JP2022069030A - Method for producing low-dielectric resin composition, low-dielectric resin composition, molded article, and flexible printed wiring board - Google Patents

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隆宏 秋永
Takahiro Akinaga
雄一 今村
Yuichi Imamura
明 菊澤
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Abstract

To provide a low-dielectric resin composition and a method for producing the same that has good melt processability and excellent low-dielectric property in a high-frequency band as compared with a low-dielectric material such as a liquid crystal polymer, a molded article and a film that are made of the low-dielectric resin composition, and a flexible printed wiring board that includes the film.SOLUTION: The low-dielectric resin composition is produced by a method comprising melt-kneading a liquid crystal polymer (A) and a graft-modified polyolefin (B) having an epoxy group. An amount of modification in the graft-modified polyolefin (B) having an epoxy group by a vinyl monomer having an epoxy group is 5 mass% or less. The obtained low-dielectric resin composition has a relative dielectric constant at a frequency of 10 GHz, of 2.80 or less, and a dielectric loss tangent at a frequency of 10 GHz, of 0.0025 or less.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、低誘電樹脂組成物の製造方法と、当該製造方法により製造され得る低誘電樹脂組成物と、当該低誘電樹脂組成物からなる成形品及びフィルムと、当該低誘電樹脂組成物からなるフィルムを含むフレキシブルプリント配線板とに関する。 The present invention comprises a method for producing a low dielectric resin composition, a low dielectric resin composition that can be produced by the production method, a molded product and a film made of the low dielectric resin composition, and the low dielectric resin composition. With respect to flexible printed wiring boards including films.

近年、スマートフォン等の通信機器や、次世代テレビ等の電子機器において、大容量のデータを高速に送受信することが要求されている。これに伴い、電気信号の高周波数化が進んでいる。具体的には、無線通信分野では、2020年頃に、第5世代移動通信システム(5G)の導入が見込まれる。第5世代移動通信システムの導入に際して、10GHz以上の高周波数帯域の使用が検討されている。 In recent years, communication devices such as smartphones and electronic devices such as next-generation televisions are required to transmit and receive large amounts of data at high speed. Along with this, the frequency of electric signals is increasing. Specifically, in the field of wireless communication, the introduction of the 5th generation mobile communication system (5G) is expected around 2020. When introducing the 5th generation mobile communication system, the use of a high frequency band of 10 GHz or more is being considered.

しかしながら、使用される信号の周波数が高くなるに伴い、情報の誤認識を招きうる出力信号の品質低下、すなわち、伝送損失が大きくなる。この伝送損失は、導体に起因する導体損失と、電子機器や通信機器における基板等の電気電子部品を構成する絶縁用の樹脂に起因する誘電損失とからなるが、導体損失は使用する周波数の0.5乗、誘電損失は周波数の1乗に比例するため、高周波帯、とりわけGHz帯においては、この誘電損失による影響が非常に大きくなる。 However, as the frequency of the signal used increases, the quality of the output signal, which can lead to misrecognition of information, deteriorates, that is, the transmission loss increases. This transmission loss consists of a conductor loss caused by a conductor and a dielectric loss caused by an insulating resin constituting an electric / electronic component such as a substrate in an electronic device or a communication device. The conductor loss is 0 at the frequency used. Since the fifth power and the dielectric loss are proportional to the first power of the frequency, the influence of this dielectric loss becomes very large in the high frequency band, particularly in the GHz band.

このため、伝送損失を低減するために、誘電損失に係る因子である比誘電率と、誘電正接とが低い低誘電材料が求められている。このような事情から、高周波数帯域で使用される低誘電材料として、例えば、液晶ポリマーの使用が検討されている(特許文献1を参照)。 Therefore, in order to reduce the transmission loss, there is a demand for a low-dielectric material having a low relative permittivity and a dielectric loss tangent, which are factors related to the dielectric loss. Under these circumstances, for example, the use of a liquid crystal polymer as a low-dielectric material used in a high frequency band has been studied (see Patent Document 1).

特開2012-077117号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-07717

しかしながら、液晶ポリマー等の低誘電樹脂又はその組成物について、伝送損失のさらなる低減のために、さらなる低誘電特性が求められている。 However, a low-dielectric resin such as a liquid crystal polymer or a composition thereof is required to have further low-dielectric properties in order to further reduce the transmission loss.

また、液晶ポリマーには、その異方性に起因して溶融加工が困難である問題がある。例えば、液晶ポリマーを、代表的なフィルム製造方法である押出法によりフィルム化する場合、ダイから吐出される溶融した液晶ポリマーが、吐出方向のせん断力による溶融粘度の低下に起因してすぐに垂れてしまい、フィルムの引き取りが困難である。
仮にフィルムを引き取ることができたとしても、フィルムにおける液晶ポリマーの配向に起因して、得られるフィルムは非常に裂けやすい。
Further, the liquid crystal polymer has a problem that melting processing is difficult due to its anisotropy. For example, when a liquid crystal polymer is formed into a film by an extrusion method, which is a typical film manufacturing method, the melted liquid crystal polymer discharged from the die immediately drips due to a decrease in melt viscosity due to a shearing force in the discharge direction. It is difficult to pick up the film.
Even if the film could be picked up, the resulting film would be very liable to tear due to the orientation of the liquid crystal polymer in the film.

さらに、液晶ポリマーについて、その異方性に起因して、ストランドを切断することによるペレットの製造が難しい問題がある。具体的には、例えば、ストランドを切断できなかったり、切断できたとしてもきれいな切断面を形成できずペレットにヒゲが発生しやすい問題がある。ペレットの形状の不均一さやペレットにおけるヒゲは、液晶ポリマーの成形加工時の、液晶ポリマーの計量の不安定さの一因となる。 Further, the liquid crystal polymer has a problem that it is difficult to produce pellets by cutting the strands due to its anisotropy. Specifically, for example, there is a problem that the strand cannot be cut, or even if the strand can be cut, a clean cut surface cannot be formed and whiskers are likely to occur on the pellet. Non-uniformity of the shape of the pellets and whiskers on the pellets contribute to the instability of weighing the liquid crystal polymer during molding.

本発明は、上記の課題に鑑みなされたものであって、溶融加工性が良好であるとともに、液晶ポリマー等の低誘電材料よりも高周波帯域における低誘電特性に優れる低誘電樹脂組成物及びその製造方法と、当該低誘電樹脂組成物からなる成形品及びフィルムと、前述のフィルムを含むフレキシブルプリント配線板とを提供することとを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and is a low-dielectric resin composition having good melt processability and excellent low-dielectric property in a high-frequency band as compared with a low-dielectric material such as a liquid crystal polymer, and production thereof. It is an object of the present invention to provide a molded product and a film made of the low-dielectric resin composition, and a flexible printed wiring board including the above-mentioned film.

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、本発明を完成するに至った。 As a result of diligent studies to solve the above problems, the present inventors have completed the present invention.

すなわち、本発明は、以下の(1)~(12)を提供する。
(1)液晶ポリマー(A)と、エポキシ基を有するグラフト変性ポリオレフィン(B)とを溶融混錬することを含む低誘電樹脂組成物の製造方法であって、
エポキシ基を有するグラフト変性ポリオレフィン(B)における、エポキシ基を有するビニル単量体による変性量が5質量%以下であり、
得られる低誘電樹脂組成物について、周波数10GHzにおける比誘電率が2.80以下であり、周波数10GHzにおける誘電正接が、0.0025以下である、低誘電樹脂組成物の製造方法。
(2)低誘電樹脂組成物が、液晶ポリマー(A)が海成分である海島構造をとるか、海島構造とともに、液晶ポリマー(A)とグラフト変性ポリオレフィン(B)とがともに連続相を形成する共連続構造をとる、(1)に記載の低誘電樹脂組成物の製造方法。
(3)グラフト変性ポリオレフィンが(B)が、ポリメチルペンテンと、エポキシ基を有するビニル単量体とのグラフト共重合体であり、グラフト変性ポリオレフィン(B)の融点が200℃以上である、(1)又は(2)に記載の低誘電樹脂組成物の製造方法。
(4)グラフト変性ポリオレフィン(B)が、グリシジル(メタ)アクリレートと、スチレンとによってグラフト変性されたポリオレフィンである、(1)~(3)のいずれか1つに記載の低誘電樹脂組成物の製造方法。
(5)液晶ポリマー(A)の質量MAと、グラフト変性ポリオレフィン(B)の質量MBとの比率MA/MBが、95/5~55/45である、(1)~(4)のいずれかに記載の低誘電樹脂組成物の製造方法。
(6)液晶ポリマー(A)と、エポキシ基を有するグラフト変性ポリオレフィン(B)とが溶融混錬された組成物であって、
エポキシ基を有するグラフト変性ポリオレフィン(B)における、エポキシ基を有するビニル単量体による変性量が5質量%以下であり、
周波数10GHzにおける比誘電率が2.80以下であり、周波数10GHzにおける誘電正接が、0.0025以下である、低誘電樹脂組成物。
(7)(6)に記載の低誘電樹脂組成物を用いて形成された成形品。
(8)(7)に記載の低誘電樹脂組成物を用いて形成されたフィルム。
(9)(8)に記載のフィルムを含む、フレキシブルプリント配線板。
That is, the present invention provides the following (1) to (12).
(1) A method for producing a low-dielectric resin composition, which comprises melt-kneading a liquid crystal polymer (A) and a graft-modified polyolefin (B) having an epoxy group.
In the graft-modified polyolefin (B) having an epoxy group, the amount of modification by the vinyl monomer having an epoxy group is 5% by mass or less.
A method for producing a low-dielectric resin composition, wherein the obtained low-dielectric resin composition has a relative permittivity of 2.80 or less at a frequency of 10 GHz and a dielectric loss tangent of 0.0025 or less at a frequency of 10 GHz.
(2) The low-dielectric resin composition has a sea-island structure in which the liquid crystal polymer (A) is a sea component, or the liquid crystal polymer (A) and the graft-modified polyolefin (B) form a continuous phase together with the sea-island structure. The method for producing a low-dielectric resin composition according to (1), which has a co-continuous structure.
(3) The graft-modified polyolefin (B) is a graft copolymer of polymethylpentene and a vinyl monomer having an epoxy group, and the melting point of the graft-modified polyolefin (B) is 200 ° C. or higher. The method for producing a low dielectric resin composition according to 1) or (2).
(4) The low dielectric resin composition according to any one of (1) to (3), wherein the graft-modified polyolefin (B) is a polyolefin graft-modified with glycidyl (meth) acrylate and styrene. Production method.
(5) Any of (1) to (4), wherein the ratio MA / MB of the mass MA of the liquid crystal polymer (A) to the mass MB of the graft-modified polyolefin (B) is 95/5 to 55/45. The method for producing a low-dielectric resin composition according to.
(6) A composition obtained by melt-kneading the liquid crystal polymer (A) and the graft-modified polyolefin (B) having an epoxy group.
In the graft-modified polyolefin (B) having an epoxy group, the amount of modification by the vinyl monomer having an epoxy group is 5% by mass or less.
A low dielectric resin composition having a relative permittivity of 2.80 or less at a frequency of 10 GHz and a dielectric loss tangent of 0.0025 or less at a frequency of 10 GHz.
(7) A molded product formed by using the low-dielectric resin composition according to (6).
(8) A film formed by using the low-dielectric resin composition according to (7).
(9) A flexible printed wiring board containing the film according to (8).

本発明によれば、溶融加工性が良好であるとともに、液晶ポリマー等の低誘電材料よりも高周波帯域における低誘電特性に優れる低誘電樹脂組成物及びその製造方法と、当該低誘電樹脂組成物からなる成形品及びフィルムと、前述のフィルムを含むフレキシブルプリント配線板とを提供することができる。 According to the present invention, a low-dielectric resin composition having good melt processability and excellent low-dielectric property in a high-frequency band as compared with a low-dielectric material such as a liquid crystal polymer, a method for producing the same, and the low-dielectric resin composition. A molded product and a film thereof, and a flexible printed wiring board including the above-mentioned film can be provided.

実施例、及び比較例の結果に基づいて作成された、液晶ポリマーA-1と、変性ポリオレフィン1とについての、両者の混合比率と、誘電特性との関係を示すグラフを示す図である。It is a figure which shows the graph which showed the relationship between the mixing ratio of the liquid crystal polymer A-1 and the modified polyolefin 1 and the dielectric property, which were prepared based on the result of an Example and a comparative example. 実施例、及び比較例の結果に基づいて作成された、液晶ポリマーA-1と、変性ポリオレフィン2とについての、両者の混合比率と、誘電特性との関係を示すグラフを示す図である。It is a figure which shows the graph which showed the relationship between the mixing ratio of the liquid crystal polymer A-1 and the modified polyolefin 2 and the dielectric property, which were prepared based on the result of an Example and a comparative example. 実施例、及び比較例の結果に基づいて作成された、液晶ポリマーA-1と、未変性ポリメチルペンテンとについての、両者の混合比率と、誘電特性との関係を示すグラフを示す図である。It is a figure which shows the graph which shows the relationship between the mixing ratio of the liquid crystal polymer A-1 and unmodified polymethylpentene, and the dielectric property, which were prepared based on the result of an Example and a comparative example. ..

≪低誘電樹脂組成物の製造方法≫
低誘電樹脂組成物は、液晶ポリマー(A)と、エポキシ基を有するグラフト変性ポリオレフィン(B)とエポキシを含む方法により製造される。
また、エポキシ基を有するグラフト変性ポリオレフィン(B)における、エポキシ基を有するビニル単量体による変性量が5質量%以下である。
さらに、上記の要件を満たす方法により製造される低誘電樹脂組成物について、周波数10GHzにおける比誘電率が2.80以下であり、周波数10GHzにおける誘電正接が、0.0025以下である。
上記の所定の条件を満たすグラフト変性ポリオレフィン(B)を、液晶ポリマー(A)と溶融混錬することにより、グラフト変性ポリオレフィン(B)が有するエポキシ基を、液晶ポリマー(A)が有するカルボキシ基やフェノール性水酸基と反応させながら、液晶ポリマー(A)とグラフト変性ポリオレフィン(B)とを良好に分散させることができ、その結果として、溶融加工性が良好であるとともに、液晶ポリマー等の低誘電材料よりも高周波帯域における低誘電特性に優れる低誘電樹脂組成物が得られる。
<< Manufacturing method of low-dielectric resin composition >>
The low-dielectric resin composition is produced by a method containing a liquid crystal polymer (A), a graft-modified polyolefin (B) having an epoxy group, and an epoxy.
Further, in the graft-modified polyolefin (B) having an epoxy group, the amount of modification by the vinyl monomer having an epoxy group is 5% by mass or less.
Further, the low dielectric resin composition produced by the method satisfying the above requirements has a relative permittivity of 2.80 or less at a frequency of 10 GHz and a dielectric loss tangent of 0.0025 or less at a frequency of 10 GHz.
By melt-kneading the graft-modified polyolefin (B) satisfying the above-mentioned predetermined conditions with the liquid crystal polymer (A), the epoxy group of the graft-modified polyolefin (B) can be replaced with the carboxy group of the liquid crystal polymer (A). The liquid crystal polymer (A) and the graft-modified polyolefin (B) can be satisfactorily dispersed while reacting with the phenolic hydroxyl group, and as a result, the melt processability is good and a low dielectric material such as a liquid crystal polymer is obtained. A low-dielectric resin composition having excellent low-dielectric properties in a higher frequency band can be obtained.

低誘電樹脂組成物の10GHzにおける比誘電率は、液晶ポリマー(A)単独の周波数10GHzにおける比誘電率より低い値である。また、低誘電樹脂組成物の10GHzにおける誘電正接は、グラフト変性ポリオレフィン(B)単独の周波数10GHzにおける誘電正接のうちの低い値以下である。
また、前述の通り、低誘電樹脂組成物の10GHzにおける誘電正接は、0.0025以下であり、0.0023以下が好ましく、0.0021以下がより好ましい。前述の誘電正接の下限は特に限定されない。誘電正接の下限は、例えば、0.0005以上であってよく、0.0010以上であってもよい。
さらに、上記の低誘電樹脂組成物の周波数10GHzにおける比誘電率は、2.80以下であり、2.60以下が好ましく、2.50以下より好ましい。前述の比誘電率の下限は特に限定されない。比誘電率の下限は、例えば、2.00以上であってよく、2.50以上であってもよい。
The relative permittivity of the low-dielectric resin composition at 10 GHz is lower than the relative permittivity of the liquid crystal polymer (A) alone at a frequency of 10 GHz. Further, the dielectric loss tangent at 10 GHz of the low dielectric resin composition is not less than the lower value of the dielectric loss tangent at the frequency of 10 GHz for the graft-modified polyolefin (B) alone.
Further, as described above, the dielectric loss tangent of the low dielectric resin composition at 10 GHz is 0.0025 or less, preferably 0.0023 or less, and more preferably 0.0021 or less. The lower limit of the dielectric loss tangent described above is not particularly limited. The lower limit of the dielectric loss tangent may be, for example, 0.0005 or more, and may be 0.0010 or more.
Further, the relative permittivity of the above low-dielectric resin composition at a frequency of 10 GHz is 2.80 or less, preferably 2.60 or less, and more preferably 2.50 or less. The lower limit of the above-mentioned relative permittivity is not particularly limited. The lower limit of the relative permittivity may be, for example, 2.00 or more, or 2.50 or more.

上記の方法により製造される低誘電樹脂組成物は、低誘電特性を活かし、高周波数帯域で使用される電気、電子部品、情報通信装置、当該情報通信装置の部品等の用途において好適に使用される。 The low-dielectric resin composition produced by the above method utilizes low-dielectric properties and is suitably used in applications such as electrical and electronic parts, information communication devices, and parts of the information communication device used in a high frequency band. To.

上記の低誘電樹脂組成物は、液晶ポリマー(A)と、グラフト変性ポリオレフィン(B)との混合比率、液晶ポリマー(A)の融点、グラフト変性ポリオレフィン(B)の融点、液晶ポリマー(A)の融点とグラフト変性ポリオレフィン(B)の融点との差、液晶ポリマー(A)と、グラフト変性ポリオレフィン(B)とを混合する際の温度、グラフト変性ポリオレフィン(B)の変性率等の様々な条件に応じて、種々の相状態を形成し得る。 The above low dielectric resin composition comprises a mixing ratio of the liquid crystal polymer (A) and the graft-modified polyolefin (B), a melting point of the liquid crystal polymer (A), a melting point of the graft-modified polyolefin (B), and a liquid crystal polymer (A). Various conditions such as the difference between the melting point and the melting point of the graft-modified polyolefin (B), the temperature at which the liquid crystal polymer (A) and the graft-modified polyolefin (B) are mixed, and the modification rate of the graft-modified polyolefin (B). Depending on the situation, various phase states can be formed.

低誘電樹脂組成物において、少なくとも一部に、液晶ポリマー(A)と、グラフト変性ポリオレフィン(B)とからなる海島構造が形成されているのが好ましい。海島構造について、液晶ポリマー(A)と、グラフト変性ポリオレフィン(B)とのいずれが海成分であってもよく、液晶ポリマー(A)が海成分であるのが好ましい。 In the low-dielectric resin composition, it is preferable that a sea-island structure composed of the liquid crystal polymer (A) and the graft-modified polyolefin (B) is formed at least in a part thereof. Regarding the sea-island structure, either the liquid crystal polymer (A) or the graft-modified polyolefin (B) may be a sea component, and the liquid crystal polymer (A) is preferably a sea component.

上記の種々の条件の中でも、液晶ポリマー(A)とグラフト変性ポリオレフィン(B)との混合比率と、グラフト変性ポリオレフィン(B)の変性量とが、低誘電樹脂組成物の相構造に与える影響が大きい。
一般的な傾向として、低誘電樹脂組成物における液晶ポリマー(A)の含有量が多いほど、液晶ポリマー(A)からなる海相を有する海島構造が形成されやすい。また、グラフト変性ポリオレフィン(B)における、エポキシ基を有するビニル単量体による変性量が低いほど、低誘電樹脂組成物におけるグラフト変性ポリオレフィン(B)の含有量が少なくても、グラフト変性ポリオレフィン(B)からなる海相を有する海島構造が形成されやすい。
Among the various conditions described above, the mixing ratio of the liquid crystal polymer (A) and the graft-modified polyolefin (B) and the modification amount of the graft-modified polyolefin (B) have an effect on the phase structure of the low-dielectric resin composition. big.
As a general tendency, the larger the content of the liquid crystal polymer (A) in the low-dielectric resin composition, the easier it is to form a sea-island structure having a sea phase composed of the liquid crystal polymer (A). Further, the lower the amount of modification of the graft-modified polyolefin (B) by the vinyl monomer having an epoxy group, the smaller the content of the graft-modified polyolefin (B) in the low-dielectric resin composition, the more the graft-modified polyolefin (B). ) Is likely to form a sea-island structure with a sea phase.

ここで、低誘電樹脂組成物において、少なくとも一部に海島構造が形成されているとは、低誘電樹脂組成物の試料の断面を電子顕微鏡(SEM)を用いて観察した場合に、100μm×100μmのサイズの任意の3つの観察対象領域のうちの少なくとも1つの領域において、海島構造が観察されることを言う。
かかる相状態である場合、液晶ポリマー(A)の性質に由来する異方性が緩和され、低誘電樹脂組成物の溶融加工性が良好である。
Here, in the low-dielectric resin composition, the fact that the sea-island structure is formed at least in a part means that the cross section of the sample of the low-dielectric resin composition is 100 μm × 100 μm when observed using an electron microscope (SEM). It means that the sea-island structure is observed in at least one region of any three observation target regions of the size of.
In such a phase state, the anisotropy derived from the properties of the liquid crystal polymer (A) is alleviated, and the melt processability of the low-dielectric resin composition is good.

低誘電樹脂組成物において上記の海島構造が形成されている場合、低誘電樹脂組成物が、液晶ポリマー(A)が海成分である海島構造を含むか、海島構造とともに、液晶ポリマー(A)とグラフト変性ポリオレフィン(B)とがともに連続相を形成する共連続構造を含むのが好ましい。
ここで、液晶ポリマー(A)又はグラフト変性ポリオレフィン(B)が連続相を形成するとは、低誘電樹脂組成物の試料の断面を電子顕微鏡(SEM)を用いて観察した場合に、視野内において、液晶ポリマー(A)又はグラフト変性ポリオレフィン(B)が、外周が閉じられていない領域を形成していることを言う。
また、低誘電樹脂組成物が海島構造とともに共連続構造を含むとは、低誘電樹脂組成物の試料の断面を電子顕微鏡(SEM)を用いて観察した場合に、100μm×100μmのサイズであり海島構造が観察される任意の3つの観察対象領域のうちの少なくとも1つの領域において、共連続構造が観察されることを言う。
この場合、液晶ポリマー(A)が、海成分、又は共連続構造における連続相を形成していることによって、低誘電樹脂組成物が液晶ポリマー(A)に由来する優れた耐熱性を発現しやすい。
When the above-mentioned sea-island structure is formed in the low-dielectric resin composition, the low-dielectric resin composition includes a sea-island structure in which the liquid crystal polymer (A) is a sea component, or together with the sea-island structure, the liquid crystal polymer (A). It preferably contains a co-continuous structure in which the graft-modified polyolefin (B) forms a continuous phase together.
Here, the fact that the liquid crystal polymer (A) or the graft-modified polyolefin (B) forms a continuous phase means that when the cross section of the sample of the low dielectric resin composition is observed using an electron microscope (SEM), in the field of view, It means that the liquid crystal polymer (A) or the graft-modified polyolefin (B) forms a region in which the outer periphery is not closed.
Further, the fact that the low dielectric resin composition contains a co-continuous structure together with the sea island structure means that when the cross section of the sample of the low dielectric resin composition is observed using an electron microscope (SEM), the size is 100 μm × 100 μm and the sea island. It means that a co-continuous structure is observed in at least one region of any three observation target regions where the structure is observed.
In this case, since the liquid crystal polymer (A) forms a continuous phase in a sea component or a co-continuous structure, the low-dielectric resin composition tends to exhibit excellent heat resistance derived from the liquid crystal polymer (A). ..

前述の通り、低誘電樹脂組成物は、液晶ポリマー(A)とグラフト変性ポリオレフィン(B)とを溶融混錬することにより製造される。
液晶ポリマー(A)とグラフト変性ポリオレフィン(B)とを溶融混錬する際の、液晶ポリマー(A)の質量MAと、前記グラフト変性ポリオレフィン(B)の質量MBとの比率MA/MBは、低誘電特性に優れる低誘電樹脂組成物を得やすい点から、95/5~55/45が好ましく、90/10~60/40がより好ましい。
As described above, the low-dielectric resin composition is produced by melt-kneading the liquid crystal polymer (A) and the graft-modified polyolefin (B).
The ratio MA / MB of the mass MA of the liquid crystal polymer (A) to the mass MB of the graft-modified polyolefin (B) when the liquid crystal polymer (A) and the graft-modified polyolefin (B) are melt-kneaded is low. From the viewpoint that a low-dielectric resin composition having excellent dielectric properties can be easily obtained, 95/5 to 55/45 is preferable, and 90/10 to 60/40 is more preferable.

液晶ポリマー(A)とグラフト変性ポリオレフィン(B)とを溶融混錬する方法は特に限定されない。好ましい溶融混錬方法としては、一軸押出機や二軸押出機等の溶融混練装置を用いる方法が挙げられる。
液晶ポリマー(A)とグラフト変性ポリオレフィン(B)とを溶融混錬する条件は、液晶ポリマー(A)とグラフト変性ポリオレフィン(B)とを均一に混合でき、低誘電樹脂組成物に含まれる各成分が、過度に熱分解したり、昇華したりしない条件であれば特に限定されない。溶融混練装置を用いる場合、例えば、液晶ポリマー(A)の融点と、グラフト変性ポリオレフィン融点とのうちの高い方の融点よりも、好ましくは5℃以上100℃以下高い温度、より好ましくは10℃以上50℃以下高い温度で溶融混練が行われる。
The method of melt-kneading the liquid crystal polymer (A) and the graft-modified polyolefin (B) is not particularly limited. A preferred melt-kneading method includes a method using a melt-kneading device such as a single-screw extruder or a twin-screw extruder.
The condition for melt-kneading the liquid crystal polymer (A) and the graft-modified polyolefin (B) is that the liquid crystal polymer (A) and the graft-modified polyolefin (B) can be uniformly mixed, and each component contained in the low dielectric resin composition. However, the condition is not particularly limited as long as it does not excessively thermally decompose or sublimate. When a melt-kneading device is used, for example, the temperature is preferably 5 ° C. or higher and 100 ° C. or lower, more preferably 10 ° C. or higher, higher than the melting point of the liquid crystal polymer (A) and the melting point of the graft-modified polyolefin. Melting and kneading is performed at a temperature as high as 50 ° C. or lower.

低誘電樹脂組成物は、本発明の目的を阻害しない範囲で、液晶ポリマー(A)、及びグラフト変性ポリオレフィン(B)以外のその他の樹脂を含んでいてもよい。その他の樹脂は、通常、液晶ポリマー(A)、及びグラフト変性ポリオレフィン(B)とともに溶融混錬される。低誘電樹脂組成物に含まれる樹脂成分の全質量に対する、液晶ポリマー(A)の質量とグラフト変性ポリオレフィン(B)の質量との合計の割合は、典型的には、80質量%が好ましく、90質量%以上がより好ましく、95質量%以上がさらに好ましく、100質量%が特に好ましい。 The low-dielectric resin composition may contain other resins other than the liquid crystal polymer (A) and the graft-modified polyolefin (B) as long as the object of the present invention is not impaired. Other resins are usually melt-kneaded with the liquid crystal polymer (A) and the graft-modified polyolefin (B). The total ratio of the mass of the liquid crystal polymer (A) and the mass of the graft-modified polyolefin (B) to the total mass of the resin component contained in the low dielectric resin composition is typically 80% by mass, preferably 90. By mass or more is more preferable, 95% by mass or more is further preferable, and 100% by mass is particularly preferable.

その他の樹脂の例としては、グラフト変性されていないポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレートやポリブチレンテレフタレート等の非液晶性のポリエステル、ポリアミド、ポリエステルアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアセタール、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニレンエーテル、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、シリコーン樹脂、及びフッ素樹脂等が挙げられる。 Examples of other resins include ungrafted polyolefins, non-liquid polyesters such as polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate, polyamides, polyesteramides, polyimides, polyamideimides, polycarbonates, polyacetals, polyphenylene sulfides, polyphenylene ethers, polysulfones. , Polyethersulfone, polyetherimide, silicone resin, fluororesin and the like.

低誘電樹脂組成物には、必要に応じて、無機充填剤を配合できる。無機充填剤は、通常、液晶ポリマー(A)、及びグラフト変性ポリオレフィン(B)とともに溶融混錬される。無機充填剤としては、炭酸カルシウム、タルク、クレー、シリカ、炭酸マグネシウム、硫酸バリウム、酸化チタン、アルミナ、モンモリロナイト、石膏、ガラスフレーク、ガラス繊維、ミルドガラス繊維、炭素繊維、アルミナ繊維、シリカアルミナ繊維、ホウ酸アルミニウムウィスカ、及びチタン酸カリウム繊維等が挙げられる。無機充填剤は、単独で使用されてもよく、2種以上を組み合わせて使用されてもよい。
これらの無機充填剤の使用量は、低誘電樹脂組成物の低誘電特性を損なわない範囲で、低誘電樹脂組成物の用途に応じて適宜決定される。例えば、低誘電樹脂組成物を用いてフィルムを形成する場合には、フィルムの機械強度を著しく損なわない範囲で、無機充填剤の使用量の上限が定められる。
An inorganic filler can be added to the low-dielectric resin composition, if necessary. The inorganic filler is usually melt-kneaded together with the liquid crystal polymer (A) and the graft-modified polyolefin (B). Inorganic fillers include calcium carbonate, talc, clay, silica, magnesium carbonate, barium sulfate, titanium oxide, alumina, montmorillonite, gypsum, glass flakes, glass fiber, milled glass fiber, carbon fiber, alumina fiber, silica alumina fiber, Examples thereof include aluminum borate whisker and potassium titanate fiber. The inorganic filler may be used alone or in combination of two or more.
The amount of these inorganic fillers used is appropriately determined according to the use of the low-dielectric resin composition as long as the low-dielectric properties of the low-dielectric resin composition are not impaired. For example, when a film is formed using a low-dielectric resin composition, the upper limit of the amount of the inorganic filler used is set within a range that does not significantly impair the mechanical strength of the film.

低誘電樹脂組成物には、必要に応じて、さらに、有機充填剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、着色剤、防錆剤、架橋剤、発泡剤、蛍光剤、表面平滑剤、表面光沢改良剤、及び離型改良剤等の各種の添加剤を配合できる。
これらの添加剤は、通常、液晶ポリマー(A)、及びグラフト変性ポリオレフィン(B)とともに溶融混錬される。滑剤や表面平滑剤については、例えば、低誘電樹脂組成物のペレットの表面に付着させて使用されてもよい。
これらの添加剤は、単独で使用されてもよく、2種以上を組み合わせて使用されてもよい。
The low dielectric resin composition may further include organic fillers, antioxidants, heat stabilizers, light stabilizers, flame retardants, lubricants, antistatic agents, colorants, rust preventives, cross-linking agents, as needed. Various additives such as a foaming agent, a fluorescent agent, a surface smoothing agent, a surface gloss improving agent, and a mold release improving agent can be blended.
These additives are usually melt-kneaded with the liquid crystal polymer (A) and the graft-modified polyolefin (B). The lubricant or surface smoothing agent may be used, for example, by adhering it to the surface of pellets of a low-dielectric resin composition.
These additives may be used alone or in combination of two or more.

以下、液晶ポリマー(A)、及びグラフト変性ポリオレフィン(B)について説明する。 Hereinafter, the liquid crystal polymer (A) and the graft-modified polyolefin (B) will be described.

<液晶ポリマー(A)>
液晶ポリマー(A)は、溶融時に光学的異方性を示すポリマーであって、当業者にサーモトロピック液晶ポリマーと認識されているポリマーを特に制限なく用いることができる。溶融時の光学的異方性は、直交偏光子を利用した慣用の偏光検査方法により確認することができる。
<Liquid crystal polymer (A)>
The liquid crystal polymer (A) is a polymer that exhibits optical anisotropy when melted, and a polymer recognized by those skilled in the art as a thermotropic liquid crystal polymer can be used without particular limitation. The optical anisotropy at the time of melting can be confirmed by a conventional polarization inspection method using an orthogonal polarizing element.

液晶ポリマー(A)は、典型的にはフェノール性水酸基を有するモノマーのアシル化物を含むモノマー混合物を重縮合することにより製造される。重縮合は、触媒の存在下に行われるのが好ましい。触媒の例としては、酢酸マグネシウム、酢酸第一錫、テトラブチルチタネート、酢酸鉛、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、三酸化アンチモン等の金属化合物や、1-メチルイミダゾール等の含窒素複素環式化合物が挙げられる。
触媒の使用量は、例えば、モノマー混合物(A)の量100質量部に対し、0.1質量部以下が好ましい。
The liquid crystal polymer (A) is typically produced by polycondensing a monomer mixture containing an acylated product of a monomer having a phenolic hydroxyl group. The polycondensation is preferably carried out in the presence of a catalyst. Examples of the catalyst include metal compounds such as magnesium acetate, stannous acetate, tetrabutyl titanate, lead acetate, sodium acetate, potassium acetate and antimony trioxide, and nitrogen-containing heterocyclic compounds such as 1-methylimidazole. Be done.
The amount of the catalyst used is, for example, preferably 0.1 part by mass or less with respect to 100 parts by mass of the amount of the monomer mixture (A).

前述の通り、モノマー混合物は、フェノール性水酸基を有するモノマーのアシル化物を含むモノマーの混合物である。モノマー混合物は、テレフタル酸やイソフタル酸に代表される芳香族ジカルボン酸等のフェノール性水酸基を持たないモノマーを含んでいてもよい。 As described above, the monomer mixture is a mixture of monomers containing an acylated product of a monomer having a phenolic hydroxyl group. The monomer mixture may contain a monomer having no phenolic hydroxyl group such as an aromatic dicarboxylic acid typified by terephthalic acid or isophthalic acid.

モノマー混合物の調製方法としては、コストや製造時間の点で、フェノール性水酸基を有するモノマーを含むモノマー混合物をアシル化して、フェノール性水酸基を有するモノマーのアシル化物を含むモノマー混合物を得る方法が好ましい。 As a method for preparing a monomer mixture, a method of acylating a monomer mixture containing a monomer having a phenolic hydroxyl group to obtain a monomer mixture containing an acylated product of a monomer having a phenolic hydroxyl group is preferable in terms of cost and production time.

液晶ポリマー(A)を構成する構成単位としては、芳香族オキシカルボニル単位、芳香族ジカルボニル単位、芳香族ジオキシ単位、芳香族アミノオキシ単位、芳香族ジアミノ単位、芳香族アミノカルボニル単位、及び脂肪族ジオキシ単位等が挙げられる。
なお、液晶ポリマー(A)は、エステル結合以外の結合として、アミド結合やチオエステル結合を含んでいてもよい。
The constituent units constituting the liquid crystal polymer (A) include an aromatic oxycarbonyl unit, an aromatic dicarbonyl unit, an aromatic dioxy unit, an aromatic aminooxy unit, an aromatic diamino unit, an aromatic aminocarbonyl unit, and an aliphatic group. Examples include dioxy units.
The liquid crystal polymer (A) may contain an amide bond or a thioester bond as a bond other than the ester bond.

芳香族オキシカルボニル単位は、芳香族ヒドロキシカルボン酸に由来する単位である。
芳香族ヒドロキシカルボン酸の好適な具体例としては、p-ヒドロキシ安息香酸、m-ヒドロキシ安息香酸、o-ヒドロキシ安息香酸、6-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸、5-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸、3-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸、4’-ヒドロキシフェニル-4-安息香酸、3’-ヒドロキシフェニル-4-安息香酸、4’-ヒドロキシフェニル-3-安息香酸、これらのアルキル、アルコキシ又はハロゲン置換体が挙げられる。
芳香ヒドロキシカルボン酸のエステル誘導体、酸ハロゲン化物等のエステル形成性誘導体も、芳香族ヒドロキシカルボン酸と同様に好適に使用できる。
得られる液晶ポリマー(A)の機械的特性や融点を調製しやすいことから、これらの芳香族ヒドロキシカルボン酸の中では、p-ヒドロキシ安息香酸、及び6-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸が好ましい。
The aromatic oxycarbonyl unit is a unit derived from an aromatic hydroxycarboxylic acid.
Suitable specific examples of aromatic hydroxycarboxylic acids include p-hydroxybenzoic acid, m-hydroxybenzoic acid, o-hydroxybenzoic acid, 6-hydroxy-2-naphthoic acid, 5-hydroxy-2-naphthoic acid, 3 -Hydroxy-2-naphthoic acid, 4'-hydroxyphenyl-4-benzoic acid, 3'-hydroxyphenyl-4-benzoic acid, 4'-hydroxyphenyl-3-benzoic acid, alkyl, alkoxy or halogen substituents thereof. Can be mentioned.
Ester-forming derivatives such as ester derivatives of aromatic hydroxycarboxylic acids and acid halides can also be suitably used in the same manner as aromatic hydroxycarboxylic acids.
Among these aromatic hydroxycarboxylic acids, p-hydroxybenzoic acid and 6-hydroxy-2-naphthoic acid are preferable because the mechanical properties and melting point of the obtained liquid crystal polymer (A) can be easily prepared.

芳香族ジカルボニル繰返し単位は、芳香族ジカルボン酸に由来する単位である。
芳香族ジカルボン酸の好適な具体例としては、テレフタル酸、イソフタル酸、2,6-ナフタレンジカルボン酸、1,6-ナフタレンジカルボン酸、2,7-ナフタレンジカルボン酸、1,4-ナフタレンジカルボン酸、及び4,4’-ジカルボキシビフェニル等の芳香族ジカルボン酸、これらのアルキル、アルコキシ又はハロゲン置換体が挙げられる。
芳香族ジカルボン酸のエステル誘導体、酸ハロゲン化物等のエステル形成性誘導体も、芳香族ジカルボン酸と同様に好適に使用できる。
得られる液晶ポリマー(A)の機械物性、耐熱性、融点温度、成形性を適度なレベルに調整しやすいことから、これらの芳香族ジカルボン酸中ではテレフタル酸、及び2,6-ナフタレンジカルボン酸が好ましい。
The aromatic dicarbonyl repeating unit is a unit derived from an aromatic dicarboxylic acid.
Suitable specific examples of aromatic dicarboxylic acids include terephthalic acid, isophthalic acid, 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, 1,6-naphthalenedicarboxylic acid, 2,7-naphthalenedicarboxylic acid, 1,4-naphthalenedicarboxylic acid, and the like. And aromatic dicarboxylic acids such as 4,4'-dicarboxybiphenyl, alkyl, alkoxy or halogen substituents thereof.
Ester-forming derivatives such as an ester derivative of an aromatic dicarboxylic acid and an acid halide can also be preferably used in the same manner as the aromatic dicarboxylic acid.
Among these aromatic dicarboxylic acids, terephthalic acid and 2,6-naphthalenedicarboxylic acid are included because it is easy to adjust the mechanical properties, heat resistance, melting point temperature, and moldability of the obtained liquid crystal polymer (A) to appropriate levels. preferable.

芳香族ジオキシ繰返し単位は、芳香族ジオールに由来する単位である。
芳香族ジオールの好適な具体例としては、ハイドロキノン、レゾルシン、2,6-ジヒドロキシナフタレン、2,7-ジヒドロキシナフタレン、1,6-ジヒドロキシナフタレン、1,4-ジヒドロキシナフタレン、4,4’-ジヒドロキシビフェニル、3,3’-ジヒドロキシビフェニル、3,4’-ジヒドロキシビフェニル、4,4’-ジヒドロキシビフェニルエーテル、これらのアルキル、アルコキシ又はハロゲン置換体等が挙げられる。
重縮合時の反応性、及び得られる液晶ポリマー(A)の特性等の点から、これらの芳香族ジオールの中ではハイドロキノン、レゾルシン、及び4,4’-ジヒドロキシビフェニルが好ましい。
The aromatic dioxy repeating unit is a unit derived from an aromatic diol.
Suitable specific examples of aromatic diols include hydroquinone, resorcin, 2,6-dihydroxynaphthalene, 2,7-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 1,4-dihydroxynaphthalene, and 4,4'-dihydroxybiphenyl. , 3,3'-Dihydroxybiphenyl, 3,4'-dihydroxybiphenyl, 4,4'-dihydroxybiphenyl ether, alkyl, alkoxy or halogen-substituted products thereof and the like.
Among these aromatic diols, hydroquinone, resorcin, and 4,4'-dihydroxybiphenyl are preferable from the viewpoint of reactivity at the time of polycondensation and the characteristics of the obtained liquid crystal polymer (A).

芳香族アミノオキシ単位は、芳香族ヒドロキシアミンに由来する単位である。
芳香族ヒドロキシアミンの好適な具体例としては、p-アミノフェノール、m-アミノフェノール、4-アミノ-1-ナフトール、5-アミノ-1-ナフトール、8-アミノ-2-ナフトール、4-アミノ-4’-ヒドロキシビフェニル等の芳香族ヒドロキシアミン、これらのアルキル、アルコキシ又はハロゲン置換体等が挙げられる。
Aromatic aminooxy units are units derived from aromatic hydroxyamines.
Suitable specific examples of aromatic hydroxyamines are p-aminophenol, m-aminophenol, 4-amino-1-naphthol, 5-amino-1-naphthol, 8-amino-2-naphthol, 4-amino-. Aromatic hydroxyamines such as 4'-hydroxybiphenyl, alkyl, alkoxy or halogen substituents thereof and the like can be mentioned.

芳香族ジアミノ単位は、芳香族ジアミンに由来する単位である。
芳香族ジアミンの好適な具体例としては、p-フェニレンジアミン、m-フェニレンジアミン、1,5-ジアミノナフタレン、1,8-ジアミノナフタレン等の芳香族ジアミン、これらのアルキル、アルコキシ又はハロゲン置換体が挙げられる。
Aromatic diamino units are units derived from aromatic diamines.
Suitable specific examples of aromatic diamines include aromatic diamines such as p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 1,5-diaminonaphthalene and 1,8-diaminonaphthalene, and alkyl, alkoxy or halogen substituents thereof. Can be mentioned.

芳香族アミノカルボニル単位は、芳香族アミノカルボン酸に由来する単位である。
芳香族アミノカルボン酸の好適な具体例としては、p-アミノ安息香酸、m-アミノ安息香酸、6-アミノ-2-ナフトエ酸等の芳香族アミノカルボン酸、これらのアルキル、アルコキシ又はハロゲン置換体が挙げられる。
芳香族アミノカルボン酸のエステル誘導体、酸ハロゲン化物等のエステル形成性誘導体も液晶ポリマー(A)製造用のモノマーとして好適に使用できる。
The aromatic aminocarbonyl unit is a unit derived from an aromatic aminocarboxylic acid.
Suitable specific examples of aromatic aminocarboxylic acids include aromatic aminocarboxylic acids such as p-aminobenzoic acid, m-aminobenzoic acid, 6-amino-2-naphthoic acid, and alkyl, alkoxy or halogen substituents thereof. Can be mentioned.
Ester derivatives of aromatic aminocarboxylic acids, ester-forming derivatives such as acid halides can also be suitably used as monomers for producing the liquid crystal polymer (A).

脂肪族ジオキシ単位を与える単量体の具体例としては、例えばエチレングリコール、1,4-ブタンジオール、1,6-ヘキサンジオール等の脂肪族ジオール、ならびにそれらのアシル化物が挙げられる。
また、ポリエチレンテレフタレートや、ポリブチレンテレフタレート等の脂肪族ジオキシ単位を含有するポリマーを、前術の芳香族オキシカルボン酸、芳香族ジカルボン酸、芳香族ジオール、及びそれらのアシル化物、エステル誘導体、酸ハロゲン化物等と反応させることによっても、脂肪族ジオキシ単位を含む液晶ポリマー(A)を得ることができる。
Specific examples of the monomer giving an aliphatic dioxy unit include aliphatic diols such as ethylene glycol, 1,4-butanediol, and 1,6-hexanediol, and acylated products thereof.
Further, a polymer containing an aliphatic dioxy unit such as polyethylene terephthalate or polybutylene terephthalate can be used as an aromatic oxycarboxylic acid, an aromatic dicarboxylic acid, an aromatic diol, and an acylated product thereof, an ester derivative, or an acid halogen. The liquid crystal polymer (A) containing an aliphatic dioxy unit can also be obtained by reacting with a compound or the like.

液晶ポリマー(A)は、チオエステル結合を含むものであってもよい。このような結合を与える単量体としては、メルカプト芳香族カルボン酸、芳香族ジチオール、及びヒドロキシ芳香族チオール等が挙げられる。
これらの単量体の使用量は、芳香族オキシカルボニル繰返し単位、芳香族ジカルボニル繰返し単位、芳香族ジオキシ繰返し単位、芳香族アミノオキシ繰返し単位、芳香族ジアミノ繰返し単位、芳香族アミノカルボニル繰り返し単位、芳香族オキシジカルボニル繰返し単位、及び脂肪族ジオキシ繰返し単位を与える単量体の合計量に対して10モル%以下であるのが好ましい。
The liquid crystal polymer (A) may contain a thioester bond. Examples of the monomer giving such a bond include mercapto aromatic carboxylic acid, aromatic dithiol, hydroxy aromatic thiol and the like.
The amount of these monomers used is aromatic oxycarbonyl repeating unit, aromatic dicarbonyl repeating unit, aromatic dioxy repeating unit, aromatic aminooxy repeating unit, aromatic diamino repeating unit, aromatic aminocarbonyl repeating unit, It is preferably 10 mol% or less with respect to the total amount of the aromatic oxydicarbonyl repeating unit and the monomer giving the aliphatic dioxy repeating unit.

液晶ポリマー(A)の好適な例としては、以下の1)~25)が挙げられる。
1)4-ヒドロキシ安息香酸/2-ヒドロキシ-6-ナフトエ酸共重合体
2)4-ヒドロキシ安息香酸/テレフタル酸/4,4’-ジヒドロキシビフェニル共重合体
3)4-ヒドロキシ安息香酸/テレフタル酸/イソフタル酸/4,4’-ジヒドロキシビフェニル共重合体
4)4-ヒドロキシ安息香酸/テレフタル酸/イソフタル酸/4,4’-ジヒドロキシビフェニル/ハイドロキノン共重合体
5)4-ヒドロキシ安息香酸/テレフタル酸/ハイドロキノン共重合体
6)4-ヒドロキシ安息香酸/テレフタル酸/4,4’-ジヒドロキシビフェニル/ハイドロキノン共重合体
7)2-ヒドロキシ-6-ナフトエ酸/テレフタル酸/ハイドロキノン共重合体
8)4-ヒドロキシ安息香酸/2-ヒドロキシ-6-ナフトエ酸/テレフタル酸/4,4’-ジヒドロキシビフェニル共重合体
9)2-ヒドロキシ-6-ナフトエ酸/テレフタル酸/4,4’-ジヒドロキシビフェニル共重合体
10)4-ヒドロキシ安息香酸/2-ヒドロキシ-6-ナフトエ酸/テレフタル酸/ハイドロキノン共重合体
11)4-ヒドロキシ安息香酸/2-ヒドロキシ-6-ナフトエ酸/テレフタル酸/ハイドロキノン/4,4’-ジヒドロキシビフェニル共重合体
12)4-ヒドロキシ安息香酸/2,6-ナフタレンジカルボン酸/4,4’-ジヒドロキシビフェニル共重合体
13)4-ヒドロキシ安息香酸/テレフタル酸/2,6-ナフタレンジカルボン酸/ハイドロキノン共重合体
14)4-ヒドロキシ安息香酸/2,6-ナフタレンジカルボン酸/ハイドロキノン共重合体
15)4-ヒドロキシ安息香酸/2-ヒドロキシ-6-ナフトエ酸/2,6-ナフタレンジカルボン酸/ハイドロキノン共重合体
16)4-ヒドロキシ安息香酸/テレフタル酸/2,6-ナフタレンジカルボン酸/ハイドロキノン/4,4’-ジヒドロキシビフェニル共重合体
17)4-ヒドロキシ安息香酸/テレフタル酸/4-アミノフェノール共重合体
18)2-ヒドロキシ-6-ナフトエ酸/テレフタル酸/4-アミノフェノール共重合体
19)4-ヒドロキシ安息香酸/2-ヒドロキシ-6-ナフトエ酸/テレフタル酸/4-アミノフェノール共重合体
20)4-ヒドロキシ安息香酸/テレフタル酸/4,4’-ジヒドロキシビフェニル/4-アミノフェノール共重合体
21)4-ヒドロキシ安息香酸/テレフタル酸/エチレングリコール共重合体
22)4-ヒドロキシ安息香酸/テレフタル酸/4,4’-ジヒドロキシビフェニル/エチレングリコール共重合体
23)4-ヒドロキシ安息香酸/2-ヒドロキシ-6-ナフトエ酸/テレフタル酸/エチレングリコール共重合体
24)4-ヒドロキシ安息香酸/2-ヒドロキシ-6-ナフトエ酸/テレフタル酸/4,4’-ジヒドロキシビフェニル/エチレングリコール共重合体
25)4-ヒドロキシ安息香酸/テレフタル酸/2,6-ナフタレンジカルボン酸/4,4’-ジヒドロキシビフェニル共重合体。
Preferable examples of the liquid crystal polymer (A) include the following 1) to 25).
1) 4-Hydroxybenzoic acid / 2-hydroxy-6-naphthoic acid copolymer 2) 4-Hydroxybenzoic acid / terephthalic acid / 4,4'-dihydroxybiphenyl copolymer 3) 4-hydroxybenzoic acid / terephthalic acid / Isophthalic acid / 4,4'-dihydroxybiphenyl copolymer 4) 4-hydroxybenzoic acid / terephthalic acid / isophthalic acid / 4,4'-dihydroxybiphenyl / hydroquinone copolymer 5) 4-hydroxybenzoic acid / terephthalic acid / Hydroquinone copolymer 6) 4-hydroxybenzoic acid / terephthalic acid / 4,4'-dihydroxybiphenyl / hydroquinone copolymer 7) 2-hydroxy-6-naphthoic acid / terephthalic acid / hydroquinone copolymer 8) 4- Hydroxybenzoic acid / 2-hydroxy-6-naphthic acid / terephthalic acid / 4,4'-dihydroxybiphenyl copolymer 9) 2-hydroxy-6-naphthoic acid / terephthalic acid / 4,4'-dihydroxybiphenyl copolymer 10) 4-Hydroxybenzoic acid / 2-hydroxy-6-naphthoic acid / terephthalic acid / hydroquinone copolymer 11) 4-hydroxybenzoic acid / 2-hydroxy-6-naphthoic acid / terephthalic acid / hydroquinone / 4,4' -Dihydroxybiphenyl copolymer 12) 4-hydroxybenzoic acid / 2,6-naphthalenedicarboxylic acid / 4,4'-dihydroxybiphenyl copolymer 13) 4-hydroxybenzoic acid / terephthalic acid / 2,6-naphthalenedicarboxylic acid / Hydroquinone copolymer 14) 4-hydroxybenzoic acid / 2,6-naphthalenedicarboxylic acid / Hydroquinone copolymer 15) 4-hydroxybenzoic acid / 2-hydroxy-6-naphthoic acid / 2,6-naphthalenedicarboxylic acid / Hydroquinone copolymer 16) 4-hydroxybenzoic acid / terephthalic acid / 2,6-naphthalenedicarboxylic acid / hydroquinone / 4,4'-dihydroxybiphenyl copolymer 17) 4-hydroxybenzoic acid / terephthalic acid / 4-aminophenol Copolymer 18) 2-Hydroxy-6-naphthoic acid / terephthalic acid / 4-aminophenol copolymer 19) 4-hydroxybenzoic acid / 2-hydroxy-6-naphthoic acid / terephthalic acid / 4-aminophenol co-weight Combined 20) 4-hydroxybenzoic acid / terephthalic acid / 4,4'-dihydroxybiphenyl / 4-aminophenol copolymer 21) 4-hydroxybenzoic acid / terephthalic acid / ethylene glycol copolymer 22) 4-hi Droxybenzoic acid / terephthalic acid / 4,4'-dihydroxybiphenyl / ethylene glycol copolymer 23) 4-hydroxybenzoic acid / 2-hydroxy-6-naphthoic acid / terephthalic acid / ethylene glycol copolymer 24) 4-hydroxy Benzoic acid / 2-hydroxy-6-naphthic acid / terephthalic acid / 4,4'-dihydroxybiphenyl / ethylene glycol copolymer 25) 4-hydroxybenzoic acid / terephthalic acid / 2,6-naphthalenedicarboxylic acid / 4,4 '-Dihydroxybiphenyl copolymer.

前述の通り、フェノール性水酸基を有するモノマーを含むモノマー混合物をアシル化して、フェノール性水酸基を有するモノマーのアシル化物を含むモノマー混合物を得るのが好ましい。アシル化は、フェノール性水酸基と、脂肪酸無水物とを反応させることにより行われるのが好ましい。脂肪酸無水物としては、例えば、無水酢酸、及び無水プロピオン酸等を用いること出来る。価格と取り扱い性の点から、無水酢酸が好ましく使用される。 As described above, it is preferable to acylate a monomer mixture containing a monomer having a phenolic hydroxyl group to obtain a monomer mixture containing an acylated product of a monomer having a phenolic hydroxyl group. Acylation is preferably carried out by reacting a phenolic hydroxyl group with a fatty acid anhydride. As the fatty acid anhydride, for example, acetic anhydride, propionic anhydride and the like can be used. Acetic anhydride is preferably used from the standpoint of price and handleability.

脂肪酸無水物の使用量は、フェノール性水酸基の量に対して、1.0倍当量以上1.15倍当量以下が好ましく、1.03倍当量以上1.10倍当量以下がより好ましい。 The amount of the fatty acid anhydride used is preferably 1.0 times or more and 1.15 times or less, and more preferably 1.03 times or more and 1.10 times or less with respect to the amount of phenolic hydroxyl groups.

フェノール性水酸基を有するモノマーを含むモノマー混合物と、上記の脂肪酸無水物とを混合して加熱することによりアシル化して、フェノール性水酸基を有するモノマーのアシル化物を含むモノマー混合物が得られる。 A monomer mixture containing a monomer having a phenolic hydroxyl group and the above-mentioned fatty acid anhydride are mixed and acylated to obtain a monomer mixture containing an acylated product of the monomer having a phenolic hydroxyl group.

以上のようにして得られたフェノール性水酸基を有するモノマーのアシル化物を含むモノマー混合物を加熱するとともに、重縮合により副生する脂肪酸を留去することにより液晶ポリマー(A)が得られる。
溶融重縮合のみにより液晶ポリマー(A)を製造する場合、溶融重縮合の温度は、150℃以上400℃以下が好ましく、250℃以上370℃以下が好ましい。
溶融重縮合と、後述する固相重合との二段階で液晶ポリマー(A)を製造する場合、溶融重縮合の温度は120℃以上350℃以下が好ましく、200℃以上300℃以下が好ましい。重縮合反応の時間は、所望する融点、又は所望する分子量の液晶ポリマー(A)が得られる限り特に限定されない。例えば、重縮合の反応時間としては30分以上5時間以下が好ましい。
上記方法により製造される液晶ポリマー(A)は、必要に応じて、さらに高分子量化するために、固化された状態(固相)で加熱する重縮合に供されてもよい。
The liquid crystal polymer (A) is obtained by heating the monomer mixture containing the acylated product of the monomer having a phenolic hydroxyl group obtained as described above and distilling off the fatty acid produced as a by-product by polycondensation.
When the liquid crystal polymer (A) is produced only by melt polycondensation, the temperature of melt polycondensation is preferably 150 ° C. or higher and 400 ° C. or lower, and preferably 250 ° C. or higher and 370 ° C. or lower.
When the liquid crystal polymer (A) is produced in two steps of melt polycondensation and solid phase polymerization described later, the temperature of melt polycondensation is preferably 120 ° C. or higher and 350 ° C. or lower, and preferably 200 ° C. or higher and 300 ° C. or lower. The time of the polycondensation reaction is not particularly limited as long as the liquid crystal polymer (A) having a desired melting point or a desired molecular weight can be obtained. For example, the reaction time of polycondensation is preferably 30 minutes or more and 5 hours or less.
The liquid crystal polymer (A) produced by the above method may be subjected to polycondensation by heating in a solidified state (solid phase), if necessary, in order to further increase the molecular weight.

上記方法により、液晶ポリマー(A)が得られる。液晶ポリマー(A)の融点は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されない。液晶ポリマー(A)の融点は、250℃以上が好ましく、280℃以上がより好ましい。他方、加工性の観点や、低誘電樹脂組成物製造時のグラフト変性ポリオレフィン(B)の分解の抑制の点等から、液晶ポリマー(A)の融点は、400℃以下が好ましく、350℃以下がより好ましい。
なお、液晶ポリマー(A)の融点は、例えば、示差走査熱量計(Differential scanning calorimeter、以下DSCと略す)によって、昇温速度20℃/minで測定した際の結晶融解ピークから求めた温度である。より具体的には、液晶ポリマー(A)の試料を、室温から20℃/分の昇温条件で測定した際に観測される吸熱ピーク温度(Tm1)の観測後、Tm1より20℃以上50℃以下高い温度で10分間保持し、次いで、20℃/分の降温条件で室温まで試料を冷却した後に、再度20℃/分の昇温条件で測定した際の吸熱ピークを観測し、そのピークトップを示す温度を液晶ポリマー(A)の融点とする。測定用機器としては、例えば、TA Instruments社製DSC Q1000等を使用することができる。
また、液晶ポリマー(A)は、本発明の目的を阻害しない範囲で2種類以上を使用することも可能である。
The liquid crystal polymer (A) is obtained by the above method. The melting point of the liquid crystal polymer (A) is not particularly limited as long as it does not impair the object of the present invention. The melting point of the liquid crystal polymer (A) is preferably 250 ° C. or higher, more preferably 280 ° C. or higher. On the other hand, the melting point of the liquid crystal polymer (A) is preferably 400 ° C. or lower, preferably 350 ° C. or lower, from the viewpoint of processability and the suppression of decomposition of the graft-modified polyolefin (B) during the production of the low-dielectric resin composition. More preferred.
The melting point of the liquid crystal polymer (A) is, for example, the temperature obtained from the crystal melting peak measured at a heating rate of 20 ° C./min by a differential scanning calorimeter (hereinafter abbreviated as DSC). .. More specifically, after observing the heat absorption peak temperature (Tm1) observed when the sample of the liquid crystal polymer (A) is measured at a temperature rising condition of 20 ° C./min from room temperature, the temperature is 20 ° C. or higher and 50 ° C. from Tm1. After holding the sample at a high temperature for 10 minutes and then cooling the sample to room temperature under a temperature decrease condition of 20 ° C./min, the heat absorption peak was observed again when measured under a temperature rise condition of 20 ° C./min, and the peak top was observed. Let the temperature indicating the above be the melting point of the liquid crystal polymer (A). As the measuring device, for example, DSC Q1000 manufactured by TA Instruments can be used.
Further, it is possible to use two or more kinds of the liquid crystal polymer (A) as long as the object of the present invention is not impaired.

<グラフト変性ポリオレフィン(B)>
グラフト変性ポリオレフィンは、ポリオレフィンがエポキシ基を有するビニル単量体によりグラフト変性された樹脂である。このため、グラフト変性ポリオレフィン(B)は、エポキシ基を極性基として有する。
エポキシ基は、フェノール性水酸基やカルボキシ基等の液晶ポリマー(A)が有する官能基と反応し得る。このため、極性基としてエポキシ基を有するグラフト変性ポリオレフィン(B)と、液晶ポリマー(A)とは、低誘電樹脂組成物中において適度に親和し、例えば、海島構造のような好ましい相構造を容易に形成し得る。
<Graft-modified polyolefin (B)>
The graft-modified polyolefin is a resin in which the polyolefin is graft-modified with a vinyl monomer having an epoxy group. Therefore, the graft-modified polyolefin (B) has an epoxy group as a polar group.
The epoxy group can react with a functional group of the liquid crystal polymer (A) such as a phenolic hydroxyl group or a carboxy group. Therefore, the graft-modified polyolefin (B) having an epoxy group as a polar group and the liquid crystal polymer (A) have an appropriate affinity in the low-dielectric resin composition, facilitating a preferable phase structure such as a sea-island structure. Can be formed into.

海島構造における島の径としては、100μm以下が好ましく、50μm以下がより好ましく、10μm以下がさらに好ましい。島の径の下限は特に限定されないが、例えば、1μm以上であってよく、2μm以上であってよく、3μm以上であってよい。
種々の電気・電子機器の小型化、薄型化にともない、かかる機器に適用されるフィルムにも、例えば100μm以下の薄さが求められる場合がある。低誘電樹脂組成物を用いて形成されるフィルムの厚さが100μm以下である場合がしばしばあることを考慮すると、層構造が海島構造であることによる効果を得つつフィルムの特性のばらつきを抑制できる点で、島の径は1μm以上100μm以下の範囲内であるのが好ましい。
なお、「島の径がXμm以下」とは、非連続領域である島相の全体の90%以上、通常95%以上、典型的には99%以上の島相のサイズがXμm以下であることを示す。また、「島の径がYμm以上」とは、非連続領域である島相の全体の90%以上、通常95%以上、典型的には99%以上の島相のサイズがXμm以上であることを示す。
ここで、「径」とは一般に島の直径を指す。島の形状が円形とは大きく異なる場合には長径(島に外接する長方形の長辺の長さ)を「径」として定義する。ここで、長径とは、島に外接する長方形の長辺の長さ、又は島に外接する正方形の一辺の長さである。
島の径を確認する方法としては、例えば、後述する実施例のように低誘電樹脂組成物を用いて形成されたフィルムを熱硬化性樹脂に包埋し、厚さ方向の断面をイオンビームで研磨してフィルムの断面を露出させ、フィルムの断面を走査型電子顕微鏡で観察する方法が挙げられる。
The diameter of the island in the sea-island structure is preferably 100 μm or less, more preferably 50 μm or less, still more preferably 10 μm or less. The lower limit of the diameter of the island is not particularly limited, but may be, for example, 1 μm or more, 2 μm or more, or 3 μm or more.
With the miniaturization and thinning of various electric and electronic devices, the film applied to such devices may be required to have a thinness of, for example, 100 μm or less. Considering that the thickness of the film formed by using the low-dielectric resin composition is often 100 μm or less, it is possible to suppress the variation in the characteristics of the film while obtaining the effect of the sea-island structure of the layer structure. In terms of points, the diameter of the island is preferably in the range of 1 μm or more and 100 μm or less.
In addition, "the diameter of the island is X μm or less" means that the size of the island phase of 90% or more, usually 95% or more, typically 99% or more of the whole island fauna which is a discontinuous region is X μm or less. Is shown. Further, "island diameter of Y μm or more" means that the size of the island fauna that is 90% or more, usually 95% or more, typically 99% or more of the whole island fauna that is a discontinuous region is X μm or more. Is shown.
Here, the "diameter" generally refers to the diameter of the island. When the shape of the island is significantly different from the circular shape, the major axis (the length of the long side of the rectangle circumscribing the island) is defined as the "diameter". Here, the major axis is the length of the long side of the rectangle circumscribing the island, or the length of one side of the square circumscribing the island.
As a method for confirming the diameter of the island, for example, a film formed by using a low dielectric resin composition as in the examples described later is embedded in a thermosetting resin, and a cross section in the thickness direction is cross-sectioned with an ion beam. A method of polishing to expose the cross section of the film and observing the cross section of the film with a scanning electron microscope can be mentioned.

エポキシ基を有するグラフト変性ポリオレフィン(B)におけるエポキシ基を有するビニル単量体による変性量は、5質量%以下であり、1質量%以下が好ましい。前述のエポキシ基を有するビニル単量体による変性量の下限は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されない。下限は、例えば、0.1質量%以上であってよく、0.3質量%以上であってよく、0.5質量以上であってよい。
エポキシ基を有するグラフト変性ポリオレフィン(B)におけるエポキシ基を有するビニル単量体による変性量が、0.1質量%以上5質量%以下である場合、グラフト変性ポリオレフィン(B)を用いることにより加工性及び低誘電特性に優れる低誘電樹脂組成物を特に得やすい。
エポキシ基を有するグラフト変性ポリオレフィン(B)におけるエポキシ基を有するビニル単量体による変性量が大きくなると、比誘電率と誘電正接とが増加する一方で、液晶ポリマー(A)単独の比誘電率よりも低い比誘電率と、グラフト変性ポリオレフィン(B)単独の誘電正接よりも低い誘電正接とを示す低誘電樹脂組成物を得やすい。しかし、変性量が5質量%を超えると、グラフト変性ポリオレフィン(B)の誘電正接が高くなり過ぎる。具体的には、変性量が5質量%を超えると、10GHzにおける誘電正接が0.0025以下である低誘電樹脂組成物を得ることが困難である。
エポキシ基を有するビニル単量体による変性量は、JIS K7236に準拠し電位差自動滴定装置(京都電子工業製AT700)を用いて測定することができる。エポキシ基を有するビニル単量体による変性量の測定には、キシレンにより再結晶させたグラフト変性ポリオレフィン(B)を用いることができる。
The amount of modification of the graft-modified polyolefin (B) having an epoxy group with the vinyl monomer having an epoxy group is 5% by mass or less, preferably 1% by mass or less. The lower limit of the amount of modification by the vinyl monomer having an epoxy group described above is not particularly limited as long as it does not impair the object of the present invention. The lower limit may be, for example, 0.1% by mass or more, 0.3% by mass or more, or 0.5% by mass or more.
When the amount of modification of the graft-modified polyolefin (B) having an epoxy group by the vinyl monomer having an epoxy group is 0.1% by mass or more and 5% by mass or less, the processability by using the graft-modified polyolefin (B) is possible. It is particularly easy to obtain a low-dielectric resin composition having excellent low-dielectric properties.
When the amount of modification by the vinyl monomer having an epoxy group in the graft-modified polyolefin (B) having an epoxy group is large, the relative permittivity and the dielectric tangent increase, while the relative permittivity of the liquid crystal polymer (A) alone is higher. It is easy to obtain a low-dielectric resin composition showing a low relative permittivity and a lower dielectric tangent than the dielectric tangent of the graft-modified polyolefin (B) alone. However, if the amount of modification exceeds 5% by mass, the dielectric loss tangent of the graft-modified polyolefin (B) becomes too high. Specifically, when the modification amount exceeds 5% by mass, it is difficult to obtain a low dielectric resin composition having a dielectric loss tangent of 0.0025 or less at 10 GHz.
The amount of modification by the vinyl monomer having an epoxy group can be measured by using a potential difference automatic titrator (AT700 manufactured by Kyoto Denshi Kogyo Co., Ltd.) in accordance with JIS K7236. A graft-modified polyolefin (B) recrystallized from xylene can be used for measuring the amount of modification with the vinyl monomer having an epoxy group.

典型的には、グラフト変性ポリオレフィン(B)は、ポリオレフィンが、ラジカル重合開始剤の存在下で、エポキシ基を有するビニル単量体でグラフト変性された樹脂である。
なお、グラフト変性ポリオレフィン(B)は、エポキシ基を有するビニル単量体と、エポキシ基を有するビニル単量体以外の他のビニル単量体とともにグラフト変性されていてもよい。
グラフト変性ポリオレフィン(B)は、エポキシ基を有するビニル単量体、及び芳香族ビニル単量体によりグラフト変性されたポリオレフィンであるのが好ましく、グリシジル(メタ)アクリレートと、スチレンとによってグラフト変性されたポリオレフィンであるのがより好ましい。
Typically, the graft-modified polyolefin (B) is a resin in which the polyolefin is graft-modified with a vinyl monomer having an epoxy group in the presence of a radical polymerization initiator.
The graft-modified polyolefin (B) may be graft-modified with a vinyl monomer having an epoxy group and a vinyl monomer other than the vinyl monomer having an epoxy group.
The graft-modified polyolefin (B) is preferably a vinyl monomer having an epoxy group and a polyolefin graft-modified with an aromatic vinyl monomer, and is graft-modified with glycidyl (meth) acrylate and styrene. More preferably, it is a polyolefin.

ポリオレフィンとしては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ-1-ブテン、ポリイソブチレン、ポリメチルペンテン、プロピレン-エチレン共重合体、エチレン-プロピレン-ジエン共重合体、エチレン/ブテン-1共重合体、及びエチレン/オクテン共重合体等の鎖状ポリオレフィン;シクロペンタジエンとエチレン及び/又はプロピレンとの共重合体等の環状ポリオレフィンが挙げられる。 Examples of the polyolefin include polyethylene, polypropylene, poly-1-butene, polyisobutylene, polymethylpentene, propylene-ethylene copolymer, ethylene-propylene-diene copolymer, ethylene / butene-1 copolymer, and ethylene. / Chain polyolefins such as octene copolymers; cyclic polyolefins such as copolymers of cyclopentadiene with ethylene and / or propylene can be mentioned.

これらのポリオレフィンの中でも、変性反応が容易であることから、ポリメチルペンテン、ポリエチレン、ポリプロピレン、及びプロピレン-エチレン共重合体が好ましく、耐熱性及び低誘電特性の点から、ポリメチルペンテンがより好ましい。 Among these polyolefins, polymethylpentene, polyethylene, polypropylene, and propylene-ethylene copolymers are preferable because the modification reaction is easy, and polymethylpentene is more preferable from the viewpoint of heat resistance and low dielectric properties.

ポリオレフィンをグラフト変性する際に使用し得るラジカル重合開始剤としては、例えば、メチルエチルケトンパーオキサイド、及びメチルアセトアセテートパーオキサイド等のケトンパーオキサイド;1,1-ビス(tert-ブチルパーオキシ)-3,3,5-トリメチルシクロヘキサン、1,1-ビス(tert-ブチルパーオキシ)シクロヘキサン、n-ブチル-4,4-ビス(tert-ブチルパーオキシ)バレレート、及び2,2-ビス(tert-ブチルパーオキシ)ブタン等のパーオキシケタール;パーメタンハイドロパーオキサイド、1,1,3,3-テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、及びクメンハイドロパーオキサイド等のハイドロパーオキサイド;ジクミルパーオキサイド、2,5-ジメチル-2,5-ジ(tert-ブチルパーオキシ)ヘキサン、α,α’-ビス(tert-ブチルパーオキシ-m-イソプロピル)ベンゼン、tert-ブチルクミルパーオキサイド、ジ-tert-ブチルパーオキサイド、及び2,5-ジメチル-2,5-ジ(tert-ブチルパーオキシ)ヘキシン-3等のジアルキルパーオキサイド;ベンゾイルパーオキサイド等のジアシルパーオキサイド;ジ(3-メチル-3-メトキシブチル)パーオキシジカーボネート、及びジ-2-メトキシブチルパーオキシジカーボネート等のパーオキシジカーボネート、tert-ブチルパーオキシオクテート、tert-ブチルパーオキシイソブチレート、tert-ブチルパーオキシラウレート、tert-ブチルパーオキシ-3,5,5-トリメチルヘキサノエート、tert-ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート、2,5-ジメチル-2,5-ジ(ベンゾイルパーオキシ)ヘキサン、tert-ブチルパーオキシアセテート、tert-ブチルパーオキシベンゾエート、及びジ-tert-ブチルパーオキシイソフタレート等のパーオキシエステル等が挙げられる。上記のラジカル重合開始剤は、単独又は2種以上を混合して用いることができる。 Examples of radical polymerization initiators that can be used for graft modification of polyolefins include ketone peroxides such as methyl ethyl ketone peroxide and methyl acetoacetate peroxide; 1,1-bis (tert-butylperoxy) -3, 3,5-trimethylcyclohexane, 1,1-bis (tert-butylperoxy) cyclohexane, n-butyl-4,4-bis (tert-butylperoxy) valerate, and 2,2-bis (tert-butylperoxy). Oxy) Peroxyketal such as butane; hydroperoxides such as permethanehydroperoxide, 1,1,3,3-tetramethylbutylhydroperoxide, diisopropylbenzenehydroperoxide, and cumenehydroperoxide; dicumylper Oxide, 2,5-dimethyl-2,5-di (tert-butylperoxy) hexane, α, α'-bis (tert-butylperoxy-m-isopropyl) benzene, tert-butylcumyl peroxide, di- Dialkyl peroxides such as tert-butyl peroxide and 2,5-dimethyl-2,5-di (tert-butylperoxy) hexin-3; diacyl peroxides such as benzoyl peroxide; di (3-methyl-3). -Methoxybutyl) peroxydicarbonate and peroxydicarbonate such as di-2-methoxybutylperoxydicarbonate, tert-butylperoxyoctate, tert-butylperoxyisobutyrate, tert-butylperoxylau Rate, tert-butylperoxy-3,5,5-trimethylhexanoate, tert-butylperoxyisopropyl carbonate, 2,5-dimethyl-2,5-di (benzoylperoxy) hexane, tert-butylperoxy Examples thereof include peroxy esters such as acetate, tert-butyl peroxybenzoate, and di-tert-butyl peroxyisophthalate. The above radical polymerization initiator can be used alone or in combination of two or more.

ラジカル重合開始剤の使用量は、グラフト変性反応が良好に進行する限り特に限定されない。ラジカル重合開始剤の使用量は、ポリオレフィン100質量部に対して、0.01質量部以上10質量部以下が好ましく、0.2質量部以上5質量部以下がより好ましい。 The amount of the radical polymerization initiator used is not particularly limited as long as the graft modification reaction proceeds well. The amount of the radical polymerization initiator used is preferably 0.01 parts by mass or more and 10 parts by mass or less, and more preferably 0.2 parts by mass or more and 5 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polyolefin.

グラフト変性に使用され得るエポキシ基を有するビニル単量体としては、メタクリル酸グリシジル、アクリル酸グリシジル、マレイン酸モノグリシジル、マレイン酸ジグリシジル、イタコン酸モノグリシジル、イタコン酸ジグリシジル、アリルコハク酸モノグリシジル、アリルコハク酸ジグリシジル、p-スチレンカルボン酸グリシジル、アリルグリシジルエーテル、メタクリルグリシジルエーテル、スチレン-p-グリシジルエーテル、p-グリシジルスチレン、3,4-エポキシ-1-ブテン、3,4-エポキシ-3-メチル-1-ブテン、及びビニルシクロヘキセンモノオキシド等のエポキシ基含有ビニル単量体が挙げられる。
これらの中でも、メタクリル酸グリシジル、アクリル酸グリシジルがより好ましく、メタクリル酸グリシジルが特に好ましい。
上記のエポキシ基を有するビニル単量体は、単独又は2種以上を混合して用いることができる。
Examples of the vinyl monomer having an epoxy group that can be used for graft modification include glycidyl methacrylate, glycidyl acrylate, monoglycidyl maleate, diglycidyl maleate, monoglycidyl itaconate, diglycidyl itaconate, monoglycidyl allyl succinate, and allyl succinic acid. Diglycidyl, p-styrene carboxylate glycidyl, allyl glycidyl ether, methacrylic glycidyl ether, styrene-p-glycidyl ether, p-glycidyl styrene, 3,4-epoxide-1-butene, 3,4-epoxide-3-methyl-1 -Epoxide-containing vinyl monomers such as butene and vinylcyclohexene monooxide can be mentioned.
Among these, glycidyl methacrylate and glycidyl acrylate are more preferable, and glycidyl methacrylate is particularly preferable.
The vinyl monomer having an epoxy group described above can be used alone or in combination of two or more.

エポキシ基を有するビニル単量体とともに用いることができる、ビニル単量体としては、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸、テトラヒドロフタル酸、イタコン酸、シトラコン酸、クロトン酸、及びイソクロトン酸等の不飽和カルボン酸;酸無水物、酸ハライド、アミド、イミド、及びエステル等のこれらの不飽和カルボン酸の誘導体が挙げられる。 Examples of the vinyl monomer that can be used together with the vinyl monomer having an epoxy group include acrylic acid, methacrylic acid, maleic acid, fumaric acid, tetrahydrophthalic acid, itaconic acid, citraconic acid, crotonic acid, and isocrotonic acid. Unsaturated carboxylic acids; include derivatives of these unsaturated carboxylic acids such as acid anhydrides, acid halides, amides, imides, and esters.

ポリオレフィンのグラフト変性に使用されるエポキシ基を有するビニル単量体の添加量は、グラフト変性ポリオレフィン(B)のエポキシ基を有するビニル単量体による変性量が所望する値である限り特に限定されない。グラフト変性に使用されるエポキシ基を有するビニル単量体の量は、典型的には、ポリオレフィン100質量部に対して、0.1質量部以上6質量部以下が好ましく、0.5質量部以上5質量部以下がより好ましく、1質量部以上4質量部以下が特に好ましい。
かかる範囲内の量のエポキシ基を有するビニル単量体を用いて変性されたポリオレフィンを用いることで、好ましい相状態であり、所望する低誘電特性を示す低誘電樹脂組成物を得やすい。
The amount of the vinyl monomer having an epoxy group used for the graft modification of the polyolefin is not particularly limited as long as the amount of modification by the vinyl monomer having an epoxy group of the graft-modified polyolefin (B) is a desired value. The amount of the vinyl monomer having an epoxy group used for graft modification is typically 0.1 part by mass or more and 6 parts by mass or less, preferably 0.5 part by mass or more, based on 100 parts by mass of the polyolefin. 5 parts by mass or less is more preferable, and 1 part by mass or more and 4 parts by mass or less is particularly preferable.
By using a polyolefin modified with a vinyl monomer having an amount of epoxy groups within such a range, it is easy to obtain a low-dielectric resin composition which is in a preferable phase state and exhibits a desired low-dielectric property.

前述の通りグラフト変性ポリオレフィン(B)は、エポキシ基を有するビニル単量体、及び芳香族ビニル単量体によりグラフト変性されたポリオレフィンであるのが好ましい。
エポキシ基を有するビニル単量体と、芳香族ビニル単量体とを併用することにより、グラフト反応が安定化することによって、エポキシ基を有するビニル単量体を所望する量グラフトさせやすいためである。
As described above, the graft-modified polyolefin (B) is preferably a vinyl monomer having an epoxy group and a polyolefin graft-modified with an aromatic vinyl monomer.
This is because the combined use of the vinyl monomer having an epoxy group and the aromatic vinyl monomer stabilizes the graft reaction, so that the vinyl monomer having an epoxy group can be easily grafted in a desired amount. ..

芳香族ビニル単量体の具体例としては、スチレン;o-メチルスチレン、m-メチルスチレン、p-メチルスチレン、α-メチルスチレン、β-メチルスチレン、ジメチルスチレン、及びトリメチルスチレン等のアルキルスチレン類;o-クロロスチレン、m-クロロスチレン、p-クロロスチレン、α-クロロスチレン、β-クロロスチレン、ジクロロスチレン、及びトリクロロスチレン等のクロロスチレン類;o-ブロモスチレン、m-ブロモスチレン、p-ブロモスチレン、ジブロモスチレン、及びトリブロモスチレン等のブロモスチレン類;o-フルオロスチレン、m-フルオロスチレン、p-フルオロスチレン、ジフルオロスチレン、及びトリフルオロスチレン等のフルオロスチレン類;o-ニトロスチレン、m-ニトロスチレン、p-ニトロスチレン、ジニトロスチレン、及びトリニトロスチレン等のニトロスチレン類;o-ヒドロキシスチレン、m-ヒドロキシスチレン、p-ヒドロキシスチレン、ジヒドロキシスチレン、及びトリヒドロキシスチレン等のヒドロキシスチレン類;o-ジビニルベンゼン、m-ジビニルベンゼン、p-ジビニルベンゼン、o-ジイソプロペニルベンゼン、m-ジイソプロペニルベンゼン、及びp-ジイソプロペニルベンゼン等のジアルケニルベンゼン類等が挙げられる。
これら芳香族ビニル単量体の中でも、スチレン、α-メチルスチレン、p-メチルスチレン、o-ジビニルベンゼン、m-ジビニルベンゼン、p-ジビニルベンゼン、又はジビニルベンゼン異性体混合物が、安価な点で好ましく、特にスチレンが好ましい。
芳香族ビニル単量体は、単独又は2種以上を混合して用いることができる。
Specific examples of aromatic vinyl monomers include styrene; alkyl styrenes such as o-methyl styrene, m-methyl styrene, p-methyl styrene, α-methyl styrene, β-methyl styrene, dimethyl styrene, and trimethyl styrene. Chlorostyrenes such as o-chlorostyrene, m-chlorostyrene, p-chlorostyrene, α-chlorostyrene, β-chlorostyrene, dichlorostyrene, and trichlorostyrene; o-bromostyrene, m-bromostyrene, p- Bromostyrenes such as bromostyrene, dibromostyrene, and tribromostyrene; fluorostyrenes such as o-fluorostyrene, m-fluorostyrene, p-fluorostyrene, difluorostyrene, and trifluorostyrene; o-nitrostyrene, m. -Nitrostyrenes such as nitrostyrene, p-nitrostyrene, dinitrostyrene, and trinitrostyrene; hydroxystyrenes such as o-hydroxystyrene, m-hydroxystyrene, p-hydroxystyrene, dihydroxystyrene, and trihydroxystyrene; Examples thereof include dialkenylbenzenes such as o-divinylbenzene, m-divinylbenzene, p-divinylbenzene, o-diisopropenylbenzene, m-diisopropenylbenzene, and p-diisopropenylbenzene.
Among these aromatic vinyl monomers, styrene, α-methylstyrene, p-methylstyrene, o-divinylbenzene, m-divinylbenzene, p-divinylbenzene, or a mixture of divinylbenzene isomers is preferable in terms of low cost. , Particularly styrene is preferred.
The aromatic vinyl monomer can be used alone or in combination of two or more.

ポリオレフィンのグラフト変性に使用されるエポキシ基を有する芳香族ビニル単量体の量は、ポリオレフィン100質量部に対して、0.1質量部以上12質量部以下が好ましく、0.5質量部以上10質量部以下がより好ましく、1質量部以上8質量部以下が特に好ましい。 The amount of the aromatic vinyl monomer having an epoxy group used for graft modification of the polyolefin is preferably 0.1 part by mass or more and 12 parts by mass or less, and 0.5 parts by mass or more and 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polyolefin. It is more preferably 1 part by mass or less, and particularly preferably 1 part by mass or more and 8 parts by mass or less.

液晶ポリマー(A)との溶融混錬が容易であることから、グラフト変性ポリオレフィン(B)の融点は80℃以上が好ましく、100℃以上がより好ましく、200℃以上がより好ましい。グラフト変性ポリオレフィン(B)の融点の上限は特に限定されないが、350℃以下が好ましく、300℃以下がより好ましい。 Since melt-kneading with the liquid crystal polymer (A) is easy, the melting point of the graft-modified polyolefin (B) is preferably 80 ° C. or higher, more preferably 100 ° C. or higher, and even more preferably 200 ° C. or higher. The upper limit of the melting point of the graft-modified polyolefin (B) is not particularly limited, but is preferably 350 ° C. or lower, more preferably 300 ° C. or lower.

以上説明した方法により製造される低誘電樹脂組成物は、射出成形、押出成形、ブロー成形、溶液キャスト法等の公知の種々の製造方法により種々の成形品に加工される。
以上説明した低誘電樹脂組成物は、高周波帯域における低誘電特性に優れるため、好ましくはフィルムに加工され、当該フィルムを用いて伝送損失の少ないフレキシブルプリント配線板が製造される。
The low dielectric resin composition produced by the method described above is processed into various molded products by various known production methods such as injection molding, extrusion molding, blow molding, and solution casting method.
Since the low-dielectric resin composition described above has excellent low-dielectric properties in the high-frequency band, it is preferably processed into a film, and the film is used to produce a flexible printed wiring board with low transmission loss.

低誘電樹脂組成物を用いてフィルムを製造する好適な方法としては、以下の1)及び2)の方法が挙げられる。
1)Tダイを用いる溶融押出法。
2)溶液キャスト法。
溶液キャスト法では、具体的には、低誘電樹脂組成物の有機溶剤溶液を支持体上にキャストした後、加熱及び/又は減圧等の方法によりキャストされた有機溶剤溶液から有機溶剤を除去してフィルムが得られる。
キャスト方法は特に限定されず、ダイコーター、コンマコーター(登録商標)、リバースコーター、及びナイフコーター等の公知の方法が挙げられる。有機溶剤を除去する方法としては加熱が好ましい。加熱方法としては、熱風炉や遠赤外線炉等の公知の加熱装置を用いる方法が挙げられる。
低誘電樹脂組成物の有機溶剤溶液は、例えば、低誘電樹脂組成物とキシレンとを、80℃程度の温度で混合することにより得られる。なお、低誘電樹脂組成物ではなく、低誘電樹脂組成物を構成する2種以上の各材料を、キシレンと混合してもよい。
Suitable methods for producing a film using the low-dielectric resin composition include the following methods 1) and 2).
1) Melt extrusion method using T-die.
2) Solution casting method.
In the solution casting method, specifically, an organic solvent solution of a low-dielectric resin composition is cast on a support, and then the organic solvent is removed from the cast organic solvent solution by a method such as heating and / or depressurization. A film is obtained.
The casting method is not particularly limited, and examples thereof include known methods such as a die coater, a comma coater (registered trademark), a reverse coater, and a knife coater. Heating is preferable as a method for removing the organic solvent. Examples of the heating method include a method using a known heating device such as a hot air furnace or a far-infrared furnace.
The organic solvent solution of the low-dielectric resin composition can be obtained, for example, by mixing the low-dielectric resin composition and xylene at a temperature of about 80 ° C. Instead of the low-dielectric resin composition, two or more kinds of materials constituting the low-dielectric resin composition may be mixed with xylene.

低誘電樹脂組成物からなるフィルムの厚さは特に限定されず、フィルムの用途に応じて適宜決定される。フィルムを用いてフレキシブルプリント配線板を製造する場合、フィルムの厚さは、5μm以上200μm以下が好ましく、10μm以上100μm以下がより好ましい。 The thickness of the film made of the low-dielectric resin composition is not particularly limited, and is appropriately determined depending on the use of the film. When a flexible printed wiring board is manufactured using a film, the thickness of the film is preferably 5 μm or more and 200 μm or less, and more preferably 10 μm or more and 100 μm or less.

より具体的には、フレキシブルプリント配線板は、典型的には、前述の低誘電樹脂組成物からなるフィルムと金属箔とが積層された積層フィルムにおいて、金属箔をエッチングして配線を形成することにより製造される。
かかるフレキシブルプリント配線板は、伝送速度が速く伝送損失が小さいため高周波用途に適用される回路基板として好適に使用される。
More specifically, the flexible printed wiring board typically forms a wiring by etching a metal foil in a laminated film in which a film made of the above-mentioned low dielectric resin composition and a metal foil are laminated. Manufactured by.
Since such a flexible printed wiring board has a high transmission speed and a small transmission loss, it is suitably used as a circuit board applied to high frequency applications.

低誘電樹脂組成物からなるフィルムと金属箔とが積層された積層フィルムを得る方法としては、以下のI)及びII)の方法が挙げられる。
I)加熱及び加圧により、低誘電樹脂組成物からなるフィルムと金属箔とを熱圧着させて積層フィルムを得る方法。
II)低誘電樹脂組成物の有機溶剤溶液を金属箔上にキャストし、加熱及び/又は減圧等の方法により、キャストされた有機溶剤溶液から有機溶剤を除去して積層フィルムを得る方法。
I)の方法において、低誘電樹脂組成物からなるフィルムと金属箔とを加熱及び加圧により熱圧着させる方法及び条件については、従来知られる方法及び条件から適宜選択される。なお、低誘電樹脂組成物がある程度低い融点を有するグラフト変性ポリオレフィン(B)を含むことにより、金属箔をフィルムから剥離させる際のピール強度を5N/cm以上の高強度に維持しつつ、熱圧着温度を低く設定することができる。熱圧着温度としては400℃以下が好ましく、200℃以下がより好ましい。
II)の方法において金属箔上にフィルムを積層する方法は、金属箔を支持体とする他は、溶液キャスト法として前述した方法と同様である。
なお、積層フィルムにおいて、金属箔は、フィルムの少なくとも一方の主面に積層されればよく、フィルムの一方の主面だけに金属箔が積層されても、フィルムの両方の主面に金属箔が積層されてもよい。
Examples of the method for obtaining a laminated film in which a film made of a low-dielectric resin composition and a metal foil are laminated include the following methods I) and II).
I) A method of obtaining a laminated film by thermocompression bonding a film made of a low-dielectric resin composition and a metal foil by heating and pressurizing.
II) A method in which an organic solvent solution of a low dielectric resin composition is cast on a metal foil, and the organic solvent is removed from the cast organic solvent solution by a method such as heating and / or depressurization to obtain a laminated film.
In the method I), the method and conditions for thermocompression bonding the film made of the low-dielectric resin composition and the metal foil by heating and pressurizing are appropriately selected from the conventionally known methods and conditions. By containing the graft-modified polyolefin (B) having a melting point low to some extent, the low-dielectric resin composition is thermocompression-bonded while maintaining the peel strength when peeling the metal foil from the film at a high strength of 5 N / cm or more. The temperature can be set low. The thermocompression bonding temperature is preferably 400 ° C. or lower, more preferably 200 ° C. or lower.
The method of laminating the film on the metal foil in the method II) is the same as the method described above as the solution casting method except that the metal foil is used as a support.
In the laminated film, the metal foil may be laminated on at least one main surface of the film, and even if the metal foil is laminated only on one main surface of the film, the metal foil is laminated on both main surfaces of the film. It may be laminated.

低誘電樹脂組成物からなるフィルムに張り付けられる金属箔は特に限定されない。電気・電子機器用途に使用されるフレキシブルプリント配線板を製造する際に使用される金属箔の材料としては、銅、銅合金、ニッケル、ニッケル合金(例えば42合金)、アルミニウム、アルミニウム合金、及びステンレス鋼が挙げられる。
導電性や加工性に優れ、フィルムとの接合強度が高い点等から、フレキシブルプリント配線板を製造する際に使用される金属箔としては、銅箔が好ましい。銅箔としては、例えば、圧延銅箔、電解銅箔等が好ましく使用される。
以上説明した金属箔の表面には、必要に応じて、防錆層、耐熱層、及び接着層等の機能層が設けられてもよい。
金属箔の厚さは特に限定されず、フレキシブルプリント配線板の用途に応じて適宜選択される。
The metal foil attached to the film made of the low-dielectric resin composition is not particularly limited. Metal foil materials used in the manufacture of flexible printed wiring boards used in electrical and electronic equipment applications include copper, copper alloys, nickel, nickel alloys (eg 42 alloys), aluminum, aluminum alloys, and stainless steel. Steel is mentioned.
Copper foil is preferable as the metal foil used when manufacturing a flexible printed wiring board because it has excellent conductivity and processability and has high bonding strength with a film. As the copper foil, for example, rolled copper foil, electrolytic copper foil and the like are preferably used.
If necessary, a functional layer such as a rust preventive layer, a heat-resistant layer, and an adhesive layer may be provided on the surface of the metal foil described above.
The thickness of the metal foil is not particularly limited, and is appropriately selected depending on the application of the flexible printed wiring board.

前述の低誘電樹脂組成物からなるフィルムと金属箔とが積層された積層フィルムについて、金属箔のフィルムからの剥がれにくさの指標であるピール強度は5N/cm以上であるのが好ましい。
ピール強度は、JIS C 6471の「6.5 引きはがし強さ」に従って測定できる。具体的には、1mm幅の金属箔部分を90°の剥離角度、100mm/分の速度の条件で剥離させることにより、剥離時の加重をピール強度として測定できる。
With respect to the laminated film in which the film made of the low dielectric resin composition and the metal foil are laminated, the peel strength, which is an index of the resistance of the metal foil to peeling from the film, is preferably 5 N / cm or more.
The peel strength can be measured according to "6.5 Peeling strength" of JIS C 6471. Specifically, by peeling the metal foil portion having a width of 1 mm under the conditions of a peeling angle of 90 ° and a speed of 100 mm / min, the weight at the time of peeling can be measured as the peel strength.

以下に、実施例を挙げて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

〔製造例1〕
(変性ポリオレフィン1の製造)
(a1)ポリメチルペンテン樹脂(三井化学製TPXグレードMX002)100質量部、(b1)1,3-ジ(tert-ブチルパーオキシイソプロピル)ベンゼン(日油製:パーブチルP)1.5質量部を、ホッパー口より、シリンダー温度230℃、スクリュー回転数150rpmに設定した二軸押出機(46mmφ、L/D=63、神戸製鋼社製)に供給して溶融混練を行う際に、シリンダー途中より(c1)スチレン8質量部、(d1)グリシジルメタクリレート8質量部を加えた。その後、ベント口から真空脱揮することにより変性ポリオレフィン樹脂のペレットを得た。
得られた樹脂ペレットを130℃でキシレンに溶解させた後、再び常温に冷却した際に析出した再結晶樹脂を用いて、JIS K7236に準拠し電位差自動滴定装置(京都電子工業製AT700)でグリシジルメタクリレート変性量を測定した。変性ポリオレフィン1のグリシジルメタクリレート変性量は2.64質量%だった。
[Manufacturing Example 1]
(Manufacturing of Modified Polyolefin 1)
(A1) 100 parts by mass of polymethylpentene resin (TPX grade MX002 manufactured by Mitsui Chemicals), (b1) 1.5 parts by mass of 1,3-di (tert-butylperoxyisopropyl) benzene (manufactured by NOF Corporation: Perbutyl P) , From the middle of the cylinder when supplying to a twin-screw extruder (46 mmφ, L / D = 63, manufactured by Kobe Steel Co., Ltd.) set to a cylinder temperature of 230 ° C and a screw rotation speed of 150 rpm from the hopper mouth. c1) 8 parts by mass of styrene and (d1) 8 parts by mass of glycidyl methacrylate were added. Then, the modified polyolefin resin pellets were obtained by vacuum devolatile from the vent port.
After dissolving the obtained resin pellets in xylene at 130 ° C., using the recrystallized resin precipitated when cooled to room temperature again, glycidyl was used in a potential difference automatic titrator (AT700 manufactured by Kyoto Electronics Industry Co., Ltd.) in accordance with JIS K7236. The amount of methacrylate denaturation was measured. The amount of glycidyl methacrylate modification of the modified polyolefin 1 was 2.64% by mass.

〔製造例2〕
(変性ポリオレフィン2の製造)
(a1)ポリメチルペンテン樹脂(三井化学製TPXグレードMX002)100質量部、(b1)1,3-ジ(t-ブチルパーオキシイソプロピル)ベンゼン(日油製:パーブチルP)0.5質量部を、ホッパー口より、シリンダー温度230℃、スクリュー回転数150rpmに設定した二軸押出機(46mmφ、L/D=63、神戸製鋼社製)に供給して溶融混練を行う際に、シリンダー途中より(c1)スチレン2質量部、(d1)グリシジルメタクリレート2質量部を加えた。その後、ベント口から真空脱揮することにより変性ポリオレフィン樹脂のペレットを得た。
得られた樹脂ペレットを130℃でキシレンに溶解させた後、再び常温に冷却した際に析出した再結晶樹脂を用いて、JIS K7236に準拠し電位差自動滴定装置(京都電子工業製AT700)でグリシジルメタクリレート変性量を測定した。変性ポリオレフィン2のグリシジルメタクリレート変性量は0.74質量%だった。
[Manufacturing Example 2]
(Manufacturing of Modified Polyolefin 2)
(A1) 100 parts by mass of polymethylpentene resin (TPX grade MX002 manufactured by Mitsui Chemicals), (b1) 0.5 parts by mass of 1,3-di (t-butylperoxyisopropyl) benzene (manufactured by NOF Corporation: Perbutyl P) , From the middle of the cylinder when supplying to a twin-screw extruder (46 mmφ, L / D = 63, manufactured by Kobe Steel Co., Ltd.) set to a cylinder temperature of 230 ° C and a screw rotation speed of 150 rpm from the hopper mouth. c1) 2 parts by mass of styrene and (d1) 2 parts by mass of glycidyl methacrylate were added. Then, the modified polyolefin resin pellets were obtained by vacuum devolatile from the vent port.
After dissolving the obtained resin pellets in xylene at 130 ° C., using the recrystallized resin precipitated when cooled to room temperature again, glycidyl was used in a potential difference automatic titrator (AT700 manufactured by Kyoto Electronics Industry Co., Ltd.) in accordance with JIS K7236. The amount of methacrylate denaturation was measured. The amount of glycidyl methacrylate modification of the modified polyolefin 2 was 0.74% by mass.

〔製造例3〕
(変性ポリオレフィン3の製造)
(a1)ポリメチルペンテン樹脂(三井化学製TPXグレードMX002)100質量部、(b1)1,3-ジ(t-ブチルパーオキシイソプロピル)ベンゼン(日油製:パーブチルP)2.6質量部を、ホッパー口より、シリンダー温度230℃、スクリュー回転数150rpmに設定した二軸押出機(46mmφ、L/D=63、神戸製鋼社製)に供給して溶融混練を行う際に、シリンダー途中より(c1)スチレン12.0質量部、(d1)グリシジルメタクリレート12.0質量部を加えた。その後、ベント口から真空脱揮することにより変性ポリオレフィン樹脂のペレットを得た。
得られた樹脂ペレットを130℃でキシレンに溶解させた後、再び常温に冷却した際に析出した再結晶樹脂を用いて、JIS K7236に準拠し電位差自動滴定装置(京都電子工業製AT700)でグリシジルメタクリレート変性量を測定した。変性ポリオレフィン2のグリシジルメタクリレート変性量は4.29質量%だった。
[Manufacturing Example 3]
(Manufacturing of Modified Polyolefin 3)
(A1) 100 parts by mass of polymethylpentene resin (TPX grade MX002 manufactured by Mitsui Chemicals), (b1) 2.6 parts by mass of 1,3-di (t-butylperoxyisopropyl) benzene (manufactured by NOF Corporation: Perbutyl P) , From the middle of the cylinder when supplying to a twin-screw extruder (46 mmφ, L / D = 63, manufactured by Kobe Steel Co., Ltd.) set to a cylinder temperature of 230 ° C and a screw rotation speed of 150 rpm from the hopper mouth. c1) 12.0 parts by mass of styrene and (d1) 12.0 parts by mass of glycidyl methacrylate were added. Then, the modified polyolefin resin pellets were obtained by vacuum devolatile from the vent port.
After dissolving the obtained resin pellets in xylene at 130 ° C., using the recrystallized resin precipitated when cooled to room temperature again, glycidyl was used in a potential difference automatic titrator (AT700 manufactured by Kyoto Electronics Industry Co., Ltd.) in accordance with JIS K7236. The amount of methacrylate denaturation was measured. The amount of glycidyl methacrylate modification of the modified polyolefin 2 was 4.29% by mass.

〔製造例4〕
(変性ポリオレフィン4の製造)
(a1)ポリメチルペンテン樹脂(三井化学製TPXグレードMX002)100質量部、(b1)1,3-ジ(t-ブチルパーオキシイソプロピル)ベンゼン(日油製:パーブチルP)0.25質量部を、ホッパー口より、シリンダー温度230℃、スクリュー回転数150rpmに設定した二軸押出機(46mmφ、L/D=63、神戸製鋼社製)に供給して溶融混練を行う際に、シリンダー途中より(c1)スチレン1質量部、(d1)グリシジルメタクリレート1質量部を加えた。その後、ベント口から真空脱揮することにより変性ポリオレフィン樹脂のペレットを得た。
得られた樹脂ペレットを130℃でキシレンに溶解させた後、再び常温に冷却した際に析出した再結晶樹脂を用いて、JIS K7236に準拠し電位差自動滴定装置(京都電子工業製AT700)でグリシジルメタクリレート変性量を測定した。変性ポリオレフィン2のグリシジルメタクリレート変性量は0.35質量%だった。
[Manufacturing Example 4]
(Manufacturing of Modified Polyolefin 4)
(A1) 100 parts by mass of polymethylpentene resin (TPX grade MX002 manufactured by Mitsui Chemicals), (b1) 0.25 parts by mass of 1,3-di (t-butylperoxyisopropyl) benzene (manufactured by NOF Corporation: Perbutyl P) , From the middle of the cylinder when supplying to a twin-screw extruder (46 mmφ, L / D = 63, manufactured by Kobe Steel Co., Ltd.) set to a cylinder temperature of 230 ° C and a screw rotation speed of 150 rpm from the hopper mouth. c1) 1 part by mass of styrene and (d1) 1 part by mass of glycidyl methacrylate were added. Then, the modified polyolefin resin pellets were obtained by vacuum devolatile from the vent port.
After dissolving the obtained resin pellets in xylene at 130 ° C., using the recrystallized resin precipitated when cooled to room temperature again, glycidyl was used in a potential difference automatic titrator (AT700 manufactured by Kyoto Electronics Industry Co., Ltd.) in accordance with JIS K7236. The amount of methacrylate denaturation was measured. The amount of glycidyl methacrylate modification of the modified polyolefin 2 was 0.35% by mass.

〔製造例5〕
(変性ポリオレフィン5の製造)
(a1)ポリメチルペンテン樹脂(三井化学製TPXグレードMX002)100質量部、(b1)1,3-ジ(t-ブチルパーオキシイソプロピル)ベンゼン(日油製:パーブチルP)0.25質量部を、ホッパー口より、シリンダー温度230℃、スクリュー回転数150rpmに設定した二軸押出機(46mmφ、L/D=63、神戸製鋼社製)に供給して溶融混練を行う際に、シリンダー途中より(c1)スチレン17質量部、(d1)グリシジルメタクリレート17質量部を加えた。その後、ベント口から真空脱揮することにより変性ポリオレフィン樹脂のペレットを得た。
得られた樹脂ペレットを130℃でキシレンに溶解させた後、再び常温に冷却した際に析出した再結晶樹脂を用いて、JIS K7236に準拠し電位差自動滴定装置(京都電子工業製AT700)でグリシジルメタクリレート変性量を測定した。変性ポリオレフィン2のグリシジルメタクリレート変性量は5.93質量%だった。
[Manufacturing Example 5]
(Manufacturing of Modified Polyolefin 5)
(A1) 100 parts by mass of polymethylpentene resin (TPX grade MX002 manufactured by Mitsui Chemicals), (b1) 0.25 parts by mass of 1,3-di (t-butylperoxyisopropyl) benzene (manufactured by NOF Corporation: Perbutyl P) , From the middle of the cylinder when supplying to a twin-screw extruder (46 mmφ, L / D = 63, manufactured by Kobe Steel Co., Ltd.) set to a cylinder temperature of 230 ° C and a screw rotation speed of 150 rpm from the hopper mouth. c1) 17 parts by mass of styrene and (d1) 17 parts by mass of glycidyl methacrylate were added. Then, the modified polyolefin resin pellets were obtained by vacuum devolatile from the vent port.
After dissolving the obtained resin pellets in xylene at 130 ° C., using the recrystallized resin precipitated when cooled to room temperature again, glycidyl was used in a potential difference automatic titrator (AT700 manufactured by Kyoto Electronics Industry Co., Ltd.) in accordance with JIS K7236. The amount of methacrylate denaturation was measured. The amount of glycidyl methacrylate modification of the modified polyolefin 2 was 5.93% by mass.

〔実施例1~18、及び比較例1~9〕
実施例、及び比較例において、液晶ポリマー(A)((A)成分)として、融点280℃の全芳香族液晶ポリエステル樹脂を用いた。また、実施例、及び比較例において、グラフト変性ポリオレフィン(B)((B)成分)として、製造例1~製造例5で得た、変性ポリオレフィン1~変性ポリオレフィン5を用いた。変性ポリオレフィン1~5の融点は、約230℃である。
比較例において、液晶ポリマー(A)と混合する樹脂として、未変性のポリメチルペンテンと、エチレン/グリシジルメタクリレート/メチルアクリレート共重合体(住友化学株式会社製、ボンドファースト7L(BF-7L))とを用いた。ボンドファースト7Lは、極性基としてエポキシ基を有する非グラフト変性型の樹脂である。
[Examples 1 to 18 and Comparative Examples 1 to 9]
In Examples and Comparative Examples, a total aromatic liquid crystal polyester resin having a melting point of 280 ° C. was used as the liquid crystal polymer (A) (component (A)). Further, in Examples and Comparative Examples, the modified polyolefins 1 to 5 obtained in Production Examples 1 to 5 were used as the graft-modified polyolefins (B) (component (B)). The melting points of the modified polyolefins 1 to 5 are about 230 ° C.
In the comparative example, as a resin to be mixed with the liquid crystal polymer (A), unmodified polymethylpentene and an ethylene / glycidyl methacrylate / methyl acrylate copolymer (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., Bond First 7L (BF-7L)) were used. Was used. Bond First 7L is a non-graft modified resin having an epoxy group as a polar group.

表1~3に記載の量の各材料を、ホッパー口よりシリンダー温度300℃、スクリュー回転数150rpmに設定した二軸押出機(25mmφ、L/D=40、テクノベル製)に供給して溶融混練し各実施例、及び比較例の樹脂組成物を得た。なお、実施例11~13では、シリンダー温度340℃で溶融混錬を行った。比較例1~5、及び比較例8については、液晶ポリマー(A)、グラフト変性ポリオレフィン(B)、又はボンドファースト7L単独での評価である。各実施例、及び各比較例の樹脂、又は樹脂組成物について、以下の方法に従って、比誘電率、誘電正接、耐熱性、及び加工性の評価を行った。これらの評価結果を表1~3に記す。 The amounts of each material shown in Tables 1 to 3 are supplied from the hopper port to a twin-screw extruder (25 mmφ, L / D = 40, manufactured by Technobel) set to a cylinder temperature of 300 ° C. and a screw rotation speed of 150 rpm for melting and kneading. The resin compositions of each Example and Comparative Example were obtained. In Examples 11 to 13, melt kneading was performed at a cylinder temperature of 340 ° C. Comparative Examples 1 to 5 and Comparative Example 8 are evaluated by the liquid crystal polymer (A), the graft-modified polyolefin (B), or Bond First 7L alone. The relative permittivity, dielectric loss tangent, heat resistance, and processability of each Example and each Comparative Example resin or resin composition were evaluated according to the following methods. The evaluation results are shown in Tables 1 to 3.

[比誘電率・誘電正接]
測定装置として、空洞共振器摂動法複素誘電率評価装置を用い、下記周波数で得られた樹脂組成物の誘電率及び誘電正接を測定した。
測定周波数:10GHz
測定条件:温度22℃~24℃、湿度45%~55%
測定試料:前記測定条件下で、24時間放置した試料を使用した。
[Relative permittivity / dielectric loss tangent]
As a measuring device, a cavity resonator perturbation method complex permittivity evaluation device was used to measure the permittivity and dielectric loss tangent of the resin composition obtained at the following frequencies.
Measurement frequency: 10GHz
Measurement conditions: temperature 22 ° C to 24 ° C, humidity 45% to 55%
Measurement sample: A sample left for 24 hours under the above measurement conditions was used.

[耐熱性]
測定装置として、動的粘弾性測定装置を用い、貯蔵弾性率が10MPa以下になる温度(℃)を測定した。
・サンプル測定範囲;幅5mm、つかみ具間距離20mm
・測定温度範囲;25℃~300℃
・昇温速度;5℃/分
・歪み振幅;0.1%
・測定周波数;1Hz
・最小張力/圧縮力;0.1g
・力振幅初期値;100g
[Heat-resistant]
A dynamic viscoelasticity measuring device was used as a measuring device, and the temperature (° C.) at which the storage elastic modulus became 107 MPa or less was measured.
-Sample measurement range; width 5 mm, distance between grippers 20 mm
-Measurement temperature range; 25 ° C to 300 ° C
・ Temperature rise rate; 5 ° C / min ・ Strain amplitude; 0.1%
・ Measurement frequency: 1Hz
-Minimum tension / compressive force; 0.1 g
・ Initial force amplitude; 100 g

[加工性]
二軸押出機(25mmφ、L/D=40、テクノベル製)を用いて溶融混練した後のストランドを水冷し、ペレタイザーによりカットした際の加工性を以下の通り評価した。
◎:割れ欠けなく、円柱状のペレットが取得可能
○:割れ欠けが一部含まれ、扁平した形状のペレットとなる。
×:ストランドが切断できずペレット取得ができない。又はペレットのほとんどにヒゲ、割れ欠けが含まれる。
[Workability]
The strands after melt-kneading using a twin-screw extruder (25 mmφ, L / D = 40, manufactured by Technobel) were water-cooled, and the processability when cut by a pelletizer was evaluated as follows.
⊚: Columnar pellets can be obtained without cracking. ○: Pellets with a flat shape are obtained with some cracks.
X: Strands cannot be cut and pellets cannot be obtained. Or most of the pellets contain whiskers and cracks.

[相構造]
各組成物の相構造について、顕微鏡観察により確認した。観察結果を以下の基準に従い分類した。観察結果を表1に記す。
A:海島構造((A)成分が海)
B:海島構造((A)成分が島)
C:一部海島構造、及び共連続構造
D:相分離
[Phase structure]
The phase structure of each composition was confirmed by microscopic observation. The observation results were classified according to the following criteria. The observation results are shown in Table 1.
A: Sea island structure ((A) component is the sea)
B: Sea island structure ((A) component is an island)
C: Partial sea island structure and co-continuous structure D: Phase separation

Figure 2022069030000002
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Figure 2022069030000003
Figure 2022069030000003

Figure 2022069030000004
Figure 2022069030000004

実施例によれば、液晶ポリマー(A)と、エポキシ基を有するビニル単量体による変性量が5質量%以下であるグラフト変性ポリオレフィン(B)とを溶融混錬して得られた組成物であれば、良好な低誘電特性と、優れた溶融加工性とを両立できることが分かる。
他方、比較例によれば、液晶ポリマー(A)、エポキシ基を有するグラフト変性ポリオレフィン(B)、又はエポキシ基を有する非グラフト型の樹脂を単独で用いたり、液晶ポリマー(A)に、未変性ポリオレフィンや、エポキシ基を有する非グラフト型の樹脂をブレンドした組成物では、低誘電特性と、溶融加工性との少なくとも一方が劣ることが分かる。
According to Examples, a composition obtained by melt-kneading a liquid crystal polymer (A) and a graft-modified polyolefin (B) having a modification amount of 5% by mass or less due to a vinyl monomer having an epoxy group. If there is, it can be seen that both good low dielectric properties and excellent melt processability can be achieved.
On the other hand, according to the comparative example, the liquid crystal polymer (A), the graft-modified polyolefin (B) having an epoxy group, or the non-grafted resin having an epoxy group is used alone, or the liquid crystal polymer (A) is not modified. It can be seen that in the composition blended with the polyolefin and the non-grafted resin having an epoxy group, at least one of the low dielectric property and the melt processability is inferior.

比較例9によれば、液晶ポリマー(A)と、エポキシ基を有するビニル単量体による変性量が5質量%超であるグラフト変性ポリオレフィン(B)とを溶融混錬して得られた組成物は、10GHzにおける誘電正接の値が高く、低誘電特性に劣ることが分かる。 According to Comparative Example 9, a composition obtained by melt-kneading a liquid crystal polymer (A) and a graft-modified polyolefin (B) having a modification amount of more than 5% by mass due to a vinyl monomer having an epoxy group. It can be seen that the value of the dielectric loss tangent at 10 GHz is high and the low dielectric property is inferior.

また、実施例2と、実施例15との比較によれば、液晶ポリマー(A)と、グラフト変性ポリオレフィン(B)との混合比率が同一である場合に、グラフト変性ポリオレフィン(B)が海相であると、組成物全体としてポリオレフィン的な性質が強く表れ、高い耐熱性を得にくく、液晶ポリマー(A)が海相であると、組成物全体として液晶ポリマー的な性質が強く表れ、高い耐熱性が得られることが分かる。 Further, according to the comparison between Example 2 and Example 15, when the mixing ratio of the liquid crystal polymer (A) and the graft-modified polyolefin (B) is the same, the graft-modified polyolefin (B) is in the sea phase. If the composition as a whole has a strong polyolefin-like property and it is difficult to obtain high heat resistance, and if the liquid crystal polymer (A) is in the sea phase, the liquid crystal polymer-like property as a whole composition strongly appears and high heat resistance is high. It turns out that sex can be obtained.

また、上記の実施例及び比較例の結果に基づいて、液晶ポリマーA-1と、変性ポリオレフィン1とについて、両者の混合比率と、誘電特性との関係をまとめたグラフを図1に示し、液晶ポリマーA-1と、変性ポリオレフィン2とについて、両者の混合比率と、誘電特性との関係をまとめたグラフを図2に示し、液晶ポリマーA-1と、未変性ポリメチルペンテンとについて、両者の混合比率と、誘電特性との関係をまとめたグラフを図3に示す。
図1及び図2に示されるグラフによれば、液晶ポリマー(A)と、エポキシ基を有するビニル単量体による変性量が5質量%以下であるグラフト変性ポリオレフィン(B)とを溶融混錬して得られた組成物は、液晶ポリマー(A)単独の比誘電率よりも低い比誘電率と、グラフト変性ポリオレフィン(B)単独の誘電正接よりも低い誘電正接とを示すことが分かる。
他方、図3に示されるグラフによれば、液晶ポリマー(A)と、未変性ポリメチルペンテンとを溶融混錬して得られた組成物は、液晶ポリマー(A)を未変性ポリメチルペンテンに配合することによって、未変性ポリメチルペンテンが有する優れた低誘電特性が、液晶ポリマー(A)に近い誘電特性に悪化することが分かる。
Further, based on the results of the above Examples and Comparative Examples, FIG. 1 shows a graph summarizing the relationship between the mixing ratio of the liquid crystal polymer A-1 and the modified polyolefin 1 and the dielectric properties, and the liquid crystal is shown in FIG. A graph summarizing the relationship between the mixing ratio of the polymer A-1 and the modified polyolefin 2 and the dielectric properties is shown in FIG. 2, and the liquid crystal polymer A-1 and the unmodified polymethylpentene of both are shown in FIG. FIG. 3 shows a graph summarizing the relationship between the mixing ratio and the dielectric property.
According to the graphs shown in FIGS. 1 and 2, the liquid crystal polymer (A) and the graft-modified polyolefin (B) having a modification amount of 5% by mass or less due to the vinyl monomer having an epoxy group are melt-kneaded. It can be seen that the resulting composition exhibits a relative permittivity lower than the relative permittivity of the liquid crystal polymer (A) alone and a dielectric constant tangent lower than the dielectric permittivity of the graft-modified polyolefin (B) alone.
On the other hand, according to the graph shown in FIG. 3, the composition obtained by melt-kneading the liquid crystal polymer (A) and the unmodified polymethylpentene changes the liquid crystal polymer (A) into the unmodified polymethylpentene. It can be seen that the excellent low dielectric property of the unmodified polymethylpentene deteriorates to the dielectric property close to that of the liquid crystal polymer (A) by blending.

Claims (9)

液晶ポリマー(A)と、エポキシ基を有するグラフト変性ポリオレフィン(B)とを溶融混錬することを含む低誘電樹脂組成物の製造方法であって、
エポキシ基を有する前記グラフト変性ポリオレフィン(B)における、エポキシ基を有するビニル単量体による変性量が5質量%以下であり、
得られる低誘電樹脂組成物について、周波数10GHzにおける比誘電率が2.80以下であり、周波数10GHzにおける誘電正接が、0.0025以下である、低誘電樹脂組成物の製造方法。
A method for producing a low-dielectric resin composition, which comprises melt-kneading a liquid crystal polymer (A) and a graft-modified polyolefin (B) having an epoxy group.
The amount of modification of the graft-modified polyolefin (B) having an epoxy group by the vinyl monomer having an epoxy group is 5% by mass or less.
A method for producing a low-dielectric resin composition, wherein the obtained low-dielectric resin composition has a relative permittivity of 2.80 or less at a frequency of 10 GHz and a dielectric loss tangent of 0.0025 or less at a frequency of 10 GHz.
前記低誘電樹脂組成物が、前記液晶ポリマー(A)が海成分である海島構造をとるか、海島構造とともに、前記液晶ポリマー(A)と前記グラフト変性ポリオレフィン(B)とがともに連続相を形成する共連続構造をとる、請求項1に記載の低誘電樹脂組成物の製造方法。 The low dielectric resin composition has a sea-island structure in which the liquid crystal polymer (A) is a sea component, or the liquid crystal polymer (A) and the graft-modified polyolefin (B) both form a continuous phase together with the sea-island structure. The method for producing a low dielectric resin composition according to claim 1, which has a co-continuous structure. 前記グラフト変性ポリオレフィンが(B)が、ポリメチルペンテンと、エポキシ基を有するビニル単量体とのグラフト共重合体であり、前記グラフト変性ポリオレフィン(B)の融点が200℃以上である、請求項1又は2に記載の低誘電樹脂組成物の製造方法。 Claimed that the graft-modified polyolefin (B) is a graft copolymer of polymethylpentene and a vinyl monomer having an epoxy group, and the melting point of the graft-modified polyolefin (B) is 200 ° C. or higher. The method for producing a low dielectric resin composition according to 1 or 2. 前記グラフト変性ポリオレフィン(B)が、グリシジル(メタ)アクリレートと、スチレンとによってグラフト変性されたポリオレフィンである、請求項1~3のいずれか1項に記載の低誘電樹脂組成物の製造方法。 The method for producing a low-dielectric resin composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the graft-modified polyolefin (B) is a polyolefin graft-modified with glycidyl (meth) acrylate and styrene. 前記液晶ポリマー(A)の質量MAと、前記グラフト変性ポリオレフィン(B)の質量MBとの比率MA/MBが、95/5~55/45である、請求項1~4のいずれか1項に記載の低誘電樹脂組成物の製造方法。 According to any one of claims 1 to 4, the ratio MA / MB of the mass MA of the liquid crystal polymer (A) to the mass MB of the graft-modified polyolefin (B) is 95/5 to 55/45. The method for producing a low dielectric resin composition according to the above. 液晶ポリマー(A)と、エポキシ基を有するグラフト変性ポリオレフィン(B)とが溶融混錬された組成物であって、
エポキシ基を有するグラフト変性ポリオレフィン(B)における、エポキシ基を有するビニル単量体による変性量が5質量%以下であり、
周波数10GHzにおける比誘電率が2.80以下であり、周波数10GHzにおける誘電正接が、0.0025以下である、低誘電樹脂組成物。
A composition obtained by melt-kneading the liquid crystal polymer (A) and the graft-modified polyolefin (B) having an epoxy group.
In the graft-modified polyolefin (B) having an epoxy group, the amount of modification by the vinyl monomer having an epoxy group is 5% by mass or less.
A low dielectric resin composition having a relative permittivity of 2.80 or less at a frequency of 10 GHz and a dielectric loss tangent of 0.0025 or less at a frequency of 10 GHz.
請求項6に記載の前記低誘電樹脂組成物を用いて形成された成形品。 A molded product formed by using the low-dielectric resin composition according to claim 6. 請求項7に記載の前記低誘電樹脂組成物を用いて形成されたフィルム。 A film formed by using the low-dielectric resin composition according to claim 7. 請求項8に記載のフィルムを含む、フレキシブルプリント配線板。 A flexible printed wiring board comprising the film according to claim 8.
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