JP2021186810A - ディスペンサのフェイスプレートに蓄積された材料を検出するためのナノシステムおよびフェイスプレートを検査する方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ナノ加工技術において、ディスペンサのフェイスプレート上の成形可能材料の蓄積を検出する方法を提供する。【解決手段】フェイスプレートを含むディスペンサを検査する方法は、センサをフェイスプレートを長さにわたって平行移動させながらセンサとフェイスプレートとの間の距離を計測する工程を有し、センサは、センサの長手軸がフェイスプレートの長手軸に対して鋭角に延びるように配向される。前記方法は、更に、他のセンサを前記フェイスプレートの前記長さにわたって平行移動させながら前記他のセンサと前記フェイスプレートとの間の距離を計測する工程と、ここで、前記他のセンサは、該他のセンサの長手軸が前記フェイスプレートの長手軸に対して鈍角に延びるように配向される工程と、前記、計測された距離に基づいて、フェイスプレートの表面上に蓄積された成形可能材料の量が所定値よりも大きいかどうかを判定する工程を含む。【選択図】図１

Description

本開示は、ディスペンサのフェイスプレートを検査するシステム及びフェイスプレートを検査する方法に関する。

ナノ加工は、１００ナノメートル以下のオーダーのフィーチャを有する非常に小さい構造の加工を含む。ナノ加工がかなりの影響を及ぼした１つの用途は、集積回路の製造におけるものである。半導体プロセス産業は、基板上に形成される単位面積当たりの回路を増加させながら生産歩留まりを向上させることを求めて求め続けている。ナノ加工における改善は、形成される構造の最小フィーチャ寸法の継続的な縮小を可能にしながら、より大きなプロセス制御および／またはスループットの向上を提供する。

今日使用されている１つのナノ加工技術は一般に、ナノインプリントリソグラフィと呼ばれる。ナノインプリントリソグラフィは例えば、基板上に膜を形成することによって集積デバイスの１つまたは複数の層を製作することを含む様々な用途に有用である。集積デバイスの例としては、ＣＭＯＳロジック、マイクロプロセッサ、ＮＡＮＤフラッシュメモリ、ＮＯＲフラッシュメモリ、ＤＲＡＭメモリ、ＭＲＡＭ、３Ｄクロスポイントメモリ、Ｒｅ−ＲＡＭ、Ｆｅ−ＲＡＭ、ＳＴＴ−ＲＡＭ、ＭＥＭＳ等が挙げられるが、これらに限定されない。例示的なナノインプリントリソグラフィシステムおよびプロセスは、米国特許第８，３４９，２４１号、米国特許第８，０６６，９３０号、および米国特許第６，９３６，１９４号などの多数の刊行物に詳細に記載されており、これらはすべて引用により本明細書に組み込まれる。

上記特許の各々に開示されたナノインプリントリソグラフィ技術は、（重合可能な）成形可能材料の層にレリーフパターンを形成することによって基板上に膜を成形することを記載している。次いで、この膜の形状を使用して、レリーフパターンに対応するパターンを、下にある基板の中および／または上に転写することができる。

パターン形成工程では、基板から離間したテンプレートを用いて、成形可能材料がテンプレートと基板との間に塗布される。テンプレートが成形可能材料と接すると、成形可能材料が広がり、テンプレートと基板との間の空間に充填する。液状の成形可能材料は、その液状の成形可能材料と接するテンプレートの表面の形状に一致する形状（パターン）を有する膜を形成するように固化される。固化後、テンプレートと基板とが離間することによりテンプレートは固化層から分離される。

次に、固化層および／または固化層の下にあるパターン形成された層の一方または両方のパターンに対応する画像を基板に転写するために、基板および固化層は、エッチングプロセスなどの追加のプロセスを受けることができる。パターン形成された基板は例えば、硬化、酸化、層形成、蒸着、ドープ、平坦化、エッチング、成形可能材料除去、ダイシング、結合、およびパッケージングなどを含む、デバイス（物品）製造のための公知の工程およびプロセスをさらに受けることができる。

ナノ加工技術は、ディスペンサから基板上に成形可能材料をディスペンスすることを含む。多くのディスペンスサイクルにわたって、成形可能材料は、ディスペンサのフェイスプレート上に蓄積されうる。蓄積物は、製造を妨害するため、最終的にはクリーニングされる必要がある。フェイスプレートをクリーニングする必要があるかどうかの判断を、特定の検査方法、例えば手動、目視による検査、による場合には、時間がかかり、生産が中断されてしまう。フェイスプレートを検査する１つの代替手段は、所定時間または所定回数のディスペンス動作の後に、蓄積量の検査なしにフェイスプレートを洗浄することである。しかしいずれの場合も、生産を中断することになるし、しかも、しばしば不要な中断となりうる。したがって、製造への影響を低減しつつフェイスプレート上の蓄積を検出する方法が望まれる。

本発明の一側面によれば、フェイスプレートを含むディスペンサを検査する方法が提供される。前記フェイスプレートは、第１の端部と、第２の端部と、表面と、前記第１の端部から前記第２の端部にわたって延びる長さと、前記長さに沿う長手軸とを有し、センサを前記フェイスプレートの前記長さにわたって平行移動させながら前記センサと前記フェイスプレートとの間の距離を計測する工程を有し、ここで、前記センサは、該センサの長手軸が前記フェイスプレートの長手軸に対して鋭角に延びるように配向され、前記方法は、更に、（ａ）他のセンサを前記フェイスプレートの前記長さにわたって平行移動させながら前記他のセンサと前記フェイスプレートとの間の距離を計測する工程と、ここで、前記他のセンサは、該他のセンサの長手軸が前記フェイスプレートの長手軸に対して鈍角に延びるように配向され、（ｂ）前記センサに前記フェイスプレートの前記長さにわたる他の平行移動をさせながら前記センサと前記フェイスプレートとの間の距離を計測する工程と、ここで、前記センサは、該センサの長手軸が前記フェイスプレートの長手軸に対して鈍角に延びるように配向され、を含む群のうちから選択された工程と、前記計測された距離に基づいて、前記フェイスプレートの表面上に蓄積された成形可能材料の量が所定値より大きいかどうかを判定する工程とを有する。

本発明の一側面によれば、フェイスプレートを含むディスペンサを検査するシステムが提供される。前記フェイスプレートは、第１の端部と、第２の端部と、表面と、前記第１の端部から前記第２の端部にわたって伸びる長さと、前記長さに沿う長手軸と、を有し、前記システムは、少なくとも１つのセンサと、１つ以上のプロセッサと、命令を記憶するメモリと、を含み、前記命令は、前記１つ以上のプロセッサによって実行される場合、前記少なくとも１つのセンサのうちの１つのセンサを前記フェイスプレートの前記長さにわたって平行移動させながら該センサと前記フェイスプレートとの間の距離を計測する工程を実行するための命令を含み、ここで、前記センサは、該センサの長手軸が前記フェイスプレートの長手軸に対して鋭角に延びるように配向され、前記命令は、更に、（ａ）前記少なくとも１つのセンサのうちの他のセンサを前記フェイスプレートの前記長さにわたって平行移動させながら前記他のセンサと前記フェイスプレートとの間の距離を計測する工程と、ここで、前記他のセンサは、該他のセンサの長手軸が前記フェイスプレートの長手軸に対して鈍角に延びるように配向され、（ｂ）前記センサに前記フェイスプレートの前記長さにわたる他の平行移動をさせながら前記センサと前記フェイスプレートとの間の距離を計測する工程と、ここで、前記センサは、該センサの長手軸が前記フェイスプレートの長手軸に対して鈍角に延びるように配向され、を含む群のうちから選択された工程と、前記計測された距離に基づいて、前記フェイスプレートの表面上に蓄積された成形可能材料の量が所定値よりも大きいかどうかを判定する工程と、を実行するための命令を含む。

本発明の一側面によれば、物品を製造する方法が提供される。前記方法は、フェイスプレートを含むディスペンサをクリーニングする工程を有し、ここで、前記フェイスプレートは、第１の端部と、第２の端部と、表面と、前記第１の端部から前記第２の端部にわたって延びる長さと、前記長さに沿う長手軸とを有し、前記クリーニングする工程は、センサを前記フェイスプレートの前記長さにわたって平行移動させながら前記センサと前記フェイスプレートとの間の距離を計測する工程を有し、ここで、前記センサは、該センサの長手軸が前記フェイスプレートの長手軸に対して鋭角に延びるように配向され、前記クリーニングする工程は更に、（ａ）他のセンサを前記フェイスプレートの前記長さにわたって平行移動させながら前記他のセンサと前記フェイスプレートとの間の距離を計測する工程と、ここで、前記他のセンサは、該他のセンサの長手軸が前記フェイスプレートの長手軸に対して鈍角に延びるように配向され、（ｂ）前記センサに前記フェイスプレートの前記長さにわたる他の平行移動をさせながら前記センサと前記フェイスプレートとの間の距離を計測する工程と、ここで、前記センサは、該センサの長手軸が前記フェイスプレートの長手軸に対して鈍角に延びるように配向され、を含む群のうちから選択された工程と、前記計測された距離に基づいて、前記フェイスプレートの表面上に蓄積された成形可能材料の量が所定値よりも大きいかどうかを判定する工程と、前記蓄積された成形可能材料の量が所定値よりも大きいと判定されたときに、前記フェイスプレートの前記表面をクリーニングする工程と、を含み、前記方法は更に、前記ディスペンサを使用して前記成形可能材料の一部を基板の上にディスペンスする工程と、前記基板の上にディスペンスされた前記成形可能材料のパターンまたは層を形成する工程と、前記形成されたパターンまたは層を加工して前記物品を製造する工程と、を有する。

本開示のこれらおよび他の目的、特徴、および利点は、添付の図面および提供される特許請求の範囲と併せて、本開示の例示的な実施形態の以下の詳細な説明を読むことによって明らかになろう。

本発明の特徴および利点が深く理解されるよう、添付図面に示される実施形態を参照することによって本発明の実施形態のより具体的な説明がなされる。しかし、添付図面は、本発明の典型的な実施形態を示すに過ぎず、したがって、本発明は他の等しく有効な実施形態を認めることができるので、本発明の範囲を限定するものとみなされるべきではないことに留意されたい。

一実施形態による例示的なナノインプリントリソグラフィシステムの説明図。

例示的な実施形態による例示的なテンプレートの図。

例示的な実施形態による例示的なインプリント方法を示すフローチャート。

例示的な実施形態によるディスペンサの側面図。

一実施形態による、図４Ａのディスペンサの下面図。

一実施形態による、図４Ａのディスペンサの端面図。

例示的な実施形態による、成形可能材料がフェイスプレートの表面に蓄積された後のディスペンサの側面図。

一実施形態による、成形可能材料がフェイスプレートの表面に蓄積された後の図５Ａのディスペンサの底面図。

第１実施形態による、基板上方のディスペンサを用いたアップリケの上面図。

第１実施形態によるアップリケの上方にディスペンサを有する図６Ａのアップリケの斜視図。

第１実施形態による、第１センサおよび第２センサを表面の上に有するアップリケの部分の拡大図。

第１実施形態に係る図４Ａ〜５Ｂに示すディスペンサのフェイスプレートの表面上の成形可能材料の蓄積を検出する方法のフローチャート。

第１実施形態によるフェイスプレートの下を通過する第１センサおよび第２センサの概略側面図。

第１実施形態による、フェイスプレートの表面上に第１センサおよび第２センサを重ね合わせたフェイスプレートの底面図。

第１実施形態および第２実施形態による、第１センサによって収集された距離データの図。

第１実施形態および第２実施形態による、第２センサによって収集された距離データの図。

第１実施形態および第２実施形態による、第１センサによって収集されたベースライン距離データの図。

第１実施形態および第２実施形態による、第２センサによって収集されたベースライン距離データの図。

第１実施形態および第２実施形態による、図１３のベースラインデータを差し引いた後に、図１１の第１センサによって収集された距離データの図。

第１実施形態および第２実施形態による、図１４のベースラインデータを差し引いた後に、図１２の第２センサによって収集された距離データの図。

一実施形態による蓄積位置確率の概略図。

図１５および図１６に示されるデータから計算された蓄積位置確率を例示する図。

第２実施形態による、基板の上方にディスペンサを有するアップリケの上面図。

第２実施形態による、表面上に単一のセンサを有する図１８のアップリケの一部の拡大図であって、回転された後の単一のセンサが重ね合わせて描かれた図。

第２実施形態による、図１８および図１９に示すディスペンサのフェイスプレートの表面上の成形可能材料の蓄積を検出する方法のフローチャート。

第２実施形態による、単一のセンサが第１の向きに進むときの、単一のセンサがフェイスプレートの表面に重ね合わされたフェイスプレートの底面図。

第２実施形態による、単一のセンサが第２の向きに進むときの、単一のセンサがフェイスプレートの表面に重ね合わされたフェイスプレートの底面図。

図面全体を通して、別段の記載がない限り、同じ参照番号および文字は、例示された実施形態の同様の特徴、要素、構成要素または部分を示すために使用される。さらに、本開示は図面を参照して詳細に説明されるが、それらは例示的な実施形態に関連して行われる。添付の特許請求の範囲によって定義される主題の開示の真の範囲および主旨から逸脱することなく、記載された例示的な実施形態に対して変更および修正を行いうることが意図されている。

本明細書全体を通して、上述のパターニングされたテンプレートを用いて成形可能液体の上にパターンを形成するナノインプリントリソグラフィが主に言及される。しかし、以下に述べるように、代替実施形態では、テンプレートはフィーチャレスであり、その場合、基板上には平坦面が形成されうる。平坦な表面が形成されるこのような実施形態では、形成プロセスは平坦化と呼ばれる。したがって、本開示全体を通して、ナノインプリントリソグラフィが言及される場合は常に、同じ方法が平坦化に適用可能であることが理解されるべきである。スーパーストレートという用語は、テンプレートがフィーチャレスである場合に、テンプレートの用語の代わりに使用される。

上述のように、ナノ加工技術は、ディスペンサから基板上に成形可能材料をディスペンスすることを含む。多くのディスペンスサイクルにわたって、成形可能材料は、ディスペンサのフェイスプレート上に蓄積されうる。最終的に、蓄積物は、生産を妨害しうるため、クリーニングされる必要がある。フェイスプレートとの物理的な接点を必要とせず、製造の中断を最小限に抑える生産システムおよび生産方法が望ましい。

ナノインプリントシステム（成形システム）
図１は、一実施形態を実施することができるナノインプリントリソグラフィシステム１００を示す図である。ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、基板１０２上に膜を成形するために使用される。基板１０２は、基板チャック１０４に結合されうる。基板チャック１０４は、真空チャック、ピン型チャック、溝型チャック、静電チャック、電磁チャック等でありうるが、それらに限定はされない。

基板１０２および基板チャック１０４は、基板位置決めステージ１０６によってさらに支持されうる。基板位置決めステージ１０６は、ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸、θ軸、ψ軸、およびφ軸のうちの１つまたは複数に沿った平行移動および／または回転運動を提供することができる。基板位置決めステージ１０６、基板１０２、および基板チャック１０４は、ベース（図示せず）上にも位置決めされうる。基板位置決めステージは、位置決めシステムの一部であってもよい。

基板１０２から離間してテンプレート１０８がある。テンプレート１０８は、テンプレート１０８の表側において基板１０２に向かって延びるメサ（モールドとも呼ばれる）１１０を有する本体を含みうる。メサ１１０は、テンプレート１０８の表側においてパターン面１１２を有しうる。成形表面ともよばれるパターン面１１２は、成形可能材料１２４を成形するテンプレートの表面である。一実施形態においては、パターン面１１２は平坦であり、成形可能材料を平坦化するために使用される。あるいはテンプレート１０８はメサ１１０なしで形成されてもよく、その場合、基板１０２に面するテンプレートの表面はモールド１１０と等価であり、パターン面１１２は基板１０２に面するテンプレート１０８の表面である。

テンプレート１０８は、溶融シリカ、石英、シリコン、有機ポリマー、シロキサンポリマー、ホウケイ酸ガラス、フルオロカーボンポリマー、金属、硬化サファイアなどを含む材料から形成されうるが、それらに限定されない。パターン面１１２は、複数の離間したテンプレート凹部１１４および／またはテンプレート凸部１１６によって画定されるフィーチャを有しうる。パターン面１１２は、基板１０２上に形成されるパターンの基礎を形成するパターンを画定する。代替実施形態においては、パターン面１１２はフィーチャレスであり、その場合、平坦な表面が基板上に形成される。代替の実施形態においては、パターン面１１２はフィーチャレスであり、基板と同じサイズであり、平坦な表面が基板全体にわたって形成される。平坦面が形成されるこのような実施形態では、形成処理は代替的に平坦化と呼ばれてもよく、フィーチャレスのテンプレートは代替的にスーパーストレートと呼ばれてもよい。

テンプレート１０８は、テンプレートチャック１１８に結合されうる。テンプレートチャック１１８は、真空チャック、ピン型チャック、溝型チャック、静電チャック、電磁チャック、および／または他の同様のチャック型でありうるが、これらに限定されない。テンプレートチャック１１８は、テンプレート１０８にわたって変化する応力、圧力、および／または歪みをテンプレート１０８に加えるように構成されうる。テンプレートチャック１１８は、テンプレート１０８の異なる部分を押したり伸ばしたりすることができる圧電アクチュエータを含みうる。テンプレートチャック１１８は、テンプレートを曲げ変形させるテンプレートの背面に圧力差を加えることができるゾーンベースの真空チャック、アクチュエータアレイ、圧力ブラダなどのシステムを含みうる。

テンプレートチャック１１８は、位置決めシステムの一部であるインプリントヘッド１２０に結合されうる。インプリントヘッドは、ブリッジに移動可能に結合されうる。インプリントヘッド１２０は、ボイスコイルモータ、圧電モータ、リニアモータ、ナット、スクリューモータなどのうちの１つまたは複数のアクチュエータを含み、これらのアクチュエータはテンプレートチャック１１８を基板に対して少なくともｚ軸方向に、および潜在的に他の方向（例えば、ｘ、ｙ、θ、ψ、およびφ軸）に移動させるように構成される。

ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、流体ディスペンサ１２２をさらに含みうる。流体ディスペンサ１２２はまた、ブリッジに移動可能に連結されうる。一実施形態において、流体ディスペンサ１２２およびインプリントヘッド１２０が１つまたは複数の、またはすべての位置決め構成要素を共有する。代替実施形態において、流体ディスペンサ１２２およびインプリントヘッド１２０が互いに独立して移動する。流体ディスペンサ１２２を使用して、液体成形可能材料１２４（例えば、重合可能材料）を基板１０２上にパターンで堆積させることができる。追加の成形可能材料１２４はまた、成形可能材料１２４が基板１０２上に堆積される前に、滴下ディスペンス、スピンコーティング、浸漬コーティング、化学蒸着（ＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、薄膜堆積、厚膜堆積などの技術を使用して基板１０２に追加されうる。成形可能材料１２４は、設計上の考慮事項に応じて、型１１２と基板１０２との間に所望の体積が画定される前および／または後に、基板１０２上にディスペンスされうる。成形可能材料１２４は、米国特許第７，１５７，０３６号および米国特許第８，０７６，３８６号に記載されているようなモノマーを含む混合物を含むことができる。両文献はこの引用により本明細書に組み込まれる。

異なる流体ディスペンサ１２２は、成形可能材料１２４をディスペンスするための異なる技術を使用することができる。成形可能材料１２４が噴射可能である場合、インクジェットタイプのディスペンサを使用して成形可能材料をディスペンスすることができる。例えば、サーマルインクジェット法、マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）ベースのインクジェット法、バルブジェット法、および圧電インクジェット法は、噴射可能な液体をディスペンスするための一般的な技術である。

ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、露光経路１２８に沿って化学線エネルギーを導く少なくとも１つの放射線源１２６を含む硬化システムをさらに含みうる。インプリントヘッドおよび基板位置決めステージ１０６は、テンプレート１０８および基板１０２を露光経路１２８と重ね合わせて位置決めするように構成されうる。放射線源１２６は、テンプレート１０８と成形可能材料１２８とが接触した後、露光経路１２８に沿って化学線エネルギーを送る。図１は、テンプレート１０８が成形可能材料１２４と接触していないときの露光経路１２８を示しているが、これは、個々の構成要素の相対位置を容易に識別することができるように、例示の目的で行われている。テンプレート１０８と成形可能材料１２４とが接触したときに、露光経路１２８が実質的に変化しないことは、当業者には理解されよう。

ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、テンプレート１０８と成形可能材料１２４とが接触した後に成形可能材料１２４の広がりを見るように配置されたフィールドカメラ１３６をさらに備えることができる。図１は、フィールドカメラの撮像視野の光軸を破線で示す。図１に示すように、ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、化学線をフィールドカメラによって検出される光と組み合わせる１つまたは複数の光学コンポーネント（ダイクロイックミラー、ビームコンバイナ、プリズム、レンズ、ミラーなど）を含むことができる。フィールドカメラ１３６は、テンプレート１０８の下の成形可能材料の広がりを検出するように構成されうる。図１に示されるように、フィールドカメラ１３６の光軸は直線であるが、１つ以上の光学部品によって曲げられてもよい。フィールドカメラ１３６は、成形可能材料と接触しているテンプレート１０８の下の領域と、成形可能材料１２４と接触していないテンプレート１０８の下の領域との間のコントラストを示す波長を有する光を集めるように構成された、ＣＣＤ、センサアレイ、ラインカメラ、および光検出器のうちの１つまたは複数を含みうる。フィールドカメラ１３６は、可視光の単色画像を収集するように構成されうる。フィールドカメラ１３６は、テンプレート１０８の下の成形可能材料１２４の広がり、硬化した成形可能材料とテンプレート１０８との分離の画像を提供するように構成され、インプリントプロセスを追跡するために使用されてもよい。

ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、フィールドカメラ１３６とは別個の液滴検査システム１３８をさらに含むことができる。液滴検査システム１３８は、ＣＣＤ、カメラ、ラインカメラ、および光検出器のうちの１つまたは複数を含みうる。液滴検査システム１３８は、レンズ、ミラー、アパーチャ、フィルタ、プリズム、偏光子、ウィンドウ、適応光学系、および／または光源などのうちの１つまたは複数の光学構成要素を含みうる。液滴検査システム１３８は、パターン面１１２と基板１０２上の成形可能材料１２４とが接触する前に液滴を検査するように配置されうる。

ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、テンプレート１０８および基板１０２の一方または両方に熱放射の空間分布を提供するように構成されうる熱放射源１３４をさらに含むことができる。熱放射源１３４は、基板１０２およびテンプレート１０８の一方または両方を加熱し、成形可能材料１２４を固化させない１つまたは複数の熱電磁放射源を含みうる。熱放射源１３４は、熱放射の時空間分布を変調するために、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、液晶オンシリコン（ＬＣｏＳ）、液晶デバイス（ＬＣＤ）などの空間光変調器を含みうる。ナノインプリントリソグラフィシステムはさらに、テンプレート１０８と基板１０２上の成形可能材料１２４とが接触するときに、化学線、熱線、およびフィールドカメラ１３６によって集められた放射を、インプリント領域と交差する単一の光路上に結合するために使用される１つまたは複数の光学構成要素を含みうる。熱放射源１３４は、テンプレート１０８が成形可能材料１２８と接触した後、熱放射経路（図１では２本の太い黒線として示されている）に沿って熱放射を送ることができる。図１は、テンプレート１０８と成形可能材料１２４とが接触していないときの熱放射経路を示しているが、これは、個々の構成要素の相対位置を容易に識別することができるように、例示の目的で行われているものである。テンプレート１０８と成形可能材料１２４とを接触させても熱放射経路は実質的に変化しないことは、当業者には理解されよう。図１では、熱放射経路がテンプレート１０８で終端するように示されているが、基板１０２で終端してもよい。代替実施形態において、熱放射源１３４は基板１０２の下にあり、熱放射経路は化学線および可視光と組み合わされない。

成形可能材料１２４が基板上にディスペンスされる前に、基板コーティング１３２が基板１０２に塗布されてもよい。一実施形態において、基板コーティング１３２は接着層でありうる。一実施形態において、基板が基板チャック１０４上にロードされる前に、基板１０２に基板コーティング１３２が塗布されうる。代替実施形態においては、基板１０２が基板チャック１０４上にある間に、基板１０２に基板コーティング１３２が塗布されうる。一実施形態において、基板コーティング１３２は、スピンコーティング、ディップコーティングなどによって塗布されうる。一実施形態において、基板１０２は、半導体ウエハでありうる。別の実施形態において、基板１０２は、インプリントされた後に派生テンプレートを作成するために使用されうるブランクテンプレート（レプリカブランク）でありうる。

ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、基板チャック１０４、基板位置決めステージ１０６、テンプレートチャック１１８、インプリントヘッド１２０、流体ディスペンサ１２２、放射源１２６、熱放射源１３４、フィールドカメラ１３６、および／または液滴検査システムなどの１つまたは複数の構成要素および／またはサブシステムと通信する１つまたは複数のプロセッサ１４０（制御部）によって、調整、制御、および／または指示されうる。プロセッサ１４０は、非一時的なコンピュータ読み取り可能メモリ１４２に記憶されたコンピュータ読み取り可能プログラムの指示に基づいて動作しうる。プロセッサ１４０は、ＣＰＵ、ＭＰＵ、ＧＰＵ、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、ＤＳＰ、および汎用コンピュータのうちの１つ以上であるか、またはそれらを含みうる。プロセッサ１４０は、専用コントローラであってもよいし、コントローラであるように適合された汎用コンピューティングデバイスであってもよい。非一時的なコンピュータ読み取り可能メモリの例としてはＲＡＭ、ＲＯＭ、ＣＤ、ＤＶＤ、Ｂｌｕ−Ｒａｙ、ハードドライブ、ネットワーク記憶装置（ＮＡＳ）、イントラネットに接続された非一時的コンピュータ読み取り可能記憶装置、およびインターネットに接続された非一時的コンピュータ読み取り可能記憶装置が挙げられるが、これらに限定されない。

インプリントヘッド１２０、基板位置決めステージ１０６、またはその両方が、モールド１１０と基板１０２との間の距離を変化させて、成形可能材料１２４で充填される所望の空間（３次元での境界物理的範囲）を画定する。例えば、インプリントヘッド１２０は、モールド１１０が成形可能材料１２４と接触するようにテンプレート１０８に力を加えることができる。所望の体積が成形可能材料１２４で満たされた後、放射源１２６は基板表面１３０およびパターン面１１２の形状に一致して、成形可能材料１２４を硬化、固化、および／または架橋させる化学線（例えば、ＵＶ、２４８ｎｍ、２８０ｎｍ、３５０ｎｍ、３６５ｎｍ、３９５ｎｍ、４００ｎｍ、４０５ｎｍ、４３５ｎｍなど）を生成し、基板１０２上にパターニングされた層を画定する。成形可能材料１２４は、テンプレート１０８が成形可能材料１２４と接触している間に硬化され、基板１０２上にパターニングされた層を形成する。したがって、ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、インプリントプロセスを使用して、パターン面１１２内のパターンの逆である凹部および凸部を有するパターニングされた層を形成する。代替実施形態において、ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、インプリントプロセスを使用して、フィーチャレスのパターン面１１２を有する平面層を形成する。

インプリントプロセスは、基板表面１３０全体に広がる複数のインプリント領域（単に領域またはショットともいう。）で繰り返し行うことができる。各インプリント領域はメサ１１０と同じサイズであってもよいし、メサ１１０のパターン領域と同じサイズであってもよい。メサ１１０のパターン領域は、デバイスのフィーチャである基板１０２上にパターンをインプリントするために使用されるか、またはその後の処理においてデバイスのフィーチャを形成するために使用される、パターン面１１２の領域である。メサ１１０のパターン領域は、はみ出しを防止するために使用される質量速度変動機構（流体制御機構）を含んでもよいし含まなくてもよい。代替実施形態において、基板１０２は、基板１０２またはメサ１１０でパターニングされる基板１０２の領域と同じサイズの１つのインプリント領域のみを有する。代替の実施形態において、インプリント領域は重なり合う。インプリント領域のいくつかは、基板１０２の境界と交差する部分インプリント領域であってもよい。

パターニングされた層は、各インプリント領域において基板表面１３０とパターン面１１２との間の成形可能材料１２４の最小厚さである残膜厚（ＲＬＴ）を有する残留層を有するように形成されうる。パターニングされた層はまた、厚さを有する残留層の上に延在する凸部などの１つまたは複数のフィーチャを含みうる。これらの凸部は、メサ１１０の凹部１１４と一致する。

テンプレート／スーパーストレート
図２は、一実施形態で使用することができるテンプレート１０８の図である。パターン面１１２は、メサ１１０（図２において破線のボックスによって特定される）にある。メサ１１０は、テンプレートの表面側の凹面２４４によって取り囲まれている。メサ側壁２４６は、凹面２４４をメサ１１０のパターン面１１２に接続する。メサ側壁２４６は、メサ１１０を取り囲む。メサが丸いか、または丸いコーナーを有する実施形態においては、メサ側壁２４６は、角のない連続壁である単一のメサ側壁である。

別の実施形態では、代替のテンプレートが使用され、本明細書ではスーパーストレート（superstrate）と呼ぶ。スーパーストレートの場合、パターン面１１２はフィーチャレスである。すなわち、一実施形態では、パターン面１１２上にはパターンがない。平坦化処理では、パターンのないスーパーストレートが使用される。このため、平坦化処理を行う場合には、図１に示すテンプレートの代わりにスーパーストレートが使用される。

インプリント／平坦化処理
図３は、１つまたは複数のインプリント領域（パターン領域またはショット領域ともいう。）上に成形可能材料１２４にパターンを形成するために使用されうる、ナノインプリントリソグラフィシステム１００によるインプリント処理３００のフローチャートである。インプリント処理３００は、ナノインプリントリソグラフィシステム１００によって複数の基板１０２上で繰り返し実行されうる。プロセッサ１４０は、インプリント処理３００を制御するために使用されうる。

代替実施形態では、同様のプロセスを実行して基板１０２を平坦化することができる。平坦化の場合、テンプレートの代わりにパターンのないスーパーストレートが使用されることを除いて、図３に関して本明細書で説明したのと実質的に同じ工程が実行される。したがって、以下の説明は平坦化方法にも適用可能であることを理解されたい。スーパーストレートとして使用する場合、スーパーストレートは基板１０２と同じサイズであってもよいし、またはそれよりも大きいものであってもよい。

インプリント処理３００の開始は、テンプレート搬送機構にテンプレート１０８をテンプレートチャック１１８上に装着させるテンプレート装着工程を含みうる。インプリント処理はまた、基板装着工程を含み、プロセッサ１４０は、基板搬送機構に基板１０２を基板チャック１０４上に装着させることができる。基板は、１つ以上のコーティングおよび／または構造を有する可能性がある。なお、テンプレート１０８と基板１０２とをナノインプリントリソグラフィシステム１００に装着する順序には特に限定はなく、テンプレート１０８と基板１０２とを順次装着してもよいし、同時に装着してもよい。

位置決め工程ではプロセッサ１４０は、基板位置決めステージ１０６および／またはディスペンサ位置決めステージの一方または両方に、基板１０２のインプリント領域ｉ（インデックスｉは最初に１に設定される）を、流体ディスペンサ１２２の下の流体ディスペンサ位置に移動させる。基板１０２は、Ｎ個のインプリント領域に分割され、各インプリント領域は、インデックスｉによって識別される。ここで、Ｎは、１、１０、７５などの実数整数である。ディスペンス工程Ｓ３０２において、プロセッサ１４０は、流体ディスペンサ１２２に、インプリント領域ｉ上に成形可能材料をディスペンスさせる。一実施形態において、流体ディスペンサ１２２は、成形可能材料１２４を複数の液滴としてディスペンスする。流体ディスペンサ１２２は、１つまたは複数のノズルを含みうる。流体ディスペンサ１２２は、１つまたは複数のノズルから成形可能材料１２４を同時に噴射することができる。流体ディスペンサが成形可能材料１２４を吐出している間、インプリント領域ｉは流体ディスペンサ１２２に対して移動させられる。したがって、液滴のいくつかが基板上に着地する時間は、インプリント領域ｉにわたって変化しうる。一実施形態において、ディスペンス工程Ｓ３０２中に、成形可能材料１２４は液滴パターンに従って基板上にディスペンスされうる。液滴パターンは、成形可能材料の液滴を堆積させる位置、成形可能材料の液滴の体積、成形可能材料の種類、成形可能材料の液滴の形状パラメータなどの１つまたは複数の情報を含みうる。

液滴がディスペンスされた後、接触工程Ｓ３０４が開始され、プロセッサ１４０は、基板位置決めステージ１０６およびテンプレート位置決めステージの一方または両方を制御して、テンプレート１０８のパターン面１１２とインプリント領域ｉの成形可能材料１２４とを接触させる。

スプレッド工程Ｓ３０６の間、成形可能材料１２４は、インプリント領域ｉのエッジ及びメサ側壁２４６に向かって広がる。インプリント領域のエッジは、メサ側壁２４６によって画定されうる。成形可能材料１２４がどのように広がり、メサに充填するかは、フィールドカメラ１３６を介して観察することができ、成形可能材料の流体先端の進行を追跡するために使用することができる。

硬化工程Ｓ３０８において、プロセッサ１４０は、化学線の硬化照明パターンをテンプレート１０８、メサ１１０及びパターン面１１２を通して送るように、放射線源１２６に命令を送ることができる。硬化照明パターンは、パターン面１１２の下の成形可能材料１２４を硬化（重合）させるのに十分なエネルギーを提供する。

離型工程Ｓ３１０では、プロセッサ１４０は、基板チャック１０４、基板位置決めステージ１０６、テンプレートチャック１１８、およびインプリントヘッド１２０のうちの１つまたは複数を使用して、テンプレート１０８のパターン面１１２を基板１０２上の硬化成形可能材料から分離する。

インプリントされるべき追加のインプリント領域がある場合、処理は工程Ｓ３０２に戻る。一実施形態において、製造物品（例えば、半導体デバイス）を作製するために、処理工程Ｓ３１２において、基板１０２に対する追加の処理が実行される。一実施形態において、各インプリント領域に複数のデバイスが含まれる。

処理工程Ｓ３１２におけるさらなる処理は、パターニングされた層のパターンまたはそのパターンの逆に対応するレリーフ像を基板に転写するためのエッチング処理を含みうる。処理工程Ｓ３１２におけるさらなる処理はまた、例えば、硬化、酸化、層形成、堆積、ドーピング、平坦化、エッチング、成形可能材料除去、ダイシング、ボンディング、パッケージングなどを含む、物品製造のための既知の工程および処理を含みうる。基板１０２は、複数の物品（デバイス）を製造するために処理されうる。

液滴吐出方法
ナノインプリントリソグラフィシステム１００または平坦化システムによる液滴ディスペンス方法を使用して、成形可能材料１２４の液滴のパターンを基板１０２上にディスペンスし、次いで、インプリント／平坦化することができる。インプリント／平坦化は、フィールドごとに行われてもよいし、基板全体に一括して行われてもよい。成形可能材料１２４の液滴は、フィールドごとに供給されてもよいし、基板全体に一括して供給されてもよい。液滴が基板全体に一括して供給される場合であっても、液滴パターンの生成は、好ましくはフィールドごとに行われる。

１つのフルフィールドのための液滴パターンを生成することは、プロセッサ１４０が代表的な基板１０２の基板パターンと代表的なテンプレート１０８のテンプレートパターンとを受け取ることを含みうる。

基板パターンは、代表的な基板の基板トポグラフィ、代表的な基板のフィールド、および／または代表的な基板のフルフィールドに関する情報を含むことができる。基板トポグラフィは、以前の製造工程に基づいて計測され、生成され、および／または設計データに基づいて生成されてもよい。代替の実施形態では、以前の製造工程がなかったか、または基板がトポグラフィを低減するために以前に平坦化されていたため、基板パターンはフィーチャレスである。基板トポグラフィは、代表的な基板のベベルエッジまたは丸いエッジなどのエッジの形状に関する情報を含んでもよい。基板トポグラフィは、基板の向きを識別する１つまたは複数のフラットまたはノッチの形状および位置に関する情報を含むことができる。基板トポグラフィは、パターンが形成される基板の領域を囲む基準縁の形状および位置に関する情報を含んでもよい。

テンプレートパターンは、代表的なテンプレートのパターン面１１２のトポグラフィに関する情報を含むことができる。パターン面１１２のトポグラフィは、設計データに基づいて計測および／または生成されうる。代替の実施形態では、テンプレートパターンはフィーチャレスであり、基板１０２を平坦化するために使用されうる。パターン面１１２は、１つのフルフィールド、複数のフィールド、基板全体、又は基板よりも大きいサイズ、のいずれかと同じサイズでありうる。

基板パターンおよびテンプレートパターンが受け取られると、プロセッサ１４０は、インプリント中に基板とパターン面とが間隙をもって分離された場合に、基板とパターン面との間の体積を満たす膜を生成する成形可能材料１２４の分布を計算することができる。基板上の成形可能材料の分布は、成形可能材料の面密度、成形可能材料の液滴の位置、および／または成形可能材料の液滴の体積の形式をとりうる。成形可能材料の分布の計算には、成形可能材料の材料特性；パターン面の材料特性、基板表面の材料特性、パターン面と基板表面との間の体積の空間的変化、液流、蒸着などのうちの１つ以上が考慮に入れられうる。

蓄積検知システムおよび方法
図４Ａは、ディスペンサ１２２の側面図を示す。図４Ｂは、ディスペンサ１２２の下面図を示す。図４Ｃは、ディスペンサ１２２の端面図である。ディスペンサ１２２は、複数のディスペンスノズル１３７が形成された表面１３５を有するフェイスプレート１３３を含む。フェイスプレート１３３の表面１３５に形成されるノズル１３７の数は、数百程度、例えば５００以上でありうる。フェイスプレート１３３は、第１の端部１２３および第２の端部１２５を含む。フェイスプレート１３３は、第１の端部１２３から第２の端部１２５までＸ方向に延びる長さ１２７を有する。ディスペンサ１２２は、第１の端部１２３から延びる第１フランジ１２９と、第２の端部１２５から延びる第２フランジ１３１とを有する。フェイスプレート１３３は、Ｘ方向に垂直なＹ方向に延びる幅１３９を有する。

図５Ａおよび５Ｂは、成形可能材料１２４がフェイスプレート１３３の表面１３５上に蓄積された後のディスペンサ１２２を示している。図５Ａおよび５Ｂに概略的に示されるように、蓄積された成形可能材料１２４は、フェイスプレート１３３の表面１３５にわたってさまざまなパターンおよび厚さで位置しうる。本明細書に記載されるシステムおよび方法は、フェイスプレート１３３上の蓄積を検出するために使用される。

図６Ａは、第１実施形態による、基板１０２の上方にディスペンサ１２２を有するアップリケ（applique）１０７の上面図を示している。図６Ｂは、アップリケ１０７の上方にディスペンサ１２２を有する、図６Ａのアップリケ１０７の斜視図を示している。図６Ａおよび６Ｂに示すように、第１実施形態において、第１センサ４０２および第２センサ４０４がアップリケ１０７の上に配置されうる。より詳細には、第１センサ４０２および第２センサ４０４は、アップリケ１０７の上面１０９に配置されうる。アップリケ１０７は、基板１０２を取り囲んでいる。すなわち、アップリケ１０７は、基板１０２を収容するためのキャビティ１１１を含む。アップリケ１０７は、ステージ１０６によって基板１０２と共に移動されうる。ステージ１０６は、アップリケ１０７および基板１０２を、Ｘ方向に沿って、すなわちフェイスプレート１３３の長さ１２７に沿って、ディスペンサ１２２の下に移動させることができる。あるいは、別の実施形態では、アップリケ１０７および基板１０２は静止しており、ディスペンサ１２２がＸ方向に沿って移動することができる。

図６Ａおよび６Ｂに示すように、第１センサ４０２および第２センサ４０４は、ディスペンサ１２２に対するアップリケ１０７の制御移動時に第１センサ４０２および第２センサ４０４がフェイスプレート１３３の表面１３５の下を通過するように、アップリケ１０７の表面１０９上に配置されうる。図６Ａおよび６Ｂでは、第１センサ４０２および第２センサ４０４は基板１０２の右側に隣接しているが、第１センサ４０２および第２センサ４０４はアップリケ１０７の表面１０９上のいずれの場所に配置されてもよい。好ましくは、第１センサ４０２および第２センサ４０４は、以下に説明する方法で互いに角度付けられ、位置決めされる。例えば、一実施形態では、第１センサ４０２および第２センサ４０４は、アップリケ１０７の上部コーナーまたは下部コーナーに配置されうる。あるいは別の実施形態では、後述するように、これらのセンサは互いに対して角度をつけられたり、位置決めされたりする必要はない。

第１センサ４０２および第２センサ４０４は、それぞれ静電容量センサでありうる。静電容量センサは、センサとターゲットとの間の距離を高分解能で計測することができる非接触デバイスとして知られている。センサおよびターゲットの面積は一定のままであり、間隙内の材料の誘電体（すなわち、空気）も一定のままであるため、静電容量の変化は、センサとターゲットとの間の距離の変化の結果である。したがって、静電容量センサによって計測される静電容量は、ターゲットとセンサとの間の距離と相関しうることは、当業者には理解されよう。すなわち、静電容量センサは、ターゲットとセンサとの間の距離を出力する。第１センサ４０２および第２センサ４０４に使用されうる静電容量センサの例は、カスタマイズされた矩形アクティブ計測領域を有し、かつ高アスペクト比を有するマイクロエプシロンアメリカ（Ｒａｌｅｉｇｈ、ＮＣ）モデルｃａｐａＮＣＤＴ ６１３９であり得る。

第１センサ４０２および第２センサ４０４はそれぞれ、センサの長さがセンサの幅よりも数倍大きいように、高いアスペクト比を有しうる。例えば、アスペクト比（すなわち、長さ対幅の比）は、５０：１〜５：１、４０：１〜１０：１、３０：１〜１５：１、または２５：１〜２０：１であり得る。例示的な実施形態では、アスペクト比は３０：１であってもよい。高いアスペクト比は、フェイスプレート上に蓄積された成形可能材料の程度を正確に求めるのに十分なデータ収集を可能にする。低すぎるアスペクト比は、ディスペンサの蓄積状態を求めるのに十分な横方向分解能を有しない。センサの長さは、センサが角度を付けられたときに、センサがフェイスプレート１３３の全幅１３９にまたがるように選択することができる。センサの角度については、図７に関して以下で説明する。角度のために、センサの長さはフェイスプレート１３３の幅１３９よりも大きく（または等しく）、その結果、センサはフェイスプレートの幅１３９全体にわたる。図６Ａ〜７に示される例示的な実施形態において、第１センサ４０２および第２センサ４０２は、同じアスペクト比および同じ寸法を有する。同じサイズのセンサを使用すれば最も正確なデータが得られるが、オペレータがフェイスプレート上の成形可能材料の蓄積の度合いを正確に判定可能である限り、センサによって提供される結果として生じるデータには何らかのバリエーションがあってもよい。

上述のように、第１センサ４０２および第２センサ４０４は、互いに対して角度が付けられている。図７は、表面１０９上に第１センサ４０２および第２センサ４０４を有するアップリケ１０７の一部の拡大図を示す。図７に見られるように、第１センサ４０２および第２センサ４０４は、互いに対して角度が付けられており、それは第１センサ４０２の中心点４０６および第２センサ４０４の中心点４０８を通る水平線Ｘ１によって画定されうる。第１センサ４０２の中心点４０６は、第１センサ４０２の長さ寸法および幅寸法の両方の中心であり、第２センサ４０４の中心点４０８は、第２センサ４０６の長さ寸法および幅寸法の両方の中心である。

第１センサ４０２および第２センサ４０４は互いに対して角度が付けられているため、第１センサ４０２の長手軸４１０および第２センサ４０４の長手軸４１２は、水平線Ｘ１に対して異なる角度が付けられる。第１センサ４０２の長手軸４１０は、水平線Ｘ１に対して角度４１４をなしうる。第１センサ４０２の長手軸４１０は水平線Ｘ１に対して正の傾斜を有し、したがって、角度４１４は鋭角でありうる。角度４１４は、３５°〜５５°、４０°〜５０°、４２°〜４８°、または４４°〜４６°とすることができる。例示的な実施形態では、角度４１４は４５°である。第２センサ４０４の長手軸４１２は、水平線Ｘ１に対して角度４１６をなしうる。第２センサ４０４の長手軸４１２は水平線Ｘ１に対して負の傾斜を有し、したがって、角度４１６は鈍角である。角度４１６は、１２５°〜１４５°、１３０°〜１４０°、１３２°〜１３８°、または１３４°〜１３６°とすることができる。例示的な実施形態では、角度４１６は１３５°である。幾何学的原理の下で、第１センサ４０２の長手軸４１０は角度４１４に相補的である水平線Ｘ１に対する角度４１８をなす一方、第２センサ４０４の長手軸４１２は第２の角度４１６に相補的である水平線Ｘ１に対する角度４２０をなしうる。

第１センサ４０２の長手軸４１０は水平線Ｘ１に対して正の傾きを有し、第２センサ４０４の長手軸４１２は水平線Ｘ１に対して負の傾きを有するため、第１センサ４０２の長手軸４１０と第２センサ４０４の長手軸４１２とが交差して角度４２２を形成する。同様の理由で、図７に示されるように、第１センサ４０２の長手軸４１０と、第２センサ４０４の長手軸４１２と、水平線Ｘ１とが交差して、三角形を形成することになる。幾何学的原理の下では、角度４１４、４２０、４２２は加算すると１８０°になる。角度４２２は、７０°〜１１０°、８０°〜１００°、８４°〜９６°、または８８°〜９２°でありうる。例示的な実施形態では、角度４２２は９０°である。例示的な実施形態では、角度４１４は、４５°±１°であり（したがって、角度４１８は１３５°±１°であり）、角度４１６は１３５°±１°であり（したがって、角度４２０は４５°±１°であり）、角度４２２は９０°±１°である。したがって、上述の幾何学的形状に基づいて、第１センサ４０２および第２センサ４０４は、互いに直交している、あるいは、実質的に互いに直交していると言える。

上述したように、センサ４０２、４０４は傾斜しているので、センサの長さは、フェイスプレート１３３の幅１３９全体にわたるように、フェイスプレート１３３の幅１３９よりも大きい（または等しい）。幾何学的原理の下では、角度４１４が小さく角度４１６が大きいほど、センサがフェイスプレートの全幅にまたがるために長くなる必要がある。角度の大きさに関する上記のオプションに基づいて、各センサの長さとフェイスプレートの幅との比は、１．４：１から１．４５：１でありうる。一実施形態では、フェイスプレートの幅と各センサの長さとの比は、１：√２でありうる。

図７は位置決めステージ１０６の移動量を最少にして適切なデータを得ることができるの好ましい実施形態を示しているが、第１センサ４０２および第２センサ４０４は、Ｘ方向およびＹ方向の両方において互いに離れた任意の相対角および任意の距離でアップリケ１０７上の任意の場所に配置されうる。しかし、以下に説明するように、このような実施形態では、センサを適切に配向させて適切なデータを得るために、ステージによってより多くの制御および正確な位置決めが不可欠である。また、さらなる位置決めは、適切なデータを収集するためにさらなる時間を必要とする。

図８は、図４Ａ〜５Ｂに示されたディスペンサのフェイスプレート１３３の表面１３５上の成形可能材料の蓄積を検出する方法５００のフローチャートを示す。方法５００は、工程Ｓ５０２から始まり、ここで、第１センサ４０２がフェイスプレート１３３の長さ１２７にわたって平行移動しながら第１センサ４０２とフェイスプレート１３３との間の距離ｄが計測される。ここで、第１センサ４０２は、第１センサ４０２の長手軸４１０がフェイスプレート１３３の長手軸１４１に対して鋭角４１４に延びるように配向される。図６Ａ〜７に示される例示的な実施形態において、上述のように、第１センサ４０２および第２センサ４０４は、水平軸Ｘ１に沿って中心が合わせされ、上述のように水平軸Ｘ１に対して角度付けされる。この実施形態では、工程Ｓ５０２は、水平線Ｘ１をフェイスプレート１３３の長手軸１４１と位置合わせする工程をさらに含むことができる。第１実施形態において、水平線Ｘ１をフェイスプレート１３３の長手軸１４１に位置合わせするために、位置決めステージ１０６をＸ方向およびＹ方向に移動するように制御するだけでよい。アップリケ１０７は、水平線Ｘ１がフェイスプレート１３３の長手軸１４１と重なるまで、Ｙ方向に移動されてもよい。位置決めステージ１０６はさらに、第１センサ４０２および第２センサ４０４がディスペンサ１２２の左側または右側に位置するまで、アップリケ１０７をＸ方向に移動させるように制御されてもよい。図６Ａ（および後述する図１０）は、水平軸Ｘ１とフェイスプレート１３３の長手軸１４１とが重なるように、および第１センサ４０２および第２センサ４０４がディスペンサ１２２の右側に位置するように、第１センサ４０２および第２センサ４０４がＸ方向およびＹ方向に適切に配置された例を示している。

第１センサ４０２および第２センサ４０４が上述のように配置された後、工程Ｓ５０２はさらに、アップリケ１０７をＸ方向に沿って方向４２４に移動させるようにステージ１０６を制御する工程を含む。水平線Ｘ１がフェイスプレート１３３の長手軸１４１と位置合わせされているので、Ｘ方向に沿った方向４２４におけるアップリケ１０７の移動は、フェイスプレート１３３の長さ１２７を横切る第１センサ４０２を平行移動させることになる。さらに、水平線Ｘ１に対する第１センサ４０２および第２センサ４０４の上述の幾何学的形状により、第１センサ４０２は、第１センサ４０２の長手軸４１０がフェイスプレート１３３の長手軸１４１に対して鋭角４１４で延びるように配向される。第１センサ４０２の平行移動中、センサは、第１センサ４０２とフェイスプレート１３３との間の距離ｄを計測するように制御される。

図９は、フェイスプレート１３３の下を通過する第１センサ４０２および第２センサ４０４の概略側面図を示している。図９に示されるように、第１センサ４０２および第２センサ４０４は、フェイスプレート１３３からＺ方向に離間して位置する。第１センサ４０２および第２センサ４０４がフェイスプレート１０３の下を、Ｘ方向に沿う方向４２４に通過するとき、第１センサ４０２および第２センサ４０４は、センサとフェイスプレートとの間の距離ｄを計測する。図９に示すように、フェイスプレート１３３の表面１３５上に形成された成形可能材料１２４があるため、フェイスプレート１３３と第１センサ４０２および第２センサ４０４との間の距離は、成形可能材料１２４の厚さに応じて変化する。したがって、図９に示すように、特定の位置で成形可能材料がない場合に距離ｄが最も長くなり、成形可能材料が最も厚い場合に距離が最小となる。図９にさらに示されるように、方向４２４は、Ｘ方向に沿ったいずれの向きであってもよい。例えば、図６Ａに示された実施形態の場合、第１センサ４０２および第２センサ４０４はディスペンサ１２３の右側から開始されるので進行方向は左向きとなる。第１センサ４０２および第２センサ４０４がディスペンサ１２２の左側から始まる場合、進行方向は右向きとなる。距離情報を記録する処理において、Ｚ方向またはＹ方向の動きはない。

図１０は、フェイスプレート１３３の底面図であり、フェイスプレート１３３の表面１３５上に第１センサ４０２および第２センサ４０４が重ねられて表示されている。すなわち、第１センサ４０２および第２センサ４０４は、図９に示すように、Ｚ方向においてフェイスプレート１３３の下側の距離にあるが、フェイスプレート１３３上への第１センサ４０２および第２センサ４０４の重ね合わせによって、フェイスプレート１３３の長手軸１４１に対する第１センサ４０２および第２センサ４０４の角度が理解しやすくなっている。図１０に見られるように、水平線Ｘ１およびフェイスプレート１３３の長手軸１４１は、上述した方法で適切に位置合わせされると、互いに重なり合う。したがって、位置合わせされると、図７に関して上述した角度は、図１０にも存在する。したがって、フェイスプレート１３３の長手軸１４１に対して、第１センサ４０２は鋭角に角度付けられ、第２センサは鈍角に角度付けられる。図１０にも示されるように、第１センサ４０２および第２センサ４０４は、フェイスプレート１３３の全幅１３９にまたがる。したがって、第１センサ４０２および第２センサ４０４がＸ方向に沿って（上記のように右側または左側のいずれかに）４２４の方向に平行移動しながら、第１センサ４０２および第２センサ４０４の各々は、フェイスプレート１３３の全幅１３９に沿って距離ｄを計測する。

図７および図１０の幾何学的形状はまた、第１センサ４０２および第２センサ４０４が水平面上に投影されたときに、第１センサ４０２の長手軸４１０と、第２センサ４０２の長手軸４１２と、フェイスプレート１３３の長手軸１４１（または水平線Ｘ１）とが、交差して２つの鋭角４１４、４２０を有する三角形を形成するように、第１センサ４０２および第２センサ４０４が配向されると説明することができる。より具体的には、三角形が上述したのと同じ角度４１４、４２０、および４２２を有する。

要約すれば、工程Ｓ５０２は、ａ）水平線Ｘ１をフェイスプレート１３３の長手軸１４１と合うように位置決めステージを制御すること、ｂ）フェイスプレートの長さ１２７にわたって第１センサ４０２をＸ方向に沿って平行移動させるようにステージを制御すること、ｃ）その間、第１センサ４０２とフェイスプレート１３３との間の距離を計測すること、によって実行されうる。

次いで、方法５００は工程Ｓ５０４に進み、第２センサ４０４は、フェイスプレート１３３の長さ１２７にわたって平行移動しながら第２センサ４０４とフェイスプレート１３３との間の距離ｄを計測する。ここで、第２センサ４０４は、第２センサ４０４の長手軸４１２がフェイスプレート１３３の長手軸１４１に対して鈍角４１６で延びるように配向される。水平線Ｘ１は、工程Ｓ５０２でフェイスプレート１３３の長手軸１４１にすでに位置合わせされているため、また、第２センサ４０４は図６Ａおよび図７に示すように、第１センサ４０２に隣接して配置されているため、アップリケ１０７をＸ方向に沿った方向４２４へ移動させるためのステージ１０６の上述の制御によって、第２センサ４０４はフェイスプレート１３３の長さ１２７にわたって平行移動することになる。さらに、水平線Ｘ１に対する第１センサ４０２および第２センサ４０４の上述の幾何学的形状により、第２センサ４０４は、第２センサ４０４の長手軸４１２がフェイスプレート１３３の長手軸１４１に対して鈍角４１６で延びるように配向される。すなわち、図６Ａから７、９、および１０に示す例示的な実施形態において、第１センサ４０２の平行移動と同時に第２センサ４０４の平行移動が行われる。第２センサ４０４の平行移動中に、センサは、第２センサ４０４とフェイスプレート１３３との間の距離ｄを計測するように制御される。要約すると、工程Ｓ５０４は工程Ｓ５０２と同じ方法で実行されてもよく、実際には工程Ｓ５０２と同時に実行されてもよい。しかし、センサはＸ方向に移動し、センサはＸ方向に互いに隣接して配置されるため、たとえセンサが同時に移動されても、第１センサはフェイスプレートの長さにわたって平行移動する第２センサに先立ってフェイスプレートの長さにわたって平行移動することになる（左に移動する場合。右に移動する場合は逆の順序）。したがって、センサは、同時に移動しながらも、フェイスプレートを連続的に横切って平行移動すると言うこともできる。

図６Ａ〜７、９および１０に示された実施形態は、フェイスプレートの長さにわたってセンサを通過させるのに比較的少ない動きしか必要としない例であるが、第１センサ４０２および第２センサ４０４が上述のように配向されていない他の実施形態も考えられる。第１センサおよび第２センサの各々は、任意の位置および互いに対する任意の角度を含む、アップリケ１０７上の任意の場所に任意に配置することができる。しかし、そのような実施形態では、第１センサが最終的に図１０に示される幾何学的形状でフェイスプレートを横切るように、ステージをより複雑に制御する必要がある。例えば、第１センサが第２センサから遠く離れていて、フェイスプレートの長手軸に平行な水平線に対して鋭角になっていない場合、工程Ｓ５０２は第１センサが正しいＸ位置およびＹ位置に位置するまでアップリケを移動させるためにステージを使用し、次いで、図１０に示すようにフェイスプレート１３３の長手軸１４１に対して第１センサが相対的に角度を付けられるまでアップリケをさらに回転させることを含むことになる。その後、第１センサとフェイスプレートとの間の距離を計測されている間、フェイスプレートの長さにわたって第１センサを通過させるように制御されることになる。同様にして、第２センサが第１センサから遠く離れており、フェイスプレートの長手軸に平行な水平線に対して鈍角になることがない場合、工程Ｓ５０４はまた、第２センサが正しいＸ位置およびＹ位置に位置するまでアップリケを移動させるためにステージを使用する工程と、その後、第２センサが図１０に示される方法でフェイスプレート１３３の長手軸１４１に対して角度をつけるまでアップリケをさらに回転させる工程とを含むことになる。その後、アップリケは、フェイスプレートを横切る第２センサを平行移動させるように制御されることになろう。

フェイスプレートの長さにわたる第１センサおよび第２センサそれぞれの平行移動中に、各センサは連続的に計測を行い、距離データを提供する。例示的な実施形態では、各センサは、毎秒約２００００回の計測の速度でデータを計測することができる。センサのそれぞれによって行われる総合的な計測回数は、位置決めステージ１０６の移動速度およびフェイスプレートの長さに依存する。例示的な実施形態では、位置ステージ１０６が約１．５ｍ／ｓの速度で移動することができ、フェイスプレートの長さは約７０ｍｍである。これらの例示の条件下では、センサがフェイスプレートを横切って通過するのに約０．０５秒かかり、各センサについて約１０００のデータ点が計測されうる。他の例示的な実施形態では、センサがフェイスプレートを横切って通過する時間が０．０１〜０．１秒でありうる。例示的な実施形態では、センサがフェイスプレートを横切って通過する時間が１つの基板の生産開始と次の基板の生産開始との間の平均時間に影響を及ぼさないか、または１％未満の影響を及ぼす。

図１１は、実施形態における第１センサ４０２によって収集された距離データのグラフである。図１２は、実施形態における第２センサ４０４によって収集された距離データのグラフである。図１１および図１２に示すように、各グラフのｘ軸は時間（この実施形態では秒）を表し、各時間はフェイスプレートに対するセンサの特定の相対位置と相関がある。各グラフのｙ軸は、特定の時刻にセンサによって計測された基準面に対する距離ｄ（すなわち、センサとフェイスプレートとの間のＺ方向の距離）をマイクロメートルで表す。したがって、図１１のグラフは第１センサ４０２についての異なる位置で距離が計測された距離を示し、図１２のグラフは、第２センサ４０４についての異なる位置での計測距離ｄを示す。基準面は任意に選択されうる。図１１に示す例では、基準平面（すなわち「０」距離）がＺ方向に沿ったフェイスプレートの中点に位置する。したがって、一部の距離は計測される表面点がＺ方向において基準面より下にある場合には正の値であり、計測される表面点がＺ方向において基準面より上にある場合には、一部の距離は負の値である。このデータを使用すると、第１センサでどのような距離が計測されたか、第２センサでどの距離が計測されたかが、同じ相対位置に対して判断できる。このデータの使用は、以下でさらに説明される。

第１センサ４０２及び第２センサ４０４から距離データｄを収集した後、方法は工程Ｓ５０６に進み、工程Ｓ５０２、Ｓ５０４で収集されたデータ、および所定のベースラインデータに基づいて、フェイスプレートの表面上に蓄積された成形可能材料の量が所定値よりも大きいか否かが判定される。所定のベースラインデータは、表面１３５、すなわち図４Ａおよび４Ｂに示すクリーンなフェイスプレート上に成形可能材料が蓄積される前のフェイスプレート１３３について取得されたデータである。ベースラインデータを収集する方法は、工程Ｓ５０２および工程Ｓ５０４に関して上述したものと同じである。すなわち、工程Ｓ５０２および工程Ｓ５０４は、第１センサ４０２および第２センサ４０４がクリーンなフェイスプレート１３３の表面を横切って平行移動され、上述の方法で角度が付けられるように実行される。換言すれば、ベースラインデータの収集と上述のデータとの間の唯一の差は、フェイスプレート１３３の表面１３５上に成形可能材料がないことが分かったときにベースラインデータが収集されることである。したがって、ベースラインデータの取得は、フェイスプレート１３３の表面１３５がクリーニングされた後、ディスペンサが成形可能材料をディスペンスするために使用される前に（またはディスペンサの最初の使用の前に）、実行されうる。したがって、ベースラインデータは、フェイスプレートの表面上に成形可能材料が蓄積されていないときの、センサ４０２、４０４の各々とフェイスプレート１３３との間の距離データｄを表す。ベースラインデータの取得は一般に、方法５００を実行する前に１回行われるので、ベースラインデータの取得は、図８に示される方法５００の一部として示されない。しかし、別の実施形態では、ベースラインデータを取得する工程は、方法５００の一部とみなすことができ、工程Ｓ５０２の前に行われる。

第１センサ４０２のベースラインデータの例を図１３に示し、第２センサ４０４のベースラインデータの例を図１４に示す。図１３は、フェイスプレートが蓄積された成形可能材料を有していない場合に第１センサ４０２によって収集された距離データのグラフを示し、図１４は、フェイスプレートが蓄積された成形可能材料を有していない場合に第２センサ４０４によって収集された距離データのグラフを示す。図１１、図１２のグラフと同様に、図１３、図１４それぞれのグラフにおけるｘ軸は時間（この実施形態では秒）を表し、ここで、各時間は、フェイスプレートに関するセンサの特定の相対位置と相関がある。したがって、図１３のグラフは、フェイスプレートに成形可能材料が蓄積されていない場合に、第１センサ４０２について異なる相対位置で距離が計測された距離ｄを示し、図１４のグラフは、フェイスプレートに成形可能材料が蓄積されていない場合に、第２センサ４０４について異なる相対位置で計測された距離ｄを示す。

上述のように、工程Ｓ５０６は、工程Ｓ５０２、Ｓ５０４で収集されたデータおよび所定のベースラインデータに基づいて、フェイスプレートの表面に蓄積された成形可能材料の量が所定値よりも大きいかどうかを判定することを含む。この工程は、工程Ｓ５０２、Ｓ５０４で収集されたデータをベースラインデータから減算することを含みうる。より詳細には、上述したように、ベースラインデータは、フェイスプレートに成形可能材料が蓄積されていないときの、第１センサに対する距離ｄの計測値（図１３）と第２センサに対する距離ｄの計測値（図１４）とを含む。工程Ｓ５０２で収集されたデータは第１センサ４０２に対応するベースラインデータから減算され、工程Ｓ５０４で収集されたデータは第２センサ４０４に対応するベースラインデータから減算される。減算の後、各々のセンサについて得られたデータは、特定の位置における蓄積された成形可能材料の厚さのみを表す。すなわち、成形可能材料がないときの距離から成形可能材料があるときの距離を差し引くことによって、その結果は、特定の位置における成形可能材料の厚さが得られる。図１５は、第１センサ４０２のベースラインデータから第１センサ４０２によって取得された距離データを減算した後のグラフを示し、図１６は、第２センサ４０４のベースラインデータから第２センサ４０４によって取得された距離データを減算した後のグラフを示す。図１１〜図１４のグラフと同様に、図１５および図１６それぞれのｘ軸は時間（この実施形態では秒）を表し、ここで、各時間は、フェイスプレートの長さに対するセンサの特定の位置と相関がある。したがって、図１５のグラフは第１センサ４０２についての異なる位置での成形可能材料の厚さを示し、図１６のグラフは、第２センサ４０４についての異なる位置での成形可能材料の厚さを示す。

図１５および図１６に示されるデータを得た後、工程Ｓ５０６は、フェイスプレートの表面１３５によって画定されるＸ−Ｙ平面上の、成形可能材料がどこに位置するかの確率を計算することをさらに含んでもよい。図１７Ａは、蓄積位置確率の計算を視覚的に示す図である。図１７Ａにおいて、ｘ軸は、対応するベースラインデータから第２センサによって取得されたデータを減算した後のデータによる位置を表し、ｙ軸は、対応するベースラインデータから第１センサによって取得されたデータを減算した後のデータによる位置を表す。各センサについて、記録された各データポイントは、フェイスプレート上のある角度で撮影された物理位置に対応する。つまり、上述したように、また、図１０に最もよく見られるように、各センサによって取られた各データ点は、フェイスプレートの長手軸１４１に対して角度が付けられた直線に沿って取られているものとして取り扱うことができる。したがって、見方を４５°回転させることによって（角度４１４が４５°、角度４２０が４５°、および角度４２２が９０°の場合）、図１７Ａに示されるように、第１センサデータ位置および第２センサデータ位置が水平軸および垂直軸内に作られ、フェイスプレート１３３によって画定される２次元平面領域１３０２がグラフ上に投影されうる。各データ点が収集される位置は、計測のタイミングに基づいて既知であるため、データを、センサがベースラインよりも小さい距離を計測した移動経路に沿った物理点において、ｘ軸およびｙ軸上にプロットすることができる。第１センサデータ点１３０４はｙ軸上に示され、第２センサデータ点１３０６はｘ軸上に示される。各々のデータ点は、ベースラインデータから減算した後、センサが移動経路に沿った特定の位置で、ゼロよりも大きい何らかの距離を計測したことを示している。

データ点は特定のセンサの全長を表すので、示されるデータは、センサの長さに沿った任意の位置に存在する成形可能材料を表しうる。しかし、ｘ軸（すなわち、第１センサがフェイスプレートを横切って延びる方向）と交差するｙ軸のデータを外挿し、ｙ軸（すなわち、第２センサがフェイスプレートを横切って延びた方向）と交差するｘ軸のデータを外挿することによって、外挿点が、フェイスプレート上に成形可能材料のあり得る位置を示す。例えば、破線１３０８は、フェイスプレートにわたって第１センサデータを外挿する１つの例を示し、破線１３１０は、フェイスプレートにわたって第２センサデータを外挿する１つの例を示す。これらの破線１３０８、１３１０の各々は、データが記録されたその特定の瞬間において、センサがどのようにフェイスプレートに重なったかを表す。これらの２つの例示的な線１３０８、１３１０の交点は、フェイスプレートの表面を表す領域１３０２上に現れるデータ１３１２をもたらす。しかし、図１７Ａに示すように、全てのデータに外挿原理を適用すると、一部のデータが領域１３０２外に出現する。例えば、データ１３１４は領域１３０２の外側にある。外挿後、領域１３０２の外側に現れる任意のデータは、実際のデータ点を表すことができない可能性があるため、考慮から除外してもよい。領域１３０２内に現れるデータは全て、成形可能材料の潜在的な位置を表しうる。

図１１〜１６に示すデータに基づいて、累積可能位置を決定する処理を実行する方法の一例を以下に示す。第１センサ（図１１）によって収集されたデータは、第１センサ（図１２）によって収集された対応するベースラインデータから減算され、第２センサ（図１３）によって収集されたデータは、第２センサ（図１４）によって収集された対応するベースラインデータから減算される。第１センサ（図１５）について得られた差分データは、第１の行列に入力され、第２センサ（図１５）について得られた差分データは第２の行列に入力される。第１の行列では、全てのデータ点（例えば、数千又は数万のデータ点）が第１の行に入力される。次に、最初の行が２番目の行、３番目の行などとしてコピーされ、行数がデータポイントの数（例えば、数千行または数万行）と等しくなるまで続く。第２の行列では、全てのデータ点（例えば、数千又は数万のデータ点）が第１の列に入力される。次に、最初の列が２番目の列、３番目の列などとしてコピーされ、列数がデータポイントの数（数千または数万の列など）と等しくなるまで続く。好ましくは、第１センサがとるデータ点の数が第２センサがとるデータ点の数と同じである。したがって、第１の行列および第２の行列は、同じ数の行、列、およびセルを含むことが好ましい。次に、２つの行列の内積が計算され、それによって、第１の行列および第２の行列と同じ数のセルを有する第３の行列が提供される。次に、第３の行列データが第３の行列の各データ点（すなわち、各セル）を第１の行列と第２の行列の両方の和の平均で割ることによって正規化される。すなわち、第１の行列のすべてのデータの合計が第２の行列のすべてのデータの合計で平均され、次いで、第３の行列のすべてのセルがこの値で除算され、第４の行列が得られる。各データ点が取得された時間は既知であり、時間はフェイスプレートに対する位置と相関するので、第４の行列の各データセルは、図１７Ａに関して上述した２次元空間上にマッピングすることができる。

図１７Ｂは、上述のアルゴリズムを実行し、第４の行列データの結果を２次元空間上にプロットした後の、図１５および１６のデータポイントの例を示している。図１７Ｂに示されるように、図１７Ａにおけるフェイスプレート１３３によって画定される同じ２次元平面領域１３０２は、同じｘ軸およびｙ軸上に投影される。上述のように、第４の行列のデータはデータ点がとられた時間に基づいて、ｘ軸およびｙ軸上にプロットすることができる。何故ならば、時間はデータが計測された瞬間に、フェイスプレートに対するセンサの特定の位置と相関するからである。図１７Ｂは、２次元平面領域１３０２内に入るデータ１３５２と、２次元平面領域１３０２外に入るデータ１３５４とを含む。図１７Ｂに示されるように、プロットされたデータは、比較的大きなデータポイント１３５６および比較的小さなデータポイント１３５８を含む。データ点のサイズは、第４の行列の値の大きさに基づく。したがって、図１７Ｂは、フェイスプレートの表面上で起こり得る様々な位置における蓄積の相対的な大きさの視覚的指標を提供する。図１７Ｂのチャートは、蓄積が存在し得る場所を迅速に評価するために、オペレータに視覚情報を提供するが、図１７Ｂのチャートが生成される必要はない。むしろ、別の実施形態では、本方法を実行するコンピュータがデータを分析し、データ点がどこに現れるかを判定し、その後、画像を生成することなく、以下に説明する追加の工程を実行することができる。

どのデータ点がテンプレートの表面上に位置する可能性があるかを判定した後、工程Ｓ５０６は、これらのデータ点の各々を所定の閾値と比較することをさらに含んでもよい。所定の閾値は、フェイスプレートのクリーニングを保証するために予め定められた蓄積量である。例えば、閾値は、６０μｍを超える単一のピーク、または４０μｍを超える５つのピークと等価であり得る。例えば、図１５および１６で収集されたデータが４０μｍを超える６０μｍまたは５ピークを超える単一のピークをもたらし、それらのピークがフェイスプレートの表面上に存在する可能性がある場合、閾値は満たされる。したがって、フェイスプレートの表面上に存在する可能性があると判定されたデータ点がこの値よりも大きい場合、工程Ｓ５０６に対する答えは「ｙｅｓ」であり、方法は工程Ｓ５０８に進み、フェイスプレートの表面がクリーニングされる。フェイスプレートの表面上に存在する可能性があると判定されたデータ点のいずれもが所定の値より大きくない場合、工程Ｓ５０６に対する答えは「ｎｏ」であり、方法は、ディスペンサによる所定の量のさらなるディスペンスが実行された後、または所定の時間が経過した後に、工程Ｓ５０２に戻る。ディスペンスの所定の量または所定の時間は、予め収集された予測データに基づいてもよいし、フェイスプレート上のおそらく最大のデータ点が所定の値からどれだけ離れているかに基づいてもよい。例えば、一実施形態では、おそらくフェイスプレート上の最大データポイントが所定の値からどれだけ離れているかにかかわらず、工程Ｓ５０２〜Ｓ５０６は、１〜３００万滴毎にディスペンスされた後、約１μＬの滴がディスペンスされた後、または成形可能材料がどれだけ高速に蓄積するかの履歴推定値に基づいて、１２〜４８時間ディスペンスされた後に繰り返されてもよい。別の実施形態では、フェイスプレートの表面上の可能性のある最大データ点が所定の値から非常に遠いと判定された場合、工程Ｓ５０２〜Ｓ５０６を繰り返す前に、より多くのディスペンスまたはより多くの時間を使用してもよい。一方、おそらくフェイスプレートの表面上の最大データポイントがクリーニング閾値を超えることに非常に近いと判定された場合、より少ないディスペンスまたはより少ない時間を使用してから、工程Ｓ５０２〜Ｓ５０６を繰り返すようにしてもよい。

図１８〜２１Ｂは、第２実施形態を示す。図１８〜２１Ｂで示される実施形態は上述の実施形態と同様であるが、２つのセンサを有する代わりに、単一のセンサ１４０２のみが存在する。図１８は、第２実施形態による、基板１０２の上方にディスペンサ１２２を有するアップリケ１０７の上面図を示している。図１８は、図６Ａと同様の図を示し、同じ参照番号は、図６Ａと同じ要素を表すために使用される。図１８に示されるように、第２実施形態における第１実施形態との差は、２つのセンサの代わりに単一のセンサ１４０２が存在することである。単一のセンサ１４０２は、第１センサ４０２と同じであってもよいし、第２センサ４０４と同じであってもよい。

図１９は、単一のセンサ１４０２を表面１０９上に有するアップリケ１０７の一部の拡大図、ならびにそれが回転された後の単一のセンサ１４０２の重ね合わせ図である。重ね合わされた単一のセンサ１４０２は破線で示されている。図１９に示されるように、単一のセンサ１４０２は、第１実施形態と同様に、単一のセンサ１４０２の中心点１４０６を通る水平線Ｘ１に対して角度付けされる。第１センサ４０２と同様に、単一のセンサ１４０２の中心点１４０６は、単一のセンサ１４０２の長さ寸法および幅寸法の両方における中心である。単一のセンサ１４０２は水平線Ｘ１に対して角度付けられるため、単一のセンサ１４０２の長手軸１４１０は水平線Ｘ１と共に第１の角度１４１４を形成しうる。図示された第２実施形態では、第１センサ４０２と同様に、単一のセンサ１４０２の長手軸１４１０は水平線Ｘ１に対して正の傾斜を有し、したがって、第１の角度１４１４は鋭角でありうる。第１の角度１４１４は、第１実施形態の第１の角度４１４と同じでありうる。幾何学的原理の下で、単一のセンサ１４０２の長手軸１４１０は、また、第１の角度１４１４に相補的である水平線Ｘ１を有する第２の角度１４１８を形成する。すなわち、第２の角度１４１８は、第１実施形態における角度４１８と同じでありうる。

図２０は、第２実施形態による図１８および図１９に示されたディスペンサのフェイスプレート１３３の表面１３５上の成形可能材料の蓄積を検出する方法１５００のフローチャートである。方法１５００は工程Ｓ１５０２から始まり、単一のセンサ１４０２は、フェイスプレート１３３の長さ１２７にわたる１回目の平行移動がされながら単一のセンサ１４０２とフェイスプレート１３３との間の距離ｄを計測する。ここで、単一のセンサ４０２は、単一のセンサ１４０２の長手軸１４１０がフェイスプレート１３３の長手軸１４１に対して鋭角１４１４で延びるように配向される。この実施形態では、工程Ｓ１５０２は、第１実施形態に関して上述したのと同じ方法で、水平線Ｘ１をフェイスプレート１３３の長手軸１４１と最初に位置合わせすることをさらに含みうる。図１８は、単一のセンサ１４０２が水平軸Ｘ１がフェイスプレート１３３の長手軸１４１と重なるように、かつ単一のセンサ１４０２がディスペンサ１２２の右側に位置するように、Ｘ方向およびＹ方向に適切に配置された例を示している。

単一のセンサ１４０２が上述のように位置決めされた後、工程Ｓ１５０２はさらに、Ｘ方向に沿う第１の向き１４２４ａ（図２１Ａ）にアップリケ１０７を移動させるためにステージ１０６を制御する工程を含む。水平線Ｘ１がフェイスプレート１３３の長手軸１４１と位置合わせされているので、Ｘ方向に沿う第１の向き１４２４ａへのアップリケ１０７の移動は、フェイスプレート１３３の長さ１２７にわたって単一のセンサ１４０２を平行移動させることになる。さらに、水平線Ｘ１に対する単一のセンサ１４０２の上述の幾何学的形状により、単一のセンサ１４０２は、単一のセンサ１４０２の長手軸１４１０がフェイスプレート１３３の長手軸１４１に対して鋭角１４１４で延びるように配向される。単一のセンサ１４０２の平行移動中、センサは、単一のセンサ４０２とフェイスプレート１３３との間の距離ｄを計測するように制御される。単一のセンサ１４０２は、第１実施形態で説明したのと同様に、Ｚ方向におけるフェイスプレート１３３からの距離に位置する。単一のセンサ１４０２がフェイスプレート１３３の下をＸ方向に沿う第１方向１４２４ａに通過するとき、単一のセンサ１４０２は、第１実施形態に関して上述したのと同様の方法で、センサとフェイスプレートとの間の距離ｄを計測する。

図２１Ａは、フェイスプレート１３３の底面図であり、単一のセンサ１４０２が第１方向１４２４ａに進むときの単一のセンサ１４０２がフェイスプレート１３３の表面１３５に重ね合わされて描かれている。このように、単一のセンサ１４０２がフェイスプレート１３３の下の距離にある間の単一のセンサ１４０２のフェイスプレート１３３への重ね合わせにより、第１方向１４２４ａへの１回目の通過の間、フェイスプレート１３３の長手軸１４１に対する単一のセンサ１４０２の角度がわかりやすく示される。図２１Ａに示されるように、フェイスプレート１３３の水平線Ｘ１と長手軸１４１とが上述した方法で適切に位置合わせされると、互いに重なり合う。したがって、位置合わせされると、図１９に関して上述された角度は図２１Ａに示される。したがって、単一のセンサ１４０２は、フェイスプレート１３３の長手軸１４１に対して、鋭角に角度付けられる。

要約すれば、工程Ｓ１５０２は、ａ）水平線Ｘ１をフェイスプレート１３３の長手軸１４１と合うように位置決めステージを制御すること、ｂ）フェイスプレートの長さ１２７にわたって単一のセンサ１４０２をＸ方向に沿う方向１４２４ａに平行移動させるようにステージを制御すること、ｃ）その間、単一のセンサ１４０２とフェイスプレート１３３との間の距離を計測すること、によって実行されうる。

次いで、方法１５００は工程Ｓ１５０４に進み、単一のセンサ１４０２は、フェイスプレート１３３の長さ１２７にわたって平行移動しながら単一のセンサ１４０２とフェイスプレート１３３との間の距離を計測する。ここで、単一のセンサ１４０２は、単一のセンサ１４０２の長手軸１４１０がフェイスプレート１３３の長手軸１４１に対して鈍角１４１６で延びるように配向される。第２実施形態では、単一のセンサ１４０２しかないので、工程Ｓ１５０４は、第１実施形態の工程Ｓ５０４とは異なる。特に、工程Ｓ１５０２が完了し、単一のセンサ１４０２がフェイスプレートの長さにわたって通過した後、センサ回転ステージ（図示せず）が、単一のセンサ１４０２を約９０度だけ回転させる。代替実施形態では、センサ回転ステージは位置決めステージ１０６である。すなわち、単一のセンサ１４０２は角度１４２２だけ回転されなければならず、これは第１実施形態における角度４２２と同じである。この回転の後、単一のセンサ１４０２は、第１実施形態における第２センサ４０２と同じ相対位置に向けられることになる。換言すれば、単一のセンサ１４０２を角度１４２２だけ回転させた後、単一のセンサ１４０２は、第１実施形態における第２センサ４０２に関して上述したのと同じ方法で、水平線Ｘ１に対して鈍角に角度付けされることになる。上述のように、図１９は、角度１４２２だけ回転された後の単一のセンサ１４０２の表示を含む。図１９に示されるように、破線で示される回転された単一のセンサ１４０２は第１実施形態での角度４１６と同じ水平線Ｘ１に対して鈍角１４１６を形成し、第１実施形態での角度４２０と同じ水平線Ｘ１に対して角度１４２０を形成する。

単一のセンサ１４０２が図１９の破線で示される位置まで回転された後、工程Ｓ１５０４は、さらに、第１方向１４２４ａとは反対の、Ｘ方向に沿う第２方向１４２４ｂ（図２１Ｂ）に沿ってアップリケ１０７を移動させるようにステージ１０６を制御することを含む。水平線Ｘ１がフェイスプレート１３３の長手軸１４１と位置合わせされているので、Ｘ方向に沿う第２方向１４２４ｂへのアップリケ１０７の移動は、フェイスプレート１３３の長さ１２７にわたって単一のセンサ１４０２を平行移動させることになる。さらに、水平線Ｘ１に対する回転された後の単一のセンサ１４０２の上述の幾何学的形状により、単一のセンサ１４０２は、単一のセンサ１４０２の長手軸１４１０がフェイスプレート１３３の長手軸１４１に対して鈍角１４１６で延びるように配向される。単一のセンサ１４０２の第２の平行移動中、センサは、単一のセンサ１４０２とフェイスプレート１３３との間の距離ｄを計測するように制御される。単一のセンサ１４０２は、上述したのと同様に、Ｚ方向におけるフェイスプレート１３３からの距離に位置する。単一のセンサ１４０２がフェイスプレート１３３の下をＸ方向に沿う第２方向１４２４ｂに通過するとき、単一のセンサ１４０２は、センサとフェイスプレートとの間の距離ｄを計測する。

図２１Ｂは、フェイスプレート１３３の底面図であり、単一のセンサ１４０２が第２の向き１４２４ｂに進むときの、回転された後の単一のセンサ１４０２がフェイスプレート１３３の表面１３５に重ね合わされて描かれている。このように、回転された後の単一のセンサ１４０２がフェイスプレート１３３の下の距離にある間の単一のセンサ１４０２のフェイスプレート１３３への重ね合わせにより、第２の向き１４２４ｂへの２回目の通過の間、フェイスプレート１３３の長手軸１４１に対する単一のセンサ１４０２の角度がわかりやすく示される。図２１Ａに見られるように、フェイスプレート１３３の水平線Ｘ１と長手軸１４１とは、上述した方法で適切に位置合わせされると、互いに重なり合う。したがって、位置合わせされると、図１９の破線で示される回転されたセンサに関して上述された角度は、図２１Ｂに示される。したがって、単一のセンサ１４０２は、単一のセンサ１４０２の第２の平行移動中、フェイスプレート１３３の長手軸１４１に対して鈍角に角度付けられる。

図１９、２１Ａ、および２１Ｂの幾何学的形状により、第１方向にフェイスプレート１３３を横切る１回目の平行移動をする間における単一のセンサ１４０２の長手軸１４１０と、第２方向にフェイスプレート１３３を横切る２回目の平行移動をする間における単一のセンサ１４０２の長手軸１４１０と、フェイスプレート１３３の長手軸１４１（または水平線Ｘ１）とは、水平面（またはフェイスプレート１３３の表面１３５）上に重ね合わされて投影されると、２つの鋭角１４１４、１４２０を有する三角形を形成するように交差する。より具体的には、三角形が上述したのと同じ角度１４１４、１４２０、および１４２２を有する。

図１８〜２１Ｂに示された実施形態は、フェイスプレートの長さにわたってセンサを通過させ、回転させ、再度、フェイスプレートの長さにわたってセンサを通過させるのに比較的少ない動きしか必要としない例であるが、単一のセンサ１４０２が上述した方法で配向されていない他の実施形態も考えられる。単一のセンサ１４０２は、任意の位置および水平線に対する任意の角度を含む、アップリケ１０７上の任意の場所に任意に配置することができる。しかし、そのような実施形態では、単一のセンサ１４０２が最終的に図１９に示される幾何学的形状でフェイスプレートを横切って通過するように、ステージをより複雑に制御する必要がある。例えば、単一のセンサがフェイスプレートから遠く離れていて、フェイスプレートの長手軸に平行な水平線に対して鋭角になっていない場合、工程Ｓ１５０２は単一のセンサが正しいＸ位置およびＹ位置に位置するまでアップリケを移動させるためにステージを使用し、次いで、単一のセンサが図１９に示される方法でフェイスプレート１３３の長手軸１４１に対して角度が付けられるまでアップリケをさらに回転させることになる。その後、単一のセンサを回転させ、フェイスプレートを横切って単一のセンサを２回目の通過をさせて、上述した同様の工程が実行されることになる。また、上述の説明では、単一のセンサが鋭角で右から左に通過し（図２１Ａ）、次いで鈍角で左から右に通過することを示したが（図２１Ｂ）、任意の進行方向をとることが可能であり、角度の順序は逆にしてもよい。すなわち、図示の第２実施形態では、第１センサ４０２と同じ向きを有する単一のセンサ１４０２から始まるが、別の実施形態では、単一のセンサ１４０２が、第１の経路に対して第２センサ４０４と同じ向きで始まり、次いで、第２の経路（すなわち、第２実施形態において示されたものと逆）に対して単一のセンサ１４０２が第１センサと同じ向きに回転され、単一のセンサが通過毎にフェイスプレートを横切って移動することも可能であるが、そうすることは、単一のセンサを元の位置に戻して同じ方向に２回通過させる必要があるため、アップリケ１０７のより多くの移動を必要とする。反対方向に移動することによって、より少ない移動が必要とされ、したがって、より少ない時間が必要とされる。

工程Ｓ１５０２およびＳ１５０４の間に収集されるデータは、第１実施形態で上述したものと同じである。すなわち、収集の観点からは、第１実施形態と第２実施形態との間に差はない。フェイスプレートの長さにわたって単一のセンサの各々の平行移動中に、センサは上述したのと同様にして、距離データを連続的に計測し、伝送する。得られたデータは、上述した図１１および１２に示したものと同じである。

フェイスプレート上を２回通過した後に単一のセンサ１４０２から距離データｄを収集した後、方法は工程Ｓ１５０６に進み、工程Ｓ１５０２、Ｓ１５０４で収集されたデータ、および所定のベースラインデータに基づいて、フェイスプレートの表面に蓄積された成形可能材料の量が所定の値よりも大きいか否かが判断される。所定のベースラインデータは、上述したものと同じデータである。ベースラインデータを収集する方法は、第１実施形態と同じ方法で取得することができ、または、工程Ｓ１５０２および工程Ｓ１５０４に関して上述した方法と同じ方法で収集することができる。第２実施形態が実施される場合、好ましくは、ベースラインデータは単一のセンサ１４０２を使用して取得される。その場合、第１実施形態で説明したように、工程Ｓ１５０２および工程Ｓ１５０４は、クリーンなフェイスプレート上で実行される。取得されたベースラインデータは、第１実施形態において図１３および図１４に示されたものと同じであり、ここで、図１３は１回目の平行移動中に鋭角に角度を付けられた単一のセンサに対応し、図１４は２回目の平行移動中に鈍角に角度を付けられた単一のセンサに対応する（またはその逆）。

上述のように、工程Ｓ１５０６は、工程Ｓ１５０２、Ｓ１５０４で収集されたデータおよび所定のベースラインデータに基づいて、フェイスプレートの表面に蓄積された成形可能材料の量が所定値よりも大きいかどうかを判定することを含む。第１実施形態と同様に、この工程は、工程Ｓ１５０２、Ｓ１５０４で収集されたデータをベースラインデータから同様に減算することを含みうる。第１実施形態の図１５および図１６に示されたデータは第２実施形態において同じであり、ここで、図１５は１回目の平行移動中に鋭角に角度を付けられている単一のセンサに対応し、図１６は２回目の平行移動中に鈍角に角度を付けられている単一のセンサに対応する（またはその逆）。

第１実施形態と同様に、図１５および図１６に示されるデータを得た後、工程Ｓ１５０６は、フェイスプレート１３３の表面１３５によって画定されるＸ−Ｙ平面上の、成形可能材料がどこに位置するかの確率を計算することをさらに含んでもよい。これは、上述した方法で実行される。どのデータ点がフェイスプレートの表面上に位置する可能性があるかを求めた後、工程Ｓ１５０６は、これらのデータ点の各々を所定の閾値と比較することをさらに含んでもよい。所定の閾値は、第１実施形態に関して上述したものと同じである。フェイスプレートの表面上に存在する可能性があると判定されたデータ点のいずれかがこの値よりも大きい場合、工程Ｓ１５０６に対する答えは「ｙｅｓ」であり、方法は工程Ｓ１５０８に進み、フェイスプレートの表面がクリーニングされる。フェイスプレートの表面上に存在する可能性があると判定されたデータ点のいずれもが所定の値よりも大きくない場合、工程Ｓ１５０６に対する答えは「ｎｏ」であり、方法は、ディスペンサによる所定の量のさらなるディスペンスが実行された後、または所定の時間が経過した後に、工程Ｓ１５０２に戻る。ディスペンスの所定の量または所定の時間は、第１実施形態に関して上述したようなものとすることができる。

上述のように、ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、１つまたは複数のプロセッサ１４０（制御部）によって調整、制御、および／または指示されうる。これは、上述したようなセンサをディスペンサのフェイスプレートを横切って移動させるように位置決めステージを制御すること、センサからのデータを制御し受信することを含む、上述した全ての工程を含む。すなわち、方法３００、５００、１５００はすべて、１つまたは複数のプロセッサ１４０（制御部）によって制御されうる。

以上の説明を考慮すれば、当業者には、様々な態様のさらなる修正および代替実施形態が、明らかであろう。したがって、この説明は、例示としてのみ解釈されるべきである。本明細書で示され、説明される形態は、実施形態の例示として解釈されるべきである。例えば、図示された実施形態は、２つのセンサを有する例示的な実施形態を含むが、角度検出の同じ原理は３つ以上のセンサが使用される実施形態に適用されてもよい。３つ以上のセンサ間の角度の差は、センサの数に依存しうる。例えば、上述のように、２つのセンサは互いに対して約９０度で最適に角度付けされるが、３つ以上のセンサの場合、隣接するセンサ間の角度はより小さく、より多くのセンサが使用される場合には、隣接するセンサ間でより小さい角度になりうる。例えば、３つのセンサが実装される場合、第１センサ４０２と第２センサ４０４との間に第３センサが垂直（すなわち、水平線Ｘ１に対して９０度）に配置され、隣接するセンサ間の角度は４５度でありうる。３つを超えるセンサの場合、隣接するセンサ間の角度はさらに分割されうる。さらに、他の実施形態では、３つ以上のセンサが互いに対して異なる角度をなしてもよい。例えば、３つのセンサが実装される場合で、第３センサが垂直に配置されない（すなわち、水平線に対して９０度未満またはより大きい角度を有する）場合、第１センサと第３センサとの間の角度は、第２センサと第３のセンサとの間の角度とは異なる。したがって、隣接するセンサ間の角度は、何個のセンサが存在するか、および水平線Ｘ１に対する各センサの角度に応じて変化しうる。より小さな角度で配置される追加のセンサによって、フェイスプレート上の成形可能材料の位置をより正確に決定するために、より多くのデータポイントが提供されうる。使用されるセンサの数および隣接するセンサ間の角度は、特定の用途に応じて最適化されうる。例えば、センサの数は、特定の用途に応じて、最大２０個、最大１５個、最大１０個、あるいは最大５個、とすることができる。一般に、上述した２つのセンサの実施形態は、ほとんどのアプリケーションに対してフェイスプレート上の蓄積を正確に判定するのに十分なデータを提供する。要素および材料は、本明細書に図示され説明されたものと置き換えることができ、部品およびプロセスは逆にすることができ、特定の特徴は独立して利用することができ、すべて、この説明の恩恵を受けた後に当業者には明らかになろう。

Claims (21)

1. フェイスプレートを含むディスペンサを検査する方法であって、前記フェイスプレートは、第１の端部と、第２の端部と、表面と、前記第１の端部から前記第２の端部にわたって延びる長さと、前記長さに沿う長手軸とを有し、
   センサを前記フェイスプレートの前記長さにわたって平行移動させながら前記センサと前記フェイスプレートとの間の距離を計測する工程を有し、ここで、前記センサは、該センサの長手軸が前記フェイスプレートの長手軸に対して鋭角に延びるように配向され、
   前記方法は、更に、
   （ａ）他のセンサを前記フェイスプレートの前記長さにわたって平行移動させながら前記他のセンサと前記フェイスプレートとの間の距離を計測する工程と、ここで、前記他のセンサは、該他のセンサの長手軸が前記フェイスプレートの長手軸に対して鈍角に延びるように配向され、
   （ｂ）前記センサに前記フェイスプレートの前記長さにわたる他の平行移動をさせながら前記センサと前記フェイスプレートとの間の距離を計測する工程と、ここで、前記センサは、該センサの長手軸が前記フェイスプレートの長手軸に対して鈍角に延びるように配向され、
   を含む群のうちから選択された工程と、
   前記計測された距離に基づいて、前記フェイスプレートの表面上に蓄積された成形可能材料の量が所定値より大きいかどうかを判定する工程と、
   を有することを特徴とする方法。
2. 前記センサおよび前記他のセンサは、静電容量センサである、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 前記センサおよび前記他のセンサは、それぞれ、４０：１から１０：１のアスペクト比を有する、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
4. 前記センサおよび前記他のセンサは、それぞれ、前記フェイスプレートの幅以上の長さを有する、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
5. 前記鋭角は、４２°から４８°であり、前記鈍角は、１３２°から１３８°である、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
6. 前記他のセンサを前記フェイスプレートの前記長さにわたって平行移動させながら前記他のセンサと前記フェイスプレートとの間の距離を計測する前記工程を有する、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
7. 前記センサと前記他のセンサとは、一緒に前記フェイスプレートの前記長さにわたって平行移動される、ことを特徴とする請求項６に記載の方法。
8. 前記センサの平行移動および前記他のセンサの平行移動の間、前記センサの前記長手軸と前記他のセンサの前記長手軸とは、８８°から９２°の角度で互いに角度付けられている、ことを特徴とする請求項６に記載の方法。
9. 前記センサおよび前記他のセンサの移動速度は、前記センサおよび前記他のセンサが０．０１から０．１０秒以内に前記フェイスプレートの前記長さにわたって平行移動されるように選択される、ことを特徴とする請求項６に記載の方法。
10. 前記センサおよび前記他のセンサの平行移動中、前記センサおよび前記他のセンサが水平面上に投影されたときの、前記センサの長手軸と、前記他のセンサの長手軸と、前記フェイスプレートの長手軸とによって、２つの鋭角を有する三角形が形成されるように、前記センサおよび前記他のセンサが配向される、ことを特徴とする請求項６に記載の方法。
11. 前記センサに前記フェイスプレートの前記長さにわたる他の平行移動をさせながら前記センサと前記フェイスプレートとの間の距離を計測する前記工程を有する、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
12. 前記センサの平行移動および前記センサの前記他の平行移動は、同時にまたは連続して実行される、ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
13. 前記センサの前記平行移動は第１方向に行われ、前記他の平行移動は前記第１方向とは反対の第２方向に行われる、ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
14. 前記センサは、前記平行移動の間は第１の向きを有し、前記他の平行移動の間は第２の向きを有し、前記水平面上に重ね合わされて投影されたときに、前記第１の向きにおける前記センサの長手軸と前記第２の向きにおける前記センサの長手軸とが、８８°から９２°の角度で交差する、ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
15. 前記センサは、前記平行移動の間は第１の向きを有し、前記他の平行移動の間は第２の向きを有し、前記水平面上に重ね合わされて投影されたときに、前記第１の向きにおける前記センサの長手軸と、前記第２の向きにおける前記センサの長手軸と、前記フェイスプレートの長手軸とによって２つの鋭角を有する三角形が形成される、ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
16. 前記フェイスプレートの前記長さにわたって前記センサを平行移動させる前、かつ、工程（ａ）または工程（ｂ）の前に、
    前記センサを前記成形可能材料のないフェイスプレートの前記長さにわたって平行移動させながら前記センサと成形可能材料のないフェイスプレートとの間の距離を計測する工程と、ここで、前記センサは、該センサの長手軸が前記成形可能材料のないフェイスプレートの長手軸に対して鋭角に延びるように配向され、
    （ｃ）前記他のセンサを前記成形可能材料のないフェイスプレートの前記長さにわたって平行移動させながら前記他のセンサと前記成形可能材料のないフェイスプレートとの間の距離を計測する工程、ここで、前記他のセンサは、該他のセンサの長手軸が前記成形可能材料のないフェイスプレートの長手軸に対して鈍角に延びるように配向され、および、
    （ｄ）前記成形可能材料のないフェイスプレートの前記長さにわたる前記センサの他の平行移動をさせながら前記センサと前記成形可能材料のないフェイスプレートとの間の距離を計測する工程、ここで、前記センサは、該センサの長手軸が前記成形可能材料のないフェイスプレートの長手軸に対して鈍角に延びるように配向され、
    を含む群のうちから選択された工程と、を有し、
    前記フェイスプレートの前記表面上に蓄積された成形可能材料の量が所定値より大きいかどうかの前記判定は、前記成形可能材料のないフェイスプレートについて計測された距離に更に基づいている、
    ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
17. 前記センサおよび前記他のセンサは、前記フェイスプレートと対向するアップリケの表面に位置する、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
18. 前記センサの前記平行移動、前記他のセンサの前記平行移動、および前記センサの前記他の平行移動は、前記アップリケを移動させることを含む、ことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
19. 前記蓄積された成形可能材料の量が所定値より大きいと判定されたときに、前記フェイスプレートの表面をクリーニングする工程を更に有する、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
20. フェイスプレートを含むディスペンサを検査するシステムであって、前記フェイスプレートは、
    第１の端部と、
    第２の端部と、
    表面と、
    前記第１の端部から前記第２の端部にわたって伸びる長さと、
    前記長さに沿う長手軸と、を有し、
    前記システムは、
    少なくとも１つのセンサと、
    １つ以上のプロセッサと、
    命令を記憶するメモリと、
    を含み、前記命令は、前記１つ以上のプロセッサによって実行される場合、
    前記少なくとも１つのセンサのうちの１つのセンサを前記フェイスプレートの前記長さにわたって平行移動させながら該センサと前記フェイスプレートとの間の距離を計測する工程を実行するための命令を含み、ここで、前記センサは、該センサの長手軸が前記フェイスプレートの長手軸に対して鋭角に延びるように配向され、
    前記命令は、更に、
    （ａ）前記少なくとも１つのセンサのうちの他のセンサを前記フェイスプレートの前記長さにわたって平行移動させながら前記他のセンサと前記フェイスプレートとの間の距離を計測する工程と、ここで、前記他のセンサは、該他のセンサの長手軸が前記フェイスプレートの長手軸に対して鈍角に延びるように配向され、
    （ｂ）前記センサに前記フェイスプレートの前記長さにわたる他の平行移動をさせながら前記センサと前記フェイスプレートとの間の距離を計測する工程と、ここで、前記センサは、該センサの長手軸が前記フェイスプレートの長手軸に対して鈍角に延びるように配向され、
    を含む群のうちから選択された工程と、
    前記計測された距離に基づいて、前記フェイスプレートの表面上に蓄積された成形可能材料の量が所定値よりも大きいかどうかを判定する工程と、
    を実行するための命令を含む、
    ことを特徴とするシステム。
21. 物品を製造する方法であって、
    フェイスプレートを含むディスペンサをクリーニングする工程を有し、ここで、前記フェイスプレートは、第１の端部と、第２の端部と、表面と、前記第１の端部から前記第２の端部にわたって延びる長さと、前記長さに沿う長手軸とを有し、前記クリーニングする工程は、
    センサを前記フェイスプレートの前記長さにわたって平行移動させながら前記センサと前記フェイスプレートとの間の距離を計測する工程を有し、ここで、前記センサは、該センサの長手軸が前記フェイスプレートの長手軸に対して鋭角に延びるように配向され、
    前記クリーニングする工程は更に、
    （ａ）他のセンサを前記フェイスプレートの前記長さにわたって平行移動させながら前記他のセンサと前記フェイスプレートとの間の距離を計測する工程と、ここで、前記他のセンサは、該他のセンサの長手軸が前記フェイスプレートの長手軸に対して鈍角に延びるように配向され、
    （ｂ）前記センサに前記フェイスプレートの前記長さにわたる他の平行移動をさせながら前記センサと前記フェイスプレートとの間の距離を計測する工程と、ここで、前記センサは、該センサの長手軸が前記フェイスプレートの長手軸に対して鈍角に延びるように配向され、
    を含む群のうちから選択された工程と、
    前記計測された距離に基づいて、前記フェイスプレートの表面上に蓄積された成形可能材料の量が所定値よりも大きいかどうかを判定する工程と、
    前記蓄積された成形可能材料の量が所定値よりも大きいと判定されたときに、前記フェイスプレートの前記表面をクリーニングする工程と、
    を含み、前記方法は更に、
    前記ディスペンサを使用して前記成形可能材料の一部を基板の上にディスペンスする工程と、
    前記基板の上にディスペンスされた前記成形可能材料のパターンまたは層を形成する工程と、
    前記形成されたパターンまたは層を加工して前記物品を製造する工程と、
    を有することを特徴とする方法。

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