TW202214422A - 用於偵測分配器之面板上的積聚材料的系統和檢查該面板的方法 - Google Patents

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Abstract

檢查包括面板之分配器的方法包含在測量感測器與面板之間的距離之同時使感測器平移橫越面板。定向此感測器，使得感測器的縱向軸線相對面板之縱向軸線於銳角延伸。此方法可包括在測量相同距離的同時將另一感測器平移橫越面板。或此方法可包括於測量相同距離之同時使感測器橫越面板的另一平移。在任一案例中，定向此感測器，使得感測器之縱向軸線相對面板的縱向軸線於鈍角延伸。此方法包括基於所測量之距離來決定在面板的表面上之可積聚成形的材料量是否大於預定值。

Description

用於偵測分配器之面板上的積聚材料的系統和檢查該面板的方法
本揭示內容有關用於檢查分配器的面板之系統及檢查此面板的方法。
奈米製造包括具有特徵在100奈米或更小數量級之非常小結構的製造。奈米製造已產生巨大影響之一種應用係積體電路的製造。半導體處理工業於增加基板上所形成之每單位面積的電路之同時，繼續努力升高產量。奈米製造中的改良包括提供更好之製程控制及/或改進產量，同時亦允許持續減小所形成的結構之最小特徵尺寸。
當今使用的一種奈米製造技術通常被稱為奈米壓印微影術。奈米壓印微影術可使用於諸多應用中，包括例如藉由在基板上成形一膜來製造積體裝置之一個以上的層。積體裝置之範例包括但不限於CMOS邏輯、微處理器、NAND快閃記憶體、NOR快閃記憶體、DRAM記憶體、MRAM、3D交叉點記憶體、Re-RAM、Fe-RAM、STT-RAM、MEMS等等。在許多公告中詳細敘述示範的奈米壓印微影術系統及方法，例如美國專利第8,349,241號、美國專利第8,066,930號、及美國專利第6,936,194號，其全部以引用的方式併入本文中。
於每一前述專利中所揭示之奈米壓印微影術技術敘述藉由在可成形材料(可聚合)層中形成凹凸圖案來於基板上對膜塑形。然後可使用此膜的塑形來將與凹凸圖案對應之圖案轉印至下面的基板中及/或上。
圖案化製程使用與基板隔開之模板，並將可成形材料施加在模板與基板之間。將模板帶入與可成形材料接觸，造成可成形材料散佈並填充模板與基板之間的空間。固化可成形液體以形成膜，此膜之形狀(圖案)和與可成形液體接觸的模板之表面形狀一致。於固化之後，將模板與固化層分開，使得模板與基板隔開。
然後可使基板及固化層遭受附加製程、例如蝕刻製程，以將影像轉印進入基板，此影像對應於固化層及/或固化層下面的圖案化層之一或兩者中的圖案。圖案化之基板可進一步遭受用於裝置(物品)製造的已知步驟及製程，包括例如固化、氧化、層形成、沉積、摻雜、平面化、蝕刻、可成形材料移除、切丁、接合、及封裝等等。
奈米製造技術涉及將可成形材料由分配器分配至基板上。遍及許多分配週期，可成形材料能積聚在分配器之面板上。最終，積聚的量可干擾生產，且需要進行清潔。取決於特定之檢查方法(例如手動目視檢查)，判定是否需要清潔面板可花費一些時間並中斷生產。對檢查面板的一種選擇是清潔面板，而不管在預定時間量或預定數目的分配操作之後是否檢查積聚量。然而，任一案例通常都不需要中斷生產。因此，期望有減少對生產的影響之偵測面板上的積聚之方法。
檢查包括面板之分配器的方法，此面板具有第一端部、第二端部、表面、由第一端部延伸至第二端部之長度、及沿著此長度的縱向軸線，此方法包含：在測量感測器與面板之間的距離之同時，將感測器平移橫越此面板的長度，其中定向此感測器，使得此感測器之縱向軸線相對此面板的縱向軸線於銳角延伸；選自由以下所組成之族群的步驟：a)在測量另一感測器與面板之間的距離之同時，將另一感測器平移橫越此面板的長度，其中定向另一感測器，使得另一感測器之縱向軸線相對此面板的縱向軸線於鈍角延伸；及b)在測量感測器與面板之間的距離之同時，此感測器橫越此面板的長度之另一平移，其中定向此感測器，使得感測器之縱向軸線相對面板的縱向軸線於鈍角延伸；及基於所測量之距離，決定面板表面上的可積聚成形之材料量是否大於預定值。
用於檢查包括面板的分配器之分配系統，該面板具有：第一端部；第二端部；表面；由第一端部延伸至第二端部的長度；及沿著此長度之縱向軸線。此系統包含至少一感測器；一個以上的處理器；及一個以上之記憶體，其儲存當藉由一個以上的處理器執行時之指令，用於：在測量感測器與面板之間的距離之同時，將至少一感測器的感測器平移橫越面板之長度，其中定向感測器，使得感測器的縱向軸線相對此面板之縱向軸線於銳角延伸；施行選自由以下所組成的族群之步驟：a)在測量另一感測器與面板之間的距離之同時，將至少一感測器的另一感測器平移橫越此面板之長度，其中定向另一感測器，使得另一感測器的縱向軸線相對此面板之縱向軸線於鈍角延伸；及b)在測量感測器與面板之間的距離之同時，此感測器橫越此面板的長度之另一平移，其中定向此感測器，使得感測器的縱向軸線相對面板之縱向軸線於鈍角延伸；及基於所測量的距離，決定面板表面上之可積聚成形的材料量是否大於預定值。
製成物品的方法，包含清潔包括面板之分配器，此面板具有第一端部、第二端部、表面、由第一端部延伸至第二端部的長度、及沿著此長度之縱向軸線，清潔包括：在測量感測器與面板之間的距離之同時，將感測器平移橫越面板的長度，其中定向此感測器，使得感測器之縱向軸線相對面板的縱向軸線於銳角延伸；選自由以下所組成之族群的步驟：a)在測量另一感測器與面板之間的距離之同時，將另一感測器平移橫越面板的長度，其中定向另一感測器，使得另一感測器之縱向軸線相對面板的縱向軸線於鈍角延伸；及b)在測量感測器與面板之間的距離之同時，感測器橫越面板的長度之另一平移，其中定向此感測器，使得感測器之縱向軸線相對面板的縱向軸線於鈍角延伸；基於所測量之距離，決定面板表面上的可積聚成形之材料量是否大於預定值；及在決定可積聚成形的材料量大於預定值之情況下，清潔面板的表面；使用分配器將可成形材料之一部分分配至基板上；在基板上形成分配的可成形材料之圖案或層；及處理所形成的圖案或層以製成物品。
當結合附圖及所提供之請求項時，於閱讀本揭示內容的示範實施例之以下詳細敘述時，本揭示內容的這些及其他目的、特徵、及優點將變得顯而易見。
遍及此揭示內容，主要參考奈米壓印微影術，其使用上述圖案化模板來將圖案賦予至可成形液體上。然而，如下所述，於替代實施例中，模板係無特徵的，在此案例中，可於基板上形成平坦表面。在形成平坦表面之此類實施例中，形成製程稱為平面化。因此，遍及此揭示內容，每當提及奈米壓印微影術時，應理解相同的方法可應用至平面化。於模板無特徵之處，在諸多情況中使用覆板一詞代替模板一詞。
如上所述，奈米製造技術涉及將可成形材料由分配器分配至基板上。遍及許多分配週期，可成形材料能積聚在分配器的面板上。最終，積聚量會干擾生產，且需要進行清潔。期望有不需要與面板物理接觸並最小化生產中斷之清潔系統及方法。 奈米壓印系統(塑形系統)
圖1是可於其中執行實施例的奈米壓印微影術系統100之圖示。奈米壓印微影術系統100使用於在基板102上塑形膜。基板102可耦接至基板卡盤104。基板卡盤104可以是但不限於真空卡盤、銷式卡盤、溝槽式卡盤、靜電卡盤、電磁卡盤及/或等等。
基板102及基板卡盤104可進一步藉由基板定位平台106所支撐。基板定位平台106可沿著一個以上的x、y、z、θ及φ軸提供平移及/或旋轉運動。基板定位平台106、基板102、及基板卡盤104亦可定位在基座(未示出)上。基板定位平台可為定位系統之一部分。
模板108與基板102隔開。模板108可包括本體，此本體具有在模板108的前側上朝基板102延伸之台面(亦稱為模具)110。台面110亦可於模板108的前側上具有圖案化表面112。可替代地，能在沒有台面110之情況下形成模板108，於此案例中，模板的面朝基板102之表面相當於模具110，且圖案化表面112係模板108的面朝基板102之表面。
模板108可為由此等材料所形成，包括、但不限於熔融矽石、石英、矽、有機聚合物、矽氧烷聚合物、硼矽酸鹽玻璃、碳氟化合物聚合物、金屬、硬化藍寶石及/或類似者。圖案化表面112可具有藉由複數隔開的模板凹部114及/或模板突出部116所界定之特徵。圖案化表面112界定形成待形成在基板102上的圖案之基礎的圖案。於替代實施例中，圖案化表面112是無特徵的，於此案例中，平坦表面形成在基板上。於替代實施例中，圖案化表面112是無特徵的且與基板具有相同尺寸，而平坦表面係橫越整個基板形成。在形成平坦表面之此等實施例中，形成製程能可替代地稱為平面化，且無特徵模板能可替代地稱為覆板。
模板108可為耦接至模板卡盤118。模板卡盤118可以是但不限於真空卡盤、銷式卡盤、溝槽式卡盤、靜電卡盤、電磁卡盤及/或其他類似的卡盤類型。模板卡盤118可建構成向模板108施加橫越模板108變動之應力、壓力及/或應變。模板卡盤118可包括壓電致動器，其可擠壓及/或拉伸模板108的不同部分。模板卡盤118可包括諸如基於區域之真空卡盤、致動器陣列、壓力囊等之系統，其可向模板的背後表面施加壓力差，由而造成模板彎曲及變形。
模板卡盤118可耦接至作為定位系統之一部分的壓印頭120。壓印頭能為可移除地耦接至橋接件。壓印頭可包括一個以上之致動器，例如音圈馬達、壓電馬達、線性馬達、螺帽及螺絲馬達等，其建構成使模板卡盤118至少在z軸方向中、及可能其他方向(例如x、y、θ、Ψ及φ軸)中相對基板運動。
奈米壓印微影術系統100可更包含流體分配器122。流體分配器122亦能可移除地耦接至橋接件。於一實施例中，流體分配器122及壓印頭120共享一個以上或所有定位部件。在替代實施例中，流體分配器122及壓印頭120彼此獨立地運動。流體分配器122可使用於以圖案將液體可成形材料124(例如，可聚合材料)沉積至基板102上。在將可成形材料124沉積至基板102上之前，亦可使用例如液滴分配、旋塗、浸塗、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、薄膜沉積、厚膜沉積、及/或類似者之類將額外的可成形材料124加至基板102。取決於設計考量，在模具112與基板102之間界定所期望的體積之前及/或之後，可成形材料124能分配在基板102上。可成形材料124能包含混合物，此混合物包括如美國專利第7,157,036號及美國專利第8,076,386號中所述的單體，此二專利均以引用之方式併入本文中。
不同的流體分配器122可使用不同之技術來分配可成形材料124。當可成形材料124係能噴射時，可使用噴墨型分配器來分配可成形材料。例如，熱噴墨、基於微機電系統(MEMS)的噴墨、閥式噴墨、及壓電式噴墨是分配可噴射液體之常用技術。
奈米壓印微影術系統100可更包含沿著曝光路徑128引導光化能量的輻射源126。壓印頭及基板定位平台106可建構成將模板108及基板102定位與曝光路徑128重疊。在模板108已與可成形材料124接觸之後，輻射源126沿著曝光路徑128發送光化能量。圖1說明當模板108未與可成形材料124接觸時的曝光路徑128，這是出於說明之目的來完成，以致可輕易地辨識個別部件之相對位置。熟諳本技術領域者將理解，當模板108被帶入與可成形材料124接觸時，曝光路徑128將實質上不改變。
奈米壓印微影術系統100可更包含現場照相機136，其定位成在模板108已與可形成材料124接觸之後觀看可形成材料124的散佈。圖1說明現場照相機之成像場的以虛線代表之光軸。如圖1中所說明，奈米壓印微影術系統100可包括一個以上的光學部件(分光鏡、光束結合器、稜鏡、透鏡、反射鏡等)，其將光化輻射與要藉由現場照相機所偵測之光結合。現場照相機136可建構成偵測模板108下方的可形成材料之散佈。如圖1中所說明的現場照相機136之光軸係平直的，但是可藉由一個以上之光學部件所彎曲。現場照相機136可包括CCD、感測器陣列、線列式照相機、及光電偵測器的一個以上，其建構成收集具有一波長之光，而在與可形成材料接觸的模板108下方之區域、和未與可形成材料124接觸之模板108下方的區域之間顯示對比度。現場照相機136可建構成收集可見光的單色影像。現場照相機136可建構成提供模板108下方之可形成材料124的散佈之影像、模板108與固化的可形成材料之分開，並可使用於跟踪壓印製程上的進展。
奈米壓印微影術系統100可更包含與現場照相機136分開之液滴檢查系統138。液滴檢查系統138可包括CCD、照相機、線列式照相機及光電偵測器的一個以上。液滴檢查系統138可包括一個以上之光學部件，例如透鏡、反射鏡、光圈、濾光器、稜鏡、偏振器、窗口、適應性光學儀器、及/或光源。液滴檢查系統138可定位成在圖案化表面112接觸基板102上的可成形材料124之前檢查液滴。
奈米壓印微影術系統100可更包括熱輻射源134，其可建構成向模板108及基板102之一或兩者提供熱輻射的空間分佈。熱輻射源134可包括一個以上之熱電磁輻射源，其將加熱基板102及模板108之一或兩者，且不會造成可成形材料124固化。熱輻射源134可包括空間光調制器、例如數位微鏡裝置(DMD)、矽基液晶(LCoS)、液晶裝置(LCD)等，以調制熱輻射的空間時間分佈。奈米壓印微影術系統可更包含一個以上之光學部件，此等光學部件使用於將光化輻射、熱輻射、及藉由現場照相機136所收集的輻射結合至單一光學路徑上，而當模板108與基板102上之可成形材料124接觸時，此光學路徑與壓印場相交。熱輻射源134可於模板108已與可成形材料128接觸之後，沿著熱輻射路徑(其在圖1中說明為2條粗黑線)發送熱輻射。圖1說明當模板108未與可成形材料124接觸時的熱輻射路徑，這樣做是出於說明之目的，以致可輕易地辨識個別部件之相對位置。熟諳本技術領域者將理解，當模板108被帶入與可成形材料124接觸時，熱輻射路徑將實質上未改變。在圖1中，熱輻射路徑顯示為終止在模板108，但是其亦可終止於基板102。在替代實施例中，熱輻射源134係於基板102下方，且熱輻射路徑未與光化輻射及可見光結合。
於將可成形材料124分配至基板上之前，可將基板塗層132施加至基板102上。在一實施例中，基板塗層132可為黏著層。於一實施例中，可在將基板裝載至基板卡盤104上之前將基板塗層132施加至基板102。於替代實施例中，當基板102係在基板卡盤104上時，可將基板塗層132施加至基板102上。於一實施例中，可藉由旋塗、浸塗等來施加基板塗層132。在一實施例中，基板102可為半導體晶圓。於另一實施例中，基板102可為空白模板(空白複製品)，其可使用於在被壓印之後創建子模板。
奈米壓印微影術系統100可為藉由與一個以上的部件及/或子系統通訊之一個以上的處理器140(控制器)進行調節、控制、及/或引導，此部件及/或子系統例如基板卡盤104、基板定位平台106、模板卡盤118、壓印頭120、流體分配器122、輻射源126、熱輻射源134、現場照相機136及/或液滴檢查系統138。處理器140可基於非暫態電腦可讀記憶體142中所儲存之電腦可讀程式中的指令來操作。處理器140可為或包括CPU、MPU、GPU、ASIC、FPGA、DSP、及通用電腦之一個以上。處理器140可為專用控制器，或可為適於用作控制器的通用計算裝置。非暫態電腦可讀記憶體之範例包括但不限於RAM、ROM、CD、DVD、藍光、硬碟驅動器、網路附加儲存裝置(NAS)、內部網路連接非暫態電腦可讀儲存裝置、及網際網路連接非暫態電腦可讀儲存裝置。
壓印頭120、基板定位平台106的任一者或兩者都變動模具110與基板102之間的距離，以界定用可成形材料124填充之所期望的空間(三維中之有界限的物理範圍)。例如，壓印頭120可向模板108施加力量，使得模具110係與可成形材料124接觸。在所期望之體積係用可成形材料124填充之後，輻射源126產生光化輻射(例如，UV，248nm、280nm、350nm、365nm、395nm、400nm、405nm、435nm等)，造成可成形材料124固化、凝固、及/或交聯；符合基板表面130及圖案化表面112的形狀，界定基板102上之圖案化層。於模板108與將圖案化層形成在基板102上的可形成材料124接觸之同時，使可成形材料124固化。因此，奈米壓印微影術系統100使用壓印製程來形成圖案化層，此圖案化層具有與圖案化表面112中的圖案相反之凹部及突起部。於替代實施例中，奈米壓印微影術系統100使用壓印製程，以形成具有無特徵圖案化表面112的平面層。
可在散佈橫越基板表面130上之複數壓印場中重複地作成壓印製程。每一壓印場可具有與台面110相同的尺寸，或僅是與台面110之圖案面積具有相同的尺寸。台面110之圖案面積係圖案化表面112的區域，此區域使用於將圖案壓印在基板102上，此等圖案係裝置之特徵，或接著使用於後續製程中以形成此裝置的特徵。台面110之圖案面積可包括或可未包括使用於防止擠壓的質量速度變動特徵。在替代實施例中，基板102僅具有一壓印場，此壓印場係與基板102或將要用台面110圖案化之基板102的面積之尺寸相同。於替代實施例中，壓印場重疊。一些壓印場可與基板102的邊界相交之部分壓印場。
可形成圖案化層，使得其具有殘留層，此殘留層具有殘留層厚度(RLT)，此殘留層厚度係基板表面130與每一壓印場中的圖案化表面112之間的可成形材料124之最小厚度。圖案化層亦可包括一個以上的特徵，例如在具有厚度之殘留層上方延伸的突起部。這些突起部與台面110中之凹部114匹配。 模板/覆板
圖2係可於一實施例中使用的模板108之圖示。圖案化表面112可為在台面110上(藉由圖2中的虛線框所標識)。台面110係藉由模板之前側上的凹入表面244所圍繞。台面側壁246將凹入表面244連接至台面110之圖案化表面112。台面側壁246圍繞台面110。於台面為圓形或具有圓角的實施例中，台面側壁246意指單一台面側壁，其係沒有角落之連續壁面。
可在另一實施例中使用替代模板，於本文中稱為覆板。在覆板的案例中，圖案化表面112是無特徵的。亦即，於一實施例中，在表面112上沒有圖案。於平面化製程中使用沒有圖案之覆板。因此，當施行平面化製程時，使用覆板代替圖1中所示的模板。 壓印/平面化製程
圖3係藉由奈米壓印微影術系統100之壓印製程300的流程圖，此奈米壓印微影術系統可使用於在一個以上之壓印場(亦稱為：圖案面積或投射面積)上於可成形材料124中形成圖案。可藉由奈米壓印微影術系統100在複數基板102上重複地施行壓印製程300。處理器140可使用於控制壓印製程300。
在一替代實施例中，可施行類似製程以平面化基板102。於平面化的案例中，施行本文相對於圖3所討論之實質上相同的步驟，除了無圖案之覆板使用於代替模板以外。因此，應當理解，以下敘述亦適用於平面化方法。當用作覆板時，此覆板可具有與基板102相同的尺寸或較大。
壓印製程300之開始可包括模板安裝步驟，其造成模板輸送機構將模板108安裝至模板卡盤118上。壓印製程亦可包括基板安裝步驟，處理器140可造成基板輸送機構將基板102安裝至基板卡盤104上。基板可具有一個以上的塗層及/或結構。模板108及基板102被安裝至奈米壓印微影術系統100上之順序沒有特別受限制，且模板108及基板102可按順序或同時地安裝。
在定位步驟中，處理器140可造成基板定位平台106及/或分配器定位平台之一或兩者將基板102的壓印場i(下標i可初始設定為1)運動至流體分配器122下方之流體分配位置。基板102可被劃分成N個壓印場，其中每一壓印場係藉由下標i所標識。其中N係例如1、10、75等之類的整數。於分配步驟S302中，處理器140可造成流體分配器122將可成形材料分配至壓印場i上。在一實施例中，流體分配器122將可成形材料124分配為複數液滴。流體分配器122可包括一個噴嘴或多數噴嘴。流體分配器122可同時由一個以上之噴嘴噴射可成形材料124。當流體分配器噴射可成形材料124時，壓印場i可相對流體分配器122運動。因此，一些液滴降落於基板上的時間可橫越壓印場i變動。在一實施例中，於分配步驟S302期間，可成形材料124能按照液滴圖案分配至基板上。液滴圖案可包括例如沉積可成形材料之液滴的位置、可成形材料之液滴的體積、可成形材料之類型、可成形材料的液滴之形狀參數等的一個以上之資訊。
在分配液滴之後，接著可開始接觸步驟S304，處理器140可造成基板定位平台106及模板定位平台的一或兩者將模板108之圖案化表面112帶入與壓印場i中的可成形材料124接觸。
於散布步驟S306中，可成形材料124接著散布朝壓印場i及台面側壁246之邊緣。壓印場的邊緣可藉由台面側壁246所界定。可經由現場照相機136觀察可成形材料124如何散佈並填充台面，並可使用來追踪可成形材料之流體前沿的進展。
在固化步驟S308中，處理器140可向輻射源126發送指令，以經過模板108、台面110、及圖案化表面112發送光化輻射之固化照明圖案。固化照明圖案提供足夠的能量以固化(聚合化)於圖案化表面112之下的可成形材料124。
在分開步驟S310中，處理器140使用基板卡盤104、基板定位平台106、模板卡盤118、及壓印頭120之一個以上，以分開模板108的圖案化表面112與基板102上之固化的可成形材料。
如果有要壓印之額外壓印場，則此製程返回至步驟S302。於一實施例中，在處理步驟S312中於基板102上施行額外的處理，以便創建製造物品(例如，半導體裝置)。在一實施例中，每一壓印場包括複數裝置。
處理步驟S312中之進一步處理可包括蝕刻製程，以將凹凸影像轉印進入與圖案化層中的圖案對應之圖案或該圖案的反面之基板。處理步驟S312中的進一步處理亦可包括用於物品製造之已知步驟及製程，包括例如固化、氧化、層形成、沉積、摻雜、平面化、蝕刻、可成形材料移除、切丁、接合及封裝等等。可處理基板102以生產複數物品(裝置)。 液滴分配方法
藉由奈米壓印微影術系統100或平面化系統的液滴分配方法可使用於將可成形材料124之液滴圖案分配至基板102上，接著將其壓印/平面化。壓印/平面化能以逐場基礎或整個晶圓之基礎來作成。可成形材料124的液滴亦能以逐場基礎或整個晶圓之基礎來沉積。即使當液滴以整個基板為基礎來沉積時，較佳係以逐場的基礎來作成液滴圖案之產生。
產生用於全場的液滴圖案可包括接收代表性基板102之基板圖案、及代表性模板108的模板圖案之處理器140。
基板圖案可包括關於代表性基板的基板形貌、代表性基板之場、及/或代表性基板的全場之資訊。可基於先前的製造步驟測量、生成及/或基於設計資料生成此基板形貌。在替代實施例中，由於沒有先前之製造步驟，或先前已對基板進行平面化以減小形貌，因此基板圖案是無特徵的。基板形貌可包括關於邊緣、例如代表性基板的斜切邊緣或圓形邊緣之形狀的資訊。基板形貌可包括關於辨識基板之定向的一個以上之平坦部或凹部的形狀及位置之資訊。基板形貌可包括關於圍繞基板的將圖案形成在其上之區域的參考邊緣之形狀及位置的資訊。
模板圖案可包括關於代表性模板之圖案化表面112的形貌之資訊。可基於設計資料來測量及/或生成圖案化表面112的形貌。在替代實施例中，代表性實施例之模板圖案係無特徵的，並可使用於平面化此基板102。圖案化表面112可具有與以下者相同之尺寸：個別的全場；多數場；整個基板，或大於基板。
一旦接收基板圖案及模板圖案，處理器140能計算將生產一膜之可成形材料124的分佈，當基板與圖案化表面在壓印製程期間藉由間隙分開時，此膜填充基板與圖案化表面之間的體積。可成形材料於基板上之分佈能採取可成形材料的面密度之形式；可成形材料的液滴之位置；及/或可成形材料的液滴之體積。計算可成形材料的分佈能考慮以下一個以上：可成形材料之材料特性；圖案化表面的材料特性；基材表面之材料特性；圖案化表面與基板表面之間的體積中之空間變動；流體流量；蒸發等。 積聚偵測系統及方法
圖4A顯示分配器122的側視圖。圖4B顯示分配器122之仰視圖。圖4C顯示分配器122的端部視圖。分配器122包括具有表面135之面板133，在表面135中形成複數分配噴嘴137。形成於面板133的表面135中之噴嘴137的數目可為大約數百、例如500或更多。面板133包括第一端部123及第二端部125。面板133具有由第一端部123至第二端部125在X尺寸中延伸之長度127。分配器122具有由第一端部123延伸的第一凸緣129、及由第二端部125延伸的第二凸緣131。面板133包括於Y尺寸中延伸之寬度139，此Y尺寸係垂直於X尺寸。
圖5A及5B顯示在可成形材料124已積聚於面板133的表面135上之後的分配器122之視圖。如圖5A及5B中所概要地顯示，積聚的可成形材料124能為橫越面板133的表面135坐落於諸多圖案及厚度。本文所述之系統及方法使用於偵測面板133上的積聚。
圖6A顯示按照第一示範實施例之附加器107的俯視圖，而使分配器122位於基板102上方。圖6B顯示圖6A之附加器107的透視圖，而使分配器122位於附加器107上方。如圖6A及圖6B中所示，在第一示範實施例中，第一感測器402及第二感測器404可設置於附加器107上。更具體地，第一感測器402及第二感測器404可設置在附加器107之上表面109上。附加器107圍繞基板102。亦即，附加器107包括孔腔111，以裝盛基板102。附加器107與基板102一起可藉由平台106所承載。平台106可於分配器122下方沿著X尺寸、亦即沿著面板133的長度127承載附加器107及基板102。可替代地，在另一示範實施例中，附加器107及基板102可為固定不動的，且分配器122可沿著X尺寸行進。
如圖6A及圖6B中所示，第一感測器402及第二感測器404可定位於附加器107之表面109上，以致第一感測器402及第二感測器404將在附加器107相對分配器122的受控運動時通過面板133之表面135下方。當圖6A及圖6B顯示鄰近基板102的右側之第一感測器402及第二感測器404時，第一感測器402及第二感測器404可設置於附加器107的表面109上之任何位置，較佳係使第一感測器402及第二感測器404以下述方式相對彼此成一角度並定位。例如，在另一示範實施例中，第一感測器402及第二感測器404可為坐落於附加器107之上或下角落中。然而，在另一實施例中，感測器不需要如下所述地相對彼此成一角度或定位。
第一感測器402及第二感測器404的每一者可為電容式感測器。電容式感測器於本技術領域中係已知為非接觸式裝置，其能夠高分辨率地測量感測器與靶材之間的距離。簡言之，由於感測器及靶材的面積保留恆定，且間隙中之材料的電介質(亦即空氣)亦保留恆定，因此電容中之任何變化都是感測器與靶材之間的距離中之變化的結果。因此，如藉由普通熟諳本技術領域者所理解，可使藉由電容式感測器所測量之電容和靶材與感測器之間的距離相關。亦即，電容式感測器輸出靶材與感測器之間的距離。能使用於第一感測器402及第二感測器404之示範電容式感測器可為具有定制的矩形有效測量面積及具有高縱橫比之Micro-Epsilon America (Raleigh，NC)模型capaNCDT 6139。
第一感測器402及第二感測器404的每一者可具有高縱橫比，使得感測器之長度比感測器的寬度大幾倍。例如，縱橫比(亦即，長度與寬度之比率)可為由50：1至5：1、由40：1至10：1、由30：1至15：1、或由25：1至20：1。在示範實施例中，縱橫比可為30：1。高縱橫比允許足夠的資料收集，以準確地判定面板上之可成形材料的積聚程度。縱橫比太低將不會有充分之橫向分辨率來判定分配器用的積聚狀態。可選擇感測器之長度，使得當感測器成一角度時，感測器跨越面板133的整個寬度139。感測器之角度將在下面相對於圖7進行討論。由於此角度，感測器的長度將為大於(或等於)面板133之寬度139，以致感測器跨越面板的整個寬度139。在圖6A至7中所示之示範實施例中，第一感測器402及第二感測器404具有相同的縱橫比及相同之尺寸。儘管具有相同尺寸的感測器提供最準確之資料，但只要藉由感測器所提供的結果資料允許操作員準確地判定可成形材料於面板上之積聚程度，則可有一些變動。
如上所述，第一感測器402及第二感測器404相對彼此成一角度。圖7顯示在表面109上具有第一感測器402及第二感測器404的附加器107之一部分的特寫圖。如圖7中所視，第一感測器402及第二感測器404相對彼此成一角度，此角度可藉由通過第一感測器402之中心點406及第二感測器404的中心點408之水平線X1來界定。第一感測器402的中心點406係第一感測器402之長度及寬度尺寸兩者中的中心，而第二感測器404之中心點408係第二感測器406的長度及寬度尺寸兩者中之中心。
因為第一感測器402及第二感測器404相對彼此成一角度，所以第一感測器402的縱向軸線410及第二感測器404之縱向軸線412相對水平線X1成不同角度。第一感測器402的縱向軸線410可與水平線X1形成一角度414。第一感測器402之縱向軸線410相對水平線X1具有正的斜率，且因此，角度414可為銳角。角度414可為由35°至55°、40°至50°、42°至48°、或44°至46°。於示範實施例中，角度414為45°。第二感測器402的縱向軸線412可與水平線X1形成一角度416。第二感測器404之縱向軸線412相對水平線X1具有負的斜率，且因此，角度414為鈍角。角度416可為由125°至145°、130°至140°、132°至138°、或134°至136°。在示範實施例中，角度416為135°。於幾何原理之下，第一感測器402的縱向軸線410亦將與水平線X1形成和角度414互補之角度418，而第二感測器404的縱向軸線412將與水平線X1形成和第二角度416互補之角度420。
因為第一感測器402的縱向軸線410相對水平線X1具有正的斜率，且第二感測器404之縱向軸線412相對水平線X1具有負的斜率，所以第一感測器402之縱向軸線410及第二感測器404的縱向軸線412將相交以形成一角度422。出於相同之理由，如圖7中所示，第一感測器402的縱向軸線410、第二感測器404之縱向軸線412、及水平線X1將相交以形成三角形。在幾何原理之下，角度414、420、422加起來為180°。角度422可為由70°至110°、80°至100°、84°至96°、或88°至92°。於示範實施例中，角度422為90°。在示範實施例中，角度414為45°±1°(因此角度418為135°±1°)，角度416為135°±1°(因此角度420為45°±1°)，且角度422為90°±1°。基於上述幾何形狀，因此也可以說第一感測器402及第二感測器404彼此垂直或實質上彼此垂直。
如上所述，因為感測器402、404係成一角度，所以感測器的長度將為大於(或等於)面板133之寬度139，以便跨越面板133的整個寬度139。在幾何原理之下，角度414越小且角度416越大，則感測器跨越面板的整個寬度所需之時間將越長。基於上面列出的角度量值選項，每一感測器之長度對面板的寬度之比可為1.4：1至1.45：1。在一示範實施例中，每一感測器對面板的長度之比可為1：√2。
儘管圖7顯示較佳的實施例，因為其允許最小程度地運動定位平台106以獲得適當之資料，但是其係可能使第一感測器402及第二感測器404於X及Y方向中以任何相對角度及彼此隔開任何距離地定位在附加器107上的任何位置。然而，如下所述，於此等實施例中，平台需要更多控制及精確定位，以適當地定向感測器以獲得適當之資料。額外的定位亦將需要額外之時間來收集適當的資料。
圖8顯示偵測圖4A至5B中所示之分配器的面板133之表面135上的可成形材料之積聚的方法500之流程圖。此方法500由步驟S502開始，在此於測量第一感測器402與面板133之間的距離d之同時，第一感測器402平移橫越面板133的長度127，定向此第一感測器402，使得第一感測器402之縱向軸線410相對面板133的縱向軸線141在銳角414延伸。於圖6A至圖7中所示之示範實施例中，如上所述，第一感測器402及第二感測器404沿著水平軸X1定中心，且相對水平軸X1成一定角度，如上所述。在此實施例中，步驟S502可更包括使水平線X1與面板133的縱向軸線141對齊。於第一示範實施例中，為了使水平線X1與面板133之縱向軸線141對齊，定位平台106僅需要控制成在X及Y尺寸中運動。可於Y尺寸中運動附加器107，直至水平線X1與面板133的縱向軸線141重疊。可進一步控制定位平台106以在X尺寸中運動附加器107，直至第一感測器402及第二感測器404坐落至分配器122之左側或右側。圖6A(及下面所討論的圖10)顯示此一範例，於此第一感測器402及第二感測器404已適當地定位在X及Y尺寸中，使得水平軸X1與面板133之縱向軸141重疊，並使得第一感測器402及第二感測器404坐落於分配器122的右側。
在如上所述地定位第一感測器402及第二感測器404之後，施行步驟S502更包括控制台架106以沿著X尺寸於方向424中運動附加器107。因為水平線X1係與面板133的縱向軸線141對齊，所以附加器107沿著X尺寸在方向424中之運動將使第一感測器402平移橫越面板133的長度127。此外，由於第一及第二感測器402、404相對水平線X1之上述幾何形狀，定向第一感測器402，使得第一感測器402的縱向軸線410相對面板133之縱向軸線141成銳角414地延伸。在第一感測器402的平移期間，控制感測器以感測，以測量第一感測器402與面板133之間的距離d。
圖9顯示通過面板133下方之第一感測器402及第二感測器404的示意性側視圖。如圖9中所示，第一感測器402及第二感測器404坐落於Z尺寸中離面板133一段距離。當第一感測器402及第二感測器404在X尺寸中之方向424中通過面板103下方時，第一感測器402及第二感測器404測量感測器與面板之間的距離d。如圖9中所示，因為有可成形材料124形成在面板133之表面135上，此面板133與第一感測器402及第二感測器404之間的距離d取決於可成形材料124之厚度而變動。因此，如圖9中所示，當在特定位置處沒有可成形材料時，距離d最長，且當可成形材料最厚時，距離d最小。如圖9中所進一步顯示，方向424可沿著X尺寸於任一方向中。例如，在圖6A所示實施例中，於此第一感測器402及第二感測器404開始於分配器123的右側，行進方向將為至左側。然而，如果第一感測器402及第二感測器404開始於分配器122之左側，則行進方向將為朝右側。在重新編碼距離資料的製程期間，於Z或Y尺寸中沒有任何運動。
圖10顯示面板133之仰視圖，使第一感測器402及第二感測器404重疊至面板133的表面135上。亦即，當第一感測器402及第二感測器404係在如圖9中所示Z尺寸中之面板133下方的一段距離處時，第一及第二感測器402、404之重疊至面板133上輔助示範第一及第二感測器402、404相對面板133的縱向軸線141之角度。如圖10中所視，一旦以上述方式適當地對齊，水平線X1與面板133的縱向軸線141彼此重疊。因此，一旦對齊，上述相對於圖7之角度亦存在於圖10中。因此，第一感測器402相對面板133的縱向軸線141成銳角，且第二感測器相對於面板133之縱向軸線141成鈍角。亦如圖10中所示，第一感測器402及第二感測器404跨越面板133的整個寬度139。因此，當第一感測器402及第二感測器404沿著X尺寸在方向424中平移(如上所述至右側或左側)，第一感測器402及第二感測器404之每一者測量沿著面板133的整個寬度139之距離d。
當定向第一感測器402及第二感測器404時，亦可敘述圖7及圖10的幾何形狀，使得當投射至水平面上時，第一感測器402之縱向軸線410、第二感測器404的縱向軸線412、及面板133之縱向軸線141(或水平線X1)相交以形成具有二個銳角414、420的三角形。更具體地，三角形將具有如上所述之相同角度414、420及422。
總而言之，可藉由以下者來施行步驟S502：a)控制定位平台，以使水平線X1與面板133的縱向軸線141對齊，b)控制平台，以使第一感測器402沿著X尺寸平移橫越面板之長度127，c)同時測量第一感測器402與面板133之間的距離。
方法500可接著繼續進行至步驟S504，於此在測量第二感測器404與面板133之間的距離d之同時，第二感測器404平移橫越面板133的長度127，定向第二感測器404，使得第二感測器404之縱向軸線412相對面板133的縱向軸線141以鈍角416延伸。因為於步驟S502中，水平線X1業已與面板133之縱向軸線141對齊，且因為如圖6A及圖7中所示將第二感測器404定位鄰接第一感測器402，對平台106的上述控制以使附加器107沿著X尺寸在方向424中運動亦將第二感測器404平移橫越面板133之長度127。此外，由於第一及第二感測器402、404相對水平線X1的上述幾何形狀，定向第二感測器404，使得第二感測器404之縱向軸線412相對面板133的縱向軸線141以鈍角416延伸。亦即，在圖6A至7、9及10中所示之示範實施例中，第一感測器402的平移與第二感測器404之平移同時地發生。於第二感測器404的平移期間，控制此感測器以測量第二感測器404與面板133之間的距離d。總而言之，步驟S504可為以與步驟S502相同之方式施行，且實際上可與步驟S502同時地發生。然而，因為感測器在X尺寸中運動，且因為感測器係於X尺寸中坐落成彼此相鄰，所以即使感測器可同時運動，第一感測器將在第二感測器平移橫越面板之前平移橫越此面板(當向左行進時，與向右行進時發生相反的順序)。因此，亦可說即使於同時運動時，感測器連續地平移橫越此面板。
雖然在圖6A至7、9及10中所示之示範實施例需要相當少的動作就可使感測器通過面板之長度，但是於第一及第二感測器402、404未以上述方式定向的情況下，其他實施例係可能的。更確切地說，第一及第二感測器之每一者可為任意地放置在附加器107上的任何位置，包括相對彼此之任何位置及任何角度。然而，於此等實施例中，將需要對平台進行更複雜的控制，以致第一感測器最終橫越面板在圖10中所示之幾何形狀中通過。例如，如果第一感測器遠離第二感測器並相對平行於面板的縱向軸線之水平線未先佔地成銳角，則步驟S502將包括使用平台以運動附加器，直至第一感測器坐落在正確的X及Y位置處，且接著進一步旋轉附加器，直至第一感測器相對面板133之縱向軸線141以圖10中所示方式成一角度。然後，將控制平台以使第一感測器通過橫越面板的長度，同時測量第一感測器與面板之間的距離。以相同之方式，如果第二感測器遠離第一感測器，且相對平行於面板的縱向軸線之水平線未先佔地成鈍角，則步驟S504亦將包括使用此平台來運動附加器，直至第二感測器坐落在正確的X及Y位置，並接著進一步旋轉附加器，直至第二感測器以圖10所示之方式相對面板133的縱向軸線141成一角度。然後，將控制附加器，以將第二感測器平移橫越此面板。
於橫越面板之長度平移第一感測器及第二感測器的每一者期間，每一感測器將連續地測量並提供距離資料。在示範實施例中，每一感測器能以每秒約20,000次測量之速率測量資料。藉由每一感測器所取得的測量之總數將取決於定位平台106的行進速率及面板之長度。在示範實施例中，定位平台106能以約1.5 m/s的速率行進，且面板之長度係約70 mm。於這些示範條件之下，感測器通過面板將花費約0.05秒，且為每一感測器將測量約1000資料點。在其他示範實施例中，感測器通過面板的時間可為由0.01至0.1秒。於示範實施例中，感測器通過面板之時間對開始生產一基板與開始生產下一基板之間的平均時間沒有影響或小於1%之影響。
圖11顯示在示範實施例中藉由第一感測器402所收集的距離資料之圖表600。圖12顯示於示範實施例中藉由第二感測器404所收集的距離資料之圖表700。如圖11及12中所示，每一圖表中的x軸代表時間(在示範實施例中為秒)，於此每一時間與感測器相對於面板之特定相對位置相關。每一圖表500、600中的y軸代表藉由感測器在特定時間相對參考平面所測量之以μm為單位的距離d(亦即，感測器與面板之間於Z尺寸中的距離)。因此，圖11之圖表600顯示對於第一感測器402在不同位置的測量距離d，且圖表700顯示對於第二感測器404在不同位置之測量距離d。參考平面可被任意地選擇。於圖11中所示範例中，參考平面(亦即「0」距離)坐落在面板沿著Z方向的中點。因此，當所測量之表面點於Z方向中係低於參考平面時，一些距離為正值，而當所測量的表面點在Z方向中高於參考平面時，一些距離為負值。使用此資料，吾人可判定什麼距離d係藉由第一感測器所測量及對於相同之相對位置的什麼距離d係藉由第二感測器所測量。此資料之使用將在下面進一步敘述。
於收集來自第一感測器402及第二感測器404的距離資料d之後，此方法可繼續進行至步驟S506，在此其係基於步驟S502、S504中所收集的資料、及預定基線資料來判定面板表面上之可成形材料的積聚量是否大於預定值。預定基線資料係在表面135上之可成形材料的任何積累之前、亦即圖4A及4B中所示的清潔面板之前，為面板133所獲取的資料。收集基線資料之方式係與上面相對於步驟S502及步驟S504所討論的方式相同。亦即，施行步驟S502及步驟S504，使得第一感測器402及第二感測器404平移橫越清潔面板133之表面，並以上述方式成一角度。換句話說，基線資料與上述資料的收集之間的唯一區別是，當已知在面板133之表面135上沒有可成形材料時，收集此基線資料。因此，可於已清潔面板133的表面135之後且在分配器已使用於分配可成形材料之前(或在分配器的首次使用之前)施行基線資料的獲取。因此，當在面板之表面上沒有積聚的可成形材料時，基線資料代表每一感測器402、404與面板133之間的距離資料d。基線資料之獲取未指示為圖8中所示的方法500之一部分，因為基線資料的獲取通常於施行此方法500之前發生一次。然而，在另一實施例中，獲取基線資料的步驟可被認為是方法500之一部分，且將於步驟S502之前發生。
在圖13中顯示用於第一感測器402的示範基線資料，且在圖14中顯示用於第二感測器404之示範基線資料。圖13顯示當面板沒有積累可成形材料時藉由第一感測器402所收集的距離資料之圖表800，且圖14顯示當面板沒有積累可成形材料時藉由第二感測器404所收集的距離資料之圖表900。與圖表600、700一樣，圖表800、900的每一者中之x軸代表時間(在示範實施例中為秒)，於此每一時間與感測器相對面板的特定相對位置相關。因此，圖13之圖表700顯示當面板沒有積聚之可成形材料時在用於第一感測器402的不同相對位置處之測量距離d，而圖表700顯示當面板沒有積聚的可成形材料時在用於第二感測器404之不同相對位置處的測量距離d。
如上所述，步驟S506包括基於在步驟S502、S504中所收集之資料、及預定的基線資料來判定面板表面上之可成形材料的積聚量是否大於預定值。此步驟可包括由基線資料減去在步驟S502、S504中所收集之資料。更具體地，如上所述，當面板上沒有可成形材料積聚時，基線資料包括用於第一感測器的距離d測量(圖13)及用於第二感測器之距離d測量(圖14)。將由對應於第一感測器402的基線資料減去在步驟S502中所收集之資料，並將由對應於第二感測器404的基線資料減去在步驟S504中所收集之資料。於相減之後，用於每一感測器的結果資料將僅代表在特定位置處積聚之可成形材料的厚度。亦即，藉由從當不存在可成形材料時之距離減去當存在可成形材料的距離，結果必需是於特定位置處之可成形材料的厚度。圖15顯示在由第一感測器402的基線資料減去之後藉由第一感測器402所獲取的距離資料之圖表1000，且圖16顯示於由第二感測器404的基線資料減去之後藉由第二感測器404所獲取的距離資料之圖表1100。與圖表600、700、800、900一樣，圖表1000、1100的每一者中之x軸代表時間(在示範實施例中為秒)，於此每一時間與感測器相對面板的長度特定位置相關。因此，圖15之圖表1000顯示在用於第一感測器402的不同位置處之可成形材料的厚度，且圖表1200顯示在用於第二感測器404之不同位置處的可成形材料之厚度。
在獲得圖15及16中所示的資料之後，步驟S506可更包括計算可成形材料坐落於藉由面板的表面所界定之X-Y平面上的位置之概率。圖17A顯示計算積聚位置概率的示意性視覺表示圖。於圖17A中，x軸代表在從對應之基線資料減去之後藉由第二感測器所獲取的資料之位置，而y軸代表在從對應的基線資料減去之後藉由第一感測器所獲取的資料之位置。對於每一感測器，每一記錄的資料點都對應於以一角度在面板上所取得之物理位置。亦即，如上所述，且最佳是於圖10中所視，藉由每一感測器所取得的每一資料點可被處理為沿著相對面板之縱向軸線141成一角度的直線而取得。因此，藉由將透視圖旋轉45°(當角度414為45°，角度420為45°，及角度422為90°時)，使得第一及第二感測器資料位置製成水平及垂直軸，如圖17A中所示，可將藉由面板133所界定之二維平面區域1302投射至曲線圖上。因為基於測量的時序已知每一資料點所收集之位置，其係可能沿著感測器測量距離小於基線的行進路徑之物理點處，在x軸及y軸上繪製資料。於y軸上示意地顯示第一感測器資料點1304，且在x軸上示意地顯示第二感測器資料點1306。每一資料點都指示在由基線資料減去之後，感測器在沿著行進路徑的特定位置處測量之距離大於零。
因為資料點代表特定感測器的整個長度，所報告之資料可代表沿著感測器的長度於任何位置存在之可成形材料。然而，藉由橫越x軸外推y軸資料(亦即，第一感測器橫越面板延伸的方向)、並藉由橫越y軸外推x軸資料(亦即第二感測器橫越面板延伸之方向)，外推的相交點指示可成形材料在面板上的可能位置。例如，虛線1308顯示橫越面板外推第一感測器資料之一範例，且虛線1310顯示橫越面板外推第二感測器資料的一範例。這些虛線1308、1310之每一條代表感測器在記錄資料時的特定時刻如何與面板重疊。這些二示範線1308、1310之相交點導致資料1312，其顯現於代表面板表面的區域1302上。然而，如圖17A中所示，當將外推原理應用至所有資料時，一些資料顯現於區域1302外側。例如，資料1314落在區域1302外側。於外推之後，顯現於區域1302外側的任何資料可不考慮，因為其不可能代表實際之資料點。顯現於區域1302內的資料都能代表可成形材料之潛在位置。
用於基於圖11至16所示資料來施行判定積聚的可能位置之製程的示範演算法係如下。從藉由第一感測器(圖12)所收集之對應基線資料減去藉由第一感測器(圖11)所收集的資料，且從藉由第二感測器(圖14)所收集之對應基線資料減去藉由第二感測器(圖13)所收集的資料。將用於第一感測器(圖15)之結果差資料輸入第一矩陣，並將用於第二感測器(圖15)的結果差資料輸入第二矩陣。在第一矩陣中，所有資料點(例如，數千或數萬資料點)被輸入第一行。然後將第一行複製為第二行、第三行、依此類推，直至行數等於資料點數(例如，數千或數萬行)為止。在第二矩陣中，所有資料點(例如，數千或數萬資料點)被輸入第一列。然後將第一列複製為第二列、第三列、依此類推，直至列數等於資料點數(例如，數千或數萬列)為止。較佳地係，藉由第一感測器所取得之資料點數係與藉由第二感測器所取得的資料點數相同。因此，第一矩陣及第二矩陣較佳地係含有相同數目之行、列、及單元。其次，計算兩矩陣的點乘積，藉此提供具有與第一及第二矩陣相同之單元數的第三矩陣。然後，藉由將第三矩陣之每一資料點(亦即，每一單元)除以第一矩陣及第二矩陣兩者的和之平均值來歸一化第三矩陣資料。亦即，將第一矩陣的所有資料之和與第二矩陣中的所有資料之和平均，且接著將第三矩陣的每一單元除以此值，導致第四矩陣。因為取得每一資料點之時間是已知的，且因為此時間與相對面板之位置相關，所以可將第四矩陣的每一資料單元映射至上面相對於圖17A所述之二維空間上。
圖17B顯示在施行上述演算法並將所得的第四矩陣資料繪製至二維空間上之後，圖15及16的資料點之示範代表圖。如圖17B中所示，藉由圖17A中的面板133所界定之相同二維平面區域1302係投射至相同的x軸及y軸上。如上所述，可基於取得資料點之時間將第四矩陣的資料繪製至x軸及y軸上，因為此時間與目前正在測量資料之感測器相對面板的特定位置相關。圖17B包括落在二維平面區域1302內之資料1352及落在二維平面區域1302外側的資料1354。如圖17B中所示，所繪製資料包括相對較大之資料點1356及相對較小的資料點1358。資料點之大小係基於第四矩陣中的值之量級。因此，圖17B提供在面板表面上的諸多可能位置之相對積聚量值的視覺指示。儘管圖17B之圖表向操作員提供視覺資訊以快速評估可能存在積聚的位置，但不需要生成圖17B之圖表。更確切地說，於另一示範實施例中，電腦可能施行此方法來分析資料，判定資料點顯現於何處，且接著施行以下所敘述的附加步驟而從來沒有生成影像。
在判定哪些資料點可能坐落於模板表面上之後，步驟S506可更包括將這些資料點的每一者與預定閾值進行比較。預定閾值係預定來保證面板之清潔的積聚量。例如，閾值可為等同於60μm以上之單一峰值或40μm以上的五個峰值。例如，如果圖15及16中所收集之資料導致60μm以上的單一峰值或40μm以上之五個峰值，於此那些峰值可能存在於面板表面上，將滿足此閾值。因此，如果判定可能存在於面板表面上的資料點係大於此值，則對步驟S506之回答為「是」，且此方法繼續進行至步驟S508，在此清潔面板的表面。如果判定於面板表面上可能不存在任何資料點大於此預定值，則對步驟S506之答案為「否」，且於藉由分配器施行預定次數的進一步分配之後，或已經過預定的時間量之後，此方法返回至步驟S502。預定的分配量或預定之時間量可為基於先前所收集的預測資料、或基於可能在面板上之最大資料點離預定值多遠。例如，於一實施例中，不管可能在面板上的最大資料點離預定值多遠，於分配每1至3百萬液滴之後、在分配大約1μL液滴之後、或於分配液滴的12至48小時之後，能基於可成形材料積累多快的歷史估計可重複步驟S502至S506。在另一實施例中，如果其判定可能於面板表面上之最大資料點離預定值很遠，則可在重複步驟S502至S506之前使用更多分配或更多時間。於另一方面，如果其判定可能在面板表面上的最大資料點非常接近超過用於清潔之閾值，則在重複步驟S502至S506之前可使用更少分配或更少時間。
圖18-21B說明第二示範實施例。圖18-21B中所示實施例係類似於上述實施例，但是代替具有二個感測器，僅存在一個感測器1402。圖18顯示按照第二示範實施例的附加器107之俯視圖，使分配器122位於基板102上方。圖18顯示與圖6A類似的視圖，且相同之參考數字使用於代表與圖6A中相同的元件。如圖18中所示，第二實施例中之差異係僅存在一個感測器1402代替二個感測器。單一感測器1402可為與第一感測器402相同或與第二感測器404相同。
圖19顯示在表面109上具有單一感測器1402的附加器107之一部分、以及單一感測器1402於其已旋轉之後重疊的特寫視圖。重疊之單一感測器1402係以虛線指示。如圖19中所視，類似於第一實施例，單一感測器1402相對於通過單一感測器1402的中心點1406之水平線X1成一角度。與第一感測器402一樣，單一感測器1402的中心點1406係此單一感測器1402之長度及寬度尺寸兩者中的中心。因為單一感測器1402相對水平線X1成一角度，單一感測器1402之縱向軸線1410可與水平線X1形成第一角度1414。在所說明的第二示範實施例中，與第一感測器402一樣，單一感測器1402之縱向軸線1410相對水平線X1具有正的斜率，且因此，第一角度1414可為銳角。第一角度1414可為與第一實施例之第一角度414相同。於幾何原理之下，單一感測器1402的縱向軸線1410亦將與水平線X1形成第二角度1418，此第二角度係與第一角度1414互補。亦即，第二角度1418可為與第一實施例中之角度418相同。
圖20顯示按照第二示範實施例偵測圖18及19中所示分配器的面板133之表面135上的可成形材料之積聚的方法1500之流程圖。方法1500由步驟S1502開始，於此在測量單一感測器1402與面板133之間的距離d之同時，第一次將單一感測器1402平移橫越面板133的長度127，定位單一感測器1402，使得單一感測器1402之縱向軸線1410相對面板133的縱向軸線141以銳角1414延伸。於此實施例中，步驟S1502可更包括首先以上面相對於第一示範實施例所敘述之相同方式將水平線X1與面板133的縱向軸線141對齊。圖18顯示此範例，在此單一感測器1402已適當地定位於X及Y尺寸中，使得水平軸線X1與面板133之縱向軸線141重疊，並使得單一感測器1402坐落至分配器122的右側。
在如上所述地定位單一感測器1402之後，施行步驟S1502更包括控制台架106以使附加器107沿著X尺寸於第一方向1424a(圖21A)中運動。因為水平線X1係與面板133的縱向軸線141對齊，附加器107沿著X尺寸在方向1424a中之運動將使單一感測器1402平移橫越面板133的長度127。再者，由於單一感測器1402相對水平線X1之上述幾何形狀，定向單一感測器1402，使得單一感測器1402的縱向軸線1410相對面板133之縱向軸線141以銳角1414延伸。在單一感測器1402的平移期間，控制感測器以感測，以測量第一感測器402與面板133之間的距離d。以與上面第一示範實施例中所討論之方式相同，單一感測器1402於Z尺寸中坐落在離面板133一段距離處。當單一感測器1402於X尺寸中在方向1424a中通過面板133下方時，單一感測器1402以與上面相對於第一示範實施例所討論的相同方式測量感測器與面板之間的距離d。
圖21A顯示面板133之仰視圖，當單一感測器1402在第一方向1424a中行進時，使單一感測器1402重疊至面板133的表面135上。亦即，雖然單一感測器1402係於面板133下方一定距離處，但是第一次於方向1424a中通過期間，單一感測器1402至面板133上之重疊輔助示範單一感測器1402相對面板133的縱向軸線141之角度。如圖21A所視，一旦以上述方式適當地對齊，水平線X1及面板133的縱向軸線141就彼此重疊。因此，一旦已對齊，上面相對於圖19所敘述之角度存在於圖21B中。因此，單一感測器1402相對面板133的縱向軸線141成一銳角。
總之，可藉由以下者施行步驟S1502：a)控制定位平台，以使水平線X1與面板133的縱向軸線141對齊，b)控制平台，以使單一感測器1402沿著X尺寸於方向1424a中平移橫越面板的長度127，c)同時測量單一感測器1402與面板133之間的距離。
然後，方法1500可繼續進行至步驟S1504，在此第二次將單一感測器1402平移橫越面板133之長度127，同時測量單一感測器1402與面板133之間的距離d，定向單一感測器1402，使得單一感測器1402之縱向軸線1410相對面板133的縱向軸線141以鈍角1416延伸。因為於第二示範實施例中僅存在單一感測器1402，所以步驟S1504係與第一示範實施例之步驟S504不同。尤其是，於已完成步驟S1502且單一感測器1402已橫越面板的長度通過之後，感測器旋轉平台(未示出)將單一感測器1402旋轉約90度。在替代實施例中，感測器旋轉平台係定位平台106。亦即，單一感測器1402應旋轉一角度1422，此角度1422係與第一示範實施例中的角度422相同。於此旋轉之後，單一感測器1402將定向進入與第一示範實施例中的第二感測器402相同之相對位置。換句話說，在使單一感測器1402旋轉角度1422之後，單一感測器1402現在將以與上面相對於第一示範實施例中的第二感測器402所討論的相同方式相對水平線X1成一鈍角。如上所述，圖19包括單一感測器1402在其已旋轉達角度1422之後的代表圖。如圖19中所示，以虛線所顯示之旋轉的單一感測器1402相對水平線X1形成與第一示範實施例中之角度416相同的鈍角1416、及相對水平線X1形成與第一示範實施例中之角度420相同的角度1420。
在單一感測器1402已旋轉至圖19中以虛線所示的位置之後，施行步驟S1504更包括控制平台106以使附加器107於第二方向1424b中沿著X尺寸運動(圖21B)，於此第二方向1424b係與第一方向1424a相反。因為水平線X1係與面板133的縱向軸線141對齊，所以附加器107沿著X尺寸在第二方向1424b中之運動將使單一感測器1402平移橫越面板133的長度127。再者，由於單一感測器1402在旋轉之後相對水平線X1的上述幾何形狀，定向單一感測器1402，使得單一感測器1402之縱向軸線1410相對面板133的縱向軸線141以鈍角1416延伸。於單一感測器1402之第二平移期間，控制感測器以感測，以測量第一感測器402與面板133之間的距離d。單一感測器1402以與上述相同之方式於Z尺寸中坐落在離面板133一段距離處。當單一感測器1402於X尺寸中在方向1424b中通過面板133下方時，單一感測器1402測量感測器與面板之間的距離d。
圖21B顯示當單一感測器1402於第二方向1424b中行進時，在單一感測器1402已旋轉之後，具有重疊至面板133的表面135上之單一感測器1402的面板133之仰視圖。亦即，於旋轉之後，當單一感測器1402係在面板133下方一定距離處時，第一次於方向1424b中通過期間，單一感測器1402的重疊至面板133上輔助示範單一感測器1402相對面板133的縱向軸線141之角度。如圖21A所視，一旦以上述方式適當地對齊，水平線X1及面板133的縱向軸線141就彼此重疊。因此，一旦已對齊，上面相對於圖19中以虛線所示之旋轉感測器所敘述的角度存在於圖21B中。因此，在單一感測器1402之第二平移期間，單一感測器1402相對面板133的縱向軸線141成一鈍角。
圖19、21A及21B之幾何形狀亦可敘述為單一感測器1402在第一方向中首次平移橫越面板133期間的縱向軸線1410、單一感測器1402於第二方向中第二次平移橫越面板期間之縱向軸線1410、及面板133的縱向軸線141(或水平線X1)當重疊並投射至水平面(或面板133之表面135)上時相交，以形成具有二個銳角1414、1420的三角形。更具體地，三角形將具有與如上所述者相同之角度1414、1420及1422。
儘管在圖18至21B中顯示出示範實施例需要相當少的動作就可使感測器橫越面板之長度通過、旋轉、且接著再次使感測器橫越面板的長度通過，其他實施例係可能的，於此非以上述方式定向單一感測器1402。更確切地說，可將單一感測器1402任意地放置在附加器107上之任何位置，包括相對水平線的任何位置及任何角度。然而，於此等實施例中，將需要對平台進行更複雜之控制，以致單一感測器1402最終以圖19中所示的幾何形狀橫越面板通過。例如，如果單一感測器遠離面板，且未相對平行於面板之縱向軸線的水平線先佔地成銳角，步驟S1502將包括使用平台以運動附加器，直至單一感測器坐落在正確之X及Y位置，且接著進一步旋轉附加器，直至單一感測器以圖19中所示方式相對面板133的縱向軸線141成一角度。然後，將施行旋轉單一感測器並使單一感測器第二次橫越面板通過之上述相同步驟。另外，儘管上面的敘述顯示單一感測器以銳角由右向左通過(圖21A)及接著以鈍角由左向右通過(圖21B)，但是任何行進方向都是可能的，並可顛倒角度順序。亦即，雖然所說明之第二示範實施例以具有與第一感測器402相同的定向之單一感測器1402開始，但是於另一實施例中，單一感測器1402能以與第二感測器404相同的定向第一次通過開始，且接著旋轉至與第一感測器402相同之定向第二次通過(亦即，與第二示範實施例中所說明者相反)。單一感測器係亦可能在每次通過時於相同方向中行進橫越面板，但是如此做將需要附加器107的更多運動，因為單一感測器將需要帶回至原始位置以在相同方向中通過兩次。藉由在相反方向中行進，需要較少之運動且因此需要較少的時間。
於步驟S1502及S1504期間所收集之資料係與上面在第一示範實施例中所討論者相同。亦即，由收集資料的角度來看，第一示範實施例與第二示範實施例之間沒有任何差異。在單一感測器的每一者橫越面板長度之每次平移期間，感測器將以上述相同的方式連續地測量並報告距離資料。所得資料係與上面討論之圖11及12中所顯示者相同。
於兩次通過面板之後，在收集來自單一感測器1402的距離資料d之後，此方法可繼續進行至步驟S1506，在此其係基於步驟S1502、S1504中所收集的資料、及預定基線資料來判定面板表面上之可成形材料的積聚量是否大於預定值。預定基線資料係與上面所討論者相同之資料。能以與第一示範實施例相同的方式來獲取收集基線資料之方式，或其能以與上面相對於步驟S1502及步驟S1504所討論者相同的方式來收集。較佳地係，如果正在實施第二示範實施例，則應使用單一感測器1402來獲取基線資料。在該案例中，如相對於第一示範實施例所討論者，步驟S1502及步驟S1504將在清潔面板上施行。所獲取之基線資料將為與第一示範實施例中之圖13及圖14中所顯示者相同，於此圖13將對應於單一感測器在第一次平移期間成銳角，且圖14將對應於單一感測器在第二次平移期間成鈍角(反之亦然)。
如上所述，步驟S1506包括基於在步驟S1502、S1504中所收集的資料、及預定基線資料來判定面板表面上之可成形材料的積聚量是否大於預定值。如在第一示範實施例中，此步驟可包括以相同方式由基線資料減去在步驟S1502、S1504中所收集之資料。第一示範實施例的圖15及圖16中所示之資料將為與第二示範實施例相同，於此圖15將對應於單一感測器在第一次平移期間成銳角，且圖16將對應於單一感測器在第二次平移期間成鈍角(反之亦然)。
與第一示範實施例一樣，在獲得圖15及16中所示資料之後，步驟S1506可更包括計算可成形材料坐落於藉由面板133的表面135所界定之X-Y平面上的位置之概率。這是以上述方式施行。在判定哪些資料點可能坐落於面板的表面上之後，步驟S1506可更包括將這些資料點的每一者與預定閾值進行比較。預定閾值係與上面相對於第一示範實施例所討論者相同。如果判定為可能存在面板表面上之任何資料點都大於此值，則對步驟S1506的答案為「是」，且此方法繼續進行至步驟S1508，在此清潔面板之表面。如果判定為可能存在面板表面上之任何資料點均不大於此預定值，則對步驟S1506的回答為「否」，且在藉由分配器施行預定數目的進一步分配之後、或已通過預定時間量之後，此方法返回至步驟S1502。預定分配量或預定時間量可為如上面相對於第一示範實施例所討論者。
如上所述，奈米壓印微影術系統100可為藉由一個以上的處理器140(控制器)所調節、控制及/或引導。這包括上述所有方法步驟，包括控制定位平台以上述方式將感測器運動橫越分配器之面板，且控制及接收來自感測器的資料。亦即，方法300、500、1500可全部藉由一個以上之處理器140(控制器)所控制。
鑑於此敘述，諸多態樣的進一步改良及替代實施例對於熟諳本技術領域者將是顯而易見的。因此，此敘述應被解釋為僅是說明性的。應當理解，本文所顯示及敘述之形式將被視為實施例的範例。例如，雖然所說明之實施例包括具有兩個感測器的示範實施例，但是角度式偵測之相同原理可應用至於其中使用三或更多個感測器的實施例。三或更多個感測器之間的角度中之差異可取決於感測器的數目。例如，如上所述，雖然兩個感測器相對彼此最佳成約90度之角度，但是在三或更多個感測器的案例中，相鄰感測器之間的角度可為更小，於此使用之感測器更多，則相鄰感測器之間的角度可為更小。例如，如果正好使用三個感測器，在此第三個感測器直立地(亦即，相對水平線X1成90度)設置於第一感測器402與第二感測器404之間，而相鄰感測器之間的角度可為45度。三個以上之感測器將進一步劃分相鄰感測器之間的角度。再者，於其他實施例中，三個以上之感測器可為相對彼此成不同角度。例如，如果正好使用三個感測器，在此第三感測器未直立地設置(亦即相對水平線具有小於或大於90度的角度)，則第一感測器與第三感測器之間的角度將為和第二感測器與第三感測器之間的角度不同。因此，相鄰感測器之間的角度可取決於存在多少感測器及每一感測器相對水平線X1之角度而變動。於較小角度的額外感測器將提供更多資料點，以更精確地判定可成形材料在面板上之位置。可針對特定應用最佳化所使用的感測器之數目及相鄰感測器之間的角度。例如，於某些應用中，感測器之數目可為多達20個、多達15個、多達10個、或多達5個。大致上，上述雙感測器實施例為大多數應用提供充分的資料來準確地判定面板上之積聚。在受益於本說明書之後，元件及材料可代替本文中所說明及敘述的那些，零件及材料可顛倒，且某些特徵可獨立地利用，所有這些對於熟諳本技術領域者將為顯而易見的。
100:奈米壓印微影術系統 102:基板 104:基板卡盤 106:基板定位平台 107:附加器 108:模板 109:上表面 110:台面 111:孔腔 112:圖案化表面 114:模板凹部 116:模板突出部 118:模板卡盤 120:壓印頭 122:流體分配器 123:第一端部 124:可成形材料 125:第二端部 126:輻射源 127:長度 128:曝光路徑 129:第一凸緣 130:基板表面 131:第二凸緣 132:基板塗層 133:面板 134:熱輻射源 135:表面 136:現場照相機 137:噴嘴 138:液滴檢查系統 139:寬度 140:處理器 141:縱向軸線 142:記憶體 244:凹入表面 246:台面側壁 300:壓印製程 402:第一感測器 404:第二感測器 406:中心點 408:中心點 410:縱向軸線 412:縱向軸線 414:角度 416:角度 418:角度 420:角度 422:角度 424:方向 500:方法 600:圖表 700:圖表 800:圖表 900:圖表 1000:圖表 1100:圖表 1200:圖表 1302:平面區域 1304:資料點 1306:資料點 1308:虛線 1310:虛線 1312:資料 1314:資料 1352:資料 1354:資料 1356:資料點 1358:資料點 1402:感測器 1404:感測器 1406:中心點 1410:縱向軸線 1414:角度 1416:鈍角 1418:角度 1420:角度 1422:角度 1424a:第一方向 1424b:第二方向 1500:方法
為了使本揭示內容之特徵及優點能夠被詳細地理解，可參考附圖中所說明的實施例來對本揭示內容之實施例進行更具體的敘述。然而，應當注意，附圖僅說明本揭示內容之典型實施例，且因此不應被認為是其範圍的限制，因為本揭示內容可允許其他等效之實施例。
[圖1]係按照示範實施例的示範奈米壓印微影術系統之圖示。
[圖2]係按照示範實施例的示範模板之圖示。
[圖3]係說明按照示範實施例的示範壓印方法之流程圖。
[圖4A]顯示按照示範實施例的分配器之側視圖。
[圖4B]顯示按照示範實施例的圖4A之分配器的底側視圖。
[圖4C]顯示按照示範實施例之圖4A的分配器之端部視圖。
[圖5A]顯示按照示範實施例之在可成形材料已積聚於面板的表面上之後的分配器之側視圖。
[圖5B]顯示按照示範實施例之在可成形材料已積聚於面板的表面上之後的圖5A之分配器的仰視圖。
[圖6A]顯示按照第一示範實施例之具有在基板上方的分配器之附加器的俯視圖。
[圖6B]顯示按照第一示範實施例之具有在附加器上方的分配器之圖6A的附加器之透視圖。
[圖7]顯示按照第一示範實施例的在表面上具有第一感測器及第二感測器之附加器的一部分之特寫視圖。
[圖8]顯示按照第一示範實施例的圖4A至圖5B中偵測所示分配器之面板的表面上之可成形材料的積聚之方法的流程圖。
[圖9]顯示按照第一示範實施例之第一感測器及第二感測器於面板下方的示意側視圖。
[圖10]顯示按照第一示範實施例之具有重疊至面板的表面上之第一感測器及第二感測器的面板之仰視圖。
[圖11]顯示按照第一及第二示範實施例的藉由第一感測器所收集之距離資料的圖表。
[圖12]顯示按照第一及第二示範實施例的藉由第二感測器所收集之距離資料的圖表。
[圖13]顯示按照第一及第二示範實施例的藉由第一感測器所收集之基線距離資料的圖表。
[圖14]顯示按照第一及第二示範例性實施例之藉由第二感測器所收集的基線距離資料之圖表。
[圖15]顯示按照第一及第二示範實施例之在減去圖13的基線資料之後的藉由圖11之第一感測器所收集的距離資料之圖表。
[圖16]顯示按照第一及第二示範實施例之在減去圖14的基線資料之後的藉由圖12之第二感測器所收集的距離資料之圖表。
[圖17A]顯示按照示範實施例的積聚位置概率之示意圖示。
[圖17B]顯示出圖15及16中所示資料計算出的積聚位置概率之示範圖示。
[圖18]顯示按照第二示範實施例的具有在基板上方之分配器的附加器之俯視圖。
[圖19]顯示按照第二示範實施例的圖18之附加器的一部分之特寫視圖，此附加器的表面上具有單一感測器以及在旋轉之後重疊此單一感測器。
[圖20]顯示按照第二示範實施例偵測圖18及19中所示分配器的面板表面上之可成形材料的積聚之方法的流程圖。
[圖21A]顯示按照第二示範實施例之當單一感測器於第一方向中行進時，具有重疊至面板表面上的單一感測器之面板的仰視圖。
[圖21B]顯示按照第二示範實施例之當單一感測器於第二方向中行進時，在單一感測器已旋轉之後，具有重疊至面板表面上的單一感測器之面板的仰視圖。
遍及諸多圖面，除非另有說明，否則相同之參考數目及字符使用於標示所說明實施例的相似特徵、元件、部件或部分。再者，儘管現在將參考圖面詳細地敘述本揭示內容，但是結合說明性示範實施例來完成本揭示內容。其係意欲可對所敘述之示範實施例進行改變及修改，而未脫離藉由所附請求項所界定的本揭示內容之真實範圍及精神。
102:基板
107:附加器
109:上表面
111:孔腔
122:流體分配器
402:第一感測器
404:第二感測器
406:中心點
408:中心點
X1:水平線

Claims (21)

  1. 一種檢查包括面板之分配器的方法，該面板具有第一端部、第二端部、表面、由該第一端部延伸至該第二端部之長度、及沿著該長度的縱向軸線，該方法包含： 在測量感測器與該面板之間的距離之同時，將該感測器平移橫越該面板的長度，其中定向該感測器，使得該感測器之縱向軸線相對該面板的縱向軸線於銳角延伸； 選自由以下所組成之族群的步驟： a)在測量另一感測器與該面板之間的距離之同時，將該另一感測器平移橫越該面板的長度，其中定向該另一感測器，使得該另一感測器之縱向軸線相對該面板的縱向軸線於鈍角延伸；及 b)在測量該感測器與該面板之間的距離之同時，該感測器橫越該面板的長度之另一平移，其中定向該感測器，使得該感測器之縱向軸線相對該面板的縱向軸線於鈍角延伸；及 基於所測量之距離，決定該面板表面上的可積聚成形之材料量是否大於預定值。
  2. 如請求項1的方法，其中該感測器及該另一感測器係電容式感測器。
  3. 如請求項1的方法，其中該感測器及該另一感測器之每一者具有40：1至10：1的縱橫比。
  4. 如請求項1的方法，其中該感測器及該另一感測器之每一者具有等於或大於該面板的寬度之長度。
  5. 如請求項1的方法，其中該銳角係由42°至48°，且該鈍角係由132°至138°。
  6. 如請求項1的方法，包含在測量該另一感測器與該面板之間的距離之同時，該另一感測器橫越該面板的長度之平移。
  7. 如請求項6的方法，其中該感測器及該另一感測器係一起平移橫越該面板之長度。
  8. 如請求項6的方法，其中於該感測器之平移及該另一感測器的平移期間，該感測器之縱向軸線與該另一感測器的縱向軸線相對彼此成88°至92°之角度。
  9. 如請求項6的方法，其中選擇該感測器及該另一感測器之行進速率，使得該感測器及該另一感測器在0.01至0.10秒內平移橫越該面板的長度。
  10. 如請求項6的方法，其中於該感測器及該另一感測器之平移期間，定向該感測器及該另一感測器，使得該第一感測器的縱向軸線、該第二感測器之縱向軸線、及該面板的縱向軸線當投射至水平面時相交，以形成具有二個銳角之三角形。
  11. 如請求項1的方法，包含在測量該感測器與該面板之間的距離之同時，該感測器橫越該面板的長度之另一平移。
  12. 如請求項11的方法，其中該感測器之平移及該感測器的另一平移係同時或相繼地施行。
  13. 如請求項12的方法，其中感測器之平移係在第一方向中施行，且另一平移係於與該第一方向相反的第二方向中施行。
  14. 如請求項11的方法，其中該感測器在該平移期間具有第一定向，且於該另一平移期間具有第二定向，使得該感測器在該第一定向中之縱向軸線、及該感測器於該第二定向中的縱向軸線當重疊並投射至該水平面時相交，以形成在88°至92°之角度。
  15. 如請求項11的方法，其中該感測器在該平移期間具有第一定向，且於該另一平移期間具有第二定向，使得該感測器在該第一定向中之縱向軸線、該感測器於該第二定向中的縱向軸線、及該面板之縱向軸線當重疊並投射至該水平面時相交，以形成具有二個銳角的三角形。
  16. 如請求項1的方法，在將該感測器平移橫越該面板的長度之前及於步驟a)或步驟b)之前，更包含： 在測量該感測器與無可成形材料的面板之間的距離之同時，將該感測器平移橫越該無可成形材料的面板之長度，其中定向該感測器，使得該感測器的縱向軸線相對該無可成形材料之面板的縱向軸線於該銳角延伸；及 選自由以下所組成之族群的步驟： c)在測量該另一感測器與該無可成形材料的面板之間的距離之同時，將該另一感測器平移橫越該無可成形材料的面板之長度，其中定向該另一感測器，使得該另一感測器的縱向軸線相對該無可成形材料之面板的縱向軸線於該鈍角延伸；及 d)在測量該感測器與該無可成形材料的面板之間的距離之同時，將該感測器橫越該無可成形材料的面板之長度的另一平移，其中定向該感測器，使得該感測器之縱向軸線相對該無可成形材料的面板之縱向軸線於該鈍角延伸； 其中決定該面板表面上的可積聚成形之材料量是否大於預定值係進一步基於針對該無可成形材料的面板所測量之距離。
  17. 如請求項1的方法，其中該感測器及該另一感測器係坐落在面向該面板之附加器的表面上。
  18. 如請求項17的方法，其中該感測器之平移、該另一感測器的平移、及該感測器之另一平移包含運動該附加器。
  19. 如請求項1的方法，更包含在決定該可積聚成形之材料量大於預定值的情況下，清潔該面板之表面。
  20. 一種用於檢查包括面板的分配器之系統，該面板具有： 第一端部； 第二端部； 表面； 由該第一端部延伸至該第二端部的長度；及 沿著該長度之縱向軸線， 該系統包含： 至少一感測器； 一個以上的處理器；及 一個以上之記憶體，其儲存當藉由一個以上的處理器執行時之指令，用於： 在測量該感測器與該面板之間的距離之同時，將該至少一感測器的感測器平移橫越該面板之長度，其中定向該感測器，使得該感測器的縱向軸線相對該面板之縱向軸線於銳角延伸； 施行選自由以下所組成的族群之步驟： a)在測量該另一感測器與該面板之間的距離之同時，將該至少一感測器的另一感測器平移橫越該面板之長度，其中定向該另一感測器，使得該另一感測器的縱向軸線相對該面板之縱向軸線於鈍角延伸；及 b)在測量該感測器與該面板之間的距離之同時，該感測器橫越該面板的長度之另一平移，其中定向該感測器，使得該感測器的縱向軸線相對該面板之縱向軸線於鈍角延伸；及 基於所測量的距離，決定該面板表面上之可積聚成形的材料量是否大於預定值。
  21. 一種製成物品的方法，包含： 清潔包括面板之分配器，該面板具有第一端部、第二端部、表面、由該第一端部延伸至該第二端部的長度、及沿著該長度之縱向軸線，該清潔包括： 在測量感測器與該面板之間的距離之同時，將該感測器平移橫越該面板的長度，其中定向該感測器，使得該感測器之縱向軸線相對該面板的縱向軸線於銳角延伸； 選自由以下所組成之族群的步驟： a)在測量該另一感測器與該面板之間的距離之同時，將該另一感測器平移橫越該面板的長度，其中定向該另一感測器，使得該另一感測器之縱向軸線相對該面板的縱向軸線於鈍角延伸；及 b)在測量該感測器與該面板之間的距離之同時，該感測器橫越該面板的長度之另一平移，其中定向該感測器，使得該感測器之縱向軸線相對該面板的縱向軸線於鈍角延伸； 基於所測量之距離，決定該面板表面上的可積聚成形之材料量是否大於預定值；及 在決定該可積聚成形的材料量大於預定值之情況下，清潔該面板的表面； 使用該分配器將該可成形材料之一部分分配至基板上； 在該基板上形成該分配的可成形材料之圖案或層；及 處理所形成的圖案或層以製成該物品。
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