JP2021501501A - 一体型アイソレータ/サーキュレータを備えたマイクロ電子rf基板 - Google Patents
一体型アイソレータ/サーキュレータを備えたマイクロ電子rf基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021501501A JP2021501501A JP2020521427A JP2020521427A JP2021501501A JP 2021501501 A JP2021501501 A JP 2021501501A JP 2020521427 A JP2020521427 A JP 2020521427A JP 2020521427 A JP2020521427 A JP 2020521427A JP 2021501501 A JP2021501501 A JP 2021501501A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- port
- radio frequency
- electronic assembly
- assembly according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 69
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 46
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- HPYIMVBXZPJVBV-UHFFFAOYSA-N barium(2+);iron(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Ba+2] HPYIMVBXZPJVBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- QUCZBHXJAUTYHE-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au].[Au] QUCZBHXJAUTYHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
- H01P1/36—Isolators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
- H01P1/12—Auxiliary devices for switching or interrupting by mechanical chopper
- H01P1/127—Strip line switches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
- H01P1/38—Circulators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
- H01P1/38—Circulators
- H01P1/383—Junction circulators, e.g. Y-circulators
- H01P1/387—Strip line circulators
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
例示的な電子組立品は、半導体部品を有する表面側と、内方に延在する1つの凹部を含む裏面とを有する、平面半導体基板を含む。アイソレータ及びサーキュレータの1つは、平面半導体基板の一部として形成され、平面半導体基板の厚さ内の1つの凹部内に取り付けられた1つの磁性フェライトディスクを含む。アイソレータ及びサーキュレータの一方は、少なくとも入力ポート及び出力ポートを有する。入力ポートは出力ポートに低い入力損失で結合されるべき無線周波数信号を受信すると同時に、出力ポートから入力ポートに伝搬しようとする他の無線周波数信号に高い入力損失を与えるように配置される。
Description
本発明は、磁気式のアイソレータ又はサーキュレータを使用して信号の分離/分割を得る、非常に高周波なRF信号を送信及び/又は受信するために使用される、無線周波数(RF)回路を備えた、平面電子基板に関する。
サーキュレータやアイソレータのような非可逆装置は、ある経路においては、RF信号に対して高い送信効率を提供する一方で、別の経路においては、RF信号の送信を最小化することにより、RFシステムにおいて重要な役割を提供する。例えば、送信機の出力と、受信機の入力と、アンテナとに接続されたポートを有する3ポートサーキュレータは、RF信号の送信機からアンテナへの送信を可能にし、同時に、同じアンテナからの異なる周波数を受信機へ結合し、二重動作を可能にする。異なる周波数のRF信号の同時送受信は、受信機ポートへの送信RF信号の結合を最小にしながら、送信機とアンテナとの間の最小の損失を提供する、サーキュレータによって容易にされる。また、送信されたRF信号とは異なる周波数を有する受信RF信号は、最小の損失でアンテナから受信機に結合される。
サーキュレータは二重RF伝送システムにおいて使用されるが、典型的なサーキュレータは、対象とする高周波RF信号の波長に対応して大きな実装面積を有する。これは、特に、物理的空間要件及び/又は重量要件が重要である場合に、そのようなサーキュレータの適用可能性を制限する。非常に高い周波数のRF信号に対して、対応する波長を非常に小さくすることができるように、波長は周波数に反比例することが理解されるのであろう。サーキュレータ/アイソレータを含む基板のサイズが波長に対して小さくなるように、特に非常に高い周波数において、RF基板上の最小実装面積に収容するために、サーキュレータ/アイソレータのサイズを最小にする必要性が存在する。
本発明の目的は、この必要性を満たすことである。
例示的な電子組立品は、半導体部品を有する表面側と、内方に延在する1つの凹部を含む裏面とを有する、平面半導体基板を含む。アイソレータ及びサーキュレータの1つは、平面半導体基板の一部として形成され、平面半導体基板の厚さ内において、前記1つの凹部内に取り付けられた1つの磁性フェライトディスクを含む。アイソレータ及びサーキュレータの一方は、少なくとも入力ポート及び出力ポートを有する。入力ポートは、出力ポートに低い入力損失で結合されるべき無線周波数信号を受信すると共に、出力ポートから入力ポートに伝搬しようとする他の無線周波数信号に高い入力損失を与えるように、配置される。
本発明の例示的な実施形態の特徴は、説明、特許請求の範囲、及び添付の図面から明らかになるのであろう。
本発明の一態様は、磁気式のサーキュレータ/アイソレータのサイズを小さくして、電子基板の一部として一体化できるようにすれば、隣接して実装された基板間の達成可能な最小間隔を小さくできるという認識に基づく。これは、特に、約半波長が1.6mmであるWバンド(75〜100GHz)のような高周波応用に対して重要であることが認識された。位相関係を維持することが重要である用途、例えば、各要素が対応する電子基板によって直接駆動される複数の別個に駆動される要素を備えたフェーズドアレーアンテナの場合、望ましくないアンテナパターン、例えば望ましくない極大部分(Lobe)を最小限に抑えるために、隣接する電子基板間の間隔を半波長未満に保つことが重要である。
図1は、基板100上に配置されていない他の送信器回路から送信されるRF信号を受信する入力107を有する位相調整器105を含む、例示的な平面電子基板100の上面図を示す。位相調整器105の出力110は、電力増幅器115に結合される。電力増幅器の出力は、アンテナに結合されるポート130と、低雑音増幅器140の入力に結合されるポート135とを有するサーキュレータ125の入力ポート120に結合される。低雑音増幅器140の出力は、基板100上に配置されていない他の受信器回路に結合された出力152を有する、位相調整器150の入力に結合される。基板100は、複数の同一の半導体基板が製造された単一の半導体ウェハから製造され得る半導体基板である。
例示的なサーキュレータ125では、3つの別個の磁気式サーキュレータ要素160、165、及び170が相互接続されて、高いアイソレーションを提供する。即ち、ポート120上のアンテナRF信号は、少ない減衰でアンテナポート130に結合される一方、同じRF信号は、受信機ポート135において高レベルの減衰で現れ、ポート130に結合されたアンテナからの受信RF信号は、少ない減衰で受信機ポート135に転送される一方、同じRF信号は、送信機ポート120において高レベルの減衰で現れる。サーキュレータ要素160及び165に関連付けられた実線の矢印、及びサーキュレータ要素165及び170に関連付けられた破線の矢印は、RF信号がほとんど減衰せずに通過するポートの対を示す。例示的な構成では、サーキュレータ要素165は、サーキュレータとして機能し、サーキュレータ要素160及び170は、アイソレータとして効果的に機能する。各アイソレータ/サーキュレータ素子の内部磁場の強さは、自己バイアスフェライトに対して高くすべきである。これは、自己バイアスされたフェライトの特性であり、内部磁場の強さを決定する主要な特性である高飽和磁化と高異方性磁場によって達成することができる。従来のフェライトでは、強力な磁石によって、高い飽和磁化と高い外部バイアスを与えることができる。
例示的な半導体基板100の幅D1は、1.6mmである。この寸法D1は、処理されるRF信号の周波数の1波長と比較される高周波用途にとって重要である。例えば、Wバンド(75〜100GHz)では、範囲内の最高周波数の約半分の波長は、1.6mmである。フェーズドアレーアンテナにおいて、このような複数の基板が対応するアンテナ素子に直接結合される場合、所望のアンテナパターンを提供するために、それぞれのアンテナ素子間の間隔は、ある最大距離、例えば1/2波長以下であることが要求されてもよい。これは、各基板が対応するアンテナ素子に直接結合される場合、基板が隣接するアンテナ素子間の間隔内に物理的に適合するために、基板の幅も、ある最大距離よりも大きくないという要件を提供する。サーキュレータ要素を含む基板100の厚さは、0.2mm及び好ましくは0.1mmと薄くてもよい。サーキュレータは、低い入力損失、例えば約0.6dBで、W帯域を横切って約40dBのアイソレーション(受信器ポートに対するアンテナポートでの送信RF信号)を提供する。集積及び/又は表面実装された半導体並びにスルーホール相互接続に加えて、薄膜抵抗及びキャパシタが利用される。
図2は、基板100に含まれる回路のブロック図を示す。入力107において、送信RF信号は、サーキュレータ125の入力ポート120に接続された出力を有する電力増幅器115に結合される前に、位相調整器105によって受信され、処理される。サーキュレータ125のアンテナポート130は、ポート120からの送信RF信号をアンテナに結合し、アンテナからの受信RF信号をサーキュレータ125の受信機ポート135に結合する。低雑音増幅器140は、ポート135からの受信RF信号を増幅し、更なる受信器回路に出力152を提供する位相調整器150に結合する。
基板100上に提供される回路機能は、変化し得ることが理解されるのであろう。例えば、本発明による基板は、電力増幅器、サーキュレータ、及び受信RF信号増幅器のみを含むことができる。あるいはそのような基板は、送信RF信号部品、サーキュレータ、及び受信RF信号部品を含んでもよく、ここで、送信RF信号部品及び受信RF信号部品は、サーキュレータの各々のポートへ、又はサーキュレータの各々のポートから、各々のRF信号をリンクさせるための役割を果たす。更に、本発明の目的に従った基板は、受信RF信号要求が存在しない送信電力増幅器及びアイソレータのみを含んでもよい。
図3及び図4は、それぞれ、平面図及び断面図として、例示的なフェライトサーキュレータ要素165を収容する基板100の拡大部分を示す。半導体基板100は、搬送されるRF信号の周波数に適した任意の従来の半導体材料300を使用することができる。例えば、半導体材料300としてリン化インジウムを利用して、Wバンド周波数をサポートすることができる。自己バイアス磁性材料、例えばバリウムヘキサフェライトのディスク305は、半導体材料300内の内部端310によって画定されるポケット315内に埋め込まれる。金属320のY接合は、ディスク305の領域に対して過大サイズである。3つのマイクロストリップ325を使用して、サーキュレータ165に関連する3つのRF信号/ポートをサーキュレータに、及びサーキュレータから結合する。裏面接地340は、基板材料300の底部を覆う。フェライトディスクを挿入する前に、基板を有する半導体ウェハは、標準的なフロントサイド処理を受けているのであろう。次いで、裏面処理の間、ポケット315は、あるサイズの基板の後部からエッチングされて、それぞれの磁気ディスクを完全に囲む。フェライトディスク305を半導体材料の裏面からポケット315に挿入する前に、金属層345及び350がフェライトディスクの上面及び底面にそれぞれ接着される。ディスクは、金−金熱圧縮又は金属層345の下側接合メタライゼーション325への共晶接合によって取り付けることができる。磁気ディスクの基板への挿入に続いて、半導体ウェハ/基板は、次いで、必要に応じて、追加の裏面処理又は任意の必要な表面実装電子部品の挿入など、さらなる処理を受けることができる。
図5は、フェーズドアレイアンテナシステム505を備えた基板の例示的な高密度利用500を示す。アンテナシステム505は、隣接する要素510間の間隔がD2である複数の離間した、個々に駆動されるアンテナ要素510を含む。理解されるように、アンテナシステム505は、典型的にはX−Yグリッド内に離間された複数のアンテナ素子(そのような素子の1つの列のみが図5に示される)を含む。この例では、隣接する素子D2間の間隔は、アンテナシステムによってサポートされる最高周波数における1/2波長である。Wバンド・アンテナ・システムのこの例では、1つの波長は約3.2mmであり、したがって、1つの半波長は約1.6mmである。各々が一体型サーキュレータを有する複数の基板515は、基板100に従って、それぞれのアンテナ素子510を駆動するように直接接続される。基板515の幅は1.6mmであるため、各基板をそれぞれのアンテナ素子の対応するものに直接接続する物理的空間が存在する。物理的サイズの制約が物理的に小さな電子基板の必要性を指示する1つの例としてアンテナシステムが提供されてきたが、必然的ではないとしても、一体的に組み込まれたアイソレータ/サーキュレータを有する物理的に小さな基板が実質的な利点をもたらす他の用途及び要件が存在する。
図6は、入力612を有する電力増幅器610を含む電子基板605上の例示的組立品600の上面図を示す。基板の残りの部分には、フェライトディスク615及び620を備えたアイソレータがある。アイソレータの出力622は、アンテナへの接続点を提供する。アイソレータは、ディスク615及び620が基板内の対応するポケット内に完全に収容されている状態で、図1のサーキュレータと構造が類似している。この組立品は、Wバンドでの動作も意図している。この基板は、幅1.4mm×長さ1.6mm、厚さ約0.1mmの寸法を有する。このアイソレータは、低い入力損失でWバンド全体にわたって約20dBのアイソレーションを提供する。集積及び/又は表面実装された半導体並びにスルーホール相互接続に加えて、薄膜抵抗及びキャパシタが利用される。
本発明の例示的な実施態様を本明細書に示し、詳細に説明したが、本発明の精神から逸脱することなく、様々な修正、追加、置換などを行うことができることが当業者には明らかであろう。例えば、使用され得る他の半導体基板技術は、ガリウム砒素、炭化ケイ素、及びシリコンを含む。例えば、溶融石英、アルミナ、溶融シリカのような、様々な誘電体基板材料も同様に利用することができる。記載された実施形態について説明された集積化アプローチは、ポケットをエッチングするために互換性のあるプロセスが使用されることを除いて、これらの半導体基板技術及び誘電体基板材料にも適用されるのであろう。これは、主に基板材料間の化学的差異に関連する。基板の表面側のマルチレベル相互接続層スタックを使用して、基板上で使用されるサーキュレータ及び部品の設計にさらなる柔軟性を提供することができる。例えば、基板の表面側にマルチレベル相互接続層スタックを設けると、寸法ギャップ変動による任意の感度を最小にするために、半導体とフェライトとの間のギャップを横切る能力を提供する、基板の表面側の接地メタライゼーションの使用を容易にするのであろう。この状況では、接合メタライゼーションがフェライトディスクよりも小さな直径であろう。
本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲において定義される。
Claims (15)
- 平面半導体基板であって、
半導体部品を有する表面と、表面に向かって内側に延在する少なくとも1つの凹部を含む裏面とを有する、前記平面半導体基板と、
前記平面半導体基板の一部として形成された、アイソレータ及びサーキュレータのうちの1つであって、
前記少なくとも1つの凹部に取り付けられた少なくとも1つの磁気フェライトディスクを有し、前記アイソレータ及びサーキュレータのうちの1つと、
を備え、
前記アイソレータ及びサーキュレータのうちの1つは、少なくとも入力ポート及び出力ポートを有し、
前記入力ポートは、前記出力ポートに低い入力損失で結合される無線周波数信号を受信すると共に、前記出力ポートから前記入力ポートに伝搬しようとする他の無線周波数信号に高い入力損失を提供するように配置される、
電子組立品。 - 前記少なくとも1つの磁気フェライトディスクは、前記平面半導体基板の厚さ内において含まれる、請求項1に記載の電子組立品。
- 前記アイソレータ及びサーキュレータのうちの1つは、75〜100GHz範囲内の無線周波数無線周波数信号に有効である、請求項1に記載の電子組立品。
- 前記平面基板の厚さは、0.2mm以下である、請求項2に記載の電子組立品。
- 前記平面半導体基板は、無線周波数無線周波数信号の1/2波長以下の幅寸法を有する、請求項1に記載の電子組立品。
- 前記平面半導体基板は、実質的に1.6mmである前記無線周波数無線周波数信号の1/2波長以下の幅寸法を有する、請求項3に記載の電子組立品。
- 前記無線周波数信号の1/2波長以下の隣接する要素間の間隔を有する複数の被駆動要素を有するアンテナアレイを、更に備え、
前記出力ポートは、第1の被駆動要素に接続可能であり、
前記平面半導体基板の幅寸法は、追加の平面半導体基板が隣接する前記平面半導体基板間の物理的干渉なしに、それぞれの隣接するアンテナ要素に直接接続されることを可能にする寸法である、請求項5に記載の電子組立品。 - 少なくとも1つの凹部の反対側の表面上の金属導体であって、少なくとも1つの凹部の端部を画定する、前記金属導体と、
少なくとも1つの磁気フェライトディスクの1つの表面に取り付けられた金属層と、
を、更に備え、
前記少なくとも1つの磁気フェライトディスクは、前記金属導体と前記金属層との取り付けによって、前記少なくとも1つの凹部内に装着され、保持される、
請求項1に記載の電子組立品。 - 前記平面半導体基板の表面側に部品を備えた、電力増幅器と、
少なくとも前記入力ポートに接続された、前記電力増幅器のPA出力と、
を更に備える、請求項1に記載の電子組立品。 - 平面半導体基板であって、
半導体部品を有する表面と、表面に向かって内側に延在する少なくとも1つの凹部を含む裏面とを有する、前記平面半導体基板と、
前記平面半導体基板の一部として形成され、前記少なくとも1つの凹部に取り付けられた少なくとも1つの磁気フェライトディスクを有する、サーキュレータであって、75〜100GHzの間の周波数で動作可能な、前記サーキュレータと、
を備え、
前記サーキュレータは、送信ポートと、出力ポートと、受信ポートとを有し、
前記送信ポートは、前記出力ポートに低い入力損失で結合される無線周波数送信信号を受信するように配置され、
前記出力ポートは、前記受信ポートに低い入力損失で結合される無線周波数受信信号を受信するように配置され、
前記サーキュレータは、前記無線周波数送信信号に対して前記受信ポートにおいて高い入力損失を提供し、
前記平面半導体基板は、実質的に1.6mmである、無線周波数信号の1/2波長以下の幅寸法及び長さ寸法のうちの少なくとも1つを有する、
電子組立品。 - 前記少なくとも1つの磁気フェライトディスクが、前記平面半導体基板の厚さ内において完全に含まれる、請求項10に記載の電子組立品。
- 前記平面基板の厚さは、0.2mm以下である、請求項11に記載の電子組立品。
- 前記無線周波数信号の1/2波長以下の隣接する要素間の間隔を有する複数の被駆動要素を有するアンテナアレイを、更に備え、
前記出力ポートは、第1の被駆動要素に接続可能であり、
前記平面半導体基板の前記幅寸法及び長さ寸法のうちの少なくとも1つは、追加の平面半導体基板が隣接する前記平面半導体基板間の物理的干渉なしに、それぞれの他の隣接するアンテナ要素に直接接続されることを可能にする寸法である、
請求項10に記載の電子組立品。 - 少なくとも1つの凹部の反対側の表面上の金属導体であって、少なくとも1つの凹部の端部を画定する、前記金属導体と、
少なくとも1つの磁気フェライトディスクの1つの表面に取り付けられた金属層と、
を更に備え、
前記少なくとも1つの磁気フェライトディスクは、前記金属導体と前記金属層との取り付けによって、前記少なくとも1つの凹部内に装着され、保持される
請求項10に記載の電子組立品。 - 前記平面半導体基板の表面側に部品を備えた電力増幅器と、
前記送信ポートに接続された前記電力増幅器のPA出力と、
前記平面半導体基板の表面側に部品を備えた受信増幅器と、
前記受信ポートに接続された前記受信増幅器の入力と、
を更に備えた、請求項10に記載の電子組立品。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/794,078 | 2017-10-26 | ||
US15/794,078 US10340570B2 (en) | 2017-10-26 | 2017-10-26 | Microelectronic RF substrate with an integral isolator/circulator |
PCT/US2018/053711 WO2019083689A1 (en) | 2017-10-26 | 2018-10-01 | MICROELECTRONIC RF SUBSTRATE WITH INTEGRATED ISOLATOR / CIRCULATOR |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021501501A true JP2021501501A (ja) | 2021-01-14 |
Family
ID=63963493
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020521427A Pending JP2021501501A (ja) | 2017-10-26 | 2018-10-01 | 一体型アイソレータ/サーキュレータを備えたマイクロ電子rf基板 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10340570B2 (ja) |
EP (1) | EP3701586A1 (ja) |
JP (1) | JP2021501501A (ja) |
WO (1) | WO2019083689A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11152677B2 (en) * | 2018-11-12 | 2021-10-19 | Qorvo Us, Inc. | Integration of self-biased magnetic circulators with microwave devices |
WO2021252132A1 (en) * | 2020-06-12 | 2021-12-16 | Northrop Grumman Systems Corporation | Integrated circulator system |
FR3139943A1 (fr) | 2022-09-21 | 2024-03-22 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Module frontal d’émission et/ou réception radiofréquence et procédé de fabrication associé |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11154806A (ja) * | 1997-11-19 | 1999-06-08 | Nec Corp | 基板型非可逆素子及びそれを用いた集積回路 |
WO2011089810A1 (ja) * | 2010-01-21 | 2011-07-28 | 株式会社村田製作所 | 回路モジュール |
US20110193649A1 (en) * | 2004-12-17 | 2011-08-11 | Ems Technologies, Inc. | Integrated circulators sharing a continuous circuit |
US20140323064A1 (en) * | 2013-04-29 | 2014-10-30 | Broadcom Corporation | Mcm integration and power amplifier matching of non-reciprocal devices |
JP2015035675A (ja) * | 2013-08-08 | 2015-02-19 | 三菱電機株式会社 | 高周波モジュール |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3680794B2 (ja) * | 1999-07-29 | 2005-08-10 | Tdk株式会社 | パワーアンプ内蔵型アイソレータ装置 |
-
2017
- 2017-10-26 US US15/794,078 patent/US10340570B2/en active Active
-
2018
- 2018-10-01 WO PCT/US2018/053711 patent/WO2019083689A1/en unknown
- 2018-10-01 EP EP18792699.3A patent/EP3701586A1/en not_active Withdrawn
- 2018-10-01 JP JP2020521427A patent/JP2021501501A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11154806A (ja) * | 1997-11-19 | 1999-06-08 | Nec Corp | 基板型非可逆素子及びそれを用いた集積回路 |
US20110193649A1 (en) * | 2004-12-17 | 2011-08-11 | Ems Technologies, Inc. | Integrated circulators sharing a continuous circuit |
WO2011089810A1 (ja) * | 2010-01-21 | 2011-07-28 | 株式会社村田製作所 | 回路モジュール |
US20140323064A1 (en) * | 2013-04-29 | 2014-10-30 | Broadcom Corporation | Mcm integration and power amplifier matching of non-reciprocal devices |
JP2015035675A (ja) * | 2013-08-08 | 2015-02-19 | 三菱電機株式会社 | 高周波モジュール |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
E.F. SCHLOEMANN: "Circulators for microwave and millimeter-wave integrated circuits", PROCEEDINGS OF THE IEEE, vol. 76, no. 2, JPN6021049979, February 1988 (1988-02-01), XP002184366, ISSN: 0004662474 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190131681A1 (en) | 2019-05-02 |
US10340570B2 (en) | 2019-07-02 |
EP3701586A1 (en) | 2020-09-02 |
WO2019083689A1 (en) | 2019-05-02 |
WO2019083689A9 (en) | 2019-07-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7495521B2 (en) | Multi-channel circulator/isolator apparatus and method | |
US10305161B2 (en) | Method of providing dual stripline tile circulator utilizing thick film post-fired substrate stacking | |
JP6639859B2 (ja) | 切替え可能送受信フェーズド・アレイ・アンテナ | |
JP7476168B2 (ja) | アンテナ素子モジュール | |
JP2021501501A (ja) | 一体型アイソレータ/サーキュレータを備えたマイクロ電子rf基板 | |
KR101638678B1 (ko) | 페이즈드 어레이를 위한 통합된 써큘레이터 | |
US8704608B1 (en) | Integrated circulator for phased arrays | |
WO2020140579A9 (zh) | 滤波天线器件 | |
US8367941B2 (en) | Filter, branching filter, communication module, and communication equipment | |
TW201011984A (en) | Radio frequency (RF) integrated circuit (IC) packages with integrated aperture-coupled patch antenna(s) in ring and/or offset cavities | |
JPH10303640A (ja) | アンテナ装置 | |
US11152677B2 (en) | Integration of self-biased magnetic circulators with microwave devices | |
US11955737B2 (en) | Antenna module and communication device carrying the same | |
US11881610B2 (en) | Integrated thick film spacer for RF devices | |
US4761621A (en) | Circulator/isolator resonator | |
JPWO2004051790A1 (ja) | アクティブアンテナ | |
Bugeau et al. | Advanced MMIC T/R module for 6 to 18 GHz multifunction arrays | |
JP2011171805A (ja) | 送受信モジュール | |
WO2022230683A1 (ja) | 高周波モジュール及び通信装置 | |
JPH04160804A (ja) | モノリシックアンテナ | |
US9294143B1 (en) | Circulator used as a high power TX/RX switch | |
JP2003218619A (ja) | 小型アンテナ | |
JP2012217109A (ja) | 高周波回路基板 | |
JP2003198080A (ja) | 配線基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210413 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20211207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211214 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20220705 |