JP2021176193A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021176193A5 JP2021176193A5 JP2021070559A JP2021070559A JP2021176193A5 JP 2021176193 A5 JP2021176193 A5 JP 2021176193A5 JP 2021070559 A JP2021070559 A JP 2021070559A JP 2021070559 A JP2021070559 A JP 2021070559A JP 2021176193 A5 JP2021176193 A5 JP 2021176193A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency power
- impedance
- control unit
- substrate processing
- unit sets
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 14
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020078481 | 2020-04-27 | ||
| JP2020078481 | 2020-04-27 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021176193A JP2021176193A (ja) | 2021-11-04 |
| JP2021176193A5 true JP2021176193A5 (enExample) | 2023-04-11 |
| JP7433271B2 JP7433271B2 (ja) | 2024-02-19 |
Family
ID=78222716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021070559A Active JP7433271B2 (ja) | 2020-04-27 | 2021-04-19 | 基板処理装置および基板処理装置の制御方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11676800B2 (enExample) |
| JP (1) | JP7433271B2 (enExample) |
| KR (1) | KR102906804B1 (enExample) |
| CN (1) | CN113643953B (enExample) |
| TW (1) | TWI886259B (enExample) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7433271B2 (ja) * | 2020-04-27 | 2024-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理装置の制御方法 |
| JPWO2024024594A1 (enExample) * | 2022-07-28 | 2024-02-01 | ||
| US12706277B2 (en) * | 2023-09-08 | 2026-08-11 | Applied Materials, Inc. | Radio-frequency (RF) matching network and tuning technique |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6197116B1 (en) * | 1996-08-29 | 2001-03-06 | Fujitsu Limited | Plasma processing system |
| US6446572B1 (en) * | 2000-08-18 | 2002-09-10 | Tokyo Electron Limited | Embedded plasma source for plasma density improvement |
| US7190119B2 (en) * | 2003-11-07 | 2007-03-13 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for optimizing a substrate in a plasma processing system |
| JP5192209B2 (ja) * | 2006-10-06 | 2013-05-08 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング装置、プラズマエッチング方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
| KR100978886B1 (ko) * | 2007-02-13 | 2010-08-31 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라즈마처리방법 및 플라즈마처리장치 |
| KR100870121B1 (ko) * | 2007-04-19 | 2008-11-25 | 주식회사 플라즈마트 | 임피던스 매칭 방법 및 이 방법을 위한 매칭 시스템 |
| JP5403151B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2014-01-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置用誘電体窓、プラズマ処理装置、およびプラズマ処理装置用誘電体窓の取り付け方法 |
| JP5977509B2 (ja) * | 2011-12-09 | 2016-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| JP6099995B2 (ja) * | 2013-01-24 | 2017-03-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 試験装置 |
| JP6162016B2 (ja) * | 2013-10-09 | 2017-07-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP6374647B2 (ja) * | 2013-11-05 | 2018-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP6312405B2 (ja) * | 2013-11-05 | 2018-04-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP6512962B2 (ja) * | 2014-09-17 | 2019-05-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US10544519B2 (en) * | 2017-08-25 | 2020-01-28 | Aixtron Se | Method and apparatus for surface preparation prior to epitaxial deposition |
| JP2019186099A (ja) * | 2018-04-12 | 2019-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP7175239B2 (ja) * | 2018-06-22 | 2022-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 制御方法、プラズマ処理装置、プログラム及び記憶媒体 |
| KR102189323B1 (ko) * | 2019-07-16 | 2020-12-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| JP7433271B2 (ja) * | 2020-04-27 | 2024-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理装置の制御方法 |
| US11361941B2 (en) * | 2020-06-19 | 2022-06-14 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for processing a substrate |
| JP7661109B2 (ja) * | 2020-07-31 | 2025-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
-
2021
- 2021-04-19 JP JP2021070559A patent/JP7433271B2/ja active Active
- 2021-04-20 TW TW110114025A patent/TWI886259B/zh active
- 2021-04-21 CN CN202110429611.8A patent/CN113643953B/zh active Active
- 2021-04-22 KR KR1020210052351A patent/KR102906804B1/ko active Active
- 2021-04-27 US US17/241,442 patent/US11676800B2/en active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI637423B (zh) | 電漿處理裝置 | |
| KR102038642B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
| TWI260710B (en) | Plasma processing method and plasma processing device | |
| TWI721156B (zh) | 電漿處理裝置 | |
| JP2020004710A5 (enExample) | ||
| TWI829948B (zh) | 一種電漿處理器及其處理方法 | |
| TWI874493B (zh) | 電漿處理方法及電漿處理裝置 | |
| CN107134402A (zh) | 直流脉冲等离子体系统 | |
| JP2016157735A (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
| CN111524781B (zh) | 高频电源及等离子体处理装置 | |
| CN114709125B (zh) | 半导体工艺设备及脉冲信号控制方法 | |
| TWI770173B (zh) | 用以增加電漿之離子朝堆疊層之底部的方向性之方法與系統 | |
| TW201628084A (zh) | 電漿處理方法及電漿處理裝置 | |
| JP7325294B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JP2021522415A (ja) | 周期的高電圧バイアスを用いたプラズマ化学気相堆積 | |
| JP2020077657A5 (enExample) | ||
| JP2021064750A5 (enExample) | ||
| JP6180890B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP2020102443A5 (ja) | プラズマ処理装置及びインピーダンスの整合方法 | |
| CN106653551B (zh) | 独立控制自由基密度、离子密度和离子能量的方法和系统 | |
| JP7433271B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理装置の制御方法 | |
| TWI566644B (zh) | A radio frequency system for controllable harmonics of a plasma generator | |
| TW201419408A (zh) | 一種脈衝射頻輸出功率控制反應等離子體刻蝕的方法 | |
| CN113035677B (zh) | 等离子体处理设备以及等离子体处理方法 | |
| WO2017188029A1 (ja) | プラズマ処理装置 |