JP2022093557A - フォトマスクブランク、及びフォトマスクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクブランク、及びフォトマスクの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022093557A JP2022093557A JP2022074539A JP2022074539A JP2022093557A JP 2022093557 A JP2022093557 A JP 2022093557A JP 2022074539 A JP2022074539 A JP 2022074539A JP 2022074539 A JP2022074539 A JP 2022074539A JP 2022093557 A JP2022093557 A JP 2022093557A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- chromium
- region
- transparent substrate
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 14
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 297
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 267
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 264
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 134
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 69
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 58
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 58
- 150000001845 chromium compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 46
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 46
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 602
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims description 105
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 43
- 239000012788 optical film Substances 0.000 claims description 42
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 39
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 38
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 26
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 13
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 7
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 91
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 72
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 68
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 54
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 38
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 34
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 30
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 25
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 23
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 13
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 13
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000011161 development Methods 0.000 description 11
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 11
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 11
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 8
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 7
- -1 Zr) Chemical class 0.000 description 6
- 150000001844 chromium Chemical class 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 5
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
Description
(1)クロムと酸素と炭素とを含有するクロム化合物からなり、含有元素の各々の含有率が厚さ方向に連続的に変化し、かつ上記透明基板に向かって、クロム含有率が増加し、炭素含有率が減少している領域(A)のみから、
(2)上記領域(A)と、上記領域(A)の上記透明基板側又は上記透明基板から離間する側に接して形成され、クロムと酸素と炭素とを含有するクロム化合物からなり、含有元素の各々の含有率が厚さ方向に一定である領域(B)とから、又は
(3)上記領域(A)又は上記領域(A)及び(B)と、クロム含有膜の上記透明基板から最も離間する側に形成され、クロムと酸素と炭素とを含有するクロム化合物からなり、含有元素の各々の含有率が厚さ方向に連続的に変化し、かつ上記透明基板に向かって、酸素含有率が減少している領域(C)とから
なるように構成することにより、クロム含有膜のエッチング後のマスクパターンの断面形状の垂直性が高くなり、より微細なフォトマスクパターンを形成する場合にあっても、クロム含有膜のフォトマスクパターンを高精度で形成できることを見出し、本発明をなすに至った。
請求項1:
波長が250nm以下の露光光でパターン転写が行われるフォトマスクの素材となるフォトマスクブランクであって、
該フォトマスクブランクが、透明基板と、透明基板上に直接又は光学膜を介して形成された、酸素を含む塩素系ドライエッチングでエッチングされるクロム含有膜とを含み、
該クロム含有膜が、
(3)クロムと酸素と炭素とを含有するクロム化合物からなり、窒素含有率が10at%以下であり、含有元素の各々の含有率が厚さ方向に連続的に変化し、かつ上記透明基板に向かって、クロム含有率が増加し、炭素含有率が減少している領域(A)又は上記領域(A)及び上記領域(A)の上記透明基板側又は上記透明基板から離間する側に接して形成され、クロムと酸素と炭素とを含有するクロム化合物からなり、含有元素の各々の含有率が厚さ方向に一定である領域(B)と、クロム含有膜の上記透明基板から最も離間する側に形成され、クロムと酸素と炭素とを含有するクロム化合物からなり、含有元素の各々の含有率が厚さ方向に連続的に変化し、かつ上記透明基板に向かって、酸素含有率が減少している領域(C)とから
なることを特徴とするフォトマスクブランク。
請求項2:
波長が250nm以下の露光光でパターン転写が行われるフォトマスクの素材となるフォトマスクブランクであって、
該フォトマスクブランクが、透明基板と、透明基板上に直接又は光学膜を介して形成された、酸素を含む塩素系ドライエッチングでエッチングされるクロム含有膜とを含み、
該クロム含有膜が、
(3)クロムと酸素と炭素とを含有するクロム化合物からなり、含有元素の各々の含有率が厚さ方向に連続的に変化し、かつ上記透明基板に向かって、クロム含有率が増加し、炭素含有率が減少している領域(A)及び上記領域(A)の上記透明基板側又は上記透明基板から離間する側に接して形成され、クロムと酸素と炭素とを含有するクロム化合物からなり、窒素含有率が10at%以下であり、含有元素の各々の含有率が厚さ方向に一定である領域(B)と、クロム含有膜の上記透明基板から最も離間する側に形成され、クロムと酸素と炭素とを含有するクロム化合物からなり、含有元素の各々の含有率が厚さ方向に連続的に変化し、かつ上記透明基板に向かって、酸素含有率が減少している領域(C)とから
なることを特徴とするフォトマスクブランク。
請求項3:
上記領域(A)におけるクロム含有率(at%)の最大値と最小値の差が3以上であり、上記領域(A)又は上記領域(A)及び(B)のクロム含有率が45at%以上であることを特徴とする請求項1又は2記載のフォトマスクブランク。
請求項4:
上記領域(A)における炭素含有率(at%)の最大値と最小値の差が5以上であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
請求項5:
上記領域(A)を構成するクロム化合物が、更に窒素を含有し、上記領域(A)が、上記透明基板に向かって、窒素含有率が増加していることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
請求項6:
上記クロム含有膜の膜厚が50nm以下であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
請求項7:
上記クロム含有膜の露光光に対する光学濃度が1.5以上であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
請求項8:
上記クロム含有膜が、上記光学膜を介して形成されており、上記光学膜が、ケイ素を含有し遷移金属を含有しない材料又は遷移金属及びケイ素を含有する材料からなる位相シフト膜を含むことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
請求項9:
上記クロム含有膜及び位相シフト膜の露光光に対する光学濃度の合計が2.5以上であることを特徴とする請求項8記載のフォトマスクブランク。
請求項10:
上記クロム含有膜上に、ケイ素を含有する材料からなるハードマスク膜を含むことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
請求項11:
上記領域(C)の厚さが、クロム含有膜全体の10%以下であることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
請求項12:
上記領域(C)の厚さが5nm未満であることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
請求項13:
請求項1乃至12のいずれか1項記載のフォトマスクブランクの上記クロム含有膜を、酸素を含む塩素系ドライエッチングによりパターンニングする工程を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
本発明のフォトマスクブランクは、波長が250nm以下、特に200nm以下の露光光、例えば、KrFエキシマレーザ(248nm)、ArFエキシマレーザ(193nm)などでパターン転写が行われるフォトマスクを製造するための素材として好適に用いられ、露光光でパターン転写が行われるフォトマスクの素材となるフォトマスクブランクである。
(1)クロムと酸素と炭素とを含有するクロム化合物からなり、含有元素の各々の含有率が厚さ方向に連続的に変化し、かつ透明基板に向かって、クロム含有率が増加し、炭素含有率が減少している領域(A)のみからなるもの。
(2)領域(A)と、領域(A)の透明基板側又は透明基板から離間する側に接して形成され、クロムと酸素と炭素とを含有するクロム化合物からなり、含有元素の各々の含有率が厚さ方向に一定である領域(B)とからなるもの。
(3)領域(A)又は領域(A)及び(B)と、クロム含有膜の透明基板から最も離間する側に形成され、クロムと酸素と炭素とを含有するクロム化合物からなり、含有元素の各々の含有率が厚さ方向に連続的に変化し、かつ透明基板に向かって、酸素含有率が減少している領域(C)とからなるもの。
まず、DCスパッタリング装置にて、ターゲットとしてケイ素ターゲット、スパッタリングガスとして、アルゴンガス及び窒素ガスを用い、ターゲットの放電電力を2,000W、アルゴンガス流量を15sccm、窒素ガス流量を50sccmとして、6025石英基板上に、ハーフトーン位相シフト膜として、ArFエキシマレーザ光の波長である193nmでの位相差が177°、透過率が19%(光学濃度ODは0.72)である膜厚60nmのSiN膜(Si:N=47:53(原子比))をスパッタリングにより成膜した。
まず、DCスパッタリング装置にて、ターゲットとしてケイ素ターゲット、スパッタリングガスとして、アルゴンガス及び窒素ガスを用い、ターゲットの放電電力を2,000W、アルゴンガス流量を15sccm、窒素ガス流量を50sccmとして、6025石英基板上に、ハーフトーン位相シフト膜として、ArFエキシマレーザ光の波長である193nmでの位相差が177°、透過率が19%(光学濃度ODは0.72)である膜厚60nmのSiN膜(Si:N=47:53(原子比))をスパッタリングにより成膜した。
まず、DCスパッタリング装置にて、ターゲットとしてケイ素ターゲット、スパッタリングガスとして、アルゴンガス及び窒素ガスを用い、ターゲットの放電電力を2,000W、アルゴンガス流量を15sccm、窒素ガス流量を50sccmとして、6025石英基板上に、ハーフトーン位相シフト膜として、ArFエキシマレーザ光の波長である193nmでの位相差が177°、透過率が19%(光学濃度ODは0.72)である膜厚60nmのSiN膜(Si:N=47:53(原子比))をスパッタリングにより成膜した。
まず、DCスパッタリング装置にて、ターゲットとしてケイ素ターゲット、スパッタリングガスとして、アルゴンガス及び窒素ガスを用い、ターゲットの放電電力を2,000W、アルゴンガス流量を15sccm、窒素ガス流量を50sccmとして、6025石英基板上に、ハーフトーン位相シフト膜として、ArFエキシマレーザ光の波長である193nmでの位相差が177°、透過率が19%(光学濃度ODは0.72)である膜厚60nmのSiN膜(Si:N=47:53(原子比))をスパッタリングにより成膜した。
まず、DCスパッタリング装置にて、ターゲットとしてケイ素ターゲット、スパッタリングガスとして、アルゴンガス及び窒素ガスを用い、ターゲットの放電電力を2,000W、アルゴンガス流量を15sccm、窒素ガス流量を50sccmとして、6025石英基板上に、ハーフトーン位相シフト膜として、ArFエキシマレーザ光の波長である193nmでの位相差が177°、透過率が19%(光学濃度ODは0.72)である膜厚60nmのSiN膜(Si:N=47:53(原子比))をスパッタリングにより成膜した。
2 クロム含有膜
3 光学膜
4 ハードマスク膜
101、102、103 フォトマスクブランク
Claims (13)
- 波長が250nm以下の露光光でパターン転写が行われるフォトマスクの素材となるフォトマスクブランクであって、
該フォトマスクブランクが、透明基板と、透明基板上に直接又は光学膜を介して形成された、酸素を含む塩素系ドライエッチングでエッチングされるクロム含有膜とを含み、
該クロム含有膜が、
(3)クロムと酸素と炭素とを含有するクロム化合物からなり、窒素含有率が10at%以下であり、含有元素の各々の含有率が厚さ方向に連続的に変化し、かつ上記透明基板に向かって、クロム含有率が増加し、炭素含有率が減少している領域(A)又は上記領域(A)及び上記領域(A)の上記透明基板側又は上記透明基板から離間する側に接して形成され、クロムと酸素と炭素とを含有するクロム化合物からなり、含有元素の各々の含有率が厚さ方向に一定である領域(B)と、クロム含有膜の上記透明基板から最も離間する側に形成され、クロムと酸素と炭素とを含有するクロム化合物からなり、含有元素の各々の含有率が厚さ方向に連続的に変化し、かつ上記透明基板に向かって、酸素含有率が減少している領域(C)とから
なることを特徴とするフォトマスクブランク。 - 波長が250nm以下の露光光でパターン転写が行われるフォトマスクの素材となるフォトマスクブランクであって、
該フォトマスクブランクが、透明基板と、透明基板上に直接又は光学膜を介して形成された、酸素を含む塩素系ドライエッチングでエッチングされるクロム含有膜とを含み、
該クロム含有膜が、
(3)クロムと酸素と炭素とを含有するクロム化合物からなり、含有元素の各々の含有率が厚さ方向に連続的に変化し、かつ上記透明基板に向かって、クロム含有率が増加し、炭素含有率が減少している領域(A)及び上記領域(A)の上記透明基板側又は上記透明基板から離間する側に接して形成され、クロムと酸素と炭素とを含有するクロム化合物からなり、窒素含有率が10at%以下であり、含有元素の各々の含有率が厚さ方向に一定である領域(B)と、クロム含有膜の上記透明基板から最も離間する側に形成され、クロムと酸素と炭素とを含有するクロム化合物からなり、含有元素の各々の含有率が厚さ方向に連続的に変化し、かつ上記透明基板に向かって、酸素含有率が減少している領域(C)とから
なることを特徴とするフォトマスクブランク。 - 上記領域(A)におけるクロム含有率(at%)の最大値と最小値の差が3以上であり、上記領域(A)又は上記領域(A)及び(B)のクロム含有率が45at%以上であることを特徴とする請求項1又は2記載のフォトマスクブランク。
- 上記領域(A)における炭素含有率(at%)の最大値と最小値の差が5以上であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
- 上記領域(A)を構成するクロム化合物が、更に窒素を含有し、上記領域(A)が、上記透明基板に向かって、窒素含有率が増加していることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
- 上記クロム含有膜の膜厚が50nm以下であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
- 上記クロム含有膜の露光光に対する光学濃度が1.5以上であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
- 上記クロム含有膜が、上記光学膜を介して形成されており、上記光学膜が、ケイ素を含有し遷移金属を含有しない材料又は遷移金属及びケイ素を含有する材料からなる位相シフト膜を含むことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
- 上記クロム含有膜及び位相シフト膜の露光光に対する光学濃度の合計が2.5以上であることを特徴とする請求項8記載のフォトマスクブランク。
- 上記クロム含有膜上に、ケイ素を含有する材料からなるハードマスク膜を含むことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
- 上記領域(C)の厚さが、クロム含有膜全体の10%以下であることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
- 上記領域(C)の厚さが5nm未満であることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
- 請求項1乃至12のいずれか1項記載のフォトマスクブランクの上記クロム含有膜を、酸素を含む塩素系ドライエッチングによりパターンニングする工程を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022074539A JP7231094B2 (ja) | 2018-12-12 | 2022-04-28 | フォトマスクブランク、及びフォトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018232298A JP7115281B2 (ja) | 2018-12-12 | 2018-12-12 | フォトマスクブランク、及びフォトマスクの製造方法 |
JP2022074539A JP7231094B2 (ja) | 2018-12-12 | 2022-04-28 | フォトマスクブランク、及びフォトマスクの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018232298A Division JP7115281B2 (ja) | 2018-12-12 | 2018-12-12 | フォトマスクブランク、及びフォトマスクの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022093557A true JP2022093557A (ja) | 2022-06-23 |
JP7231094B2 JP7231094B2 (ja) | 2023-03-01 |
Family
ID=87888989
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022074539A Active JP7231094B2 (ja) | 2018-12-12 | 2022-04-28 | フォトマスクブランク、及びフォトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7231094B2 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007029826A1 (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-15 | Hoya Corporation | フォトマスクブランクとその製造方法、及びフォトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
WO2007037383A1 (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Hoya Corporation | フォトマスクブランク及びその製造方法、フォトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
JP2007094250A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Hoya Corp | フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法 |
WO2017141605A1 (ja) * | 2016-02-15 | 2017-08-24 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
WO2018168464A1 (ja) * | 2017-03-16 | 2018-09-20 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクおよび半導体デバイスの製造方法 |
JP2018180170A (ja) * | 2017-04-08 | 2018-11-15 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
-
2022
- 2022-04-28 JP JP2022074539A patent/JP7231094B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007029826A1 (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-15 | Hoya Corporation | フォトマスクブランクとその製造方法、及びフォトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
WO2007037383A1 (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Hoya Corporation | フォトマスクブランク及びその製造方法、フォトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
JP2007094250A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Hoya Corp | フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法 |
WO2017141605A1 (ja) * | 2016-02-15 | 2017-08-24 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
WO2018168464A1 (ja) * | 2017-03-16 | 2018-09-20 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクおよび半導体デバイスの製造方法 |
JP2018180170A (ja) * | 2017-04-08 | 2018-11-15 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7231094B2 (ja) | 2023-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI648591B (zh) | 空白光罩 | |
TWI630455B (zh) | 空白光罩 | |
US8043771B2 (en) | Phase shift mask blank and method of manufacturing phase shift mask | |
TWI636319B (zh) | 半色調相位移型空白光罩之製造方法 | |
JP2015049282A (ja) | 表示装置製造用フォトマスク、該フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置の製造方法 | |
JP6398927B2 (ja) | フォトマスクブランク、その製造方法及びフォトマスク | |
JP2017033004A (ja) | 表示装置製造用フォトマスク、該フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置の製造方法 | |
JP6819546B2 (ja) | フォトマスクブランク、及びフォトマスクの製造方法 | |
JP7115281B2 (ja) | フォトマスクブランク、及びフォトマスクの製造方法 | |
JP2022093557A (ja) | フォトマスクブランク、及びフォトマスクの製造方法 | |
JP6753375B2 (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法 | |
JP6947207B2 (ja) | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク及びハーフトーン位相シフト型フォトマスク | |
TW202419982A (zh) | 光罩空白基板及光罩之製造方法 | |
JP2022011477A (ja) | フォトマスクの製造方法及びフォトマスクブランク |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220502 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20221222 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230117 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230130 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7231094 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |