JP2021150648A - 研磨パッドおよびこれを用いた半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
前記式1において、T1Lは無負荷状態における積層体の厚さ、T2Lは無負荷状態から30kPaの応力負荷を60秒間維持したときの積層体の厚さ、T3Lは前記T2L状態から50kPaの応力負荷を60秒間維持したときの積層体の厚さのことを意味する。
前記式5において、T1Cは無負荷状態におけるクッション層の厚さ、T2Cは無負荷状態から30kPaの応力負荷を60秒間維持したときのクッション層の厚さ、T3Cは前記T2C状態から50kPaの応力負荷を60秒間維持したときのクッション層の厚さのことを意味する。
一実現例は、タングステンに対する研磨率および研磨平坦度等、研磨特性に優れた研磨パッドを提供する。
前記式1において、T1Lは無負荷状態における積層体の厚さ、T2Lは無負荷状態から30kPaの応力負荷を60秒間維持したときの積層体の厚さ、T3Lは前記T2L状態から50kPaの応力負荷を60秒間維持したときの積層体の厚さのことを意味する。
前記式2において、T2Lは無負荷状態から30kPaの応力負荷を60秒間維持したときの積層体の厚さ、T3Lは前記T2L状態から50kPaの応力負荷を60秒間維持したときの積層体の厚さ、T4Lは前記T3L状態から応力負荷を除去して60秒間放置後、さらに30kPaの応力負荷を60秒間維持したときの積層体の厚さのことを意味する。
前記界面活性剤は、ウレタン系プレポリマー100重量部を基準に、0.1重量部〜2.0重量部の量で含まれ得る。具体的に、前記界面活性剤は、ウレタン系プレポリマー100重量部を基準に0.2重量部〜1.5重量部の量で含まれ得る。前記範囲内の含有量で界面活性剤を含むと、気相発泡剤由来の気孔がモールド内で安定して形成および維持され得る。
圧縮L(%)=(D1L−D2L)/D1L×100
前記式5において、T1Cは無負荷状態におけるクッション層の厚さ、T2Cは無負荷状態から30kPaの応力負荷を60秒間維持したときのクッション層の厚さ、T3Cは前記T2C状態から50kPaの応力負荷を60秒間維持したときのクッション層の厚さのことを意味する。
前記式6において、T2Cは無負荷状態から30kPaの応力負荷を60秒間維持した時のクッション層の厚さ、T3Cは前記T2C状態から50kPaの応力負荷を60秒間維持したときのクッション層の厚さ、T4Cは前記T3C状態から応力負荷を除去して60秒間放置後、さらに30kPa(300g/cm2)の応力負荷を60秒間維持したときのクッション層の厚さのことを意味する。
前記研磨層は、研磨工程において半導体基板に対面して研磨を行う。
前記クッション層は、研磨層を支持しながら、前記研磨層に加わる衝撃を吸収して分散させる役割をする。
前述の研磨パッドの構成成分および物性の特徴は、互いに組み合わせることができる。
一実現例による研磨パッドの製造方法は、ウレタン系プレポリマー、硬化剤、および発泡剤を順次または同時に混合して組成物を調製する段階と、前記組成物をモールド内に注入し硬化して研磨層を形成する段階と、を含む。
一実現例による半導体素子の製造方法は、前記一実現例による研磨パッドを用いて半導体基板の表面を研磨する段階を含む。
前記式1において、T1Lは無負荷状態における積層体の厚さ、T2Lは無負荷状態から30kPaの応力負荷を60秒間維持したときの積層体の厚さ、T3Lは前記T2L状態から50kPaの応力負荷を60秒間維持したときの積層体の厚さのことを意味する。
前記式5において、T1Cは無負荷状態におけるクッション層の厚さ、T2Cは無負荷状態から30kPaの応力負荷を60秒間維持したときのクッション層の厚さ、T3Cは前記T2C状態から50kPaの応力負荷を60秒間維持したときのクッション層の厚さのことを意味する。
(実施例)
(実施例1)
ウレタン系プレポリマー、硬化剤、不活性ガス注入ラインおよび反応速度調整剤注入ラインが備えられているキャスティング装置において、プレポリマータンクに未反応NCOを9.1重量%で有するプレポリマー組成物(SKC社)を充填し、硬化剤タンクにビス(4−アミノ−3−クロロフェニル)メタン(bis(4-amino-3-chlorophenyl)methane、Ishihara社)を充填し、不活性ガスとしては窒素(N2)を準備した。また、前記ウレタン系プレポリマー100重量部に対して1重量部の固相発泡剤(AkzoNobel社)および1重量部のシリコーン系界面活性剤(Evonik社)を予め混合した後、プレポリマータンクに注入した。
それぞれの投入ラインを介して原料をミキシングヘッドに一定の速度で投入しながら撹拌した。この際、プレポリマーと硬化剤とは1:1の当量比で投入された。不活性ガスである窒素(N2)を1L/minの速度で投入した。撹拌された原料を120℃に予熱されたモールド(1000mm×1000mm×3mm)に吐出するが、10kg/分の吐出速度で注入した後、120℃にてキャスティング(casting)して成形体を得た。その後、前記成形体の上端および下端をそれぞれ0.5mm厚ずつ切削して厚さ2mmの研磨層を得た。
(実施例2)
(実施例3)
前記実施例1のキャスティング装置において、前記不活性ガス注入ラインを遮断した。プレポリマータンクに9.1NCO%を有するPUGL−600D(SKC社製、重量平均分子量:1500g/mol)を充填し、硬化剤タンクに4,4'−メチレンビス(2−クロロアニリン)(TCI(Tokyo Chemical Industry)社製)を充填した。さらに、前記ウレタン系プレポリマー100重量部に対して2重量部の固相発泡剤(AkzoNobel社)を予め混合した後、プレポリマーのタンクに注入した。
それぞれの投入ラインを介して原料をミキシングヘッドに一定の速度で投入しながら撹拌した。この際、プレポリマーと硬化剤とは1:1の当量比で投入した。撹拌された原料を120℃に予熱されたモールド(1000mm×1000mm×3mm)に吐出するが、10kg/分の吐出速度で注入した後、120℃にてキャスティングして成形体を得た。その後、前記成形体の上端および下端をそれぞれ0.5mm厚ずつ切削して厚さ2mmの研磨層を得た。
(実施例4)
(比較例1)
(比較例2)
(実施例5)
次いで、ポリエステル繊維不織布にポリウレタン樹脂が含浸されたクッション層として、中でも特に下記表2に記載の硬度を有するクッション層を選別して、前記研磨層と前記クッション層とをホットメルト接着剤により付着して下記表2に記載の厚さ、初期負荷抵抗率および圧縮弾性率を有する積層体を含む研磨パッドを製造した。
(実施例6)
(実施例7)
(実施例8)
次いで、ポリエステル繊維不織布にポリウレタン樹脂が含浸されたクッション層として、中でも特に下記表2に記載のような硬度を有するクッション層を選別して準備し、前記研磨層と前記クッション層とをホットメルト接着剤により付着して下記表2に記載の厚さ、初期負荷抵抗率および圧縮弾性率を有する積層体を含む研磨パッドを製造した。
(実施例9)
(実施例10)
(比較例3)
(比較例4)
(評価例)
クッション層サンプルを5cm×5cm(厚さ:表1および表2に記載)に裁断して、温度25℃にて12時間保管した後、硬度計を用いてアスカーC硬度を測定した。
クッション層サンプルおよび積層体サンプルを5cm×5cm(厚さ:表1および表2に記載)に裁断して、無負荷状態におけるクッション層の厚さおよび積層体の厚さを測定し、これをそれぞれT1C(mm)およびT1L(mm)とし、無負荷状態から30kPaの応力負荷を60秒間維持したときのクッション層の厚さおよび積層体の厚さを測定し、これをそれぞれT2C(mm)およびT2L(mm)とし、前記T2CおよびT2Lそれぞれの状態から50kPaの応力負荷を60秒間維持したときのクッション層の厚さおよび積層体の厚さを測定し、これをそれぞれT3C(mm)およびT3L(mm)とした後、下記式1および式5に基づいて、初期負荷抵抗率(LRC、LRL)を計算した。
クッション層サンプルおよび積層体サンプルを5cm×5cm(厚さ:表1および表2に記載)に裁断して、無負荷状態から30kPaの応力負荷を60秒間維持したときのクッション層の厚さおよび積層体の厚さを測定し、これをそれぞれT2C(mm)およびT2L(mm)とし、前記T2CおよびT2Lそれぞれの状態から50kPaの応力負荷を60秒間維持したときのクッション層の厚さおよび積層体の厚さを測定し、これをそれぞれT3C(mm)およびT3L(mm)とし、前記T3CおよびT3Lそれぞれの状態から応力負荷を除去して60秒間放置した後、さらに30kPa(300g/cm2)の応力負荷を60秒間維持したときのクッション層の厚さおよび積層体の厚さを測定し、これをそれぞれT4C(mm)およびT4L(mm)とした後、下記式2および式6に基づいて、圧縮弾性率(CEC、CEL)を計算した。
研磨パッドサンプルを4cm×1cm(厚さ:表1および表2に記載)に裁断し、万能試験機(UTM)を使用して、50mm/分の速度において伸び率が70%のときと伸び率が20%のときとの線を連結した傾きで表してモジュラスを測定した。
実施例1〜4および比較例1および2について、下記のような方法により研磨率を評価した。
研磨率(Å/分)=シリコンウェーハの研磨厚さ(Å)/研磨時間(分)
実施例5〜10並びに比較例3および4について、下記のような方法で研磨率を評価した。
前記評価例5の研磨率測定と同様の方法により得られた酸化ケイ素(SiOx)膜が形成されたシリコンウェーハの熱酸化膜が1μm(10000Å)塗布されたものを利用して、前述の研磨条件で1分間研磨した後、98箇所のウェーハ面内の膜厚を測定し、下記式を用いてウェーハ面内の研磨平坦度(WIWNU:Within Wafer Non Uniformity)を測定した。
研磨平坦度(%)=(研磨された厚さの標準偏差(Å)/平均研磨厚さ(Å))×100
120:定盤(プラテン)
130:半導体基板
140:ノズル
150:研磨スラリー
160:研磨ヘッド
170:コンディショナー
Claims (10)
- 前記クッション層の硬度Lが68アスカーC〜74アスカーCである、請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記積層体の無負荷状態における厚さ(T1L)が2.0mm〜4.5mmである、請求項1に記載の研磨パッド。
- 弾性モジュラスLが100kgf/cm2〜160kgf/cm2である、請求項1に記載の研磨パッド。
- タングステン(W)に対する研磨率が3840Å/分以下であり、
タングステン(W)に対する研磨平坦度(WIWNU)が4.3%以下である、請求項1に記載の研磨パッド。 - 前記研磨層は、ウレタン系プレポリマー、硬化剤および発泡剤を含む組成物の硬化物を含み、下記i)、ii)およびiii)のうち少なくとも一つを満足する、請求項1に記載の研磨パッド:
i)前記ウレタン系プレポリマーが、1種以上のイソシアネート化合物および1種以上のポリオールの予備重合反応生成物を含む、
ii)前記硬化剤が、アミン化合物およびアルコール化合物からなる群より選択された1種以上である、
iii)前記発泡剤が、固相発泡剤および気相発泡剤からなる群より選択された1種以上である。
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