JP2022011975A

JP2022011975A - 疎水性シリカ粒子

Info

Publication number: JP2022011975A
Application number: JP2020113424A
Authority: JP
Inventors: 健一竹内; Kenichi Takeuchi
Original assignee: Fuso Chemical Co Ltd
Current assignee: Fuso Chemical Co Ltd
Priority date: 2020-06-30
Filing date: 2020-06-30
Publication date: 2022-01-17

Abstract

【課題】粒子表面が高い電位を有しつつ、高い疎水性を併せ持つシリカ粒子を提供する。【解決手段】ｐＨ４におけるゼータ電位が２０ｍＶ以上、ＨＨ疎水化度が６０％以上であり、２９Ｓｉ－固体ＮＭＲスペクトルがＭのピークを有し、さらにシリカ粒子により構成されるコア部を有することを特徴とする、疎水性シリカ粒子。【選択図】なし

Description

本発明は、疎水性シリカ粒子及びその製造方法に関する。

多様な無機酸化物微粒子が多様な用途に使用されている。中でも、シリカ粒子は、化粧品、医薬品、フィラー、及び研磨剤等といった様々な用途で、強度向上、粉体の流動性向上、及び帯電性付与等の目的で使用される。

中でもトナーの外添剤として使用されるシリカ粒子は、トナー表面に付着し、トナーの帯電性や流動性、アンチブロック性等を制御するための重要な役割を果たす。

トナーの外添剤として使用されるシリカ粒子は、トナーを構成する樹脂への付着性を向上させ、且つ、シリカ粒子同士の凝集を抑制するために、疎水性の高いシリカ粒子が使用される。この場合、シリカ粒子に疎水性を付与するために、外表面にトリメチルシリル基等の疎水性官能基を導入することが一般的である。

また、トナーの外添剤として使用されるシリカ粒子には、帯電量の変動が少ない特性も要求される。例えば、特許文献１では、アミノ基をシリカ粒子表面に導入し、シリカ粒子表面の電位を向上することにより、シリカ粒子の帯電性を制御可能であることが、示唆されている。

しかしながら、シリカ粒子表面にアミノ基（アミノシラン）を導入することにより、シリカ粒子表面の電位を向上させた場合、これと引き換えにシリカ粒子表面上に充分量の疎水性基を導入することができなくなるという問題がある。

また、疎水性が不充分であることから、シリカ粒子同士が乾燥工程において結着しやすくなり、解砕が困難であるという問題がある。さらに、このように単純にアミノシランをシリカ粒子表面に修飾するというだけでは、アミノシランがシリカ粒子表面から脱離しやすく、トナーへの外添が不均一となってしまうおそれもある。

また、特許文献２では、テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡ）イオンをシリカ粒子表面に吸着させた疎水性シリカ粒子が記載されている。

しかしながら、やはりＴＭＡイオンをシリカ粒子の外表面に吸着させただけでは、ＴＭＡイオンがシリカ粒子表面から脱離しやすく、シリカ粒子表面の高い電位を長期間維持することは困難である。

特許文献３には、４級アンモニウム塩を内包させたシリカ粉末が記載されているが、これについても、４級アンモニウム塩を添加することによりシリカ粒子表面の高い電位を維持することが可能である一方で、疎水性に関しては不充分であり、外添剤としてのシリカ粒子がトナーから脱離しやすいと予想される。

このように、高い疎水性と粒子表面の高い電位とを併せ持つシリカ粒子及びその製造方法が求められている。

特開２００６－０９６６４１号公報特開平０５－１００４７１号公報特開２０１７－０３９６１８号公報

上記のような事情に鑑み、本発明の目的とするところは、粒子表面の高い電位を有しつつ、高い疎水性を併せ持つシリカ粒子を提供することにある。

本発明者は上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、所定のゼータ電位及びＨＨ疎水化度を有するシリカ粒子することで、粒子表面の高い電位を有しつつ、高い疎水性をも併せ持つシリカ粒子を提供できることを見出した。本発明者は、かかる知見に基づきさらに研究を重ね、本発明を完成するに至った。

即ち、本発明は、以下の疎水性シリカ粒子及びその製造方法を提供する。
項１．
ｐＨ４におけるゼータ電位が２０ｍＶ以上、ＨＨ疎水化度が６０％以上であることを特徴とする、疎水性シリカ粒子。
項２．
^２９Ｓｉ－固体ＮＭＲスペクトルがＭのピークを有する、項１に記載の疎水性シリカ粒子。
項３．
シリカ粒子により構成されるコア部を有する、項１又は２に記載の疎水性シリカ粒子。
項４．
項１～３の何れかに記載の疎水性シリカ粒子からなる、トナー用外添剤。
項５．
項１～３の何れかに記載の疎水性シリカ粒子を含む樹脂粒子。
項６．
項４に記載のトナー用外添剤を含むトナー。
項７．
シリカ粒子を原料として製造される疎水性シリカ粒子の製造方法であって、
前記シリカ粒子を含む塩基性の母液中で下記一般式（１）で表される化合物Ａ及び下記一般式（２）で表される化合物Ｂを加水分解することにより、疎水性シリカ粒子前駆体を得る工程１を有する、方法。
Ｓｉ（ＯＲ^１）_４（１）
Ｒ^２ _ｍＳｉ（ＯＲ^３）_ｎ（Ｒ^４－ＮＨ_２）_ｐ（２）
（式中、Ｒ^１はアルキル基であり、Ｒ^２は炭素数１～６のアルキル基であり、Ｒ^３は炭素数１～３の炭化水素基であり、Ｒ^４は非置換又はアミノ基により置換された炭素数１～４の炭化水素基である。ｍは０～２の整数であり、ｐは１又は２であり、ｎは１～３の整数であり、且つ、ｍ＋ｎ＋ｐ＝４である。）
項８．
前記母液はシリカ粒子分散体を含む、項７に記載の方法。
項９．
前記疎水性シリカ粒子前駆体を、オルガノシラザンで処理する工程２をさらに有する、項７又は８に記載の方法。

本発明のシリカ粒子は、粒子表面の高い電位を有しつつも、高い疎水性を有する。

疎水性シリカ粒子
本発明の疎水性シリカ粒子は、ｐＨ４におけるゼータ電位が２０ｍＶ以上である。好ましくは、ｐＨにおけるゼータ電位が６０ｍＶ以上であり、より好ましくは８０ｍＶ以上であり、さらに好ましくは１００ｍＶ以上である。ｐＨ４におけるゼータ電位が２０ｍＶ未満であると、樹脂粒子に十分な帯電性能を付与することができない。ｐＨ４におけるゼータ電位の上限値としては特に制限されないが、例えば２００ｍＶであることが好ましい。

尚、本明細書において、ｐＨ４におけるゼータ電位とは、１質量％の（疎水性）シリカ粒子分散液のｐＨを４に調製した後に測定して得られるゼータ電位であると、定義される。

より具体的には、メタノール中に（疎水性）シリカ粒子を１質量％の量で加え、５分間超音波処理を行って充分に分散させて（疎水性）シリカ分散液を得る。その後、得られた（疎水性）シリカ分散液を、１質量％硝酸溶液を使用してｐＨ４に調製し、AcoustoSizer IIx（Colloidal dynamics社製）によりゼータ電位を測定する態様を例示することができる。

本発明のシリカ粒子のＨＨ疎水化度は、６０％以上である。ＨＨ疎水化度が６０％未満であると、樹脂粒子に十分な帯電性能を付与することができない。さらに、ＨＨ疎水化度は、６５％以上であることが好ましく、７０％以上であることがより好ましい。ＨＨ疎水化度の上限値としては特に制限されないが、例えば１００％とすることが好ましい。

本明細書において、ＨＨ疎水化度とは高温高湿疎水化度のことを意味する。具体的には、以下の手順に沿って測定することができる。
工程ａ）
疎水性シリカ粒子を、６０℃、８０％ＲＨの環境下に４８時間静置する。
工程ｂ）
３００ｍＬのビーカーに純水５０ｍＬを入れ、ａ）で吸湿させた疎水性シリカ粒子０．２ｇを加え、マグネットスターラーを使用して攪拌する。
工程ｃ）
上記攪拌下でさらにメタノールを滴下し、疎水性シリカ粒子が完全に水中に分散するまでに要するメタノールの添加量ＸｍＬから、以下の計算式に基づき、ＨＨ疎水化度を算出する。

ＨＨ疎水化度（容積％）＝｛（Ｘ）／（５０＋Ｘ）｝×１００

本発明の疎水性シリカ粒子は、ＢＥＴ比表面積が、２５～３００ｍ^２／ｇであることが好ましく、３０～１５０ｍ^２／ｇであることがより好ましい。かかる構成を有することにより、樹脂粒子への接着性と、樹脂粒子に十分な帯電性能を付与することができる。

疎水性シリカ粒子は、^２９Ｓｉ－固体ＮＭＲスペクトルがＭのピークを有することが好ましい。かかる構成を有することにより、高度な疎水化度を得ることができる。

^２９Ｓｉ－固体ＮＭＲスペクトルにおけるＭのピークの確認は、４ｍｍＨＸＭＡＳプローブを備えるＪＮＭ－ＥＣＸ４００（日本電子株式会社製）を使用し、固体ＮＭＲ試料管４ｍｍ、サンプル量７０μＬ、測定核種 ^２９Ｓｉ（７９．４ＭＨｚ）、回転速度８ｋＨｚ、温度２１℃、測定モードＣＰＭＡＸ、繰り返し時間３．１０ｓｅｃ、積算回数２０００回、外部標準シリコンゴム（－２２．３３３ｐｐｍ）の条件により測定することに得られるスペクトルデータから行うことが可能である。

疎水性シリカ粒子は略球形を有することが好ましく、そのサイズは、樹脂粒子への接着性と、樹脂粒子に十分な帯電性能を付与するために、平均粒子径０．０１～１０μｍであることが好ましく、０．０５～５μｍであることがより好ましい。同様の理由から、疎水性シリカ粒子のメディアン粒子径は、０．０１～１０μｍであることが好ましく、０．０５～５μｍであることがより好ましい。また、疎水性シリカ粒子の粒度分布標準偏差は、０．１～５μｍであることが好ましく、０．２～１μｍであることがより好ましい。

本明細書において、疎水性シリカ粒子の平均粒子径、メディアン粒子径、及び粒度分布標準偏差は、レーザー回折法により得られる値であると定義される。より具体的には、レーザー回折法粒度分布系（例えば、株式会社堀場製作所製、ＬＡ－９５０Ｖ２）を使用し、レーザー透過率９３．０～９５．０％となるように疎水性シリカ粒子をエタノールに添加し、強度３で１分間超音波照射を行い、得られる分散液をシリカの屈折率１．４５、エタノールの屈折率１．３６の条件で測定して得られる値である。

疎水性シリカ粒子表面に設けられる、疎水性シリカ粒子表面の電位を向上するための官能基としては、公知のアミノ基を含む官能基を広く採用することが可能であり、特に限定はない。具体的には、アミノメチレン基、アミノエチレン基、アミノプロピレン基、アミノイソプロイレン基、アミノブチレン基、アミノイソブチレン基等が挙げられる。

疎水性シリカ粒子表面に設けられる、疎水性シリカ粒子に疎水性を付与するための官能基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、及びトリプロピルシリル基などのアルキルシリル基を例示することができる。

また、本発明の疎水性シリカ粒子は、均一な粒子、あるいはコアシェル構造を問わず、テトラアルコキシシラン加水分解物と、アミノ基を含むアルコキシシラン加水分解物が含まれた構造を持つ。しかし、経済的理由から、アミノ基を含むアルコキシシラン使用量を減らすことのできる、シリカ粒子により構成されるコア部を備えるコアシェル型の構造であることが好ましい。

上記コア部の構成材料としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。例えば、Ｓｔｏｅｂｅｒ法、水ガラス法など従来公知の方法により調製されたシリカ粒子が挙げられる。

上記コア部の平均粒子径は特に限定されないが、５～１００ｎｍ程度が好ましく、１０～５０ｎｍ程度がより好ましい。

疎水性シリカ粒子がコアシェル型の構造である場合、シェル部には、テトラアルコキシシラン加水分解物及びアミノ基を含んだアルコキシシラン加水分解物が含まれることが好ましい。かかる構成を採用することにより、シェル部の外表面、換言すると、疎水性シリカ粒子表面の電位を向上させるためのアミノ基が配されることとなる。

シェル部の厚みは特に限定されないが、十分なゼータ電位が付与されることを考慮し、粒子径の１０～９０％であることが好ましく、３０～９０％であることがより好ましい。

本発明の疎水性シリカ粒子は、粒子表面が高い電位を有することに加えて、高い疎水性を有することから、トナーの外添剤、樹脂フィラー、表面処理剤、塗料などの添加剤として使用可能である。特に、その高い表面電位及び疎水性という特性に鑑み、トナー外添剤として好適に使用することができる。

本発明の疎水性シリカ粒子は、特許文献１に記載されるシリカ粒子とは異なり、粒子表面の電位の向上に寄与する官能基が、粒子の外表面のみならず、外表面の内側にまで組み込まれている（シェル部を構成するシェル全体に含まれる）ため、長期間の使用又は保存を経ても、粒子表面の電位の低下が少なく、トナーの外添剤等に極めて好適に使用可能である。

疎水性シリカ粒子の製造方法
本発明は、疎水性シリカ粒子の製造方法に関する発明を包含する。

本発明の疎水性シリカ粒子の製造方法は、シリカ粒子を原料として製造される。

原料として使用されるシリカ粒子は、市販品を使用してもよいし、常法にしたがい製造してもよい。製造する場合には、例えば、塩基性の溶媒中で、トラメチルオルトシリケート（ＴＭＯＳ）に水を反応させるなどして得ることができる。

また、シリカ粒子は、動的光散乱式（ＤＬＳ）粒子径分布測定による平均二次粒子径が、５～１５０ｎｍであることが好ましく、１０～１２０ｎｍであることがより好ましい。かかる構成を有することにより、樹脂粒子に十分な帯電性能を付与することができる。

本明細書において、ＤＬＳ粒子径分布測定による平均二次粒子径は、測定用サンプルとしてシリカ粒子を０．３質量％クエン酸水溶液に加えて均一化したものを調製し、当該測定サンプルを用いて、ＤＬＳ法（大塚電子株式会社製、ＥＬＳＺ－２０００Ｓを使用）により平均二次粒子径を測定するものとする。

シリカ粒子を製造するための好ましい態様としては、水（純水）に、３－エトキシプロピルアミン、アンモニア、尿素、エタノールアミン、又はテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等のアルカリ触媒を加えてこれを加熱した後、更にＴＭＯＳを添加してシリカ粒子を得ることができる。特に、かかる方法により得られるシリカ分散体を含む母液を使用することが好ましい。

工程１において、シリカ粒子を含んだ状態の塩基性母液中で、下記一般式（１）で表される化合物Ａ及び下記一般式（２）で表される化合物Ｂを加水分解することにより、疎水性シリカ粒子前駆体を得る。
Ｓｉ（ＯＲ^１）_４（１）
Ｒ^２ _ｍＳｉ（ＯＲ^３）_ｎ（Ｒ^４－ＮＨ_２）_ｐ（２）
（式中、Ｒ^１はアルキル基であり、Ｒ^２は炭素数１～６のアルキル基であり、Ｒ^３は炭素数１～３の炭化水素基であり、Ｒ^４は非置換又はアミノ基により置換された炭素数１～４の炭化水素基である。ｍは０～２の整数であり、ｐは１又は２であり、ｎは１～３の整数であり、且つ、ｍ＋ｎ＋ｐ＝４である。）

化合物Ａにおいて、Ｒ^１は炭素数１～５のアルキル基であることが好ましく、炭素数１～３のアルキル基であることが好ましく、メチル基であることがより好ましい。換言すれば、化合物Ａは、テトラメチルオルトシリケート（ＴＭＯＳ）及び／又はテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）であることが特に好ましい。

化合物Ｂにおいて、Ｒ^３は炭素数１～３のアルキル基であることが好ましく、メチル基であることがより好ましい。ｎは１～３であることが好ましく、３であることがより好ましい。

Ｒ^４は、非置換又はアミノ基により置換された、炭素数１～４の炭化水素基であり、当該炭素数は、２～３であることが好ましく、３であることがより好ましい。ｐは、１又は２であることが好ましく、１であることがより好ましい。

化合物Ｂとして、具体的には３－アミノプロピルトリメトキシシラン、（アミノエチル）アミノプロピルメトキシシラン、アミノプロピルトリエトキシシラン、アミノプロピルジメトキシシラン、アミノプロピルメチルジエトキシシラン、又はアミノブチルトリエトキシシランを使用することが好ましく、中でも３－アミノプロピルトリメトキシシランを使用することが特に好ましい。

工程１における化合物Ａの使用量は、単一分散粒子を作製するという点を考慮し、シリカ粒子１００質量部に対して９７～９９．９５質量部とすることが好ましく、９７～９９．５質量部とすることがより好ましい。

また、工程１における化合物Ｂの使用量は、樹脂粒子に十分なゼータ電位を付与するという点を考慮し、シリカ粒子１００質量部に対して０．０５～３質量部とすることが好ましく、０．５～３質量部とすることがより好ましい。

工程１の加水分解反応温度は特に限定されず、室温からコロイダルシリカを分散する分散倍の温度であればよい。具体的には、０～１００℃の温度条件で実施することが好ましく、７０～９０℃がより好ましい。反応温度が低すぎると、溶媒によっては凝固する恐れがあり、また化合物Ｂの反応性が低下して、粒子を形成できない恐れがある。反応温度が高すぎると、溶媒によっては当該溶媒の沸点を超えるおそれがある。

上記の工程１を実施することにより、原料のシリカ粒子のコア部に対するシェル部が形成され、コアシェル型構造を有する疎水性シリカ粒子前駆体が得られる。

本発明の疎水性シリカ粒子の製造方法は、さらに、上記疎水性シリカ粒子前駆体を、オルガノシラザンにより処理する工程２を有することが好ましい。

使用するオルガノシラザンとしては特に限定はなく、公知のオルガノシラザンを広く採用することが可能である。具体的には、テトラメチルジシラザン、ヘキサメチルジシラザン、ペンタメチルジシラザンが挙げられる。但し、一般的で安価に入手が可能という理由から、ヘキサメチルジシラザンを使用することが好ましい。上記オルガノシラザンは、単独で用いても良いし、２種以上を混合してもよい。

工程２におけるオルガノシラザンの添加量特に限定されず、疎水性シリカ粒子前駆体１００質量部に対して、５～１５質量部とすることが好ましく、７～１３質量部とすることがより好ましい。

工程２における温度条件としては、特に限定されず、４５℃以上が好ましく、５０℃以上がより好ましく、６０℃以上が更に好ましい。また、温度条件の上限は特に限定されず、９０℃とすることが好ましい。

工程２を経て、疎水性シリカ粒子前駆体の外表面にトリメチルシリル基が付着し、疎水性シリカ粒子の疎水性をより向上させることができる。

コアシェル構造ではなく均一な粒子を合成する場合には、工程１を母液にシリカ粒子を含まない状態で実施し、その後工程２を実施すればよい。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこうした例に何ら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々なる形態で実施し得ることは勿論である。

以下、実施例に基づき、本発明の実施形態をより具体的に説明するが、本発明がこれらに限定されるものではない。

（実施例１）
工程Ａ
フラスコに、水に分散したコロイダルシリカ（３．３質量％、ＢＥＴ比表面積１３６．４ｍ^２／ｇ）６７７０質量部、及び、アルカリ触媒として３－エトキシプロピルアミン１０．８３質量部を入れた。これを８０℃まで加熱した後、テトラメチルオルトシリケート１５９８質量部及び３－アミノプロピルトリメトキシシラン１３．９質量部及びメタノール１２０８．５質量部の混合液を、内温変動しないよう温調しつつ、１８０分かけて定速滴下して、コアシェル型構造を有する疎水性シリカ粒子前駆体の分散液を得た。
工程Ｂ
得られた分散液を常圧下にて。８６３４質量部まで加熱濃縮した。さらに、反応時に副生したメタノールを系外留去するために、容量を一定に保ちつつ、純水５７８５質量部にて分散媒を置換した。
工程Ｃ
得られた分散液１０００質量部に対し、酢酸０．３質量部及びヘキサメチルジシラザン１００質量部を加えて攪拌し、その後２時間かけて室温から８０℃にまで昇温し、そのまま８０℃で３時間維持することで、疎水性シリカ反応液を得た。その後、分散液における分散媒を加熱留去し、水分含量が１％以下になるまで真空乾燥させた。これをジェットミル（徳寿工作所製：ＭＪ－５０）により、プッシャーノズル圧力１．４０ＭＰａ、粉砕圧力０．２０ＭＰａの条件にて１回解砕処理し、疎水性シリカ粒子を得た。

（実施例２）
工程Ａ
フラスコに、市販のコロイダルシリカ（ＢＳ－１Ｌ、２０質量％、ＢＥＴ比表面積４９８．２５ｍ^２／ｇ）７５００質量部、及び、アルカリ触媒として３－エトキシプロピルアミン１１．６１質量部を入れた。これを８０℃まで加熱した後、テトラメチルオルトシリケート１２２８質量部及び３－アミノプロピルトリメトキシシラン１０．７質量部及びメタノール９２９．３質量部の混合液を、内温変動しないよう温調しつつ、１５０分かけて定速滴下して、コアシェル型構造を有する疎水性シリカ粒子前駆体の分散液を得た。
工程Ｂ
得られた分散液を、反応時に副生したメタノールを系外留去するために、容量を一定に保ちつつ、純水７０００質量部にて分散媒を置換した。
工程Ｃ
得られた分散液に対し実施例１と同様に工程Ｃを行い、疎水性シリカ粒子を得た。

（比較例１）
工程Ａ及びＢを行わずに、工程Ｃにおけるヘキサメチルジシラザン処理及び解砕処理を、市販のコロイダルシリカ（扶桑化学工業株式会社製、ＢＳ－２）に対して実施し、疎水性シリカ粒子を得た。工程Ｃは実施例1と同様に行った。

（比較例２）
工程Ａ及びＢを行わずに、工程Ｃにおけるヘキサメチルジシラザン処理及び解砕処理を、次のコロイダルシリカに対して実施し、疎水性シリカ粒子を得た。３０℃の条件下で、コロイダルシリカ（扶桑化学工業株式会社製、ＢＳ－２）２２１７質量部に対し、３－アミノプロピルトリメトキシシラン５．７９６質量部、メタノール１８７．４質量部を用いて希釈した液を添加し、その後容量を一定に保ちつつ、純水９００質量部により分散媒を置換した。また、工程Ｃは実施例1と同様に行った。

（比較例３）
工程Ａ及びＢを行わずに、工程Ｃにおけるヘキサメチルジシラザン処理及び解砕処理を、市販のコロイダルシリカ（扶桑化学工業株式会社製、ＢＳ－１Ｌ）に対して実施し、疎水性シリカ粒子を得た。工程Ｃは実施例1と同様に行った。

疎水性評価試験
実施例１、比較例１及び比較例２の疎水性シリカ粒子を使用し、下記の方法により疎水化度の測定を行った。
工程ａ）
３００ｍＬのビーカーに純水５０ｍＬを入れ、実施例及び比較例の疎水性シリカ粒子０．２ｇを加え、マグネットスターラーを使用して攪拌した。
工程ｂ）
上記攪拌下でさらにメタノールを滴下し、疎水性シリカ粒子が完全に水中に分散するまでに要するメタノールの添加量ＹｍＬから、以下の計算式に基づき、疎水化度を算出した。疎水化度については、６５容積％以上の場合に合格とした。

疎水化度（容積％）＝｛（Ｙ）／（５０＋Ｙ）｝×１００

粉体ゼータ電位評価試験
同様に、各実施例及び比較例の疎水性シリカ粒子を使用し、ゼータ電位及び帯電量の測定を行った。ゼータ電位は上述した方法により測定した。

トナー帯電量評価試験
帯電量については、後述するように、各実施例及び比較例の疎水性シリカ粒子を樹脂粒子に外添してトナーを作製し、当該トナーの帯電量を計測することにより、評価をおこなった。
樹脂粒子：各実施例又は比較例の疎水性シリカ粒子を質量比で１００：２と成るように、樹脂粒子に疎水性シリカ粒子を外添し、トナーを得た。トナー１０ｇを、容量１００ｍＬのポリプロピレン樹脂製広口瓶に入れ、２３℃、５３％ＲＨの条件下に２４時間静置した。次に、２０～２５℃、５０～６０％ＲＨに維持した室内で、吸引式ファラデーゲージ（トレック・ジャパン株式会社：ＭＯＤＥＬ２１２ＨＳ）を使用して帯電量を３回測定し、平均値を帯電量とした。帯電量に関しては、２５μＣ／ｇ以下の場合に合格とした。

表１に示したとおり、実施例の疎水性シリカ粒子は、各比較例の疎水性シリカ粒子と比較して疎水性及び表面電位の双方において優れることが確認された。

Claims

ｐＨ４におけるゼータ電位が２０ｍＶ以上、ＨＨ疎水化度が６０％以上であることを特徴とする、疎水性シリカ粒子。
^２９Ｓｉ－固体ＮＭＲスペクトルがＭのピークを有する、請求項１に記載の疎水性シリカ粒子。
シリカ粒子により構成されるコア部を有する、請求項１又は２に記載の疎水性シリカ粒子。
請求項１～３の何れか１項に記載の疎水性シリカ粒子からなる、トナー用外添剤。
請求項１～３の何れか１項に記載の疎水性シリカ粒子を含む樹脂粒子。
請求項４に記載のトナー用外添剤を含むトナー。