JP2022097925A - ウェーハの加工方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】エッジトリミング加工用切削ブレードに生じる偏摩耗をドレスして整形する技術をを提供する。【解決手段】基材10と、基材上に積層されたデバイス層12と、を有し、外周に面取り部10mが形成されたウェーハ1の加工方法であって、ウェーハ基材側を保持テーブル31で保持し、デバイス層12を露出させる保持ステップと、その後、切削ブレード40をウェーハ外周に切り込ませつつ、保持テーブルを回転させて面取り部を切削し除去するトリミングステップと、トリミングステップを実施する前に、トリミングステップで除去する領域のデバイス層を切削ブレードで切削し除去するデバイス層除去ステップと、を備える。デバイス層除去ステップでは、切削ブレード側面がウェーハ外周縁10gに対して交差するように切削ブレードが位置づけられ、トリミングステップでは、切削ブレード表側面40aがウェーハ外周縁に沿うように切削ブレードが位置づけられる。【選択図】図4

Description

本発明は、基材と、該基材上に積層されたデバイス層と、を有するウェーハであって、外周に面取り部が形成されたウェーハの加工方法に関する。
従来、表面のストリートで区画された領域にIC等のデバイスが形成されたウェーハについて、裏面側を研削して薄化した後、ストリートに沿って各デバイスに対応する複数のデバイスチップへ分割する加工方法が知られている。
加工対象となるウェーハは、搬送中の欠け等を防ぐために外周部分が面取りされており、薄化すると外周部分がナイフエッジ状のように薄く尖り、欠け、割れ等の破損が発生し易くなる。このため、薄化の前にウェーハの面取りされた部分(面取り部分)を切削、除去する、いわゆるエッジトリミング加工が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2017-191911号公報
特許文献1に開示されるようなエッジトリミング加工では、切削ブレードの表面側をウェーハの中心側とし、裏面側をウェーハの中心から遠い側となるようにして、ウェーハの面取り部に切り込んで切削が行われる。この際、切削ブレードの裏面側はウェーハの外側に位置することから切削に寄与せず、表面側のみが切削に寄与することになる。
このため、切削ブレードの表面側と裏面側でその摩耗量に差が生じることになり、偏摩耗が生じることになる。そして、偏摩耗が生じると面取り部を良好に除去できなくなる。
そこで、所定のタイミングで偏摩耗が生じた切削ブレードについてドレスボードをカットしてドレスを行い、切削ブレードの先端を整形する必要があった。しかし、このドレスボードをカットすることによる整形には時間を要し、また、偏摩耗により大きく形状が崩れた切削ブレードはドレスボードを用いたドレスでは整形しきれないこともあり、改善が切望されていた。
以上に鑑み、本願発明は、エッジトリミング加工を行う切削ブレードに生じる偏摩耗をドレスして整形するための新規な技術を提案するものである。
本発明の解決しようとする課題は以上の如くであり、次にこの課題を解決するための手段を説明する。
本発明の一態様によれば、
基材と、該基材上に積層されたデバイス層と、を有するウェーハであって、外周に面取り部が形成されたウェーハの加工方法であって、
該ウェーハの該基材側を保持テーブルで保持し、該デバイス層を露出させる保持ステップと、
該保持ステップを実施した後、切削ブレードをウェーハの外周に切り込ませつつ該保持テーブルを回転させて該面取り部を切削し除去するトリミングステップと、
該トリミングステップを実施する前に、少なくとも該トリミングステップで除去する領域の該デバイス層を該切削ブレードで切削して除去するデバイス層除去ステップと、
を備え、
該デバイス層除去ステップでは、該切削ブレードの側面がウェーハの外周縁に対して交差するように該切削ブレードが位置づけられ、
該トリミングステップでは、該切削ブレードの側面がウェーハの外周縁に沿うように該切削ブレードが位置づけられる、ウェーハの加工方法とするものである。
本発明の一態様によれば、
該デバイス層除去ステップにおいて、
該切削ブレードは、
該ウェーハの第1方向の一側端部を加工するための第1位置、又は、
該ウェーハの中心を挟んで該第1位置と反対側の他側端部を加工するための第2位置、
に位置づけられ、
該切削ブレードは、所定のタイミングで第1位置と第2位置のいずれか一方の位置から、他方の位置へと位置づけられる、こととするものである。
本発明の一態様によれば、
該トリミングステップにおいて、
該切削ブレードの位置は、
該ウェーハの第2方向の一側端部を加工するための第3位置、又は、
該ウェーハの中心を挟んで該第3位置と反対側の他側端部を加工するための第4位置、
に位置づけられ、
該切削ブレードは、所定のタイミングで第3位置と第4位置のいずれか一方の位置から、他方の位置へと位置づけられる、こととするものである。
本発明の一態様では、トリミングステップの前に、基材に比べて加工しにくく切削ブレードを摩耗させるデバイス層を除去するデバイス層除去ステップを実施する。このように、後のトリミングステップで除去される領域のデバイス層をあらかじめ除去することで、トリミングステップにおける切削ブレードの偏摩耗の発生を抑制できる。また、デバイス層除去ステップでは切削ブレードの側面がウェーハの外周縁に対して交差するように切削ブレードを位置づけて加工する。これにより、加工方向(加工送り方向)が切削ブレードの回転軸の方向となり、切削ブレードの厚み方向に切削ブレードが削られる所謂フラットドレスの態様が実現され、切削ブレードの先端を整形することができる。このようにして、ドレスボードを用いることなく短時間でドレスを行うことができる。
また、本発明の一態様では、デバイス層除去ステップにおいて、切削ブレードが第1位置、又は、第2位置に位置づけられ、所定のタイミングで位置が切り替えられることにより、切削ブレードの両側面からより均等にドレスをすることができ、偏摩耗を解消することができる。
また、本発明の一態様では、トリミングステップにおいて、切削ブレードが第3位置、又は、第3位置に位置づけられ、所定のタイミングで位置が切り替えられることにより、切削ブレードの両側面についてより均等に摩耗を生じさせることができ、偏摩耗を生じにくくすることができる。
被加工物であるウェーハの一実施形態について示す図。 本発明の実施に用いる切削装置の例について示す図。 本発明の実施に用いる切削装置の例について示す図。 (A)はデバイス層除去ステップにおいてウェーハを上から見た図。(B)は加工箇所を拡大して示す図。 本発明の実施手順について示すフローチャート。 (A)はトリミングステップにおいてウェーハを上から見た図。(B)は加工箇所を拡大して示す図。 薄化ステップについて説明する図。
図1は被加工物であるウェーハ1の一実施形態について示すものである。
ウェーハ1は、基材10と、基材10の表面10aに形成されるデバイス層12と、を有して構成される。
基材10としては、例えば、シリコン、ガラス、サファイア、SiC等が考えられ、特に限定されるものではない。デバイス層12としては、デバイスを構成する回路層と絶縁層との積層体である。
デバイス層12には規則的な配列でデバイス11が形成され、各デバイスの間に分割予定ライン13が設定される。分割予定ライン13は、互いに交差する第1方向F1、第2方向F2に伸長し、格子状に配置されるように設定されている。
基材10の表面10aにおいて、デバイス11が形成される領域がデバイス形成領域とされ、デバイス形成領域の外側の領域が外周余剰領域とされる。基材10の外周縁には、結晶方位を示すノッチ15が形成されている。
図1の拡大部分に示されるように、基材10の表面10aにはデバイス層12が形成されており、詳しくは後述するように、デバイス層除去ステップにより一部が除去される。また、基材10の外周には面取り部10mが形成されており、詳しくは後述するように、トリミングステップの際に面取り部10mにおける表面10a側の部分が除去される。
図2及び図3は、本発明の実施に用いる切削装置30の例について示すものである。切削装置30は、ウェーハ1を保持する保持テーブル31と、切削機構32と、を有している。
図2及び図3に示すように、保持テーブル31は、図示せぬ駆動機構により矢印R方向に回転され、また、X軸方向に水平移動するように構成される。保持テーブル31の上面は図示せぬ吸引源により負圧を生じさせることで、ウェーハ1を吸引保持する保持面31aとして構成される。
図2に示すように、切削機構32は、モータ33と、モータ33を収容するスピンドルハウジング34と、モータ33により回転軸動されるスピンドル35と、スピンドル35の先端に固定される切削ブレード40と、を有して構成される。
図2に示すように、切削機構32は、スピンドルハウジング34が図示せぬ駆動機能によりY軸方向に水平移動するように構成され、切削ブレード40をY軸方向の所定の位置に位置づけるように構成される。
図3に示すように、切削機構32は、スピンドルハウジング34が図示せぬ駆動機能によりZ軸方向に昇降移動するように構成され、切削ブレード40をZ軸方向の所定の高さ位置に位置づけるように構成される。
次に、本発明にかかるウェーハの加工方法の実施例について説明する。図5は、加工方法の一実施形態のフローを示すフローチャートである。以下順に各ステップについて説明する。
<保持ステップ>
図3に示すように、ウェーハ1の基材10側を保持テーブル31で保持し、デバイス層12を露出させるステップである。
ここでは、基材10の裏面10bが保持テーブル31の保持面31aに吸着保持されることで、ウェーハ1が保持テーブル31に保持され、デバイス層12が上側に配置されて露出した状態となる。
<デバイス層除去ステップ>
図4(A)(B)に示すように、少なくともトリミングステップで除去する領域A(図4(B))のデバイス層12を切削ブレード40で切削して除去するステップである。
具体的には、まず、図4(A)に示すように、切削ブレード40の回転軸40cの方向の両側面40a,40bが、ウェーハ1の外周縁10gに対して交差する、つまりは、外周縁10gの接線10sと直交するように、切削ブレードをウェーハに対して所定の位置に位置づける。
次いで、図4(A)(B)に示すように、切削ブレード40を矢印L方向に回転させつつ、Z方向に移動させてデバイス層12に切り込むさまで下降させ、さらに、ウェーハ1(保持テーブル31)を矢印R方向に回転させる。この際、図示せぬノズルからの切削水の供給が行われる。
以上のようにして、基材10に比べて加工しにくく切削ブレード20を摩耗させるデバイス層12が切削され、後のトリミングステップで除去される領域A(図4(B))のデバイス層12があらかじめ除去される。これにより、後のトリミングステップにおいて切削ブレード20がデバイス層12を切削することがなく、デバイス層12を切削した場合に生じる切削ブレード20の偏摩耗の発生を抑制できる。
また、ウェーハ1(保持テーブル31)が矢印R方向に回転するため、加工方向Fa(加工送り方向)が切削ブレード40の回転軸40cの方向(スピンドル35の軸心方向)となる。これにより、切削ブレード40の厚み方向Fbに切削ブレード40が削られる所謂フラットドレスの態様が実現され、切削ブレード40の先端を整形することができる。このようにして、ドレスボードを用いることなく短時間でドレスを行うことができる。
なお、ウェーハ1の上方に位置づけた切削ブレード40を下降させて所定高さに位置づけて切削を行うこととする他、ウェーハ1から離れた位置で切削ブレード40を所定高さに位置づけた後、ウェーハ1と切削ブレード40をX、Y軸方向において相対移動させることで、切削ブレード40をウェーハ1に切り込ませて切削が行われることとしてもよい。
ここで、図4(A)に示すように、切削ブレード40には、その回転軸40cの方向の一側面(モータ33から遠い側)が表側面40aとされ、もう一方の側面が裏側面40bとなる。デバイス層除去ステップでは、ウェーハ1は矢印R方向に回転するため、被加工物はまず切削ブレード40の表面側40aに接触し裏面側40bに向かって加工送りされることになる。このため、切削ブレード40の先端の厚み方向の面が削られてドレスされる際には、切削ブレード40の表側面40aが比較的多く摩耗する一方で、裏側面40bの摩耗が少なくなり、表裏において均等にドレスがされないことが懸念される。
そこで、図4(A)に示すように、切削ブレード40の位置は、ウェーハ1の第1方向(X軸方向)の一側端部を加工するための第1位置P1と、ウェーハ1の中心を挟んで第1位置P1と反対側の他側端部を加工するための第2位置P2と、に設定可能に構成され、所定のタイミングで、第1位置P1と第2位置P2の切り替えが行われる、こととする。
これにより、第1位置P1ではドレスされる際に切削ブレード40の表側面40aが多く摩耗する一方、第2位置P2では裏側面40bが多く摩耗することになり、切削ブレード40の表裏をより均等にドレスすることができる。
なお、切削ブレード40の第1位置P1と第2位置P2の切り替えのタイミングは、例えば、加工するウェーハ1を交換したタイミングや、複数枚のウェーハ1を加工した後のタイミング、などとすることができる。
また、切削ブレード40の第1位置P1と第2位置P2の切り替えは、切削ブレード40とウェーハ1(保持テーブル31)との相対位置関係の切り替えを言うものであり、本実施例の装置構成では、保持テーブル31をX軸方向に移動することで相対位置関係の切り替えが行われるものである。
<トリミングステップ>
図6(A)(B)に示すように、切削ブレード40をウェーハ1の外周に切り込ませつつ保持テーブル31を回転させて面取り部10mを切削し除去するステップである。
具体的には、まず、図6(A)に示すように、切削ブレード40の回転軸40cの方向の表側面40aが、ウェーハ1の外周縁10gに沿うように位置づけられる、つまりは、外周縁10gの接線10sと平行になるように、切削ブレードをウェーハ1に対して所定の位置に位置づける。
次いで、図6(A)(B)に示すように、切削ブレード40を矢印L方向に回転させつつ、Z方向に移動させて面取り部10mに切り込む深さまで下降させ、さらに、ウェーハ1(保持テーブル31)を矢印R方向に回転させる。切削ブレード40が切り込む深さは、後の薄化ステップにおいて裏面研削される際の仕上げ厚みに至る深さとされる。
なお、ウェーハ1の上方に位置づけた切削ブレード40を下降させて所定高さに位置づけて切削を行うこととする他、ウェーハ1から離れた位置で切削ブレード40を所定高さに位置づけた後、ウェーハ1と切削ブレード40をX、Y軸方向において相対移動させることで、切削ブレード40をウェーハ1に切り込ませて切削が行われることとしてもよい。
これにより切削ブレード20が面取り部10mを切削し、面取り部10mの上側(ウェーハ1の表面側)の領域を除去することができる。切削の際には、図示せぬノズルからの切削水の供給が行われる。
ここで、図6(A)(B)に示すように、切削ブレード40においてウェーハ1の中心に近い側の表側面40aが面取り部10mに切込み、もう一方の裏側面40bは開放されることになるため、トリミングの際に切削ブレード40の表側面40aが主に摩耗する一方で、裏側面40bは摩耗が生じないものとなり、表裏において均等に摩耗せず偏摩耗が生じる。
そこで、図6(A)に示すように、切削ブレード40の位置は、ウェーハ1の第2方向(Y軸方向)一側端部を加工するための第3位置P3と、ウェーハ1の中心を挟んで第3位置P3と反対側の他側端部を加工するための第4位置P4と、に設定可能に構成され、所定のタイミングで、第3位置P3と第4位置P4の切り替えが行われる、こととする。
これにより、第3位置P3においては、トリミングされる際に切削ブレード40の表側面40aが主に摩耗する一方、第4位置P4においては、裏側面40bが主に摩耗することになり、切削ブレード40の表裏を均等に摩耗させることができる。
なお、切削ブレード40の第3位置P3と第4位置P4の切り替えのタイミングは、例えば、加工するウェーハ1を交換したタイミングや、複数枚のウェーハ1を加工した後のタイミング、などとすることができる。
また、切削ブレード40の第3位置P3と第4位置P4の切り替えは、切削ブレード40とウェーハ1(保持テーブル31)との相対位置関係の切り替えを言うものであり、本実施例では、切削機構32をY軸方向に移動することで相対位置関係の切り替えが行われる。
<薄化ステップ>
トリミングステップを実施後、図7に示すように、裏面研削装置70の保持テーブル71において、ウェーハ1の表面10a側(デバイス層12側)を保護テープ14を介して保持し、ウェーハ1の裏面10b側を露出させた状態とする。
保持テーブル71を回転させつつ、研削砥石74を備える研削ホイール72を下降させ、ウェーハ1の裏面10bを研削加工(グラインディング)し、所定の仕上げ厚みになるまで薄化する。
この際、トリミングステップにより事前に面取り部が除去されているため、ウェーハの外周部分にナイフエッジ状の尖った部分は形成されないこととなる。
以上のように本発明では、図4に示すように、トリミングステップの前に、基材10に比べて加工しにくく切削ブレード40を摩耗させるデバイス層12を除去するデバイス層除去ステップを実施する。このように、後のトリミングステップで除去される領域のデバイス層12をあらかじめ除去することで、トリミングステップにおける切削ブレード40の偏摩耗の発生を抑制できる。また、デバイス層除去ステップでは、切削ブレード40の側面がウェーハ1の外周縁10gに対して交差するように切削ブレード40を位置づけて加工する。これにより、加工方向(加工送り方向)が切削ブレード40の回転軸40cの方向となり、切削ブレード40の厚み方向に切削ブレード40が削られる所謂フラットドレスの態様が実現され、切削ブレード40の先端を整形することができる。このようにして、ドレスボードを用いることなく短時間でドレスを行うことができる。
また、図4(A)に示すように、デバイス層除去ステップにおいて、切削ブレード40が第1位置P1、又は、第2位置P2に位置づけられ、所定のタイミングで位置が切り替えられることにより、切削ブレード40の両側面(表側面40a,裏側面40b)についてより均等にドレスをすることができ、偏摩耗を解消することができる。
また、図6(A)に示すように、トリミングステップにおいて、切削ブレードが第3位置、又は、第3位置に位置づけられ、所定のタイミングで位置が切り替えられることにより、切削ブレード40の両側面(表側面40a,裏側面40b)についてより均等に摩耗を生じさせることができ、偏摩耗を生じにくくすることができる。
1 ウェーハ
10 基材
10a 表面
10b 裏面
10g 外周縁
10m 面取り部
10s 接線
11 デバイス
12 デバイス層
13 分割予定ライン
20 切削ブレード
30 切削装置
31 保持テーブル
31a 保持面
32 切削機構
33 モータ
34 スピンドルハウジング
35 スピンドル
40 切削ブレード
40a 表側面
40b 裏側面
40c 回転軸
A1 領域
F1 第1方向
F2 第2方向
P1 第1位置
P2 第2位置
P3 第3位置
P4 第4位置

Claims (3)

  1. 基材と、該基材上に積層されたデバイス層と、を有するウェーハであって、外周に面取り部が形成されたウェーハの加工方法であって、
    該ウェーハの該基材側を保持テーブルで保持し、該デバイス層を露出させる保持ステップと、
    該保持ステップを実施した後、切削ブレードをウェーハの外周に切り込ませつつ該保持テーブルを回転させて該面取り部を切削し除去するトリミングステップと、
    該トリミングステップを実施する前に、少なくとも該トリミングステップで除去する領域の該デバイス層を該切削ブレードで切削して除去するデバイス層除去ステップと、
    を備え、
    該デバイス層除去ステップでは、該切削ブレードの側面がウェーハの外周縁に対して交差するように該切削ブレードが位置づけられ、
    該トリミングステップでは、該切削ブレードの側面がウェーハの外周縁に沿うように該切削ブレードが位置づけられる、ウェーハの加工方法。
  2. 該デバイス層除去ステップにおいて、
    該切削ブレードは、
    該ウェーハの第1方向の一側端部を加工するための第1位置、又は、
    該ウェーハの中心を挟んで該第1位置と反対側の他側端部を加工するための第2位置、
    に位置づけられ、
    該切削ブレードは、所定のタイミングで第1位置と第2位置のいずれか一方の位置から、他方の位置へと位置づけられる、
    ことを特徴とする請求項1に記載のウェーハの加工方法。
  3. 該トリミングステップにおいて、
    該切削ブレードの位置は、
    該ウェーハの第2方向の一側端部を加工するための第3位置、又は、
    該ウェーハの中心を挟んで該第3位置と反対側の他側端部を加工するための第4位置、
    に位置づけられ、
    該切削ブレードは、所定のタイミングで第3位置と第4位置のいずれか一方の位置から、他方の位置へと位置づけられる、
    ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のウェーハの加工方法。
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