JP2021180180A - 制御方法、プラズマ処理装置、プロセッサ、及び非一時的コンピュータ可読記録媒体 - Google Patents
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Abstract
Description
プラズマ生成用の高周波電力であるソースパワーとイオン引き込み用の高周波電力であるバイアスパワーの、異なる2つ周波数の高周波電力を処理容器内に印加すると、IMD(Intermodulation distortion:相互変調歪)が反射波パワーとして発生する場合がある。
まず、一実施形態に係るプラズマ処理装置1の一例について、図1を参照しながら説明する。図1は、一実施形態に係るプラズマ処理装置の一例を示す図である。
制御部200の具体的構成について、図2Aを参照して説明する。制御部200は、プロセッサ100、信号発生回路102、方向性結合器105,108、反射検出器111、オシロスコープ112を有する。
次に、一実施形態におけるHFの電力の供給タイミングについて、図4を参照しながら説明する。図4は、一実施形態に係るHFの電力の供給タイミングの一例を示す図である。
次に、基準電気状態の一周期内の位相に同期してHFの電力のオン・オフ又はHigh・Lowを制御する効果の一例について、図5〜図7を参照して説明する。図5のグラフは、一実施形態に係るLFの位相とプラズマ密度Neと自己バイアスの絶対値|Vdc|との関係の一例を示す図である。図6及び図7は、一実施形態に係る反射波パワーの一例を示す図である。
次に、一実施形態の変形例1〜変形例4に係る制御方法について、図8〜図11を参照して説明する。図8は、一実施形態の変形例1に係る制御方法を説明するための図である。図9は、一実施形態の変形例2に係る制御方法を説明するための図である。図10は、一実施形態の変形例3に係る制御方法を説明するための図である。図11は、一実施形態の変形例4に係る制御方法を説明するための図である。
上記に説明した実施形態では、基準電気状態の一周期内の位相と同期してHFの電力をパルス変調(図3のHF AM変調参照)しようとすると、LFの周波数と同じ周波数でパルス変調させるHF電源が必要となり、コストが高くなる場合がある。
変形例2に係るプラズマ処理装置1には、図9(a)に示すように、第1の高周波電源48及び第2の高周波電源90に接続される給電ライン又は下部電極に、インピーダンス変化回路300が取り付けられる。インピーダンス変化回路300は、プラズマ側の負荷インピーダンスとインピーダンス変化回路300のインピーダンスの合成インピーダンスが一定になるようにインピーダンスを変化させるように機能する。又は、インピーダンス変化回路300は、整合器88から見たインピーダンスの変化を抑えるように、LFの位相に応じてインピーダンスを変化させる。これにより、反射波パワーを抑え、IMDの発生を低減できる。インピーダンス変化回路300は、LFの位相(又はインピーダンス)、LFのVdc又は反射波パワー等に応じて、インピーダンスを基準電気状態の一周期内で変化させ、これによりIMDを抑える。
変形例3では、図10(a)に示すように、処理容器10の上部に電磁石350が設けられている。電磁石350の位置は、図10(a)の位置に限られず、処理容器10の一部であればよく、例えば処理容器10の内部であってもよい。制御部200は、基準電気状態の位相(又はインピーダンス)、LFの位相、バイアスパワーが印加される電極電位、LF Vdc又はHFの反射波パワー等に応じて電磁石350の強弱を制御することで磁場の特性を変化させる。例えば図10(b)に示すように、シースが厚くなるLF Vdcが負のときに磁場を強くし、シースが薄くなるLF Vdcが正のときに磁場を弱く又は無くしてインピーダンスZの変化を小さくする。これにより、IMDの発生をより抑制できる。なお、電磁石350は、マルチポール電磁石や固定磁石を用いることができ、磁場を発生させる磁場発生部の一例である。変形例3に示した電磁石350による制御は、変形例1の付加回路250又は変形例2のインピーダンス変化回路300による制御と併用してもよい。
シースの厚さが変わると、見かけ上の静電容量が変わり、HFの共振周波数が変化する。整合器88は、処理容器10内のインダクタンス(例えば給電棒等)及びコンダクタンス(例えばシース等)のすべてのL成分とC成分とを合算して、HFの周波数で共振するように機能し、整合を取る。
以上に説明したように、一実施形態に係る平行平板型のプラズマ処理装置1の制御方法は、バイアスパワーを、ウェハWを載置する下部電極に供給する工程と、バイアスパワーよりも高い周波数を有するソースパワーを下部電極又は上部電極に印加することでプラズマ処理空間に供給する工程とを含む。該制御方法では、ソースパワーは、第1の状態と第2の状態とを有し、第1の状態と第2の状態とをバイアスパワーの高周波の周期に同期する信号、又はバイアスパワーの給電系で測定された電圧、電流又は電磁界のいずれかを示す基準電気状態の一周期内の位相と同期して交互に印加する第1制御工程を含む。
次に、一実施形態の変形例5−1〜5−4に係るプラズマ処理装置1の制御方法について説明する。変形例5−1〜5−4では、ソースパワー及び/又はバイアスパワーを間欠的に停止する制御を行う。図13A〜図13Dは、一実施形態の変形例5−1〜5−4に係る制御方法を示すタイミングチャートである。
以上に説明したように、変形例5−1〜変形例5−4に係る制御方法では、ラジカルとイオンの質と量を制御できる。具体的には、HFをオフするとプラズマ中のイオンはほぼ消滅するが、ラジカルは寿命が長いため、ある程度の時間消滅せずに存在する。よって、例えばHFをオフする間、ラジカルを均一に拡散させることができる。また、HFをオフ又はLowに制御する間、プラズマ中のイオンとラジカルとの比を変えることができる。これにより、ラジカルとイオンの量を制御できる。
次に、一実施形態の変形例6に係る制御方法について、図14を参照して説明する。図14は、一実施形態の変形例6に係る制御方法を示すタイミングチャートである。
次に、一実施形態の変形例7−1〜変形例7−4に係る制御方法について、図15A〜図15Dを参照して説明する。図15Aは、一実施形態の変形例7−1に係る制御方法を示すタイミングチャートである。図15Bは、一実施形態の変形例7−2に係る制御方法を示すタイミングチャートである。図15Cは、一実施形態の変形例7−3に係る制御方法を示すタイミングチャートである。図15Dは、一実施形態の変形例7−4に係る制御方法を示すタイミングチャートである。
まず、図17を参照して、一実施形態の変形例8に係る制御方法について説明する。図17は、一実施形態の変形例8に係る制御方法を説明するためのタイミングチャートである。一実施形態の変形例8に係る制御方法では、LFの一周期内を複数に分割した各位相に同期してHFの周波数を変える。そして、そのときのHFの反射波パワーをモニターし、モニター結果からそれぞれの位相においてHFの反射波パワーが少なくなるように第2の高周波電源90のHFの周波数が制御される。そして、この第2の高周波電源90から出力するHFの新たな周波数を見出すシーケンスを、プロセス前、プロセス中等に所定時間毎に実施し、その結果に基づき第2の高周波電源90が制御するHFの周波数を決定する。
次に、図18を参照して、一実施形態の変形例9に係る制御方法について説明する。図18は、一実施形態の変形例9に係る制御方法を説明するためのタイミングチャートである。一実施形態の変形例9に係る制御方法では、変形例8と同様に、第2の高周波電源90がLFの一周期内の各位相に同期してHFの周波数を制御することに加えて、第2の高周波電源90が出力するソースパワーの値も制御する。
次に、図19を参照して、一実施形態の変形例10に係る制御方法について説明する。図19は、一実施形態の変形例10に係る制御方法を説明するためのタイミングチャートである。
次に、図20を参照して、一実施形態の変形例11に係る制御方法について説明する。図20は、一実施形態の変形例11に係る制御方法を説明するためのタイミングチャートである。
変形例12では、HFの電圧の第1の状態が、2つ以上の電圧値を繰り返すパルス状の電圧値をとる。図21の例では、HFの電圧の第1の状態は、正の電圧値と0の電圧値とを繰り返す。ただし、これに限られず、3つの電圧値を繰り返す等、2つ以上の電圧値を繰り返してもよい。
バイアスパワーは、サイン波形又はパルス波形のパワーであってもよいし、テイラード波形のパワーであってもよい。つまり、バイアスの電圧又は電流は、サイン波形であってもよいし、LFパルス波形であってもよいし、図22に示すテイラード波形でもよい。テイラード波形では、図22に示すHFが第2の状態のときにバイアスのパワーを変調してもよいし、第1の状態のときにバイアスのパワーを変調してもよい。
10…処理容器
16…載置台(下部電極)
34…上部電極
47…給電棒
46…整合器
48…第1の高周波電源
50…可変直流電源
66…処理ガス供給源
84…排気装置
88…整合器
89…給電棒
90…第2の高周波電源
91…GNDブロック
100…プロセッサ
102…信号発生回路
105,108…方向性結合器
111…反射検出器
112…オシロスコープ
200…制御部
250…付加回路
300…インピーダンス変化回路
350…電磁石
Claims (33)
- 基板を載置する第1の電極と、
第1のRF周波数を有するバイアスパワーを生成するように構成される第1の高周波電源であって、前記第1のRF周波数の波形はサイクルを有し、ゼロ交差点で第1の半サイクルと第2の半サイクルとに分けられる、前記第1の高周波電源と、
前記第1のRF周波数よりも高く、可変のRF周波数を有するソースパワーを生成するように構成された第2の高周波電源と、
前記第1のRF周波数の波形の前記第1の半サイクルの間、第1のHF周波数で前記ソースパワーを供給し、前記第1のRF周波数の波形の前記第2の半サイクルの間、第2のHF周波数で前記ソースパワーを供給するように前記第2の高周波電源を制御するように構成された制御部と、を有し、
前記バイアスパワー及び前記ソースパワーは、前記第1の電極に供給される、プラズマ処理装置。 - 前記ゼロ交差点は、前記第1のRF周波数の波形の前記サイクルの中間点であり、
前記波形は、前記波形の前記サイクルの最初の部分で最初のゼロ交差点を有し、
前記波形は、前記波形の前記サイクルの最後の部分で最後のゼロ交差点を有する、請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1の高周波電源と前記第1の電極との間及び前記第2の高周波電源と前記第1の電極との間の電力供給経路に配置されたインピーダンス変化回路を有する、請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記制御部は、前記第1の電極へ供給されるRFパワーの反射を減らす前記インピーダンス変化回路をアシストするように前記波形の第1の半サイクル中の第1のHF周波数から第2の半サイクル中の第2のHF周波数へ前記ソースパワーを変化させるように前記第2の高周波電源を制御するように構成される、請求項3に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1のRF周波数の波形の周波数は、200kHz〜13.56MHzの範囲内である、請求項1〜4のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1のRF周波数の波形の周波数は、200kHz〜400kHzの範囲内である、請求項1〜4のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記可変のRF周波数の最小周波数は、少なくとも13.56MHzである、請求項1〜6のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 更に、前記インピーダンス変化回路の出力電圧を検出するセンサを有する、請求項3又は4に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の高周波電源は、前記第2の高周波電源によって生成される前記ソースパワーのピークツーピークの電圧よりも高いレベルのピークツーピークの電圧で前記バイアスパワーを生成する、請求項1〜8のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記制御部は、更に前記第2の半サイクルの間に前記第2のHF周波数を変化させるように構成される、請求項1〜9のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記制御部は、更に前記第1の半サイクルの間に前記第1のHF周波数を一定に維持し、前記第2の半サイクルの間に前記第2のHF周波数を変化させるように構成される、請求項10に記載のプラズマ処理装置。
- 前記制御部は、更に前記第2の半サイクルの第1部分の間に前記第2のHF周波数を増加させ、前記第2の半サイクルの第2部分の間に前記第2のHF周波数を減少させように構成され、前記第2の半サイクルの前記第2部分は、前記第2の半サイクルの前記第1部分よりも時間的に遅い、請求項1〜11のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- プラズマ処理装置のプロセッサであって、
前記プロセッサは、
第1のRF周波数を有するバイアスパワーを生成するように構成される第1の高周波電源を制御し、前記第1のRF周波数の波形はサイクルを有し、ゼロ交差点で第1の半サイクルと第2の半サイクルとに分けられ、
前記第1のRF周波数よりも高い周波数である可変のRF周波数を有するソースパワーを生成するように第2の高周波電源を制御し、
前記バイアスパワー及び前記ソースパワーは、基板を載置する第1の電極に供給され、
前記第1のRF周波数の波形の前記第1の半サイクルの間、第1のHF周波数で前記ソースパワーを供給し、前記第1のRF周波数の波形の前記第2の半サイクルの間、第2のHF周波数で前記ソースパワーを供給するように前記第2の高周波電源を制御する、プロセッサ。 - 前記ゼロ交差点は、前記第1のRF周波数の波形の前記サイクルの中間点であり、
前記波形は、前記波形の前記サイクルの最初の部分で最初のゼロ交差点を有し、
前記波形は、前記波形の前記サイクルの最後の部分で最後のゼロ交差点を有する、請求項13に記載のプロセッサ。 - 前記第1の電極へ供給されるRFパワーの反射を減らすインピーダンス変化回路をアシストするように前記波形の第1の半サイクル中の第1のHF周波数から第2の半サイクル中の第2のHF周波数へ前記ソースパワーを変化させるように前記第2の高周波電源を制御する、請求項13又は14に記載のプロセッサ。
- 前記第1のRF周波数の波形の周波数を、200kHz〜13.56MHzの範囲内に制御する、請求項13〜15のいずれか一項に記載のプロセッサ。
- 前記第1のRF周波数の波形の周波数を、200kHz〜400kHzの範囲内に制御する、請求項13〜15のいずれか一項に記載のプロセッサ。
- 前記可変のRF周波数の最小周波数を、少なくとも13.56MHzに制御する、請求項13〜17のいずれか一項に記載のプロセッサ。
- 前記第2の高周波電源によって生成される前記ソースパワーのピークツーピークの電圧よりも高いレベルのピークツーピークの電圧で前記バイアスパワーを生成するように前記第1の高周波電源を制御する、請求項13〜18のいずれか一項に記載のプロセッサ。
- 更に前記第2の半サイクルの間に前記第2のHF周波数を変化させる、請求項13〜19のいずれか一項に記載のプロセッサ。
- 更に前記第1の半サイクルの間に前記第1のHF周波数を一定に維持し、前記第2の半サイクルの間に前記第2のHF周波数を変化させる、請求項20に記載のプロセッサ。
- 前記プロセッサは、更に前記第2の半サイクルの第1部分の間に前記第2のHF周波数を増加させ、前記第2の半サイクルの第2部分の間に前記第2のHF周波数を減少させように構成され、前記第2の半サイクルの前記第2部分は、前記第2の半サイクルの前記第1部分よりも時間的に遅い、請求項13〜21のいずれか一項に記載のプロセッサ。
- プラズマ処理装置の制御方法であって、
第1の高周波電源を用いて第1のRF周波数を有するバイアスパワーを生成し、前記第1のRF周波数の波形はサイクルを有し、ゼロ交差点で第1の半サイクルと第2の半サイクルとに分けられ、
第2の高周波電源を用いて前記第1のRF周波数よりも高い周波数である可変のRF周波数を有するソースパワーを生成し、
前記バイアスパワー及び前記ソースパワーは、基板を載置する第1の電極に供給され、
前記第1のRF周波数の波形の前記第1の半サイクルの間、第1のHF周波数で前記ソースパワーを供給し、前記第1のRF周波数の波形の前記第2の半サイクルの間、第2のHF周波数で前記ソースパワーを供給するように前記第2の高周波電源を制御する、制御方法。 - 前記ゼロ交差点は、前記第1のRF周波数の波形の前記サイクルの中間点であり、
前記波形は、前記波形の前記サイクルの最初の部分で最初のゼロ交差点を有し、
前記波形は、前記波形の前記サイクルの最後の部分で最後のゼロ交差点を有するように制御することを含む、請求項23に記載の制御方法。 - 前記第1の電極へ供給されるRFパワーの反射を減らすインピーダンス変化回路をアシストするように前記波形の第1の半サイクル中の第1のHF周波数から第2の半サイクル中の第2のHF周波数に前記ソースパワーを変化させるように前記第2の高周波電源を制御することを含む、請求項23又は24に記載の制御方法。
- 前記第1のRF周波数の波形の周波数を、200kHz〜13.56MHzの範囲内に制御することを含む、請求項23〜25のいずれか一項に記載の制御方法。
- 前記第1のRF周波数の波形の周波数を、200kHz〜400kHzの範囲内に制御することを含む、請求項23〜25のいずれか一項に記載の制御方法。
- 前記可変のRF周波数の最小周波数を、少なくとも13.56MHzに制御することを含む、請求項23〜27のいずれか一項に記載の制御方法。
- 前記第2の高周波電源によって生成される前記ソースパワーのピークツーピークの電圧よりも高いレベルのピークツーピークの電圧で前記バイアスパワーを生成するように前記第1の高周波電源を制御することを含む、請求項23〜28のいずれか一項に記載の制御方法。
- 更に前記第2の半サイクルの間に前記第2のHF周波数を変化させることを含む、請求項23〜29のいずれか一項に記載の制御方法。
- 更に前記第1の半サイクルの間に前記第1のHF周波数を一定に維持し、前記第2の半サイクルの間に前記第2のHF周波数を変化させることを含む、請求項30に記載の制御方法。
- 前記第2の半サイクルの第1部分の間に前記第2のHF周波数を増加させ、前記第2の半サイクルの第2部分の間に前記第2のHF周波数を減少させることを含み、前記第2の半サイクルの前記第2部分は、前記第2の半サイクルの前記第1部分よりも時間的に遅い、請求項23〜31のいずれか一項に記載の制御方法。
- プラズマ処理装置を使用して所定のプロセスをプロセッサに実行させるコンピュータ可読命令を内部に格納した非一時的コンピュータ可読記録媒体であって、
第1の高周波電源を用いて第1のRF周波数を有するバイアスパワーを生成し、前記第1のRF周波数の波形はサイクルを有し、ゼロ交差点で第1の半サイクルと第2の半サイクルとに分けられ、
第2の高周波電源を用いて前記第1のRF周波数よりも高い周波数である可変のRF周波数を有するソースパワーを生成し、
前記バイアスパワー及び前記ソースパワーは、基板を載置する第1の電極に供給され、
前記第1のRF周波数の波形の前記第1の半サイクルの間、第1のHF周波数で前記ソースパワーを供給し、前記第1のRF周波数の波形の前記第2の半サイクルの間、第2のHF周波数で前記ソースパワーを供給するように前記第2の高周波電源を制御する、ことをプロセッサに実行させる非一時的コンピュータ可読記録媒体。
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---|---|---|---|---|
US10555412B2 (en) | 2018-05-10 | 2020-02-04 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage |
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JP6846387B2 (ja) * | 2018-06-22 | 2021-03-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
KR20230048459A (ko) * | 2018-06-22 | 2023-04-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 제어 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
US11476145B2 (en) | 2018-11-20 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias |
JP7451540B2 (ja) | 2019-01-22 | 2024-03-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | パルス状電圧波形を制御するためのフィードバックループ |
US11508554B2 (en) | 2019-01-24 | 2022-11-22 | Applied Materials, Inc. | High voltage filter assembly |
JP7285742B2 (ja) * | 2019-09-02 | 2023-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び処理方法 |
JP7383533B2 (ja) * | 2020-03-16 | 2023-11-20 | 株式会社京三製作所 | 高周波電源装置及びその出力制御方法 |
JP7454971B2 (ja) | 2020-03-17 | 2024-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 検出方法及びプラズマ処理装置 |
JP7450435B2 (ja) * | 2020-03-30 | 2024-03-15 | 株式会社ダイヘン | 高周波電源システム |
US11848176B2 (en) | 2020-07-31 | 2023-12-19 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing using pulsed-voltage and radio-frequency power |
US11798790B2 (en) | 2020-11-16 | 2023-10-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
US11901157B2 (en) | 2020-11-16 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
KR102475206B1 (ko) * | 2020-11-20 | 2022-12-07 | 가부시키가이샤 알박 | 고주파 전력 회로, 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
US11495470B1 (en) | 2021-04-16 | 2022-11-08 | Applied Materials, Inc. | Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma |
US11948780B2 (en) | 2021-05-12 | 2024-04-02 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
US11791138B2 (en) | 2021-05-12 | 2023-10-17 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
US11967483B2 (en) | 2021-06-02 | 2024-04-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma excitation with ion energy control |
US20220399186A1 (en) * | 2021-06-09 | 2022-12-15 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus to reduce feature charging in plasma processing chamber |
US11810760B2 (en) | 2021-06-16 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method of ion current compensation |
US11569066B2 (en) | 2021-06-23 | 2023-01-31 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
US11776788B2 (en) | 2021-06-28 | 2023-10-03 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage boost for substrate processing |
JPWO2023286715A1 (ja) | 2021-07-14 | 2023-01-19 | ||
US11476090B1 (en) | 2021-08-24 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Voltage pulse time-domain multiplexing |
WO2023132300A1 (ja) * | 2022-01-07 | 2023-07-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、電源システム、制御方法、プログラム、及び記憶媒体 |
CN117242552A (zh) * | 2022-04-13 | 2023-12-15 | 株式会社日立高新技术 | 等离子体处理方法和等离子体处理装置 |
US11972924B2 (en) | 2022-06-08 | 2024-04-30 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
WO2024024681A1 (ja) * | 2022-07-27 | 2024-02-01 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びソース高周波電力のソース周波数を制御する方法 |
US20240145215A1 (en) * | 2022-10-28 | 2024-05-02 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage plasma processing apparatus and method |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006304585A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Mks Instr Inc | 高周波発生器の位相および周波数の外部からの制御 |
JP2016157735A (ja) * | 2015-02-23 | 2016-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
WO2017040415A1 (en) * | 2015-09-01 | 2017-03-09 | Mks Instruments, Inc. | Plasma rf bias cancellation system |
Family Cites Families (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07263413A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Toshiba Corp | プラズマ処理装置 |
US5779925A (en) * | 1994-10-14 | 1998-07-14 | Fujitsu Limited | Plasma processing with less damage |
JP3546977B2 (ja) * | 1994-10-14 | 2004-07-28 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法と製造装置 |
JP3700278B2 (ja) | 1996-08-23 | 2005-09-28 | ソニー株式会社 | デュアルゲート構造を有する半導体装置の製造方法 |
JP3122618B2 (ja) * | 1996-08-23 | 2001-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JPH1079372A (ja) * | 1996-09-03 | 1998-03-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
US6091060A (en) * | 1997-12-31 | 2000-07-18 | Temptronic Corporation | Power and control system for a workpiece chuck |
JPH11297679A (ja) * | 1998-02-13 | 1999-10-29 | Hitachi Ltd | 試料の表面処理方法および装置 |
US6558564B1 (en) * | 2000-04-05 | 2003-05-06 | Applied Materials Inc. | Plasma energy control by inducing plasma instability |
JP5404984B2 (ja) * | 2003-04-24 | 2014-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマモニタリング方法、プラズマモニタリング装置及びプラズマ処理装置 |
JP4844101B2 (ja) * | 2005-11-29 | 2011-12-28 | 株式会社Sumco | 半導体装置の評価方法および半導体装置の製造方法 |
DE102006052061B4 (de) * | 2006-11-04 | 2009-04-23 | Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Verfahren zur Ansteuerung von zumindest zwei HF-Leistungsgeneratoren |
US20090004836A1 (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-01 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Plasma doping with enhanced charge neutralization |
US9123509B2 (en) * | 2007-06-29 | 2015-09-01 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for plasma processing a substrate |
JP5514413B2 (ja) * | 2007-08-17 | 2014-06-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
JP4607930B2 (ja) | 2007-09-14 | 2011-01-05 | 株式会社東芝 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP5294669B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2013-09-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP5319150B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2013-10-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
US8357264B2 (en) * | 2008-05-29 | 2013-01-22 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with plasma load impedance tuning for engineered transients by synchronized modulation of a source power or bias power RF generator |
TWI467623B (zh) * | 2008-07-07 | 2015-01-01 | Lam Res Corp | 於電漿處理系統之處理腔室內識別一穩定電漿的方法及裝置、及其電腦可讀儲存媒體 |
US8486221B2 (en) * | 2009-02-05 | 2013-07-16 | Tokyo Electron Limited | Focus ring heating method, plasma etching apparatus, and plasma etching method |
JP5657262B2 (ja) * | 2009-03-27 | 2015-01-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP5227264B2 (ja) * | 2009-06-02 | 2013-07-03 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置,プラズマ処理方法,プログラム |
CN102056395B (zh) * | 2009-10-27 | 2014-05-07 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置和等离子体处理方法 |
JP5484981B2 (ja) * | 2010-03-25 | 2014-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台及び基板処理装置 |
US9095333B2 (en) * | 2012-07-02 | 2015-08-04 | Bovie Medical Corporation | Systems and methods of discriminating between argon and helium gases for enhanced safety of medical devices |
JP5719599B2 (ja) * | 2011-01-07 | 2015-05-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
US9207689B2 (en) * | 2011-03-08 | 2015-12-08 | Tokyo Electron Limited | Substrate temperature control method and plasma processing apparatus |
US9059101B2 (en) * | 2011-07-07 | 2015-06-16 | Lam Research Corporation | Radiofrequency adjustment for instability management in semiconductor processing |
JP5808012B2 (ja) * | 2011-12-27 | 2015-11-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2013143432A (ja) * | 2012-01-10 | 2013-07-22 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
CN103730316B (zh) * | 2012-10-16 | 2016-04-06 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种等离子处理方法及等离子处理装置 |
JP6078419B2 (ja) | 2013-02-12 | 2017-02-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置の制御方法、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
JP5701958B2 (ja) * | 2013-10-15 | 2015-04-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP6374647B2 (ja) * | 2013-11-05 | 2018-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP6180924B2 (ja) * | 2013-12-26 | 2017-08-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱流束測定方法、基板処理システム及び熱流束測定用部材 |
JP6295119B2 (ja) * | 2014-03-25 | 2018-03-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US9591739B2 (en) * | 2014-05-02 | 2017-03-07 | Reno Technologies, Inc. | Multi-stage heterodyne control circuit |
JP6512962B2 (ja) * | 2014-09-17 | 2019-05-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP6539986B2 (ja) * | 2014-11-05 | 2019-07-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP6582391B2 (ja) * | 2014-11-05 | 2019-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US11150283B2 (en) * | 2015-06-29 | 2021-10-19 | Reno Technologies, Inc. | Amplitude and phase detection circuit |
JP6602581B2 (ja) * | 2015-07-17 | 2019-11-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
US20180265914A1 (en) | 2015-08-31 | 2018-09-20 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Molecular methods for assessing post kidney transplant complications |
US10553465B2 (en) * | 2016-07-25 | 2020-02-04 | Lam Research Corporation | Control of water bow in multiple stations |
CN111758145A (zh) * | 2018-02-23 | 2020-10-09 | 朗姆研究公司 | 半导体处理工具中的rf电流测量 |
JP7175239B2 (ja) * | 2018-06-22 | 2022-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 制御方法、プラズマ処理装置、プログラム及び記憶媒体 |
KR20230048459A (ko) * | 2018-06-22 | 2023-04-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 제어 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
JP7306886B2 (ja) * | 2018-07-30 | 2023-07-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 制御方法及びプラズマ処理装置 |
US10672589B2 (en) * | 2018-10-10 | 2020-06-02 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and control method |
US11804362B2 (en) * | 2018-12-21 | 2023-10-31 | Advanced Energy Industries, Inc. | Frequency tuning for modulated plasma systems |
US11158488B2 (en) * | 2019-06-26 | 2021-10-26 | Mks Instruments, Inc. | High speed synchronization of plasma source/bias power delivery |
KR20220045226A (ko) * | 2019-08-19 | 2022-04-12 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 다수의 주파수들에서 rf 파라미터들을 제어하기 위한 방법들 및 장치 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006304585A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Mks Instr Inc | 高周波発生器の位相および周波数の外部からの制御 |
JP2016157735A (ja) * | 2015-02-23 | 2016-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
WO2017040415A1 (en) * | 2015-09-01 | 2017-03-09 | Mks Instruments, Inc. | Plasma rf bias cancellation system |
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---|---|---|
JP7155354B2 (ja) | プラズマ処理装置、プロセッサ、制御方法、非一時的コンピュータ可読記録媒体及びプログラム | |
JP7455174B2 (ja) | Rf発生器及び方法 | |
US10672589B2 (en) | Plasma processing apparatus and control method | |
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