JP2022006880A - 光電変換装置、撮像システムおよび移動体 - Google Patents
光電変換装置、撮像システムおよび移動体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022006880A JP2022006880A JP2020109435A JP2020109435A JP2022006880A JP 2022006880 A JP2022006880 A JP 2022006880A JP 2020109435 A JP2020109435 A JP 2020109435A JP 2020109435 A JP2020109435 A JP 2020109435A JP 2022006880 A JP2022006880 A JP 2022006880A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- conversion device
- unit
- charge
- charge holding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 105
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 27
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 43
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 103
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 7
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 7
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000013144 data compression Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
- H01L27/14614—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor having a special gate structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B60—VEHICLES IN GENERAL
- B60R—VEHICLES, VEHICLE FITTINGS, OR VEHICLE PARTS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B60R11/00—Arrangements for holding or mounting articles, not otherwise provided for
- B60R11/04—Mounting of cameras operative during drive; Arrangement of controls thereof relative to the vehicle
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
- H01L27/14607—Geometry of the photosensitive area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/1461—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements characterised by the photosensitive area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14638—Structures specially adapted for transferring the charges across the imager perpendicular to the imaging plane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
Abstract
Description
本発明を実施するための形態の一例について図面を用いて説明する。図1は本実施形態にかかる光電変換装置の構成を示す概略図である。
本発明の別の実施形態を説明する。本実施形態では、前述の実施形態とはPDからMEMへの電荷転送経路が異なる。
本発明の別の実施形態を説明する。本実施形態では、いわゆる表面照射型CMOSイメージセンサ(撮像装置)の場合を説明する。
本発明の別の実施形態を説明する。本実施形態では、隣接する単位画素のMEM同士のみならずMEMとFDも、その間にMEMとFDとを分離する領域を有して半導体基板(半導体層)の深さ方向に重なる部分を持つ。
本発明の別の実施形態を説明する。本実施形態では、各画素が複数の光電変換部を有する光電変換装置において、各画素内の複数のMEMが、間にMEM同士を分離する領域を有して半導体基板の深さ方向に重なる部分を持つ。この光電変換装置も撮像装置である。
ここでは、マイクロレンズ201を共有し隣接する単位画素100のMEM102同士が基板の深さ方向に重なる構成を示した。図12、図13に示すようにマイクロレンズ201を共有せず隣接する単位画素100のMEM同士を基板の深さ方向に重ねて配置する構成をとってもよい。
本発明の別の実施形態を説明する。本実施形態では、各画素が大きさの異なる複数の光電変換部を有する光電変換装置において、隣接する画素のMEM同士が間にMEM同士を分離する領域を有して半導体基板(半導体層)の深さ方向に重なる部分を持つ。
本発明の別の実施形態を説明する。本実施形態では、各画素が複数のMEMを有する光電変換装置において、MEM同士が間にMEM同士を分離する領域を有して半導体基板(半導体層)の深さ方向に重なる部分を持つ。この光電変換装置も撮像装置である。
MEM102iは転送トランジスタ106iを介してFD104に電荷を転送し、MEM102jは転送トランジスタ106jを介してFD104に電荷を転送する。
撮像システムの実施形態について説明する。撮像システムとして、デジタルスチルカメラ、デジタルカムコーダ、カメラヘッド、複写機、ファックス、携帯電話、車載カメラ、観測衛星などがあげられる。図18に、撮像システムの例としてデジタルスチルカメラのブロック図を示す。
移動体の実施形態について説明する。本実施形態の移動体は、車載カメラを備えた自動車である。図19(a)は、自動車2100の外観と主な内部構造を模式的に示している。自動車2100は、撮像装置2102、撮像システム用集積回路(ASIC:Application Specific Integrated Circuit)2103、警報装置2112、主制御部2113を備える。
100 単位画素
101 光電変換部(PD)
102 電荷保持部(MEM)
103 浮遊拡散層(FD)
Claims (21)
- 複数の画素を有する光電変換装置であって、
前記画素は、光電変換部と、前記光電変換部で変換された電荷を保持する電荷保持部と、前記電荷保持部から転送された電荷を電圧に変換する浮遊拡散層とを基板の半導体層に有し、
隣り合う画素それぞれの前記電荷保持部及び前記浮遊拡散層の少なくとも一部が、前記基板の深さ方向において、前記電荷保持部及び前記浮遊拡散層の少なくとも一部同士を分離する領域を間に存在させて重ねてあることを特徴とする光電変換装置。 - 前記基板の深さ方向において、前記隣り合う画素の前記電荷保持部同士の少なくとも一部の間に前記電荷保持部同士を分離する領域が存在することを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記基板の深さ方向において、前記隣り合う画素のうち一方の前記電荷保持部と他方の前記浮遊拡散層との少なくとも一部の間に前記電荷保持部と前記浮遊拡散層とを分離する領域が存在することを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記基板の深さ方向において、前記隣り合う画素の前記浮遊拡散層同士の少なくとも一部の間に前記浮遊拡散層同士を分離する領域が存在することを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記浮遊拡散層は前記隣り合う画素で共有されることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の光電変換装置。
- 前記複数の画素のそれぞれはカラーフィルターを有し、
前記カラーフィルターが同一の波長域に対応する複数の前記画素の前記電荷保持部は、前記基板の深さ方向に関して同一の位置に配置されることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の光電変換装置。 - 前記複数の画素のそれぞれはカラーフィルターを有し、
前記カラーフィルターが同一の波長域に対応する複数の前記画素を、前記基板の深さ方向の位置ごとに前記電荷保持部が配置されている数が等しくなるように配置することを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の光電変換装置。 - 前記光電変換部から前記電荷保持部へ電荷を転送する転送トランジスタを有する光電変換装置であって、
前記転送トランジスタが縦型転送構造であることを特徴とする、請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の光電変換装置。 - 基板の半導体層に、光電変換部と、前記光電変換部で変換された電荷を保持する電荷保持部と、前記電荷保持部から転送された電荷を電圧に変換する浮遊拡散層とが形成された複数の副画素と、該複数の副画素間で共有されるマイクロレンズとを備える画素を複数有する光電変換装置であって、
隣り合う前記副画素それぞれの前記電荷保持部及び前記浮遊拡散層の少なくとも一部が、前記基板の深さ方向において、前記電荷保持部及び前記浮遊拡散層の少なくとも一部同士を分離する領域を間に存在させて重ねてあることを特徴とする光電変換装置。 - 前記隣り合う副画素は、前記マイクロレンズを共有する副画素を含むことを特徴とする請求項9記載の光電変換装置。
- 前記隣り合う副画素は、隣り合う画素の一方の画素における前記副画素と他方の画素における前記副画素とを含み、前記マイクロレンズを共有しないことを特徴とする請求項9記載の光電変換装置。
- 前記副画素は画像間の位相差検出に用いられる画素ことを特徴とする請求項9乃至請求項11のいずれか一項に記載の光電変換装置。
- 前記マイクロレンズを共有する前記副画素の各々は互いに感度が異なることを特徴とする請求項9乃至請求項11のいずれか一項に記載の光電変換装置。
- 前記電荷保持部及び前記浮遊拡散層の少なくとも一部を分離する領域は、前記電荷保持部及び前記浮遊拡散層と異なる導電型の不純物領域であることを特徴とする請求項1乃至請求項13のいずれか一項に記載の光電変換装置。
- 前記電荷保持部及び前記浮遊拡散層の少なくとも一部を分離する領域は絶縁体であることを特徴とする請求項1乃至請求項13のいずれか一項に記載の光電変換装置。
- 光電変換部と、前記光電変換部からの電荷を保持する第一の電荷保持部と、前記光電変換部からの電荷を保持する第二の電荷保持部とを基板の半導体層に含む画素を有する光電変換装置であって、
前記第一の電荷保持部と前記第二の電荷保持部の少なくとも一部同士が、前記基板の深さ方向において、前記電荷保持部の少なくとも一部同士を分離する領域を間に存在させて重ねてあることを特徴とする光電変換装置。 - 複数の画素を有する光電変換装置であって、
前記画素は、光電変換部と、前記光電変換部で変換された電荷を保持する電荷保持部とを基板の半導体層に有し、
隣り合う画素それぞれの前記電荷保持部の少なくとも一部が、前記基板の深さ方向において、前記電荷保持部の少なくとも一部同士を分離する領域を間に存在させて重ねてあることを特徴とする光電変換装置。 - 前記電荷保持部から転送された電荷を電圧に変換する浮遊拡散層を前記基板の配線層に有することを特徴とする請求項17記載の光電変換装置。
- 請求項1乃至請求項18のいずれか一項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置から出力された信号に対して処理を行う処理装置と、
を有することを特徴とする撮像システム。 - 請求項19に記載の撮像システムと、該撮像システムの前記光電変換装置に被写体像を投影するレンズと、を有することを特徴とするデジタルカメラ。
- 移動体であって、
請求項1乃至20のいずれか一項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置から出力された信号に対して処理を行う処理装置と、
前記処理の結果に基づいて前記移動体を制御する制御手段と、を有することを特徴とする移動体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020109435A JP2022006880A (ja) | 2020-06-25 | 2020-06-25 | 光電変換装置、撮像システムおよび移動体 |
US17/357,437 US11710755B2 (en) | 2020-06-25 | 2021-06-24 | Photoelectric conversion apparatus having overlapped parts of charge holding portions, imaging system, and movable body |
US18/330,975 US20230335570A1 (en) | 2020-06-25 | 2023-06-07 | Photoelectric conversion apparatus having overlapped parts of charge holding portions, imaging system, and movable body |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020109435A JP2022006880A (ja) | 2020-06-25 | 2020-06-25 | 光電変換装置、撮像システムおよび移動体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022006880A true JP2022006880A (ja) | 2022-01-13 |
Family
ID=79031451
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020109435A Pending JP2022006880A (ja) | 2020-06-25 | 2020-06-25 | 光電変換装置、撮像システムおよび移動体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11710755B2 (ja) |
JP (1) | JP2022006880A (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4403687B2 (ja) | 2002-09-18 | 2010-01-27 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動制御方法 |
JP4260200B2 (ja) * | 2007-05-23 | 2009-04-30 | アイシン化工株式会社 | エマルジョン系塗布型制振塗料 |
JP5794068B2 (ja) | 2011-09-16 | 2015-10-14 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 |
US10483304B2 (en) * | 2017-01-09 | 2019-11-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor |
JP2020047826A (ja) * | 2018-09-20 | 2020-03-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
-
2020
- 2020-06-25 JP JP2020109435A patent/JP2022006880A/ja active Pending
-
2021
- 2021-06-24 US US17/357,437 patent/US11710755B2/en active Active
-
2023
- 2023-06-07 US US18/330,975 patent/US20230335570A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11710755B2 (en) | 2023-07-25 |
US20210408096A1 (en) | 2021-12-30 |
US20230335570A1 (en) | 2023-10-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10158821B2 (en) | Imaging sensor and moving body | |
US10483307B2 (en) | Imaging device | |
JP6976744B2 (ja) | 撮像装置、撮像システム、および、移動体 | |
JP7286445B2 (ja) | 撮像装置および機器 | |
JP7346072B2 (ja) | 光電変換装置、撮像システム、および、移動体 | |
JP7362285B2 (ja) | 光電変換装置、光電変換システム、および移動体 | |
EP3890018A1 (en) | Photoelectric conversion apparatus, photoelectric conversion system, and moving object | |
US10708556B2 (en) | Imaging device and imaging system | |
US20220157868A1 (en) | Apparatus, system, moving body, and substrate | |
JP2022006880A (ja) | 光電変換装置、撮像システムおよび移動体 | |
US11450701B2 (en) | Photoelectric conversion apparatus, photoelectric conversion system, and movable body | |
JP7433863B2 (ja) | 光電変換装置、撮像システム、および移動体 | |
JP7458746B2 (ja) | 光電変換装置、撮像システム及び移動体 | |
JP7439011B2 (ja) | 光電変換装置、光電変換システム、移動体 | |
US20230179883A1 (en) | Photoelectric conversion apparatus, photoelectric conversion system, and moving body | |
JP7427628B2 (ja) | 光電変換装置、光電変換システム、移動体 | |
JP7279105B2 (ja) | 光電変換装置 | |
WO2020149181A1 (ja) | 撮像装置 | |
JP7346376B2 (ja) | 光電変換装置、光電変換システム、移動体、半導体基板 | |
JP2024019960A (ja) | 光電変換装置および機器 | |
JP2024006956A (ja) | 光電変換装置、光電変換装置の製造方法、機器 | |
JP2023127098A (ja) | 光電変換装置 | |
JP2023174479A (ja) | 光電変換装置 | |
JP2023172505A (ja) | 光電変換装置 | |
JP2022087547A (ja) | 光電変換装置、光電変換システム、および移動体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20200727 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230615 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20231213 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20240229 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240402 |