JP2021186954A - Thickness adjustment method of protective member - Google Patents

Thickness adjustment method of protective member Download PDF

Info

Publication number
JP2021186954A
JP2021186954A JP2020097649A JP2020097649A JP2021186954A JP 2021186954 A JP2021186954 A JP 2021186954A JP 2020097649 A JP2020097649 A JP 2020097649A JP 2020097649 A JP2020097649 A JP 2020097649A JP 2021186954 A JP2021186954 A JP 2021186954A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
protective member
thickness
holding
holding surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020097649A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP7488117B2 (en
Inventor
大資 廣内
Hiroshi Hirouchi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2020097649A priority Critical patent/JP7488117B2/en
Priority to TW110117151A priority patent/TW202146162A/en
Priority to CN202110577552.9A priority patent/CN113770867A/en
Priority to DE102021205567.2A priority patent/DE102021205567A1/en
Publication of JP2021186954A publication Critical patent/JP2021186954A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7488117B2 publication Critical patent/JP7488117B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B19/00—Single-purpose machines or devices for particular grinding operations not covered by any other main group
    • B24B19/22—Single-purpose machines or devices for particular grinding operations not covered by any other main group characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/04—Headstocks; Working-spindles; Features relating thereto
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B47/00—Drives or gearings; Equipment therefor
    • B24B47/10—Drives or gearings; Equipment therefor for rotating or reciprocating working-spindles carrying grinding wheels or workpieces
    • B24B47/12—Drives or gearings; Equipment therefor for rotating or reciprocating working-spindles carrying grinding wheels or workpieces by mechanical gearing or electric power
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B47/00—Drives or gearings; Equipment therefor
    • B24B47/22—Equipment for exact control of the position of the grinding tool or work at the start of the grinding operation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B51/00—Arrangements for automatic control of a series of individual steps in grinding a workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B55/00—Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
    • B24B55/06—Dust extraction equipment on grinding or polishing machines
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)

Abstract

To suppress unevenness of a thickness of a wafer including a protective member.SOLUTION: A thickness of a wafer 100 including a protective member 105 is calculated at least at three positions by using a height gauge 320 of a grinding device 3. An inclination relationship between a film holding surface of a stage and a wafer holding surface of holding means in a protective member forming device can be adjusted, that is, parallelism between the film holding surface and the wafer holding surface can be increased in accordance with a thickness difference as a difference of the thickness calculated at the three positions. Thereby, unevenness of the thickness of the wafer 100 including the protective member 105 can be suppressed when the protective member 105 is formed on the wafer 100 by the protective member forming device.SELECTED DRAWING: Figure 7

Description

本発明は、保護部材の厚み調整方法に関する。 The present invention relates to a method for adjusting the thickness of a protective member.

円形板状のアズスライスウェーハは、たとえば、円柱状のシリコンインゴットを、ワイヤーソーによってスライスすることによって得られる。この円形板状のアズスライスウェーハは、反りおよびうねりを有している。そのアズスライスウェーハを、研削砥石によって研削することによって、アズスライスウェーハから反りおよびうねりを除去すると共に、アズスライスウェーハの厚みを所定の厚みに調整している。 The circular plate-shaped asslice wafer is obtained, for example, by slicing a cylindrical silicon ingot with a wire saw. This circular plate-shaped asslice wafer has warpage and waviness. By grinding the asslice wafer with a grinding wheel, warpage and waviness are removed from the asslice wafer, and the thickness of the asslice wafer is adjusted to a predetermined thickness.

アズスライスウェーハを研削する際には、アズスライスウェーハの一方の面に液状樹脂を押し広げ、その液状樹脂を硬化させる。これにより、アズスライスウェーハの一方の面に、樹脂からなる保護部材を形成している。 When grinding an asslice wafer, a liquid resin is spread on one surface of the asslice wafer and the liquid resin is cured. As a result, a protective member made of resin is formed on one surface of the asslice wafer.

保護部材の形成については、たとえば、特許文献１に開示されている。この文献の技術では、ステージの上面のフィルム保持面によって、フィルムを保持する。このフィルムの上に液状樹脂を供給し、液状樹脂の上から、ウェーハ保持面に上面を保持されたウェーハの下面を押し付ける。さらに、ウェーハの下面によって液状樹脂に荷重をかけて、ウェーハの下面の全面に、液状樹脂を押し広げる。押し広げられた液状樹脂を硬化させて、保護部材を形成する。 The formation of the protective member is disclosed in, for example, Patent Document 1. In the techniques of this document, the film is held by the film holding surface on the upper surface of the stage. A liquid resin is supplied onto this film, and the lower surface of the wafer whose upper surface is held against the wafer holding surface is pressed from above the liquid resin. Further, a load is applied to the liquid resin by the lower surface of the wafer, and the liquid resin is spread over the entire lower surface of the wafer. The spread liquid resin is cured to form a protective member.

特開２０１７−２２０５４８号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2017-220548

特許文献１に記載の技術では、保護部材を含むウェーハの厚みを均一にするために、フィルムを保持するフィルム保持面と、ウェーハを保持するウェーハ保持面とが、互いに平行になるように調整されている。しかし、これらが僅かに平行でないこと、あるいは、フィルム上における液状樹脂の供給位置が、ウェーハの中心と一致していないことなどによって、保護部材を含むウェーハの厚みが、均一にならないことがある。 In the technique described in Patent Document 1, in order to make the thickness of the wafer including the protective member uniform, the film holding surface for holding the film and the wafer holding surface for holding the wafer are adjusted to be parallel to each other. ing. However, the thickness of the wafer including the protective member may not be uniform because they are not slightly parallel to each other or the liquid resin supply position on the film does not match the center of the wafer.

したがって、本発明の目的は、保護部材を含むウェーハの厚みが不均一になることを抑制することにある。 Therefore, an object of the present invention is to prevent the thickness of the wafer including the protective member from becoming uneven.

本発明の保護部材の厚み調整方法（本厚み調整方法）は、フィルムを保持するフィルム保持面を有するステージと、ウェーハを保持するウェーハ保持面を有する保持手段とを備え、該フィルム保持面によって保持されたフィルム上に供給した液状樹脂に、該ウェーハ保持面によって保持されたウェーハの一方の面を押しつけることによって、該ウェーハの該一方の面の全面に液状樹脂を押し広げて、この液状樹脂を硬化することによって、該ウェーハの該一方の面の全面に該液状樹脂を硬化させた樹脂と該フィルムとからなる保護部材を形成する保護部材形成装置と、該保護部材を介して保持面によって保持したウェーハを、ハイトゲージを用いて該保持面の高さと該保持面に保持されたウェーハの上面高さとを測定した値をもとに、該保護部材を含むウェーハの厚みを算出しながら、研削砥石によってウェーハを研削する研削装置と、を少なくとも用いて、保護部材の厚みを調整する、保護部材の厚み調整方法であって、該保護部材形成装置を用いてウェーハの一方の面の全面に保護部材を形成する保護部材形成工程と、該保護部材を該研削装置の該保持面によって保持し、該ウェーハの中心を中心とする円周上の少なくとも３箇所において、該保護部材を含むウェーハの厚みを該ハイトゲージによって算出する厚み算出工程と、該厚み算出工程において算出された少なくとも３つの厚み値のうちの１つを基準値として、該基準値と他の２つの厚み値との差である厚み差を算出する算出工程と、該算出工程において算出された該厚み差を用いて、次に保護部材を形成する前までに、該保護部材形成装置における該ステージの該フィルム保持面と該保持手段の該ウェーハ保持面との傾き関係を調整する傾き調整工程と、を備える。 The method for adjusting the thickness of the protective member (this method for adjusting the thickness) of the present invention includes a stage having a film holding surface for holding a film and a holding means having a wafer holding surface for holding a wafer, and is held by the film holding surface. By pressing one surface of the wafer held by the wafer holding surface against the liquid resin supplied on the film, the liquid resin is spread over the entire surface of the one surface of the wafer to spread the liquid resin. A protective member forming device for forming a protective member composed of a resin obtained by curing the liquid resin and the film on the entire surface of one surface of the wafer by curing, and a protective member held by the holding surface via the protective member. The grinding wheel while calculating the thickness of the wafer including the protective member based on the measured values of the height of the holding surface and the height of the upper surface of the wafer held on the holding surface of the wafer. A method for adjusting the thickness of a protective member, which adjusts the thickness of the protective member by using at least a grinding device that grinds the wafer by means of the protective member forming device. The thickness of the wafer including the protective member is determined at least at three points on the circumference centered on the center of the wafer by holding the protective member by the holding surface of the grinding device. A thickness difference between the thickness calculation step calculated by the height gauge and the difference between the reference value and the other two thickness values using one of at least three thickness values calculated in the thickness calculation step as a reference value. The film holding surface of the stage and the holding means of the stage in the protective member forming apparatus before the next protective member is formed by using the calculation step of calculating and the thickness difference calculated in the calculation step. A tilt adjusting step for adjusting the tilt relationship with the wafer holding surface is provided.

また、本厚み調整方法では、該厚み算出工程後、または、該傾き調整工程後に、該保護部材をウェーハから剥離する剥離装置を用いて、該保護部材をウェーハから剥離する剥離工程をさらに備えてもよく、該保護部材形成工程、該厚み算出工程、該算出工程、該傾き調整工程、および該剥離工程、を繰り返して行ってもよい。 Further, the thickness adjusting method further includes a peeling step of peeling the protective member from the wafer by using a peeling device for peeling the protective member from the wafer after the thickness calculation step or the inclination adjusting step. Alternatively, the protective member forming step, the thickness calculation step, the calculation step, the inclination adjusting step, and the peeling step may be repeated.

本厚み調整方法では、研削装置のハイトゲージを用いて、保護部材を含むウェーハの厚みを少なくとも３箇所で算出し、その３箇所で算出した厚みの差である厚み差に基づいて、保護部材形成装置におけるステージのフィルム保持面と保持手段のウェーハ保持面との傾き関係を調整すること、すなわち、フィルム保持面とウェーハ保持面との平行度を高めることができる。これにより、保護部材形成装置においてウェーハに保護部材が形成される際、保護部材を含むウェーハの厚みが不均一になることを、抑制することができる。 In this thickness adjustment method, the thickness of the wafer including the protective member is calculated at at least three points using the height gauge of the grinding device, and the protective member forming device is based on the thickness difference which is the difference between the thicknesses calculated at the three points. It is possible to adjust the inclination relationship between the film holding surface of the stage and the wafer holding surface of the holding means, that is, to increase the parallelism between the film holding surface and the wafer holding surface. As a result, when the protective member is formed on the wafer in the protective member forming apparatus, it is possible to prevent the thickness of the wafer including the protective member from becoming uneven.

一実施形態にかかるウェーハ製造装置を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the wafer manufacturing apparatus which concerns on one Embodiment. ウェーハ製造装置における保護部材形成装置の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the protection member forming apparatus in a wafer manufacturing apparatus. 保護部材形成工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the protective member forming process. 保護部材形成工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the protective member forming process. 保護部材を備えたウェーハの断面図である。It is sectional drawing of the wafer provided with the protective member. ウェーハ製造装置における研削装置の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the grinding apparatus in a wafer manufacturing apparatus. 厚み算出工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the thickness calculation process. 厚み算出工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the thickness calculation process. 算出工程の例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the example of the calculation process. 傾き調整工程の例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the example of the inclination adjustment process. ウェーハの厚みの算出点と、３つの調整軸と、ウェーハの外径との関係を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the relationship between the calculation point of the thickness of a wafer, three adjustment shafts, and the outer diameter of a wafer. ウェーハ製造装置における剥離装置の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the peeling apparatus in a wafer manufacturing apparatus.

図１に示すウェーハ製造装置１は、うねり、反り等をはじめとする変形要素を含むウェーハ１００から変形要素を除去して、所定の厚みのウェーハ１００を製造する。このウェーハ製造装置１は、ウェーハ１００に保護部材を形成する保護部材形成装置２、ウェーハ１００を研削する研削装置３、および、ウェーハ１００から保護部材を剥離する剥離装置４を備えている。保護部材形成装置２、研削装置３および剥離装置４は、Ｘ方向に並ぶように配されている。 The wafer manufacturing apparatus 1 shown in FIG. 1 removes deforming elements from the wafer 100 including deforming elements such as waviness and warpage to manufacture a wafer 100 having a predetermined thickness. The wafer manufacturing device 1 includes a protective member forming device 2 for forming a protective member on the wafer 100, a grinding device 3 for grinding the wafer 100, and a peeling device 4 for peeling the protective member from the wafer 100. The protective member forming device 2, the grinding device 3, and the peeling device 4 are arranged so as to be arranged in the X direction.

さらに、ウェーハ製造装置１は、保護部材形成装置２から研削装置３にウェーハ１００を搬送するために用いられる受渡カセット部５を備えている。受渡カセット部５は、保護部材形成装置２と研削装置３との間に配置される。 Further, the wafer manufacturing apparatus 1 includes a delivery cassette unit 5 used for transporting the wafer 100 from the protective member forming apparatus 2 to the grinding apparatus 3. The delivery cassette unit 5 is arranged between the protective member forming device 2 and the grinding device 3.

ウェーハ１００は、図示しないワイヤーソーマシンによってインゴットから切り出されたアズスライスウェーハである。ウェーハ１００は、たとえば円板状に形成されており、表面１０１および裏面１０２を有している。また、ウェーハ１００の外周には、ノッチ１０７が形成されている。 The wafer 100 is an asslice wafer cut out from an ingot by a wire saw machine (not shown). The wafer 100 is formed in a disk shape, for example, and has a front surface 101 and a back surface 102. Further, a notch 107 is formed on the outer periphery of the wafer 100.

ウェーハ１００の裏面１０２および表面１０１は、それぞれ、ウェーハ１００の一方の面および他方の面の一例に相当する。 The back surface 102 and the front surface 101 of the wafer 100 correspond to an example of one surface and the other surface of the wafer 100, respectively.

保護部材形成装置２は、ウェーハ１００の裏面１０２の全面に、樹脂層を含む保護部材を形成する。保護部材形成装置２は、第１の搬送ロボット２１を有しており、第１の搬送ロボット２１は、保護部材を備えたウェーハ１００を受渡カセット部５に収納する。 The protective member forming device 2 forms a protective member including a resin layer on the entire surface of the back surface 102 of the wafer 100. The protective member forming device 2 has a first transfer robot 21, and the first transfer robot 21 stores the wafer 100 provided with the protective member in the delivery cassette unit 5.

受渡カセット部５は、ウェーハ１００を棚状に収納する受渡カセット５１と、受渡カセット５１が載置されるカセットステージ５２とを有している。受渡カセット５１は、ウェーハ１００を収納するための複数の棚５１１を備えている。棚５１１は、保護部材形成装置２側から研削装置３側に受渡カセット５１を貫通するように設けられており、棚５１１に対してウェーハ１００を出し入れするための、保護部材形成装置２側の第１の開口５１２と、研削装置３側の第２の開口５１３とを備えている。 The delivery cassette unit 5 has a delivery cassette 51 for storing the wafer 100 in a shelf shape, and a cassette stage 52 on which the delivery cassette 51 is placed. The delivery cassette 51 includes a plurality of shelves 511 for accommodating the wafer 100. The shelf 511 is provided so as to penetrate the delivery cassette 51 from the protective member forming device 2 side to the grinding device 3 side, and is the second on the protective member forming device 2 side for loading and unloading the wafer 100 with respect to the shelf 511. The opening 512 of 1 and the second opening 513 on the side of the grinding device 3 are provided.

保護部材形成装置２の第１の搬送ロボット２１は、第１の開口５１２を介して、保護部材を備えたウェーハ１００を、受渡カセット５１の棚５１１に収納する。 The first transfer robot 21 of the protective member forming device 2 stores the wafer 100 provided with the protective member in the shelf 511 of the delivery cassette 51 via the first opening 512.

研削装置３は、ウェーハ１００の表面１０１および裏面１０２を研削する。研削装置３は、第２の搬送ロボット３１を有している。第２の搬送ロボット３１は、受渡カセット５１の棚５１１から、第２の開口５１３を介して保護部材を備えたウェーハ１００を取り出し、研削装置３における所定の位置に載置する。研削装置３は、筐体３００を有しており、その−Ｙ方向側の前面には、両面が研削されたウェーハ１００を収容するロードポート３０１が設けられている。 The grinding device 3 grinds the front surface 101 and the back surface 102 of the wafer 100. The grinding device 3 has a second transfer robot 31. The second transfer robot 31 takes out the wafer 100 provided with the protective member from the shelf 511 of the delivery cassette 51 through the second opening 513 and places it in a predetermined position in the grinding apparatus 3. The grinding device 3 has a housing 300, and a load port 301 for accommodating a wafer 100 whose both sides have been ground is provided on the front surface on the −Y direction side thereof.

剥離装置４は、研削装置３から搬送されたウェーハ１００から、保護部材を剥離する。保護部材が剥離されたウェーハ１００は、研削装置３を経て、保護部材形成装置２に戻される。 The peeling device 4 peels the protective member from the wafer 100 conveyed from the grinding device 3. The wafer 100 from which the protective member has been peeled off is returned to the protective member forming device 2 via the grinding device 3.

以下に、ウェーハ製造装置１の動作の１つである、保護部材の厚みを調整するための保護部材の厚み調整方法について説明する。 Hereinafter, a method for adjusting the thickness of the protective member for adjusting the thickness of the protective member, which is one of the operations of the wafer manufacturing apparatus 1, will be described.

本実施形態にかかる保護部材の厚み調整方法は、保護部材形成工程、厚み算出工程、算出工程、傾き調整工程および剥離工程を含む。 The method for adjusting the thickness of the protective member according to the present embodiment includes a protective member forming step, a thickness calculation step, a calculation step, an inclination adjusting step, and a peeling step.

［保護部材形成工程］
図２に示すように、筐体２００を有する保護部材形成装置２は、保護部材形成装置２の各構成を制御する第１制御部２０を備えている。保護部材形成装置２は、たとえば第１制御部２０の制御により、保護部材形成工程を実施する。保護部材形成工程では、保護部材形成装置２を用いて、ウェーハ１００の裏面１０２の全面に、保護部材を形成する。 [Protective member forming process]
As shown in FIG. 2, the protective member forming device 2 having the housing 200 includes a first control unit 20 that controls each configuration of the protective member forming device 2. The protective member forming device 2 carries out the protective member forming step, for example, under the control of the first control unit 20. In the protective member forming step, the protective member forming device 2 is used to form the protective member on the entire surface of the back surface 102 of the wafer 100.

この保護部材形成工程は、まず、第１の搬送ロボット２１が、アズスライスウェーハであるウェーハ１００を収容しているカセット２０１から、１枚のウェーハ１００を取り出して、第１支持台２０２に搬送する。ウェーハ検出部２７が、ウェーハ１００の中心位置および向きを検出する。その後、ウェーハ搬送部２５が、第１支持台２０２からウェーハ１００を搬出して、保持手段２５０に受け渡す。 In this protective member forming step, first, the first transfer robot 21 takes out one wafer 100 from the cassette 201 accommodating the wafer 100 which is an asslice wafer and transfers it to the first support base 202. .. The wafer detection unit 27 detects the center position and orientation of the wafer 100. After that, the wafer transfer unit 25 carries out the wafer 100 from the first support base 202 and delivers it to the holding means 250.

保持手段２５０は、支持構造２５１と、ウェーハ保持面２５２を有する円板状のウェーハ保持部２５３とを有している。このウェーハ保持面２５２によって、ウェーハ１００の表面１０１が吸引保持される。 The holding means 250 has a support structure 251 and a disk-shaped wafer holding portion 253 having a wafer holding surface 252. The surface 101 of the wafer 100 is suction-held by the wafer holding surface 252.

また、保持手段２５０は、支持構造２５１とウェーハ保持部２５３との間に、ウェーハ保持部２５３の中心を支持する連結軸２５４を備えている。ウェーハ保持部２５３は、この連結軸２５４に支持された状態で、支持構造２５１とともに昇降することが可能である。 Further, the holding means 250 includes a connecting shaft 254 that supports the center of the wafer holding portion 253 between the support structure 251 and the wafer holding portion 253. The wafer holding portion 253 can move up and down together with the support structure 251 while being supported by the connecting shaft 254.

さらに保持手段２５０は、支持構造２５１とウェーハ保持部２５３との間における連結軸２５４の周囲に、支持構造２５１に対するウェーハ保持面２５２の傾き、すなわち、ウェーハ保持面２５２とフィルム保持面２２１との角度関係を調整するための傾き調整機構としての、３つの調整軸２５５を備えている。 Further, the holding means 250 has an inclination of the wafer holding surface 252 with respect to the support structure 251 around the connecting shaft 254 between the support structure 251 and the wafer holding portion 253, that is, an angle between the wafer holding surface 252 and the film holding surface 221. It is provided with three adjustment shafts 255 as tilt adjustment mechanisms for adjusting the relationship.

調整軸２５５は、ウェーハ保持面２５２の中心を中心とする円周上に、互いに等間隔となるように、すなわち、１２０度おきに設けられている。調整軸２５５は、各調整軸２５５が設けられている部分における支持構造２５１とウェーハ保持部２５３との間隔を、伸縮することが可能である。これにより、３つの調整軸２５５は、ウェーハ保持面２５２とフィルム保持面２２１との角度関係を調整することができる。 The adjusting shaft 255 is provided on the circumference centered on the center of the wafer holding surface 252 so as to be equidistant from each other, that is, at intervals of 120 degrees. The adjusting shaft 255 can expand and contract the distance between the support structure 251 and the wafer holding portion 253 in the portion where each adjusting shaft 255 is provided. Thereby, the three adjusting shafts 255 can adjust the angular relationship between the wafer holding surface 252 and the film holding surface 221.

ウェーハ１００の保持手段２５０への搬送と並行して、シート載置手段２３０のクランプ部２３２が、紫外線を透過する透明材料からなるフィルム１０３をクランプしてＹ軸方向に移動することにより、フィルム１０３をロール部２１１から引き出す。フィルム１０３は、図３に示すように、ガラス製のステージ２２０のフィルム保持面２２１に載置される。フィルム保持面２２１は、吸引路２２３を介して、吸引源２２２に連通されている。フィルム保持面２２１は、吸引源２２２からの吸引力を用いて、フィルム１０３を吸引保持する。 In parallel with the transfer of the wafer 100 to the holding means 250, the clamp portion 232 of the sheet mounting means 230 clamps the film 103 made of a transparent material that transmits ultraviolet rays and moves the film 103 in the Y-axis direction. Is pulled out from the roll portion 211. As shown in FIG. 3, the film 103 is placed on the film holding surface 221 of the glass stage 220. The film holding surface 221 communicates with the suction source 222 via the suction path 223. The film holding surface 221 sucks and holds the film 103 by using the suction force from the suction source 222.

このように、保護部材形成装置２は、フィルム保持面２２１を有するステージ２２０と、ウェーハ保持面２５２を有する保持手段２５０とを備えている。 As described above, the protective member forming apparatus 2 includes a stage 220 having a film holding surface 221 and a holding means 250 having a wafer holding surface 252.

その後、図２に示す樹脂供給手段２４０が、樹脂供給ノズル２４１を旋回させることにより、樹脂供給ノズル２４１の供給口２４３を、ステージ２２０の上方に位置づける。続いて、ディスペンサ２４２が、樹脂タンク（図示せず）に収容されている、たとえば紫外線硬化樹脂からなる液状樹脂を吸い、樹脂供給ノズル２４１に送出する。
これにより、樹脂供給ノズル２４１から、ステージ２２０に吸引保持されているフィルム１０３に向けて、図３に示すように、所定量の液状樹脂２２４が滴下される。 After that, the resin supply means 240 shown in FIG. 2 swivels the resin supply nozzle 241 to position the supply port 243 of the resin supply nozzle 241 above the stage 220. Subsequently, the dispenser 242 sucks the liquid resin contained in the resin tank (not shown), for example, made of an ultraviolet curable resin, and sends it to the resin supply nozzle 241.
As a result, a predetermined amount of liquid resin 224 is dropped from the resin supply nozzle 241 toward the film 103 that is sucked and held by the stage 220, as shown in FIG.

図２に示す拡張手段２６０は、昇降板２６４により、保持手段２５０の支持構造２５１を保持している。拡張手段２６０は、モータ２６２によってボールネジ２６１を回動させることにより、昇降板２６４とともに保持手段２５０を降下させる。これにより、図３に矢印７０１に示すように、保持手段２５０が降下される。 The expansion means 260 shown in FIG. 2 holds the support structure 251 of the holding means 250 by the elevating plate 264. The expansion means 260 lowers the holding means 250 together with the elevating plate 264 by rotating the ball screw 261 by the motor 262. As a result, the holding means 250 is lowered as shown by arrow 701 in FIG.

保持手段２５０の降下に伴い、図４に示すように、ステージ２２０のフィルム保持面２２１に吸引保持されているフィルム１０３上に供給した液状樹脂２２４に、ウェーハ保持面２５２によって吸引保持されたウェーハ１００の裏面１０２が押しつけられる。これにより、液状樹脂２２４が、ウェーハ１００の裏面１０２の全面に押し拡げられる。 As shown in FIG. 4, as the holding means 250 descends, the wafer 100 is sucked and held by the wafer holding surface 252 on the liquid resin 224 supplied on the film 103 that is sucked and held by the film holding surface 221 of the stage 220. The back surface 102 of the is pressed. As a result, the liquid resin 224 is spread over the entire surface of the back surface 102 of the wafer 100.

ステージ２２０の下方には、たとえば紫外線光源（ＬＥＤ）としての硬化手段２７０が備えられている。硬化手段２７０は、ウェーハ１００の裏面１０２に押し拡げられた液状樹脂２２４に向けて、ステージ２２０を介して、紫外光２７１を照射する。その結果、液状樹脂２４４が硬化されて、硬化された樹脂からなる樹脂層が、ウェーハ１００の裏面１０２の全面に形成される。その後、図２に示す拡張手段２６０が、昇降板２６４とともに、ウェーハ保持面２５２によってウェーハ１００を保持している保持手段２５０を上昇させる。これにより、ウェーハ１００が、ステージ２２０から離間される。 Below the stage 220, for example, a curing means 270 as an ultraviolet light source (LED) is provided. The curing means 270 irradiates the liquid resin 224 spread on the back surface 102 of the wafer 100 with ultraviolet light 271 via the stage 220. As a result, the liquid resin 244 is cured, and a resin layer made of the cured resin is formed on the entire surface of the back surface 102 of the wafer 100. After that, the expansion means 260 shown in FIG. 2 raises the holding means 250 holding the wafer 100 by the wafer holding surface 252 together with the elevating plate 264. As a result, the wafer 100 is separated from the stage 220.

その後、ウェーハ１００は、図２に示すウェーハ搬送部２５によって第２支持台２０３に搬送され、フィルムカッター２８によって、ウェーハ１００の外形に沿って、余分なフィルム１０３が切断される。この際、フィルム１０３の径は、ウェーハ１００の径よりも少し大きくされる。 After that, the wafer 100 is transferred to the second support base 203 by the wafer transfer unit 25 shown in FIG. 2, and the extra film 103 is cut along the outer shape of the wafer 100 by the film cutter 28. At this time, the diameter of the film 103 is slightly larger than the diameter of the wafer 100.

このようにして、図５に示すように、ウェーハ１００の裏面１０２の全面に、液状樹脂２４４を硬化させた樹脂である樹脂層１０４とフィルム１０３とからなる保護部材１０５が形成される。
保護部材１０５の形成後、第１の搬送ロボット２１が、保護部材１０５を備えたウェーハ１００を、表面１０１が上向きとなるように、図１に示した第１の開口５１２を介して、受渡カセット５１に収容する。 In this way, as shown in FIG. 5, a protective member 105 composed of a resin layer 104 which is a resin obtained by curing a liquid resin 244 and a film 103 is formed on the entire surface of the back surface 102 of the wafer 100.
After the protective member 105 is formed, the first transfer robot 21 delivers the wafer 100 provided with the protective member 105 through the first opening 512 shown in FIG. 1 so that the surface 101 faces upward. It is housed in 51.

保護部材形成装置２による保護部材形成工程の後、ウェーハ１００は、研削装置３によって処理される。 After the protective member forming step by the protective member forming apparatus 2, the wafer 100 is processed by the grinding apparatus 3.

図６に示す研削装置３は、ウェーハ１００を保持する保持面３１１を備えたチャックテーブル３１０、保持面３１１に保持されたウェーハ１００を研削する研削手段３３０、研削手段３３０を研削送りするための研削送り手段３０６を備えている。研削手段３３０は、研削砥石３３２を有する研削ホイール３３１を備えている。 The grinding apparatus 3 shown in FIG. 6 includes a chuck table 310 provided with a holding surface 311 for holding the wafer 100, a grinding means 330 for grinding the wafer 100 held on the holding surface 311 and a grinding means 330 for grinding and feeding. The feeding means 306 is provided. The grinding means 330 includes a grinding wheel 331 having a grinding wheel 332.

また、研削装置３は、研削されたウェーハ１００を洗浄するためのスピンナ洗浄ユニット３５０、および、研削装置３の各構成を制御する第２制御部３６を備えている。さらに、研削装置３は、保持面３１１に保持されたウェーハ１００の厚みを算出するためのハイトゲージ３２０を備えている。 Further, the grinding device 3 includes a spinner cleaning unit 350 for cleaning the ground wafer 100, and a second control unit 36 for controlling each configuration of the grinding device 3. Further, the grinding device 3 includes a height gauge 320 for calculating the thickness of the wafer 100 held on the holding surface 311.

そして、研削装置３は、保護部材１０５を介して保持面３１１によって保持したウェーハ１００を、ハイトゲージ３２０を用いて、保護部材１０５を含むウェーハ１００の厚みを算出しながら、研削砥石３３２によって研削するものである。
本実施形態にかかる保護部材の厚み調整方法では、研削装置３は、厚み算出工程および算出工程を実施する。 Then, the grinding device 3 grinds the wafer 100 held by the holding surface 311 via the protective member 105 with the grinding wheel 332 while calculating the thickness of the wafer 100 including the protective member 105 using the height gauge 320. Is.
In the method for adjusting the thickness of the protective member according to the present embodiment, the grinding device 3 carries out a thickness calculation step and a calculation step.

［厚み算出工程］
厚み算出工程では、研削装置３は、保護部材１０５が形成されたウェーハ１００の厚み、すなわち、保護部材１０５を含むウェーハ１００の厚み（ウェーハ１００のみの厚みに、保護部材１０５の厚みを加えたもの）を算出する。
なお、以下では、保護部材１０５を含むウェーハ１００の厚みを、単に、ウェーハ１００の厚みと称することがある。 [Thickness calculation process]
In the thickness calculation step, the grinding apparatus 3 uses the thickness of the wafer 100 on which the protective member 105 is formed, that is, the thickness of the wafer 100 including the protective member 105 (the thickness of the wafer 100 alone plus the thickness of the protective member 105). ) Is calculated.
In the following, the thickness of the wafer 100 including the protective member 105 may be simply referred to as the thickness of the wafer 100.

この工程では、まず、第２の搬送ロボット３１が、受渡カセット部５内の保護部材１０５を備えたウェーハ１００を、第２の開口５１３を介して取り出す。第２の搬送ロボット３１は、ウェーハ１００を、その表面１０１（図５参照）が上向きとなるように、仮置きテーブル３２に載置する。 In this step, first, the second transfer robot 31 takes out the wafer 100 provided with the protective member 105 in the delivery cassette portion 5 through the second opening 513. The second transfer robot 31 places the wafer 100 on the temporary placement table 32 so that its surface 101 (see FIG. 5) faces upward.

そして、第１搬送手段３１５がウェーハ１００の表面１０１を吸引保持し、チャックテーブル３１０に搬送する。チャックテーブル３１０は、保持面３１１によって、ウェーハ１００の裏面１０２に形成された保護部材１０５を吸引保持する。これにより、図７に示すように、表面１０１が露出した状態で、ウェーハ１００がチャックテーブル３１０に保持される。 Then, the first transport means 315 sucks and holds the surface 101 of the wafer 100 and transports it to the chuck table 310. The chuck table 310 sucks and holds the protective member 105 formed on the back surface 102 of the wafer 100 by the holding surface 311. As a result, as shown in FIG. 7, the wafer 100 is held on the chuck table 310 with the surface 101 exposed.

その後、第２制御部３６が、ハイトゲージ３２０によって、ウェーハ１００の中心を中心とする円周上の少なくとも３箇所において、ウェーハ１００の厚みを算出する。 After that, the second control unit 36 calculates the thickness of the wafer 100 at at least three locations on the circumference centered on the center of the wafer 100 by the height gauge 320.

ハイトゲージ３２０は、チャックテーブル３１０の保持面３１１と面一の外枠３１２、および、ウェーハ１００の表面１０１に、それぞれ、第１接触子３２１および第２接触子３２２を接触させる。これにより、ハイトゲージ３２０は、チャックテーブル３１０の保持面３１１の高さ、および、ウェーハ１００の高さを測定することができる。ハイトゲージ３２０は、測定された保持面３１１の高さとウェーハ１００の高さとの差分に基づいて、ウェーハ１００の厚みを算出することができる。 The height gauge 320 brings the first contactor 321 and the second contactor 322 into contact with the holding surface 311 of the chuck table 310, the outer frame 312 flush with each other, and the surface 101 of the wafer 100, respectively. Thereby, the height gauge 320 can measure the height of the holding surface 311 of the chuck table 310 and the height of the wafer 100. The height gauge 320 can calculate the thickness of the wafer 100 based on the difference between the measured height of the holding surface 311 and the height of the wafer 100.

また、この図７および図６に示すように、チャックテーブル３１０の下方には、チャックテーブル３１０を回転させる回転手段としてのモータ３１７、および、モータ３１７の回転角度、すなわち、チャックテーブル３１０の回転角度を検知するためのエンコーダ３１８が備えられている。モータ３１７により、チャックテーブル３１０は、保持面３１１およびウェーハ１００の中心を通過する回転軸４０１を中心として、回転する。 Further, as shown in FIGS. 7 and 6, below the chuck table 310, a motor 317 as a rotating means for rotating the chuck table 310 and a rotation angle of the motor 317, that is, a rotation angle of the chuck table 310. The encoder 318 for detecting the above is provided. The motor 317 rotates the chuck table 310 around a rotation shaft 401 that passes through the holding surface 311 and the center of the wafer 100.

そして、研削装置３による厚み算出工程では、第２制御部３６が、モータ３１７によってチャックテーブル３１０を回転させながら、ハイトゲージ３２０によって、ウェーハ１００の厚みを算出する。 Then, in the thickness calculation step by the grinding apparatus 3, the second control unit 36 calculates the thickness of the wafer 100 by the height gauge 320 while rotating the chuck table 310 by the motor 317.

すなわち、第２制御部３６は、図８に示すように、チャックテーブル３１０を回転させながら、ウェーハ１００の中心である回転軸４０１を中心とする円周４０２上の少なくとも３箇所である、第１算出位置４１１、第２算出位置４１２および第３算出位置４１３に、ハイトゲージ３２０の第２接触子３２２を順に接触させる。また、この際、第２制御部３６は、各算出位置４１１〜４１３の外側に位置する、チャックテーブル３１０の外枠３１２上の外枠測定位置４１０に、ハイトゲージ３２０の第１接触子３２１を接触させる。 That is, as shown in FIG. 8, the second control unit 36 is at least three locations on the circumference 402 about the rotation axis 401, which is the center of the wafer 100, while rotating the chuck table 310. The second contact element 322 of the height gauge 320 is brought into contact with the calculated position 411, the second calculated position 412, and the third calculated position 413 in order. At this time, the second control unit 36 contacts the first contactor 321 of the height gauge 320 with the outer frame measurement position 410 on the outer frame 312 of the chuck table 310 located outside each calculation position 411 to 413. Let me.

これにより、第２制御部３６は、第１算出位置４１１、第２算出位置４１２および第３算出位置４１３に関する、３つのウェーハ１００の厚み値を算出する。
以下では、第１算出位置４１１、第２算出位置４１２および第３算出位置４１３に関するウェーハ１００の厚み値を、それぞれ、第１厚み値Ｔ１，第２厚み値Ｔ２および第３厚み値Ｔ３と称する。 As a result, the second control unit 36 calculates the thickness values of the three wafers 100 with respect to the first calculation position 411, the second calculation position 412, and the third calculation position 413.
Hereinafter, the thickness values of the wafer 100 with respect to the first calculated position 411, the second calculated position 412, and the third calculated position 413 are referred to as a first thickness value T1, a second thickness value T2, and a third thickness value T3, respectively.

［算出工程］
この算出工程では、第２制御部３６が、厚み算出工程において算出された３つの厚み値Ｔ１〜Ｔ３のうちの１つを基準値として、この基準値と他の２つの厚み値との差である厚み差ΔＴを算出する。 [Calculation process]
In this calculation step, the second control unit 36 uses one of the three thickness values T1 to T3 calculated in the thickness calculation step as a reference value, and determines the difference between this reference value and the other two thickness values. A certain thickness difference ΔT is calculated.

たとえば、厚み算出工程により、以下のような厚み値が得られたとする。
第１算出位置４１１の第１厚み値Ｔ１；８５０μｍ
第２算出位置４１２の第２厚み値Ｔ２；９００μｍ
第３算出位置４１３の第３厚み値Ｔ３：９００μｍ For example, it is assumed that the following thickness values are obtained by the thickness calculation step.
First thickness value T1 of the first calculated position 411; 850 μm
Second thickness value T2 of the second calculated position 412; 900 μm
Third thickness value T3 of the third calculation position 413: 900 μm

この場合、第２制御部３６は、たとえば、第１厚み値Ｔ１（８５０μｍ）を基準値とするとともに、厚み差ΔＴとして５０μｍを算出する。 In this case, the second control unit 36 uses, for example, the first thickness value T1 (850 μm) as a reference value, and calculates 50 μm as the thickness difference ΔT.

この算出工程の後、第２搬送手段３１６が、チャックテーブル３１０の保持面３１１上のウェーハ１００の表面１０１を吸引保持し、ウェーハ１００をスピンナ洗浄ユニット３５０に搬送する。 After this calculation step, the second transfer means 316 sucks and holds the surface 101 of the wafer 100 on the holding surface 311 of the chuck table 310, and transfers the wafer 100 to the spinner cleaning unit 350.

［傾き調整工程］
この傾き調整工程では、図２に示した保護部材形成装置２の第１制御部２０が、算出工程において算出された厚み差ΔＴを用いて、次に保護部材を形成する前までに、保護部材形成装置２におけるステージ２２０のフィルム保持面２２１と保持手段２５０のウェーハ保持面２５２との傾き関係を調整する。 [Inclination adjustment process]
In this inclination adjusting step, the first control unit 20 of the protective member forming apparatus 2 shown in FIG. 2 uses the thickness difference ΔT calculated in the calculation step before the next protective member is formed. The inclination relationship between the film holding surface 221 of the stage 220 and the wafer holding surface 252 of the holding means 250 in the forming apparatus 2 is adjusted.

たとえば、上述した例に示したように、基準値である第１厚み値Ｔ１が８５０μｍである一方、第２厚み値Ｔ２および第３厚み値Ｔ３が９００μｍであり、厚み差ΔＴが５０μｍであるとする。 For example, as shown in the above example, the reference value, the first thickness value T1, is 850 μm, while the second thickness value T2 and the third thickness value T3 are 900 μm, and the thickness difference ΔT is 50 μm. do.

また、図８に示した、回転軸４０１から第１算出位置４１１、第２算出位置４１２および第３算出位置４１３までの距離、すなわち、算出位置４１１〜４１３を規定する円周４０２の半径が、図９に示すように、１２４．５ｍｍであるとする。 Further, the distance from the rotation axis 401 to the first calculated position 411, the second calculated position 412, and the third calculated position 413, that is, the radius of the circumference 402 defining the calculated positions 411 to 413, is shown in FIG. As shown in FIG. 9, it is assumed to be 124.5 mm.

さらに、図２に示した保護部材形成装置２の保持手段２５０における３つの調整軸２５５は、図１０に示すウェーハ保持部２５３におけるウェーハ保持面２５２の中心を通る中心軸５０１を中心とする円周上に、１２０度おきに位置している。そして、この円周の半径、すなわち、中心軸５０１と３つの調整軸２５５との間の距離が、１２０ｍｍであるとする。 Further, the three adjusting shafts 255 in the holding means 250 of the protective member forming device 2 shown in FIG. 2 have a circumference centered on a central shaft 501 passing through the center of the wafer holding surface 252 in the wafer holding portion 253 shown in FIG. It is located at every 120 degrees above. Then, it is assumed that the radius of the circumference, that is, the distance between the central axis 501 and the three adjustment axes 255 is 120 mm.

そして、３つの算出点である第１算出位置４１１、第２算出位置４１２および第３算出位置４１３と、３つの調整軸２５５と、ウェーハ１００の外径との関係が、図１１に示すように設定されており、３つの調整軸２５５に対応するように、各算出位置４１１〜４１３が配置されているとする。図１１では、ウェーハ１００の外径、および、算出位置４１１〜４１３を規定する円周４０２に加えて、３つの調整軸２５５を規定する円周５０２を示している。 Then, as shown in FIG. 11, the relationship between the first calculation position 411, the second calculation position 412, the third calculation position 413, the three adjustment shafts 255, and the outer diameter of the wafer 100, which are the three calculation points, is shown in FIG. It is assumed that the calculated positions 411 to 413 are arranged so as to correspond to the three adjustment axes 255. FIG. 11 shows the outer diameter of the wafer 100 and the circumference 502 that defines the three adjustment shafts 255 in addition to the circumference 402 that defines the calculation positions 411 to 413.

この場合、保護部材形成装置２の第１制御部２０は、円周４０２の半径が１２４．５ｍｍであり、上述した厚み差ΔＴが５０μｍであることから、ウェーハ保持面２５２とフィルム保持面２２１とが、ｔａｎθ＝５０μｍ／１２４．５ｍｍとなるような角度θだけ、平行からずれている、と判断する。 In this case, since the radius of the circumference 402 of the first control unit 20 of the protective member forming device 2 is 124.5 mm and the thickness difference ΔT described above is 50 μm, the wafer holding surface 252 and the film holding surface 221 However, it is determined that the tan θ is deviated from the parallel by an angle θ such that tan θ = 50 μm / 124.5 mm.

そして、第１制御部２０は、このずれを調整するために、第２算出位置４１２および第３算出位置４１３に応じた２つの調整軸２５５を用いて、これらの調整軸２５５が設けられている部分における支持構造２５１とウェーハ保持部２５３との間隔を、図１０に示すように、調整値ΔＳだけ調整する。 Then, in order to adjust this deviation, the first control unit 20 uses two adjustment shafts 255 corresponding to the second calculation position 412 and the third calculation position 413, and these adjustment shafts 255 are provided. As shown in FIG. 10, the distance between the support structure 251 and the wafer holding portion 253 in the portion is adjusted by the adjustment value ΔS.

上述の例では、中心軸５０１と３つの調整軸２５５との間の距離が１２０ｍｍであるため、ΔＳは、４８．１９μｍ（１２０ｍｍ・ｔａｎθ）となる。すなわち、第１制御部２０は、第２算出位置４１２および第３算出位置４１３に応じた２つの調整軸２５５を用いて、これらの調整軸２５５の設置箇所における支持構造２５１とウェーハ保持部２５３との間隔を、ΔＳだけ延ばす。
これにより、ステージ２２０のフィルム保持面２２１と保持手段２５０のウェーハ保持面２５２との平行度を高めることができる。 In the above example, since the distance between the central axis 501 and the three adjustment axes 255 is 120 mm, ΔS is 48.19 μm (120 mm · tan θ). That is, the first control unit 20 uses the two adjustment shafts 255 corresponding to the second calculation position 412 and the third calculation position 413, and the support structure 251 and the wafer holding unit 253 at the installation location of these adjustment shafts 255. The interval between is extended by ΔS.
As a result, the parallelism between the film holding surface 221 of the stage 220 and the wafer holding surface 252 of the holding means 250 can be increased.

［剥離工程］
この剥離工程では、図１２に示す剥離装置４を用いて、ウェーハ１００から、樹脂層１０４およびフィルム１０３を含む保護部材１０５（図５等を参照）が剥離される。 [Peeling process]
In this peeling step, the protective member 105 (see FIG. 5 and the like) including the resin layer 104 and the film 103 is peeled from the wafer 100 by using the peeling device 4 shown in FIG.

図１２に示すように、剥離装置４は、ウェーハ１００を保持して搬送するための保持手段４２を備えている。保持手段４２は、ウェーハ１００を吸引保持する保持パッド４２１、保持パッド４２１を支持するアーム部４２０、アーム部４２０を支持してＺ軸方向に往復移動させるＺ軸方向移動手段４２３、Ｚ軸方向移動手段４２３を支持する可動板４２９、および、可動板４２９をＹ軸方向に往復移動させるＹ軸方向移動手段４２２を備えている。 As shown in FIG. 12, the peeling device 4 includes a holding means 42 for holding and transporting the wafer 100. The holding means 42 includes a holding pad 421 that sucks and holds the wafer 100, an arm portion 420 that supports the holding pad 421, a Z-axis direction moving means 423 that supports the arm portion 420 and reciprocates in the Z-axis direction, and a Z-axis direction movement. It includes a movable plate 429 that supports the means 423 and a Y-axis direction moving means 422 that reciprocates the movable plate 429 in the Y-axis direction.

剥離装置４では、まず、保持手段４２の保持パッド４２１が、Ｙ軸方向移動手段４２２およびＺ軸方向移動手段４２３によって、剥離装置４に隣接する図６に示した研削装置３のスピンナ洗浄ユニット３５０にまで移動される。そして、保持パッド４２１が、スピンナ洗浄ユニット３５０に載置されているウェーハ１００の表面１０１を吸引保持する。 In the peeling device 4, first, the holding pad 421 of the holding means 42 is subjected to the spinner cleaning unit 350 of the grinding device 3 shown in FIG. 6 adjacent to the peeling device 4 by the Y-axis direction moving means 422 and the Z-axis direction moving means 423. Will be moved to. Then, the holding pad 421 sucks and holds the surface 101 of the wafer 100 mounted on the spinner cleaning unit 350.

その後、保持手段４２は、表面１０１が上側になるように、ウェーハ１００を保持テーブル４４１上に載置する。保持テーブル４４１は、ウェーハ１００を吸引保持する。そして、保持テーブル４４１および外側部分剥離手段４４３が、図５に示したウェーハ１００の保護部材１０５の外側部分だけを、複数箇所（たとえば７箇所）にわたって、ウェーハ１００の裏面１０２から剥離する。この剥離の後、保持テーブル４４１によるウェーハ１００の吸引が解除される。 After that, the holding means 42 places the wafer 100 on the holding table 441 so that the surface 101 is on the upper side. The holding table 441 sucks and holds the wafer 100. Then, the holding table 441 and the outer partial peeling means 443 peel off only the outer portion of the protective member 105 of the wafer 100 shown in FIG. 5 from the back surface 102 of the wafer 100 over a plurality of locations (for example, 7 locations). After this peeling, the suction of the wafer 100 by the holding table 441 is released.

次に、保持手段４２は、保持テーブル４４１上のウェーハ１００を保持パッド４２１によって吸引し、ウェーハ１００を全体剥離手段４３の上方の位置に搬送し、その位置に固定する。 Next, the holding means 42 sucks the wafer 100 on the holding table 441 by the holding pad 421, conveys the wafer 100 to a position above the entire peeling means 43, and fixes the wafer 100 at that position.

全体剥離手段４３は、把持部４３１、および、把持部４３１をＸ軸方向に沿って移動させる移動部材４３２を含んでいる。把持部４３１は、ウェーハ１００の保護部材１０５における、−Ｘ側の剥離された外側部分を把持する。この状態で、移動部材４３２が、把持部４３１を＋Ｘ側に移動させる。ウェーハ１００の位置が固定されているため、保護部材１０５を把持した把持部４３１の移動により、ウェーハ１００の裏面１０２から、保護部材１０５が剥離される。この際、ガイドローラ４５２が、保護部材１０５の下面に当接する。 The whole peeling means 43 includes a grip portion 431 and a moving member 432 that moves the grip portion 431 along the X-axis direction. The grip portion 431 grips the peeled outer portion on the −X side of the protective member 105 of the wafer 100. In this state, the moving member 432 moves the grip portion 431 to the + X side. Since the position of the wafer 100 is fixed, the protective member 105 is peeled off from the back surface 102 of the wafer 100 by the movement of the grip portion 431 that grips the protective member 105. At this time, the guide roller 452 comes into contact with the lower surface of the protective member 105.

剥離された保護部材１０５は、仮置きテーブル４０６に、一時的に載置される。仮置きテーブル４０６は、Ｘ軸方向に延在する複数のプレート４６０を備えている。複数のプレート４６０は、Ｙ軸方向に所定間隔で並べられている。各プレート４６０は、ウェーハ１００の直径よりも長く延在しており、Ｙ軸方向に所定厚みを有している。また、仮置きテーブル４０６は、全体として、ウェーハ１００よりも大きい載置面積を有している。 The peeled protective member 105 is temporarily placed on the temporary placement table 406. The temporary table 406 includes a plurality of plates 460 extending in the X-axis direction. The plurality of plates 460 are arranged at predetermined intervals in the Y-axis direction. Each plate 460 extends longer than the diameter of the wafer 100 and has a predetermined thickness in the Y-axis direction. Further, the temporary placement table 406 has a larger mounting area than the wafer 100 as a whole.

仮置きテーブル４０６の下方には、仮置きテーブル４０６に載置された保護部材１０５をボックス４７９に送り出す保護部材送り手段４０７が設けられている。保護部材送り手段４０７は、Ｙ軸方向に延在するアーム４７０、および、アーム４７０に備えられた２つのピン４７１を備えている。ピン４７１は、仮置きテーブル４０６のプレート４６０の上面から突出するように延びている。 Below the temporary storage table 406, a protective member feeding means 407 for feeding the protective member 105 mounted on the temporary storage table 406 to the box 479 is provided. The protective member feeding means 407 includes an arm 470 extending in the Y-axis direction and two pins 471 provided on the arm 470. The pin 471 extends so as to project from the upper surface of the plate 460 of the temporary table 406.

モータ駆動のガイドアクチュエータ４７２によってアーム４７０がＸ軸方向に移動されると、仮置きテーブル４０６のプレート４６０から突出するピン４７１も、Ｘ軸方向に移動される。これにより、仮置きテーブル４０６に載置されている保護部材１０５が、ボックス４７９に落下する。 When the arm 470 is moved in the X-axis direction by the motor-driven guide actuator 472, the pin 471 protruding from the plate 460 of the temporary placement table 406 is also moved in the X-axis direction. As a result, the protective member 105 mounted on the temporary storage table 406 falls into the box 479.

ボックス４７９には、対向する一辺の上端部分に、一対の光学センサ４８０が設けられている。光学センサ４８０は、発光部と受光部とを含んでいる。光学センサ４８０は、発光部から発生される光を受光部が受け、受光部の受光量変化に基づいて、ボックス４７９に回収された保護部材１０５が満杯になったかどうかを検知する。 The box 479 is provided with a pair of optical sensors 480 at the upper end portions of the opposite sides. The optical sensor 480 includes a light emitting unit and a light receiving unit. The optical sensor 480 receives the light generated from the light emitting unit by the light receiving unit, and detects whether or not the protective member 105 collected in the box 479 is full based on the change in the light receiving amount of the light receiving unit.

その後、剥離装置４では、保持手段４２が、ウェーハ１００を、図６に示した研削装置３に搬送し、そのスピンナ洗浄ユニット３５０に、表面１０１が上向きとなるように載置する。スピンナ洗浄ユニット３５０にウェーハ１００が載置されると、研削装置３の第２の搬送ロボット３１が、ウェーハ１００を保持し、第２の開口５１３を介して、受渡カセット５１の棚５１１に収納する。 After that, in the peeling device 4, the holding means 42 conveys the wafer 100 to the grinding device 3 shown in FIG. 6 and places the wafer 100 on the spinner cleaning unit 350 so that the surface 101 faces upward. When the wafer 100 is placed on the spinner cleaning unit 350, the second transfer robot 31 of the grinding device 3 holds the wafer 100 and stores the wafer 100 on the shelf 511 of the delivery cassette 51 via the second opening 513. ..

なお、スピンナ洗浄ユニット３５０の上方に第２の搬送ロボット３１が待機していて、剥離装置４の保持手段４２が、第２の搬送ロボット３１にウェーハ１００を受渡してもよい。 A second transfer robot 31 may be on standby above the spinner cleaning unit 350, and the holding means 42 of the peeling device 4 may deliver the wafer 100 to the second transfer robot 31.

次に、図２に示した保護部材形成装置２の第１の搬送ロボット２１が、第１の開口５１２を介して、ウェーハ１００を、受渡カセット５１の棚５１１から取り出して、保護部材形成装置２の第１支持台２０２に載置する。
その後、上述した保護部材形成工程、厚み算出工程、算出工程、傾き調整工程、および剥離工程が、たとえば、算出工程において算出された厚み差ΔＴが所定値以下となるまで、繰り返して行われる。 Next, the first transfer robot 21 of the protective member forming device 2 shown in FIG. 2 takes out the wafer 100 from the shelf 511 of the delivery cassette 51 through the first opening 512, and the protective member forming device 2 It is placed on the first support table 202 of the above.
After that, the above-mentioned protective member forming step, thickness calculation step, calculation step, inclination adjusting step, and peeling step are repeated until, for example, the thickness difference ΔT calculated in the calculation step becomes a predetermined value or less.

以上のように、本実施形態では、研削装置３のハイトゲージ３２０を用いて、保護部材１０５を含むウェーハ１００の厚みを少なくとも３箇所で算出し、その３箇所で算出した厚みの差である厚み差に基づいて、保護部材形成装置２におけるステージ２２０のフィルム保持面２２１と保持手段２５０のウェーハ保持面２５２との傾き関係を調整すること、すなわち、フィルム保持面２２１とウェーハ保持面２５２との平行度を高めることができる。これにより、保護部材形成装置２においてウェーハ１００に保護部材１０５が形成される際、保護部材１０５を含むウェーハ１００の厚みが不均一になることを、抑制することができる。 As described above, in the present embodiment, the thickness of the wafer 100 including the protective member 105 is calculated at at least three places by using the height gauge 320 of the grinding device 3, and the thickness difference is the difference between the calculated thicknesses at the three places. The inclination relationship between the film holding surface 221 of the stage 220 and the wafer holding surface 252 of the holding means 250 in the protective member forming apparatus 2 is adjusted, that is, the parallelism between the film holding surface 221 and the wafer holding surface 252. Can be enhanced. As a result, when the protective member 105 is formed on the wafer 100 in the protective member forming apparatus 2, it is possible to prevent the thickness of the wafer 100 including the protective member 105 from becoming uneven.

また、本実施形態では、保護部材形成工程、厚み算出工程、算出工程、傾き調整工程および剥離工程を、途中で作業者による作業を介在させることなく、実施することができる。これにより、保護部材形成装置２におけるフィルム保持面２２１とウェーハ保持面２５２との傾き関係の調整を、自動化することができる。したがって、保護部材１０５を含むウェーハ１００の厚みが不均一になることを、より容易に抑制することができる。 Further, in the present embodiment, the protective member forming step, the thickness calculation step, the calculation step, the inclination adjusting step, and the peeling step can be carried out without intervening work by an operator in the middle. Thereby, the adjustment of the inclination relationship between the film holding surface 221 and the wafer holding surface 252 in the protective member forming apparatus 2 can be automated. Therefore, it is possible to more easily prevent the thickness of the wafer 100 including the protective member 105 from becoming non-uniform.

また、本実施形態では、剥離工程において保護部材１０５を剥離されたウェーハ１００を、再び保護部材形成装置２に戻して、保護部材形成工程、厚み算出工程、算出工程、傾き調整工程および剥離工程を繰り返している。これにより、フィルム保持面２２１とウェーハ保持面２５２との傾き関係の調整の精度を高めることができる。また、１枚のウェーハ１００を使い回しているので、調整のためのコストを低減することができる。 Further, in the present embodiment, the wafer 100 from which the protective member 105 has been peeled off in the peeling step is returned to the protective member forming apparatus 2 again, and the protective member forming step, the thickness calculation step, the calculation step, the inclination adjusting step, and the peeling step are performed. I'm repeating. As a result, the accuracy of adjusting the inclination relationship between the film holding surface 221 and the wafer holding surface 252 can be improved. Further, since one wafer 100 is reused, the cost for adjustment can be reduced.

なお、本実施形態では、保護部材形成工程、厚み算出工程、算出工程、傾き調整工程、および剥離工程を、繰り返し実施している。しかしながら、これらの工程は、繰り返されず、１回ずつ実施されるように設定されていてもよい。この場合でも、ステージ２２０のフィルム保持面２２１と保持手段２５０のウェーハ保持面２５２との平行度を、ある程度まで高めることが可能である。 In this embodiment, the protective member forming step, the thickness calculation step, the calculation step, the inclination adjusting step, and the peeling step are repeatedly carried out. However, these steps may be set to be performed once without repeating. Even in this case, the parallelism between the film holding surface 221 of the stage 220 and the wafer holding surface 252 of the holding means 250 can be increased to some extent.

また、本実施形態では、剥離工程が、傾き調整工程の後に実施されている。これに代えて、剥離工程は、厚み算出工程の後、傾き調整工程の前に実施されてもよいし、傾き調整工程と同時に実施されてもよい。 Further, in the present embodiment, the peeling step is carried out after the tilt adjusting step. Instead, the peeling step may be carried out after the thickness calculation step and before the tilt adjusting step, or may be carried out at the same time as the tilt adjusting step.

また、剥離工程は実施されなくてもよい。この場合、ウェーハ製造装置１は、剥離装置４を備えなくてもよい。すなわち、本実施形態にかかる保護部材の厚み調整方法では、少なくとも、図１に示した保護部材形成装置２および研削装置３が用いられればよい。この場合でも、ステージ２２０のフィルム保持面２２１と保持手段２５０のウェーハ保持面２５２との平行度を高めることが可能である。 Moreover, the peeling step does not have to be carried out. In this case, the wafer manufacturing apparatus 1 does not have to include the peeling apparatus 4. That is, in the method for adjusting the thickness of the protective member according to the present embodiment, at least the protective member forming device 2 and the grinding device 3 shown in FIG. 1 may be used. Even in this case, it is possible to increase the parallelism between the film holding surface 221 of the stage 220 and the wafer holding surface 252 of the holding means 250.

また、本実施形態では、厚み算出工程における厚みの算出箇所が、第１算出位置４１１、第２算出位置４１２および第３算出位置の３箇所に設定されている。これに関し、厚み算出工程における厚みの算出箇所は、少なくとも３箇所であれよく、４箇所以上であってもよい。 Further, in the present embodiment, the thickness calculation points in the thickness calculation step are set at three points, the first calculation position 411, the second calculation position 412, and the third calculation position. In this regard, the thickness calculation step may be at least three places or four or more places.

１００：ウェーハ、１０１：表面、１０２：裏面、
１０３：フィルム、１０４：樹脂層、１０５：保護部材、１０７：ノッチ
１：ウェーハ製造装置、
５：受渡カセット部、５１：受渡カセット、５２：カセットステージ、
５１１：棚、５１２：第１の開口、５１３：第２の開口、
２：保護部材形成装置、２０：第１制御部、２１：第１の搬送ロボット、
２２０：ステージ、２２１：フィルム保持面、２２４：液状樹脂、
２５０：保持手段、２５１：支持構造、２５４：連結軸、２５５：調整軸、
２５３：ウェーハ保持部、２５２：ウェーハ保持面、
２７０：硬化手段、２７１：紫外光、
３：研削装置、３１：第２の搬送ロボット、３６：第２制御部、
３１５：第１搬送手段、３１６：第２搬送手段、３５０：スピンナ洗浄ユニット、
３１０：チャックテーブル、３１１：保持面、３１２：外枠、
３１７：モータ、３１８：エンコーダ、
３２０：ハイトゲージ、３２１：第１接触子、３２２：第２接触子、
４０１：回転軸、４０２：円周、４１０：外枠測定位置、
５０１：中心軸、５０２：円周、
４１１：第１算出位置、４１２：第２算出位置、４１３：第３算出位置、
４：剥離装置、
４２：保持手段、４３：全体剥離手段、４４３：外側部分剥離手段、
４２０：アーム部、４２１：保持パッド、
４２２：Ｙ軸方向移動手段、４２３：Ｚ軸方向移動手段、
４０６：仮置きテーブル、４６０：プレート、４７９：ボックス、
Ｔ１〜Ｔ３：厚み値、ΔＴ：厚み差、ΔＳ：調整値 100: Wafer, 101: Front side, 102: Back side,
103: film, 104: resin layer, 105: protective member, 107: notch 1: wafer manufacturing equipment,
5: Delivery cassette section, 51: Delivery cassette, 52: Cassette stage,
511: Shelf, 512: First opening, 513: Second opening,
2: Protective member forming device, 20: 1st control unit, 21: 1st transfer robot,
220: Stage, 221: Film holding surface, 224: Liquid resin,
250: Holding means, 251: Support structure, 254: Connecting shaft, 255: Adjusting shaft,
253: Wafer holding part, 252: Wafer holding surface,
270: Curing means, 271: Ultraviolet light,
3: Grinding device, 31: Second transfer robot, 36: Second control unit,
315: 1st transport means, 316: 2nd transport means, 350: spinner cleaning unit,
310: Chuck table, 311: Holding surface, 312: Outer frame,
317: Motor, 318: Encoder,
320: Height gauge, 321: First contact, 322: Second contact,
401: Rotating axis, 402: Circumference, 410: Outer frame measurement position,
501: Central axis, 502: Circumference,
411: 1st calculated position, 412: 2nd calculated position, 413: 3rd calculated position,
4: Peeling device,
42: Holding means, 43: Whole peeling means, 443: Outer partial peeling means,
420: Arm part, 421: Holding pad,
422: Y-axis direction moving means, 423: Z-axis direction moving means,
406: Temporary table, 460: Plate, 479: Box,
T1 to T3: thickness value, ΔT: thickness difference, ΔS: adjustment value

Claims (2)

フィルムを保持するフィルム保持面を有するステージと、ウェーハを保持するウェーハ保持面を有する保持手段とを備え、該フィルム保持面によって保持されたフィルム上に供給した液状樹脂に、該ウェーハ保持面によって保持されたウェーハの一方の面を押しつけることによって、該ウェーハの該一方の面の全面に液状樹脂を押し広げて、この液状樹脂を硬化することによって、該ウェーハの該一方の面の全面に該液状樹脂を硬化させた樹脂と該フィルムとからなる保護部材を形成する保護部材形成装置と、
該保護部材を介して保持面によって保持したウェーハを、ハイトゲージを用いて該保持面の高さと該保持面に保持されたウェーハの上面高さとを測定した値をもとに、該保護部材を含むウェーハの厚みを算出しながら、研削砥石によってウェーハを研削する研削装置と、
を少なくとも用いて、保護部材の厚みを調整する、保護部材の厚み調整方法であって、
該保護部材形成装置を用いてウェーハの一方の面の全面に保護部材を形成する保護部材形成工程と、
該保護部材を該研削装置の該保持面によって保持し、該ウェーハの中心を中心とする円周上の少なくとも３箇所において、該保護部材を含むウェーハの厚みを該ハイトゲージによって算出する厚み算出工程と、
該厚み算出工程において算出された少なくとも３つの厚み値のうちの１つを基準値として、該基準値と他の２つの厚み値との差である厚み差を算出する算出工程と、
該算出工程において算出された該厚み差を用いて、次に保護部材を形成する前までに、該保護部材形成装置における該ステージの該フィルム保持面と該保持手段の該ウェーハ保持面との傾き関係を調整する傾き調整工程と、
を備える保護部材の厚み調整方法。 A stage having a film holding surface for holding a film and a holding means having a wafer holding surface for holding a wafer are provided, and the liquid resin supplied onto the film held by the film holding surface is held by the wafer holding surface. By pressing one surface of the wafer, the liquid resin is spread over the entire surface of the one surface of the wafer, and by curing the liquid resin, the liquid is applied to the entire surface of the one surface of the wafer. A protective member forming device for forming a protective member composed of a resin obtained by curing the resin and the film, and a protective member forming device.
The wafer held by the holding surface via the protective member includes the protective member based on the measured values of the height of the holding surface and the height of the upper surface of the wafer held by the holding surface using a height gauge. A grinding device that grinds the wafer with a grinding wheel while calculating the thickness of the wafer,
Is a method for adjusting the thickness of the protective member, which adjusts the thickness of the protective member by using at least.
A protective member forming step of forming a protective member on the entire surface of one surface of the wafer using the protective member forming apparatus, and a protective member forming step.
A thickness calculation step in which the protective member is held by the holding surface of the grinding device, and the thickness of the wafer including the protective member is calculated by the height gauge at at least three locations on the circumference centered on the center of the wafer. ,
A calculation step of calculating the thickness difference, which is the difference between the reference value and the other two thickness values, using one of at least three thickness values calculated in the thickness calculation step as a reference value.
Using the thickness difference calculated in the calculation step, the inclination of the film holding surface of the stage and the wafer holding surface of the holding means in the protective member forming apparatus before the next protective member is formed. The tilt adjustment process to adjust the relationship and
A method of adjusting the thickness of the protective member provided with. 該厚み算出工程後、または、該傾き調整工程後に、該保護部材をウェーハから剥離する剥離装置を用いて、該保護部材をウェーハから剥離する剥離工程をさらに備え、
該保護部材形成工程、該厚み算出工程、該算出工程、該傾き調整工程、および該剥離工程、を繰り返して行う、
請求項１記載の保護部材の厚み調整方法。 After the thickness calculation step or the inclination adjusting step, a peeling step of peeling the protective member from the wafer by using a peeling device for peeling the protective member from the wafer is further provided.
The protective member forming step, the thickness calculation step, the calculation step, the inclination adjusting step, and the peeling step are repeated.
The method for adjusting the thickness of the protective member according to claim 1.
JP2020097649A 2020-06-04 2020-06-04 How to adjust the thickness of protective material Active JP7488117B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020097649A JP7488117B2 (en) 2020-06-04 2020-06-04 How to adjust the thickness of protective material
TW110117151A TW202146162A (en) 2020-06-04 2021-05-12 Method for adjusting thickness of protective member inhibiting the thickness of a wafer including a protective member from becoming non-uniform
CN202110577552.9A CN113770867A (en) 2020-06-04 2021-05-26 Method for adjusting thickness of protective member
DE102021205567.2A DE102021205567A1 (en) 2020-06-04 2021-06-01 ADJUSTMENT PROCEDURE FOR THE THICKNESS OF A PROTECTIVE ELEMENT

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020097649A JP7488117B2 (en) 2020-06-04 2020-06-04 How to adjust the thickness of protective material

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021186954A true JP2021186954A (en) 2021-12-13
JP7488117B2 JP7488117B2 (en) 2024-05-21

Family

ID=78605361

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020097649A Active JP7488117B2 (en) 2020-06-04 2020-06-04 How to adjust the thickness of protective material

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7488117B2 (en)
CN (1) CN113770867A (en)
DE (1) DE102021205567A1 (en)
TW (1) TW202146162A (en)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4582467B2 (en) 2008-06-10 2010-11-17 新東工業株式会社 Apparatus for forming a protective film on a semiconductor wafer
JP2010062269A (en) 2008-09-02 2010-03-18 Three M Innovative Properties Co Method and apparatus for manufacturing wafer laminate, wafer laminate manufacturing method, method for exfoliating support layer, and method for manufacturing wafer
JP5912657B2 (en) 2012-02-27 2016-04-27 株式会社ディスコ Resin pasting device
JP6784515B2 (en) 2016-06-07 2020-11-11 株式会社ディスコ Protective member forming device
JP6767890B2 (en) 2017-01-30 2020-10-14 株式会社ディスコ Protective member forming device

Also Published As

Publication number Publication date
DE102021205567A1 (en) 2021-12-09
TW202146162A (en) 2021-12-16
CN113770867A (en) 2021-12-10
JP7488117B2 (en) 2024-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009123790A (en) Grinding device
KR102619745B1 (en) Machining apparatus of workpiece
JP5436876B2 (en) Grinding method
JP2017168565A (en) Protection member formation device
JP2008258321A (en) Cutting method and cutting device
JP5184242B2 (en) Semiconductor wafer processing equipment
US20200130124A1 (en) Grinding apparatus, grinding method and computer-readable recording medium
JP5917850B2 (en) Wafer processing method
JP2013168417A (en) Substrate transfer method and substrate transfer apparatus
JP2013193156A (en) Grinding device, and grinding method
JP5658586B2 (en) Grinding equipment
JP6641209B2 (en) Protective member forming device
JP2013004726A (en) Processing method of plate-like object
JP2007059524A (en) Substrate cutting method and substrate cutting apparatus
JP6767890B2 (en) Protective member forming device
KR101739975B1 (en) Wafer supporting plate and method for using wafer supporting plate
TW201912306A (en) Grinding method
JP2021186954A (en) Thickness adjustment method of protective member
TWI651163B (en) Grinding method
JP5723563B2 (en) Alignment method
JP2000354962A (en) Chuck table correcting method and correcting device in grinding apparatus
JP5473715B2 (en) Adjustment method of wafer transfer mechanism
TWI838595B (en) Grinding device
JP2019075494A (en) Grinding method and grinding device of workpiece
JP7339771B2 (en) Protective member forming device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230426

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20240131

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240206

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240326

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240416

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240509

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7488117

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150