２）に加え、前記非表示領域には、前記第１金属膜からなり、平面視で前記第１配線と間隙を空けて隣接する端部を有する第３配線が配されており、前記少なくとも１つの延出部は、前記重畳側縁部と、前記端部とを通る最も短い直線と交わるように延出していてもよい。

（４）また、上記アレイ基板は、上記（１）から（３）のいずれか１つに加え、前記少なくとも１つの延出部は、平面視で円弧状をなしていてもよい。

（５）また、上記アレイ基板は、上記（１）から（４）のいずれか１つに加え、前記少なくとも１つの延出部は複数あり、前記複数の延出部は平面視で全体として環状をなしていてもよい。

（６）また、上記アレイ基板は、上記（１）から（５）のいずれか１つに加え、前記第２金属膜は前記第１金属膜より上層側に配されていてもよい。

（７）本願明細書に記載の技術に関わる表示パネルは、上記（１）から（６）のいずれか１つのアレイ基板と、前記アレイ基板との間に内部空間を有する形で対向して配される対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に配され機能性有機分子を含む媒質層と、を備える。

（８）本願明細書に記載の技術に関わる表示装置は、上記（７）の表示パネルを備える。

本願明細書に記載の技術によれば、ＥＳＤに起因する表示不良を抑制することができる。

実施形態１に係る液晶表示装置の平面図 図１のＩＩ－ＩＩ線断面図 アレイ基板の配線構成を示す平面図 アレイ基板の表示領域におけるＴＦＴ及び画素電極の配列を示す回路図 図３のＧＤＭ部の一部を拡大した平面図 図５のＶI－ＶI線断面図 比較例１に係るＧＤＭ部の一部を拡大した平面図 図７のＶIＩＩ－ＶIＩＩ線断面図 実施形態２に係る延出部を示す平面図 実施形態３に係る延出部を示す平面図 実施形態４に係る延出部を示す平面図 実施形態５に係る延出部を示す平面図

＜実施形態１＞
本発明の実施形態１を図１から図６を参照して説明する。本実施形態では、液晶パネル１０（表示パネル）を備えた液晶表示装置１００（表示装置の一例）について例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で共通する方向となるように描かれている。また、各断面図においては、図の上側を液晶パネル１０の表側とし、下側を裏側とする。

液晶表示装置１００は、図１に示すように、画像を表示可能な液晶パネル１０と、液晶パネル１０を駆動するためのドライバ１２と、コントロール基板１６と、フレキシブル基板１４と、を備えている。コントロール基板１６は、ドライバ１２等に対して各種入力信号を供給する。フレキシブル基板１４は、液晶パネル１０、ドライバ１２、及びコントロール基板１６を電気的に接続する。また、液晶表示装置１００は、液晶パネル１０に表示のための光を照射するバックライト装置を備える。バックライト装置は、液晶パネル１０に対して裏側に配されている。

液晶パネル１０は、図１に示すように、横長な方形状をなしており、その面内が、画像を表示可能で且つ中央側に配される表示領域（アクティブエリア）ＡＡと、表示領域ＡＡを取り囲む形で周縁部に配されて平面に視て枠状（額縁状）をなす非表示領域（ノンアクティブエリア）ＮＡＡと、に区分されている。この液晶パネル１０における長辺方向が各図面のＸ軸方向と一致し、短辺方向が各図面のＹ軸方向と一致し、さらには板厚方向がＺ軸方向と一致している。図１では、一点鎖線が表示領域ＡＡの外形を表しており、当該一点鎖線よりも外側の領域が非表示領域ＮＡＡとなっている。

本実施形態では、図１に示すように、液晶パネル１０の非表示領域ＮＡＡのうち一方の長辺部（図１における下側）に沿う領域が広く確保され、この領域に複数（図１では４つ）のドライバ１２が間隔を空けて並んで配されている。ドライバ１２は、ソース駆動回路を有するＬＳＩチップであって、フレキシブル基板１４と接続される。フレキシブル基板１４は、その一端部が液晶パネル１０の非表示領域ＮＡＡに、他端部がコントロール基板１６にそれぞれ接続され、コントロール基板１６から供給される各種信号を液晶パネル１０に伝送する。

液晶パネル１０は、図２に示すように、一対の基板２０，３０と、液晶層１８と、シール部４０と、を有する。液晶層１８は、両基板２０，３０間の内部空間に挟持されて電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む媒質層である。シール部４０は、液晶層１８を取り囲む形で両基板２０，３０間に介在することで液晶層１８を封入している。また、シール部４０により両基板２０，３０の間隔（液晶層１８の厚み、セルギャップ）が一定に維持されている。一対の基板２０，３０のうち表側（正面側）がＣＦ基板（対向基板、カラーフィルター基板）２０とされ、裏側（背面側）がアレイ基板（アクティブマトリクス基板、ＴＦＴ基板）３０とされる。ＣＦ基板２０及びアレイ基板３０は、ガラス基板ＧＳ（絶縁性基板の一例）の内面側に各種の薄膜２０Ａ,３０Ａがそれぞれ積層形成されたものとされる。なお、両基板２０，３０の外面側には、それぞれ偏光板１０Ｃ，１０Ｄが貼り付けられている。

アレイ基板３０は、図１に示すように、その長辺寸法がＣＦ基板２０の長辺寸法と略同一で、その短辺寸法がＣＦ基板２０の短辺寸法よりも長く形成されている。このため、アレイ基板３０とＣＦ基板２０とを一方の長辺が揃う形でシール部４０により貼り合わせると、アレイ基板３０にはＣＦ基板２０とは重畳せずに露出する部分が生じる。両基板２０,３０は、その面内が表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡに区分されるが、この非重畳部分は非表示領域ＡＡの一部をなしており、既述したドライバ１２がＣＯＧ（Chip On Glass）実装され、フレキシブル基板１４が接続されている。

アレイ基板３０の表示領域ＡＡには、図３に示すように、Ｙ軸方向（図３における上下方向）に沿って延在するソース配線（データ線、信号線）４３と、ソース配線４３と直交するＸ軸方向（図３における左右方向）に沿って延在するゲート配線（走査線）４４と、が格子状に多数形成されている。ソース配線４３及びゲート配線４４によって取り囲まれた各領域には、図４に示すように、スイッチング素子（より詳しくはＴＦＴ４６（Thin Film Transistor、薄膜トランジスタ））及び画素電極４７が形成されている。ＴＦＴ４６及び画素電極４７は、表示領域ＡＡの全体に亘ってマトリックス状に多数配列されている。また、アレイ基板３０の表示領域ＡＡには、基準電位が供給される共通電極が設けられており、本実施形態における液晶パネル１０は、いわゆるＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードで動作するものとされる。ソース配線４３及びゲート配線４４からＴＦＴ４６に信号が入力されると、ＴＦＴ４６に接続された画素電極４７が充電されて、画素電極４７と共通電極との電位差が変化する。この電位差によって液晶層１８に印加される電界を制御し、液晶分子の配向状態を適切にスイッチングさせて、液晶パネル１０を駆動している。

ソース配線４３は、図３に示すように、その上下両端側部分４３Ｅ１,４３Ｅ２が表示領域ＡＡから非表示領域ＮＡＡに延伸するようにＹ軸方向に沿って概ね直線状に延びている。ソース配線４３の一方の端側部分４２Ｅ２は、引き出し配線４８Ａを介してドライバ１２に接続されており、ソース配線４３には、ドライバ１２内のソース駆動回路からデータ信号（画像信号）が供給される。

ゲート配線４４は、図３に示すように、その左右両端側部分４４Ｅ１,４４Ｅ２が表示領域ＡＡから非表示領域ＮＡＡに延伸するようにＸ軸方向に沿って概ね直線状に延びている。ゲート配線４４の一方の端側部分（図３における左端側部分）４４Ｅ１は、ＧＤＭ（Gate Driver Monolithic circuit、ゲート駆動回路）部５０に接続されており、ゲート配線４４にはＧＤＭ部５０から走査信号が供給される。ＧＤＭ部５０は、フレキシブル基板１４の実装領域に配された端子から引き出し配線４８Ｂを介してフレキシブル基板１４と接続されている。ＧＤＭ部５０には、フレキシブル基板１４によって伝送される各種信号が供給される。

ＧＤＭ部５０は、非表示領域ＮＡＡにおいてアレイ基板３０にモノリシックに形成されている。ＧＤＭ部５０は、各種配線並びに各種回路（例えばブートストラップ回路）を構成するＴＦＴ及びコンデンサ等から構成されており、その一部を拡大した平面図が図５に示されている。ＧＤＭ部５０には、図５に示すように、第１ＧＤＭ配線５１（第１配線の一例）と、第２ＧＤＭ配線５５（第２配線の一例）と、第３ＧＤＭ配線５７（第３配線の一例）と、が少なくとも形成されている。第１ＧＤＭ配線５１は、後述するゲート金属膜ＭＦ１（第１金属膜の一例）からなり、Ｙ軸方向に沿って全体として直線状に延在している。第２ＧＤＭ配線５５は、後述するソース金属膜ＭＦ２（第２金属膜の一例）からなり、第１ＧＤＭ配線５１と直交するＸ軸方向に沿って延在する横断部５５Ａを含んでいる。横断部５５Ａは、後述するゲート絶縁膜ＩＦ１を介して第１ＧＤＭ配線５１と重畳している（図６）。第３ＧＤＭ配線５７は、後述するゲート金属膜ＭＦ１からなり、第１ＧＤＭ配線５１と間隔を空けて並行している。第３ＧＤＭ配線５７は、第１ＧＤＭ配線５１と第２ＧＤＭ配線５５とが直交する部分（第１ＧＤＭ配線５１のうち第２ＧＤＭ配線５５の横断部５５Ａとの重畳部５２Ｃ）の近傍までＹ軸方向に沿って延在しており、当該重畳部５２Ｃの近傍に端部５７Ａを有している。第１ＧＤＭ配線５１、第２ＧＤＭ配線５５、及び第３ＧＤＭ配線５７については、詳しく後述する。

また、アレイ基板３０の非表示領域ＮＡＡには、図３に示すように、予備配線６０が形成されている。予備配線６０は、ソース配線４３が断線した場合に、ＴＦＴ４６及び画素電極４７にデータ信号を伝送するための迂回路となる。予備配線６０は、表示領域ＡＡをコ字状（Ｕ字状）に取り囲むように非表示領域ＮＡＡに形成されている。予備配線６０は、Ｙ軸方向に沿って概ね直線状に延在する第１予備配線部６０Ａと、第１予備配線部６０Ａの両端部（上下端部）からそれぞれＸ軸方向に沿って概ね直線状に延在する一対の第２予備配線部６０Ｂと、を有する。第２予備配線部６０Ｂは、各ソース配線４３のうち、非表示領域ＮＡＡに延伸した両端側部分（上端側部分４３Ｅ１,下端側部分４３Ｅ２）と平面視で直交しており、後述するゲート絶縁膜ＩＦ１を介して両端側部分４３Ｅ１,４３Ｅ２と重畳している。ソース配線４３に断線（例えば図３における×印）が生じた場合には、その断線が生じたソース配線４３における両端側部分４３Ｅ１,４３Ｅ２と、予備配線６０の第２予備配線部６０Ｂとの重畳箇所（図３におけるＰ１,Ｐ２）にそれぞれレーザ光を照射して意図的にゲート絶縁膜ＩＦ１を破壊する。これにより、断線が生じたソース配線４３の両端側部分４３Ｅ１,４３Ｅ２と、予備配線６０の第２予備配線部６０Ｂと、が短絡されて迂回路が形成されるようになっている。

さらに、アレイ基板３０の非表示領域ＮＡＡには、図３に示すように、表示領域ＡＡに形成された共通電極に対して基準電位信号を供給するための共通電極配線６５が形成されている。共通電極配線６５は、一対の第１共通電極配線部６５Ａと、第２共通電極配線部６５Ｂと、を有する。第１共通電極配線部６５Ａは、図３の左右両側の非表示領域ＮＡＡにおいて対をなすように形成されている。第１共通電極配線部６５Ａは、フレキシブル基板１４の実装領域に配された端子から引き出し配線４８Ｃを介してＹ軸方向に沿って概ね直線状に延在している。第１共通電極配線部６５Ａは、各ゲート配線４４のうち、非表示領域ＮＡＡに延伸した左右両端側部分４４Ｅ１,４４Ｅ２と平面視で直交している。第２共通電極配線部６５Ｂは、一対の第１共通電極配線部６５Ａの一方の端部（図３における上端部）同士を接続するようにＸ軸方向に沿って概ね直線状に延在している。第２共通電極配線部６５Ｂは、各ソース配線４３のうち、非表示領域ＮＡＡに延伸した上端側部分４３Ｅ１と平面視で直交している。

アレイ基板３０の各種の薄膜３０Ａにおける各配線及び回路（上記したソース配線４３、ゲート配線４４、ＴＦＴ４６、画素電極４７、引き出し配線４９Ａ,４９Ｂ,４９Ｃ、共通電極、ＧＤＭ部５０、予備配線６０、共通電極配線６５を含む）は、パターン化された各種の膜を積層する形で形成されており、既知のフォトリソグラフィー法を用いて製造されている。具体的には、ゲート配線４４、ＴＦＴ４６及びＧＤＭ部５０内のＴＦＴを構成するゲート電極、第１ＧＤＭ配線５１、第３ＧＤＭ配線５７、予備配線６０、並びに共通電極配線６５の第２共通電極配線部６５Ｂは、ガラス基板ＧＳ上に積層されたゲート金属膜ＭＦ１をパターン化することで形成されている。また、ソース配線４３、ＴＦＴ４６及びＧＤＭ部５０内のＴＦＴを構成するソース電極及びドレイン電極、第２ＧＤＭ配線５５、共通電極配線６５の第１共通電極配線部６５Ａは、ゲート金属膜ＭＦ１の上層側に積層されたソース金属膜ＭＦ２をパターン化することで形成されている。

ソース金属膜ＭＦ２は、図６に示すように、ゲート絶縁膜ＩＦ１（絶縁膜の一例）を介してゲート金属膜ＭＦ１の上層側に配されている。従って、ＴＦＴ４６及びＧＤＭ部５０内のＴＦＴは、そのゲート電極がソース電極及びドレイン電極より下層側に配されているボトムゲート型のＴＦＴとされる。当該ＴＦＴが形成されている領域には、ゲート絶縁膜ＩＦ１とソース金属膜ＭＦ２との間に、当該ＴＦＴのチャネル領域となる半導体膜が積層されている。また、ソース金属膜ＭＦ２の上には、図６に示すように、保護膜ＩＦ２が積層されている。なお、共通電極配線６５の第１共通電極配線部６５Ａと第２共通電極配線部６５Ｂとは、図３の黒丸で示す部分において、ゲート金属膜ＭＦ１とソース金属膜ＭＦ２とをコンタクトホールを通って層間接続されている。

ゲート金属膜ＭＦ１及びソース金属膜ＭＦ２は、銅（Cu）等の金属、合金の単層膜又はこれらの積層膜からなり、各金属膜ＭＦ１,ＭＦ２から構成される各配線及び電極は導電性及び遮光性を有している。ゲート金属膜ＭＦ１及びソース金属膜ＭＦ２の材料は、同一であっても、異なっていても構わない。本実施形態においては、ゲート金属膜ＭＦ１は銅（Cu）からなり、膜厚は例えば１００nmから２５０nmの範囲とされ、ソース金属膜ＭＦ２は銅（Cu）からなり、膜厚は例えば１００nmから２５０nmの範囲とされる。また、ゲート絶縁膜ＩＦ１は、酸化ケイ素（SiOx）、酸窒化ケイ素（SiON）、窒化シリコン（SiNx）等の単層又はその積層である透明な無機絶縁材料からなる。本実施形態においては、ゲート絶縁膜ＩＦ１は酸化ケイ素（SiO2）と窒化シリコン（SiNx）からなり、膜厚は例えば１５０nmから３００nmの範囲とされる。保護膜ＩＦ２は、本実施形態において、第１保護膜（パシベーション膜、無機絶縁膜）と、第２保護膜（パシベーション膜、平坦化膜、有機絶縁膜）との積層構造をなす。第１保護膜は、窒化ケイ素（SiNx）や酸化ケイ素（SiO₂）等の無機絶縁材料からなり、その膜厚は例えば２００nm程度とされる。第２保護膜は、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ等）やポリイミド樹脂等の透明な有機絶縁材料からなり、その膜厚は例えば２．０μm程度とゲート絶縁膜ＩＦ１及び第１保護膜に比して大きなものとされる。

ところで、フォトリソグラフィー法を用いた製造工程において、プラズマＣＶＤ（chemical vapor deposition）法による成膜、ドライエッチング等を行う際に、ゲート金属膜ＭＦ１が帯電し、ＥＳＤ（electro-static discharge、静電気放電）が発生することがある。特に、非表示領域ＮＡＡにおいて、ゲート金属膜ＭＦ１からなる配線と、ソース金属膜ＭＦ２からなる配線とが交わる形で重畳する部分においてＥＳＤが発生すると、ゲート絶縁膜ＩＦ１が破壊されて、ゲート金属膜ＭＦ１とソース金属膜ＭＦ２との間に層間リーク電流が発生しやすくなる。その結果、液晶パネル１０として組み立てた際に表示不良が顕著に現れる（例えば、線状の表示不良が表示領域ＡＡ全体に亘って現れる）ことがある。

そこで、本実施形態に係るアレイ基板３０では、ゲート金属膜ＭＦ１からなる配線と、ソース金属膜ＭＦ２からなる配線とが交わる形で重畳する部分において、ＥＳＤを抑制するための構成が設けられている。以下、この構成の具体例（より詳しくは後述する延出部５３）について図５及び図６を参照して詳しく説明する。ゲート金属膜ＭＦ１からなる第１ＧＤＭ配線５１、及びソース金属膜ＭＦ２からなる第２ＧＤＭ配線５５の横断部５５Ａは、図５及び図６に示すように、平面視で交わる形でゲート絶縁膜ＩＦ１を介して重畳している。横断部５５Ａのうち、第１ＧＤＭ配線５１との重畳部を５５Ａ１、非重畳部を５５Ａ２（図５において網掛で明示された部分）とする。

第１ＧＤＭ配線５１は、図５に示すように、主線部５２と、複数（より詳しくは４つ）の延出部５３と、を有する。主線部５２は、Ｙ軸方向に沿って延在し、第２ＧＤＭ配線５５の横断部５５Ａと直交する形で重畳している。各延出部５３は、主線部５２から側方に延出する部分であり、主線部５２から、第２ＧＤＭ配線５５の横断部５５Ａのうち非重畳部５５Ａ２に向かって延出している。各延出部５３は、その延出端５３Ａが当該非重畳部５５Ａ２と所定の間隔を空けて配されるように延出しており、当該非重畳部５５Ａ２とは重畳しないように形成されている。図５においては、２つずつの延出部５３が主線部５２の右側方、左側方にそれぞれ延出している。主線部５２から右側方に延出する２つの延出部５３は、主線部５２の右側縁部５２Ａのうち横断部５５Ａと重畳する重畳右側縁部５２Ａ１（重畳側縁部の一例）を囲むように、曲線状に延出している。右側方に延出する２つの延出部５３のうち一方は、第３ＧＤＭ配線５７のＹ軸方向の端部５７Ａと第１ＧＤＭ配線５１の重畳右側縁部５２Ａ１とを通る最短経路（最も短い直線）Ｌ１と交わるように延出しており、端部５７Ａと重畳右側縁部５２Ａ１との間に介在している。また、主線部５２から左側方に延出する２つの延出部５３は、主線部５２の左側縁部５２Ｂのうち横断部５５Ａと重畳する重畳左側縁部５２Ｂ１（重畳側縁部の別の一例）を囲むように、曲線状に延出している。

第２ＧＤＭ配線５５は、図５に示すように、横断部５５Ａと、並行部５５Ｂと、を有する。並行部５５Ｂは、横断部５５Ａの一方の端側部分（図５における右端側部分）から第１ＧＤＭ配線５１の主線部５２と並行するようにＹ軸方向に沿って延在している。また、ゲート金属膜ＭＦ１からなる第３ＧＤＭ配線５７は、第１ＧＤＭ配線５１の主線部５２と間隔を空けて並行するようにＹ軸方向に沿って延在している。第３ＧＤＭ配線５７は、図５においては、その全体が第２ＧＤＭ配線５５の並行部５５Ｂと重畳しているため、外形が点線で示されている。第３ＧＤＭ配線５７の端部５７Ａは、第１ＧＤＭ配線５１の主線部５２と間隙を空けて隣接しており、第１ＧＤＭ配線５１の主線部５２と第２ＧＤＭ配線５５の横断部５５Ａとが直交する部分の近傍に位置している。第１ＧＤＭ配線５１及び第３ＧＤＭ配線５７は、共にゲート金属膜ＭＦ１からなるため、第３ＧＤＭ配線５７の端部５７Ａと、第１ＧＤＭ配線５１における横断部５５Ａとの重畳部５２Ｃとは、同一金属層において電気的に隔離されつつ、近接した位置関係となっている。

次に、延出部５３の作用効果について、延出部５３が形成されていない比較例１であるＧＤＭ部９５０と比較しつつ説明する。比較例１に係るＧＤＭ部９５０は、図７に示すように、延出部５３を有しない点でＧＤＭ部５０と異なり、それ以外についてはＧＤＭ部５０と同一の構成を有するものとする。ＧＤＭ部９５０の製造工程において、例えば第３ＧＤＭ配線５７が帯電すると、その端部５７Ａと第１ＧＤＭ配線９５１の重畳右側縁部５２Ａ１との間にＥＳＤが発生することがある。特にＥＳＤは、端部５７Ａと重畳右側縁部５２Ａ１とを通る最短経路Ｌ１を通って両者間に発生しやすく、最短経路Ｌ１はＥＳＤの発生経路となりやすい。このＥＳＤによって、図８に示すように、第１ＧＤＭ配線９５１の重畳右側縁部５２Ａ１付近に形成されたゲート絶縁膜ＩＦ１が破壊されて、第２ＧＤＭ配線５５の重畳部５５Ａ１が、第１ＧＤＭ配線９５１の重畳右側縁部５２Ａ１に接触し、層間リーク電流が発生してしまう。その結果、第１ＧＤＭ配線９５１と第２ＧＤＭ配線５５とが短絡し、液晶パネル１０として組み立てた際に表示不良が顕著に現れてしまう。従って、第１ＧＤＭ配線９５１の重畳側縁部５２Ａ１、５２Ｂ１は、ＥＳＤによって表示不良が生じる可能性があるキラー箇所（ＥＳＤ警戒箇所）と言える。

これに対して、本実施形態に係るＧＤＭ部５０では、既述したように延出部５３が、第３ＧＤＭ配線５７の端部５７Ａと第１ＧＤＭ配線５１の重畳右側縁部５２Ａ１との間に介在している（図５）。また、延出部５３は、ＥＳＤが発生しやすい端部５７Ａと重畳右側縁部５２Ａ１とを通る最短経路Ｌ１と交わるように延出している。これにより、ＧＤＭ部５０の製造工程において第３ＧＤＭ配線５７が帯電すると、ＥＳＤは端部５７Ａと延出部５３との間で発生し、延出部５３が避雷針として機能するようになっている。その結果、端部５７Ａと重畳右側縁部５２Ａ１との間でのＥＳＤの発生が回避されて、重畳右側縁部５２Ａ１上のゲート絶縁膜ＩＦ１が破壊されてしまう事態を抑制できるようになる。このようにして延出部５３によって、層間リーク電流、ひいては表示不良の発生を抑制できるようになる。すなわち、延出部５３は、キラー箇所（重畳側縁部５２Ａ１、５２Ｂ１）におけるＥＳＤの発生を抑制し、ＥＳＤに起因する表示不良を抑制する。

また、各延出部５３は、図５に示すように、主線部５２における横断部５５Ａとの重畳部５２Ｃの中心Ｐ３からの距離ｒ１が一定となるように、円弧状に形成されている。これにより、各延出部５３と重畳側縁部５２Ａ１、５２Ｂ１との間に所定の距離を確保しやすくなる。その結果、延出部５３においてＥＳＤが発生した場合に、その影響が重畳側縁部５２Ａ１、５２Ｂ１付近のゲート絶縁膜ＩＦ１に及ぶ事態を抑制しやすくなる。

また、４つの延出部５３は、図５に示すように平面視で円環状をなしている。このようにすれば、重畳側縁部５２Ａ１、５２Ｂ１は４つの延出部５３によって四方が囲まれるようになる。その結果、第３ＧＤＭ配線５７の端部５７Ａと、重畳右側縁部５２Ａ１との間だけでなく、それ以外の配線と、重畳側縁部５２Ａ１、５２Ｂ１との間にＥＳＤが発生することが抑制されるようになり、ＥＳＤに起因する表示不良を確実に抑制することができる。

なお、非表示領域ＮＡＡにおいてゲート金属膜ＭＦ１からなる配線と、ソース金属膜ＭＦ２からなる配線とが交わる形で重畳する部分は、上記した第１ＧＤＭ配線５１と第２ＧＤＭ配線５５とが直交する部分以外にも形成されており、ＥＳＤによって表示不良が生じる可能性があるキラー箇所を含んでいる。例えば、ゲート金属膜ＭＦ１からなる予備配線６０の第２予備配線部６０Ｂと、各ソース配線４３の上端側部分４３Ｅ１,下端側部分４３Ｅ２とは、既述したように、平面視で直交し、ゲート絶縁膜ＩＦ１を介して重畳している（図３）。また、ゲート金属膜ＭＦ１からなる第２共通電極配線部６５Ｂと、各ソース配線４３の上端側部分４３Ｅ１とは、平面視で直交し、ゲート絶縁膜ＩＦ１を介して重畳している。さらに、ゲート金属膜ＭＦ１からなる各ゲート配線４４の左端側部分４４Ｅ１と、ソース金属膜ＭＦ２からなる第１共通電極配線部６５Ａとは、平面視で直交し、ゲート絶縁膜ＩＦ１を介して重畳している。第２予備配線部６０Ｂ、第２共通電極配線部６５Ｂ、又はゲート配線４４に対して延出部５３を形成すると、これらの部分に発生するＥＳＤ、ひいては表示不良を抑制可能となる。

＜実施形態２＞
実施形態２に係る延出部１５３について図９を参照して説明する。延出部１５３は、実施形態１に係る延出部５３と異なる形状に形成されている。実施形態２において、実施形態１と同様の構成、作用及び効果については重複する説明は省略する。

ＧＤＭ部１５０の第１ＧＤＭ配線１５１において、４つの延出部１５３のうち、右側方に延出する２つの延出部１５３は、平面視で主線部５２の重畳右側縁部５２Ａ１の中心Ｐ４からの距離ｒ２が一定となるように円弧状に形成されている。また、左側方に延出する２つの延出部１５３は、平面視で主線部５２の重畳左側縁部５２Ｂ１の中心Ｐ５からの距離ｒ２が一定となるように円弧状に形成されている。

＜実施形態３＞
実施形態３に係る延出部２５３について図１０を参照して説明する。延出部２５３は、実施形態１に係る延出部５３及び実施形態２に係る延出部１５３と異なる形状に形成されている。実施形態３において、実施形態１及び実施形態２と同様の構成、作用及び効果については重複する説明は省略する。

ＧＤＭ部２５０の第１ＧＤＭ配線２５１において、４つの延出部２５３のうち、右側方に延出する２つの延出部２５３は、平面視において、第２ＧＤＭ配線５５における横断部５５Ａの非重畳部５５Ａ２内に位置する点Ｐ６からの距離ｒ３が一定となるように円弧状に形成されている。また、右側方に延出する２つの延出部２５３は、平面視において、第２ＧＤＭ配線５５における横断部５５Ａの非重畳部５５Ａ２内に位置する点Ｐ７からの距離ｒ３が一定となるように円弧状に形成されている。ここで、点Ｐ６、Ｐ７は、平面視において、主線部５２の重畳右側縁部５２Ａ１の中心Ｐ４と重畳左側縁部５２Ｂ１の中心Ｐ５とを結ぶ直線の延長線Ｌ２上に位置している。

＜実施形態４＞
実施形態４に係る延出部３５３について図１１を参照して説明する。延出部３５３は、実施形態２に係る４つの延出部１５３のうちの１つが形成されたものである。実施形態４において、実施形態１から実施形態３と同様の構成、作用及び効果については重複する説明は省略する。

延出部３５３は、ＧＤＭ部３５０の第１ＧＤＭ配線３５１において１つ形成されている。このようにすれば、延出部３５３を形成するためのスペースが限られている場合であっても、第３ＧＤＭ配線５７の端部５７Ａと第１ＧＤＭ配線５１の重畳右側縁部５２Ａ１との間のＥＳＤに起因する表示不良を効果的に抑制することができる。

＜実施形態５＞
実施形態４に係る延出部４５３について図１２を参照して説明する。延出部４５３は、実施形態４に係る延出部３５３と異なる形状に形成されている。実施形態３において、実施形態１から実施形態４と同様の構成、作用及び効果については重複する説明は省略する。

延出部４５３は、ＧＤＭ部４５０の第１ＧＤＭ配線４５１において、実施形態３に係る４つの延出部２５３のうちの１つが形成されたものである。このようにすれば、延出部４５３を形成するためのスペースが限られている場合であっても、第３ＧＤＭ配線５７の端部５７Ａと第１ＧＤＭ配線５１の重畳右側縁部５２Ａ１との間のＥＳＤに起因する表示不良を効果的に抑制することができる。

＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態及び変形例に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。

（１）延出部５３,１５３,２５３,３５３,４５３は、円弧状以外の形状でも構わず、直線部分を含んでいても構わない。また、延出部５３,１５３,２５３,３５３,４５３の延出長及び幅は、適宜変更可能である。さらには、延出部５３,１５３,２５３,３５３,４５３の個数は、１つまたは４つに限られず、適宜変更可能である。

（２）第３配線は、第３ＧＤＭ配線５７の端部５７Ａに限られず、例えばＴＦＴのゲート電極であっても構わない。

（３）アレイ基板３０における各種の薄膜３０Ａの積層順は一例であって、例えばゲート金属膜ＭＦ１が、絶縁膜を介してソース金属膜ＭＦ２の上層側に配されていても構わない。

（４）ＧＤＭ部５０は、ゲート配線４４の両端側部分４４Ｅ１,４４Ｅ２にそれぞれ接続されるように、図３のアレイ基板３０において左右両側の非表示領域ＮＡＡに形成されていても構わない。

（５）液晶パネル１０の駆動モードは、ＦＦＳモード以外であっても構わない。また、共通電極は対向基板２０に形成されていても構わない。

（６）アレイ基板３０、液晶パネル１０、液晶表示装置１００の形状は横長の矩形状以外であっても構わない。

１０…液晶パネル（表示パネル）、１８…液晶層（媒質層）、２０…ＣＦ基板（対向基板）、３０…アレイ基板、５１,１５１,２５１,３５１,４５１…第１ＧＤＭ配線（第１配線）、５２…主線部、５３,１５３,２５３,３５３,４５３…延出部、５２Ａ１…重畳左側縁部（重畳側縁部）、５２Ｂ１…重畳右側縁部（重畳側縁部）、５３Ａ,１５３Ａ,２５３Ａ,３５３Ａ,４５３Ａ…延出端、５５…第２ＧＤＭ配線（第２配線）、５７…第３ＧＤＭ配線（第３配線）、５７Ａ…端部、１００…液晶表示装置（表示装置）、ＡＡ…表示領域、ＩＦ１…ゲート絶縁膜（絶縁膜）、Ｌ１…最短経路（最も短い直線）、ＭＦ１…ゲート金属膜（第１金属膜）、ＭＦ２…ソース金属膜（第２金属膜）、ＮＡＡ…非表示領域

Claims (8)

1. 表示領域と、前記表示領域を取り囲む非表示領域とを有するアレイ基板であって、
   第１金属膜と、
   前記第１金属膜に対して絶縁膜を介して配された第２金属膜と、
   を備え、
   前記非表示領域には、前記第１金属膜からなる第１配線と、前記第２金属膜からなり平面視で前記第１配線と交わるように延在する第２配線と、が配されており、
   前記第１配線は、前記第２配線と交わる方向に延びる主線部と、前記主線部から側方に延出する少なくとも１つの延出部と、を有し、
   前記少なくとも１つの延出部は、前記主線部から前記第２配線における前記第１配線と非重畳部に向かって延出するとともに、平面視において、前記主線部の側縁部のうち前記第２配線と交わる形で重畳する重畳側縁部を囲むように延出するアレイ基板。
2. 前記少なくとも１つの延出部の延出端は、前記第２配線と間隙を空けて配されている請求項１に記載のアレイ基板。
3. 前記非表示領域には、前記第１金属膜からなり、平面視で前記第１配線と間隙を空けて隣接する端部を有する第３配線が配されており、
   前記少なくとも１つの延出部は、前記重畳側縁部と、前記端部とを通る最も短い直線と交わるように延出している請求項１または請求項２に記載のアレイ基板。
4. 前記少なくとも１つの延出部は、平面視で円弧状をなしている請求項１又は請求項２に記載のアレイ基板。
5. 前記少なくとも１つの延出部は複数あり、前記複数の延出部は平面視で全体として環状をなしている請求項１または請求項２に記載のアレイ基板。
6. 前記第２金属膜は、前記第１金属膜より上層側に配されている請求項１または請求項２に記載のアレイ基板。
7. 請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のアレイ基板と、
   前記アレイ基板との間に内部空間を有する形で対向して配される対向基板と、
   前記アレイ基板と前記対向基板との間に配される液晶層と、を備える表示パネル。
8. 請求項７に記載の表示パネルを備える表示装置。

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