JP2021512508A - 発電建材及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000010248 power generation Methods 0.000 title claims abstract description 204
- 239000004566 building material Substances 0.000 title claims abstract description 122
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 203
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 116
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 76
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 58
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000004568 cement Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 claims abstract description 7
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 90
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 76
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 53
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 34
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 25
- 239000012452 mother liquor Substances 0.000 claims description 24
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 21
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 claims description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 16
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 15
- -1 polyethylene, ethylene-tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 claims description 14
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 claims description 12
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 claims description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 9
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 claims description 8
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 8
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 7
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 claims description 7
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 7
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims description 5
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 5
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 5
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 4
- HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N copper indium Chemical group [Cu].[In] HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WILFBXOGIULNAF-UHFFFAOYSA-N copper sulfanylidenetin zinc Chemical compound [Sn]=S.[Zn].[Cu] WILFBXOGIULNAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 4
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 4
- PEVRKKOYEFPFMN-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,3,3,3-hexafluoroprop-1-ene;1,1,2,2-tetrafluoroethene Chemical compound FC(F)=C(F)F.FC(F)=C(F)C(F)(F)F PEVRKKOYEFPFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- QNWMNMIVDYETIG-UHFFFAOYSA-N gallium(ii) selenide Chemical compound [Se]=[Ga] QNWMNMIVDYETIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052909 inorganic silicate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 29
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 20
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 20
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 10
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 9
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 8
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 8
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 8
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 8
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 7
- 239000004579 marble Substances 0.000 description 7
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 7
- DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)C DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 6
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 6
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 6
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 6
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 6
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 6
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 description 5
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 description 5
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 5
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 5
- 239000001023 inorganic pigment Substances 0.000 description 5
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 5
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 5
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000014653 Carica parviflora Nutrition 0.000 description 4
- 244000132059 Carica parviflora Species 0.000 description 4
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 241001311547 Patina Species 0.000 description 4
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 4
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- LLEMOWNGBBNAJR-UHFFFAOYSA-N biphenyl-2-ol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 LLEMOWNGBBNAJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 4
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 4
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229910052958 orpiment Inorganic materials 0.000 description 4
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 4
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000010215 titanium dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000010456 wollastonite Substances 0.000 description 4
- 229910052882 wollastonite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 239000000440 bentonite Substances 0.000 description 3
- 229910000278 bentonite Inorganic materials 0.000 description 3
- SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N bentoquatam Chemical compound O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 3
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 3
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 3
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- FPAFDBFIGPHWGO-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxomagnesium;hydrate Chemical compound O.[Mg]=O.[Mg]=O.[Mg]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O FPAFDBFIGPHWGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001866 hydroxypropyl methyl cellulose Substances 0.000 description 3
- 235000010979 hydroxypropyl methyl cellulose Nutrition 0.000 description 3
- UFVKGYZPFZQRLF-UHFFFAOYSA-N hydroxypropyl methyl cellulose Chemical compound OC1C(O)C(OC)OC(CO)C1OC1C(O)C(O)C(OC2C(C(O)C(OC3C(C(O)C(O)C(CO)O3)O)C(CO)O2)O)C(CO)O1 UFVKGYZPFZQRLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003088 hydroxypropyl methyl cellulose Polymers 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MOUPNEIJQCETIW-UHFFFAOYSA-N lead chromate Chemical compound [Pb+2].[O-][Cr]([O-])(=O)=O MOUPNEIJQCETIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 229920002503 polyoxyethylene-polyoxypropylene Polymers 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 3
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 3
- LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N (2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dimethoxy-2-(methoxymethyl)-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-trimethoxy-6-(methoxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6r)-4,5,6-trimethoxy-2-(methoxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxane Chemical compound CO[C@@H]1[C@@H](OC)[C@H](OC)[C@@H](COC)O[C@H]1O[C@H]1[C@H](OC)[C@@H](OC)[C@H](O[C@H]2[C@@H]([C@@H](OC)[C@H](OC)O[C@@H]2COC)OC)O[C@@H]1COC LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N 0.000 description 2
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004812 Fluorinated ethylene propylene Substances 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- 229910003310 Ni-Al Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004111 Potassium silicate Substances 0.000 description 2
- 239000006004 Quartz sand Substances 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBTVGIZVANVGBH-UHFFFAOYSA-N aminomethyl propanol Chemical compound CC(C)(N)CO CBTVGIZVANVGBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000000844 anti-bacterial effect Effects 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000003899 bactericide agent Substances 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000013084 building-integrated photovoltaic technology Methods 0.000 description 2
- QCUOBSQYDGUHHT-UHFFFAOYSA-L cadmium sulfate Chemical compound [Cd+2].[O-]S([O-])(=O)=O QCUOBSQYDGUHHT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000331 cadmium sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000000417 fungicide Substances 0.000 description 2
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 2
- 229940018564 m-phenylenediamine Drugs 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 235000010292 orthophenyl phenol Nutrition 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920009441 perflouroethylene propylene Polymers 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N potassium silicate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Si]([O-])=O NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052913 potassium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-NMQOAUCRSA-N 1,2-dideuteriooxyethane Chemical compound [2H]OCCO[2H] LYCAIKOWRPUZTN-NMQOAUCRSA-N 0.000 description 1
- QLOKJRIVRGCVIM-UHFFFAOYSA-N 1-[(4-methylsulfanylphenyl)methyl]piperazine Chemical compound C1=CC(SC)=CC=C1CN1CCNCC1 QLOKJRIVRGCVIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 235000017166 Bambusa arundinacea Nutrition 0.000 description 1
- 235000017491 Bambusa tulda Nutrition 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCZXFFBUYPCTSJ-UHFFFAOYSA-L Calcium propionate Chemical compound [Ca+2].CCC([O-])=O.CCC([O-])=O BCZXFFBUYPCTSJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000082204 Phyllostachys viridis Species 0.000 description 1
- 235000015334 Phyllostachys viridis Nutrition 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000007605 air drying Methods 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K aluminium phosphate Chemical compound O1[Al]2OP1(=O)O2 ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- XXLJGBGJDROPKW-UHFFFAOYSA-N antimony;oxotin Chemical compound [Sb].[Sn]=O XXLJGBGJDROPKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011425 bamboo Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 235000010331 calcium propionate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004330 calcium propionate Substances 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRVWBEJJZZTIGJ-UHFFFAOYSA-N cerium(3+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[Ce+3].[Ce+3] DRVWBEJJZZTIGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZJJZMXEQNFTLL-UHFFFAOYSA-N chloro hypochlorite;zirconium;octahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.O.O.[Zr].ClOCl VZJJZMXEQNFTLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 229940011182 cobalt acetate Drugs 0.000 description 1
- UFMZWBIQTDUYBN-UHFFFAOYSA-N cobalt dinitrate Chemical compound [Co+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O UFMZWBIQTDUYBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001981 cobalt nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- QAHREYKOYSIQPH-UHFFFAOYSA-L cobalt(II) acetate Chemical compound [Co+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O QAHREYKOYSIQPH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000004567 concrete Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000645 desinfectant Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 208000002173 dizziness Diseases 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 239000010433 feldspar Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 230000000855 fungicidal effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000010438 granite Substances 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000001795 light effect Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002480 mineral oil Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000005543 nano-size silicon particle Substances 0.000 description 1
- KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N nickel(ii) nitrate Chemical compound [Ni+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005486 sulfidation Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000010257 thawing Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229940124543 ultraviolet light absorber Drugs 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 239000011667 zinc carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000010 zinc carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000004416 zinc carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
Description
1以上の貫通穴(2c)と0.5質量%以下の吸水率とを有するセラミック基材本体(2)を製造し、
3質量%〜6質量%の湿分を有するアトマイズセラミック粉を35〜60MPaの圧力でプレス操作する工程と、
乾燥操作する工程、及び
1100℃〜1250℃の最高温度の焼成操作する工程、を含む工程と、
該セラミック基材本体(2)の表面(2a)上に、
AgまたはAg−Alで作られた導電層(6)、n型の層(11)、光活性層(12)、及びp型の層(13)を連続して含む複数の活性層(7)、及び格子状構造を有する導電性材料の層(9)、を直接堆積する工程と、
該導電性コネクタ(5)が該導電層(6)と電気的に接続するように、該穴(2c)内に、導電性コネクタ(5)を収容する工程と、を含む。
該表面(2a)の反対側の該セラミック基材本体(2)の表面(2b)が含まれる(該表面(2a)の反対側の該セラミック基材本体(2)の表面(2b)に、該導電性コネクタ(5)と電気的に接触させて設置されるべき電気及び/または電子デバイス(4)を適用する工程とを含む)。太陽光が入射する側の保護層には、ガラス状エナメル、ポリカーボネート、フッ素化ポリマー、ポリクロロトリフルオロエチレン、及びポリメチルメタクリレートとポリビニルフルオライドとの組み合わせによって構成される群に含まれる材料の1つから作られる。その保護層には以下の欠点がある。
2)前記保護層がガラス状エナメルとされる場合、ガラス状エナメルの焼成温度が500〜900℃であるので、比較的低い温度で表面に透明エナメル層を形成しても、発電層に不可逆的なダメージを与えてしまう。
3)形成された保護層が薄いと、電極層の色も視認可能になり、その結果、太陽電池と周辺環境の調和が取れなくなり、さらに、その使用環境が制限される。その他の有機高分子材料は長時間屋外環境に晒されると劣化しやすく、光透過率や防水性能が低下し、発電効率に大きな影響を与えたり、建物の表面から脱落して電極層の本来の色が視認可能になったりするおそれがある。
基板、発電層及び保護層を含み、
前記発電層は基板上に設けられ、前記保護層は発電層上に覆われ、
前記基板は、ガラス、金属板、セメント系板材、プラスチックフィルム、タイル又は瓦であり、
前記保護層は、300nm〜1300nmの波長で、加重平均透過率が0%〜79%である発電建材を提供する。
1)軽くて薄い。基板、保護層及び発電層に共に、薄い材料を使用する場合、発電建材全体の厚さは、最小で28μmであり得る。
2)可撓性及び屈曲性を有する。基板、保護層及び発電層に共に、軽くて薄い材料を使用する場合、本発明の発電建材は、柔軟性及び屈曲性の特性を有し、具体的には、その曲率半径が20mm以下であり得る。
3)光電変換効率が高い。本発明の発電建材の光電変換効率は、14%より大きい。
4)弱光効果が良好である。本発明の太陽電池は、弱光環境(たとえば、曇りの日や雨天、又は室内の照明条件)でも、通常の太陽光照射に比べて発電効率は低いが、発電可能である。保護層として可視光透過率10%の材料を使用しても、蓄電モジュールと組み合わせることで、LEDランプ/量子ドット発光ユニットとしての機能を実現できる。
発電層を基板に付着して、正負極を引き出す(形成する)か、又は基板上に発電層を直接製造して、正負極を引き出すステップ1)と、
室温で液体状態である保護層の材料を塗布し、室温で0.5〜12時間硬化させて、強固なエナメル保護層を形成するステップ2)と、を含む上記発電建材の製造方法を提供する。
1、基板が入手されやすく、特別な要求がなく、製品の製造に影響しない。
2、真空システムを必要とせず、通常の大気雰囲気で直接製造でき、そして専用装置を必要としない。
3、建材と太陽光発電との組み合わせは、大規模での生産が容易であり、コストの点で優位性がある。
フロントフィルムは、ガラス及び/又は高分子材料を含む。
発電層の表面に液体を直接塗装して、次に硬化させることにより、発電層上に表面層を製造するステップ2)と、を含む。
1)本発明は、太陽電池の表面上に表面層を製造することで、太陽電池の表面が従来の建材の質感を示すことを可能にし、太陽電池は発電を確保しながら高い変換効率を維持する。
2)本発明で使用される表面層の硬化温度は、−10℃〜100℃である。このため、太陽光発電モジュールに損傷を与えることがなく、太陽光発電モジュールに高硬度の表面層を形成することができる。
3)本発明で製造された表面層は、太陽光発電モジュールと強固に結合できるだけでなく、良好な耐摩耗性も有する。
4)本発明で製造された表面層は、良好な耐候性を有し、建物の外壁において何十年にもわたって利用できる。
5)本発明で製造された表面層は、緻密性及び耐食性が強く、したがって、表面層に包まれた太陽電池を外界から効果的に隔離することができる。
6)本発明で製造された発電建材は、安定的な性能、鮮やかな色及び良好な装飾性を有し、応用の見通しが期待できる。
7)本発明による発電建材は、太陽光を利用して発電する機能に加えて、光学調整機能を有する材料を表面層として使用することで、従来の太陽光発電モジュールの鏡面反射によるフラッシュや眩暈などの光害を完全に解消する。
発電建材は、基板が厚さ0.2mmの可撓性ステンレス箔であり、基板上に発電電極層が設けられているとともに、導線引出電極が設けられている。電池層上に保護層が設けられており、保護層の材質は水性釉薬であり、水性釉薬は、可溶性シリコン無機金属塩を含むことができ、その厚さが0.1mmであり、大理石模様をしている。
その製造方法は、具体的には、以下のとおりである。
可撓性ステンレス箔基板を洗浄した後、マグネトロンスパッタリング装置に入れた。ステンレス鋼中の元素が太陽電池に拡散するのを防ぐために、まず、0.5μmのWTiバリア層をスパッタリングした。作動ガスはArガスであり、スパッタリング圧は0.7Paであり、終極圧力は2.0×10−3Paであり、基板はスパッタリングするときに加熱されない。3サブ層プロセスでMo膜を製造し、1層目のスパッタリング圧は1.5Pa、2層目のスパッタリング圧は0.6Pa、3層目のスパッタリング圧は1.5Paとした。Mo膜上に2μmのCIGS薄膜を、スパッタリング圧0.7Pa、終極圧力1.5×10−3Paのスパッタリング法で成膜し、次にセレン化アニール処理を行った。セレン化した膜を硫酸カドミウム、チオ尿素及びアンモニアの混合溶液に入れ、70℃で50nmCdSを堆積させた。次に、再びスパッタリングチャンバーに膜を置き、作動ガスはO2+Ar、スパッタリング圧は0.7Pa、終極圧力は2.0×10−3Pa、スパッタリング中の基板温度は200℃とし、真性ZnO膜及びAZO膜をそれぞれ堆積させた。最後に、Ni−Alグリッドを蒸発法によって堆積させ、可撓性薄膜太陽電池パネルを製造した。
保護層はインクジェットプリントにより形成され、使用されたエナメル層の原料は、酢酸コバルト、塩化鉄、クロム酸カリウム、及びオキシ塩化ジルコニウム八水和物を含む。従来の方法(水又はアルコール類溶媒で溶解して、OP、水性アクリルエマルションを加える)によって釉薬溶液とした後、釉薬の色に応じて釉薬をさまざまなプリンタに入れて、大理石模様に応じて直接プリントして、発電建材を得た。
発電建材は、大理石模様をしており、500〜700nmでの可視光透過率が71%であり、太陽光発電変換効率が14.6%であった。
発電建材は、基板が厚さ8.0mmのタイルであり、基板上に電池層が設けられているとともに、導線引出電極が設けられている。電池層はCdTe太陽電池の構造を持っており、具体的な製造プロセスは次のとおりであった。まず、洗浄した基板をスパッタリング装置に入れ、作動ガスをArガス、スパッタリング圧を0.7Pa、終極圧力を1.5×10−3Paとして、透明導電性酸化物であるインジウムスズ酸化物膜を基板上にスパッタリングにより堆積させた。続いて、スクリーン印刷法を用いてCdSスラリーを薄膜状に塗布し、120℃で3時間ベークした後、N2雰囲気下、650℃の温度で2時間焼結した。次に、CdTe粉末を含むスラリーをCdSに印刷し、1時間焼結した。最後に、炭素電極とAgスラリーをCdTeに引出電極として印刷した。電池層上に保護層が設けられており、保護層の材質は水性釉薬であり、水性釉薬は可溶性無機金属塩を含むことができ、その厚さが0.1mmであり、大理石模様をしている。
釉薬溶液は、スプレーコート、スクリーン印刷、又はフローの方式で電池層の表面に塗布することができ、450〜760nmでのその光透過率が52%であり、得られる電池は、光電変換効率が14.1%以上であり、建物の外壁に使用できる。
発電建材は、基板が厚さ1.0cmの窒化アルミニウムセラミックであり、基板上に電池層が設けられているとともに、導線引出電極が設けられている。電池層上に封止層と保護層が設けられており、保護層の材質はポリテトラフルオロエチレン層であり、その厚さが0.05mmであり、表面が濃い灰色であり、発電層の表面には4層以下のグラフェン層がある。
電池の製造については、実施例1を参照することができ、グラフェン層は低温の方式で形成可能であるが、発電層への悪影響を避けるために、グラフェン層は400℃以下の低温で形成する。
本実施例で得られた電池は、450〜760nmでの光透過率が21%であり、光電変換効率が14.0%以上であり、建物の外壁に使用できる。
発電建材は、基板がポリイミド膜であり、基板上に電池層が設けられているとともに、導線引出電極が設けられている。電池層上に封止層と保護層が設けられており、保護層の材質はポリテトラフルオロエチレン層であり、その厚さが0.05mmであり、表面がベージュ色である。電池の製造については、実施例1を参照することができる。
本実施例で得られた電池は、500〜760nmでの光透過率が500%であり、光電変換効率が14.2%以上であった。
発電建材は、基板がエナメルであり、基板上に電池層が設けられているとともに、導線引出電極が設けられている。電池層上に保護層が設けられており、保護層の材質はポリテトラフルオロエチレン層であり、その厚さが0.6mmであり、表面が白色である。電池の製造については、実施例1を参照することができ、電池の表面にグラフェンが製造され、グラフェンの層数が15層以下である。グラフェン層は低温の方式で形成可能であるが、発電層への悪影響を避けるために、グラフェン層は400℃以下の低温で形成する。
本実施例で得られた電池は、450〜760nmでの光透過率が76%であり、光電変換効率が14.2%以上であった。
図4、5には、太陽光発電建材が示されている。
太陽光発電建材は、上から下へ表面層、発電層及び基板層を順次含む。
基板は、厚さ0.2mmの可撓性ステンレス箔であり、その上に発電層が設けられているとともに、導線引出電極が設けられている。発電層上に表面層が設けられている。
発電層の製造方法は、具体的には、以下のとおりである。
可撓性ステンレス箔基板を洗浄した後、マグネトロンスパッタリング装置に入れた。ステンレス鋼中の元素が太陽電池に拡散するのを防ぐために、まず、1.0μmのWTiバリア層をスパッタリングした。作動ガスはArガスであり、スパッタリング圧は0.7Paであり、終極圧力は2.0×10−3Paであり、基板はスパッタリングするときに加熱されない。3サブ層プロセスでMo膜を製造し、1層目のスパッタリング圧は1.5Pa、2層目のスパッタリング圧は0.6Pa、3層目のスパッタリング圧は1.5Paとした。Mo膜上に1.2μmのCIGS薄膜を、スパッタリング圧0.7Pa、終極圧力1.5×10−3Paのスパッタリング法で堆積させ、次にセレン化アニール処理を行った。セレン化した膜を硫酸カドミウム、チオ尿素及びアンモニアの混合溶液に入れ、70℃で30nmCdSを堆積させた。次に、再びスパッタリングチャンバーに膜を置き、作動ガスはO2+Ar、スパッタリング圧は0.7Pa、終極圧力は2.0×10−3Pa、スパッタリング中の基板温度は200℃とし、真性ZnO膜及びAZO膜をそれぞれ堆積させた。最後に、Ni−Alグリッドを蒸発法によって堆積させ、可撓性薄膜太陽電池パネルを製造した。次に、厚さ15μmの窒化アルミニウムをRFスパッタリング法によって堆積させて、最終的に発電層を形成した。
表面層はプリント法によって製造され、母液を主成分、無機顔料を補助成分とした。重量部基準で、母液は155部、顔料は7部であり、顔料は同重量のチタン白粉末と弁柄粉末を用いる。前記母液は、脱イオン水764部、A1522架橋剤0.4部、250HBRセルロース3部、5040分散剤1.5部、AMP−95多機能助剤1.5部、M30殺菌剤2.5部、R103成形剤21部、エチレングリコール4部、C−12成膜助剤9.5部、シリコン光拡散剤0.1部、半導体酸化セリウム量子ドット0.02部、グラフェン0.001部、ソープフリー重合シリコンアクリルエマルジョン21部、コア−シェル構造が共重合してなる自己架橋シリコンアクリルエマルジョン90部、シリコングラフトアクリルエマルジョン70部を含む。製造された表面層は、厚さ0.01mm、硬化温度90℃、硬化時間1hである。
図16に示す太陽光発電建材の表面層の300〜1300nmでの可視光透過率曲線から、加重平均透過率は85%であった。
図6、7には、太陽光発電建材が示されている。
太陽光発電建材は、上から下へ表面層、発電層及び基板層を順次含む。
太陽光発電建材は、基板が厚さ2.0mmのガラスであり、基板上に電池層が設けられているとともに、導線引出電極が設けられている。CIGS薄膜をCu2(ZnSn)(SSe)4、膜の後処理プロセスをセレン化又は硫化に変更する以外、電池の製造プロセスは、実施例1と同様であった。電池層上にEVAとガラスの保護層が設けられており、表面層は手動スプレーコート法で製造した。
重量部基準で、使用される母液は186部であり、顔料は5部である。使用される母液はケイ酸カリウム45部、滑石粉末、炭酸カルシウム及びカオリンを2:1:1の重量比で混合したフィラー130部、シリコン樹脂0.2部、シリカゲル3部、テキサノール1部、ビニルトリアミン6部、水20部、硫酸バリウムである光拡散剤0.2部を含む。顔料5部は、緑青と雄黄を1:3の重量比で混合したものであり、製造された表面層は、厚さ2mm、硬化温度20℃、硬化時間2hである。
図17に示す太陽光発電建材の表面層の300〜1300nmでの可視光透過率曲線から、加重平均透過率は35%であった。
図6、7には、太陽光発電建材が示されている。
太陽光発電建材は、上から下へ表面層、発電層及び基板層を順次含む。
太陽光発電建材は、基板が厚さ8.0mmのタイルであり、基板上に電池層が設けられているとともに、導線引出電極が設けられている。電池層はCdTe太陽電池の構造を持っている。具体的な製造プロセスは次のとおりである。まず、洗浄した基板をスパッタリング装置に入れ、作動ガスをArガス、スパッタリング圧を0.7Pa、終極圧力を1.8×10−3Paとして、透明導電性インジウムスズ酸化物膜を基板上にスパッタリングにより堆積させた。続いて、スクリーン印刷法を用いてCdSスラリーを薄膜状に塗布し、100℃で2時間ベークした後、N2雰囲気下、680℃の温度で0.5時間焼結した。次に、CdTe粉末を含むスラリーをCdSに印刷し、1時間焼結した。最後に、炭素電極とAgスラリーをCdTeに引出電極として印刷した。電池層上にPVBとETFEの保護層を設け、次に保護層上に表面層を製造し、表面層の厚さは0.1mmとし、原料は以下のとおりである。
重量部基準で、使用される母液は100部であり、顔料は5部である。前記母液原料は基材、フィラー、助剤を含み、基材は60部、フィラーは15部、助剤は3.8部である。前記基材はフルオロカーボン樹脂を含み、顔料は、天然鉱物顔料を用い、天然鉱物顔料は雲母、珊瑚という2種を含み、フィラーは、ウォラストナイト粉末、石英粉末及びベントナイトを1:1.5:0.8の重量比で含み、助剤はジメチルスルホキシド0.2部、ポリカルボン酸ナトリウム塩1.1部、乳化シリコンオイル0.3部、テキサノール1.5部、o−フェニルフェノール0.2部、メチルセルロース0.5部を含む。
表面層を構成する液体原料をフロー法により電池層の表面に塗布し、硬化温度を100℃、硬化時間を0.2sとした。図18に示す表面層の300〜1300nmでの可視光透過率曲線から、加重平均透過率は52%であった。
図4、5には、太陽光発電建材が示されている。
太陽光発電建材は、上から下へ表面層、発電層及び基板層を順次含む。
太陽光発電建材は、基板が厚さ20.0mmの窒化アルミニウムセラミックであり、基板上にアモルファスシリコン電池である電池層が設けられているとともに、導線引出電極が設けられている。電池層上に保護層が設けられている。保護層の材質は、二酸化ケイ素セラミック膜であり、その厚さが5μmであり、二酸化ケイ素は、真空チャンバーを2.0×10−3Paに引いた後働き始める反応性スパッタリングにより得られる。600Wの定電力スパッタリング、0.6Paのスパッタリング圧、スパッタリング雰囲気Ar+O2(Ar:O2 3:1)とし、ターゲット材は6N純度の単結晶シリコン、ターゲット−基板間距離は60mmである。
表面層は印刷方法によって製造され、重量部基準で、使用される母液は240部であり、顔料は10部である。使用される母液はケイ酸ナトリウム75部、ウォラストナイト粉末、ケイ酸アルミニウム及びカオリンを3:2:5の重量比で混合したフィラー112部、シリコン樹脂0.1部、メチルセルロース5部、テキサノール5部、m−フェニレンジアミン6部、水14部、シリコンの光拡散剤0.05部を含む。顔料10部は、フタロシアニン顔料であり、製造された表面層は、厚さ0.5mm、硬化温度−10℃、硬化時間48hである。
太陽光発電建材の表面層の300〜1300nmでの可視光透過率曲線は図19に示され、その加重平均透過率は45%であった。
図8、9には、太陽光発電建材が示されている。
太陽光発電建材は、上から下へ表面層、発電層及び基板層を順次含む。
太陽光発電建材は、ポリシリコンモジュール製品から選択され、その基板が吸水率1%未満のタイルであり、厚さが5mmであり、発電層上に導線引出電極が設けられている。電池層上には保護層が設けられており、保護層は二酸化ケイ素セラミック膜である。
表面層は自動スプレーコート方法によって製造され、原料は母液と顔料を含み、重量部基準で、母液は75部、顔料は1部である。前記母液原料は基材、フィラー、助剤を含み、基材は70部、フィラーは10部、助剤は6部である。前記基材はフルオロカーボン樹脂を用い、顔料は人工顔料を用い、人工顔料はアイアンブルーを用い、フィラーは石英粉末及び沈降性硫酸バリウムを含み、助剤はグリセリン0.4部、ポリカルボン酸ナトリウム塩1.0部、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンエーテル0.4部、テキサノール2部、過硫酸アンモニウム0.1部、ヒドロキシプロピルメチルセルロース0.6部を含む。
表面層を構成する液体原料をプリントの方式により電池層の表面に塗布し、表面層の厚さは0.3mm、硬化温度は50℃、硬化時間は1sであった。表面層の300〜1300nmでの可視光の加重平均透過率は45%であった。
図10、11には、太陽光発電建材が示されている。
太陽光発電建材は、上から下へ表面層、発電層及び基板層を順次含む。
太陽光発電建材は、市販されている単結晶性シリコン電池モジュールの製品とされる。その基板は、厚さ2mmのガラスであり、発電層上に導線引出電極が設けられているとともに、保護層が設けられている。保護層はシリカゲルとフロントフィルムを含み、フロントフィルムはETFEを用いる。
表面層はスピンコート方法によって製造され、原料は母液と顔料を含み、重量部基準で、使用される母液は140部であり、顔料は5部である。
前記母液は脱イオン水800部、A151架橋剤0.3部、250HBRセルロース2部、5040分散剤0.5部、AMP−95多機能助剤3部、M30殺菌剤1部、R103成形剤15部、エチレングリコール6部、C−12成膜助剤8部、ナノ二酸化ケイ素光拡散剤0.1部、ソープフリー重合シリコンアクリルエマルジョン28部、コア−シェル構造が共重合してなる自己架橋シリコンアクリルエマルジョン70部、シリコングラフトアクリルエマルジョン110部を含み、顔料は、アゾ顔料であり、合計1部である。製造された表面層は、厚さ0.05mm、硬化温度−10℃、硬化時間30hである。
300〜1300nmでの光に対する本実施例で得られた電池の加重平均透過率は55%であった。
図12、13には、太陽光発電建材が示されている。
太陽光発電建材は、上から下へ表面層、発電層、第1基板層、第2基板層を順次含む。
太陽光発電建材の発電層は、単結晶性シリコン電池モジュールとされ、モジュールは瓦に貼り付けられ、電池モジュールに導線引出電極が設けられ、発電層上に表面層が設けられている。
表面層の製造方式は、実施例7を参照すればよい。
図14、15には、太陽光発電建材が示されている。
太陽光発電建材は、上から下へ表面層、発電層、第1基板層、第2基板層を順次含む。
太陽光発電建材の発電層は、単結晶性シリコン電池モジュールとされ、モジュールは瓦に貼り付けられ、電池モジュールに導線引出電極が設けられ、発電層上に表面層が設けられている。
表面層の製造方式は、実施例9を参照すればよい。
太陽光発電建材は、上から下へ表面層、発電層、第1基板層、第2基板層を順次含む。
発電層は、アモルファスシリコン薄膜電池モジュールとされ、モジュールはセメント系板材に貼り付けられ、電池モジュールに導線引出電極が設けられ、発電層上に表面層が設けられている。
表面層の製造方式は、実施例8を参照すればよい。
Claims (22)
- 発電建材であって、
基板、発電層及び保護層を含み、
前記発電層は前記基板上に設けられ、前記保護層は前記発電層上に覆われ、
前記基板は、ガラス、金属板、セメント系板材、軟質プラスチックフィルム、タイル又は瓦であり、
前記保護層は、300nm〜1300nmの波長範囲で、加重平均透過率が0%〜79%であることを特徴とする発電建材。 - 前記基板は、0.01mm〜5cmの厚さを有する、ことを特徴とする請求項1に記載の発電建材。
- 前記発電層は、セレン化銅インジウムガリウム薄膜太陽電池、ヒ化ガリウム太陽電池、結晶性シリコン太陽電池、シリコン系薄膜太陽電池、テルル化カドミウム薄膜太陽電池、有機太陽電池、銅亜鉛スズ硫黄薄膜太陽電池又はペロブスカイト薄膜太陽電池の構造を有する、ことを特徴とする請求項1に記載の発電建材。
- 前記保護層の材質は、無機ケイ酸塩材料又は無機有機複合材料である、ことを特徴とする請求項1に記載の発電建材。
- 前記保護層の厚さは、0.01〜5mmである、ことを特徴とする請求項1に記載の発電建材。
- 前記発電建材は、前記発電層と前記保護層との間に位置する封止層をさらに含み、
前記封止層の材料は、エチレン−オクテン共重合体又はエチレン−酢酸ビニル共重合体を含む、ことを特徴とする請求項1に記載の発電建材。 - 前記封止層の厚さは、0.05mm〜3mmである、ことを特徴とする請求項6に記載の発電建材。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の発電建材の製造方法であって、
発電層を基板に付着して、正負極を引き出すか、又は、基板上に発電層を直接製造して、正負極を引き出すステップ1)と、
室温で液体状態である保護層の材料を塗布し、室温で8〜12時間硬化させて、強固なエナメル保護層を形成するステップ2)と、を含むことを特徴とする発電建材の製造方法。 - 前記発電層を製造する前に、前記基板に研磨及びクリーニングを行い、
処理された基板は、表面粗さが100nm未満であり、接触角が5〜15°である、ことを特徴とする請求項8に記載の方法。 - 前記ステップ1)は、前記正負極を引き出した後、封止層をその上に形成するステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 太陽光発電建材であって、
表面層、発電層及び基板層を含み、
前記表面層は、前記発電層の表面に直接液体を塗装して硬化させることにより得られるものであり、300nm〜1300nmの波長範囲で加重平均透過率が10%〜85%である、ことを特徴とする太陽光発電建材。 - 前記表面層の厚さは、0.01〜5mmである、ことを特徴とする請求項11に記載の太陽光発電建材。
- 前記表面層は、300nm〜1300nmの前記波長範囲で前記加重平均透過率が45%〜75%であり、ヘイズが10%〜99%である、ことを特徴とする請求項11に記載の太陽光発電建材。
- 前記表面層の原料は、硬化母液と顔料フィラーを含む、ことを特徴とする請求項11に記載の太陽光発電建材。
- 前記表面層の前記原料には、ナノ粒子、量子ドット及びグラフェンのうちの1種又は複数種がさらに含まれる、ことを特徴とする請求項14に記載の太陽光発電建材。
- 前記発電層と前記基板層との組み合わせは、結晶性シリコン太陽電池モジュール又は薄膜太陽電池モジュールである、ことを特徴とする請求項11に記載の太陽光発電建材。
- 前記発電層は、太陽電池層と保護層を含む、ことを特徴とする請求項11に記載の太陽光発電建材。
- 前記基板層は、ガラス、金属板、軟質プラスチックフィルム及びタイルのうちの1種又は複数種を含み、
前記発電層の太陽電池層は、セレン化銅インジウムガリウム太陽電池、ヒ化ガリウム太陽電池、アモルファスシリコン太陽電池、テルル化カドミウム太陽電池、染料増感太陽電池、銅亜鉛スズ硫黄太陽電池又はペロブスカイト太陽電池を含む、ことを特徴とする請求項11又は17に記載の太陽光発電建材。 - 前記保護層は、セラミックスフィルム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチラール、ポリエチレン−ブテン共重合体、シリカゲル、ポリエチレン、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体、パーフルオロエチレンプロピレン共重合体、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレンテレフタレート、無機ガラス、有機ガラス及びポリカーボネートのうちの1種又は複数種を含み、
前記保護層はセラミックスフィルムだけであり、又は、
前記保護層がエチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチラール、ポリエチレンオキシド及びシリカゲルのうちの1種又は複数種を含む場合、前記保護層は、フロントフィルムをさらに含み、
前記フロントフィルムは、無機ガラス及び/又は高分子材料を含む、ことを特徴とする請求項17に記載の太陽光発電建材。 - 前記高分子材料は、有機ガラス、ポリカーボネート、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体、ポリフッ化ビニリデン膜、パーフルオロエチレンプロピレン共重合体、ポリエチレンテレフタレート及びポリエチレンテレフタレート/ポリエチレンのうちの1種又は複数種を含む、ことを特徴とする請求項19に記載の太陽光発電建材。
- 太陽光発電建材の製造方法であって、
発電層を基板層に付着して、正負極を引き出すか、前記基板層上に前記発電層を直接製造して、前記正負極を引き出すか、又は結晶性シリコン太陽電池モジュール又は薄膜太陽電池モジュールを直接利用するステップ1)と、
前記発電層の表面に液体を直接塗装して、次に硬化させることにより、前記発電層上に表面層を製造するステップ2)と、を含む、太陽光発電建材の製造方法。 - 前記表面層は、硬化温度−10℃〜100℃、硬化時間0.2s〜48hである、ことを特徴とする請求項21に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810128516.2A CN110137285A (zh) | 2018-02-08 | 2018-02-08 | 一种用于建筑领域的太阳电池组件及其制备方法 |
CN201810128516.2 | 2018-02-08 | ||
PCT/CN2019/074214 WO2019154277A1 (zh) | 2018-02-08 | 2019-01-31 | 一种发电建材及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021512508A true JP2021512508A (ja) | 2021-05-13 |
JP2021512508A5 JP2021512508A5 (ja) | 2021-06-24 |
Family
ID=67548151
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020564305A Pending JP2021512508A (ja) | 2018-02-08 | 2019-01-31 | 発電建材及びその製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200403557A1 (ja) |
EP (1) | EP3751623A4 (ja) |
JP (1) | JP2021512508A (ja) |
KR (1) | KR20200104410A (ja) |
CN (1) | CN110137285A (ja) |
CA (1) | CA3089650C (ja) |
WO (1) | WO2019154277A1 (ja) |
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- 2019-01-31 WO PCT/CN2019/074214 patent/WO2019154277A1/zh unknown
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- 2019-01-31 JP JP2020564305A patent/JP2021512508A/ja active Pending
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- 2019-01-31 CA CA3089650A patent/CA3089650C/en active Active
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EP3751623A1 (en) | 2020-12-16 |
CA3089650A1 (en) | 2019-08-15 |
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US20200403557A1 (en) | 2020-12-24 |
CN110137285A (zh) | 2019-08-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200805 |
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A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
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A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
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