JP2021186876A - コンタクトチップ - Google Patents
コンタクトチップ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021186876A JP2021186876A JP2020106536A JP2020106536A JP2021186876A JP 2021186876 A JP2021186876 A JP 2021186876A JP 2020106536 A JP2020106536 A JP 2020106536A JP 2020106536 A JP2020106536 A JP 2020106536A JP 2021186876 A JP2021186876 A JP 2021186876A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- contact tip
- welding
- silicon dioxide
- wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 20
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 20
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims abstract description 11
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 18
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000010953 base metal Substances 0.000 abstract description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 12
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003517 fume Substances 0.000 description 4
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910019974 CrSi Inorganic materials 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QZLJNVMRJXHARQ-UHFFFAOYSA-N [Zr].[Cr].[Cu] Chemical compound [Zr].[Cr].[Cu] QZLJNVMRJXHARQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YDHWWBZFRZWVHO-UHFFFAOYSA-H [oxido-[oxido(phosphonatooxy)phosphoryl]oxyphosphoryl] phosphate Chemical compound [O-]P([O-])(=O)OP([O-])(=O)OP([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O YDHWWBZFRZWVHO-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- QDWJUBJKEHXSMT-UHFFFAOYSA-N boranylidynenickel Chemical compound [Ni]#B QDWJUBJKEHXSMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZTXONRUJVYXVTJ-UHFFFAOYSA-N chromium copper Chemical compound [Cr][Cu][Cr] ZTXONRUJVYXVTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZZBBCSFCMKWYQR-UHFFFAOYSA-N copper;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Cu+2].[O-][Si]([O-])=O ZZBBCSFCMKWYQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018139 Cu5Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- PTTFMBKETMBPGI-UHFFFAOYSA-N [Si]([O-])([O-])([O-])O[Si]([O-])([O-])[O-].[Ni+2].[Ni+2].[Ni+2] Chemical compound [Si]([O-])([O-])([O-])O[Si]([O-])([O-])[O-].[Ni+2].[Ni+2].[Ni+2] PTTFMBKETMBPGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUZTWRXHHZRLED-UHFFFAOYSA-N [Si].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu] Chemical compound [Si].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu] JUZTWRXHHZRLED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- XQCUWCZUYXJXRL-UHFFFAOYSA-N copper dioxosilane Chemical compound [Si](=O)=O.[Cu] XQCUWCZUYXJXRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTYUEDCPRIMJNG-UHFFFAOYSA-N copper zirconium Chemical compound [Cu].[Zr] XTYUEDCPRIMJNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- VXPFEVUAMVPPQU-UHFFFAOYSA-N dioxosilane nickel Chemical compound [Ni].O=[Si]=O VXPFEVUAMVPPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- OBSZRRSYVTXPNB-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus Chemical compound P12P3P1P32 OBSZRRSYVTXPNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005493 welding type Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Arc Welding In General (AREA)
Abstract
【課題】ノーメッキワイヤを用いて溶接する際に、二酸化珪素だけではなく他の絶縁体の酸化物の発生も防止することにより、ノーメッキワイヤを使用したときの寿命を伸ばしたコンタクトチップを提供する【解決手段】溶接用ワイヤを挿通する挿通孔を形成し、溶接用ワイヤを案内するとともに、溶接電流を供給する溶接用コンタクトチップにおいて、二酸化珪素と反応して絶縁物が生成されない銅合金製の母材６に、二酸化珪素と反応して絶縁物が生成されない導電性の被膜８を施した。【選択図】図２
Description
本発明は、溶接用ワイヤを案内するとともに、溶接電流を供給する溶接用コンタクトチップに関するものである。
この種のコンタクトチップは、図４に示すように、クロム銅、クロムジルコニウム銅等の銅合金製のコンタクトチップ５１に、溶接用ワイヤ５２の挿通孔５３を形成し、この挿通穴５３に溶接用ワイヤ５２を挿通し、溶接用ワイヤ５２が挿通孔５３の壁面に接触することによって電流を供給し、溶接母材と溶接用ワイヤとの間にアークを発生して溶接母材を溶接するものである。（特許文献１を参照）
従来、コンタクトチップ５１の寿命の原因は、溶接時の高温にてコンタクトチップ５１が軟化され、溶接ワイヤ５２が送り出されるときの摩擦により、コンタクトチップの挿通孔５３の先端が摩耗することにより変形することが原因と考えられていた。
前記のような溶接用ワイヤは銅メッキを施した銅メッキワイヤと銅メッキを施さないノーメッキワイヤとの二種類あるが、ノーメッキワイヤを使用すると銅メッキワイヤを使用した場合より、コンタクトチップの寿命が極端に短くなるという問題があった。
前記コンタクトチップの寿命についての調査研究の結果、溶接時に発生するヒューム（金属酸化物）に、ノーメッキワイヤの構成物質の珪素（Ｓｉ）が酸化された二酸化珪素（ＳｉＯ２）が含まれ、この二酸化珪素は硬度の高い絶縁物であるのでコンタクトチップからの給電性の低下と高硬度によるコンタクトチップの挿通孔先端の摩擦磨耗による変形により、コンタクトチップの寿命が極端に短くなることが分った。
そこで、二酸化珪素の生成を防止するため、クロムジルコニウム銅製の母材に、下層にニッケルメッキ、上層にニッケルボロンメッキを施したコンタクトチップを検討したが、上層では二酸化珪素（６ＳｉＯ２）にニッケル（３Ｎｉ）とボロン（８Ｂ）が反応し、二ケイ化ニッケル（３ＮｉＳｉ２）と三酸化ホウ素（４Ｂ２Ｏ３）が生成され、また下層では二酸化珪素（１０ＳｉＯ２）にニッケル（５Ｎｉ）とリン（８Ｐ）が反応し二ケイ化ニッケル（５ＮｉＳｉ２）と十酸化四リン（２Ｐ４Ｏ１０）が生成され、母材では二酸化珪素（３ＳｉＯ２）に銅（７Ｃｕ）とクロム（Ｃｒ）とジルコニュウム（Ｚｒ）が反応し、珪化銅（Ｃｕ５Ｓｉ）と酸化銅（２ＣｕＯ）と珪化クロム（ＣｒＳｉ２）とジルコニア（２ＺｒＯ２）が生成される。
クロムジルコニウム銅製の母材に、下層にニッケルメッキ、上層にニッケルボロンメッキを施したコンタクトチップでは、上層で生成される三酸化ホウ素はガラス質の絶縁体であり、母材で生成されるジルコニアは高硬度の絶縁体であるので、二酸化珪素の発生は防止できるがコンタクトチップの寿命は従来のものとあまり変わらないものであった。
本発明は前記のような問題点を解決するためになされたものであり、ノーメッキワイヤを用いて溶接する際に、二酸化珪素だけではなく他の絶縁体の酸化物の生成も防止することにより、ノーメッキワイヤを使用したときの寿命を大幅に伸ばしたコンタクトチップを提供することを目的になされたものである。
上記課題を解決するためになされた本発明のコンタクトチップは、溶接用ワイヤを挿通する挿通孔を形成し、溶接用ワイヤを案内するとともに、溶接電流を供給するコンタクトチップにおいて、二酸化珪素と反応して絶縁物が生成されない銅合金製の母材に、二酸化珪素と反応して絶縁物が生成されない導電性の被膜を施したことを特徴としたものである。
前記母材がクロム銅製であり、前記被膜が銅メッキであることが好ましく、これを請求項２に係る発明とする。
前記銅メッキ被膜の下層にニッケルメッキ被膜を施すことが好ましく、これを請求項３に係る発明とする。
本発明では、溶接用ワイヤを挿通する挿通孔を形成し、溶接用ワイヤを案内するとともに、溶接電流を供給するコンタクトチップにおいて、二酸化珪素と反応して絶縁物が生成されない銅合金製の母材に、二酸化珪素と反応して絶縁物が生成されない導電性の被膜を施したので、ノーメッキワイヤを使用して溶接するときに生成する酸化物（ヒューム）内の絶縁性酸化物の生成が抑えられ、給電性が低下することが無く、ノーメッキワイヤを使用して溶接したときのコンタクトチップの寿命を、銅メッキワイヤを使用して溶接したのと同じくらいに、大幅に延ばすことができる。
また、銅メッキ被膜の下層にニッケルメッキ被膜を施したので、コンタクトチップの母材表面が固くなり、さらにコンタクトチップの寿命を延ばすことができる。
以下、本発明の好ましい実施の形態について図１から図３に基づいて説明すると、１は導電性に優れたクロム銅からなり、先端先細状のコンタクトチップであり、コンタクトチップ１は、溶接用ワイヤ２を挿通する挿通孔３が、基端の外周面にねじ部が螺刻された取付け部４から本体部５の先端まで貫通されている。尚、取付け部４の基端部に溶接用ワイヤ２のガイド部３ｃが形成されている。
前記コンタクトチップ１の被膜について、図２に基づいて説明すると、コンタクトチップ１のクロム銅製の母材６の表面には下層にニッケルメッキ被膜７が施され、上層に銅メッキ被膜８が施されている。
また、図３は、本発明のコンタクトチップを溶接用ロボットのトーチ本体に装着して使用する場合を示すものである。図において、９はトーチ本体、１０はチップホルダー１１およびコンタクトチップ１を覆う筒状のガスシールドノズル１２である。このように、本考案のコンタクトチップは外形状は従来のコンタクトチップと何ら変わらないので、そのまま溶接用ロボットのトーチのコンタクトチップホルダーに装着して使用することが可能である
次に、溶接時に生成される酸化物（ヒューム）について説明すると、上層の銅メッキでは、二酸化珪素（ＳｉＯ２）に銅（５Ｃｕ＋２Ｃｕ）が反応して珪化銅（Ｃｕ５Ｓｉ）と酸化銅（２ＣｕＯ）が生成され、下層のニッケルメッキでは、二酸化珪素（１０ＳｉＯ２）にニッケル（５Ｎｉ）とリン（８Ｐ）が反応して二珪化ニッケル（５ＮｉＳｉ２）と十酸化四リン（２Ｐ４Ｏ１０）が生成され、母材のクロム銅では、二酸化珪素（３ＳｉＯ２）に銅（７Ｃｕ）とクロム（Ｃｒ）が反応して、珪化銅（Ｃｕ５Ｓｉ）と酸化銅（２ＣｕＯ）と珪化クロム（ＣｒＳｉ２）と酸素（２Ｏ２）が生成される。
以上の生成物のうち十酸化四リン（２Ｐ４Ｏ１０）は３６０°Ｃにて昇華され、酸化銅（ＣｕＯ）は２５０°Ｃ以上で還元されて銅（Ｃｕ）になるので、コンタクトチップ１の寿命を短くする絶縁物は残らず、給電性は低下しない。
以上のように本発明では、二酸化珪素と反応して絶縁物が生成されない、銅合金製（クロム銅製）の母材６に、二酸化珪素と反応して絶縁物が生成されない導電性の被膜（銅メッキ）８を施したので、ノーメッキワイヤを使用して溶接するときに生成する酸化物（ヒューム）にて、給電性が低下することが無く、ノーメッキワイヤを使用して溶接したときのコンタクトチップ１の寿命を、銅メッキワイヤを使用して溶接したのと同じくらいに、大幅に延ばすことができ、また銅メッキ被膜８の下層にニッケルメッキ被膜７を施したので、コンタクトチップの母材表面が固くなり、さらにコンタクトチップの寿命を延ばすことができる。
１ コンタクトチップ
２ 溶接用ワイヤ
３ 挿通孔
６ 母材
７ ニッケルメッキ被膜
８ 銅メッキ被膜
２ 溶接用ワイヤ
３ 挿通孔
６ 母材
７ ニッケルメッキ被膜
８ 銅メッキ被膜
Claims (3)
- 溶接用ワイヤを挿通する挿通孔を形成し、溶接用ワイヤを案内するとともに、溶接電流を供給するコンタクトチップにおいて、二酸化珪素と反応して絶縁物が生成されない銅合金製の母材に、二酸化珪素と反応して絶縁物が生成されない導電性の被膜を施したことを特徴とするコンタクトチップ。
- 前記母材がクロム銅製であり、前記被膜が銅メッキであることを特徴とする請求項１に記載のコンタクトチップ。
- 前記銅メッキ被膜の下層にニッケルメッキ被膜を施したことを特徴とした請求項２に記載のコンタクトチップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020106536A JP2021186876A (ja) | 2020-05-25 | 2020-05-25 | コンタクトチップ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020106536A JP2021186876A (ja) | 2020-05-25 | 2020-05-25 | コンタクトチップ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021186876A true JP2021186876A (ja) | 2021-12-13 |
| JP2021186876A5 JP2021186876A5 (ja) | 2023-06-23 |
Family
ID=78847918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020106536A Pending JP2021186876A (ja) | 2020-05-25 | 2020-05-25 | コンタクトチップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2021186876A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022010356A (ja) * | 2017-02-17 | 2022-01-14 | 株式会社三洋物産 | 遊技機 |
-
2020
- 2020-05-25 JP JP2020106536A patent/JP2021186876A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022010356A (ja) * | 2017-02-17 | 2022-01-14 | 株式会社三洋物産 | 遊技機 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6139022B2 (ja) | ディフューザーを有するガス溶接トーチ | |
| CN108133810B (zh) | 绕线型线圈部件以及绕线型线圈部件的制造方法 | |
| US4766349A (en) | Arc electrode | |
| JP2005096060A (ja) | 放電加工用多孔性電極線の製造方法 | |
| JP2021186876A (ja) | コンタクトチップ | |
| KR101356596B1 (ko) | 연료전지 스택을 위한 인터커넥터 및 제조 방법 | |
| JP2021186876A5 (ja) | ||
| ES2243345T3 (es) | Electrodo para el taladrado electroquimico de precision de piezas de trabajo y procedimiento para la fabricacion del mismo. | |
| JPS6380978A (ja) | 溶接ト−チ | |
| JP5564593B2 (ja) | スパークプラグ、スパークプラグの製造方法 | |
| KR100980446B1 (ko) | 플라즈마 아크 절단기용 전극 | |
| JPS60227997A (ja) | 溶接用電極材料 | |
| JPS60247491A (ja) | 酸素プラズマ、エア−プラズマ切断用電極及び製造方法 | |
| WO2018030164A1 (ja) | 異種金属の接合構造、その接合方法および電気製品の生産方法 | |
| JP6298247B2 (ja) | 抵抗溶接用電極 | |
| JPH0220665A (ja) | 溶接用トーチ | |
| JP4394965B2 (ja) | チタン又はチタン合金の微小振動ｍｉｇ溶接方法 | |
| JP3023638B2 (ja) | Ｔｉｇ溶接用トーチ | |
| JP2008124057A (ja) | 内燃機関用点火コイル | |
| JPS6024279A (ja) | ア−ク溶接装置 | |
| JP2004066275A (ja) | チタンおよびチタン合金のｍｉｇ溶接用ワイヤおよびその製造方法 | |
| JPS60149774A (ja) | 熱電子発電素子の陰極の製法 | |
| US4918278A (en) | Joinable arc gouging electrodes with indicator for indicating, during use, when arc is a predetermined distance from end of electrode; and method of using same | |
| JP5317266B2 (ja) | チップホルダ、その製造方法及び消耗電極ガスシールドアーク溶接トーチ | |
| JPS6192796A (ja) | 酸素プラズマ、エア−プラズマ切断用電極及び電極製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230519 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230519 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20240315 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240326 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240423 |