JP2022020925A - 配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】冷却時に配線基板に発生するクラックおよびリークの発生を抑制する。【解決手段】金属を主成分とし、上面と、側面と、上面と側面とを繋ぐ角部とを有する底部と、セラミックを主成分とし、底部の側面を囲う枠部であって、上面及び角部の少なくとも一部に対向する第１面と、間隙を介して側面に対向する第２面と、を有する枠部と、を備える配線基板では、底部は、角部の第１面と対向する部分の外側の端部よりも内側のみで、接合部を介して前記枠部に接合されている。【選択図】図４

Description

本発明は、配線基板に関する。

半導体発光素子を備える発光装置に使用される配線基板が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載された配線基板では、放熱体の周囲に基体が設けられており、基体の側面に形成された突部によって、基体と放熱体との位置ずれや接触干渉によるクラックを抑制している。

特開２００８－２１８６７８号公報

特許文献１には、ロウ材などの接着部材により基体と放熱体とが接着されているため、配線基板の加熱時に発生するクラックを抑制する技術が開示されている。なお、配線基板における放熱体は底部とも呼ばれ、基体は枠部とも呼ばれる。配線基板の製造工程では、加熱後に冷却工程が行われる場合があり、生産性を考えると、冷却工程の時間を短くする、すなわち、配線基板を短時間で急冷することが好ましい。配線基板の急冷時に、基体の熱収縮量と放熱体の熱収縮量との差によって発生するクラックおよびリークを抑制したい課題がある。しかしながら、特許文献１には、配線基板の冷却時の応力の変化によって発生するクラックおよびリークについては何ら考慮されていない。

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、冷却時に配線基板に発生するクラックおよびリークの発生を抑制することを目的とする。

本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現できる。

（１）本発明の一形態によれば、金属を主成分とし、上面と、側面と、前記上面と前記側面とを繋ぐ角部とを有する底部と、セラミックを主成分とし、前記底部の前記側面を囲う枠部であって、前記上面及び前記角部の少なくとも一部に対向する第１面と、間隙を介して前記側面に対向する第２面と、を有する枠部と、を備える配線基板が提供される。この配線基板では、前記底部は、前記角部の前記第１面と対向する部分の外側の端部よりも内側のみで、接合部を介して前記枠部に接合されている。

この構成によれば、底部の側面と枠部との接合部による接合領域を減らすことができるため、冷却時に配線基板に発生する最大応力が抑制される。そのため、配線基板に熱衝撃が加わって、セラミックで形成された枠部内での応力集中によるクラックなどの発生を避けることができる。これにより、底部と枠部との接合時や、実装部品の実装時の加熱時および冷却時のクラックおよびリークの発生が抑制されるため、配線基板の信頼性が向上する。

（２）上記形態の配線基板において、前記角部は、Ｒ加工または面取りされていてもよい。
この構成によれば、接合部として用いられる同量の接合材がＲ加工または面取りされていない底部に接合された場合と比較し、底部の側面までろう材が達するのが抑制される。この結果、冷却時に配線基板に発生する最大応力を低減できるため、リークおよびクラックの発生がより抑制される。

（３）上記形態の配線基板において、前記接合部は、前記底部の前記上面に加えてさらに、前記角部の少なくとも一部にも接触していてもよい。
この構成によれば、底部の側面と枠部との接合部による接合領域を減らして冷却時の配線基板に発生する最大応力を抑制した上で、枠部と底部とに接触している接合部の表面積が増加させ、枠部と底部との接合強度を向上させることができる。

（４）上記形態の配線基板において、前記接合部を形成する接合材は、前記底部の内部に拡散していてもよい。
この構成によれば、接合材が底部内に拡散することにより接合部が底部に接触している表面積が増加し、底部と接合部との接合強度が向上する。

なお、本発明は、種々の態様で実現することが可能であり、例えば、配線基板、半導体パッケージ、半導体装置、配線基板の製造方法、半導体パッケージの製造方法、およびこれらを備えるシステム等の形態で実現することができる。

本発明の第１実施形態の配線基板の概略斜視図である。 配線基板の説明図である。 配線基板の説明図である。 接合部の説明図である。 底部内に拡散している接合部の説明図である。 比較例の配線基板の説明図である。 実施例の配線基板と比較例の配線基板との評価結果を表す一覧表である。 実施例の配線基板と比較例の配線基板との評価結果を表す一覧表である。 第２実施形態の配線基板の説明図である。 第３実施形態の配線基板の説明図である。 第４実施形態の配線基板の説明図である。

＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態の配線基板１００の概略斜視図である。図１に示される配線基板１００は、半導体装置に用いられる基板である。配線基板１００には、発光ダイオードなどの半導体が載置される。配置された半導体は、図示されない電気配線によって配線基板１００の外部の制御装置と電気的に接続されており、発光が制御される。なお、半導体は、発光ダイオードに限定されず、例えば、パワーＭＯＳＦＥＴやダイオードなどから構成されるパワーデバイスであってもよいし、他の機能を有する半導体を含んでもよい。

図１に示されるように、配線基板１００は、略直方体の形状を有する。配線基板１００の短手方向に平行な軸をＸ軸、長手方向に平行かつＸ軸に直交する軸をＹ軸と定義して、Ｘ軸，Ｙ軸，Ｚ軸（配線基板１００の厚さ方向に平行な軸）で構成される直交座標系は、図２以降に示される直交座標系と対応している。本実施形態の配線基板１００は、配線基板１００の重心を通り、かつ、Ｚ軸に平行な中心軸ＯＬを定義した場合に、中心軸ＯＬを通るＹＺ平面およびＺＸ平面を基準として対称的な形状を有する。

図２および図３は、配線基板１００の説明図である。図２に示される配線基板１００は、図１に示される配線基板１００の下面から見た斜視図である。図３には、図１におけるＡ－Ａ断面の配線基板１００についての概略図が示されている。図１ないし図３に示されるように、配線基板１００は、中心側かつＺ軸負方向側に配置された底部３０と、底部３０を囲う枠部２０と、を備えている。底部３０は、金属であるＣｕを主成分として形成されている。枠部２０は、セラミックとしてのアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）を主成分として形成されている。

図３の断面図に示されるように、配線基板１００は、さらに、底部３０と枠部２０とを接合する接合部４０を備えている。本実施形態の接合部４０は、Ａｇで形成された銀ろうの接合材である。

図４は、接合部４０の説明図である。図４には、図３におけるＸ１部の拡大図が示されている。図４に示されるように、底部３０は、Ｚ軸正方向側の面である上面３０Ｔと、中心軸ＯＬを中心として外側に位置する側面３０Ｓと、上面３０Ｔと側面３０Ｓとを繋ぐ角部３０ＣＲと、を備えている。本実施形態では、上面３０Ｔは、ＸＹ平面に平行な面である。側面３０Ｓは、図３および図４に示されるＡ－Ａ断面では、上面３０Ｔの延長した面に対して直交するＹＺ平面に平行な面である。角部３０ＣＲは、上面３０Ｔを延長した面と、側面３０Ｓを延長した面とが交わる角がＲ加工された部分である。

枠部２０は、図３に示されるように、底部３０の側面３０Ｓを囲う外周部２１と、外周部２１から中心軸ＯＬ側に突出している平板部２２と、を備えている。外周部２１は、略直方体に対して、中心軸ＯＬに沿う空洞が形成された形状である。平板部２２は、外周部２１の内側に形成されたフランジ状の形状を有する。図４に示されるように、平板部２２は、Ｚ軸負方向側の面に形成されたメタライズ層２２Ｍを有している。メタライズ層２２Ｍは、Ｚ軸負方向側の面にタングステンがメタライズされた後に、Ｎｉメッキが施された層である。

図４に示されるように、枠部２０のメタライズ層２２ＭのＺ軸負方向側の下面（第１面）２２ＭＵは、底部３０の上面３０Ｔ及び角部３０ＣＲの少なくとも一部に対向している。接合部４０は、底部３０の上面３０Ｔと枠部２０の下面２２ＭＵとを接合している。

図４に示されるように、接合部４０は、底部３０の上面３０Ｔの内の一部に加えて、上面３０Ｔと繋がっている角部３０ＣＲの少なくとも一部に接触している。また、枠部２０の外周部２１は、間隙ＧＰを介して、底部３０の側面３０Ｓに対向する内周面（第２面）２１Ｓを有している。上記関係から、底部３０は、角部３０ＣＲの枠部２０の下面２２ＭＵと対向している部分の外側の端部ＲＥよりも内側（中心軸ＯＬ側）のみで、接合部４０を介して枠部２０に接合されている。換言すると、底部３０は、端部ＲＥよりも外側の側面３０Ｓでは接合されていない。なお、「端部ＲＥよりも内側に接合されている」とは、換言すると、接合部４０において下面２２ＭＵから底部３０側へと這い上がっているフィレットＦＴ（図４の破線内）のうち、接合部４０が底部３０側で最も外側で接合している頂点Ｐ１が側面３０Ｓまで至らずに、端部ＲＥよりも内側にあることを表す。本実施形態では、上面３０Ｔと側面３０Ｓとのなす角が直角であり、角部３０ＣＲがＲ加工されている。

図５は、底部３０内に拡散している接合部４０の説明図である。図５には、図１におけるＢ－Ｂ断面をＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）により観察した拡大画像が示されている。なお、図５では、底部３０および接合部４０が示され、枠部２０の図示が省略されている。図５に示されるように、接合部４０を形成する接合材は、底部３０の上面３０Ｔに加えて、底部３０の内部に複数の箇所で拡散部３０ＤＦとして拡散している。なお、図５に示されるように、本実施形態の底部３０は、Ｂ－Ｂ断面に平行なＹＺ平面では、Ｚ軸負方向側に近づくにつれて、内側に窪んだ形状を有している。

図６は、比較例の配線基板１００ｘの説明図である。図６には、本実施形態の配線基板１００の図５の拡大断面図に対応する、比較例の配線基板１００ｘの拡大断面図が示されている。比較例の配線基板１００ｘでは、本実施形態の配線基板１００と比較して、接合部４０ｘが異なり、他の構成は同じである。比較例の接合部４０ｘは、本実施形態の接合部４０よりも量が多い接合材を含んでいる。その結果、比較例の接合部４０ｘは、実施形態の接合部４０よりもより広い範囲で底部３０に接触している。具体的には、比較例の接合部４０ｘは、底部３０の上面３０Ｔの内の一部および角部３０ＣＲの全面に加え、角部３０ＣＲに接続している側面３０Ｓの一部にも接触している。すなわち、接合部４０ｘは、外側の端部ＲＥより外側の側面３０Ｓの一部も底部３０に接触している。

図７および図８は、実施例の配線基板１００と比較例の配線基板１００ｘとの評価結果を表す一覧表である。図７および図８に示される実施例の配線基板１００は、底部３０が下面２２ＭＵに対向する部分の、角部３０ＣＲの端部ＲＥよりも内側のみで、底部３０が接合部４０により枠部２０に接合されている。一方で、比較例の配線基板１００ｘは、角部３０ＣＲの端部ＲＥよりも外側、すなわち、側面３０Ｓも接合部４０により接合されている。図７に示される評価結果は、実施例および比較例を３００℃から２５℃まで３０秒間で急冷している間で、接合部４０，４０ｘ付近で発生した最大応力（ＭＰａ）である。

図７に示される応力値は、ＦＥＭ（Finite Element Method）解析により算出された値である。実施例および比較例の角部３０ＣＲに加工されたＲの半径は、５０μｍである。図７に示されるように、実施例は、比較例に比べて、底部３０および枠部２０に発生する急冷時の応力が小さいことがわかる。

図８には、実施例と比較例とに対して、４００℃から２５℃までの急冷が繰り返し行われた場合の気密性およびクラックの発生についての評価結果が示されている。具体的には、１分間で２５℃から４００℃まで加熱した後に、１分間で４００℃から２５℃まで冷却するサイクルが実施例および比較例に繰り返された場合に、配線基板内の所定の３０箇所における気密性およびクラックの発生が評価されている。気密性は、ヘリウムを用いたリーク量により評価され、クラックの発生は、浸透探傷検査により評価されている。

図８に示されるように、急冷回数がゼロの場合には、実施例および比較例のいずれにもリークおよびクラックの発生が確認されていない。急冷回数が２０回の場合には、実施例ではリークおよびクラックの発生が確認されていない。一方で、比較例では、検査対象である３０箇所の内、１５箇所でリークが発生し、２１箇所でクラックの発生が確認されている。これは、図７に示される実施例と比較例とに発生する最大応力の差によって、枠部２０が破損した結果、比較例の配線基板１００ｘにリークおよびクラックが発生している。

以上説明したように、本実施形態の配線基板１００は、金属を主成分として形成された底部３０と、セラミックを主成分として底部３０を囲う枠部２０と、を備えている。底部３０は、上面３０Ｔと側面３０Ｓとを繋ぐ角部３０ＣＲの枠部２０の下面２２ＭＵと対向する部分における外側の端部ＲＥよりも内側のみで、接合部４０を介して枠部２０に接合されている。すなわち、図４に示されるように、接合部４０が端部ＲＥよりも側面３０Ｓ側に接触していないことにより、底部３０の側面３０Ｓと枠部２０との接合部４０による接合領域を減らすことができる。これにより、図７および図８に示されるように、冷却時に配線基板１００に発生する最大応力が抑制され、かつ、急冷が繰り返された配線基板１００に発生するリークおよびクラックが抑制される。この結果、本実施形態の配線基板１００に熱衝撃が加わって、セラミックで形成された枠部２０内での応力集中を避けることができる。これにより、底部３０と枠部２０との接合時や、実装部品の実装時の加熱時および冷却時のクラックおよびリークが発生しないため、信頼性の高い配線基板１００を製造できる。このため、配線基板１００の信頼性を向上させつつ、配線基板１００の製造工程において配線基板１００を急冷することができ、生産性を向上できる。

また、本実施形態の角部３０ＣＲがＲ加工されている。そのため、接合部４０として用いられる同量の接合材がＲ加工されていない底部３０に接合された場合と比較し、底部３０の側面３０Ｓと枠部２０との接合が抑制される。この結果、冷却時に配線基板１００に発生する最大応力を低減できるため、リークおよびクラックの発生がより抑制される。

また、本実施形態の接合部４０は、底部３０の上面３０Ｔに加えてさらに、角部３０ＣＲの少なくとも一部に接触している。これにより、底部３０の側面３０Ｓと枠部２０との接合による最大応力を抑制した上で、枠部２０と底部３０とに接触している接合部４０の表面積が増加するため、枠部２０と底部３０との接合強度が向上する。

また、本実施形態の接合部４０は、図５に示されるように、接合部４０を形成する接合材の一部は、底部３０の内部に拡散部３０ＤＦとして拡散している。そのため、接合材が底部３０内に拡散することにより、接合部４０が底部３０に接触している表面積が増加し、底部３０と接合部４０との接合強度が向上する。

＜第２実施形態＞
図９は、第２実施形態の配線基板１００ａの説明図である。図９には、第２実施形態の配線基板１００ａの内、第１実施形態の配線基板１００の内のＸ１部に対応する部分の拡大断面図が示されている。図９に示されるように、第２実施形態の配線基板１００ａでは、第１実施形態の配線基板１００と比較して、枠部２０ａの平板部２２ａのメタライズ層２２Ｍａと、メタライズ層２２Ｍａと底部３０とを接合している接合部４０ａとが異なる。そのため、以降では、第２実施形態の配線基板１００ａの内、第１実施形態の配線基板１００と異なる構成および形状について説明し、同じ構成および形状についての説明を省略する。

図９に示されるように、第２実施形態のメタライズ層２２Ｍａが平板部２２ａの下面を覆う面積は、第１実施形態のメタライズ層２２Ｍ（図４）よりも小さい。第２実施形態のメタライズ層２２Ｍａは、平板部２２ａが外周部２１から突出する根元の部分（Ｘ正方向側の端部）まで達していない。メタライズ層２２Ｍａの下面２２ＭＵａにＮｉメッキが施される。

第２実施形態の接合部４０ａは、メタライズ層２２Ｍａの下面２２ＭＵａに接触し、メタライズ層２２Ｍａが形成されていない平板部２２ａの下面には接触していない。接合部４０ａは、第１実施形態の接合部４０と同じように、底部３０の上面３０Ｔの内の一部に加えて、上面３０Ｔと繋がっている角部３０ＣＲの少なくとも一部に接触している。また、底部３０は、角部３０ＣＲの端部ＲＥよりも内側のみで、接合部４０ａを介して枠部２０ａに接合されている。なお、他の実施形態では、接合部４０ａは、メタライズ層２２Ｍａが形成されていない平板部２２ａの下面の少なくとも一部に接触していてもよい。

以上説明したように、第２実施形態のメタライズ層２２Ｍａは、平板部２２ａの下面の一部に形成されている。接合部４０ａは、メタライズ層２２Ｍａの下面２２ＭＵａに接触し、底部３０の上面３０Ｔの一部と、角部３０ＣＲの一部とに接触している。すなわち、底部３０は、角部３０ＣＲの端部ＲＥよりも内側のみで接合部４０ａを介して枠部２０ａに接合され、端部ＲＥよりも外側では接合されていない。そのため、底部３０の側面３０Ｓと枠部２０ａの接合部４０ａによる接合領域が減るため、冷却時に配線基板１００ａに発生する最大応力を低減でき、リークおよびクラックの発生が抑制される。

＜第３実施形態＞
図１０は、第３実施形態の配線基板１００ｂの説明図である。図１０には、第３実施形態の配線基板１００ｂの内、第１実施形態の配線基板１００の内のＸ１部に対応する部分の拡大断面図が示されている。図１０に示されるように、第３実施形態の配線基板１００ｂでは、第１実施形態の配線基板１００と比較して、枠部２０ｂの構成と、接合部４０ｂの形状と、底部３０ｂの形状と、が異なる。そのため、以降では、第３実施形態の配線基板１００ｂの内、第１実施形態の配線基板１００と異なる構成および形状について説明し、同じ構成および形状についての説明を省略する。

図１０に示されるように、枠部２０ｂの平板部２２ｂは、メタライズ層２２Ｍの下面２２ＭＵの一部を覆うセラミック製のコート２２Ｃを備えている。コート２２Ｃは、平板部２２ｂが外周部２１から突出する根元の部分から所定の範囲のメタライズ層２２Ｍを覆っている。

第３実施形態の角部３０ＣＲｂには、第１実施形態の角部３０ＣＲに形成されたＲ加工の代わりに、Ｃ面取りが形成されている。角部３０ＣＲｂに形成されたＣ面取りの寸法は、一辺が５０μｍである。第３実施形態の接合部４０ｂは、図１０に示されるように、Ｚ軸正方向側の平板部２２ｂ側で、メタライズ層２２Ｍの下面２２ＭＵの内、コート２２Ｃで覆われていない部分で接触している。また、接合部４０ｂは、Ｚ軸負方向側の底部３０ｂ側で、上面３０Ｔｂの内の一部に加えて、上面３０Ｔｂと繋がっている角部３０ＣＲｂの少なくとも一部に接触している。また、底部３０ｂは、角部３０ＣＲｂの端部ＲＥｂよりも内側のみで、接合部４０ｂを介して枠部２０ｂに接合されている。

以上説明したように、第３実施形態の平板部２２ｂは、メタライズ層２２Ｍの一部の表面に形成されたコート２２Ｃを備えている。コート２２Ｃがセラミック製であるため、接合部４０ｂに対する濡れ性が低く、コート２２Ｃ上には接合部４０ｂがほとんど接合しない。このように、メタライズ層２２Ｍの表面にコート２２Ｃが形成されることにより、接合部４０ｂが接触する範囲を制御できる。

また、第３実施形態の底部３０ｂの角部３０ＣＲｂは、Ｒ加工ではなく、Ｃ面取りが形成されている。このように、角部３０ＣＲｂは、Ｒ加工以外の面取りであってもよい。例えば、面取りが成す角度が４５°のＣ面取りではなく、一方の成す角度が３０°と６０°との組み合わせの面取りであってもよい。

＜第４実施形態＞
図１１は、第４実施形態の配線基板１００ｃの説明図である。図１１には、第４実施形態の配線基板１００ｃの内、第１実施形態の配線基板１００の内のＸ１部に対応する部分の拡大断面図が示されている。図１１に示されるように、第２実施形態の配線基板１００ａでは、第１実施形態の配線基板１００と比較して、底部３０ｃの形状と、接合部４０ｃとが異なる。そのため、以降では、第４実施形態の配線基板１００ｃの内、第１実施形態の配線基板１００と異なる構成および形状について説明し、同じ構成および形状についての説明を省略する。

図１１に示されるように、第４実施形態の底部３０ｃでは、角部３０ＣＲｃの形状と、側面３０Ｓｃの形状とが、第１実施形態の角部３０ＣＲおよび側面３０Ｓの形状とは異なる。具体的には、側面３０Ｓｃは、Ｚ軸負方向側ほど中心軸ＯＬに近づく内側へと入り込む平面として形成されている。角部３０ＣＲｃは、上面３０Ｔと側面３０Ｓｃとを接続するようにＲ加工が施されている。その結果、角部３０ＣＲｃが側面３０Ｓｃに繋がっている接続点ＣＥは、角部３０ＣＲｃのうち、枠部２０の下面２２ＭＵと対向している部分の最も外側の端部ＲＥｃよりも内側に位置している。すなわち、第４実施形態では、第１実施形態と異なり、接続点ＣＥと端部ＲＥｃとが異なっている。

第４実施形態の接合部４０ｃは、第１実施形態の接合部４０と同じように、メタライズ層２２Ｍの下面２２ＭＵに接触している。また、接合部４０ｃは、底部３０ｃの上面３０Ｔｃの内の一部に加えて、上面３０Ｔｃと繋がっている角部３０ＣＲｃの外側の端部ＲＥｃよりも内側の少なくとも一部に接触している。底部３０ｃは、角部３０ＣＲｃの外側の端部ＲＥｃよりも内側のみで、接合部４０ｃを介して枠部２０に接合されている。

以上説明したように、第４実施形態の角部３０ＣＲｃでは、枠部２０の下面２２ＭＵと対向している部分のうち、角部３０ＣＲｃと側面３０Ｓｃとが繋がっている接続点ＣＥとは異なる外側の端部ＲＥｃが最も外側に位置している。このように、角部３０ＣＲｃの枠部２０の下面２２ＭＵと対向する部分における外側の端部ＲＥｃは、底部３０の形状に応じて変化する。

＜本実施形態の変形例＞
本発明は上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。

上記第１実施形態ないし第４実施形態の配線基板１００～１００ｃは、一例であって、配線基板１００～１００ｃの構成および形状などについては種々変形可能である。例えば、上記第１実施形態の底部３０は、無酸素銅であるＣｕで形成されていたが、その他の金属によって形成されていてもよい。底部３０は、８０ｗｔ％以上のＣｕを含んでいると好ましい。上記第１実施形態の枠部２０は、セラミックのアルミナで形成されていたが、アルミナ以外のセラミックで形成されていてもよい。例えば、枠部２０は、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ガラス－セラミック、ムライト、およびＢＮなどを主成分として含むセラミックで形成されていてもよい。上記第１実施形態の接合部４０は、銀ろう材の接合材であったが、その他の接合材により形成されていてもよい。接合部４０は、７０ｗｔ％以上のＡｇを含む金属で形成されていると好ましい。なお、本明細書における主成分とは、材質の５０ｗｔ％以上を占める成分をいう。

上記第１実施形態の配線基板１００は、中心軸ＯＬを通るＹＺ平面およびＺＸ平面を中心として対称的な略直方体の形状を有していたが、枠部２０が底部３０の側面３０Ｓを囲う範囲で変形可能である。配線基板１００は、対称的な形状を有していなくてもよいし、例えば、底部３０と枠部２０との少なくとも一方が、中心軸ＯＬを中心として円板形状を有していてもよい。また、底部３０の大きさ及び枠部２０の大きさは、種々変形可能であり、例えば、底部３０の角部３０ＣＲの形状および寸法についても変形可能である。

上記第１実施形態ないし上記第４実施形態では、Ｒ加工された角部３０ＣＲ，３０ＣＲｃまたは面取りされた角部３０ＣＲｂが、上面３０Ｔ，３０Ｔｂ，３０Ｔｃと側面３０Ｓ，３０Ｓｂ，３０Ｓｃとを繋いでいたが、角部３０ＣＲ，３０ＣＲｂ，３０ＣＲｃの形状については種々変形可能である。例えば、角部が上面と側面とを繋ぐ直角の角であっても、接合部が当該直角の角よりも内側のみが接合されていればよい。換言すると、直角の角よりも外側（下側）の側面が接合されていなければよい。

上記第１実施形態ないし上記第４実施形態では、接合部４０～４０ｃは、角部３０ＣＲ，３０ＣＲｂ，３０ＣＲｃの一部に接触していたが、角部３０ＣＲ，３０ＣＲｂ，３０ＣＲｃに接触せずに、上面３０Ｔ，３０Ｔｂ，３０Ｔｃの一部に接触していてもよい。例えば、「角部３０ＣＲの枠部２０の下面２２ＭＵと対向している部分の外側の端部ＲＥよりも内側」とは、底部３０の上面３０Ｔのみであってもよいし、上面３０Ｔに角部３０ＣＲの一部を加えた部分であってもよい。上記第１実施形態の接合部４０は、図５に示されるように、底部３０内に拡散した拡散部３０ＤＦを有していたが、底部３０内に拡散していなくてもよい。例えば、接合部４０は、上面３０Ｔの表面のみに接触していてもよい。

上記第１実施形態ないし上記第４実施形態における上面や側面の呼び方は、図１などに示される直交座標系を基準とした呼び方であるため、設定する座標系に応じて各面などの呼び方は変形可能である。例えば、設定する座標系に応じて、第１実施形態における「上面」は、底部３０を上側と設定した場合には「下面」にもなり得る。すなわち、上記第１実施形態ないし上記第４実施形態における設定した方向に対応付けた呼び方は、一例であり、種々変形可能である。

以上、実施形態、変形例に基づき本態様について説明してきたが、上記した態様の実施の形態は、本態様の理解を容易にするためのものであり、本態様を限定するものではない。本態様は、その趣旨並びに特許請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本態様にはその等価物が含まれる。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することができる。

２０，２０ａ，２０ｂ…枠部
２１…外周部
２１Ｓ…内周面（第２面）
２２，２２ａ，２２ｂ…平板部
２２Ｃ…コート
２２Ｍ，２２Ｍａ…メタライズ層
２２ＭＵ，２２ＭＵａ…メタライズ層の下面（第１面）
３０，３０ｂ，３０ｃ…底部
３０ＣＲ，３０ＣＲｂ，３０ＣＲｃ…角部
３０ＤＦ…拡散部
３０Ｓ，３０Ｓｂ，３０Ｓｃ…側面
３０Ｔ，３０Ｔｂ，３０Ｔｃ…上面
４０，４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｘ…接合部
１００，１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｘ…配線基板
ＣＥ…接続点
ＦＴ…フィレット
ＧＰ…間隙
ＯＬ…中心軸
Ｐ１…フィレットの頂点
ＲＥ，ＲＥａ，ＲＥｂ，ＲＥｃ…端部

Claims (4)

1. 金属を主成分とし、上面と、側面と、前記上面と前記側面とを繋ぐ角部とを有する底部と、
   セラミックを主成分とし、前記底部の前記側面を囲う枠部であって、前記上面及び前記角部の少なくとも一部に対向する第１面と、間隙を介して前記側面に対向する第２面と、を有する枠部と、を備える配線基板であって、
   前記底部は、前記角部の前記第１面と対向する部分の外側の端部よりも内側のみで、接合部を介して前記枠部に接合されている、配線基板。
2. 請求項１に記載の配線基板であって、
   前記角部は、Ｒ加工または面取りされていることを特徴とする、配線基板。
3. 請求項２に記載の配線基板であって、
   前記接合部は、前記底部の前記上面に加えてさらに、前記角部の少なくとも一部にも接触していることを特徴とする、配線基板。
4. 請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の配線基板にであって、
   前記接合部を形成する接合材は、前記底部の内部に拡散していることを特徴とする、配線基板。

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