WO2022230683A1

WO2022230683A1 - 高周波モジュール及び通信装置

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Publication number: WO2022230683A1
Application number: PCT/JP2022/017828
Authority: WO
Inventors: 孝紀上嶋; 宏通北嶋; 大中川
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2021-04-26
Filing date: 2022-04-14
Publication date: 2022-11-03
Also published as: US20240057247A1

Abstract

第１電子部品の放熱性を向上できる高周波モジュールを提供する。高周波モジュール（１）は、実装基板（３）と、第１電子部品（１７，１２Ａ）と、第１樹脂層（５１）と、第１グランド電極（６）とを備える。実装基板（３）は、互いに対向する第１主面（３１）及び第２主面（３２）を有する。第１電子部品（１７，１２Ａ）は、実装基板（３）の第１主面（３１）に配置されている。第１樹脂層（５１）は、実装基板（３）の第１主面（３１）に配置されており、第１電子部品（１７，１２Ａ）の外周面の少なくとも一部を覆う。第１グランド電極（６）は、第１樹脂層（５１）の少なくとも一部を覆う。第１電子部品（１７，１２Ａ）における実装基板（３）の側とは反対側の主面（１７１，１２１Ａ）は、第１グランド電極（６）と接続されている。実装基板（３）は、実装基板（３）の内部に第２グランド電極（３４）を有する。第１グランド電極（６）は、第２グランド電極（３４）と接続されている。

Description

高周波モジュール及び通信装置

　本発明は、一般に高周波モジュール及び通信装置に関し、より詳細には、実装基板に配置された電子部品を備える高周波モジュール、及び、この高周波モジュールを備える通信装置に関する。

　特許文献１に記載のモジュール（高周波モジュール）は、モジュール基板（実装基板）と、フィルタ（第１電子部品）と、樹脂層（第１樹脂層）と、金属膜とを備える。フィルタは、モジュール基板に配置されている。樹脂層は、フィルタの側面を覆うように設けられている。金属膜は、フィルタ及び樹脂層の各々の上面を設けられている。フィルタで発生した熱は、金属層を介して放熱される。

国際公開第２０１４／０１３８３１号

　特許文献１に記載のモジュールでは、フィルタ（第１電子部品）の放熱性が十分ではない。

　本発明は上記課題に鑑みてなされ、第１電子部品の放熱性を向上できる高周波モジュール及び通信装置を提供することを目的とする。

　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、第１電子部品と、第１樹脂層と、第１グランド電極と、を備える。前記実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。前記第１電子部品は、前記実装基板の前記第１主面に配置されている。前記第１樹脂層は、前記実装基板の前記第１主面に配置されており、前記第１電子部品の外周面の少なくとも一部を覆う。前記第１グランド電極は、前記第１樹脂層の少なくとも一部を覆う。前記第１電子部品における前記実装基板の側とは反対側の主面は、前記第１グランド電極と接続されている。前記実装基板は、前記実装基板の内部に第２グランド電極を有する。前記第１グランド電極は、前記第２グランド電極と接続されている。

　本発明の一態様に係る通信装置は、前記高周波モジュールと、信号処理回路と、を備える。前記信号処理回路は、前記高周波モジュールを通る高周波信号を処理する。

　本発明によれば、第１電子部品の放熱性を向上できる、という利点を有する。

図１は、実施形態に係る高周波モジュール及び通信装置のブロック図である。図２は、同上の高周波モジュールの実装基板の第１主面を第１主面側から見た平面図である。図３は、図２のＸ１－Ｘ１線断面図である。図４は、同上の高周波モジュールの実装基板の第２主面を第１主面側から透視した平面図である。図５は、外部基板の第１主面を同上の高周波モジュール側から見た平面図である。図６は、同上の高周波モジュールにおける送信フィルタ及び送受信フィルタの放熱経路を説明する説明図である。図７は、変形例１における第１グランド電極と第２グランド電極との接続の仕方を説明する説明図である。図８は、変形例１の変形例における第１グランド電極と第２グランド電極との接続の仕方を説明する説明図である。図９は、変形例１の別の変形例における第１グランド電極と第２グランド電極との接続の仕方を説明する説明図である。図１０は、変形例２に係る高周波モジュールの断面図である。図１１は、変形例３に係る高周波モジュールの断面図である。図１２は、変形例４に係る高周波モジュールの断面図である。図１３は、変形例５に係る高周波モジュールの断面図である。図１４は、変形例６に係る高周波モジュールの断面図である。図１５は、変形例７に係る高周波モジュールの断面図である。図１６は、変形例８に係る高周波モジュールの断面図である。

　以下の実施形態等において参照する図１～図１６は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。

　（実施形態）
　（１）概要
　本実施形態に係る高周波モジュール１は、図３に示すように、実装基板３と、第１電子部品（例えば送信フィルタ１２Ａ及び送受信フィルタ１７）と、第１樹脂層５１と、第１グランド電極６と、を備える。実装基板３は、互いに対向する第１主面３１及び第２主面３２を有する。第１電子部品１２Ａ、１７は、実装基板３の第１主面３１に配置されている。第１樹脂層５１は、実装基板３の第１主面３１に配置されており、第１電子部品１２Ａ，１７の外周面の少なくとも一部を覆う。第１グランド電極６は、第１樹脂層５１の少なくとも一部を覆う。第１電子部品１２Ａ，１７における実装基板３の側とは反対側の主面１２１Ａ，１７１は、第１グランド電極６と接続されている。実装基板３は、実装基板３の内部に第２グランド電極３４を有する。第１グランド電極６は、第２グランド電極３４と接続されている。

　この構成によれば、第１電子部品１２Ａ，１７における実装基板３の側とは反対側の主面１２１Ａ，１７１が第１グランド電極６と接続されており、第１グランド電極６が第２グランド電極３４と接続されている。これにより、第１電子部品１２Ａ，１７で発生した熱を第１グランド電極６を通じて第２グランド電極３４に放熱できる。この結果、第１電子部品１２Ａ，１７の放熱性を向上できる。

　（２）詳細説明
　以下、本実施形態に係る高周波モジュール１及び通信装置３００について、図１～図６を参照して詳しく説明する。

　（２－１）通信装置の構成
　図１に示すように、通信装置３００は、高周波モジュール１を備える通信装置である。通信装置３００は、例えば携帯端末（例えばスマートフォン）であるが、これに限らず、例えばウェアラブル端末（例えばスマートウォッチ）であってもよい。高周波モジュール１は、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格及び５Ｇ（第５世代移動通信）規格に対応可能なモジュールである。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ（登録商標、Third Generation Partnership Project）　ＬＴＥ（登録商標、Long Term Evolution）規格である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ　ＮＲ（New Radio）である。高周波モジュール１は、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティに対応可能なモジュールである。

　通信装置３００は、高周波モジュール１の他に、信号処理回路３０１と、少なくとも１つ（図１の図示例では１つ）のアンテナ３１０とを備える。

　高周波モジュール１は、アンテナ３１０で受信された受信信号（高周波信号）を増幅して信号処理回路３０１に出力するように構成されている。また、高周波モジュール１は、信号処理回路３０１からの送信信号を増幅してアンテナ３１０に出力するように構成されている。高周波モジュール１は、例えば、信号処理回路３０１によって制御される。

　信号処理回路３０１は、高周波モジュール１を通る高周波信号（送信信号及び受信信号）を処理する。より詳細には、信号処理回路３０１は、高周波モジュール１から受け取る受信信号を信号処理するように構成されている。また、信号処理回路３０１は、高周波モジュール１に出力する送信信号を信号処理するように構成されている。信号処理回路３０１は、ＲＦ信号処理回路３０２とベースバンド信号処理回路３０３とを含む。

　ＲＦ信号処理回路３０２は、例えばＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）であり、高周波信号（受信信号）に対して信号処理を行う。ＲＦ信号処理回路３０２は、例えば、高周波モジュール１から受け取った受信信号を、ダウンコンバート等の信号処理を行ってベースバンド信号処理回路３０３に出力する。また、ＲＦ信号処理回路３０２は、ベースバンド信号処理回路３０３から出力された送信信号をアップコンバート等の信号処理を行って高周波モジュール１に出力する。

　ベースバンド信号処理回路３０３は、例えばＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）である。ベースバンド信号処理回路３０３は、ＲＦ信号処理回路３０２から受け取った受信信号を外部に出力する。この出力信号（受信信号）は、例えば、画像信号として画像表示のために、又は、音声信号として通話のために使用される。また、ベースバンド信号処理回路３０３は、外部から入力されたベースバンド信号（例えば音声信号及び画像信号）から送信信号を生成し、生成した送信信号をＲＦ信号処理回路３０２に出力する。

　（２－２）高周波モジュールの回路構成の一例
　図１に示すように、高周波モジュール１は、アンテナ３１０と信号処理回路３０１との間で高周波信号（例えば受信信号及び送信信号）を伝達する。

　高周波モジュール１は、２つのパワーアンプ１１Ａ，１１Ｂと、２つのローノイズアンプ１４Ａ，１４Ｂと、を更に備える。また、高周波モジュール１は、２つの送信フィルタ１２Ａ，１２Ｂと、２つの受信フィルタ１５Ａ，１５Ｂと、１つの送受信フィルタ１７を更に備える。また、高周波モジュール１は、第１スイッチ２１と、第２スイッチ２２と、第３スイッチ２３と、第４スイッチ２４とを更に備える。また、高周波モジュール１は、２つの出力整合回路１３Ａ，１３Ｂと、３つの整合回路１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃと、２つの入力整合回路１６Ａ，１６Ｂと、１つの整合回路１９と、を更に備える。また、高周波モジュール１は、コントローラ２０を更に備える。

　また、高周波モジュール１は、複数の外部接続電極８を備えている。複数の外部接続電極８は、アンテナ端子８１と、２つの信号入力端子８２Ａ，８２Ｂと、２つの信号出力端子８３Ａ、８３Ｂと、制御端子８４とを含む。アンテナ端子８１は、アンテナ３１０が接続される端子である。２つの信号入力端子８２Ａ，８２Ｂはそれぞれ、信号処理回路３０１からの高周波信号（送信信号）を高周波モジュール１に入力するための端子である。２つの信号出力端子８３Ａ，８３Ｂはそれぞれ、高周波モジュール１からの高周波信号（受信信号）を信号処理回路３０１に出力するための端子である。制御端子８４は、信号処理回路３０１からの制御信号をコントローラ２０に入力するための端子である。

　パワーアンプ１１Ａは、信号入力端子８２Ａに接続された送信経路Ｔ１に設けられている。パワーアンプ１１Ａは、信号処理回路３０１からの送信信号を増幅して出力する。より詳細には、パワーアンプ１１Ａは、信号処理回路３０１から信号入力端子８２Ａを介して入力された第１所定周波数帯域の送信信号を増幅して出力する。ここにおいて、第１所定周波数帯域は、例えば、第１通信バンドと第２通信バンドとを含む。第１通信バンドは、送信フィルタ１２Ａを通る送信信号に対応する。第２通信バンドは、送信フィルタ１２Ｂを通る送信信号に対応する。

　パワーアンプ１１Ａは、入力端子及び出力端子を有する。パワーアンプ１１Ａの入力端子は、信号入力端子８２Ａに接続されている。したがって、パワーアンプ１１Ａの入力端子は、信号入力端子８２Ａを介して信号処理回路３０１に接続されている。パワーアンプ１１Ａの出力端子は、出力整合回路１３Ａを介して第２スイッチ２２の共通端子２２０に接続されている。

　パワーアンプ１１Ｂは、信号入力端子８２Ｂに接続された送信経路Ｔ２に設けられている。パワーアンプ１１Ｂは、信号処理回路３０１からの送信信号を増幅して出力する。より詳細には、パワーアンプ１１Ｂは、信号処理回路３０１から信号入力端子８２Ｂを介して入力された第２所定周波数帯域の送信信号を増幅して出力する。ここにおいて、第２所定周波数帯域は、例えば、第３通信バンドを含む。第３通信バンドは、送受信フィルタ１７を通る送信信号に対応する。

　パワーアンプ１１Ｂは、入力端子及び出力端子を有する。パワーアンプ１１Ｂの入力端子は、信号入力端子８２Ｂに接続されている。したがって、パワーアンプ１１Ｂの入力端子は、信号入力端子８２Ｂを介して信号処理回路３０１に接続されている。パワーアンプ１１Ｂの出力端子は、出力整合回路１３Ｂを介して第４スイッチ２４の選択端子２４１に接続されている。

　出力整合回路１３Ａは、パワーアンプ１１Ａの出力端子と第２スイッチ２２の共通端子２２０との間に設けられている。出力整合回路１３Ａは、パワーアンプ１１Ａと送信フィルタ１２Ａ，１２Ｂとのインピーダンス整合をとるための回路である。出力整合回路１３Ｂは、パワーアンプ１１Ｂの出力端子と第４スイッチ２４の選択端子２４１との間に設けられている。出力整合回路１３Ｂは、パワーアンプ１１Ｂと送受信フィルタ１７とのインピーダンス整合をとるための回路である。

　ローノイズアンプ１４Ａは、入力端子及び出力端子を有する。ローノイズアンプ１４Ａは、信号出力端子８３Ａに接続された受信経路Ｒ１に設けられている。ローノイズアンプ１４Ａは、ローノイズアンプ１４Ａの入力端子に入力された第１所定周波数帯域の受信信号を増幅してローノイズアンプ１４Ａの出力端子から出力する。ローノイズアンプ１４Ａの入力端子は、入力整合回路１６Ａを介して第３スイッチ２３の共通端子２３０に接続されている。ローノイズアンプ１４Ａの出力端子は、信号出力端子８３Ａに接続されている。したがって、ローノイズアンプ１４Ａの出力端子は、信号出力端子８３Ａを介して信号処理回路３０１に接続される。

　ローノイズアンプ１４Ｂは、入力端子及び出力端子を有する。ローノイズアンプ１４Ｂは、信号出力端子８３Ｂに接続された受信経路Ｒ２に設けられている。ローノイズアンプ１４Ｂは、ローノイズアンプ１４Ｂの入力端子に入力された第２所定周波数帯域の受信信号を増幅してローノイズアンプ１４Ｂの出力端子から出力する。ローノイズアンプ１４Ｂの入力端子は、入力整合回路１６Ｂを介して第４スイッチ２４の選択端子２４２に接続されている。ローノイズアンプ１４Ｂの出力端子は、信号出力端子８３Ｂに接続されている。したがって、ローノイズアンプ１４Ｂの出力端子は、信号出力端子８３Ｂを介して信号処理回路３０１に接続される。

　入力整合回路１６Ａは、ローノイズアンプ１４Ａの入力端子と第３スイッチ２３の共通端子２３０との間に設けられている。入力整合回路１６Ａは、ローノイズアンプ１４Ａと受信フィルタ１５Ａ，１５Ｂとのインピーダンス整合をとるための回路である。入力整合回路１６Ｂは、ローノイズアンプ１４Ｂの入力端子と第４スイッチ２４の選択端子２４２との間に設けられている。入力整合回路１６Ｂは、ローノイズアンプ１４Ｂと送受信フィルタ１７とのインピーダンス整合をとるための回路である。

　送信フィルタ１２Ａは、第２スイッチ２２の選択端子２２１と整合回路１８Ａの間に接続されている。送信フィルタ１２Ａは、第１通信バンドの送信帯域を通過帯域とするフィルタである。送信フィルタ１２Ｂは、第２スイッチ２２の選択端子２２２と整合回路１８Ｂとの間に接続されている。送信フィルタ１２Ｂは、第２通信バンドの送信帯域を通過帯域とするフィルタである。受信フィルタ１５Ａは、第３スイッチ２３の選択端子２３１と整合回路１８Ａとの間に接続されている。受信フィルタ１５Ａは、第１通信バンドの受信帯域を通過帯域とするフィルタである。受信フィルタ１５Ｂは、第３スイッチ２３の選択端子２３２と整合回路１８Ｂとの間に接続されている。受信フィルタ１５Ｂは、第２通信バンドの受信帯域を通過帯域とするフィルタである。送受信フィルタ１７は、第４スイッチ２４の共通端子２４０と整合回路１８Ｃとの間に接続されている。送受信フィルタ１７は、第３通信バンドの送信帯域及び受信帯域を通過帯域とするフィルタである。

　送信フィルタ１２Ａ，１２Ｂ、受信フィルタ１５Ａ，１５Ｂ及び送受信フィルタ１７は、例えば、弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、弾性表面波を利用する表面弾性波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）フィルタである。なお、送信フィルタ１２Ａ，１２Ｂ、受信フィルタ１５Ａ，１５Ｂ及び送受信フィルタ１７は、ＳＡＷフィルタに限定されず、ＳＡＷフィルタ以外に例えばＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）フィルタであってもよい。

　第１スイッチ２１は、アンテナ端子８１に接続されるアンテナスイッチである。第１スイッチ２１は、共通端子２１０と、複数（ここでは、３つ）の選択端子２１１～２１３とを有する。共通端子２１０は、アンテナ端子８１に接続されている。アンテナ端子８１には、アンテナ３１０が接続される。選択端子２１１は、整合回路１８Ａを介して、送信フィルタ１２Ａの出力端子と受信フィルタ１５Ａの入力端子との接続点に接続されている。選択端子２１２は、整合回路１８Ｂを介して、送信フィルタ１２Ｂの出力端子と受信フィルタ１５Ｂの入力端子との接続点に接続されている。選択端子２１３は、整合回路１８Ｃを介して、送受信フィルタ１７に接続されている。第１スイッチ２１は、共通端子２１０に複数（ここでは、３つ）の選択端子２１１～２１３のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。第１スイッチ２１は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。

　第１スイッチ２１は、コントローラ２０によって制御される。第１スイッチ２１は、コントローラ２０からの制御信号にしたがって、共通端子２１０と複数の選択端子２１１～２１３との接続状態を切り替える。第１スイッチ２１は、例えば、スイッチＩＣ（Integrated Circuit）である。

　第２スイッチ２２は、互いに通信バンドの異なる複数の送信信号用の信号経路を切り替えるためのバンドセレクトスイッチである。第２スイッチ２２は、共通端子２２０と、複数（ここでは、２つ）の選択端子２２１～２２２とを有する。共通端子２２０は、出力整合回路１３Ａを介してパワーアンプ１１Ａの出力端子に接続されている。選択端子２２１は、送信フィルタ１２Ａの入力端子に接続されている。選択端子２２２は、送信フィルタ１２Ｂの入力端子に接続されている。第２スイッチ２２は、共通端子２２０に複数の選択端子２２１～２２２のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。第２スイッチ２２は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。

　第２スイッチ２２は、コントローラ２０によって制御される。第２スイッチ２２は、コントローラ２０からの制御信号にしたがって、共通端子２２０と複数の選択端子２２１～２２２との接続状態を切り替える。第２スイッチ２２は、例えば、スイッチＩＣである。

　第３スイッチ２３は、共通端子２３０と、複数の選択端子２３１～２３２とを有する。共通端子２３０は、入力整合回路１６Ａを介して、ローノイズアンプ１４Ａの入力端子に接続されている。選択端子２３１は、受信フィルタ１５Ａの出力端子に接続されている。選択端子２３２は、受信フィルタ１５Ｂの出力端子に接続されている。第３スイッチ２３は、共通端子２３０に複数の選択端子２３１～２３２のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。第３スイッチ２３は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。

　第３スイッチ２３は、コントローラ２０によって制御される。第３スイッチ２３は、コントローラ２０からの制御信号にしたがって、共通端子２３０と複数の選択端子２３１～２３２との接続状態を切り替える。第３スイッチ２３は、例えば、スイッチＩＣである。

　整合回路１８Ａは、送信フィルタ１２Ａ及び受信フィルタ１５Ａと第１スイッチ２１の選択端子２１１との間に設けられている。整合回路１８Ａは、第１スイッチ２１と送信フィルタ１２Ａ及び受信フィルタ１５Ａとのインピーダンス整合をとるための回路である。整合回路１８Ｂは、送信フィルタ１２Ｂ及び受信フィルタ１５Ｂと第１スイッチ２１の選択端子２１２との間に設けられている。整合回路１８Ｂは、第１スイッチ２１と送信フィルタ１２Ｂ及び受信フィルタ１５Ｂとのインピーダンス整合をとるための回路である。整合回路１８Ｃは、送受信フィルタ１７と第１スイッチ２１の選択端子２１３との間に設けられている。整合回路１８Ｃは、第１スイッチ２１と送受信フィルタ１７とのインピーダンス整合をとるための回路である。

　コントローラ２０は、信号処理回路３０１からの制御信号に従って、パワーアンプ１１Ａ，１１Ｂと、ローノイズアンプ１４Ａ，１４Ｂと、第１～第４スイッチ２１～２４等の電子部品を制御する制御装置である。コントローラ２０は、上記の電子部品と電気的に接続されている。また、コントローラ２０は、制御端子８４を介して信号処理回路３０１の出力部に接続されている。コントローラ２０は、信号処理回路３０１から制御端子８４に入力された制御信号に従って、上記の電子部品を制御する。

　（２－３）通信装置の動作の一例
　高周波モジュール１は、第１～第３送信経路Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２及び第１～第３受信経路Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２を有する。第１送信経路Ｔ１１は、信号入力端子８２Ａから順にパワーアンプ１１Ａ、出力整合回路１３Ａ、第２スイッチ２２、送信フィルタ１２Ａ、整合回路１８Ａ、第１スイッチ２１、及び整合回路１９を経由してアンテナ端子８１に到る信号経路である。第２送信経路Ｔ１２は、信号入力端子８２Ａから順にパワーアンプ１１Ａ、出力整合回路１３Ａ、第２スイッチ２２、送信フィルタ１２Ｂ、整合回路１８Ｂ、第１スイッチ２１、及び整合回路１９を経由してアンテナ端子８１に到る信号経路である。第３送信経路Ｔ２は、信号入力端子８２Ｂから順にパワーアンプ１１Ｂ、出力整合回路１３Ｂ、第４スイッチ２４、送受信フィルタ１７、整合回路１８Ｃ、第１スイッチ２１、及び整合回路１９を経由してアンテナ端子８１に到る信号経路である。第１受信経路Ｒ１１は、アンテナ端子８１から順に整合回路１９、第１スイッチ２１、整合回路１８Ａ、受信フィルタ１５Ａ、第３スイッチ２３、入力整合回路１６Ａ、及びローノイズアンプ１４Ａを経由して信号出力端子８３Ａに到る信号経路である。第２受信経路Ｒ１２は、アンテナ端子８１から順に整合回路１９、第１スイッチ２１、整合回路１８Ｂ、受信フィルタ１５Ｂ、第３スイッチ２３、入力整合回路１６Ａ、及びローノイズアンプ１４Ａを経由して信号出力端子８３Ａに到る信号経路である。第３受信経路Ｒ２は、アンテナ端子８１から順に整合回路１９、第１スイッチ２１、整合回路１８Ｃ、送受信フィルタ１７、第４スイッチ２４、入力整合回路１６Ｂ、及びローノイズアンプ１４Ｂを経由して信号出力端子８３Ｂに到る信号経路である。

　この通信装置３００では、第１スイッチ２１によって、送信経路Ｔ１１及び受信経路Ｒ１１の組、送信経路Ｔ１２及び受信経路Ｒ１２の組と、送信経路Ｔ２及び受信経路Ｒ２の組のうちのいずれか１つの組が選択可能である。また、第２スイッチ２２によって、送信経路Ｔ１１，Ｔ１２のうちの一方が選択可能である。第３スイッチ２３によって、受信経路Ｒ１１，Ｒ１２のうちの一方が選択可能である。第４スイッチ２４によって、送信経路Ｔ２及び受信経路Ｒ２のうちの一方が選択可能である。

　送信信号を例えば送信経路Ｔ１１を用いて送信する場合は、第１スイッチ２１で３つの組の中から送信経路Ｔ１１及び受信経路Ｒ１１の組を選択し、第２スイッチ２２で送信経路Ｔ１１，Ｔ１２の中から送信経路Ｔ１１を選択する。これにより、信号処理回路３０１からの送信信号は、送信経路Ｔ１１を通ってアンテナ３１０から送信される。

　受信信号を例えば受信経路Ｒ１２を用いて受信する場合は、第１スイッチ２１で３つの組の中から送信経路Ｔ１２及び受信経路Ｒ１２の組を選択し、第３スイッチ２３で受信経路Ｒ１１，Ｒ１２の中から受信経路Ｒ１２を選択する。これにより、アンテナ３１０で受信された受信信号は、受信経路Ｒ１２を通って信号出力端子８３Ａから信号処理回路３０１に出力されて、信号処理回路３０１で信号処理される。

　（２－４）高周波モジュールの構造の一例
　高周波モジュール１の構造の一例について、図２～図５を参照して説明する。本実施形態では、高周波モジュール１の構造の一例として、実装基板３が片面実装構造である場合を例示する。

　以下の説明では、図３に示すように、実装基板３の厚さ方向Ｄ１を第１方向Ｄ１と記載する場合がある。また、図３に示すように、第１方向Ｄ１に直交する或る方向（例えば実装基板３の第２主面３２の２組の対辺のうちの一方の対辺に平行な方向（図２参照））を第２方向Ｄ２と記載する。また、図２に示すように、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２の両方に直交する方向（例えば第２主面３２の２組の対辺のうちの他方の対辺に平行な方向）を第３方向Ｄ３とする。

　また、図３において、紙面上、第１方向Ｄ１の上側及び第１方向Ｄ１の下側を単に「上側」及び「下側」と記載する場合がある。図２及び図３において、紙面上、第２方向Ｄ２の左側及び第２方向Ｄ２の右側を単に「左側」及び「右側」と記載する場合がある。図２において、紙面上、第３方向Ｄ３の上側及び第３方向Ｄ３の下側を単に「後側」及び「前側」と記載する場合がある。

　図３に示すように、高周波モジュール１は、実装基板３と、複数の電子部品４と、複数の外部接続電極８と、第１グランド電極６と、第１樹脂層５１とを備える。

　実装基板３は、複数の電子部品４を配置するための基板であり、例えば矩形の板状である。実装基板３は、実装基板３の厚さ方向Ｄ１において互いに対向する第１主面３１及び第２主面３２を有する。第１主面３１及び第２主面３２は、例えば矩形である。

　実装基板３は、複数の誘電体層３７及び複数の導電層（図示省略）を含む複数の層を有する基板（多層基板）である。複数の誘電体層及び複数の導電層は、実装基板３の厚さ方向Ｄ１において積層されている。複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。実装基板３は、例えば、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板である。実装基板３は、ＬＴＣＣ基板に限らず、例えば、プリント配線板、ＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramics）基板、樹脂多層基板であってもよい。

　実装基板３は、上記の複数の層の他に、第２グランド電極３４と、複数のビア３５（サーマルビア）と、複数のパッド電極（図示省略）とを含む。

　第２グランド電極３４は、実装基板３のグランド層として機能する部分であり、実装基板３の内部に設けられている。なお、第２グランド電極３４は、実装基板３の第２主面３２に設けられてもよい。第２グランド電極３４は、高周波モジュール１が外部基板３０４（例えばマザーボード）に配置されたとき、外部基板３０４のグランドに接続されてグランド電位（基準電位）に維持される。第２グランド電極３４は、実装基板３の第１主面３１に平行に広がった層状（膜状）である。第２グランド電極３４における第２方向Ｄ２の両端部は、実装基板３の外周面３３において実装基板３から露出している。

　複数のビア３５はそれぞれ、例えば柱状の導体部材であり、実装基板３の内部に設けられている。複数のビア３５は、実装基板３の第２主面３２に配置された外部接続電極８と第２グランド電極３４とを接続する。ビア３５の上端面（第１主面３１側の端面）は第２グランド電極３４に接続（例えば接触）されており、ビア３５の下端面（第２主面３２側の端面）は第２主面３２から露出して外部接続電極８に接続（例えば接触）されている。

　複数のパッド電極は、電子部品４の外部端子（図示省略）が接続される例えば平板状の導体部材である。複数のパッド電極は、実装基板３の第１主面３１に配置されている。複数のパッド電極は、実装基板３の上記の複数の導体層に接続されている。

　複数の電子部品４は、パワーアンプ１１Ａ，１１Ｂと、ローノイズアンプ１４Ａ，１４Ｂと、送信フィルタ１２Ａ，１２Ｂと、受信フィルタ１５Ａ，１５Ｂと、送受信フィルタ１７と、を含む。さらに、複数の電子部品４は、第１スイッチ２１と、第３スイッチ２３と、第４スイッチ２４と、出力整合回路１３Ａ，１３Ｂと、整合回路１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃと、入力整合回路１６Ａ，１６Ｂと、整合回路１９と、ＩＣチップ２６とを含む。ＩＣチップ２６は、コントローラ２０及び第２スイッチ２２を一つのチップに含めた半導体装置である。

　複数の電子部品４は、実装基板３の第１主面３１に配置されている。本明細書等において、「Ａ（例えば電子部品４）が実装基板３の第１主面３１に配置されている」とは、Ａが第１主面３１に直接実装されているだけでなく、実装基板３で隔された第１主面３１側の空間および第２主面３２側の空間のうち、実装基板３で隔された第１主面３１側の空間に配置されていることを意味する。つまり、Ａが第１主面３１に、その他の回路素子や電極などを介して実装されていることを含む。

　より詳細には、複数の電子部品４は、外部端子（図示省略）を有する。そして、複数の電子部品４は、それらの外部端子が実装基板３の第１主面３１に設けられたパッド電極に接続されることで、実装基板３の第１主面３１に配置されている。本明細書等において、「Ａ（例えば外部端子）とＢ（例えばパッド電極）とが接続されている」とは、ＡとＢとが接触していることを指すだけでなく、ＡとＢとが導体電極、導体端子、配線、または他の回路部品などを介して電気的に接続されていることを含むものと定義される。本実施形態では、電子部品４の外部端子と、実装基板３の第１主面３１のパッド電極とは、導体で形成された接続部材４４（例えば半田バンプ）を介して接続されている。

　図２の例では、パワーアンプ１１Ａ、送信フィルタ１２Ａ、送受信フィルタ１７、第１スイッチ２１、第３スイッチ２３、出力整合回路１３Ａ、受信フィルタ１５Ａ、入力整合回路１６Ａ、整合回路１９、及びＩＣチップ２６のみが図示されている。より詳細には、パワーアンプ１１Ａ、ＩＣチップ２６、送受信フィルタ１７、送信フィルタ１２Ａ、第１スイッチ２１、及び整合回路１９は、実装基板３の第１主面３１における第３方向Ｄ３の中央において、第２方向Ｄ２に沿って一列に並んで配置されている。パワーアンプ１１Ａ、ＩＣチップ２６、送受信フィルタ１７、送信フィルタ１２Ａ、第１スイッチ２１、及び整合回路１９は、この順番で、第２方向Ｄ２の左端側から右端側に向かって並んで配置されている。また、出力整合回路１３Ａ、入力整合回路１６Ａ、第３スイッチ２３、及び受信フィルタ１５Ａは、実装基板３の第１主面３１における第３方向Ｄ３の下側の縁部において、第２方向Ｄ２に沿って一列に並んで配置されている。出力整合回路１３Ａ、入力整合回路１６Ａ、第３スイッチ２３、及び受信フィルタ１５Ａは、この順番で、第２方向Ｄ２の左端側から右端側に向かって並んで配置されている。

　図３に戻って、複数の外部接続電極８はそれぞれ、外部基板３０４（例えばマザーボード）の外部接続電極３０５と接続される例えば平板状の導体部材である。外部接続電極３０５は、外部基板３０４における実装基板３側の主面３０６に配置されている。複数の外部接続電極８は、実装基板３の第２主面３２に配置されている。ここで、本明細書等において、「Ａ（例えば外部接続電極８）がＢ（例えば外部接続電極３０５）と接続される」とは、ＡとＢとが接触していることを指すだけでなく、ＡとＢとが導体電極、導体端子、配線、又は他の回路部品などを介して電気的に接続されていることを含む。本実施形態では、複数の外部接続電極８は、導体で形成された接続部材８５（例えば判断バンプ）を介して外部基板３０４の外部接続電極３０５と接続される。

　より詳細には、図４に示すように、複数の外部接続電極８は、実装基板３の第２主面３２の周縁及び中央に配置されている。複数の外部接続電極８のうち、１つの外部接続電極８は、実装基板３の第２主面３２の中央に配置されており、残りの外部接続電極８は、実装基板３の第２主面３２の周縁に配置されている。第２主面３２の周縁に配置された複数の外部接続電極８は、第２主面３２の周方向に沿って互いに間隔を空けて並んでいる。

　本実施形態では、複数の外部接続電極８のうち特定の外部接続電極８Ｐが、実装基板３の第２グランド電極３４（図３参照）に接続されており、残りの外部接続電極８は、第２グランド電極３４には接続されていない。特定の外部接続電極８Ｐは、例えば、第２主面３２の中央の外部接続電極８と、その中央の外部接続電極８における第２方向Ｄ２の両側の外部接続電極８である。

　図５に示すように、外部基板３０４の複数の外部接続電極３０５は、外部基板３０４の第１主面３０６において、高周波モジュール１の複数の外部接続電極８（図３参照）と対向するように配置されている。なお、第１主面３０６は、外部基板３０４における実装基板３側の主面である。より詳細には、複数の外部接続電極３０５のうち、１つの外部接続電極３０５は、外部基板３０４の第１主面３０６（図４参照）の所定位置に配置されており、残りの外部接続電極３０５は、上記の１つの外部接続電極３０５の周囲に環状に並んで配置されている。

　図３に戻って、送信フィルタ１２Ａは、基板１２０Ａと、回路部（図示省略）と、外部端子（図示省略）とを備える。基板１２０Ａは、例えば平板状である。基板１２０Ａは、互いに対向する第１主面１２１Ａ及び第２主面１２２Ａを有する。第１主面１２１Ａは、実装基板３側とは反対側の主面（天面ともいう）である。第２主面１２２Ａは、実装基板３側の主面（裏面ともいう）である。基板１２０Ａは、例えばシリコン基板又は圧電基板である。回路部は、送信信号に対するフィルタ処理を行う回路を含む。回路部は、基板１２０Ａの第２主面１２２Ａに配置されている。外部端子は、実装基板３の上記のパッド電極と接続部材４４を介して接続される部分であり、基板１２０Ａの第２主面１２２Ａに配置されている。

　送受信フィルタ１７は、基板１７０と、回路部（図示省略）と、外部端子（図示省略）とを備える。基板１７０は、例えば平板状である。基板１７０は、互いに対向する第１主面１７１及び第２主面１７２を有する。第１主面１７１は、実装基板３側とは反対側の主面（天面ともいう）である。第２主面１７２は、実装基板３側の主面（裏面ともいう）である。基板１７０は、例えばシリコン基板又は圧電基板である。回路部は、送信信号及び受信信号に対するフィルタ処理を行う回路を含む。回路部は、基板１７０の第２主面１７２に配置されている。外部端子は、実装基板３の上記のパッド電極と接続部材４４を介して接続される部分であり、基板１７０の第２主面１７２に配置されている。

　本実施形態では、後述のように、送信フィルタ１２Ａ（第１電子部品）の第１主面１２１Ａ及び送受信フィルタ１７（第１電子部品）の第１主面１７１は、第１グランド電極６に接続されている。このため、送信フィルタ１２Ａの第１主面１２１Ａ及び送受信フィルタ１７の第１主面１７１は、実装基板３の第１主面３１に配置された他の電子部品４の第１主面（実装基板３側とは反対側の主面）と比べて、実装基板３の第１主面３１からの高さが高い。そして、送信フィルタ１２Ａの第１主面１２１Ａ及び送受信フィルタ１７の第１主面１７１は、同一平面上に配置されている。

　第１樹脂層５１は、実装基板３の第１主面３１に設けられている。第１樹脂層５１は、実装基板３の第１主面３１に配置された複数の電子部品４の各々の外面（外周面及び天面（実装基板３側とは反対側の主面）の少なくとも一部を覆う。より詳細には、第１樹脂層５１は、送信フィルタ１２Ａ及び送受信フィルタ１７においては、それらの第１主面１２１Ａ，１７１を露出しかつ第１主面１２１Ａ，１７１以外を覆っている。すなわち、第１樹脂層５１は、送信フィルタ１２Ａ及び送受信フィルタ１７においては、それらの外周面の少なくとも一部（例えば全部）を覆っている。複数の電子部品４のうち、送信フィルタ１２Ａ及び送受信フィルタ１７以外の電子部品４においては、それらの全体を覆っている。第１樹脂層５１は、樹脂を含む。ただし、第１樹脂層５１は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。

　第１グランド電極６は、例えば金属で形成されている。第１グランド電極６は、第１樹脂層５１の外周面５１２の少なくとも一部（図３の例では全部）と、実装基板３の外周面３３の少なくとも一部（図３の例では厚さ方向Ｄ１の上半分領域）とを覆っている。なお、第１樹脂層５１の一の主面５１１は、第１樹脂層５１における実装基板３側とは反対側の主面である。より詳細には、第１グランド電極６は、実装基板３の外周面３３に露出された第２グランド電極３４の両端部と接触することで接続されている。第１グランド電極６は、外部接続電極８とは接触していない。また、第１グランド電極６は、送信フィルタ１２Ａの第１主面１２１Ａ及び送受信フィルタ１７の第１主面１７１の少なくとも一部（図３の例では全部）を覆っている。すなわち、第１グランド電極６は、送信フィルタ１２Ａの第１主面１２１Ａ及び送受信フィルタ１７の第１主面１７１と接触することで接続されている。

　より詳細には、図３に示すように、第１グランド電極６は、主面電極６１と、複数（例えば４つ）の側面電極６２とを有する。主面電極６１は、第１樹脂層５１の一の主面５１１を覆う部分であり、実装基板３の第１主面３１に対向する部分である。複数の側面電極６２は、第１樹脂層５１の外周面５１２及び実装基板３の外周面３３を覆う部分であり、実装基板３の外周面に配置される部分である。側面電極６２の数は、実装基板３の厚さ方向Ｄ１から見た実装基板３の外形形状が有する辺の数と同数である。したがって、実装基板３の外形形状が矩形（四角形）である場合は、側面電極６２の数は、４つである（図２参照）。本実施形態では、第２グランド電極３４は、第２グランド電極３４の少なくとも第２方向Ｄ２の両端部において、第１グランド電極６の４つの側面電極６２のうちの第２方向Ｄ２の両側の２つの側面電極６２と接触している（図３参照）。

　（２－５）送信フィルタ及び送受信フィルタの放熱経路
　上述のように、本実施形態では、複数の電子部品４のうち、送信経路Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２（図１参照）に配置された特定の電子部品４（図３の例では、送受信フィルタ１７及び送信フィルタ１２Ａ）の第１主面（図３の例では第１主面１７１，１２１Ａ）は、第１グランド電極６を介して第２グランド電極３４に接続されている（図３参照）。なお、送信経路とは、送信信号が通る信号経路である。

　より詳細には、図３に示すように、送受信フィルタ１７の第１主面１７１は、第１グランド電極６と接続されている。そして、第１グランド電極６は、実装基板３の第２グランド電極３４における第２方向Ｄ２の両端部と接続されている。これにより、図６に示すように、送受信フィルタ１７で発生した熱Ｑ１は、送受信フィルタ１７の第１主面１７１から第１グランド電極６に伝達し、第１グランド電極６から第２グランド電極３４に伝達して放熱される。これにより、送受信フィルタ１７の放熱性が向上する。本実施形態では、第２グランド電極３４は、ビア３５を介して外部接続電極８に接続されている。これにより、第２グランド電極３４に放熱された熱Ｑ１は、ビア３５を通じて第２グランド電極３４から外部接続電極８に放熱される。

　同様に、送信フィルタ１２Ａの第１主面１２１Ａは、第１グランド電極６と接続されている。そして、第１グランド電極６は、実装基板３の第２グランド電極３４における第２方向Ｄ２の両端部と接続されている。これにより、図６に示すように、送信フィルタ１２Ａで発生した熱Ｑ２は、送信フィルタ１２Ａの第１主面１２１Ａから第１グランド電極６に伝達し、第１グランド電極６から第２グランド電極３４に伝達して放熱される。これにより、送信フィルタ１２Ａの放熱性が向上する。本実施形態では、第２グランド電極３４は、ビア３５を介して外部接続電極８に接続されている。これにより、第２グランド電極３４に放熱された熱Ｑ２は、ビア３５を通じて第２グランド電極３４から外部接続電極８に放熱される。

　送信経路Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２に配置された特定の電子部品４は、受信経路Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２に配置された電子部品４と比べて発熱量が多い。このため、上記のように、送信経路Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２に配置された特定の電子部品４（例えば送受信フィルタ１７及び送信フィルタ１２Ａ）の第１主面（例えば第１主面１７１，１２１Ａ）を第１グランド電極６を介して第２グランド電極３４に接続することで、特定の電子部品４の放熱性を向上させている。本実施形態では、一例として、送受信フィルタ１７の第１主面１７１及び送信フィルタ１２Ａの第１主面１２１Ａが第１グランド電極６に接続されるが、送受信フィルタ１７及び送信フィルタ１２Ａ以外の電子部品４の第１主面（実装基板３側とは反対側の主面）が第１グランド電極６に接続されてもよい。

　（３）主要な効果
　本実施形態に係る高周波モジュール１は、実装基板３と、第１電子部品（例えば送受信フィルタ１７及び送信フィルタ１２Ａ）と、第１樹脂層５１と、第１グランド電極６とを備える。実装基板３は、互いに対向する第１主面３１及び第２主面３２を有する。第１電子部品１７，１２Ａは、実装基板３の第１主面３１に配置されている。第１樹脂層５１は、第１電子部品１７，１２Ａの外面の少なくとも一部を覆うように実装基板３の第１主面３１に設けられている。第１グランド電極６は、第１樹脂層５１の外面の少なくとも一部を覆う。第１電子部品１７，１２Ａにおける実装基板３の側とは反対側の主面１７１，１２１Ａは、第１グランド電極６と接続されている。実装基板３は、第２グランド電極３４を有する。第１グランド電極６は、第２グランド電極３４と接続されている。

　この構成によれば、第１電子部品１７，１２Ａにおける実装基板３の側とは反対側の主面１７１，１２１Ａが第１グランド電極６と接続されており、第１グランド電極６が第２グランド電極３４と接続されている。これにより、第１電子部品１７，１２Ａで発生した熱Ｑ１，Ｑ２を第１グランド電極６を通じて第２グランド電極３４に放熱できる。この結果、第１電子部品１７，１２Ａの放熱性を向上できる。

　（４）変形例
　上記の実施形態の変形例について説明する。以下の説明では、上記の実施形態と同じ構成要素には上記の実施形態の構成要素と同じ符号を付して説明を省略し、上記の実施形態と異なる構成要素を中心に説明する。以下で説明する変形例は、組み合わせて実施されてもよい。

　（４－１）変形例１
　図７に示すように、変形例１の高周波モジュール１では、第２グランド電極３４の外形形状は、第１グランド電極６の４つの側面電極６２（６２１～６２４）と対応する４つの辺３４１～３４４を有する。そして、それら４つの辺３４１～３４４のうちの少なくとも１つの辺（図７の例では辺３４１，３４３）は、その１つの辺３４１，３４３の半分以上の部分で、第１グランド電極６において上記の１つの辺３４１，３４３と対応する側面電極６２（６２１，６２３）と接触している。

　ここで、「４つの側面電極６２（６２１～６２４）と対応する４つの辺３４１～３４４」とは、少なくとも、４つの側面電極６２１～６２４と対向する４つの辺３４１～３４４という意味を含む。また、第２グランド電極３４の上記の外形形状は、実装基板３の厚さ方向Ｄ１から見た外形形状である。

　図７の例では、第２グランド電極３４の外形形状の辺３４１は、その辺３４１の半分以上の部分で、辺３４１と対応する側面電極６２１と接触している。第２グランド電極３４の外形形状の辺３４３は、その辺３４３の半分以上の部分で、辺３４３と対応する側面電極６２３と接触している。より詳細には、辺３４１は、側面電極６２１と接触する接触部３４５と、側面電極６２１と接触しない非接触部３４６とを有する。接触部３４５は、非接触部３５６よりも側面電極６２１の側に突出するように曲がっている。同様に、辺３４３も、側面電極６２３と接触する接触部３４７と、側面電極６２３と接触しない非接触部３４８とを有する。接触部３４７は、非接触部３４８よりも、側面電極６２３の側に突出するように曲がっている。このように、側面電極６２１，６２３と対応する辺３４１，３４３がその辺の半分以上の部分で、対応する側面電極６２１，６２３と接触することで、辺３４１，３４３と側面電極６２１，６２３との接触領域を十分に確保できる。これにより、第１グランド電極６と第２グランド電極３４との間の熱伝導を十分に確保できる。

　変形例１では、第２グランド電極３４の４つの辺３４１～３４４のうち、例えば第３方向Ｄ３において、互いに対向する２つの辺３４１，３４２が第１グランド電極６と接触している。このため、第２グランド電極３４の４つの辺３４１～３４４のうちの隣り合う２つの辺（例えば辺３４１，３４２）が第１グランド電極６と接触する場合と比べて、第１グランド電極６と第２グランド電極３４との間の熱伝導を向上できる。

　なお、変形例１では、第２グランド電極３４の辺３４１，３４３は、その辺３４１，３４３の一部３４５，３４７で、対応する側面電極６２１，６２３と接触する。ただし、図８に示すように、第２グランド電極３４の辺３４１，３４３は、その辺３４１，３４３の全体で、対応する側面電極６２１，６２３と接触してもよい。

　また、変形例１では、第２グランド電極３４の４つの辺３４１～３４４のうちの２つの辺３４１，３４４が、その辺の半分以上の部分で、対応する側面電極６２１，６２４と接触する。ただし、図９に示すように、第２グランド電極３４の４つの辺３４１～３４４の全てが、それら各辺の全体で、対応する側面電極６２１～６２４と接触してもよい。すなわち、実装基板３の厚さ方向Ｄ１から見た第２グランド電極３４の外形形状の全体が、第１グランド電極６と接触してもよい。

　（４－２）変形例２
　図１０に示すように、変形例２に係る高周波モジュール１は、上記の実施形態において、第２グランド電極３４を複数（図１０の例では２つ）備えている。そして、複数の第２グランド電極３４の少なくとも１つ（図１０の例では２つ（すなわち全部））は、第１グランド電極６と接続されている。

　より詳細には、複数（図１０の例では２つ）の第２グランド電極３４（３４Ａ，３４Ｂ）は、実装基板３の内部において、実装基板３の厚さ方向Ｄ１に互いに間隔を空けて設けられている。第２グランド電極３４Ｂは、第２グランド電極３４Ａと実装基板３の第２主面３２との間に配置されている。複数の第２グランド電極３４はそれぞれ、例えば、実装基板３の第１主面３１に平行な層状（膜状）である。複数の第２グランド電極３４は、ビア３５を介して互いに接続されている。これにより、変形例２では、上記の実施形態の場合（第２グランド電極３４が１つの場合）と比べて、第２グランド電極３４の全体の熱容量が増加している。第２グランド電極３４Ｂは、ビア３５を介して外部接続電極８と接続されている。複数の第２グランド電極３４の各々の第２方向Ｄ２の両端部は、第１グランド電極６と接続されている。

　変形例２では、送受信フィルタ１７（第１電子部品）及び送信フィルタ１２Ａ（第１電子部品）で発生した熱Ｑ１，Ｑ２はそれぞれ、それらの第１主面１７１，１２１Ａから第１グランド電極６に伝達し、第１グランド電極６から複数の第２グランド電極３４に並行して放熱される。これにより、熱Ｑ１，Ｑ２を速やかに第２グランド電極３４に放熱できる。この結果、送受信フィルタ１７及び送信フィルタ１２Ａの放熱性をより一層向上できる。

　また、複数の第２グランド電極３４は、ビア３５を介して互いに接続されている。このため、変形例２では、上記の実施形態の場合と比べて、第２グランド電極３４全体の熱容量が増加している。これにより、熱Ｑ１，Ｑ２を更に速やかに第２グランド電極３４に放熱できる。この結果、送受信フィルタ１７及び送信フィルタ１２Ａの放熱性を更に向上できる。変形例２では、複数の第２グランド電極３４は全て、実装基板３の内部に設けられているが、複数の第２グランド電極３４のうちの少なくとも１つが実装基板３の内部に設けられていればよい。例えば、２つの第２グランド電極３４を備える場合、１つの第２グランド電極３４は、実装基板３の内部に設けられており、もう１つの第２グランド電極３４は、実装基板３の表面（両側の主面のうちの一方の主面）に設けられてもよい。

　（４－３）変形例３
　図１１に示すように、変形例３に係る高周波モジュール１では、変形例２において、第１グランド電極６は、第２グランド電極３４と接続されるとともに、外部接続電極８Ｐと更に接続されている。

　より詳細には、第１グランド電極６は、実装基板３の外周面３３の全体を覆い、さらに、実装基板３の第２主面３２における第２方向Ｄ２の両縁部に配置された外部接続電極８Ｐの側面を覆っている。第１グランド電極６は、外部接続電極８Ｐの側面を覆うことで、外部接続電極８Ｐと接続されている。

　変形例３では、送受信フィルタ１７（第１電子部品）及び送信フィルタ１２Ａ（第１電子部品）で発生した熱Ｑ１，Ｑ２はそれぞれ、変形例２と同様に、第１グランド電極６から複数の第２グランド電極３４の少なくとも１つに伝達して放熱される。さらに、変形例３では、熱Ｑ１，Ｑ２はそれぞれ、第１グランド電極６から外部接続電極８Ｐに伝達して放熱される。これにより、変形例３では、変形例２の場合と比べて、熱Ｑ１，Ｑ２の放熱経路が増加する。この結果、送受信フィルタ１７及び送信フィルタ１２Ａの放熱性を更に向上できる。

　（４－４）変形例４
　図１２に示すように、変形例４に係る高周波モジュール１は、上記の実施形態において、金属部材１０Ａ，１０Ｂを更に備えている。金属部材１０Ａは、送受信フィルタ１７（第１電子部品）の第１主面１７１と第１グランド電極６との間に配置されている。金属部材１０Ａは、例えば平板状である。金属部材１０Ａは、送受信フィルタ１７の第１主面１７１の全体を覆っている。金属部材１０Ａは、送受信フィルタ１７の第１主面１７１及び第１グランド電極６の両方と接続されている。すなわち、送受信フィルタ１７の第１主面１７１は、金属部材１０Ａを介して第１グランド電極６と接続されている。金属部材１０Ｂは、送信フィルタ１２Ａ（第１電子部品）の第１主面１２１Ａと第１グランド電極６との間に配置されている。金属部材１０Ｂは、例えば平板状である。金属部材１０Ｂは、送信フィルタ１２Ａの第１主面１２１Ａの全体を覆っている。金属部材１０Ｂは、送信フィルタ１２Ａの第１主面１２１Ａ及び第１グランド電極６の両方と接続されている。すなわち、送信フィルタ１２Ａの第１主面１２１Ａは、金属部材１０Ｂを介して第１グランド電極６と接続されている。金属部材１０Ａ，１０Ｂはそれぞれ、互いに同じ材質であってもよいし、互いに異なる材質であってもよい。

　変形例４では、送受信フィルタ１７（第１電子部品）及び送信フィルタ１２Ａ（第１電子部品）で発生する熱Ｑ１，Ｑ２はそれぞれ、金属部材１０Ａ，１０Ｂを介して第１グランド電極６に伝達する。すなわち、金属部材１０Ａ，１０Ｂによって、熱Ｑ１，Ｑ２を送受信フィルタ１７及び送信フィルタ１２Ａから金属部材１０Ａ，１０Ｂに速やかに伝達できる。これにより、送受信フィルタ１７及び送信フィルタ１２Ａの放熱性を更に向上できる。

　（４－５）変形例５
　図１３に示すように、変形例５に係る高周波モジュール１では、上記の実施形態において、さらに、パワーアンプ１１Ａ（第１電子部品）の第１主面１１１Ａも第１グランド電極６に接続されている。

　より詳細には、パワーアンプ１１Ａは、基板１１０Ａと、回路部（図示省略）と、外部端子（図示省略）とを備える。基板１１０Ａは、例えば平板状である。基板１１０Ａは、互いに対向する第１主面１１１Ａ及び第２主面１１２Ａを有する。第１主面１１１Ａは、実装基板３側とは反対側の主面（天面ともいう）である。第２主面１１２Ａは、実装基板３側の主面（裏面ともいう）である。基板１１０Ａは、例えばガリヒ素（ＧａＡｓ）基板で構成されている。回路部は、送信信号を増幅するための回路を含む。回路部は、基板１１０Ａの第２主面１１２Ａに配置されている。外部端子は、実装基板３の上記のパッド電極と接続部材４４を介して接続される部分であり、基板１１０Ａの第２主面１１２Ａに配置されている。パワーアンプ１１Ａの第１主面１１１Ａは、第１樹脂層５１の一の主面５１１で第１樹脂層５１から露出して、第１グランド電極６と接続されている。すなわち、変形例５では、第１樹脂層５１は、パワーアンプ１１Ａの第１主面１１１Ａの少なくとも一部（図１３の例では全部）を覆っている。

　また、変形例５に係る実装基板３は、貫通ビア３５Ａ（サーマルビア）を備える。貫通ビア３５Ａは、パワーアンプ１１Ａで発生した熱Ｑ４を外部接続電極８Ｐに伝達するためのビアである。貫通ビア３５Ａは、実装基板３の内部において、パワーアンプ１１Ａの真下の部分（すなわち実装基板３の厚さ方向Ｄ１においてパワーアンプ１１Ａと重なる部分）に配置されている。貫通ビア３５Ａは、実装基板３を厚さ方向Ｄ１に貫通している。貫通ビア３５Ａの上端部は、接続部材４４を介してパワーアンプ１１Ａの外部端子（図示省略）と接続されている。貫通ビア３５Ａの下端部は、実装基板３の第２主面３２に配置された外部接続電極８Ｐと接続されている。変形例５では、貫通ビア３５Ａは、第２グランド電極３４と接続されているが、接続されていなくてもよい。

　変形例５では、パワーアンプ１１Ａ（第１電子部品）で発生した熱の一部Ｑ３は、パワーアンプ１１Ａの第１主面１１１Ａから第１グランド電極６に伝達し、第１グランド電極６から第２グランド電極３４に伝達して放熱される。これにより、パワーアンプ１１Ａの放熱性が向上する。また、パワーアンプ１１Ａで発生した熱の一部Ｑ４は、パワーアンプ１１Ａから接続部材４４及び貫通ビア３５Ａを通じて外部接続電極８Ｐに伝達して放熱される。これにより、パワーアンプ１１Ａの放熱性が更に向上する。

　（４－６）変形例６
　図１４に示すように、変形例６に係る高周波モジュール１は、上記の実施形態において、電磁遮蔽壁７（導電部材）と、貫通ビア３５Ｂ（サーマルビア）とを更に備えている。

　電磁遮蔽壁７は、実装基板３の第１主面３１において複数の電子部品４の間に配置されており、当該複数の電子部品４の間を電磁遮蔽する導体部材である。電磁遮蔽壁７は、グランド電位に設定されている導電部材である。変形例６では、電磁遮蔽壁７は、実装基板３の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、例えば、送受信フィルタ１７と送信フィルタ１２Ａとの間に配置されている。本明細書等において、「実装基板３の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、Ａ（例えば送受信フィルタ１７）とＢ（例えば送信フィルタ１２Ａ）との間にＣ（例えば電磁遮蔽壁７）が配置されている」とは、実装基板３の厚さ方向Ｄ１からの平面視においてＡ内の任意の点とＢ内の任意の点とを結ぶ複数の線分の少なくとも１つがＣの領域を通ることを意味する。また、実装基板３の厚さ方向Ｄ１からの平面視とは、実装基板３に配置された電子部品を実装基板３の主面に平行な平面に正投影して見ることを意味する。

　電磁遮蔽壁７は、実装基板３の第１主面３１から実装基板３の厚さ方向Ｄ１に立ち上がっている。電磁遮蔽壁７における実装基板３側とは反対側の端面は、第１グランド電極６に接続されている。

　貫通ビア３５Ｂは、電磁遮蔽壁７と外部接続電極８Ｐとを接続するビアである。貫通ビア３５Ｂは、実装基板３の内部において、電磁遮蔽壁７の真下の部分（すなわち実装基板３の厚さ方向Ｄ１において電磁遮蔽壁７と重なる部分）に配置されている。貫通ビア３５Ｂは、実装基板を厚さ方向Ｄ１に貫通している。貫通ビア３５Ｂの上端部は、電磁遮蔽壁７の基端面と接続されている。貫通ビア３５Ｂの下端部は、実装基板３の第２主面３２に配置された外部接続電極８Ｐと接続されている。変形例６では、貫通ビア３５Ｂは、第２グランド電極３４と接続されているが、接続されていなくてもよい。

　変形例６では、第１グランド電極６の厚さｄ１は、例えば１０μｍである。電磁遮蔽壁７の厚さｄ２は、例えば５０μｍである。貫通ビア３５Ｂの直径ｄ３は、例えば１０以上５０μｍ以下である。外部接続電極の幅ｄ４は、例えば２００μｍ以上１０００μｍ以下である。この数値例から分かるように、電磁遮蔽壁７の厚さｄ２は、第１グランド電極６の厚さｄ１よりも大きい。このため、第１グランド電極６から電磁遮蔽壁７への熱の伝達は、効率良く伝達する。また、外部接続電極８Ｐの幅ｄ４は、貫通ビア３５Ｂの直径ｄ３よりも大きい。このため、貫通ビア３５Ｂから外部接続電極８Ｐへの熱の伝達は、効率良く伝達する。

　変形例６では、送受信フィルタ１７（第１電子部品）及び送信フィルタ１２Ａ（第１電子部品）で発生した熱の一部はそれぞれ、上記の実施形態の場合の熱Ｑ１，Ｑ２と同様に第２グランド電極３４に放熱される。さらに、送受信フィルタ１７及び送信フィルタ１２Ａで発生した熱の一部である熱Ｑ１１，Ｑ２１はそれぞれ、それらの第１主面１７１，１２１Ａから第１グランド電極６に伝達し、第１グランド電極６から電磁遮蔽壁７及び貫通ビア３５Ｂを通じて外部接続電極８Ｐに放熱される。これにより、上記の実施形態の場合と比べて、送受信フィルタ１７及び送信フィルタ１２Ａで発生した熱の放熱経路を増加できる。これにより、送受信フィルタ１７及び送信フィルタ１２Ａの放熱性を更に向上できる。

　変形例６では、電磁遮蔽壁７は、第１グランド電極６の側面電極６２よりも、送受信フィルタ１７及び送信フィルタ１２Ａの近くに配置されている。このため、上記の実施形態で説明した熱Ｑ１，Ｑ２の放熱経路よりも、上述した熱Ｑ１１，Ｑ２１の放熱経路の方が短い。このため、送受信フィルタ１７及び送信フィルタ１２Ａで発生した熱の大部分は、上記の実施形態で説明した熱Ｑ１，Ｑ２の放熱経路を通って放熱されるよりも、上述した熱Ｑ１１，Ｑ２１の放熱経路を通って放熱される。すなわち、送受信フィルタ１７及び送信フィルタ１２Ａで発生した熱は、より短い放熱経路を通って放熱されるため、送受信フィルタ１７及び送信フィルタ１２Ａの放熱性をより一層向上できる。

　（４－７）変形例７
　上記の実施形態では、高周波モジュール１が片面実装構造（実装基板３の片面のみに電子部品が実装された構造）である場合（図３参照）を例示するが、変形例７では、図１５に示すように、高周波モジュール１が両面実装構造（電子部品３の両面に電子部品が実装された構造）である場合を例示する。以下の説明では、上記の実施形態と同じ構成要素には上記の実施形態の構成要素と同じ符号を付して説明を省略し、上記の実施形態と異なる構成要素を中心に説明する。

　変形例７では、図１５に示すように、実装基板３の第１主面３１及び第２主面３２の両方に電子部品４が配置されている。図１５の例では、実装基板３の第１主面３１には、パワーアンプ１１Ａ、第２スイッチ２２、送受信フィルタ１７（第１電子部品）、送信フィルタ１２Ａ（第１電子部品）、第１スイッチ２１、及び整合回路１９が接続部材４４を介して配置されている。送受信フィルタ１７の第１主面１７１及び送信フィルタ１２Ａの第１主面１２１Ａは、上記の実施形態の場合と同様に、第１グランド電極６と接続されている。また、実装基板３の第２主面３２には、コントローラ２０（第３電子部品）及びローノイズアンプ１４Ａ（第３電子部品）が接続部材４４を介して配置されている。コントローラ２０及び第２スイッチ２２は、上記の実施形態ではＩＣチップ２６として一体に構成されているが、変形例７では互いに分離して構成されている。

　変形例７では、高周波モジュール１は、複数の接続端子９と、第２樹脂層５２とを更に備えている。

　複数の接続端子９はそれぞれ、実装基板３の第２主面３２に設けられたパッド電極（図示省略）と外部接続電極８とを接続する例えば円柱状の導体部材である。

　第２樹脂層５２は、実装基板３の第２主面３２に設けられている。第２樹脂層５２は、実装基板３の第２主面３２に配置された複数の電子部品４及び複数の接続端子９の各々の少なくとも一部を覆う。図１５の例では、第２樹脂層５２は、複数の電子部品４においては、電子部品４の一の主面４１を第２樹脂層５２の一の主面５２１から露出し、電子部品４の一の主面４１以外を覆っている。なお、電子部品４の一の主面４１は、電子部品４における実装基板３の側とは反対側の主面である。なお、第２樹脂層５２は、実装基板３の第２主面３２に配置された複数の電子部品４の各々の全体を覆ってもよい。また、第２樹脂層５２は、複数の接続端子９においては、接続端子９の下端面を第２樹脂層５２の一の主面５２１から露出し、接続端子９の下端面以外を覆っている。接続端子９の上記の下端面は、実装基板３とは反対側の端面である。第２樹脂層５２は、樹脂を含む。ただし、第２樹脂層５２は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。第２樹脂層５２は、第１樹脂層５１と同じ材質であってもよいし、異なる材質であってもよい。

　変形例７では、複数の外部接続電極８はそれぞれ、第２樹脂層５２の一の主面５２１に配置されており、複数の接続端子９の上記の下端面と接続されている。なお、第２樹脂層５２の一の主面５２１は、実装基板３側とは反対側の主面である。

　変形例７では、第１グランド電極６は、第１樹脂層５１の外面（一の主面５１１の全体及び外周面５１２の全体）と、実装基板３の外周面３３の全体とを覆っている。さらに、第１グランド電極６は、第２樹脂層５２の外周面５２３の一部（より詳細には、外周面５２３の上辺から下辺側に向かって実装基板３の厚さ方向Ｄ１の半分以上の領域）を覆っている。ここで、外周面５２３の上記の上辺とは、外周面５２３の実装基板３側の辺である。外周面５２３の上記の下辺とは、外周面５２３における実装基板３側とは反対側の辺である。換言すれば、第１グランド電極６の下端部６ｔは、第２樹脂層５２における厚さ方向Ｄ１の中心よりも外部接続電極８Ｐ側に配置されている。第１グランド電極６は、実装基板３の外周面３３において、第２グランド電極３４における第２方向Ｄ２の両端部と接続されている。第１グランド電極６は、外部接続電極８とは接触していない。

　変形例７でも、上記の実施形態の場合と同様に、送受信フィルタ１７（第１電子部品）及び送信フィルタ１２Ａ（第１電子部品）で発生した熱Ｑ１，Ｑ２は、それらの第１主面１７１，１２１Ａから第１グランド電極６に伝達し、第１グランド電極６から第２グランド電極３４に伝達して放熱される。これにより、上記の実施形態の場合と同様に、送受信フィルタ１７及び送信フィルタ１２Ａの放熱性が向上する。

　また、変形例７では、第２グランド電極３４が第１グランド電極６と接続されている。これにより、第２グランド電極３４の電磁遮蔽性が向上している。これにより、第２グランド電極３４によって、実装基板３の表裏の間の電磁遮蔽をより一層確保できる。

　（４－８）変形例８
　図１６に示すように、変形例８に係る高周波モジュール１では、変形例７において、第１グランド電極６は、第２グランド電極３４と接続されるとともに、外部接続電極８Ｐと更に接続されている。

　より詳細には、第１グランド電極６は、変形例７において、第２樹脂層５２の外周面５２３の全体を覆い、さらに、第２樹脂層５２の一の主面５２１における第２方向Ｄ２の両縁部に配置された外部接続電極８Ｐの側面を覆っている。第１グランド電極６は、外部接続電極８Ｐの側面を覆うことで、外部接続電極８Ｐと接続されている。

　変形例８では、送受信フィルタ１７（第１電子部品）及び送信フィルタ１２Ａ（第１電子部品）で発生した熱Ｑ１，Ｑ２はそれぞれ、変形例７と同様に、第１グランド電極６から複数の第２グランド電極３４の少なくとも１つに伝達して放熱される。さらに、変形例８では、熱Ｑ１，Ｑ２はそれぞれ、第１グランド電極６から外部接続電極８Ｐに伝達して放熱される。これにより、変形例８では、変形例７の場合と比べて、熱Ｑ１，Ｑ２の放熱経路が増加する。この結果、送受信フィルタ１７及び送信フィルタ１２Ａの放熱性を更に向上できる。

　（５）態様
　本明細書には、以下の態様が発明されている。

　第１の態様に係る高周波モジュール（１）は、実装基板（３）と、第１電子部品（１７，１２Ａ；１１Ａ）と、第１樹脂層（５１）と、第１グランド電極（６）と、を備える。実装基板（３）は、互いに対向する第１主面（３１）及び第２主面（３２）を有する。第１電子部品（１７，１２Ａ；１１Ａ）は、実装基板（３）の第１主面（３１）に配置されている。第１樹脂層（５１）は、実装基板（３）の第１主面（３１）に配置されており、第１電子部品（１７，１２Ａ；１１Ａ）の外周面の少なくとも一部を覆う。第１グランド電極（６）は、第１樹脂層（５１）の少なくとも一部を覆う。第１電子部品（１７，１２Ａ；１１Ａ）における実装基板（３）の側とは反対側の主面（１７１，１２１Ａ；１１１Ａ）は、第１グランド電極（６）と接続されている。実装基板（３）は、実装基板（３）の内部に第２グランド電極（３４）を有する。第１グランド電極（６）は、第２グランド電極（３４）と接続されている。

　この構成によれば、第１電子部品（１７，１２Ａ；１１Ａ）における実装基板（３）の側とは反対側の主面（１７１，１２１Ａ；１１１Ａ）が第１グランド電極（６）と接続されており、第１グランド電極（６）が第２グランド電極（３４）と接続されている。これにより、第１電子部品（１７，１２Ａ；１１Ａ）で発生した熱（Ｑ１，Ｑ２；Ｑ３）を第１グランド電極（６）を通じて第２グランド電極（３４）に放熱できる。この結果、第１電子部品（１７，１２Ａ；１１Ａ）の放熱性を向上できる。

　第２の態様に係る高周波モジュール（１）では、第１の態様において、第１電子部品（１７，１２Ａ；１１Ａ）は、送信信号が通る送信経路（Ｔ２，Ｒ２，Ｔ１１；Ｔ１）に設けられている。

　この構成によれば、第１電子部品（１７，１２Ａ；１１Ａ）は、送信経路（Ｔ２，Ｒ２，Ｔ１１；Ｔ１）に設けられているため、送信系の電子部品である。これにより、送信系の電子部品の放熱性を向上できる。

　第３の態様に係る高周波モジュール（１）では、第１又は第２の態様において、第１電子部品（１７，１２Ａ；１１Ａ）は、送信フィルタ（１２Ａ）、送受信フィルタ（１７）又はパワーアンプ（１１Ａ）である。

　この構成によれば、送信フィルタ（１２Ａ）、送受信フィルタ（１７）又はパワーアンプ（１１Ａ）の放熱性を向上できる。

　第４の態様に係る高周波モジュール（１）では、第１～第３の態様のいずれか１つにおいて、第１グランド電極（６）は、実装基板（３）の外周面に配置された複数の側面電極（６２）を有する。実装基板（３）の厚さ方向（Ｄ１）から見て、第２グランド電極（３４）の外形形状は、複数の側面電極（６２１～６２４）と対応する複数の辺（３４１～３４４）を有する。複数の辺（３４１～３４４）のうちの少なくとも１つの辺（例えば３４１，３４３）は、当該１つの辺の半分以上の部分で、当該１つの辺に対応する側面電極（６２１，６２３）と接触している。

　この構成によれば、第２グランド電極（３４）の辺（３４１，３４３）と第１グランド電極（６）の側面電極（６２１，６２３）とが接触するとき、それらの接触領域を十分に確保できる。

　第５の態様に係る高周波モジュール（１）は、第１～第４の態様のいずれか１つにおいて、実装基板（３）の厚さ方向（Ｄ１）から見て、第２グランド電極（３４）の外形形状は、互いに対向する２つの辺（３４１，３４３）を少なくとも有する。第２グランド電極（３４）は、２つの辺（３４１，３４３）において第１グランド電極（６）と接触している。

　この構成によれば、第１グランド電極（６）から第２グランド電極（３４）に放熱される熱の放熱性を向上できる。

　第６の態様に係る高周波モジュール（１）では、第１～第４の態様のいずれか１つにおいて、実装基板（３）の厚さ方向（Ｄ１）から見て、第２グランド電極（３４）の外形形状の全体は、第１グランド電極（６）と接触している。

　この構成によれば、第１グランド電極（６）と第２グランド電極（３４）との接触領域を十分に確保できる。

　第７の態様に係る高周波モジュール（１）では、第１～第６の態様のいずれか１つにおいて、第２グランド電極（３４）は、実装基板（３）において実装基板（３）の厚さ方向（Ｄ１）に複数設けられている。複数の第２グランド電極（３４Ａ,３４Ｂ）のうちの少なくとも１つは、実装基板（３）の内部に設けられている。複数の第２グランド電極（３４）は、互いに接続されている。第１グランド電極（６）は、複数の第２グランド電極（３４）の少なくとも１つと接続されている。

　第８の態様に係る高周波モジュール（１）は、第１～第７の態様のいずれか１つにおいて、第１電子部品（１７，１２Ａ）における実装基板（３）の側とは反対側の主面（１７１，１２１Ａ）と第１グランド電極（６）との間に配置された金属部材（１０Ａ，１０Ｂ）を更に備える。第１電子部品（１７，１２Ａ）の主面（１７１，１２１Ａ）は、金属部材（１０Ａ，１０Ｂ）を介して第１グランド電極（６）と接続されている。

　この構成によれば、金属部材によって、第１電子部品（１７，１２Ａ）で発生した熱（Ｑ１，Ｑ２）を第１グランド電極（６）に効率良く伝達できる。

　第９の態様に係る高周波モジュール（１）では、第１～第８の態様のいずれか１つにおいて、実装基板（３）の第２主面（３２）に配置された外部接続電極（８Ｐ）を更に備える。第１グランド電極（６）は、外部接続電極（８Ｐ）と接続されている。

　この構成によれば、第１電子部品（１７，１２Ａ；１１Ａ）で発生した熱（Ｑ１，Ｑ２；Ｑ３）を、第１グランド電極（６）を通じて外部接続電極（８Ｐ）にも放熱できる。これにより、第１電子部品（１７，１２Ａ；１１Ａ）の放熱性を更に向上できる。

　第１０の態様に係る高周波モジュール（１）は、第１～第９の態様のいずれか１つにおいて、外部接続電極（８Ｐ）と、サーマルビア（３５Ａ）とを更に備える。外部接続電極（８Ｐ）は、実装基板（３）の第２主面（３２）に配置されている。サーマルビア（３５Ａ）は、実装基板（３）の厚さ方向（Ｄ１）に貫通している。サーマルビア（３５Ａ）は、接続部材（４４）を介して第１電子部品（１１Ａ）と接続されており、かつ、外部接続電極（８Ｐ）と接続されている。

　この構成によれば、第１電子部品（１１Ａ）で発生した熱を、第１グランド電極（６）を通じて第２グランド電極（３４）に放熱する他に、サーマルビア（３５Ａ）を通じて外部接続電極（８Ｐ）にも放熱できる。この結果、第１電子部品（１１Ａ）の放熱性を更に向上できる。

　第１１の態様に係る高周波モジュール（１）は、第１０の態様において、サーマルビア（３５Ａ）は、第２グランド電極（３４）と接続されている。

　この構成によれば、第１電子部品（１１Ａ）で発生した熱を、サーマルビア（３５Ａ）を通じて第２グランド電極（３４）にも放熱できる。この結果、第１電子部品（１１Ａ）の放熱性を更に向上できる。

　第１２の態様に係る高周波モジュール（１）は、第１～第９の態様のいずれか１つにおいて、第２電子部品（１２Ａ，１７）と、導電部材（７）と、外部接続電極（８Ｐ）と、サーマルビア（３５Ｂ）と、を更に備える。第２電子部品（１２Ａ，１７）は、実装基板（３）の第１主面（３１）に配置されている。導電部材（７）は、実装基板（３）の第１主面（３１）において第１電子部品（１７，１２Ａ）と第２電子部品（１２Ａ，１７）との間に配置されており、かつ実装基板（３）の側とは反対側の端面が第１グランド電極（６）と接続されており、グランド電位に設定されている。外部接続電極（８Ｐ）は、実装基板（３）の第２主面（３２）に配置されている。サーマルビア（３５Ｂ）は、実装基板（３）の内部に設けられており、電磁遮蔽壁（７）と外部接続電極（８Ｐ）とを接続する。

　この構成によれば、第１電子部品（１７，１２Ａ）で発生した熱（Ｑ１１，Ｑ２１）を、第１グランド電極（６）、電磁遮蔽壁（７）及びサーマルビア（３５Ｂ）を通じて外部接続電極（８Ｐ）にも放熱できる。これにより、第１電子部品（１７，１２Ａ）の放熱性を更に向上できる。

　第１３の態様に係る高周波モジュール（１）は、第１～第１２の態様のいずれか１つにおいて、第３電子部品（２０，１４Ａ）は、実装基板（３）の第２主面（３２）に配置されている。第２樹脂層（５２）は、第３電子部品（２０，１４Ａ）の外面の少なくとも一部を覆うように第２主面（３２）に設けられている。

　この構成によれば、本発明を実装基板（３）が両面実装構造である場合に適用できる。第１の態様で記載されるように、第２グランド電極（３４）は第１グランド電極（６）に接続されているため、第２グランド電極（３４）の電磁遮蔽性は向上している。このため、本発明を実装基板（３）が両面実装構造である場合に適用した場合は、第２グランド電極（３４）によって、実装基板（３）の表裏の間の電磁遮蔽を十分に確保できる。

　第１４の態様に係る高周波モジュール（１）では、第１３の態様において、第１グランド電極（６）は、第２樹脂層（５２）の外周面（５２３）における実装基板（３）の厚さ方向（Ｄ１）の半分以上の領域を覆う。

　この構成によれば、第１グランド電極（６）の放熱面積を拡大できる。また、第３電子部品（２０，１４Ａ）からの電磁波が第２樹脂層（５２）の外周面（５２３）から外部に漏れることを抑制できる。

　第１５の態様に係る高周波モジュール（１）は、第１４の態様において、第２樹脂層（５２）における実装基板（３）の側とは反対側の主面（５２１）に配置された外部接続電極（８Ｐ）を更に備える。第１グランド電極（６）は、外部接続電極（８Ｐ）と接続されている。

　この構成によれば、実装基板（３）が両面実装構造である場合において、第１電子部品（１７，１２Ａ；１１Ａ）で発生した熱（Ｑ１，Ｑ２；Ｑ３）を、第１グランド電極（６）を通じて第２グランド電極（３４）に放熱する他に、第１グランド電極（６）を通じて外部接続電極（８Ｐ）にも放熱できる。これにより、第１電子部品（１７，１２Ａ；１１Ａ）の放熱性を更に向上できる。

　第１６の態様に係る通信装置（３００）は、第１～第１５の態様のいずれか１つの高周波モジュール（１）と、信号処理回路（３０１）と、を備える。信号処理回路（３０１）は、高周波モジュール（１）を通る高周波信号を処理する。

　この構成によれば、高周波モジュール（１）の上記の効果を有する通信装置（３００）を提供できる。

　１　高周波モジュール
　３　実装基板
　４　電子部品
　６　第１グランド電極
　６ｔ　下端部
　７　電磁遮蔽壁（導電部材）
　８，８Ｐ　外部接続電極
　９　接続端子
　１０Ａ，１０Ｂ　金属部材
　１１Ａ　パワーアンプ（第１電子部品、第２電子部品）
　１１Ｂ　パワーアンプ
　１２Ａ　送信フィルタ（第１電子部品、第２電子部品）
　１２Ｂ　送信フィルタ
　１３Ａ，１３Ｂ　出力整合回路
　１４Ａ　ローノイズアンプ（第２電子部品）
　１４Ｂ　ローノイズアンプ
　１５Ａ，１５Ｂ　受信フィルタ
　１６Ａ，１６Ｂ　入力整合回路
　１７　送受信フィルタ（第１電子部品、第２電子部品）
　１８Ａ～１８Ｃ　整合回路
　１９　整合回路
　２０　コントローラ（第３電子部品）
　２１　第１スイッチ
　２２　第２スイッチ
　２３　第３スイッチ
　２４　第４スイッチ
　２６　ＩＣチップ
　３１　第１主面
　３２　第２主面
　３３　外周面
　３４，３４Ａ，３４Ｂ　第２グランド電極
　３５　ビア
　３５Ａ，３５Ｂ　貫通ビア（サーマルビア）
　３７　誘電体層
　４１　第１主面
　４４　接続部材
　５１　第１樹脂層
　５２　第２樹脂層
　６１　主面電極
　６２　側面電極
　８１　アンテナ端子
　８２Ａ，８２Ｂ　信号入力端子
　８３Ａ，８３Ｂ　信号出力端子
　８４　制御端子
　８５　接続部材
　１１０Ａ，１２０Ａ，１７０　基板
　１１１Ａ，１２１Ａ，１７１　第１主面
　１１２Ａ，１２２Ａ，１７２　第２主面
　２１０，２２０，２３０，２４０　共通端子
　２１１～２１３，２２１，２２２，２３１，２３２，２４１，２４２　選択端子
　３００　通信装置
　３０１　信号処理回路
　３０２　ＲＦ信号処理回路
　３０３　ベースバンド信号処理回路
　３０４　外部基板
　３０５　外部接続電極
　３０６　第１主面
　３１０　アンテナ
　３４１～３４４　辺
　３４５～３５８　一部
　５１１，５２１　一の主面
　５１２，５２３　外周面
　６２１～６２４　側面電極
　ｄ３　直径
　ｄ４　幅
　Ｄ１　第１方向
　Ｄ２　第２方向
　Ｄ３　第３方向
　Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ１１，Ｑ２１　熱
　Ｒ１，Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２　受信経路
　Ｔ１，Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２　送信経路

Claims

　互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板と、
　前記実装基板の前記第１主面に配置された第１電子部品と、
　前記実装基板の前記第１主面に配置されており、前記第１電子部品の外周面の少なくとも一部を覆う第１樹脂層と、
　前記第１樹脂層の少なくとも一部を覆う第１グランド電極と、を備え、
　前記第１電子部品における前記実装基板の側とは反対側の主面は、前記第１グランド電極と接続されており、
　前記実装基板は、前記実装基板の内部に第２グランド電極を有し、
　前記第１グランド電極は、前記第２グランド電極と接続されている、
高周波モジュール。
　前記第１電子部品は、送信信号が通る送信経路に設けられている、
請求項１に記載の高周波モジュール。
　前記第１電子部品は、送信フィルタ、送受信フィルタ又はパワーアンプである、
請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
　前記第１グランド電極は、前記実装基板の外周面に配置された複数の側面電極を有し、
　前記実装基板の厚さ方向から見て、前記第２グランド電極の外形形状は、前記複数の側面電極と対応する複数の辺を有し、
　前記複数の辺のうちの少なくとも１つの辺は、前記１つの辺の半分以上の部分で、前記１つの辺に対応する前記側面電極と接触している、
請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記実装基板の厚さ方向から見て、前記第２グランド電極の外形形状は、互いに対向する２つの辺を少なくとも有し、
　前記第２グランド電極は、前記２つの辺において前記第１グランド電極と接触している、
請求項１～４のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記実装基板の厚さ方向から見て、前記第２グランド電極の外形形状の全体は、前記第１グランド電極と接触している、
請求項１～４のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記第２グランド電極は、前記実装基板において前記実装基板の厚さ方向に複数設けられており、
　前記複数の第２グランド電極のうちの少なくとも１つは、前記実装基板の内部に設けられており、
　前記複数の第２グランド電極は、互いに接続されており、
　前記第１グランド電極は、前記複数の第２グランド電極の少なくとも１つと接続されている、
請求項１～６のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記第１電子部品における前記実装基板の側とは反対側の前記主面と前記第１グランド電極との間に配置された金属部材を更に備え、
　前記第１電子部品の前記主面は、前記金属部材を介して前記第１グランド電極と接続されている、
請求項１～７のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記実装基板の前記第２主面に配置された外部接続電極を更に備え、
　前記第１グランド電極は、前記外部接続電極と接続されている、
請求項１～８のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記実装基板の前記第２主面に配置された外部接続電極と、
　前記実装基板の厚さ方向に貫通したサーマルビアと、を更に備え、
　前記サーマルビアは、接続部材を介して前記第１電子部品と接続されており、かつ、前記外部接続電極と接続されている、
　請求項１～９のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記サーマルビアは、前記第２グランド電極と接続されている、
請求項１０に記載の高周波モジュール。
　前記実装基板の前記第１主面に配置された第２電子部品と、
　前記実装基板の前記第1主面において前記第１電子部品と前記第２電子部品との間に配置されており、かつ前記実装基板の側とは反対側の端面が前記第１グランド電極と接続されており、グランド電位に設定されている導電部材と、
　前記実装基板の前記第２主面に配置された外部接続電極と、
　前記実装基板の内部に設けられており、前記導電部材と前記外部接続電極とを接続するサーマルビアと、を更に備える、
請求項１～９のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記実装基板の前記第２主面に配置された第３電子部品と、
　前記第３電子部品の外面の少なくとも一部を覆うように前記第２主面に設けられた第２樹脂層と、を更に備える、
請求項１～１２のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記第１グランド電極は、前記第２樹脂層の外周面における前記実装基板の厚さ方向の半分以上の領域を覆う、
請求項１３に記載の高周波モジュール。
　前記第２樹脂層における前記実装基板の側とは反対側の主面に配置された外部接続電極を更に備え、
　前記第１グランド電極は、前記外部接続電極と接続されている、
請求項１４に記載の高周波モジュール。
　請求項１～１５のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、
　前記高周波モジュールを通る高周波信号を処理する信号処理回路と、を備える、
通信装置。