JP2021181118A - Thin film removal device and thin film removal method - Google Patents
Thin film removal device and thin film removal method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021181118A JP2021181118A JP2021083978A JP2021083978A JP2021181118A JP 2021181118 A JP2021181118 A JP 2021181118A JP 2021083978 A JP2021083978 A JP 2021083978A JP 2021083978 A JP2021083978 A JP 2021083978A JP 2021181118 A JP2021181118 A JP 2021181118A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film
- workpiece
- protective film
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 226
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 146
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 96
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 16
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 12
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000003517 fume Substances 0.000 description 6
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000004941 influx Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/361—Removing material for deburring or mechanical trimming
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
- B08B7/0042—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like by laser
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
- B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
- B23K26/57—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece the laser beam entering a face of the workpiece from which it is transmitted through the workpiece material to work on a different workpiece face, e.g. for effecting removal, fusion splicing, modifying or reforming
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
- B23K26/702—Auxiliary equipment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
Description
本発明の実施形態は、薄膜除去装置及び薄膜除去方法に関する。 Embodiments of the present invention relate to a thin film removing device and a thin film removing method.
外部の衝撃、あるいは酸素や水分の流入から、被加工物を保護するために、被加工物に保護膜が配置されることが可能である。該保護膜は、被加工物の外部に配置される薄膜形態の部材であり、被加工物と外部との接触を遮断し、被加工物の耐久性を高めることができる。 A protective film can be placed on the workpiece to protect it from external impacts or the influx of oxygen and moisture. The protective film is a member in the form of a thin film arranged outside the workpiece, and can block contact between the workpiece and the outside to enhance the durability of the workpiece.
しかし、被加工物上に配置された薄膜に異物が付着されているか、または製造過程で薄膜に不良が発生する場合、当該薄膜が他の被加工物または完成された製品に悪影響を与え、製品の収率が低下しうる。したがって、不良な薄膜、または汚染された薄膜を除去する必要がある。 However, if foreign matter adheres to the thin film placed on the work piece, or if the thin film is defective during the manufacturing process, the thin film adversely affects other work pieces or finished products, and the product Yield may decrease. Therefore, it is necessary to remove the defective thin film or the contaminated thin film.
従来の方法として、接着式テープを利用して、薄膜に付着された異物を直接除去する方法がある。しかし、当該方法は、手作業で行われるため、異物が完璧に除去されず、除去するのにかかる時間が長く、生産量が低下しうる。また、多くの人力が投入されなければならないので、収率を上げるためには人件費が増えることになる。 As a conventional method, there is a method of directly removing foreign matter adhering to the thin film by using an adhesive tape. However, since the method is performed manually, the foreign matter is not completely removed, it takes a long time to remove the foreign matter, and the production amount may decrease. In addition, since a large amount of human power must be invested, labor costs will increase in order to increase the yield.
また、汚染された薄膜、または不良な薄膜を除去するための従来の方法として、レーザーを利用した方式がある。しかし、レーザーで薄膜を加工する過程で、フュームなどの微細異物が発生し、それによって、他の被加工物及び/または薄膜に二次汚染が発生しうる。また、レーザー加工時に発生するフュームなどの微細異物を除去するために、吸入装置を稼動し続けなければならないので、コストが問題になる。 Further, as a conventional method for removing a contaminated thin film or a defective thin film, there is a method using a laser. However, in the process of processing a thin film with a laser, fine foreign matter such as fume is generated, which may cause secondary contamination of other workpieces and / or the thin film. In addition, since the suction device must be continuously operated in order to remove fine foreign substances such as fumes generated during laser processing, cost becomes a problem.
前述の背景技術は、発明者が本発明の導出のために保有していたか、あるいは本発明の導出過程で習得した技術情報であり、必ずしも本発明の出願前に一般公衆に公開された公知の技術とすることはできない。 The above-mentioned background technology is technical information possessed by the inventor for the derivation of the present invention or acquired in the process of deriving the present invention, and is not necessarily known to the general public before the filing of the present invention. It cannot be a technology.
本発明の実施形態は、被加工物の二次汚染なしに、被加工物の上面に配置された薄膜を除去することができる薄膜除去装置及び薄膜除去方法を提供することを目的とする。ただし、前述の課題は、本発明の実施形態によるものであり、本発明の目的及び解決しようとする課題は、それに限定されるものではない。 It is an object of the present invention to provide a thin film removing device and a thin film removing method capable of removing a thin film arranged on the upper surface of a work piece without secondary contamination of the work piece. However, the above-mentioned problems are based on the embodiments of the present invention, and the object of the present invention and the problems to be solved are not limited thereto.
本発明の一実施形態による薄膜除去装置は、被加工物に配置された薄膜上に保護フィルムを付着するフィルム付着装置と、レーザービームを照射し、前記被加工物から、前記薄膜と前記保護フィルムを一体に分離するレーザー加工ユニットと、前記被加工物から前記薄膜を離脱させるフィルム除去ユニットと、を含む。 The thin film removing device according to the embodiment of the present invention is a film adhering device for adhering a protective film on a thin film arranged on a work piece, and a laser beam is irradiated from the work piece to the thin film and the protective film. Includes a laser processing unit that integrally separates the thin film and a film removing unit that separates the thin film from the work piece.
本発明の一実施形態による薄膜除去装置において、前記保護フィルムは、前記薄膜に対応する形状を有し、前記薄膜の上面に付着された状態で、端部が前記薄膜の外側に突出してもよい。 In the thin film removing device according to the embodiment of the present invention, the protective film has a shape corresponding to the thin film, and the end portion may protrude to the outside of the thin film while being attached to the upper surface of the thin film. ..
本発明の一実施形態による薄膜除去装置において、前記レーザービームは、波長が440nmないし1500nmであり、前記保護フィルムを透過し、前記薄膜の一部を除去してもよい。 In the thin film removing device according to the embodiment of the present invention, the laser beam has a wavelength of 440 nm to 1500 nm and may pass through the protective film to remove a part of the thin film.
本発明の一実施形態による薄膜除去装置において、前記レーザー加工ユニットは、前記レーザービームを前記薄膜の内側領域に照射し、前記薄膜を前記被加工物の上面から浮き上がる(または、アブレーション)ようにし、前記レーザービームを前記薄膜のエッジに照射し、前記薄膜のエッジを前記被加工物の上面から分離させてもよい。 In the thin film removing device according to the embodiment of the present invention, the laser processing unit irradiates the inner region of the thin film with the laser beam so that the thin film is lifted (or ablated) from the upper surface of the work piece. The laser beam may be applied to the edge of the thin film to separate the edge of the thin film from the upper surface of the workpiece.
本発明の一実施形態による薄膜除去装置において、前記フィルム除去ユニットは、前記保護フィルムの端部を把持した状態で既定の方向に移動し、前記被加工物から、前記薄膜と前記保護フィルムを一体に離脱させてもよい。 In the thin film removing device according to the embodiment of the present invention, the film removing unit moves in a predetermined direction while grasping the end portion of the protective film, and integrates the thin film and the protective film from the workpiece. You may leave it to.
本発明の他の実施形態による薄膜除去方法は、被加工物に配置された薄膜上に保護フィルムを付着するステップと、前記レーザービームを照射し、前記被加工物から、前記薄膜と前記保護フィルムを一体に分離するステップと、前記被加工物から前記薄膜を離脱させるステップと、を含む。 The thin film removing method according to another embodiment of the present invention includes a step of adhering a protective film on a thin film arranged on a work piece, and irradiating the laser beam with the thin film and the protective film from the work piece. Includes a step of integrally separating the thin film and a step of separating the thin film from the workpiece.
本発明の他の実施形態による薄膜除去方法において、前記レーザービームは、波長が440nmないし1500nmであり、前記保護フィルムを透過し、前記薄膜の一部を除去してもよい。 In the thin film removing method according to another embodiment of the present invention, the laser beam has a wavelength of 440 nm to 1500 nm and may pass through the protective film to remove a part of the thin film.
本発明の他の実施形態による薄膜除去方法において、前記薄膜と前記保護フィルムを一体に分離するステップは、前記レーザービームを前記薄膜の内側領域に照射し、前記薄膜を前記被加工物の上面から浮き上がるようにするステップと、前記レーザービームを前記薄膜のエッジに照射し、前記薄膜のエッジを前記被加工物の上面から分離させてもよい。 In the thin film removing method according to another embodiment of the present invention, the step of integrally separating the thin film and the protective film is to irradiate the inner region of the thin film with the laser beam and to irradiate the thin film from the upper surface of the workpiece. The step of raising the surface and the laser beam may be applied to the edge of the thin film to separate the edge of the thin film from the upper surface of the workpiece.
本発明の他の実施形態による薄膜除去方法において、前記薄膜を離脱させるステップは、前記保護フィルムの端部を把持した状態で既定の方向に移動し、前記被加工物から、前記薄膜と前記保護フィルムを一体に離脱させてもよい。 In the thin film removing method according to another embodiment of the present invention, the step of separating the thin film moves in a predetermined direction while grasping the end portion of the protective film, and the thin film and the protection are removed from the workpiece. The film may be detached integrally.
前述した以外の他の側面、特徴及び利点は、以下の発明を実施するための形態、特許請求の範囲及び図面から明らかになるであろう。 Other aspects, features and advantages other than those mentioned above will be apparent from the embodiments, claims and drawings for carrying out the invention below.
本発明の一実施形態による薄膜除去装置及び薄膜除去方法は、被加工物の上面に配置された薄膜上に保護フィルムを付着し、レーザービームを照射し、被加工物の上面と薄膜とを分離することにより、薄膜除去工程で発生するフュームなどの異物が飛散及び拡散されることを防止することができるので、異物によって他の被加工物が二次汚染されることを防止することができる。 In the thin film removing device and the thin film removing method according to the embodiment of the present invention, a protective film is attached on the thin film arranged on the upper surface of the workpiece, a laser beam is irradiated, and the upper surface of the workpiece and the thin film are separated. By doing so, it is possible to prevent foreign matter such as fume generated in the thin film removing step from being scattered and diffused, so that it is possible to prevent other workpieces from being secondarily contaminated by the foreign matter.
本発明の一実施形態による薄膜除去装置及び薄膜除去方法は、薄膜と保護フィルムが付着された状態で工程を進めることにより、他の被加工物が二次汚染されることを確実に防止することができる。また、本発明の一実施形態による薄膜除去装置及び薄膜除去方法は、別途の吸入装置または排気装置を備える必要がなく、コストを画期的に低減することができる。 The thin film removing device and the thin film removing method according to the embodiment of the present invention ensure that other workpieces are prevented from being secondarily contaminated by proceeding with the process in a state where the thin film and the protective film are attached. Can be done. Further, the thin film removing device and the thin film removing method according to the embodiment of the present invention do not need to be provided with a separate suction device or exhaust device, and the cost can be drastically reduced.
本発明は、様々な変換を加えることができ、色々な実施形態を有することができるが、特定の実施形態を図面に例示し、詳細な説明によって詳細に説明する。しかし、それらは、本発明を、特定の実施形態によって限定するものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変換、均等物ないし代替物を含むものであると理解されなければならない。本発明を説明するにあたって、他の実施形態に図示されているとしても、同じ構成要素については、同じ識別符号を使用する。 The present invention can be subjected to various transformations and can have various embodiments, but specific embodiments are exemplified in the drawings and described in detail by detailed description. However, they should be understood not to limit the invention by any particular embodiment, but to include all transformations, equivalents or alternatives contained within the ideas and technical scope of the invention. In describing the present invention, the same identification code will be used for the same components, even if illustrated in other embodiments.
第1、第2などの用語は、様々な構成要素を説明するために使用されるが、このような用語によって構成要素が限定されるものではない。用語は、一つの構成要素を他の構成要素と区別する目的にのみ使用される。 Terms such as first and second are used to describe various components, but such terms do not limit the components. The term is used only to distinguish one component from the other.
本出願において使用した用語は、単に特定の実施形態を説明するために使用されたものであり、本発明を限定する意図ではない。本出願において、「含む」または「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数、段階、動作、構成要素、部品、またはそれらの組み合わせが存在するということを示すものであり、一つまたはそれ以上の他の特徴、数、段階、動作、構成要素、部品、またはそれらの組み合わせの存在または付加の可能性をあらかじめ排除するものではないと理解されなければならない。 The terms used in this application are used solely to describe a particular embodiment and are not intended to limit the invention. In this application, terms such as "include" or "have" indicate that the features, numbers, stages, actions, components, parts, or combinations thereof described herein are present. It must be understood that it does not preclude the existence or addition of one or more other features, numbers, stages, actions, components, parts, or combinations thereof.
図1は、本発明の一実施形態による薄膜除去装置10を示す図面の一例であり、図2は、図1のフィルム付着ユニット200の作動状態を示す図面の一例であり、図3は、図2の保護フィルムPFの様々な形態を示す図面の例である。
FIG. 1 is an example of a drawing showing a thin
図1ないし図3を参照すれば、本発明の一実施形態による薄膜除去装置10は、薄膜TFを除去するために利用可能である。より具体的には、薄膜除去装置10は、基板Sに含まれた複数個の被加工物Wの上面に配置された薄膜TFのうち、異物が付着された薄膜TF、または不良な薄膜TFを除去するのに利用可能である。
ただし、薄膜TFは、必ずしも異物が付着された薄膜TF、または不良な薄膜TFに限定されるものではなく、除去が必要な様々な状態の薄膜TFであってもよい。本明細書においては、発明の便宜上、異物が付着された薄膜TF、または不良な薄膜TFを中心に説明することができる。
Referring to FIGS. 1 to 3, the thin
However, the thin film TF is not necessarily limited to the thin film TF to which foreign matter is attached or the defective thin film TF, and may be a thin film TF in various states that need to be removed. In the present specification, for convenience of the invention, a thin film TF to which a foreign substance is attached or a defective thin film TF can be mainly described.
本発明の一実施形態による薄膜除去装置10は、ステージ100と、フィルム付着ユニット200と、レーザー加工ユニット300と、フィルム除去ユニット400とを含むことができる。
The thin
基板Sは、ステージ100の上面に載置される。一実施形態として、加工中に基板Sが揺れたり、振動したりすることを防止するために、ステージ100は、固定部材(図示せず)を含むことができる。例えば、ステージ100は、基板Sの上面を加圧して固定するグリッパー(図示せず)や、基板Sの下面を吸着する吸入孔(図示せず)を含むことができる。
The substrate S is placed on the upper surface of the
ステージ100は、加工中に固定された状態を維持するか、あるいはコントローラ(図示せず)の操作によって、少なくとも一方向に並進運動または回転運動することができる。
The
フィルム付着ユニット200は、ステージ100上に載置された被加工物W上に保護フィルムPFを付着する。一実施形態として、フィルム付着ユニット200は、被加工物Wの上面に配置された薄膜TF上に保護フィルムPFを付着することができる。
The
保護フィルムPFの材質は、特に限定されるものではない。一実施形態として、保護フィルムPFは、加工に使用されるレーザーが透過される材質であり、PETからなることができる。より具体的には、保護フィルムPFは、レーザー加工ユニット300から照射される、波長440nmないし1500nmのレーザービームLが透過される材質であり、透明または不透明な材質でもある。
The material of the protective film PF is not particularly limited. In one embodiment, the protective film PF is a material through which the laser used for processing is transmitted and can be made of PET. More specifically, the protective film PF is a material through which the laser beam L having a wavelength of 440 nm to 1500 nm irradiated from the
一実施形態として、保護フィルムPFは、光学用接着剤を含んでもよく、該光学用接着剤は、OCA(opticalclearadhesive)またはOCR(opticalclearresin)でもある。 In one embodiment, the protective film PF may contain an optical adhesive, which is also OCA (optical clearance) or OCR (optic clearance).
本発明の一実施形態によるフィルム付着ユニット200は、吸着パッド210と、第1ローラ220とを含むことができる。
The
吸着パッド210は、保護フィルムPFを吸着して薄膜TF上に付着させる。一実施形態として、吸着パッド210は、ローディングユニット(図示せず)にローディングされている保護フィルムPFを吸着して持ち上げることができる。そして、吸着パッド210は、異物が付着された薄膜TF、または不良な薄膜TFに移動した後、下方に移動し、保護フィルムPFを、異物が付着された薄膜TF、または不良な薄膜TF上に付着させることができる(図2の(a)参照)。
The
第1ローラ220は、薄膜TF上に付着された保護フィルムPFを加圧することができる。一実施形態として、第1ローラ220は、フィルム付着ユニット200の移動方向に移動しつつ、保護フィルムPFを上方から下方に加圧することができる。それによって、薄膜TFと保護フィルムPFとがより密接に付着されることが可能であり、特に、薄膜TFと保護フィルムPFとの間の気泡を除去し、薄膜TFと保護フィルムPFとの付着力を高めることができる。
The
一実施形態として、保護フィルムPFは、薄膜TFの形状に対応する形状を有することができる。より具体的には、図3に示すように、保護フィルムPFは、様々な形状を有する薄膜TFと同じ形状を有することができる。 In one embodiment, the protective film PF can have a shape corresponding to the shape of the thin film TF. More specifically, as shown in FIG. 3, the protective film PF can have the same shape as the thin film TF having various shapes.
保護フィルムPFの大きさは、特に限定されるものではない。一実施形態として、保護フィルムPFは、薄膜TFよりも既定の割合ほど大きいことが好ましい。すなわち、保護フィルムPFは、薄膜TFの形状に対応する形状を有するが、その大きさは薄膜TFよりも大きい。それによって、保護フィルムPFが薄膜TF上に付着された状態で、保護フィルムPFの端部が薄膜TFの外側に突出し、以後にフィルム除去ユニット400を利用して容易に薄膜TFを除去することができる
The size of the protective film PF is not particularly limited. In one embodiment, the protective film PF is preferably larger than the thin film TF by a predetermined ratio. That is, the protective film PF has a shape corresponding to the shape of the thin film TF, but its size is larger than that of the thin film TF. Thereby, in a state where the protective film PF is adhered on the thin film TF, the end portion of the protective film PF protrudes to the outside of the thin film TF, and thereafter, the thin film TF can be easily removed by using the
図4は、図1のレーザー加工ユニット300の一例を示す図面であり、図5及び図6は、図4の図1のレーザー加工ユニット300の作動状態を示す図面の例である。
4 is a drawing showing an example of the
本発明の一実施形態による薄膜除去装置10は、レーザー加工ユニット300を利用して、被加工物W上に配置された薄膜TFを分離することができる。レーザー加工ユニット300は、所定の波長及びエネルギーを有するレーザービームを照射し、被加工物Wから、薄膜TFと保護フィルムPFを一体に分離することができる。
The thin
図4を参照すれば、一実施形態として、レーザー加工ユニット300は、レーザー発振器310と、光学系320と、レーザーコントローラ330とを含むことができる。
Referring to FIG. 4, as one embodiment, the
レーザー発振器310は、特定の媒質を励起させ、レーザービームLを生成することができる。レーザー発振器310で使用される媒質は、特に限定されるものではなく、液体、気体、固体または半導体を利用することができる。
The
レーザー発振器310で発振されたレーザービームLの波長は、特に限定されるものではない。好ましくは、レーザービームLは、ブルーレーザーないし近赤外線レーザーであり、440nmないし1500nmの波長を有することができる。
The wavelength of the laser beam L oscillated by the
一実施形態として、レーザー発振器310は、パルスレーザーを生成することができる。レーザー発振器310は、Qスイッチング装置を備えてもよく、それによって、psないしfsの極超短パルス幅を有するレーザービームLを生成することができる。
In one embodiment, the
光学系320は、レーザー発振器310で生成されたレーザービームLの光路を制御するか、または被加工物W上に照射されるレーザービームLのスポットなどを成形することができる。
The
本発明の一実施形態による光学系320は、2つのガルバノメーター321a、321bと、Fシータレンズ322とを含むことができる。
The
ガルバノメーター321a、321bは、サーボモータ(図示せず)及びそれを制御するレーザーコントローラ330によって、入射されるレーザービームLの光路を制御することができる。ガルバノメーター321a、321bは、少なくともいずれか1つの軸、例えば、X軸またはY軸を中心に回転することができる。それによって、レーザー発振器310で発振されたレーザービームLは、ガルバノメーター321a、321bによって既定の経路に沿って移動することができる。
The
ガルバノメーター321a、321bを通過したレーザービームLは、Fシータレンズ322に入射可能である。Fシータレンズ322は、レーザービームLを集光し、ステージ100上に載置された被加工物Wの既定の位置に照射することができる。
The laser beam L that has passed through the
レーザーコントローラ330は、レーザー発振器310、光学系320及びステージ100を制御することができる。一実施形態として、レーザーコントローラ330は、ステージ100上に載置された被加工物Wの位置、レーザービームLの移動速度及び照射位置などを考慮して、レーザー発振器310で発振されるレーザービームLの照射タイミングを制御することができる。あるいは、レーザーコントローラ330は、レーザー発振器310から照射されるレーザービームLの出力または波長などを制御することができる。
The
また、レーザーコントローラ330は、光学系320、すなわち、ガルバノメーター321a、321bとFシータレンズ322との位置を制御し、レーザービームLの光路及び照射位置などを制御することができる。
Further, the
また、レーザーコントローラ330は、レーザー加工中にレーザー加工ユニット300自体を加工方向に移動させるか、またはステージ100を加工方向に移動させ、レーザー加工を行うことができる。
Further, the
他の実施形態として、レーザー加工ユニット300は、レーザー発振器310で発振されたレーザービームLを2つのレーザービームに分割するビームスプリッターを含むことができる。この際、前記ビームスプリッターは、偏光ビームスプリッター(polarizingbeamsplitter:PBS)であり、レーザービームを、相異なる偏光状態を有するレーザービームを利用することができる。
それによって、本発明によるレーザー加工ユニット300は、特定の偏光状態を有するレーザービームのみを利用して、レーザー加工品質を高めることができるか、あるいは、2つに分割されたレーザービームをいずれも利用して、レーザー加工速度を上げることができる。
As another embodiment, the
Thereby, the
図5を参照すれば、レーザー加工ユニット300から照射されたレーザービームLは、薄膜TFに照射可能である。一実施形態として、レーザービームLは、440nmないし1500nmの波長を有し、保護フィルムPFは、当該波長のレーザービームLを透過させる材質からなることができる。それによって、図5の(a)に示すように、レーザービームLは、保護フィルムPFを透過し、薄膜TFの下面に照射可能である。そして、レーザービームLによって、薄膜TFの一部が除去されつつ、被加工物Wの上面と、薄膜TFの少なくとも一部とが互いに分離されることが可能である。この際、薄膜TFと保護フィルムPFは互いに付着された状態であるので、被加工物Wの上面から、薄膜TFと保護フィルムPFが一体に分離されることが可能である。
Referring to FIG. 5, the laser beam L irradiated from the
図6を参照すれば、レーザー加工ユニット300から照射されたレーザービームLは、平面視において、例えば、XY平面視において、薄膜TFの内部領域に照射され、被加工物Wの上面から薄膜TFを浮き上がるようにする。また、レーザービームLは、XY平面視において、薄膜TFのエッジに沿って照射され、薄膜TFのエッジを被加工物Wの上面から分離させることができる。
Referring to FIG. 6, the laser beam L irradiated from the
すなわち、本発明の一実施形態による薄膜除去装置10は、レーザー加工中に薄膜TFの上面に保護フィルムPFが付着された状態であるので、レーザービームLを照射する工程で発生するフュームなどの異物が飛散することを最小化することができる。それによって、異物により他の薄膜TFが二次汚染されるという問題を防止することができる。
That is, since the thin
図7は、フィルム除去ユニット400の作動状態を示す図面の一例である。
FIG. 7 is an example of a drawing showing an operating state of the
図7を参照すれば、フィルム除去ユニット400は、レーザー加工ユニット300によって被加工物Wの上面から分離された薄膜TFを除去することができる。
Referring to FIG. 7, the
本発明の一実施形態によるフィルム除去ユニット400は、第2ローラ410と、グリッパー420とを含むことができる。
The
レーザー加工ユニット300によって、被加工物Wの上面と薄膜TFとが互いに分離されれば、フィルム除去ユニット400がステージ100上に移動することができる。フィルム除去ユニット400は、第2ローラ410を利用して保護フィルムPFに接着した後に持ち上げ、薄膜TFの一部を被加工物Wの上面から離隔させることができる。
If the upper surface of the workpiece W and the thin film TF are separated from each other by the
一実施形態として、第2ローラ410の外周面には、所定の接着部材が配置可能である。ここで、被加工物Wの上面と薄膜TFとは、レーザー加工ユニット300によって分離された状態である一方、薄膜TFは、保護フィルムPFと付着された状態である。それによって、第2ローラ410が保護フィルムPFの上面と接触した状態で、上下方向または左右方向に移動すれば、保護フィルムPFも第2ローラ410に付着された状態で、同一の方向に移動することになる。
As one embodiment, a predetermined adhesive member can be arranged on the outer peripheral surface of the
フィルム除去ユニット400は、第2ローラ410を既定の方向に移動させ、薄膜TFの端部を被加工物Wの上面から離隔させることができる(図7の(a)参照)。
The
グリッパー420は、薄膜TFを被加工物Wの上面から完全に離脱させることができる。
The
一実施形態として、グリッパー420は、第2ローラ410によって薄膜TFが被加工物Wの上面から離隔された状態で、保護フィルムPFの端部を把持することができる。
As one embodiment, the
フィルム除去ユニット400は、グリッパー420が保護フィルムPFの端部を把持した状態で既定の方向に移動し、被加工物Wから、薄膜TFと保護フィルムPFを一体に離脱させることができる(図7の(b)参照)。
The
図8は、比較例と発明例との薄膜除去工程の前後を示す図面の一例である。 FIG. 8 is an example of a drawing showing before and after the thin film removing step between the comparative example and the invention example.
図8において、工程前は、被加工物Wの上面に薄膜TFが付着された状態を示し、比較例1は、レーザー照射装置及び吸入装置を利用して薄膜TFを除去した状態を示し、比較例2は、超音波洗浄機を利用して薄膜TFを除去した状態を示し、発明例は、本発明の一実施形態による薄膜除去装置10を利用して薄膜TFを除去した状態を示す。
FIG. 8 shows a state in which the thin film TF is attached to the upper surface of the workpiece W before the step, and Comparative Example 1 shows a state in which the thin film TF is removed by using a laser irradiation device and a suction device for comparison. Example 2 shows a state in which the thin film TF is removed by using an ultrasonic cleaner, and Example 2 shows a state in which the thin film TF is removed by using the thin
図8に示すように、従来のレーザー照射装置を利用して薄膜TFを除去する場合、フュームなどの異物が発生し、当該異物が吸入装置によって吸入されずに残存し、被加工物Wを二次汚染させ得る。また、除去工程の間に吸入装置を稼動し続けなければならないので、経済的ではない。 As shown in FIG. 8, when the thin film TF is removed by using a conventional laser irradiation device, foreign matter such as fume is generated, and the foreign matter remains without being sucked by the suction device, and the workpiece W is removed. Can be contaminated next. It is also uneconomical as the inhaler must continue to operate during the removal process.
同様に、従来の超音波洗浄機を利用して薄膜TFを除去するとしても、その過程で発生した異物が被加工物Wを二次汚染させる恐れがある。 Similarly, even if the thin film TF is removed by using a conventional ultrasonic cleaner, foreign matter generated in the process may secondarily contaminate the workpiece W.
一方、本発明による薄膜除去装置10は、除去しようとする薄膜TFの上面に保護フィルムPFを付着した状態で、レーザービームLを照射するので、その過程で発生したフュームなどの異物が飛散することを最小化することにより、異物により他の被加工物Wが二次汚染されることを防止することができる。
On the other hand, the thin
特に、本発明の一実施形態による薄膜除去装置10は、薄膜TF上に保護フィルムPFが付着された後、フィルム除去ユニット400によって薄膜TFを除去するまでに、薄膜TFの上面に保護フィルムPFが付着された状態を維持することができるので、他の薄膜TFと被加工物Wが二次汚染されることをより確実に防止することができる。
In particular, in the thin
再び図1を参照すれば、本発明の一実施形態による薄膜除去装置10は、検査ユニット500をさらに含んでもよい。
Referring to FIG. 1 again, the thin
検査ユニット500は、被加工物Wの位置を検出し、検出された位置についての情報を、フィルム付着ユニット200、レーザー加工ユニット300及びフィルム除去ユニット400のうち少なくともいずれか1つに伝達することができる。
The
一実施形態として、検査ユニット500は、ビジョンカメラ(図示せず)を含むことができる。検査ユニット500は、前記ビジョンカメラを利用して、ステージ100上に載置された被加工物Wを撮像し、映像を獲得することができる。そして、検査ユニット500は、撮像された映像に基づいて、汚染された被加工物W、または不良な被加工物W(より具体的には、薄膜TFが汚染されるか、または不良な被加工物W)を判別することができる。
In one embodiment, the
また、検査ユニット500は、撮像された映像に基づいて、汚染されているか、または不良な被加工物Wの位置を検出し、位置情報を、フィルム付着ユニット200、レーザー加工ユニット300及びフィルム除去ユニット400に伝達することができる。
Further, the
フィルム付着ユニット200は、伝達された被加工物Wの位置情報に基づいて、保護フィルムPFを当該被加工物Wの上面に付着することができる。
The
レーザー加工ユニット300は、伝達された被加工物Wの位置情報に基づいて、当該被加工物Wの上面にレーザービームLを照射することができる。また、レーザーコントローラ330は、伝達された被加工物Wの位置情報に基づいて、光学系320を制御し、レーザービームLの光路と照射位置などを制御することができる。
The
フィルム除去ユニット400は、伝達された被加工物Wの位置情報に基づいて、当該被加工物Wの上面から薄膜TFを離脱させることができる。
The
一実施形態として、検査ユニット500は、薄膜TFが離脱された被加工物Wの上面を再び検査し、薄膜TFが正しく離脱されたか否かを検査することができる。
As one embodiment, the
一方、被加工物Wがステージ100の上面に載置された状態で、フィルム付着ユニット200と、レーザー加工ユニット300と、フィルム除去ユニット400と、検査ユニット500とがステージ100に接近して動作するものと示されているが、それに限定されるものではない。
On the other hand, with the workpiece W placed on the upper surface of the
例えば、1本のライン上に、フィルム付着ユニット200と、レーザー加工ユニット300と、フィルム除去ユニット400と、検査ユニット500とが配置され、ステージ100が前記ラインに沿って一方向に移動しつつ、被加工物Wに対する加工が行われてもよい。
For example, a
図9は、本発明の他の実施形態による薄膜除去方法を示す図面の一例である。 FIG. 9 is an example of a drawing showing a thin film removing method according to another embodiment of the present invention.
図9を参照すれば、本発明による薄膜除去方法は、被加工物Wに配置された薄膜TF上に保護フィルムPFを付着するステップS100と、レーザービームLを照射し、被加工物Wから、薄膜TFと保護フィルムPFを一体に分離するステップS200と、被加工物Wから薄膜TFを離脱させるステップS300とを含むことができる。 Referring to FIG. 9, the thin film removing method according to the present invention comprises step S100 of adhering the protective film PF on the thin film TF arranged on the workpiece W, and irradiating the laser beam L from the workpiece W. The step S200 for integrally separating the thin film TF and the protective film PF and the step S300 for separating the thin film TF from the workpiece W can be included.
まず、図1ないし図9を参照すれば、移送ユニット(図示せず)などによってステージ100上に被加工物Wが載置された状態で、被加工物Wの上面に配置された薄膜TF上に、フィルム付着ユニット200を利用して保護フィルムPFを付着する。
First, referring to FIGS. 1 to 9, the work piece W is placed on the
より具体的には、フィルム付着ユニット200の吸着パッド210によって、ローディングユニット(図示せず)上にローディングされている保護フィルムPFを吸着して支持する。次いで、フィルム付着ユニット200を被加工物Wの薄膜上に位置させた状態で下降し、保護フィルムPFを薄膜TF上に付着する。保護フィルムPFの下面には、OCRまたはOCAのような接着剤を含んでもよい。
More specifically, the
保護フィルムPFを薄膜TF上に付着した後、フィルム付着ユニット200の第1ローラ220で保護フィルムPFを加圧する。それによって、保護フィルムPFと薄膜TFとがより密接に付着され、保護フィルムPFと薄膜TFとの間に存在する気泡を除去することができる。
After adhering the protective film PF on the thin film TF, the protective film PF is pressed by the
次いで、保護フィルムPFが付着された薄膜TFをレーザー加工ユニット300で加工する。一実施形態として、レーザー加工ユニット300のレーザー発振器310でレーザービームLを生成し、光学系320を制御し、レーザービームLの照射位置及び光路を制御して、被加工物Wの上面に照射する。
Next, the thin film TF to which the protective film PF is attached is processed by the
この際、レーザービームLの波長は、440nmないし1500nmであり、当該波長を有するレーザービームLは、保護フィルムPFを透過し、被加工物Wの上面に付着された薄膜TFの下部に照射される。それによって、薄膜TFの一部が除去されつつ、被加工物Wの上面から、薄膜TFと保護フィルムPFを一体に分離することができる。 At this time, the wavelength of the laser beam L is 440 nm to 1500 nm, and the laser beam L having the wavelength passes through the protective film PF and is irradiated to the lower portion of the thin film TF attached to the upper surface of the workpiece W. .. As a result, the thin film TF and the protective film PF can be integrally separated from the upper surface of the workpiece W while a part of the thin film TF is removed.
一実施形態として、薄膜TFを分離するステップS200は、レーザービームLを薄膜TFの内側領域に照射するステップ、すなわち、ハッチングステップと、レーザービームLを薄膜TFのエッジに沿って照射するステップ、すなわち、トリミングステップとを含むことができる。 As one embodiment, the step S200 for separating the thin film TF is a step of irradiating the inner region of the thin film TF with the laser beam L, that is, a hatching step and a step of irradiating the laser beam L along the edge of the thin film TF, that is, , Trimming steps and so on.
ハッチングステップでは、図6のXY平面視において、レーザービームLを薄膜TFの内側領域に照射し、薄膜TFが被加工物Wの上面から全体的に浮き上がるようにすることができる。一実施形態として、ハッチングステップでは、光学系320のガルバノメーター321a、321bを制御し、速い速度でレーザービームLの照射位置を制御することにより、迅速に実施することができる。
In the hatching step, in the XY plan view of FIG. 6, the laser beam L can be applied to the inner region of the thin film TF so that the thin film TF is totally lifted from the upper surface of the workpiece W. As one embodiment, the hatching step can be carried out quickly by controlling the
トリミングステップでは、図6のXY平面視において、レーザービームLを薄膜TFのエッジに沿って照射し、薄膜TFのエッジが被加工物Wの上面から分離されるようにすることができる。 In the trimming step, in the XY plan view of FIG. 6, the laser beam L can be irradiated along the edge of the thin film TF so that the edge of the thin film TF is separated from the upper surface of the workpiece W.
一実施形態として、ハッチングステップを実施した後、トリミングステップを実施することができる。すなわち、ハッチングステップでは、薄膜TFのエッジが被加工物Wの上面に付着された状態でもある。それによって、ハッチングステップ中に、薄膜TFのエッジが浮き上がることを防止し、薄膜TFをより精密に分離することができる。 As one embodiment, after performing the hatching step, the trimming step can be carried out. That is, in the hatching step, the edge of the thin film TF is also in a state of being attached to the upper surface of the workpiece W. Thereby, the edge of the thin film TF can be prevented from being lifted during the hatching step, and the thin film TF can be separated more precisely.
次いで、分離された薄膜TFをフィルム除去ユニット400で被加工物Wの上面から離脱させる。一実施形態として、フィルム除去ユニット400の第2ローラ410を保護フィルムPFの上面に接触させる。第2ローラ410は、ローラの外周面に所定の接着部材が配置されているので、第2ローラ410を既定の方向に移動させることにより、保護フィルムPFを同一な方向に移動させることができる。
Next, the separated thin film TF is separated from the upper surface of the workpiece W by the
ここで、薄膜TFは、被加工物Wの上面から分離された状態であるが、保護フィルムPFと付着された状態である。したがって、第2ローラ410を保護フィルムPFのエッジに付着させた状態で上方に持ち上げ、保護フィルムPFと薄膜TFを一体に持ち上げることができる。
Here, the thin film TF is in a state of being separated from the upper surface of the workpiece W, but is in a state of being adhered to the protective film PF. Therefore, the
次いで、フィルム除去ユニット400のグリッパー420で薄膜TFを被加工物Wの上面から離脱させる。グリッパー420は、第2ローラ410によって持ち上げられた保護フィルムPFの端部を把持することができ、グリッパー420を既定の方向に移動させることにより、保護フィルムPFと薄膜TFを一体に被加工物Wの上面から離脱させることができる。
Next, the thin film TF is separated from the upper surface of the workpiece W by the
一実施形態として、検査ユニット500で被加工物Wの位置を検出するステップをさらに含んでもよい。より具体的には、被加工物Wの上面に配置された薄膜TF上に保護フィルムPFを付着する前に、検査ユニット500の前記ビジョンカメラを利用して、被加工物Wの映像を撮像することができる。
As one embodiment, the
次いで、検査ユニット500は、撮像された映像に基づいて、被加工物Wの位置についての情報を算出することができる。
Next, the
また、検査ユニット500が、被加工物Wの位置情報を、フィルム付着ユニット200、レーザー加工ユニット300及びフィルム除去ユニット400のうち少なくともいずれか1つに伝達するステップをさらに含んでもよい。
Further, the
それによって、保護フィルムPFを付着するステップで、フィルム付着ユニット200は、伝達された被加工物Wの位置情報に基づいて、保護フィルムPFを薄膜TF上に位置させることができる。
Thereby, in the step of adhering the protective film PF, the
また、薄膜TFを分離するステップで、レーザー加工ユニット300は、伝達された被加工物Wの位置情報に基づいて、レーザー発振器310及び光学系320を制御することにより、レーザー加工を行うことができる。
Further, in the step of separating the thin film TF, the
また、薄膜TFを離脱させるステップで、フィルム除去ユニット400は、伝達された被加工物Wの位置情報に基づいて、薄膜TFを被加工物Wの上面から離脱させることができる。
Further, in the step of separating the thin film TF, the
一実施形態として、検査ユニット500で被加工領域を検査するステップをさらに含んでもよい。より具体的には、フィルム除去ユニット400で薄膜TFを除去した後、検査ユニット500で、薄膜TFが除去された被加工物Wの上面を撮像することができる。検査ユニット500は、撮像された映像に基づいて、被加工物Wの上面の汚染状態、あるいは薄膜TFが除去されたか否かなどを判断することができる。
As one embodiment, the
本発明の一実施形態による薄膜除去装置10及び薄膜除去方法は、汚染されるか、または不良な被加工物Wの上面に配置された薄膜TF上に保護フィルムPFを付着し、保護フィルムPFを透過するレーザービームLを照射し、被加工物Wの上面から、薄膜TFと保護フィルムPFを一体に離脱させることができ、レーザーの照射によって発生する異物により被加工物Wが二次汚染されることを防止することができる。
In the thin
本発明の一実施形態による薄膜除去装置10及び薄膜除去方法は、薄膜TFと保護フィルムPFとが付着された状態で工程を進めることにより、他の被加工物Wが二次汚染されることを確実に防止することができる。
In the thin
本明細書においては、本発明を、限定された実施形態を中心に説明したが、本発明の範囲内で様々な実施形態が可能である。また、述べられていないが、均等な手段も本発明にそのまま結合されるといえるであろう。したがって、本発明の真の保護範囲は、下記の特許請求の範囲によって決まらなければならない。 In the present specification, the present invention has been described with a focus on limited embodiments, but various embodiments are possible within the scope of the present invention. Also, although not mentioned, it can be said that equal means are directly coupled to the present invention. Therefore, the true scope of protection of the present invention must be determined by the following claims.
Claims (9)
レーザービームを照射し、前記被加工物から、前記薄膜と前記保護フィルムを一体に分離するレーザー加工ユニットと、
前記被加工物から前記薄膜を離脱させるフィルム除去ユニットと、を含むことを特徴とする薄膜除去装置。 A film adhering device that adheres a protective film on a thin film placed on a work piece,
A laser processing unit that irradiates a laser beam and integrally separates the thin film and the protective film from the work piece.
A thin film removing device including a film removing unit that separates the thin film from the workpiece.
前記レーザービームを前記薄膜のエッジに照射し、前記薄膜のエッジを前記被加工物の上面から分離させることを特徴とする請求項1に記載の薄膜除去装置。 The laser processing unit irradiates the inner region of the thin film with the laser beam so that the thin film floats from the upper surface of the workpiece.
The thin film removing device according to claim 1, wherein the laser beam is applied to the edge of the thin film to separate the edge of the thin film from the upper surface of the workpiece.
レーザービームを照射し、前記被加工物から、前記薄膜と前記保護フィルムを一体に分離するステップと、
前記被加工物から前記薄膜を離脱させるステップと、を含むことを特徴とする薄膜除去方法。 The step of adhering the protective film on the thin film placed on the work piece,
A step of irradiating a laser beam to integrally separate the thin film and the protective film from the workpiece.
A method for removing a thin film, which comprises a step of separating the thin film from the workpiece.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2020-0059334 | 2020-05-18 | ||
KR1020200059334A KR102358063B1 (en) | 2020-05-18 | 2020-05-18 | Appratus for removing thin film and method for removing thin film |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021181118A true JP2021181118A (en) | 2021-11-25 |
JP7179119B2 JP7179119B2 (en) | 2022-11-28 |
Family
ID=78576294
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021083978A Active JP7179119B2 (en) | 2020-05-18 | 2021-05-18 | Thin film removal device and thin film removal method |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7179119B2 (en) |
KR (1) | KR102358063B1 (en) |
CN (1) | CN113681163B (en) |
TW (1) | TWI803872B (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114985940A (en) * | 2022-06-16 | 2022-09-02 | 深圳市大德激光技术有限公司 | Equipment is got rid of to lithium cell PET protection film |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10125931A (en) * | 1996-08-27 | 1998-05-15 | Seiko Epson Corp | Transfer of thin film element, thin film element, thin film integrated circuit device, active materix substrate and liquid crystal display device |
JPH10233352A (en) * | 1996-12-18 | 1998-09-02 | Canon Inc | Manufacture of semiconductor member and semiconductor member |
JP2002151830A (en) * | 2000-11-16 | 2002-05-24 | Lintec Corp | Manufacturing method of metal foil component |
JP2006192334A (en) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | Method of peeling coating film |
JP2017050444A (en) * | 2015-09-03 | 2017-03-09 | 株式会社ディスコ | Method for peeling optical device layer |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19816793C1 (en) * | 1998-04-16 | 1999-09-02 | Kurz Leonhard Fa | Method and apparatus for cutting foils, in particular, embossed foils consisting of a carrier foil with a decorative layer on it |
JP2004140239A (en) * | 2002-10-18 | 2004-05-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Thin film removing device and its method |
JP2011061140A (en) * | 2009-09-14 | 2011-03-24 | Hitachi High-Technologies Corp | Film removal inspection device and film removal inspection method, and solar cell panel production line, and solar cell panel production method |
KR20120137868A (en) * | 2011-06-13 | 2012-12-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | Apparatus for peeling protection film for flat display module and method for peeling film |
JP2013073894A (en) * | 2011-09-29 | 2013-04-22 | Osaka Univ | Film processing method |
KR101869930B1 (en) * | 2011-11-29 | 2018-06-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | Delamination apparatus and inline thermal imaging system |
JP6276947B2 (en) * | 2013-09-02 | 2018-02-07 | 株式会社ディスコ | Processing method |
KR101462618B1 (en) * | 2013-11-15 | 2014-11-14 | 주식회사 코엠에스 | Apparatus for Peeling Protect Film of Semiconducter Substrate |
KR101624674B1 (en) * | 2015-02-17 | 2016-05-26 | (주)엔에스 | Film cutting apparatus and Film cutting and attaching system having the same |
KR101821239B1 (en) * | 2015-09-04 | 2018-01-24 | 주식회사 이오테크닉스 | Method and apparatus for removing adhesive |
CN105234561B (en) * | 2015-10-13 | 2017-09-12 | 英诺激光科技股份有限公司 | PI cover layers automatic laser cutting electrostatic removes carbon system and method |
JP2018117060A (en) * | 2017-01-19 | 2018-07-26 | 株式会社ブイ・テクノロジー | Peeling substrate and laser lift-off method |
CN107104187A (en) * | 2017-04-14 | 2017-08-29 | 武汉华星光电技术有限公司 | Flexible display substrates laser lift-off device and its laser-stripping method |
TWI655800B (en) * | 2018-01-04 | 2019-04-01 | 帆宣系統科技股份有限公司 | Polyimide film repair method for organic light emitting diode |
CN110497094A (en) * | 2018-05-17 | 2019-11-26 | 郑州光力瑞弘电子科技有限公司 | The new process that laser cuts film is carried out to the various films that crystal column surface pastes |
CN108817700B (en) * | 2018-09-04 | 2020-08-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | Protective film and laser cutting method |
-
2020
- 2020-05-18 KR KR1020200059334A patent/KR102358063B1/en active IP Right Grant
-
2021
- 2021-02-20 CN CN202110192477.4A patent/CN113681163B/en active Active
- 2021-05-14 TW TW110117460A patent/TWI803872B/en active
- 2021-05-18 JP JP2021083978A patent/JP7179119B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10125931A (en) * | 1996-08-27 | 1998-05-15 | Seiko Epson Corp | Transfer of thin film element, thin film element, thin film integrated circuit device, active materix substrate and liquid crystal display device |
JPH10233352A (en) * | 1996-12-18 | 1998-09-02 | Canon Inc | Manufacture of semiconductor member and semiconductor member |
JP2002151830A (en) * | 2000-11-16 | 2002-05-24 | Lintec Corp | Manufacturing method of metal foil component |
JP2006192334A (en) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | Method of peeling coating film |
JP2017050444A (en) * | 2015-09-03 | 2017-03-09 | 株式会社ディスコ | Method for peeling optical device layer |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114985940A (en) * | 2022-06-16 | 2022-09-02 | 深圳市大德激光技术有限公司 | Equipment is got rid of to lithium cell PET protection film |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113681163B (en) | 2023-09-29 |
TW202144110A (en) | 2021-12-01 |
CN113681163A (en) | 2021-11-23 |
KR20210142468A (en) | 2021-11-25 |
JP7179119B2 (en) | 2022-11-28 |
KR102358063B1 (en) | 2022-02-04 |
TWI803872B (en) | 2023-06-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4630692B2 (en) | Laser processing method | |
KR102285101B1 (en) | Inspection method, inspection apparatus, laser machining apparatus and expansion apparatus of workpiece | |
KR102336955B1 (en) | Wafer processing method | |
US11222862B2 (en) | High speed handling of ultra-small chips by selective laser bonding and debonding | |
JP2007242787A (en) | Splitting method of wafer | |
JP6757185B2 (en) | Laser beam inspection method | |
JP2020177975A (en) | Inspection device and processing device | |
JP2021181118A (en) | Thin film removal device and thin film removal method | |
KR20140136875A (en) | Laser machining apparatus | |
JP4766258B2 (en) | Pickup device for plate-like article | |
TWI831794B (en) | Workpiece separation device and workpiece separation method | |
CN114007803A (en) | Laser processing device and method, chip transfer device and method | |
JP6318568B2 (en) | Method for removing a semiconductor chip from a foil | |
KR20210020767A (en) | Workpiece checking method and processing method | |
JP7088768B2 (en) | Wafer division method | |
JP2009271274A (en) | Apparatus and method for correcting defect of color filter substrate | |
TW202331874A (en) | Chip inspection method for suitably evaluating chips formed by dicing workpiece | |
CN115371568A (en) | Method for measuring thickness of protective film | |
JP2009154188A (en) | Laser machining method, laser machining tool, laser machining device | |
KR20210156745A (en) | Lift-off method and laser machining apparatus | |
KR20130111330A (en) | Method for receiving wafer | |
JP4968849B2 (en) | Laser processing method | |
WO2016142986A1 (en) | Recognition device and recognition method | |
KR101757943B1 (en) | Faulty chip marking method | |
JP2006108280A (en) | Electronic component pick up method and method and device for mounting electronic component |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210518 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220316 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220426 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220722 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221101 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221115 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7179119 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |