JP2021500364A5

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Publication number: JP2021500364A5
Application number: JP2020522739A
Authority: JP
Filing date: 2018-10-23
Publication date: 2021-12-02
Anticipated expiration: 2038-10-23

Claims

構造（１ａ）を有する化合物であって、
Ｘ_１ａは、（３）、（３ａ）、（３ｂ）からなる群から選択されるヘッド基であり、Ｘ_２ａは、（４）及び（４ａ）からなる群から選択されるテール基であり；

ＱおよびＱ_１は、独立して、水素またはアルキル基から選択され；
ここで、ｍは、２〜８までの整数であり、ｒ’は、ヘッド基に結合されたテール基の数であり、Ｘ_１ａが（３）または（３ｂ）から選択される場合、ｒ’は１であり、Ｘ_１ａがヘッド基（３ａ）の場合、ｒ’は２であり、ｍ１およびｍ２は、独立して２〜８の範囲の整数であり；
ｙおよびｙ１は、独立して、０、１または２であり；
さらに、ＲおよびＲ_１は、Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル基から独立して選択される、前記化合物。
前記テール基が構造（４）を有する、請求項１に記載の化合物。
前記テール基が構造（４ａ）を有する、請求項１に記載の化合物。
請求項１〜３のいずれか一項に記載の化合物；
０．５〜２．５質量％の水を含む溶媒；
水中において９〜１５．７のｐＫ_ａを有する有機非金属塩基性化合物；
を含む組成物。
ａ１）請求項１〜３のいずれか一項に記載の化合物、０．５〜２．５質量％の水を含む溶媒、及び９〜１５．７のｐＫ_ａを有する非金属塩基性化合物を組み合わせるステップ；
ｂ１）溶液を室温で２〜３週間エージングして、前記化合物中のアルコキシシリル部分を部分的に加水分解し、オリゴマー化するステップ、
により製造される組成物。
ａ２）基材上に請求項５の組成物をコーティングしてコーティングを生成するステップ、
ｂ２）不活性ガス下で１８０〜２２０℃の範囲の温度でコーティングを１０〜３０分間ベーキングしてベークされたフィルムを生成するステップ、
ｃ２）ベークされたフィルムを溶剤により洗浄して、未グラフト材料を除去し、基材上に自己組織化単層を残すステップを含む、
パターン化されていない基材上に自己組織化単層を形成するための方法。
２．２〜２．５５の範囲のｋ値を有するパターン化された多孔性誘電体基材上に自己組織化された単層を形成し、前記パターン化された多孔性誘電体中の孔をキャップするための方法であって、
ａ３）パターン化された誘電体基材上に請求項５に記載の組成物をコーティングすることにより、パターン化された基材上にコーティングを生成するステップ、
ｂ３）不活性ガス下で１８０〜２２０℃の範囲の温度で、パターン化された基材上のコーティングを１０〜３０分間ベーキングしてベークされたフィルムを生成するステップ、
ｃ３）ベークされたフィルムを溶剤により洗浄して、キャップ化されたパターン化誘電体を生成し、ここで、前記パターン化された誘電体基材の表面上において自己組織化された単層が、１０Å〜２０Åの範囲の直径を有する前記表面上の孔をキャップするステップ、
を含む前記方法。
ステップｂ３において、１７５〜２００℃の範囲の温度でベーキングする、請求項６に記載の方法。
２．２〜２．５５の範囲のｋ値を有するキャップされたパターン化誘電体基材の銅メタリゼーションのための方法であって、
ａ４）パターン化された多孔性誘電体基材上に請求項５に記載の組成物をコーティングすることにより、パターン化された基材上にコーティングを生成するステップ、
ｂ４）不活性ガス下で１８０〜２２０℃の温度で、パターン化された基材上のコーティングを１０〜３０分間ベーキングして、ベークされたフィルムを生成するステップ、
ｃ４）ベークされたフィルムを溶剤により洗浄して、キャップされたパターン化多孔性誘電体を生成し、ここで、前記パターン化された多孔性誘電体基材の表面上において自己組織化された単層が、１ｎｍ〜２ｎｍの範囲の直径を有する前記表面上の孔をキャップするステップ；
ｄ４）原子層堆積を用いて、前記キャップされたパターン化多孔性誘電体上に金属の層を堆積するステップ、
を含む前記方法。