JP2021530921A - パワースイッチのスイッチングエッジを変調するための駆動回路 - Google Patents
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- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 9
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 6
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
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- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
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Abstract
Description
下流側の入力ノードを有する第1の駆動回路入力部と、
上流側の第1のゲートノードを有するパワースイッチと、
入力ノードと第1のゲートノードとの間に配置され、充電抵抗を含む充電経路と、
入力ノードと第1のゲートノードとの間に配置され、放電抵抗を含む放電経路と、
入力ノードと第1のゲートノードとの間に配置され、ゲート抵抗を含むゲート経路と、
第1のゲートノードに接続されたゲートを有するパワースイッチトランジスタと
を備え、
駆動回路は、パワースイッチのスイッチング応答の急峻度を高めるために、パワースイッチのスイッチング動作時に充電経路または放電経路を介してパワースイッチを一時的に短絡するように構成されている。
上述の過電圧の危険性があるので、パワースイッチを保護するためにパワースイッチの設計においてより大きい安全性を考慮に入れる必要があり、これによりパワースイッチの設計および製造においてさらなるコストが生じる。本発明による解決策は、損失を増大させることなく、スイッチングエッジを変調することによって、電圧変動のスペクトルを改善することを可能にする。このようにして、公知のゲート直列抵抗制御と比較すると、スイッチングエッジの途中部においてより高い急峻度を達成することができる。
順方向に配置された第1の放電経路ダイオードに並列に配置された放電経路トランジスタ、
放電抵抗、および
逆方向に配置された第2の放電経路ダイオード、
という構成要素をこの順番で含む。第2の放電経路ダイオードは、放電動作においてのみ放電経路に電流を流すことができることを決めるものである。放電経路トランジスタは、スイッチング動作時に放電経路を選択的に遮断することができる。
順方向に配置された第1の充電経路ダイオード
充電抵抗、および
逆方向に配置された第2の充電経路ダイオードに並列に配置された充電経路トランジスタ、
という構成要素をこの順番で含む。第1の充電経路ダイオードは、充電動作においてのみ充電経路に電流を流すことを定める。充電経路トランジスタは、スイッチング動作時に充電経路を選択的に遮断することができる。
制限抵抗、および
順方向の制限ダイオード、
という構成要素がこの順番で配置されている。
順方向に配置された第1の充電経路ダイオード10、
充電抵抗11、
逆方向に配置された第2の充電経路ダイオード13に並列に配置された充電経路トランジスタ12、
という構成要素が配置されている。
順方向に配置された第1の放電経路ダイオード15に並列に配置された放電経路トランジスタ14、
放電抵抗16、および
逆方向に配置された第2の放電経路ダイオード17、
という構成要素が配置されている。
制限抵抗24、および
順方向の制限ダイオード25、
という構成要素がこの順番で配置されている。
Claims (6)
- パワースイッチ(2)のスイッチングエッジを変調するための駆動回路(1,20)であって、
下流側の入力ノード(4)を有する第1の駆動回路入力部(3)と、
上流側の第1のゲートノード(6)を有するパワースイッチ(2)と、
前記入力ノード(4)と前記第1のゲートノード(6)との間に配置され、充電抵抗(11)を含む充電経路(7)と、
前記入力ノード(4)と前記第1のゲートノード(6)との間に配置され、放電抵抗(16)を含む放電経路(8)と、
前記入力ノード(4)と前記第1のゲートノード(6)との間に配置され、ゲート抵抗(18)を含むゲート経路(9)と、
前記第1のゲートノード(6)に接続されたゲートを有するパワースイッチトランジスタ(5)と
を備え、
前記パワースイッチ(2)のスイッチング動作の急峻度を高めるために、前記パワースイッチ(2)のスイッチング動作時に前記充電経路(7)または前記放電経路(8)を介して前記ゲート経路(9)を一時的に短絡するように構成されている、駆動回路(1,20)。 - 請求項1に記載の駆動回路(1,20)であって、スイッチング動作の開始時および終了時に過電圧の低減のために前記充電経路(7)および前記放電経路(8)が遮断されるように構成されている駆動回路(1,20)。
- 請求項1または2に記載の駆動回路(1,20)であって、
前記放電経路(8)には、前記入力ノード(4)と前記第1のゲートノード(6)との間に、
順方向に配置された第1の放電経路ダイオード(15)に並列に配置された放電経路トランジスタ(14)、
放電抵抗(16)、および
逆方向に配置された第2の放電経路ダイオード(17)、
という構成要素がこの順番で配置されている、駆動回路(1,20)。 - 請求項1から3までのいずれか1項に記載の駆動回路(1,20)であって、
前記充電経路(7)には、前記入力ノード(4)と前記第1のゲートノード(6)との間に、
順方向に配置された第1の充電経路ダイオード(10)、
充電抵抗(11)、および、
逆方向に配置された第2の充電経路ダイオード(13)に並列に配置された充電経路トランジスタ(12)、
という構成要素がこの順番で配置されている、駆動回路(1,20)。 - 請求項1から4までのいずれか1項に記載の駆動回路(1,20)であって、
第2の駆動回路入力部(22)を有する第2の駆動段(21)を備え、
前記第1のゲートノード(7)と前記パワースイッチトランジスタのゲートとの間に第2のゲートノード(23)が配置されており、該第2のゲートノードに前記第2の駆動段(21)が接続されている、駆動回路(1,20)。 - 請求項5に記載の駆動回路(1,20)であって、
前記第2の駆動段(21)には、前記第2の駆動回路入力部(22)と前記第2のゲートノード(23)との間に、
制限抵抗(24)、および
順方向の制限ダイオード(25)、
という構成要素がこの順番で配置されている、駆動回路(1,20)。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102018211841.8A DE102018211841B4 (de) | 2018-07-17 | 2018-07-17 | Treiberschaltung zur Schaltflankenmodulation eines Leistungsschalters |
DE102018211841.8 | 2018-07-17 | ||
PCT/EP2019/069003 WO2020016178A1 (de) | 2018-07-17 | 2019-07-15 | Treiberschaltung zur schaltflankenmodulation eines leistungsschalters |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021530921A true JP2021530921A (ja) | 2021-11-11 |
JP7308259B2 JP7308259B2 (ja) | 2023-07-13 |
Family
ID=67482924
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021502586A Active JP7308259B2 (ja) | 2018-07-17 | 2019-07-15 | パワースイッチのスイッチングエッジを変調するための駆動回路 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11646730B2 (ja) |
EP (1) | EP3824552A1 (ja) |
JP (1) | JP7308259B2 (ja) |
DE (1) | DE102018211841B4 (ja) |
WO (1) | WO2020016178A1 (ja) |
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2018
- 2018-07-17 DE DE102018211841.8A patent/DE102018211841B4/de active Active
-
2019
- 2019-07-15 EP EP19746446.4A patent/EP3824552A1/de not_active Withdrawn
- 2019-07-15 JP JP2021502586A patent/JP7308259B2/ja active Active
- 2019-07-15 WO PCT/EP2019/069003 patent/WO2020016178A1/de unknown
- 2019-07-15 US US17/252,461 patent/US11646730B2/en active Active
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Also Published As
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DE102018211841A1 (de) | 2020-01-23 |
EP3824552A1 (de) | 2021-05-26 |
US11646730B2 (en) | 2023-05-09 |
US20210281257A1 (en) | 2021-09-09 |
JP7308259B2 (ja) | 2023-07-13 |
WO2020016178A1 (de) | 2020-01-23 |
DE102018211841B4 (de) | 2020-02-06 |
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