JP2021182573A - 配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】接合部分での導電配線の密着性が強い良好な信頼性を有する配線基板を得る。【解決手段】配線基板の基板側から第１の導電配線、第２の導電配線が積層されてあり、前記第１の導電配線は前記基板側から、第１の下側導電性酸化物層、第１の金属配線層、および第１の上側導電性酸化物層の順に積層され、前記第２の導電配線は前記基板側から、第２の下側導電性酸化物層、第２の金属配線層、および第２の上側導電性酸化物層の順に積層され、第１の上側導電性酸化物層の厚さと、第２の下側導電性酸化物層の厚さと第２の上側導電性酸化物層の厚さの和を７０ｎｍ以上１３０ｎｍ未満にした構成を持つ配線基板を用いる。【選択図】図２

Description

本発明は、配線基板に関する。

プリント配線基板やインターポーザなどに代表される配線基板は複数の導電配線が積層された多層構造となっている。例えば特許文献１では基板上に形成された導電配線を導電配線１とし、導電配線１に積層される導電配線を導電配線２とすると、導電配線１と導電配線２は、絶縁層のスルーホールを介して接続されている。このように、配線基板はスルーホールを介した多層構造となっており、半導体パッケージ用基板用途として幅広く使用されている。

特開２０１７−０５４９２６号公報

半導体装置あるいは液晶表示装置用の、半導体基板やガラス基板の上に導電配線を形成する配線基板では、導電配線として、銅やアルミニウムといった低抵抗な材料を使用することが多い。しかしこのような材料では、ガラス基板などの基板との密着性や耐食性が劣る。例えば、銅は、半導体基板やガラス基板に対する密着性が低く、剥がれやすい。

また、絶縁層に形成したスルーホールを介して導電配線１および導電配線２を接合する接合部分において、配線同士の密着力不足により、断線不具合が発生することが多々ある。特に、温度サイクル試験を始めとするデバイス状態での信頼性試験において、配線材料と絶縁層の熱膨張差により、最も応力が集中するスルーホール部で配線間に剥離が生じ、断線に至るケースがしばしば起こり得る。

特許文献１では、導電配線として、金属配線層の上下を密着性が高く耐食性を有する材料でサンドイッチした挟持構成の導電配線を用いる配線基板が利用されている。

しかし、特許文献１の配線基板では、導電配線１と導電配線２が接合するスルーホール部は６層という多層な構造となっており、より複雑な応力が発生してしまう。それが、スルーホール部で断線を引き起こす一因となる。

本発明は、上記のような問題に鑑みてなされたものであり、金属配線層を有する導電配線のスルーホール部において良好な密着性および密着性に伴う良好な信頼性を有する配線基板を提供することを目的とする。

本発明は、上記の課題を解決するために、配線基板であって、基板と、前記基板上に直接的または間接的に配置した少なくとも２つの導電配線を有し、前記導電配線は、前記基板側から第１の導電配線、第２の導電配線が積層されてあり、前記第１の導電配線は前記基板側から、第１の下側導電性酸化物層、第１の金属配線層、および第１の上側導電性酸化物層の順に積層され、前記第２の導電配線は前記基板側から、第２の下側導電性酸化物層、第２の金属配線層、および第２の上側導電性酸化物層の順に積層され、第１の導電配線と第２の導電配線はスルーホールにおいて電気的に接続され、前記スルーホールにおける第１の上側導電性酸化物層の厚さと、第２の下側導電性酸化物層の厚さと第２の上側導電性酸化物層の厚さの和を７０ｎｍ以上１３０ｎｍ未満にしたことを特徴とする配線基板である。

本発明は、この構成により、配線基板の第１の導電配線の上に第２の導電配線を電気接続させた部分での各層の界面で強い密着力が得られる効果がある。

また、本発明は、上記の配線基板であって、前記基板がガラス基板であることを特徴とする配線基板である。

また、本発明は、上記の配線基板であって、前記第１の金属配線層および前記第２の金属配線層が銅、又は、銅合金であることを特徴とする配線基板である。

また、本発明は、上記の配線基板であって、前記第１の下側導電性酸化物層の厚さが１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であり、前記第１の上側導電性酸化物層の厚さが３０ｎｍ以上あり、前記第２の下側導電性酸化物層の厚さが１０ｎｍ以上あり、前記第２の上側導電性酸化物層の厚さが３０ｎｍ以上あることを特徴とする配線基板である。

本発明の配線基板は、基板側から第１の導電配線、第２の導電配線が積層されてあり、前記第１の導電配線は前記基板側から、第１の下側導電性酸化物層、第１の金属配線層、および第１の上側導電性酸化物層の順に積層され、前記第２の導電配線は前記基板側から、第２の下側導電性酸化物層、第２の金属配線層、および第２の上側導電性酸化物層の順に積層され、第１の上側導電性酸化物層の厚さと、第２の下側導電性酸化物層の厚さと第２の上側導電性酸化物層の厚さの和を７０ｎｍ以上１３０ｎｍ未満にした構成を持つ。

本発明の配線基板は、この構成により、第１の導電配線と第２の導電配線の電気接続部分での各層の界面で強い密着力が得られ、良好な信頼性を有する効果がある。

本発明の第１の実施形態の配線基板の構成の一例を示す模式的な断面図である。 本発明の第１の実施形態の配線基板のスルーホールを拡大した断面図である。 本発明の第１の実施形態の配線基板のスルーホールの第１の導電配線と第２の導電配線を構成する各層の厚さを詳細に定義する断面模式図である。

＜第１の実施形態＞
以下、本発明の第１の実施形態について図１から図３を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施形態の配線基板１００の構成の一例を示す模式的な断面図であり、図２は、配線基板１００のスルーホールＨを拡大した断面図であり、図３は、スルーホールＨにおける第１の導電配線１０と第２の導電配線２０を構成する各層の厚さを詳細に定義する断面模式図である。

図１に示すように、本実施形態の配線基板１００は、基板１０１と、第１の導電配線１０と、感光性フォトレジストで形成した絶縁層３１と、絶縁層３１の上の第２の導電配線２０で構成する。絶縁層３１に形成したスルーホールＨにおいて、第１の導電配線１０と第２の導電配線２０を電気接続させる。また、絶縁層３１と第２の導電配線２０の上層に、感光性フォトレジストで第２の絶縁層３２を形成する事もできる。

（配線基板）
配線基板１００は、種々の電子機器として、あるいは電子機器の一部として用いることができる。配線基板１００は、例えば、半導体を含む半導体装置であってもよい。配線基板１００は、画像または映像を表示する電子機器である表示装置の一部であってもよい。例えば、配線基板１００は、液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置などの表示装置に用いることができる。

基板１０１は特に限定されず、半導体基板、ガラス基板、シリコン基板、セラミックス基板、ポリイミドなどの有機樹脂を用いることができる。
特にガラス基板であるときに第１の導電配線と第２の導電配線の電気接続部分での各層の界面で強い密着力が得られ、良好な信頼性を有する効果を得やすいため好ましい。

（第１の導電配線１０の構成）
配線基板１００の基板１０１の上面に第１の導電配線１０を形成する。第１の導電配線１０は、図２の様に、基板１０１の表面から順に、第１の下側導電性酸化物層１１、金属配線層１２、および第１の上側導電性酸化物層１３をこの順に積層して構成する。なお、第１の下側導電性酸化物層１１、第１の上側導電性酸化物層１３を合わせて第１の導電性酸化物層と呼ぶこともある。金属配線層１２には銅、又は、銅合金を用いることが好ましい。

第１の導電配線１０の線幅は、配列方向によって変化していてもよいし、延在方向にわたって変化していてもよい。例えば、配線基板１００を液晶表示装置などの表示装置に用いる場合、第１の導電配線１０の線幅は、０．５μｍ以上、６μｍ以下としてもよく、６μｍを超えてもよい。

また、例えば、配線基板１００を半導体装置に用いる場合、第１の導電配線１０は、半導体用の描画装置や露光装置を用いて、サブミクロンの線幅とすることができる。

（スルーホールＨ）
図２の様に、感光性フォトレジストで基板１０１の表面および第１の導電配線１０を覆う絶縁層３１を形成する。さらに、絶縁層３１における第１の導電配線１０と第２の導電配線２０を接合する領域に、第２の導電配線２０から第１の導電配線１０に至る穴であるスルーホールＨを形成する。すなわち、絶縁層３１に形成されたスルーホールＨの穴の底には第１の導電配線１０が露出される。

スルーホールＨは、フォトレジストを塗布して露光・現像し、ウェットエッチング又はドライエッチングをすることで形成する。スルーホールＨは、テーパ形状に形成する。

（第２の導電配線２０の構成）
絶縁層３１の第１の導電配線１０とは反対側の面に上配線として、第２の導電配線２０を形成する。そして、スルーホールＨの穴の底に露出した第１の導電配線１０の上に第２の導電配線２０を重ねることで両者を電気接続させる。

上配線である第２の導電配線２０は、第１の導電配線１０と同様に、基板１０１側から、第２の下側導電性酸化物層２１、金属配線層２２、および第２の上側導電性酸化物層２３を順に積層して構成する。なお、第２の下側導電性酸化物層２１、第２の上側導電性酸化物層２３を合わせて第２の導電性酸化物層と呼ぶこともある。金属配線層２２には銅、又は、銅合金を用いることが好ましい。

図２の様に、第１の導電配線１０の金属配線層１２を下層の第１の下側導電性酸化物層１１と上層の第１の上側導電性酸化物層１３とで挟んでいる。このため、金属配線層１２の積層方向の表面は、第１の下側導電性酸化物層１１と第１の上側導電性酸化物層１３とによって覆われている。

第２の導電配線２０も同様に、金属配線層２２を下層の第２の下側導電性酸化物層２１と上層の第２の上側導電性酸化物層２３とで挟んでいる。

そして、スルーホールＨにおいて、第１の導電配線１０の上層の第１の上側導電性酸化物層１３と、第２の導電配線２０の下層の第２の下側導電性酸化物層２１とを密着させる。

このような第１の下側導電性酸化物層１１、金属配線層１２、および第１の上側導電性酸化物層１３の線幅が互いに等しい第１の導電配線１０は、後述するように、１回の露光工程を含むフォトリソグラフィによって形成する。第２の導電配線２０も、同様に、１回の露光工程を含むフォトリソグラフィによって形成する。

第１の導電配線１０の第１の下側導電性酸化物層１１および第１の上側導電性酸化物層１３は、いずれも、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）と呼称される、酸化インジウムと酸化錫の複合酸化物による低抵抗の透明導電膜で形成する。第２の導電配線１０の第２の下側導電性酸化物層２１と第２の上側導電性酸化物層２３も同様にＩＴＯで形成する。

第１の下側導電性酸化物層１１と第１の上側導電性酸化物層１３のＩＴＯのウェットエッチングによる加工性は、酸化亜鉛および酸化錫の相対量によって変化する。第１の下側導電性酸化物層１１と第１の上側導電性酸化物層１３のウェットエッチングによる加工性は、金属配線層１２のウェットエッチングによる加工性と同程度にするとよい。そうすることで、これら３層のパターン幅を略等しくすることができる。

スルーホールＨにおいて電気接続する第１の導電配線１０の第１の上側導電性酸化物層１３と第２の導電配線２０の第２の下側導電性酸化物層２１の界面は、ＩＴＯ同士となり、積層後のアニール処理に伴う結晶化で強固な結合力が得られる。

しかし、第１の上側導電性酸化物層１３の層厚と第２の下側導電性酸化物層２１の層厚の総和を厚くすると、内部応力の増加によって負荷が大きくなる。その結果、これらの層に隣接する金属配線層１２、金属配線層２２との界面で、それぞれ層間剥離が生じやすい。

そのため、後に説明するように、第１の導電配線１０の金属配線層１２と、第２の導電配線２０の金属配線層２２の間の導電性酸化物層の膜厚を最適化する必要がある。

図３に示す、第１の導電配線１０の第１の下側導電性酸化物層１１の層厚ｔ１および第１の上側導電性酸化物層１３の層厚ｔ２、及び、第２の導電配線２０の第２の下側導電性酸化物層２１の層厚ｔ３および第２の上側導電性酸化物層２３の層厚ｔ４は、以下の条件で設定することが望ましい。

第１の導電配線１０の上層の第１の上側導電性酸化物層１３や、第２の導電配線２０の上層の第２の上側導電性酸化物層２３は、金属配線層１２や金属配線層２２の保護膜の役割を担う。そのため、第１の上側導電性酸化物層１３の層厚ｔ２、及び、第２の上側導電性酸化物層２３の層厚ｔ４は、３０ｎｍ以上の厚さを持たせることが望ましい。その膜厚がそれより薄いと、大気下での熱処理によって、第１の導電配線１０の金属配線層１２や第２の導電配線２０の金属配線層２２の銅が容易に酸化する問題を生じるおそれがある。

第１の導電配線１０の第１の下側導電性酸化物層１１の層厚ｔ１および、第２の導電配線２０の第２の下側導電性酸化物層２１の層厚ｔ３は、例えば、１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下に形成することができる。なお、第１の導電配線１０と第２の導電配線２０の接着強度を同程度にするため、第１の下側導電性酸化物層１１の層厚ｔ１と第２の下側導電性酸化物層２１の層厚ｔ３は同じ層厚であることが好ましい。

（実験結果）
表１に、配線基板１００のスルーホールＨの部分の第１の導電配線１０と第２の導電配線２０の電気接続部分での剥離の有無を実験で確認した結果を示す。

表１は、導電性酸化物層と銅の金属配線の界面での剥離の有無を、第１の導電配線１０の上層の第１の上側導電性酸化物層１３の層厚ｔ２と、第２の導電配線２０の下層の第２の下側導電性酸化物層２１の層厚ｔ３と、第２の導電配線２０の上層の第２の上側導電性酸化物層２３の層厚ｔ４を変えて実験した結果を示す。

実験の結果、表１の様に、第１の上側導電性酸化物層１３の層厚ｔ２と第２の下側導電性酸化物層２１の層厚ｔ３と第２の上側導電性酸化物層２３の層厚ｔ４の和を１３０ｎｍ以上にすると、第２の下側導電性酸化物層２１と金属配線層２２の界面で剥離する不具合を生じることが分かった。

一方で、第１の上側導電性酸化物層１３の層厚ｔ２と第２の下側導電性酸化物層２１の層厚ｔ３と第２の上側導電性酸化物層２３の層厚ｔ４の和を１３０ｎｍ未満にすると、ＩＴＯの第２の下側導電性酸化物層２１と金属配線層２２の界面で剥離することのない高い密着性を有する積層膜を得ることができた。

そのため、上述のとおり、ＩＴＯの第１の導電配線１０の第１の上側導電性酸化物層１３の層厚ｔ２は３０ｎｍ以上にし、第２の導電配線２０の下層の第２の下側導電性酸化物層２１の層厚ｔ３は１０ｎｍ以上にすることが好ましく、さらに第１の導電配線１０の第１の上側導電性酸化物層１３の層厚ｔ２と、第２の導電配線２０の第２の下側導電性酸化物層２１の層厚ｔ３と第２の上側導電性酸化物層２３の層厚ｔ４の和は１３０ｎｍ未満にして配線基板１００を製造する。

以上より、第１の上側導電性酸化物層１３の層厚ｔ２と第２の下側導電性酸化物層２１の層厚ｔ３と第２の上側導電性酸化物層２３の層厚ｔ４の和を７０ｎｍ以上１３０ｎｍ未満にすることで、スルーホールＨにおいて電気接続している第１の導電配線１０の金属配線層１２と第２の導電配線２０の金属配線層２２の間の各層の界面で強い密着力を得ることが可能となり、スルーホールＨでの断線不具合が防止できる。

なお、第１の導電配線１０の金属配線層１２の層厚、及び、第２の導電配線２０の金属配線層２２の層厚は特に限定されない。金属配線層１２および金属配線層２２の層厚は、１００ｎｍ未満でもよい。また、金属配線層１２および金属配線層２２の層厚を、例えば、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下にすることもでき、あるいは、３００ｎｍよりも厚くすることもできる。

（製造方法）
次に、配線基板１００の製造方法について説明する。

（工程１）成膜工程
まず、配線基板１００の基板１０１上に、少なくとも第１の導電配線１０を形成する領域を含む範囲に、第１の下側導電性酸化物層１１、金属配線層１２、および第１の上側導電性酸化物層１３を、この順に連続成膜する。

成膜装置としては、スパッタリング装置などの真空装置を用いることができる。本工程における連続成膜は、真空を破らずに（装置内の真空状態を維持して）行う。

第１の下側導電性酸化物層１１、及び、第１の上側導電性酸化物層１３を形成する際には、ＩＴＯと呼称される酸化インジウムと酸化錫との混合酸化物をスパッタリングによって成膜する。そのための出発材料として、酸化インジウムと酸化錫との混合酸化物を焼結して、例えば、厚さ７ｍｍ程度のターゲットを製作する。

ＩＴＯの、酸化インジウムと酸化錫との混合酸化物のターゲットは導電性がある。ＤＣスパッタリングは、高周波でのＲＦスパッタリングよりも安定し、かつ、高速の成膜が可能である。また、高周波電源より直流電源のほうが安価であるため、第１の下側導電性酸化物層１１、及び、第１の上側導電性酸化物層１３をＩＴＯで形成する成膜を、ＤＣスパッタリングで成膜することがより望ましい。

金属配線層１２の成膜も、直流電源を用いたＤＣスパッタリングで成膜する。

連続成膜工程において、第１の下側導電性酸化物層１１、金属配線層１２、および第１の上側導電性酸化物層１３の成膜後、２００℃以上の熱処理を施してもよい。この場合、非晶質であった導電性酸化物層が結晶化するため、第１の導電配線１０の信頼性をさらに向上できる。

本工程では、真空を破らずに連続成膜を行うことによって、基板１０１、第１の下側導電性酸化物層１１、金属配線層１２、および第１の上側導電性酸化物層１３の各界面に水分などが付着することを抑制できる。そのため、成膜時に、水分などが付着して層間の界面が汚染されることに起因する配線基板１００の信頼性の低下を防ぐことができる。

（工程２）パターニング
成膜工程の終了後、第１の導電配線１０の第１の下側導電性酸化物層１１、金属配線層１２、および第１の上側導電性酸化物層１３の積層体のパターニングを行う。

本実施形態では、周知のフォトリソグラフィの手法を用いて、第１の導電配線１０の第１の下側導電性酸化物層１１、金属配線層１２、および第１の上側導電性酸化物層１３の積層体の上にエッチングレジストのパターンを形成する。

そして、第１の導電配線１０の第１の下側導電性酸化物層１１、金属配線層１２、および第１の上側導電性酸化物層１３の積層体を一括してウェットエッチングすることによりパターニングを行う。例えば、上述した例の積層体を、線幅４μｍ、間隔２１μｍのストライプ状の細線パターンに加工してもよい。

（工程３）フォトレジスト
次に、工程２の完成後の第１の導電配線１０の表面に、感光性フォトレジストを塗布する。次に、感光性フォトレジストを露光・現像し、ウェットエッチング又はドライエッチングをすることで形成したスルーホールＨを持つ絶縁層３１を形成する。

（工程４）成膜工程
次に、工程１と同様にして、スルーホールＨを持つ絶縁層３１を形成した配線基板１００の上に、第２の下側導電性酸化物層２１、金属配線層２２、および第２の上側導電性酸化物層２３を、この順に連続成膜する。

この工程４により成膜する第２の下側導電性酸化物層２１の層厚ｔ３と、工程２により成膜する第１の上側導電性酸化物層１３の層厚ｔ２は、第２の上側導電性酸化物層２３の層厚ｔ４も含めた総和が１３０ｎｍ未満になるように形成する。

（工程５）パターニング
工程４の終了後、工程２と同様にして、第２の導電配線２０の第２の下側導電性酸化物層２１、金属配線層２２、および第２の上側導電性酸化物層２３の積層体の上にエッチングレジストのパターンを形成して、一括してウェットエッチングすることによって、スルーホールＨと第１の導電配線１０のパターンを形成する。

（工程６）フォトレジスト
次に、工程３と同様にして、絶縁層３１と第２の導電配線２０の上層にフォトレジストを塗布し、露光・現像して第２の絶縁層３２を形成する事もできる。

以上の製造工程によって、図１に示すような、配線基板１００が製造できる。

本実施形態の配線基板１００によれば、第１の導電配線１０、及び、第２の導電配線２０の銅の金属配線の層厚方向の各表面は、それぞれに密着する第１の導電性酸化物層と第２の導電性酸化物層とによって覆われている。このため、金属配線の層厚方向の表面からの銅のマイグレーション、あるいは金属配線の酸化等の化学反応が抑制される効果がある。

金属配線層１２は、ガラスの基板１０１との密着性がよくない。このため、金属配線層１２を基板１０１の表面に直接密着させると基板１０１との界面で剥がれを生じる可能性があった。

それに対して、本実施形態における第１の導電配線１０は、第１の下側導電性酸化物層１１を介して、基板１０１に密着している。第１の下側導電性酸化物層１１は、基板１０１との密着性が良好である。このため、第１の導電配線１０は、金属配線層１２が直接的に基板１０１に積層される場合に比べて、基板１０１に堅固に固定され、基板１０１からの剥がれが防止される効果がある。

さらに、金属配線層１２、及び、金属配線層２２は、真空状態における連続成形において、第１の導電性酸化物層と第２の導電性酸化物層とに挟持されて形成される。すなわち、金属配線層１２、及び、金属配線層２２の表面がそれぞれ第１の導電性酸化物層および第２の導電性酸化物層によって被覆されるため、化学反応の進行を抑制できる。この結果、電気的な実装に耐える状態を経時的に維持することができる効果がある。

また、第２の下側導電性酸化物層２１の層厚と、第１の上側導電性酸化物層１３の層厚の和を４０ｎｍ以上８０ｎｍ未満に形成することで、スルーホールＨにおいて電気接続している第１の導電配線１０の金属配線層１２と第２の導電配線２０の金属配線層２２の間の各層の界面で強い密着力が得られる効果がある。

以上説明したように、第１の導電配線１０の金属配線層１２、及び、第２の導電配線２０の金属配線層２２は、第１の導電性酸化物層および第２の導電性酸化物層に挟持されているため、銅の金属配線の表面が露出する場合に比べて高い信頼性を有する。特に金属配線層１２、及び、金属配線層２２に銅を含む材料を用いたときにこの効果がより顕著となる。

以上で説明したように、本実施形態によれば、ガラスの基板１０１の上に導電配線を形成した配線基板１００を、銅配線を用いて容易に製造できるとともに、良好な信頼性のある配線基板１００が得られる効果がある。

１０・・・第１の導電配線
１１・・・第１の下側導電性酸化物層
１２・・・金属配線層
１３・・・第１の上側導電性酸化物層
２０・・・第２の導電配線
２１・・・第２の下側導電性酸化物層
２２・・・金属配線層
２３・・・第２の上側導電性酸化物層
３１・・・絶縁層
３２・・・第２の絶縁層
１００・・・配線基板
１０１・・・基板
Ｈ・・・スルーホール
ｔ１・・・第１の導電配線１０の第１の下側導電性酸化物層１１の層厚
ｔ２・・・第１の導電配線１０の第１の上側導電性酸化物層１３の層厚
ｔ３・・・第２の導電配線２０の第２の下側導電性酸化物層２１の層厚
ｔ４・・・第２の導電配線２０の第２の上側導電性酸化物層２３の層厚

Claims (4)

1. 配線基板であって、
   基板と、前記基板上に直接的または間接的に配置した少なくとも２つの導電配線を有し、
   前記導電配線は、前記基板側から第１の導電配線、第２の導電配線が積層されてあり、前記第１の導電配線は前記基板側から、第１の下側導電性酸化物層、第１の金属配線層、および第１の上側導電性酸化物層の順に積層され、
   前記第２の導電配線は前記基板側から、第２の下側導電性酸化物層、第２の金属配線層、および第２の上側導電性酸化物層の順に積層され、
   第１の導電配線と第２の導電配線はスルーホールにおいて電気的に接続され、前記スルーホールにおける第１の上側導電性酸化物層の厚さと、第２の下側導電性酸化物層の厚さと第２の上側導電性酸化物層の厚さの和を７０ｎｍ以上１３０ｎｍ未満にしたことを特徴とする配線基板。
2. 請求項１記載の配線基板であって、前記基板がガラス基板であることを特徴とする配線基板。
3. 請求項１又は２に記載の配線基板であって、前記第１の金属配線層および前記第２の金属配線層が銅、又は、銅合金であることを特徴とする配線基板。
4. 請求項１から３の何れか一項に記載の配線基板であって、前記第１の下側導電性酸化物層の厚さが１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であり、前記第１の上側導電性酸化物層の厚さが３０ｎｍ以上あり、前記第２の下側導電性酸化物層の厚さが１０ｎｍ以上あり、前記第２の上側導電性酸化物層の厚さが３０ｎｍ以上あることを特徴とする配線基板。

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