JP2021150362A5 - - Google Patents

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ある実施形態において、2n-y-z≧10x’+7.5である。 ある実施形態において、8.0≦2n-y-z≦10.0である。 ある実施形態において、SiO 換算で1.5mass%以下のSiをさらに含有する。 ある実施形態において、SiをSiO 換算で0.5~0.8mass%含有する。
昇温時において、800℃から焼成温度までの温度範囲での平均昇温速度が600℃/時未満であると、リードタイムの短縮及び磁石特性の向上効果を十分に得ることができない。平均昇温速度が1000℃/時を超えてもリードタイムの短縮及び磁石特性の向上効果を奏することは可能であるが、焼成炉の構造や大きさによっては、被焼成物(成形体)の温度が炉内温度(又は焼成炉の設定温度)に追随することが困難となる場合がある。従って、平均昇温速度の上限は1000℃/時とした。なお、本発明の実施形態において、温度を記載する場合は全て被熱処理物の温度を指す。温度の測定は、焼成炉内の被熱処理物にR熱電対を接触させることにより測定する
前記の通り、本開示の実施形態のフェライト焼結磁石の製造方法において、焼結助剤としてSiOを、仮焼体又は仮焼体の粉末100mass%に対して1.5mass%以下添加する場合がある。焼結助剤として添加されたSiOは焼成(焼結)時に液相成分となり、フェライト焼結磁石において粒界相の一成分として存在することとなる。従って、焼結助剤として前記添加量のSiOを添加した場合は、得られるフェライト焼結磁石はSiO 換算で1.5mass%以下のSiを含有する。この時、Siの含有により、前記一般式:Ca1-x-x’x’Fe2n-y-zCoZnで示される各元素の含有量が相対的に減少するが、前記一般式におけるx、x’、y、z、nなどの範囲は基本的に変化しない。なお、Siの含有量は、フェライト焼結磁石の成分分析結果(例えば、ICP発光分光分析装置による結果)におけるCa、La、Sr、Ba、Fe、Co、Zn及びSiの各組成(mass%)から、CaCO、La(OH)、SrCO、BaCO、Fe、Co、ZnO及びSiOの質量に換算し、それらの合計100質量に対する含有比率(mass%)である。

Claims (16)

  1. Ca、R、A、Fe、Co及びZnの金属元素(ただし、Rは希土類元素の少なくとも一種であってLaを必須に含む元素、AはSrおよび/またはBa)の原子比を示す一般式:Ca1-x-x’x’Fe2n-y-zCoZnにおいて、 前記x、x’、y及びz、並びにn(ただし、2nはモル比であって、2n=(Fe+Co+Zn)/(Ca+R+A)で表される)が、 0.40≦x<0.5、 0<x’≦0.10、 0.20<y<0.30、 0<z<0.05、 x<1-x-x’、 4.5≦n≦5.5、及び 2n-y-z≧10x’+8.5、を満足するフェライト仮焼体。
  2. 2n-y-z≧10x’+9.0である、請求項1に記載のフェライト仮焼体。
  3. 9.5≦2n-y-z≦10.0である、請求項1又は2に記載のフェライト仮焼体。
  4. Ca、R、A、Fe、Co及びZnの金属元素(ただし、Rは希土類元素の少なくとも一種であってLaを必須に含む元素、AはSrおよび/またはBa)の原子比を示す一般式:Ca1-x-x’x’Fe2n-y-zCoZnにおいて、 前記x、x’、y及びz、並びにn(ただし、2nはモル比であって、2n=(Fe+Co+Zn)/(Ca+R+A)で表される)が、 0.30≦x<0.5、 0<x’≦0.10、 0.20<y<0.30、 0<z<0.05、 x<1-x-x’、 3.5≦n≦5.5、及び 2n-y-z≧10x’+7.0、を満足するフェライト焼結磁石。
  5. 2n-y-z≧10x’+7.5である、請求項4に記載のフェライト焼結磁石。
  6. 8.0≦2n-y-z≦10.0である、請求項4又は5に記載のフェライト焼結磁石。
  7. SiO 換算で1.5mass%以下のSiをさらに含有する、請求項4乃至6のいずれかに記載のフェライト焼結磁石。
  8. SiをSiO 換算で0.5~0.8mass%含有する、請求項4乃至7のいずれかに記載のフェライト焼結磁石。
  9. Ca、R、A、Fe、Co及びZnの金属元素(ただし、Rは希土類元素の少なくとも一種であってLaを必須に含む元素、AはSrおよび/またはBa)の原子比を示す一般式:Ca1-x-x’x’Fe2n-y-zCoZnにおいて、 前記x、x’、y及びz、並びにn(ただし、2nはモル比であって、2n=(Fe+Co+Zn)/(Ca+R+A)で表される)が、 0.40≦x<0.5、 0<x’≦0.10、 0.20<y<0.30、 0<z<0.05、 x<1-x-x’、 4.5≦n≦5.5、及び 2n-y-z≧10x’+8.5、を満足する原料粉末を混合し、混合原料粉末を得る原料粉末混合工程と、 前記混合原料粉末を仮焼し、仮焼体を得る仮焼工程と、 前記仮焼体を粉砕し、仮焼体の粉末を得る粉砕工程と、 前記仮焼体の粉末を成形し、成形体を得る成形工程と、 前記成形体を焼成し、焼結体を得る焼成工程と、を含むフェライト焼結磁石の製造方法。
  10. 2n-y-z≧10x’+9.0である、請求項9に記載のフェライト焼結磁石の製造方法。
  11. 9.5≦2n-y-z≦10.0である、請求項9又は10に記載のフェライト焼結磁石の製造方法。
  12. 前記仮焼工程後、前記成形工程前に、添加する対象となる仮焼体又は仮焼体の粉末100mass%に対して1.5mass%以下のSiOを添加する工程を更に含む、請求項9乃至11のいずれかに記載のフェライト焼結磁石の製造方法。
  13. 前記仮焼工程後、前記成形工程前に、添加する対象となる仮焼体又は仮焼体の粉末100mass%に対して0.5~0.8mass%のSiOを添加する工程を更に含む、請求項9乃至12のいずれかに記載のフェライト焼結磁石の製造方法。
  14. 前記仮焼工程後、前記成形工程前に、添加する対象となる仮焼体又は仮焼体の粉末100mass%に対してCaO換算で1.5mass%以下のCaCOを添加する工程を更に含む、請求項9乃至13のいずれかに記載のフェライト焼結磁石の製造方法。
  15. 前記焼成工程の800℃から焼成温度までの温度範囲における平均昇温速度が、600℃/時以上、1000℃/時以下である、請求項9乃至請求項14のいずれかに記載のフェライト焼結磁石の製造方法。
  16. 前記焼成工程の焼成温度から800℃までの温度範囲における平均降温速度が1000℃/時以上である、請求項15に記載のフェライト焼結磁石の製造方法。
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