JP2021504743A - マイクロリソグラフィのためのマスクの認定のための方法 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (15)
- マイクロリソグラフィのためのマスク(1)の認定のための方法であって、
1.1.ウエハ(8)に結像されることになるマスク構造(6)を有するマスク(1)を提供するステップと、
1.2.ウエハ(8)上に製造されることになるウエハ構造(14)によって満たされなければならない少なくとも1つの境界条件を予め定義するステップと、
1.3.前記マスク(1)の少なくとも1つの空間像(9)を決定するステップと、
1.4.前記マスク(1)によって製造可能な前記ウエハ構造(14)を予測するためのシミュレーションによって、前記ウエハ(8)上の前記1又は複数の空間像(9)のうちの少なくとも1つの効果を決定するステップと、
を含み、
1.5.レジストモデル及び/又はエッチングモデルが、前記ウエハ(8)上の前記1又は複数の空間像(9)のうちの少なくとも1つの前記効果を決定するために使用される、
方法。 - 種々のマスク構造(6)の複数の像が、前記マスク(1)の前記少なくとも1つの空間像(9)を決定するために記録されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 少なくとも1つのマスク構造(6)の複数の空間像(9)が、異なる焦点面内に記録されることを特徴とする、請求項1又は2に記載の方法。
- 複数の空間像(9)が、それらの位置決めについての登録データを用いて計算されることを特徴とする、請求項1から3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記レジストモデル及び/又は前記エッチングモデルが、ウエハ(8)上で測定されたウエハ構造(14)によって較正されることを特徴とする、請求項1から4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記レジストモデル及び/又は前記エッチングモデルを較正するために、前記ウエハ上の構造が、電子顕微鏡を使用して測定されることを特徴とする、請求項1から5のいずれか1項に記載の方法。
- 前記レジストモデル及び/又は前記エッチングモデルが、リソグラフィプロセス(2)を特徴付けるためのモデルの一部であり、前記モデルが、互いに別々に較正される少なくとも2つのサブモデルを含むことを特徴とする、請求項1から6のいずれか1項に記載の方法。
- 光学モデルが、前記マスク(1)の前記少なくとも1つの空間像(9)を決定するために使用されることを特徴とする、請求項1から7のいずれか1項に記載の方法。
- 前記光学モデルが、空間像データによって較正されることを特徴とする、請求項8に記載の方法。
- 前記マスク(1)を結像させるために実際に使用されることになるスキャナの条件に少なくとも実質的に対応する所定の照明及び/又は結像条件が、前記光学モデルを較正するために使用されることを特徴とする、請求項8又は9に記載の方法。
- 登録データが、前記光学モデルを較正するために使用されることを特徴とする、請求項8から10のいずれか1項に記載の方法。
- 前記光学モデルを較正するために、予測誤差が、メリット関数を使用して最小化されることを特徴とする、請求項8から11のいずれか1項に記載の方法。
- 最大許容エッジ配置誤差、線幅の最大許容変動又はずれ、構造の範囲の最大変動又はずれ、線幅の最大許容非対称性、最大許容線粗度、という変数からの選択が、境界条件として予め定義されることを特徴とする、請求項1から12のいずれか1項に記載の方法。
- 前記シミュレーションの不確実性、及び/又は統計学的変動が、前記マスク(1)の前記認定において考慮されることを特徴とする、請求項1から13のいずれか1項に記載の方法。
- マイクロリソグラフィのためのマスク(1)の認定のためのシステムであって、
15.1.マイクロリソグラフィのためのマスク(1)のマスク構造(6)の空間像(9)をキャプチャするためのデバイスと、
15.2.前記マスク(1)によって製造可能なウエハ構造(14)を測定するためのデバイスと、
15.3.測定された空間像(9)からウエハ構造(14)を予測するための計算ユニットと
を備える、システム。
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