JP2022031208A - 処理ガスを用いて基板を処理する装置 - Google Patents

Abstract

【課題】処理ガスを用いて、迅速に基板を処理することが可能な装置を提供する。【解決手段】処理ガスを用いて基板を処理する装置であって、基板が配置される処理空間を有するチャンバと、前記処理空間に処理ガスを供給する供給管と、を有し、前記供給管は、前記処理ガスが排出される出口を有し、該出口は、前記基板の被処理表面の近傍に配置される、装置。【選択図】図１

Description

本発明は、処理ガスを用いて基板を処理する装置に関する。

従来、基板を処理するため、様々な装置が使用されている（例えば特許文献１）。例えば、半導体集積回路を製造するプロセスにおいて、基板上に薄膜を形成する際には、各種成膜装置が使用され、基板上の薄膜をパターン化する際には、各種エッチング装置が使用される。

特開平６－３７０２３号公報

前述のような装置において、基板を処理する際に、しばしば、処理空間に処理ガスが供給される場合がある。この場合、基板は、供給された処理ガスと反応し、表面に様々な特徴物を形成することができる。

しかしながら、一般に、ガスによる反応は、液体やプラズマ等を用いた反応に比べて、進行が遅い傾向にある。このため、処理ガスを用いて基板を処理する装置では、処理速度の向上が問題となり得る。特に、近年、半導体集積回路の製造の分野では、製造工程が益々複雑化かつ増加する傾向にあり、基板に対する処理速度のさらなる向上が要望されている。

本発明は、このような背景に鑑みなされたものであり、本発明では、処理ガスを用いて、より迅速に基板を処理することが可能な装置を提供することを目的とする。

本発明では、処理ガスを用いて基板を処理する装置であって、
基板が配置される処理空間を有するチャンバと、
前記処理空間に処理ガスを供給する供給管と、
を有し、
前記供給管は、前記処理ガスが排出される出口を有し、
該出口は、前記基板の被処理表面の近傍に配置される、装置が提供される。

本発明では、処理ガスを用いて、より迅速に基板を処理することが可能な装置を提供することができる。

本発明の一実施形態による装置の構成例を概略的に示した図である。 本発明の別の実施形態による装置の構成例を概略的に示した図である。 本発明のさらに別の実施形態による装置の構成例を概略的に示した図である。 本発明のさらに別の実施形態による装置の構成例を概略的に示した図である。 本発明のさらに別の実施形態による装置の構成例を概略的に示した図である。

以下、本発明の一実施形態について説明する。

前述のように、処理ガスを用いて基板を処理する装置において、処理速度の向上が問題となる場合がある。特に、近年、半導体集積回路の製造の分野では、製造工程が益々複雑化かつ増加する傾向にあり、基板に対する処理速度のさらなる向上が要望されている。

これに対して、本発明の一実施形態では、処理ガスを用いて基板を処理する装置であって、
基板が配置される処理空間を有するチャンバと、
前記処理空間に処理ガスを供給する供給管と、
を有し、
前記供給管は、前記処理ガスが排出される出口を有し、
該出口は、前記基板の被処理表面の近傍に配置される、装置が提供される。

本発明の一実施形態では、供給管の出口は、基板の被処理表面の「近傍」に配置される。

ここで、「近傍」とは、２つの対象物の間の距離が２００ｍｍ以下である状態を意味する。

例えば、供給管が単一の出口を有し、該出口が基板の被処理表面の斜め上方にある場合、「供給管の出口が基板の被処理表面の近傍にある」とは、供給管の出口と被処理表面の間の最短距離が２００ｍｍ以下であることを意味する。

また、供給管が複数の出口を有し、各出口が基板の被処理表面の斜め上方にある場合、「近傍」とは、基板の被処理表面に最も近い出口と被処理表面の間の最短距離が２００ｍｍ以下であることを意味する。

また、例えば、供給管が単一の出口を有し、該出口が基板の被処理表面の上側にある態様では、基板の被処理表面から供給管の出口までの垂直な方向における間隔が２００ｍｍ以下の場合、「供給管の出口が基板の被処理表面の近傍にある」と言える。

また、供給管が単一の出口を有し、該出口が基板の被処理表面を外挿した平面上にある態様では、基板の被処理表面から供給管の出口までの平行な方向における間隔が２００ｍｍ以下の場合、「供給管の出口が基板の被処理表面の近傍にある」と言える。

基板に対して、このような関係で供給管の出口を設置した場合、基板の被処理表面に、出口から排出される処理ガスを、より確実かつ迅速に供給することができる。そのため、本発明の一実施形態による装置では、被処理表面での反応速度を高めることが可能となり、より迅速に基板を処理することができる。

また、このような効果の結果、本発明の一実施形態による装置では、処理ガスの利用効率を有意に高めることが可能となり、処理ガスの消費量および消費コストを、有意に抑制することができる。

また、本発明の一実施形態による装置では、基板遠方への処理ガスの拡散が有意に抑制されるため、処理空間を区画する壁材などの劣化を有意に抑制することができる。

さらに、本発明の一実施形態では、処理ガスを確実に被処理表面に供給することができるため、バッチ毎の処理のばらつきが少ない処理基板を提供することが可能となる。

（本発明の一実施形態による装置）
以下、図面を参照して、本発明の一実施形態による装置について、より詳しく説明する。

図１には、本発明の一実施形態による装置（以下、「第１の装置」と称する）の構成例を概略的に示す。

図１に示すように、第１の装置１００は、ハウジング１１０と、処理ガスの供給管１３０と、回転テーブル１７０と、排気管１７６とを有する。

ハウジング１１０は、内部に処理空間１２０を形成する。

回転テーブル１７０は、支柱１７２と、該支柱１７２の先端に設けられたテーブル１７４とを有する。支柱１７２が回転することにより、テーブル１７４を回転させることができる。テーブル１７４は、処理空間１２０内に配置される。テーブル１７４は、上部に基板Ｗを配置、固定することができる構成を有する。

供給管１３０は、処理空間１２０に処理ガスを供給する役割を有する。供給管１３０は、一端に出口１４０を有し、該出口１４０は、処理空間１２０内に配置される。

供給管１３０は、出口１４０から排出される処理ガスの方向が、基板Ｗの上面（「被処理表面Ｐ」と称する）を含む平面と平行になるように配置される。

排気管１７６は、処理空間１２０に含まれる気体を、外部に排気する役割を有する。

第１の装置１００が稼働する際には、まず、回転テーブル１７０のテーブル１７４の上に、基板Ｗが配置される。基板Ｗは、被処理表面Ｐを有し、該被処理表面Ｐが上向きとなるようにして、テーブル１７４上に固定される。

次に、雰囲気ガス導入管（図示されていない）等を利用して、処理空間１２０が所定の雰囲気および圧力に調整される。例えば、処理空間１２０は、排気管１７６により、十分に減圧（真空）化されてもよい。その後、回転テーブル１７０が矢印Ａの方向に回転される。これにより、基板Ｗも回転される。

回転速度は、特に限られないが、例えば、０．０１ｒｐｍ～１０００ｒｐｍの範囲であってもよい。

この状態で、供給管１３０に所定の処理ガスが導入されると、処理ガスは、供給管１３０の出口１４０から排出され、処理空間１２０に処理ガスが供給される。従って、この処理ガスにより、基板Ｗの被処理表面Ｐを処理することができる。

ここで、第１の装置１００では、供給管１３０の出口１４０は、基板Ｗの被処理表面Ｐの「近傍」に配置される。

前述のように、「近傍」とは、供給管１３０の出口１４０と被処理表面Ｐの間の最短距離が、２００ｍｍ以下であることを意味する。

従って、図１の構成の場合、供給管１３０の出口１４０は、被処理表面Ｐ（または基板Ｗ）の側面までの最小距離が、２００ｍｍ以下となるように配置される。この距離は、１００ｍｍ以下であることが好ましい。

このような構成を有する第１の装置１００では、供給管１３０の出口１４０から排出される処理ガスは、水平方向に流れ、被処理表面Ｐに「直接」供給される。

従って、第１の装置１００では、基板Ｗの被処理表面Ｐに、出口１４０から排出される処理ガスを、より確実かつ迅速に供給することができる。その結果、第１の装置１００では、被処理表面Ｐでの反応速度を高めることが可能となり、より迅速に基板Ｗを処理することができる。

また、このような効果の結果、第１の装置１００では、処理ガスの利用効率を有意に高めることが可能となり、処理ガスの消費量および消費コストを、有意に抑制することができる。

また、第１の装置１００では、処理空間１２０を区画するハウジング１１０の壁材などの劣化を有意に抑制することができる。

さらに、第１の装置１００では、処理ガスを確実に被処理表面Ｐに供給することができるため、バッチ毎の処理のばらつきが少ない処理基板Ｗを提供することが可能となる。

（本発明の別の実施形態による装置）
図２には、本発明の別の実施形態による装置（以下、「第２の装置」と称する）の構成例を概略的に示す。

図２に示すように、第２の装置２００は、前述の第１の装置１００と同様の構成を有する。従って、第２の装置２００において、第１の装置１００と同様の部材には、図１に示した参照符号に１００を加えた参照符号が使用されている。

例えば、第２の装置２００は、処理空間２２０を定めるハウジング２１０と、処理ガスの供給管２３０と、回転テーブル２７０と、排気管２７６とを有する。

ただし、第２の装置２００においては、供給管２３０の構成および配置形態が、前述の第１の装置１００における供給管１３０とは異なっている。

すなわち、第２の装置２００において、供給管２３０は、出口２４０から放出される処理ガスの方向が、基板Ｗの被処理表面Ｐに対して、傾斜した角度（α）となるように構成されている。

従って、第２の装置２００では、供給管２３０の出口２４０から排出される処理ガスは、傾斜角α（０＜α＜９０゜）だけ傾斜した状態で、基板Ｗの被処理表面Ｐに供給される。傾斜角αは、例えば、１０゜～８０゜の範囲であってもよい。

ここで、第２の装置２００においても、供給管２３０の出口２４０は、基板Ｗの被処理表面Ｐの「近傍」に配置される。具体的には、第２の装置２００において、供給管２３０は、出口２４０と被処理表面Ｐとの間の最短距離が２００ｍｍ以下となるようにして、基板Ｗに対して配置される。この距離は、１００ｍ以下であることが好ましい。

このような構成を有する第２の装置２００においても、第１の装置１００の場合と同様の効果が得られることは明らかである。

すなわち、第２の装置２００では、基板Ｗの被処理表面Ｐに、出口２４０から排出される処理ガスを、より確実かつ迅速に供給することができる。その結果、第２の装置２００では、被処理表面Ｐでの反応速度を高めることが可能となり、より迅速に基板Ｗを処理することができる。

また、第２の装置２００においても、処理ガスの消費量および消費コストが抑制でき、ハウジング２１０の劣化が抑制できるとともに、バッチ毎の処理のばらつきが少ない処理基板Ｗを提供することができる。

（本発明のさらに別の実施形態による装置）
図３には、本発明のさらに別の実施形態による装置（以下、「第３の装置」と称する）の構成例を概略的に示す。

図３に示すように、第３の装置３００は、前述の第１の装置１００と同様の構成を有する。従って、第３の装置３００において、第１の装置１００と同様の部材には、図１に示した参照符号に２００を加えた参照符号が使用されている。

例えば、第３の装置３００は、処理空間３２０を定めるハウジング３１０と、処理ガスの供給管３３０と、回転テーブル３７０と、排気管３７６とを有する。

ただし、第３の装置３００においては、供給管３３０の構成および配置形態が、前述の第１の装置１００における供給管１３０とは異なっている。

すなわち、第３の装置３００において、供給管３３０は、端部が閉止端となっており、側面の一部に、出口３４０が設けられる。また、出口３４０は、供給管３３０の側面に形成された複数の開口３４２で構成される。各開口３４２は、水平方向（図３におけるＸ方向）に沿って、一列に配列されている。

なお、供給管３３０の形状は、出口３４０を複数形成することができる形状であれば特に限定されず、例えばシャワープレートのような形状であってもよい。すなわち、供給管３３０の端部に、水平方向の平面内（図３におけるＺ軸に垂直な平面内）に放射状に設けられた複数の出口３４０を有するプレートが設けられていてもよい。

第３の装置では、供給管３３０を流れる処理ガスは、各開口３４２を経て、基板Ｗの被処理表面Ｐに対して垂直に供給される。なお、垂直に供給されることは必須ではなく、斜め方向や水平方向から供給されてもよい。

ここで、第３の装置３００においても、供給管３３０の出口３４０は、基板Ｗの被処理表面Ｐの「近傍」に配置される。具体的には、第３の装置３００において、供給管３３０は、出口３４０と被処理表面Ｐとの間の垂直距離（Ｚ方向の距離）が２００ｍｍ以下となるようにして、基板Ｗに対して配置される。この垂直距離は、１００ｍｍ以下であることが好ましい。

このような構成を有する第３の装置３００においても、第１の装置１００および第２の措置２００の場合と同様の効果が得られることは明らかである。

すなわち、第３の装置３００では、基板Ｗの被処理表面Ｐに、出口３４０から排出される処理ガスを、より確実かつ迅速に供給することができる。その結果、第３の装置３００では、被処理表面Ｐでの反応速度を高めることが可能となり、より迅速に基板Ｗを処理することができる。

また、第３の装置３００においても、処理ガスの消費量および消費コストが抑制でき、ハウジング３１０の劣化が抑制できるとともに、バッチ毎の処理のばらつきが少ない処理基板Ｗを提供することができる。

なお、図３に示した第３の装置３００では、基板Ｗの上側にある被処理表面Ｐが処理される。しかしながら、基板Ｗを上方から支持し、基板Ｗの下面が被処理表面Ｐとなるように装置を構成してもよい。

（本発明のさらに別の実施形態による装置）
図４には、本発明のさらに別の実施形態による装置（以下、「第４の装置」と称する）の構成例を概略的に示す。

図４に示すように、第４の装置４００は、ハウジング４１０と、処理ガスの供給管４３０と、回転テーブル４７０と、排気管４７６とを有する。

ハウジング４１０は、内部に処理空間４２０を形成する。

回転テーブル４７０は、支柱４７２と、該支柱４７２の先端に設けられたテーブル４７４とを有する。支柱４７２が回転することにより、テーブル４７４を回転させることができる。テーブル４７４は、処理空間４２０内に配置される。テーブル４７４は、上部に基板ケース４６０を配置、固定することができる構成を有する。

供給管４３０は、処理空間４２０に処理ガスを供給する役割を有する。供給管４３０は、水平方向に延伸する複数のノズル４４６を有し、各ノズル４４６は、先端に出口４４０を有する。各ノズル４４６は、処理空間４２０内に配置される。

供給管４３０は、各ノズル４４６の出口４４０から排出される処理ガスの方向が、水平方向（Ｘ方向）となるように構成される。

排気管４７６は、処理空間４２０に含まれる気体を、外部に排気する役割を有する。

第４の装置４００が稼働する際には、まず、回転テーブル４７０のテーブル４７４の上に、基板ケース４６０が配置される。

基板ケース４６０は、縦方向（Ｚ方向）に積層された複数の部屋（Ｒ１～Ｒ４）を有する。各部屋Ｒ１～Ｒ４には、それぞれ、基板（Ｗ１～Ｗ４）を配置することができる。

なお、図４に示した例では、基板ケース４６０は、４つの部屋Ｒ１～Ｒ４を有する。しかしながら、これは、単なる一例であって、基板ケース４６０に設けられる部屋の数は、２つ以上である限り、特に限られない。

基板ケース４６０は、各部屋Ｒ１～Ｒ４に、それぞれ、基板Ｗ１～Ｗ４を配置した状態で、テーブル４７４上に固定される。この際、各基板Ｗ１～Ｗ４は、それぞれの被処理表面Ｐ１～Ｐ４が上側となるようにして、それぞれの部屋Ｒ１～Ｒ４に配置される。

次に、雰囲気ガス導入管（図示されていない）等を利用して、処理空間４２０が所定の雰囲気および圧力に調整される。例えば、処理空間４２０は、排気管４７６により、十分に減圧（真空）化されてもよい。その後、回転テーブル４７０が矢印Ａの方向に回転される。これにより、基板ケース４６０も回転される。

回転速度は、特に限られないが、例えば、０．０１ｒｐｍ～１０００ｒｐｍの範囲であってもよい。

なお、図には示されていないが、基板ケース４６０の各部屋Ｒ１～Ｒ４には、基板Ｗ１～Ｗ４を固定する手段が設けられている。従って、テーブル４７４が回転した場合であっても、各基板Ｗ１～Ｗ４の位置ずれは、有意に抑制される。

また、基板ケース４６０は側壁を有するが、この側壁は、ノズル４４６から基板Ｗ１～Ｗ４に向かって供給される処理ガスを、できる限り妨害しないように構成される。例えば、側壁を構成する柱の太さは、最小限に抑制されてもよい。あるいは、側壁は、メッシュ構造を有してもよい。

次に、この状態で、供給管４３０に所定の処理ガスが導入されると、処理ガスは、供給管４３０に設けられた各ノズル４４６を通り、排出される。

ここで、供給管４３０は、各ノズル４４６の出口４４０が、対応する基板Ｗ１～Ｗ４の被処理表面Ｐ１～Ｐ４の「近傍」に配置されるように構成される。

これは、前述の定義に従えば、各ノズル４４６の各出口４４０において、対応する基板Ｗ１～Ｗ４の側面までの距離が、２００ｍｍ以下であることを意味する。特に、この距離は、１００ｍ以下であることが好ましい。

供給管４３０から排出されるガスにより、基板Ｗ１～Ｗ４のそれぞれの被処理表面Ｐ１～Ｐ４を処理することができる。

なお、基板ケース４６に存在する側壁による干渉の影響を抑制するため、各出口４４０から排出される処理ガスは、間欠供給されてもよい。

このような構成を有する第４の装置４００では、供給管４３０の各出口４４０から排出される処理ガスは、水平方向（Ｘ方向）に流れ、対応する基板Ｗ１～Ｗ４の被処理表面Ｐ１～Ｐ４に「直接」供給される。

従って、第４の装置４００では、基板Ｗ１～Ｗ４の被処理表面Ｐ１～Ｐ４に、出口４４０から排出される処理ガスを、より確実かつ迅速に供給することができる。その結果、第４の装置４００では、被処理表面Ｐ１～Ｐ４での反応速度を高めることが可能となり、より迅速に基板Ｗ１～Ｗ４を処理することができる。

また、このような効果の結果、第４の装置４００では、処理ガスの利用効率を有意に高めることが可能となり、処理ガスの消費量および消費コストを、有意に抑制することができる。

また、第４の装置４００では、処理空間４２０を区画するハウジング４１０の壁材などの劣化を有意に抑制することができる。

さらに、第４の装置４００では、処理ガスを確実に被処理表面Ｐ１～Ｐ４に供給することができるため、バッチ毎の処理のばらつきが少ない処理基板Ｗ１～Ｗ４を提供することが可能となる。

（本発明のさらに別の実施形態による装置）
図５には、本発明のさらに別の実施形態による装置（以下、「第５の装置」と称する）の構成例を概略的に示す。

図５に示すように、第５の装置５００は、前述の第４の装置４００と同様の構成を有する。従って、第５の装置５００において、第４の装置４００と同様の部材には、図４に示した参照符号に１００を加えた参照符号が使用されている。

例えば、第５の装置５００は、処理空間５２０を定めるハウジング５１０と、処理ガスの供給管５３０と、回転テーブル５７０と、排気管５７６とを有する。

ただし、第５の装置５００においては、供給管５３０の構成および配置形態が、前述の第４の装置４００における供給管４３０とは異なっている。

すなわち、第５の装置５００において、供給管５３０は、複数のノズル４４６の代わりに、複数の開口５４２を有し、これらの開口５４２が、処理ガスの出口５４０を形成する。各開口５４２は、鉛直方向（図５におけるＺ方向）に沿って、一列に配列されている。

第５の装置５００では、供給管５３０を流れる処理ガスは、各開口５４２を経て、水平に流れ、基板ケース５６０に収容された、それぞれの基板Ｗ１～Ｗ４の被処理表面Ｐ１～Ｐ４に供給される。

ここで、第５の装置５００においても、供給管５３０の各開口５４２の出口５４０は、基板Ｗの被処理表面Ｐの「近傍」に配置される。具体的には、第５の装置５００において、供給管５３０は、各出口５４０とそれぞれの被処理表面Ｐ１～Ｐ４との間の最短距離が２００ｍｍ以下となるようにして、基板Ｗ１～Ｗ４に対して配置される。この距離は、１００ｍ以下であることが好ましい。

このような構成を有する第５の装置５００においても、第１の装置１００～第４の装置４００の場合と同様の効果が得られることは明らかである。

すなわち、第５の装置５００では、基板Ｗ１～Ｗ４の被処理表面Ｐ１～Ｐ４に、出口５４０から排出される処理ガスを、より確実かつ迅速に供給することができる。その結果、第５の装置５００では、被処理表面Ｐ１～Ｐ４での反応速度を高めることが可能となり、より迅速に基板Ｗ１～Ｗ４を処理することができる。

また、第５の装置５００においても、処理ガスの消費量および消費コストが抑制でき、ハウジング５１０の劣化が抑制できるとともに、バッチ毎の処理のばらつきが少ない処理基板Ｗ１～Ｗ４を提供することができる。

（本発明の一実施形態による装置の構成部材）
次に、本発明の一実施形態による装置を構成する各部材について、より詳しく説明する。なお、ここでは、一例として、第２の装置２００を例に、その構成部材について説明する。従って、各部材を表す際には、前述の図２に示した参照符号を使用する。

ただし、以下の記載が、そのまま、または一部を修正して、その他の装置にも適用され得ることは、当業者には明らかである。

（ハウジング２１０）
ハウジング２１０は、処理空間２２０に供給される処理ガスに対して耐性を有する限り、いかなる材料で構成されてもよい。

また、図２においては、ハウジング２１０の上方から処理ガスを供給する場合を示しているが、ハウジング２１０ごと装置全体を横に倒すことで水平方向から処理ガスを供給してもよく、ハウジング２１０ごと装置全体を逆さまにすることで下方から処理ガスを供給してもよい。

（供給管２３０）
供給管２３０の材質は、処理ガスに対して耐性を有する限り、特に限られない。供給管２３０は、例えば、ニッケル、鉄、ステンレス鋼、ガラス、または石英等で構成されてもよい。

供給管２３０は、いかなる断面形状を有してもよい。供給管２３０の断面は、例えば、円形、楕円形、正方形、長方形、またはｎ角形（正ｎ角形を含む。ｎは３以上の整数）等であってもよい。

また、供給管２３０は、二重管構造を有してもよい。この場合、一本の供給管２３０により、基板Ｗに向かって、２種類のガスを別個に供給することができる。

なお、図２に示した例では、出口２４０は、供給管２３０のその他の部分と同様の断面形状を有するが、これは必ずしも必要ではない。出口２４０は、例えば、先細の形態を有してもよい。

一般に、供給管２３０の主要部の断面積よりも出口２４０の総断面積を小さくした場合、管の圧損により、各出口からのガス供給量を均一にすることができる。

例えば、供給管２３０の主要部の断面積をＳｐとし、出口２４０の開口の断面積をＳｏとしたとき、比Ｓｏ／Ｓｐを１以下にしてもよい。比Ｓｏ／Ｓｐは、０．５以下であることが好ましい。

また、供給管２３０の出口２４０の開口には、微細な孔の空いたパンチ板、またはメッシュ部材などを設けてもよい。

さらに、必要な場合、出口２４０またはその近傍にコイルを設置し、流通ガスをプラズマ化してもよい。

なお、供給管２３０は、必ずしもハウジング２１０の壁面から独立している必要はなく、壁面に埋め込まれていてもよい。

また、ハウジング２１０そのものが空洞を有することにより供給管２３０の役割を果たしてもよい。この場合、出口２４０は壁面上に設けられることとなり、壁面近傍に配置された基板Ｗの被処理表面Ｐに対して処理ガスを供給する。なお、壁面とは、ハウジング２１０の上部壁面または側壁面を指す。

（回転テーブル２７０）
回転テーブル２７０は、テーブル２７４を回転することができ、テーブル２７４に基板Ｗ（または基板ケース。図４および図５参照）を固定することができる限り、いかなる構成を有してもよい。

なお、回転テーブル１７０は、必ずしも必要な部材ではなく、本発明の一実施形態では、省略されてもよい。その場合、回転テーブル１７０の代わりに、例えば、非回転式の基板ホルダが使用されてもよい。

（排気管２７６）
排気管２７６は、処理空間２２０に供給される処理ガスに対して耐性を有する限り、いかなる材料で構成されてもよい。

なお、図２に示した排気管２７６の位置は、単なる一例であって、排気管２７６は、ハウジング２１０のいかなる箇所に設置されてもよい。

特に、排気管２７６は、処理空間２２０に流れる処理ガスの均一性が高まる位置に配置されることが好ましい。また、このため、排気管２７６を複数箇所に設けてもよい。

（本発明の一実施形態による装置の適用例）
前述のような特徴を有する本発明の一実施形態による装置は、基板の処理に処理ガスが使用される、いかなる装置にも適用できる。

例えば、本発明の一実施形態による装置は、基板Ｗ用のエッチング装置、ＣＶＤ装置、およびＰＶＤ装置等に適用できる。

エッチング装置の場合、処理ガスは、例えば、フッ素および／または塩素のようなハロゲンを含むガス等であってもよい。そのような処理ガスには、例えば、Ｆ_２、Ｃｌ_２、およびＣＦ_ｘなどが含まれる。

また、ＣＶＤ装置またはＰＶＤ装置の場合、処理ガスは、Ｎ_２、Ｏ_２、またはＨ_２などであってもよい。

また、処理される基板Ｗの形状は、特に限られない。基板Ｗは、例えば、上面視、円形、楕円形、矩形、またはドーナッツ型などであってもよい。

以上、図１～図５を参照して、本発明の一実施形態について説明した。しかしながら、本発明の一実施形態による装置が、その他の形態を有してもよいことは当業者には明らかである。

例えば、図１～図５において、各装置１００、２００、３００、４００、および５００は、さらに、基板を加熱することが可能な手段を有してもよい。

また、第１の装置１００～第５の装置５００における特徴の一部が組み合わされ、本発明の別の実施形態が得られてもよい。

例えば、図３に示した第３の装置３００において、供給管３３０は、複数の開口３４２の代わりに、複数のノズルを有してもよい。また、図４に示した第４の装置４００において、供給管４３０は、各ノズル４４６の先端が先細の形状を有してもよい。

従って、本発明の一実施形態による装置は、供給管の出口が基板の被処理表面の「近傍」に配置される限り、いかなる構成を有してもよい。

１００ 第１の装置
１１０ ハウジング
１２０ 処理空間
１３０ 供給管
１４０ 出口
１７０ 回転テーブル
１７２ 支柱
１７４ テーブル
１７６ 排気管
２００ 第２の装置
２１０ ハウジング
２２０ 処理空間
２３０ 供給管
２４０ 出口
２７０ 回転テーブル
２７２ 支柱
２７４ テーブル
２７６ 排気管
３００ 第３の装置
３１０ ハウジング
３２０ 処理空間
３３０ 供給管
３４０ 出口
３４２ 開口
３７０ 回転テーブル
３７２ 支柱
３７４ テーブル
３７６ 排気管
４００ 第４の装置
４１０ ハウジング
４２０ 処理空間
４３０ 供給管
４４０ 出口
４４６ ノズル
４６０ 基板ケース
４７０ 回転テーブル
４７２ 支柱
４７４ テーブル
４７６ 排気管
５００ 第５の装置
５１０ ハウジング
５２０ 処理空間
５３０ 供給管
５４０ 出口
５４２ 開口
５６０ 基板ケース
５７０ 回転テーブル
５７２ 支柱
５７４ テーブル
５７６ 排気管
Ｐ、Ｐ１～Ｐ４ 被処理表面
Ｒ１～Ｒ４ 部屋
Ｗ、Ｗ１～Ｗ４ 基板

Claims (12)

1. 処理ガスを用いて基板を処理する装置であって、
   基板が配置される処理空間を有するチャンバと、
   前記処理空間に処理ガスを供給する供給管と、
   を有し、
   前記供給管は、前記処理ガスが排出される出口を有し、
   該出口は、前記基板の被処理表面の近傍に配置される、装置。
2. 前記処理ガスは、前記出口から、前記基板の被処理表面と平行に排出される、請求項１に記載の装置。
3. 前記処理ガスは、前記出口から、前記基板の被処理表面に対して、垂直を除く傾斜した角度で排出される、請求項１に記載の装置。
4. 前記処理ガスは、前記出口から、前記基板の被処理表面に向かって垂直に排出される、請求項１に記載の装置。
5. 前記供給管の前記出口は、先細となっている、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の装置。
6. 前記供給管の先端は、閉止端であり、前記出口は、前記供給管の側面に設けられる、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の装置。
7. 前記出口は、前記供給管の側面に複数設置される、請求項６に記載の装置。
8. 前記供給管の断面積をＳｐとし、前記出口の開口の総面積をＳｏとしたとき、Ｓｏ／Ｓｐは、１以下である、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の装置。
9. さらに、前記基板が載置される回転テーブルを有する、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の装置。
10. 複数の前記基板を同時に処理することが可能な、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の装置。
11. 前記供給管は、前記出口として、複数の開口を有する、請求項１０に記載の装置。
12. 前記供給管は、前記出口として、複数のノズルを有する、請求項１０に記載の装置。

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