JP2022003653A - 局所プラズマ装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、上記課題を解決するため、以下の手段を提供する。
図1は、本実施形態にかかる電子線透過膜の断面模式図である。図1に示す電子線透過膜10は、凹部4が形成された基板1である。凹部4は、基板1の第1面1aから対向する第2面1bに向かって形成されている。凹部4は、お椀状の湾曲面4aを有する。図1において基板1は、半導体基板2と絶縁体層3とからなる。絶縁体層3は、基板1の第2面1b側に設けられている。
図4は、本実施形態にかかる電子デバイスの断面模式図である。図4に示す電子デバイス100は、図1に示す電子線透過膜10と、電子線透過膜10の凹部4が形成されていない第2面1bに設けられた素子部30と、を備える。
まず表面に280nm厚のSiO2膜を有する380μm厚のSi基板を準備する。SiO2膜は、熱酸化により作製する。
Claims (3)
- 内部にエッチングガスを導入でき、前記エッチングガスをプラズマ化できるプラズマ発生器と、
前記プラズマ発生器により加工される被加工物の状態を観察するカメラと、を備える、局所プラズマ装置。 - 前記プラズマ発生器は、前記カメラが前記プラズマ化により生じた光のうち特定の波長の光を検出すると、前記エッチングガスのプラズマ化を止める、請求項1に記載の局所プラズマ装置。
- 前記プラズマ発生器は、前記カメラに入射する入射光の強度が所定値に達すると、前記エッチングガスのプラズマ化を止める、請求項1に記載の局所プラズマ装置。
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