JP2021507507A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 基板上に論理デバイスおよびパワー・デバイスを形成する方法であって、
   前記基板の第１の領域上に第１の垂直フィンを形成し、前記基板の第２の領域上に第２の垂直フィンを形成すること
   を含み、分離領域が前記第１の領域を前記第２の領域から分離し、前記方法がさらに、
   前記第２の垂直フィン上に誘電性下層セグメントを形成すること、ならびに
   前記誘電性下層セグメント上および前記第２の垂直フィン上に第１のゲート構造体を形成すること
   を含む方法。
2. 前記誘電性下層セグメントが５ｎｍから１０ｎｍの範囲の厚さを有する、請求項１に記載の方法。
3. 前記誘電性下層セグメントが、酸化シリコン（ＳｉＯ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、ホウ素化炭化窒化シリコン（ＳｉＢＣＮ）、酸化炭化窒化シリコン（ＳｉＯＣＮ）およびこれらの組合せからなるグループから選択された材料でできた、請求項１に記載の方法。
4. 前記第１のゲート構造体が、前記誘電性下層セグメント上のゲート誘電体層、前記ゲート誘電体層上の仕事関数層、および前記仕事関数層上の導電性ゲート充填材を含む、請求項１に記載の方法。
5. 前記第１の垂直フィン上に第２のゲート構造体を形成することをさらに含み、前記ゲート構造体が、前記第１の垂直フィン上の第２のゲート誘電体層、前記ゲート誘電体層上の第２の仕事関数層、および前記第２の仕事関数層上の第２の導電性ゲート充填材を含む、請求項１に記載の方法。
6. 前記第１の垂直フィン上の前記第２のゲート構造体および前記第２の垂直フィン上の前記第１のゲート構造体がそれぞれ逆Ｔ字形のゲート構造体であり、前記第２の領域上の導電性領域が逆Ｔ字形の形状を有する、請求項５に記載の方法。
7. 前記第１の垂直フィンの下の前記基板内に下ソース／ドレイン領域を形成すること、および前記第２の垂直フィンの下の前記基板内にドープされたウェルを形成することをさらに含み、前記下ソース／ドレイン領域が、前記ドープされたウェルのドーパント濃度の少なくとも５倍のドーパント濃度を有する、請求項１に記載の方法。
8. 前記第１の垂直フィン上に上ソース／ドレインを形成し、前記第２の垂直フィン上に上ソース／ドレインを形成することをさらに含む、請求項７に記載の方法。
9. 前記上ソース／ドレイン上、前記ドープされたウェル上および前記下ソース／ドレイン領域上にコンタクト層を形成することをさらに含む、請求項８に記載の方法。
10. 基板上の論理デバイスおよびパワー・デバイスであって、
    前記基板の第１の領域上の第１の垂直フィンおよび前記基板の第２の領域上の第２の垂直フィンであり、分離領域が前記第１の領域を前記第２の領域から分離した、前記第１の垂直フィンおよび前記第２の垂直フィンと、
    前記第１の垂直フィンの下方の前記基板内のドープされた第１のウェルおよび下ソース／ドレイン領域と、
    前記第２の垂直フィンの下方の前記基板内のドープされた第２のウェルと、
    前記下ソース／ドレイン領域上および前記ドープされた第２のウェル上の下スペーサ層と、
    前記下スペーサ層上および前記第２の垂直フィン上の誘電性下層セグメントと、
    前記誘電性下層セグメント上の第１のゲート誘電体層と
    を備える、基板上の論理デバイスおよびパワー・デバイス。
11. 前記第１の領域上の前記下スペーサ層上および前記第１の垂直フィン上の第２のゲート誘電体層をさらに備える、請求項１０に記載の論理デバイスおよびパワー・デバイス。
12. 前記ドープされた第１のウェルをｐ型にドープされたウェルとし、前記ドープされた第２のウェルをｎ型にドープされたウェルとすることができ、前記ｎ型にドープされたウェルが、１×１０^１７原子／ｃｍ^３から１×１０^１９原子／ｃｍ^３の範囲のドーパント濃度を有し、前記下ソース／ドレイン領域が、１×１０^１８原子／ｃｍ^３から１×１０^２１原子／ｃｍ^３の範囲のドーパント濃度を有する、請求項１０に記載の論理デバイスおよびパワー・デバイス。
13. 前記ｎ型にドープされたウェル上に形成されたコンタクト層をさらに備え、前記コンタクト層と前記第２の垂直フィンとの間の横方向距離が２０ｎｍから２００ｎｍの範囲にある、請求項１２に記載の論理デバイスおよびパワー・デバイス。
14. 前記下ソース／ドレイン領域が、前記ｎ型にドープされたウェルのドーパント濃度の少なくとも５倍の前記ドーパント濃度を有し、前記ｎ型にドープされたウェルが３０ｎｍから１５０ｎｍの範囲の深さを有する、請求項１２に記載の論理デバイスおよびパワー・デバイス。