JP2021145096A - Substrate carrier, film forming device, substrate carrier conveyance method, and film forming method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板キャリア、成膜装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法に関する。 The present invention relates to a substrate carrier, a film forming apparatus, a film forming method, and a method for manufacturing an electronic device.
有機ELディスプレイを製造する方法として、所定のパターンで開口が形成されたマスクを介して基板上に成膜することで、所定のパターンの膜を形成するマスク成膜法が知られている。マスク成膜法では、マスクと基板を位置合わせした後に、マスクと基板を密着させて成膜を行う。マスク成膜法によって精度よく成膜するためには、マスクと基板の位置合わせを高い精度で行うことと、マスクと基板を密着させて膜ボケを抑制することが重要である。 As a method for manufacturing an organic EL display, a mask film forming method for forming a film having a predetermined pattern by forming a film on a substrate through a mask having openings formed in a predetermined pattern is known. In the mask film forming method, after the mask and the substrate are aligned, the mask and the substrate are brought into close contact with each other to form a film. In order to form a film with high accuracy by the mask film forming method, it is important to align the mask and the substrate with high accuracy and to prevent the film blurring by bringing the mask and the substrate into close contact with each other.
近年、有機ELディスプレイの大面積化や生産効率向上のために、大きなサイズの基板を用いて成膜を行うことが求められている。一般に、有機ELディスプレイの製造時には、ガラスや樹脂等の薄板が基板として用いられることが多く、基板のサイズが大きくなると基板を水平に保持した際の撓みが大きくなり、基板単独で搬送することが困難となる。 In recent years, in order to increase the area of an organic EL display and improve production efficiency, it has been required to form a film using a large-sized substrate. Generally, when manufacturing an organic EL display, a thin plate such as glass or resin is often used as a substrate, and as the size of the substrate increases, the deflection when the substrate is held horizontally increases, and the substrate alone can be conveyed. It will be difficult.
特許文献1には、基板をチャックプレート(「基板キャリア」とも称する)に保持させ、チャックプレートごと基板を搬送することが記載されている。これにより、撓みの大きい大面積基板であっても搬送することが可能となる。そして、特許文献1には、基板キャリアに基板を保持させた状態で基板とマスクを合着して成膜を行うことが記載されている。特許文献1では、基板への一連の成膜が完了したら基板と基板キャリアを分離し、分離した基板キャリアをリターンラインを通してチャック室に戻し、戻した基板キャリアにチャック室で別の基板を保持させて成膜を行う。
特許文献1には、基板を分離した後の基板キャリアをリターンラインを通じて循環させることが記載されているが、具体的にどのように循環させるかまでは検討されていない。
そこで本発明では、基板キャリアによって基板を保持させて搬送しつつ成膜し、成膜後に基板キャリアと基板を分離し、分離した基板キャリアを循環させる成膜装置において、基板キャリアを循環させる際の効率を向上させることを目的とする。 Therefore, in the present invention, in a film forming apparatus in which a substrate is held by a substrate carrier and a film is formed while being conveyed, the substrate carrier and the substrate are separated after the film is formed, and the separated substrate carriers are circulated, the substrate carriers are circulated. The purpose is to improve efficiency.
上記課題を解決するために、本発明の基板キャリアは、
第1方向に沿って複数配置された第1搬送回転体と、前記第1方向と交差する第2方向に沿って複数配置された第2搬送回転体と、が設けられ、基板に成膜を行う成膜装置において、基板を保持して前記第1方向および前記第2方向に搬送するために用いられる基板キャリアであって、
基板を保持する板状部材と、
前記板状部材の前記第2方向における両端部にそれぞれ前記第1方向に沿って前記板状部材に固定して設けられ、前記第1搬送回転体によって支持される一対の第1被案内部材
と、
前記板状部材の前記第1方向における両端部にそれぞれ前記第2方向に沿って前記板状部材に固定して設けられ、前記第2搬送回転体によって支持される一対の第2被案内部材と、
を有することを特徴とする。
In order to solve the above problems, the substrate carrier of the present invention is used.
A plurality of first transport rotating bodies arranged along the first direction and a plurality of second transport rotating bodies arranged along the second direction intersecting the first direction are provided, and a film is formed on the substrate. A substrate carrier used for holding a substrate and transporting it in the first direction and the second direction in the film forming apparatus to be performed.
A plate-shaped member that holds the substrate and
A pair of first guided members that are fixedly provided to the plate-shaped member along the first direction at both ends of the plate-shaped member in the second direction and supported by the first transport rotating body. ,
A pair of second guided members that are fixedly provided to the plate-shaped member along the second direction at both ends of the plate-shaped member in the first direction and supported by the second transport rotating body. ,
It is characterized by having.
本発明によれば、基板キャリアによって基板を保持させて搬送しつつ成膜し、成膜後に基板キャリアと基板を分離し、分離した基板キャリアを循環させる成膜装置において、基板キャリアを循環させる際の効率を向上させることができる。 According to the present invention, when a substrate carrier is held and conveyed by a substrate carrier to form a film, the substrate carrier and the substrate are separated after the film formation, and the separated substrate carrier is circulated, the substrate carrier is circulated. Efficiency can be improved.
[実施形態1]
以下に図面を参照して、この発明を実施するための形態を、実施例に基づいて例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、特に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
[Embodiment 1]
Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail exemplarily based on examples with reference to the drawings. However, the dimensions, materials, shapes, relative arrangements, etc. of the components described in this embodiment are not intended to limit the scope of the present invention to those unless otherwise specified. ..
図1〜図13を参照して、本発明の実施形態に係る基板キャリア、成膜装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法について説明する。以下の説明においては、電子デバイスを製造するための装置に備えられるマスク装着装置等を例にして説明する。また、電子デバイスを製造するための成膜方法として、真空蒸着法を採用した場合を例にして説明する。ただし、本発明は、成膜方法としてスパッタリング法を採用する場合にも適用可能である。また、本発明のマスク装着装置等は、成膜工程に用いられる装置以外においても、基板にマスクを装着する必要のある各種装置にも応用可能であり、特に大型基板が処理対象となる装置に好ましく適用できる。なお、本発明に適用される基板の材料としては、ガラスの他、半導体(例えば、シリコン)、高分子材料のフィルム、金属などの任意の材料を選ぶことができる。また、基板として、例えば、シリコンウエハ、又はガラス基板上にポリイミドなどのフィルムが積層された基板を採用することもできる。なお、基板上に複数の層を形成する場合においては、一つ前の工程までに既に形成されている層も含めて「基板」と称するものとする。また、以下で説明する各種装置等の同一図面内に同一もしくは対応する部材を複数有する場合には、図面中にa、bなどの添え字を付与して示す場合があるが、説明文において区別する必要がない場合には、A、B、a、bなどの添え字を省略して記述する場合がある。 A substrate carrier, a film forming apparatus, a film forming method, and a method for manufacturing an electronic device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 13. In the following description, a mask wearing device or the like provided in a device for manufacturing an electronic device will be described as an example. Further, a case where a vacuum vapor deposition method is adopted as a film forming method for manufacturing an electronic device will be described as an example. However, the present invention is also applicable to the case where the sputtering method is adopted as the film forming method. Further, the mask mounting device and the like of the present invention can be applied to various devices that need to mount a mask on a substrate other than the device used in the film forming process, and particularly for a device for processing a large substrate. It is preferably applicable. As the substrate material applied to the present invention, in addition to glass, any material such as a semiconductor (for example, silicon), a film of a polymer material, and a metal can be selected. Further, as the substrate, for example, a silicon wafer or a substrate in which a film such as polyimide is laminated on a glass substrate can be adopted. When a plurality of layers are formed on the substrate, the layer including the layers already formed up to the previous step is also referred to as a "board". Further, when a plurality of identical or corresponding members are provided in the same drawing of various devices described below, subscripts such as a and b may be added in the drawings, but they are distinguished in the description. If it is not necessary to do so, the subscripts such as A, B, a, and b may be omitted.
(キャリア構成)
図1及び図2は、本発明の被案内部材としてのレールを適用した基板キャリア9の構成を示す斜視図である。基板キャリア9は、平面視矩形の平板状の構造体であり、矩形外周縁部をなす四辺のうちの対向二辺近傍における基板キャリア9の両側面にレール対(51a,51b)が設けられている。基板キャリア9は、基板キャリア9の搬送経路の両側に搬送方向に沿って複数配置された搬送回転体としての搬送ローラ15にレール対(51a,51b)が支持されることによって支持される。かかる支持構成により、上記搬送方向の基板キャリア9の移動が搬送ローラ15の回転によって案内される。図1及び図2は、基板キャリア9が搬送ローラ15によって矩形外周縁部をなす四辺のうちの対向二辺近傍を支持された状態を示しており、自重による変形により、両支持辺から離れる中央部(四辺のうち支持辺ではない対向二辺に沿った方向における中央部)が重力方向下方に落ち込むように変形した様子を示している。図1は、基板キャリア9を斜め上方から見たときの基板キャリア9の様子を示しており、図2は、基板キャリア9を斜め下方から見たときの基板キャリア9の様子を示しており、搬送ローラ15の図示を省略している。これらの図を用いて基板キャリア9の構成を説明する。
(Career composition)
1 and 2 are perspective views showing the configuration of a
基板キャリア9は、矩形の平板状部材であるキャリア面板30と、キャリア面板30の側面に固定される4本のレール50a、50b、51a、51bと、チャック部材32と、を備える。なお、本実施形態では基板キャリア9が備えるキャリア面板30が矩形状の部材である場合について説明するが、本発明はこれに限定はされず、2対の対向する二辺を備え、それぞれの対向する二辺に対応してレールの対が設けられればよい。
The
レール50a、50b、51a、51bは、キャリア面板30の矩形外周四辺の各辺ごとに一本設けられており、対向する二辺に設けられたレール同士(レール50aとレール50b、レール51aとレール51b)が対となり、基板キャリア9の搬送時において被案内部として機能する。
One
2対のレール対のうちレール51a、51bの対が、基板5の成膜時における基板キャリア9の搬送に用いられ、これと直交する対であるレール50a、50bの対が、基板キャリア9の循環搬送経路における搬送方向を転換するための搬送経路において用いられる。すなわち、第1被案内部材であるレール51a、51bの対が、第1方向に搬送する際に第1搬送回転体(後述)によって支持されて搬送され、第2被案内部材であるレール50a、50bの対が、第2方向に搬送する際に第2搬送回転体(後述)によって支持されて搬送される。なお、本実施形態では第1方向と第2方向とが直交する場合について説明するが、本発明はこれに限定はされず、第1方向と第2方向とは交差する方向であればよい。
Of the two pairs of rails, the pair of
キャリア面板30の材質は、基板キャリア9全体の重量を低減するためアルミニウムまたはアルミニウム合金を主材とすることが望ましい。一方、本実施形態に係る基板キャリア9のレール50、51は、ステンレスや防錆メッキされた高剛性鋼等のキャリア面板30よりもヤング率の高い材料を主材として用いることが好ましい。これにより、搬送時に発生する基板キャリア9全体の振動を低減するとともに、搬送ローラ15との接触時に発生するパーティクルや切り粉の発生を低減する。
It is desirable that the material of the
また、本実施形態に係る基板キャリア9のレール50、51の表面は、例えばDLCコーティング等の硬度を高めるための表面処理が施されており、これにより搬送ローラ15との接触面における搬送時の摩耗や削れを抑制し、パーティクルの発生を低減する効果が得られる。なお、レール50、51の表面処理としては、焼き入れ等の他の手法を用いてもよい。
Further, the surfaces of the
チャック部材32は、基板5をキャリア面板30によって構成される保持面に沿って保持するための部材である。本実施形態ではチャック部材32は、図3に示すようにキャリア面板30に設けられた複数の穴の内部に複数配置されている。チャック部材32の基板5に面する部分には粘着性の部材が配置されており、粘着力によって基板5を保持することができる。チャック部材32は粘着パッドと呼ぶこともできる。なお、チャック部材32は、マスク6の形状に応じて配置されていることが好ましく、マスク6の桟の部分に対応して配置されていることがより好ましい。これにより、チャック部材32が基板5と接触することによる基板5の成膜エリアの温度分布への影響を抑制することができる。なお、本実施形態ではチャック部材32として粘着力によって基板5を保持する部材を用いているが、本発明はこれに限定はされず、チャック部材32として静電気力によって基板5を保持する部材(静電チャック)を用いることもできる。
The
図3を参照して、本発明の実施形態に係る製造システム(成膜装置)について説明する。図3は、本発明の実施形態に係る製造システムの模式的な構成図であり、有機ELパネル(有機EL表示装置)をインラインで製造する製造システム300を例示している。有機ELパネルは、一般的に、基板上に有機発光素子を形成する有機発光素子形成工程と、形成した有機発光層上に保護層を形成する封止工程と、を経て製造されるが、本実施形態に係る製造システム300は有機発光素子形成工程を主に行う。
The manufacturing system (deposition apparatus) according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a manufacturing system according to an embodiment of the present invention, and illustrates a
製造システム300は、図3に示すように、アライメント室100(マスク取付室)と、複数の成膜室110と、転回室111と、搬送室112と、マスク分離室113と、基板分離室114と、基板投入室117(基板取付室)と、搬送室118と、搬送室115と、を有する。製造システム300はさらに、後述する搬送手段を有しており、基板キャリア9は搬送手段によって製造システム300の有する各チャンバ内を通る所定の搬送経路に沿って搬送される。具体的には、図3の構成においては、基板キャリア9は、アライメント室100(マスク取付室)、複数の成膜室110a、転回室111a、搬送室112、転回室111b、複数の成膜室110b、マスク分離室113、基板分離室114、基板投入室117、搬送室115、の順に各チャンバ内を通って搬送され、再度、アライメント室100に戻る。このように、基板キャリア9は所定の搬送経路(循環搬送経路)に沿って循環して搬送される。なお、本実施形態における製造システム300はさらに、マスク投入室90と、マスク搬送室116と、を有する。以下、各チャンバの機能について説明する。
As shown in FIG. 3, the
基板キャリア9が上記循環搬送経路を循環搬送されるのに対し、マスク6は、マスク投入室90から循環搬送経路上に投入され、マスク搬送室116から搬出される。また、未成膜の基板5は、基板投入室117から循環搬送経路上に投入され、基板キャリア9に保持された状態で成膜された後に、成膜済みの基板5は、基板分離室114から搬出される。基板投入室117に搬入された未成膜の基板5は、基板搬入室117で基板キャリア9に保持され、搬送室118および搬送室115を経由してアライメント室100に搬入される。
While the
なお、基板投入室117および基板分離室114には基板キャリア9の保持面の向きを鉛直方向上向きから鉛直方向下向きに、または、鉛直方向下向きから鉛直方向上向きに反転させる反転機構(不図示)が備えられている。基板5は、基板キャリア9が保持面が鉛直方向上を向いた状態で配置されている基板投入室117に、被成膜面が鉛直方向上を向いた状態で搬入され、基板キャリア9の保持面の上に載置され、基板キャリア9によって保持される。その後、不図示の反転機構によって基板5を保持した基板キャリア9が反転され、基板5の被成膜面が鉛直方向下を向いた状態になる。一方、基板キャリア9がマスク分離室113から基板分離室114に搬入される際には、基板5の被成膜面が鉛直方向
下を向いた状態で搬入されてくる。搬入後、不図示の反転機構によって基板5を保持した基板キャリア9が反転され、基板5の被成膜面が鉛直方向上を向いた状態となる。その後、基板5は被成膜面が鉛直方向上を向いた状態で基板分離室114から搬出される。
The
基板投入室117で投入された基板5を保持して反転された基板キャリア9がアライメント室100に搬入される際には、これに合わせてマスク6がマスク投入室90からアライメント室100に搬入される。アライメント室100(マスク取付室)には、アライメント装置1が搭載されており、本実施形態に係る基板キャリア9に保持された基板5とマスク6とを高精度で位置合わせしてマスク6に基板キャリア9(基板5)を載置した状態とし、その後、搬送ローラ15(搬送手段)に受け渡し、次工程に向けて搬送を開始する。基板5、マスク6、基板キャリア9は、それぞれ向きを変えずに上記搬送経路を搬送される。すなわち、搬送経路の延びる方向が変わったとしてもそれぞれ向きは変えずに進行方向だけを変える搬送方式である。搬送手段としての搬送ローラ15は、搬送経路の両脇に搬送方向に沿って複数配置されており、それぞれ不図示のACサーボモータの駆動力により回転することで、基板キャリア9やマスク6を搬送する構成となっている。搬送経路には、その搬送方向に応じて、第1方向に搬送するための第1搬送回転体としての搬送ローラ15Aの対(15Aa、15Ab)と、第2方向に搬送するための第2搬送回転体としての搬送ローラ15Bの対(15Ba、15Bb)と、のいずれか、あるいは両方が設けられている。
When the
図4は、アライメントが完了して基板キャリア9が載置されたマスク6が、その下面の搬送方向と直交する幅方向の両端部が搬送ローラ15に支持された状態を、搬送方向に見たときの模式図である。基板キャリア9を搭載したマスク6は、幅方向の両端部のみが搬送ローラ15で支持された状態となるため、基板キャリア9とともにその自重によって幅方向の中央部が下方に落ち込むように下方凸状の撓み変形した状態となる。この状態で、搬送ローラ15によって搬送方向の移動がガイドされ、成膜室110内において蒸着源7の上を通過して基板5が成膜されることになる。本発明の搬送方向のレール51は、成膜時に複数の搬送ローラ15上を通過するので、その際に振動の影響を受けて基板キャリア9自体が加振されて基板キャリア9とマスク6の位置ズレを誘発する懸念がある。したがって、成膜方向のレール51は、なるべく高い剛性を有していることが望ましい。一方、成膜方向と直交する方向の本発明であるレール50は、後述するように、基板キャリア9とマスク6との密着性、アライメント精度を確保する観点で低い剛性を有していること、すなわち、レール51よりも剛性が相対的に低いこと、が好ましい。
FIG. 4 shows a state in which both ends of the
図3において、搬送経路の前段の成膜室110aでは、搬入されてきた基板キャリア9に吸着された基板5が、蒸着源7上を通過することで、基板5の被成膜面においてマスク6によって遮られる個所以外の面が成膜される。基板キャリア9とマスク6は、転回室111aで進行方向を90°転回し、搬送室112を経て、さらに転回室111bを通り(さらに進行方向90°転回し)、搬送経路の後段の成膜室110bへ投入される。各転回室111には、基板キャリア9及びマスク6を、第1方向に搬送するための第1搬送回転体としての搬送ローラ15Aの対(15Aa、15Ab)と、第2方向に搬送するための第2搬送回転体としての搬送ローラ15Bの対(15Ba、15Bb)とが設けられている。第1搬送回転体と第2搬送回転体の高さを異ならせることで基板キャリア9及びマスク6の載せ替えを行い、基板キャリア9及びマスク6の向きは変えることなく、進行方向のみを変えるように構成されている。具体的には、基板キャリア9及びマスク6が第1搬送回転体に支持された状態で、第2搬送回転体が下から上に上昇して第1搬送回転体よりも高い位置へと移動することで、基板キャリア9及びマスク6が第2搬送回転体に支持される状態とすることで、載せ替えを実現することができる。
In FIG. 3, in the
成膜完了後、基板キャリア9とマスク6は、マスク分離室113に搬送され、マスク分
離室113において、基板5を保持した基板キャリア9はマスク6から分離される。マスク6から分離された基板キャリア9は基板分離室114へ搬送され、基板分離室114において、成膜が完了した基板5は基板キャリア9から分離され、循環搬送経路上から回収される。なお、基板分離室114では上述のとおり基板キャリア9の反転が行われる。一方、基板キャリア9から分離したマスク6は、そのまま直進して搬送室118を経由してマスク搬出室116へ搬送される。キャリア9には、基板投入室117において新たな基板5が投入、吸着される。基板投入室117でも、上述のとおり基板キャリア9の反転が行われる。基板キャリア9は、搬送室118および搬送室115を経て、再びアライメント室100へと搬送される。そして、アライメント室100において、投入室90から搬送されてきたマスク6上にアライメントされて載置される。なお、搬送室118には、搬送方向が互いに異なる(直交する)搬送ローラ対が上下二段に別けて設けられている。上記第1方向に複数並ぶ下段の搬送ローラ対は、マスク分離室113で分離されたマスク6がマスク分離室113からマスク搬送室116へ搬送する際に用いられる。上記第2方向に複数並ぶ上段の搬送ローラ対は、基板投入室117から搬入された基板キャリア9を搬送室115へ搬送する際に用いられる。
After the film formation is completed, the
図5は、基板キャリア9単体で搬送ローラ15上に載置された状態を示している。基板キャリア9は、レール51およびレール50を介して搬送ローラ15上に載置される。レール51は、上述した第1方向に搬送するための第1搬送回転体としての搬送ローラ15A上に載置され、レール50は、上述した第2方向に搬送するための第2搬送回転体としての搬送ローラ15B上に載置される。上記の通り、基板5を基板キャリア9から分離する過程や基板キャリア9に保持させる過程、基板5を保持した基板キャリア9を搬送してアライメント室100に投入する過程等を含むため、基板キャリア9単体で成膜方向と、成膜方向と直交する方向の両方向とも搬送可能とする必要がある。そのため、本実施形態のように基板キャリア9に第2方向に搬送するための第2被搬送部材であるレール50と第1方向に搬送するための第1被搬送部材であるレール51とを配置することで、基板キャリア9を第1方向および第2方向に搬送することができるようになり、効率的な搬送が可能となる。さらに、第1被搬送部材および第2被搬送部材として耐摩耗性の高い部材を用いることで搬送ローラ15との接触部における耐摩耗性を確保し、搬送ローラ15と基板キャリア9の接触部からの発塵を低減することができる。これにより、ライン内にパーティクルや切り子の飛散を防ぎ、成膜装置内において基板5や基板キャリア9への付着を防ぐことができる。この結果、成膜時の歩留まりの低下を抑制しつつ、基板キャリア9を第1方向および第2方向に搬送することができるようになる。
FIG. 5 shows a state in which the
図6は、本実施形態のインライン蒸着装置のアライメント機構部における全体構成を示すための模式的な断面図である。 FIG. 6 is a schematic cross-sectional view for showing the overall configuration of the alignment mechanism portion of the in-line vapor deposition apparatus of the present embodiment.
蒸着装置は、概略、チャンバ4と、基板キャリア部9において保持された基板5およびマスク6を保持して相対位置合わせを行うアライメント装置1を備えている。チャンバ4は、真空ポンプや室圧計を備えた室圧制御部(不図示)により室圧を調整可能であるとともに、チャンバ4の内部には蒸着材料71(成膜材料)を収容した蒸発源7(成膜源)を配置可能であり、これにより、チャンバ内部に減圧された成膜空間2が形成される。成膜空間2においては、蒸発源7から基板5に向けて蒸着材料が飛翔し、基板上に膜が形成される。なお、本実施形態では、図12に示すように、マスク6は枠状のマスクフレーム6aに数μm〜数十μm程度の厚さのマスク箔6bが溶接固定された構造を有する。マスクフレーム6aは、マスク箔6bが撓まないように、マスク箔6bをその面方向(後述するX方向およびY方向)に引っ張った状態で支持する。マスク箔6bには、所望の成膜パターンに応じた開口が形成されている。基板5としてガラス基板またはガラス基板上にポリイミド等の樹脂製のフィルムが形成された基板を用いる場合、マスクフレーム6aおよびマスク箔6bの主要な材料としては、鉄合金を用いることができ、ニッケルを含む鉄合金
を用いることが好ましい。ニッケルを含む鉄合金の具体例としては、34質量%以上38質量%以下のニッケルを含むインバー材、30質量%以上34質量%以下のニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材、38質量%以上54質量%以下のニッケルを含む低熱膨張Fe−Ni系めっき合金などを挙げることができる。
The vapor deposition apparatus generally includes a
図示例では成膜時に基板の成膜面が重力方向下方を向いた状態で成膜されるデポアップの構成について説明する。しかし、成膜時に基板の成膜面が重力方向上方を向いた状態で成膜されるデポダウンの構成でもよい。また、基板が垂直に立てられて成膜面が重力方向と略平行な状態で成膜が行われる、サイドデポの構成でもよい。すなわち本発明は、キャリアに保持された基板とマスクを相対的に接近させるときに、該基板キャリアとマスクの少なくともいずれかの部材に発生する垂下や撓みが発生し他状態において高精度で位置合わせすることが求められる際に、好適に利用できる。 In the illustrated example, the configuration of the depot-up formed in a state where the film-forming surface of the substrate faces downward in the direction of gravity at the time of film-forming will be described. However, a depot down configuration may be used in which the film is formed with the film forming surface of the substrate facing upward in the direction of gravity at the time of film formation. Further, a side depot configuration may be used in which the substrate is erected vertically and the film formation surface is substantially parallel to the direction of gravity. That is, in the present invention, when the substrate held by the carrier and the mask are relatively close to each other, drooping or bending occurs in at least one member of the substrate carrier and the mask, and the substrate is aligned with high accuracy in other states. It can be suitably used when it is required to do so.
チャンバ4は上部隔壁4a(天板)、側壁4b、底壁4cを有している。チャンバ内部は、上述した減圧雰囲気の他、真空雰囲気や、窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持されていてもよい。なお、本明細書における「真空」とは、大気圧より低い圧力の気体で満たされた空間内の状態をいい、典型的には、1atm(1013hPa)より低い圧力の気体で満たされた空間内の状態をいう。
The
蒸発源7は例えば、蒸着材料を収容する坩堝などの材料収容部と、蒸着材料を加熱するシースヒータなどの加熱手段を備えるものであってもよい。さらに、基板キャリア9およびマスク6と略平行な平面内で材料収容部を移動させる機構や蒸発源7全体を移動させる機構を備えることで、蒸着材料を射出する射出口の位置をチャンバ4内で基板5に対して相対的に変位させ、基板5上への成膜を均一化してもよい。
The
アライメント装置1は、概略、チャンバ4の上部隔壁3aの上に搭載されて基板キャリア9を駆動して、基板キャリア9に保持された基板5とマスク6との位置を相対的に合わせる位置合わせ機構60(位置合わせ手段)が含まれる。アライメント装置1は、基板キャリア9を保持するキャリア支持部8(基板キャリア支持部)と、マスク6を保持するマスク受け台16(マスク支持部)と、搬送ローラ15(搬送手段)と、を有している。
The
位置合わせ機構60は、チャンバ4の外側に設けられており、基板キャリア支持部およびマスク支持部の少なくとも一方を移動させ、基板キャリア9とマスク6の相対的な位置関係を変化させ。本実施形態では、位置合わせ機構60は、基板キャリア支持部であるキャリア支持部8を移動させる。位置合わせ機構60は、概略、回転並進機構11(面内移動手段)と、Z昇降ベース13と、Z昇降スライダ10を含んでいる。
The
回転並進機構11は、チャンバ4の上部隔壁4aに接続され、Z昇降ベース13をX方向、Y方向、およびθ方向(これらをまとめてXYθ方向とも称する)に駆動する。Z昇降ベース13は、回転並進機構11に接続され、基板キャリア9がZ方向に移動するときのベースとなる。Z昇降スライダ10は、Zガイド18に沿ってZ方向に移動可能な部材である。Z昇降スライダは、基板保持シャフト12を介して基板キャリア支持部8に接続されている。
The
かかる構成において、回転並進機構11による基板キャリア9およびマスク6に略平行な面内でのXYθ駆動(XYθ方向への駆動)の際には、Z昇降ベース13、Z昇降スライダ10および基板保持シャフト12が一体として移動し、キャリア支持部8に駆動力を伝達する。そして、基板キャリア9によって保持された基板5を、基板5およびマスク6と略平行な平面内において移動させる。なお、マスク6および基板5は後述するように重力によって撓んでいるが、ここでいう基板5およびマスク6と略平行な平面とは、撓みが
生じていない理想的な状態の基板5およびマスク6と略平行な平面を指す。例えば、デポアップやデポダウンなど、基板5とマスク6を水平に配置する構成においては、回転並進機構11は基板5を水平面内で移動させる。また、Zガイド18によってZ昇降スライダ10がZ昇降ベース13に対してZ方向に駆動する際には、駆動力が基板保持シャフト12(本実施形態では、4本の基板保持シャフト12a、12b、12c、12dを備える。なお、図8では、シャフト12dが基板5及びマスク6に隠れていて不図示である。)を介してキャリア支持部8に伝達される。そして、基板5のマスク6に対する距離を変化(離隔または接近)させる。すなわち、Z昇降ベース13、Z昇降ベース13およびZガイド18は位置合わせ手段の距離変化手段として機能する。
In such a configuration, when the XYθ drive (drive in the XYθ direction) in a plane substantially parallel to the
図示例のように、可動部を多く含む位置合わせ機構60を成膜空間の外に配置することで、成膜空間内あるいはアライメントを行う空間内での発塵を抑制することができる。これにより、発塵によってマスクや基板が汚染されて成膜精度が低下してしまうことを抑制することができる。なお、本実施形態では位置合わせ機構60が基板5をXYθ方向およびZ方向に移動させる構成について説明したが、これに限定はされず、位置合わせ機構60はマスク6を移動させてもよいし、基板5およびマスク6の両方を移動させてもよい。すなわち、位置合わせ機構60は基板5およびマスク6の少なくとも一方を移動させる機構であり、これにより、基板5とマスク6の相対的な位置を合わせることができる。
As shown in the illustrated example, by arranging the
基板キャリア9は、キャリア面板30(面板部材)と、着座ブロック31(着座部材)と、チャック部材32と、を有する。
The
キャリア面板30は、金属等で構成された板状部材であり、基板5を保持する保持面を構成する部材である。キャリア面板30はある程度の剛性(少なくとも基板5よりも高い剛性)を有しており、基板5を保持面に沿って保持することで、基板5の撓みを抑制することができる。
The
着座ブロック31は、キャリア面板30の保持面の基板保持エリアの外側に、保持面から突出して複数配置されている。着座ブロック31は基板5が基板キャリア9に保持された状態で、基板5よりもマスク6側に突出するように設けられている。基板キャリア9は着座ブロック31を介してマスクフレーム6aの外周フレーム上に、アライメント動作を経て着座する。
A plurality of seating blocks 31 are arranged outside the substrate holding area of the holding surface of the
チャック部材32は、基板5と接触して基板5をチャックするチャック面を有する。本実施形態のチャック部材32の有するチャック面は粘着性の部材によって構成された粘着面であり、粘着力によって基板5を保持する。それゆえ、本実施形態のチャック部材32は、粘着パッドと呼ぶこともできる。本実施形態では複数のチャック部材32のそれぞれは、図2に示すようにキャリア面板30に設けられた複数の穴の内部に、それぞれが有するチャック面(粘着面)がキャリア面板30の保持面と面一になるように(同一平面上に位置するように)配置されている。これにより、複数のチャック部材32のそれぞれによって基板5をチャックすることで、基板5をキャリア面板30の保持面に沿って保持することができる。なお、複数のチャック部材32はそれぞれが有するチャック面がキャリア面板30の保持面から所定の距離だけ飛び出た状態となるように配置されていてもよい。チャック部材32は、マスク6の形状に応じて配置されていることが好ましく、マスク6の桟の部分(基板5の被成膜領域を区画するための境界部)に対応して配置されていることがより好ましい。これにより、チャック部材32が基板5と接触することによる基板5の成膜エリアの温度分布への影響を抑制することができる。なお、本実施形態ではチャック部材32として粘着力によって基板5を保持する部材を用いているが、本発明はこれに限定はされず、チャック部材32として静電気力によって基板5を保持する部材(静電チャック)を用いることもできる。
The
基板キャリア9は、さらに、保持した基板5を介してマスク6を磁気吸着するための磁気吸着手段(不図示)を有する。磁気吸着手段としては永久磁石や電磁石、永電磁石を備えた磁石プレートを用いることができる。また、磁気吸着手段はキャリア面板30に対して相対移動可能に設けられていてもよい。より具体的には、磁気吸着手段は、キャリア面板30との間の距離を変更可能に設けられてもよい。
The
図7はマスクおよびキャリア保持部を拡大して示した図であり、これを用いて詳細部分を説明する。基板キャリア部9はキャリア支持部8を介してマスク6に対して位置合わせ可能である。キャリア支持部8はキャリア受け爪42およびキャリア受け面41で構成されており、キャリア受け面41上に基板キャリア9側面のレール51を載置することで、基板キャリア9全体を支持してマスク6に対してアライメント動作を実施する。
FIG. 7 is an enlarged view of the mask and the carrier holding portion, which will be used to explain the detailed portion. The
マスクフレーム6aはマスク受け面を構成するマスクパッド33を介してマスク受け台16によって支持されている。なおこのマスクパッド33は、アライメント中に発生する振動によってマスク位置がずれないように摩擦係数が高いことが望ましい。例えば金属同士の接触とし、表面をエンボス状にすることが考えられる。
The
このように、本実施形態では、矩形状の基板キャリア9と矩形状のマスク6が、キャリア支持部8とマスク支持部(マスク受け台16)によって搬送ローラ15Aの搬送方向(第1方向)に沿ってそれぞれ支持されている。すなわち、基板キャリア9は対向する2組の辺のうちの一方の組の辺が搬送ローラ15Aの搬送方向(第1方向)と略平行に配置され、その1組の辺に対応する基板キャリア9の周縁部に配置された第1被搬送部材であるレール51を、これに対向して配置されたキャリア支持部8が支持している。また、マスク6は対向する2組の辺のうちの一方の組の辺が搬送ローラ15Aの搬送方向(第1方向)と略平行に配置され、その1組の辺に対応するマスク6の周縁部を、これに対向して配置されたマスク支持部が支持している。なお、基板キャリア9とマスク6において支持される対向辺は、それぞれの長辺でもよいし短辺でもよい。また、基板キャリア9とマスク6が正方形である場合にも、2組の辺のうちの一方の組の辺の周縁部を支持する構成であればよい。
As described above, in the present embodiment, the
図8は、アライメント機構の一形態を示す斜視図である。マスク受け台16はマスク台ベース19上に載置された昇降台案内34に沿って上下に案内(昇降)される。また、マスク6の搬送方向の辺下部には搬送ローラ15Aが配置されており、マスク6はマスク受け台16が下降することによって搬送ローラ15Aに受け渡される。
FIG. 8 is a perspective view showing one form of the alignment mechanism. The
基板保持シャフト12は、チャンバ4の上部隔壁4aに設けられた貫通孔を通って、チャンバ4の外部と内部にわたって設けられている。成膜空間内では、基板保持シャフト12の下部にキャリア支持部8が設けられ、基板キャリア9を介して被成膜物である基板5を保持可能となっている。
The substrate holding shaft 12 is provided over the outside and the inside of the
基板保持シャフト12と上部隔壁4aとが干渉することのないよう、貫通孔は基板保持シャフト12の外径に対して十分に大きく設計される。また、基板保持シャフト12のうち貫通孔からZ昇降スライダ10への固定部分までの区間(貫通孔より上方の部分)は、Z昇降スライダ10と上部隔壁4aとに固定されたベローズ40によって覆われる。これにより、基板保持シャフト12がチャンバ4と連通する閉じられた空間によって覆われるため、基板保持シャフト12全体を成膜空間2と同じ状態(例えば、真空状態)に保つことができる。ベローズ40には、Z方向およびXY方向にも柔軟性を持つものを用いるとよい。これにより、アライメント装置1の稼働によってベローズ40が変位した際に発生する抵抗力を十分に小さくすることができ、位置調整時の負荷を低減することができる。
The through hole is designed to be sufficiently large with respect to the outer diameter of the substrate holding shaft 12 so that the substrate holding shaft 12 and the
マスク受け部は、チャンバ4の内部において、上部隔壁4aの成膜空間2の側の面に設置されており、マスク6の支持が可能となっている。例えば有機ELパネルの製造に用いられるマスクは、成膜パターンに応じた開口を有するマスク箔6bが高剛性のマスク枠6bに架張された状態で固定された構成を有している。この構成により、マスク受け部はマスク箔6bの撓みを低減した状態で保持することができる。
The mask receiving portion is installed on the surface of the
アライメント装置1による各種の動作(回転並進機構によるアライメント、距離変化手段によるZ昇降スライダ10の昇降、キャリア支持部8による基板保持、蒸発源7による蒸着など)は、制御部70によって制御される。制御部70は、例えば、プロセッサ、メモリ、ストレージ、I/Oなどを有するコンピュータにより構成可能である。この場合、制御部70の機能は、メモリ又はストレージに記憶されたプログラムをプロセッサが実行することにより実現される。コンピュータとしては、汎用のパーソナルコンピュータを用いてもよいし、組込型のコンピュータ又はPLC(programmable logic controller)を用いてもよい。あるいは、制御部70の機能の一部又は全部をASICやFPGAのような回路で構成してもよい。なお、蒸着装置ごとに制御部70が設けられていてもよいし、1つの制御部70が複数の蒸着装置を制御してもよい。
Various operations by the alignment device 1 (alignment by the rotation translation mechanism, elevating and lowering of the
次にアライメント装置1の位置合わせ機構60の詳細について、図8を参照して説明する。図8は、アライメント機構の一形態を示す斜視図である。Z昇降スライダ10を鉛直Z方向に案内するガイドは、複数本(ここでは4本)のZガイド18a〜18dを含んでおり、Z昇降ベース13の側面に固定されている。Z昇降スライダ中央には駆動力を伝達するためのボールネジ27が配設され、Z昇降ベース13に固定されたモータ26から伝達される動力が、ボールネジ27を介してZ昇降スライダ10に伝えられる。
Next, the details of the
モータ26は不図示の回転エンコーダを内蔵しており、エンコーダの回転数により間接的にZ昇降スライダ10のZ方向位置を計測できる。モータ26の駆動を外部コントローラで制御することにより、Z昇降スライダ10のZ方向の精密な位置決めが可能となっている。なお、Z昇降スライダ10の昇降機構は、ボールネジ27と回転エンコーダに限定されるものではなく、リニアモータとリニアエンコーダの組み合わせなど、任意の機構を採用することができる。
The
図11の構成では、回転並進機構11は複数の駆動ユニット21a、21b、21c、21dを、ベースの四隅に有している。各駆動ユニット21a〜21dは、駆動力を発生させる方向が四隅ごとに90度ずつ異なるように、隣接する隅に配置された駆動ユニットをZ軸周りに90度ずつ向きを回転させて配置されている。
In the configuration of FIG. 11, the
各駆動ユニット21は、駆動力を発生させる駆動ユニットモータ25を備えている。各駆動ユニット21は更に、駆動ユニットモータ25の力が駆動ユニットボールネジ46を介して伝達されることにより第1の方向にスライドする第1のガイド22と、XY平面において第1の方向と直交する第2の方向にスライドする第2のガイド23とを備えている。さらに、Z軸周りに回転可能な回転ベアリング24を備えている。例えば、駆動ユニット21dの場合は、X方向にスライドする第1のガイド22、X方向と直交するY方向にスライドする第2のガイド23、回転ベアリング24を有しており、駆動ユニットモータ25の力が駆動ユニットボールネジ46を介して第1のガイド22に伝達される。他の駆動ユニット21a、21b、21cも、配置する向きが互いに90度ずつ異なるだけで、それぞれ駆動ユニット21dと同様の構成を有している。
Each drive unit 21 includes a
駆動ユニットモータ25は不図示の回転エンコーダを内蔵しており、第1のガイド22の変位量を計測可能である。各駆動ユニット21において、駆動ユニットモータ25の駆
動を制御部70で制御することにより、Z昇降ベース13のXYθz方向における位置を精密に制御することが可能となっている。
The
例えば、Z昇降ベース13を+X方向へ移動させる場合は、駆動ユニット21aと駆動ユニット21dのそれぞれにおいて+X方向にスライドさせる力を駆動ユニットモータ25で発生させ、Z昇降ベース13にその力を伝えるとよい。また、+Y方向へ移動させる場合には、駆動ユニット21bと駆動ユニット21cのそれぞれにおいて+Y方向にスライドさせる力を駆動ユニットモータ25で発生させ、Z昇降ベース13にその力を伝えるとよい。
For example, when moving the
Z昇降ベース13をZ軸に平行な回転軸まわりに+θ回転(時計周りにθz回転)させる場合は、対角に配置された駆動ユニット21aと21dとを用いて、Z軸周りに+θz回転させるために必要な力を発生させ、Z昇降ベース13にその力を伝えるとよい。あるいは、駆動ユニット21bと駆動ユニット21cとを用いて、Z昇降ベース13に回転に必要な力を伝えてもよい。
When rotating the
次に、基板5とマスク6との位置を検出するために、それぞれのアライメントマークの位置を同時に計測するための撮像装置について説明する。図6、図8に示すように、上部隔壁4aの外側の面には、マスク6上のアライメントマーク(マスクマーク)および基板5上のアライメントマーク(基板マーク)の位置を取得するための位置取得手段である撮像装置14(14a、14b、14c、14d)が配設されている。上部隔壁4aには、撮像装置14によりチャンバ4の内部に配置されたアライメントマークの位置を計測できるよう、カメラ光軸上に撮像用貫通孔が設けられている。撮像用貫通孔には、チャンバ内部の気圧を維持するために窓ガラス17(17a、17b、17c、17d)等が設けられる。さらに、撮像装置14の内部または近傍に不図示の照明を設け、基板およびマスクのアライメントマーク近傍に光を照射することで、正確なマーク像の計測を可能としている。なお、図6では、撮像装置14d、窓ガラス17c、17dが、他の部材に隠れていて不図示である。
Next, an imaging device for simultaneously measuring the positions of the alignment marks in order to detect the positions of the
図12(a)〜図12(c)を参照して、撮像装置14を用いて基板マーク37とマスクマーク38の位置を計測する方法を説明する。
A method of measuring the positions of the
図12(a)は、キャリア支持部8に保持されている状態のキャリア面板30上の基板5を上から見た図である。説明のため、キャリア面板30は点線で、透過されたように図示する。基板5上には撮像装置14で計測可能な基板マーク37a、37b、37c、37dが基板5の4隅に形成されている。この基板マーク37a〜37dを4つの撮像装置14a〜14dによって同時計測し、各基板マーク37a〜37dの中心位置4点の位置関係から基板5の並進量、回転量を算出することにより、基板5の位置情報を取得することができる。なお、キャリア面板30には貫通孔が開いており、上部から撮像装置14によって基板マーク37の位置を計測することが可能となっている。
FIG. 12A is a top view of the
図12(b)は、マスクフレーム6aを上面から見た図である。四隅には撮像装置で計測可能なマスクマーク38a、38b、38c、38dが形成されている。このマスクマーク38a〜38dを4つの撮像装置14a、14b、14c、14dにより同時計測し、各マスクマーク38a〜38dのそれぞれの中心位置4点の位置関係からマスク6の並進量、回転量などを算出して、マスク6の位置情報を取得することができる。
FIG. 12B is a view of the
図12(c)は、マスクマーク38および基板マーク37の4つの組の中の1組を、撮像装置14によって計測した際の、撮像画像の視野44を模式的に示した図である。この例では、撮像装置14の視野44内において、基板マーク37とマスクマーク38が同時
に計測されているので、マーク中心同士の相対的な位置を測定することが可能である。マーク中心座標は、撮像装置14の計測によって得られた画像に基づいて、不図示の画像処理装置を用いて求めることができる。なお、マスクマーク38および基板マーク37として四角形や丸形状のものを示したが、マークの形状はこれに限られるわけではない。例えば、×印や十字形などのように中心位置を算出しやすく対称性を有する形状を用いることが好ましい。
FIG. 12C is a diagram schematically showing the field of
精度の高いアライメントが求められる場合、撮像装置14として数μmのオーダーの高解像度を有する高倍率CCDカメラが用いられる。このような高倍率CCDカメラは、視野の径が数mmと狭いため、基板キャリア9をキャリア受け爪41に載置した際の位置ズレが大きいと、基板マーク37が視野から外れてしまい、計測不可能となる。そこで、撮像装置14として、高倍率CCDカメラと併せて広い視野をもつ低倍率CCDカメラを併設するのが好ましい。その場合、マスクマーク38と基板マーク37が同時に高倍率CCDカメラの視野に収まるよう、低倍率CCDカメラを用いて大まかなアライメント(ラフアライメント)を行った後、高倍率CCDカメラを用いてマスクマーク38と基板マーク37の位置計測を行い、高精度なアライメント(ファインアライメント)を行う。
When highly accurate alignment is required, a high-magnification CCD camera having a high resolution on the order of several μm is used as the image pickup apparatus 14. Since the field of view of such a high-magnification CCD camera is as narrow as several mm, if the position shift when the
撮像装置14として高倍率CCDカメラを用いることにより、マスクフレーム6aと基板5の相対位置を誤差数μm内の精度で調整することができる。ただし、撮像装置14はCCDカメラに限られるわけではなく、例えばCMOSセンサを撮像素子として備えるデジタルカメラでもよい。また、高倍率カメラと低倍率カメラを別個に併設しなくとも、高倍率レンズと低倍率レンズを交換可能なカメラや、ズームレンズを用いることにより、単一のカメラで高倍率と低倍率の計測を可能にしてもよい。
By using a high-magnification CCD camera as the image pickup apparatus 14, the relative positions of the
撮像装置14によって取得したマスクフレーム6aの位置情報および基板5の位置情報から、マスクフレーム6aと基板5との相対位置情報を取得することができる。この相対位置情報を、アライメント装置の制御部70にフィードバックし、昇降スライダ10、回転並進機構11、キャリア支持部8など、それぞれの駆動部の駆動量を制御する。
From the position information of the
(基板キャリアとレールの構成)
図9、図10を用いて、本実施形態の基板キャリア9と、本発明を適用するのに好適なレール形状、構成に関して説明する。図9は、本実施形態の実施例1に係る基板キャリア9aの構成を示す模式図であり、図10は、本実施形態の実施例2に係る基板キャリア9bの構成を示す模式図である。
(Board carrier and rail configuration)
The
図9に示す実施例1の基板キャリア9aは、第1方向に搬送するための搬送ローラ15Aによって搬送される際に支持される第1被案内部材としてのレール52と、第2方向に搬送するための搬送ローラ15Bによって搬送される際に支持される第2被案内部材としてのレール53と、を有している。これにより、実施例1の基板キャリア9aは、搬送時の発塵を抑制して成膜時の歩留まりの低下を抑制しつつ、第1方向および第2方向の両方に搬送可能である。実施例1では、第1被案内部材としてのレール52と、第2被案内部材のレール53と、がいずれも搬送時に振動を低減できるように剛性を考慮した形状を有しており、同じ断面形状のレールを用いている。具体的には、いずれも図9(b)に示すように断面「コ」字状の分厚いレール形状となっている。なお、断面「コ」字形状の理由は、キャリア面板30側面にボルトで締結する際にボルト54の頭が突出するのを防ぐため掘り込みを入れているためである。
The substrate carrier 9a of the first embodiment shown in FIG. 9 is conveyed in the second direction with the rail 52 as the first guided member supported when the substrate carrier 9a is conveyed by the
図10に示す実施例2の基板キャリア9bも、実施例1と同様に、第1方向に搬送するための搬送ローラ15Aによって搬送される際に支持される第1被案内部材としてのレール51と、第2方向に搬送するための搬送ローラ15Bによって搬送される際に支持され
る第2被案内部材としてのレール50と、を有している。これにより、実施例2の基板キャリア9bも、搬送時の発塵を抑制して成膜時の歩留まりの低下を抑制しつつ、第1方向および第2方向の両方に搬送可能である。一方、実施例2の基板キャリア9bは、第1被案内部材としてのレール51と、第2被案内部材としてのレール50と、が断面形状の異なるレールである点が、実施例1と異なる。すなわち、第1被案内部材としてのレール51は、図9に示す実施例1のレール52と同様の断面が「コ」字形状の剛性を重視した構成を有しているが、第2被案内部材としてのレール50は、図10(b)に示すように、断面が「L」字形状を有している。これにより、第2被案内部材としてのレール50の断面積は第1被案内部材としてのレール51の断面積よりも小さくなっており、レール51よりもレール50の方が、断面2次モーメントが小さくなっている。なお、実施例2においてレール51とレール50はどちらもステンレス製のレールである。
Similarly to the first embodiment, the substrate carrier 9b of the second embodiment shown in FIG. 10 also has a rail 51 as a first guided member supported when the substrate carrier 9b is transported by the
図9(a)は、アライメント時にアライメント機構で基板キャリア9aとマスク6とをそれぞれ別々に保持した状態(離隔状態)を示している。基板キャリア9aは、キャリア受け面41上に第1被案内部材としてのレール52を介して支持された状態でマスク6に対してアライメントされる。実施例1の基板キャリア9aでは、第1被案内部材および第2被案内部材の両方が高い剛性を有するため、図9(a)に示すように、レール52の剛性によって基板キャリア9aの撓み量が抑制されている。その結果、基板キャリア9aをマスク6上に載置した後にも、マスクフレーム6aに対して空隙dsが生じる状態となる。
FIG. 9A shows a state (separation state) in which the substrate carrier 9a and the
実施例1の基板キャリア9aをマスク6に対してアライメントした後にマスク6の上に載置すると、基板キャリア9aをマスクフレーム6aに着座させる際に、最初に、基板キャリア9aのキャリア受け爪42によって支持されている部分(レール52)に沿って延びる領域と、マスク6のマスク支持部によって支持されている部分に沿って延びる領域と、が辺同士で接触することになる。辺同士が接触する際には、接触する2つの辺が同じ形状で、かつ2辺が平行を保ったまま接近して接触するような理想的な状態であれば辺全体が一度に接触することになるが、実際には、様々な外乱の影響によって辺の中の一部から接触が始まることになる。そしてこの場合、その接触の開始箇所は様々な外乱の影響を受けて毎回変わり、1箇所に定まることがなく、接触の開始箇所がランダムに決まることになる。また、1つの辺の中での接触開始箇所がランダムに決まるだけでなく、2つの対向辺のどちらが先に接触を開始するかも、様々な外乱の影響によって不定となる。この結果、基板キャリア9とマスク6の着座時の再現性が低下する。また、2つの対向辺のどちらか一方が先に接触を開始すると、先に接触を開始した方に偏荷重がかかる状態となるため、基板キャリア9aの着座時の反力がキャリア受け面41を介して位置合わせ機構60側に伝わり、機構の姿勢変動や位置ズレといった外乱がさらに生じうる。
When the substrate carrier 9a of the first embodiment is aligned with the
一方、実施例2においては、上述のとおり第2被案内部材としてのレール50の剛性を低くしているため、第1被案内部材としてのレール51のみを保持したときには、キャリアの支持状態における撓み量は、図9に示す実施例1の撓み量状態よりも大きくなる。したがって、このときのレール50aの撓み量が、マスクフレーム6aの撓み量よりも大きければ、基板キャリア9bがアライメント時にマスク6(マスクフレーム6a)に対して着座する箇所は中央部となり、接触開始箇所が毎回同じ個所になり、安定的な着座を行うことができるようになる。また、着座時のマスク6に対する基板キャリア9bの横ずれ量も低減するのでアライメント精度が向上する。さらに、基板キャリア9bの中央から対称的に外側へと接触が進行し、キャリア受け面41に左右均等に荷重がかかるようになるため、偏荷重による位置合わせ機構60の姿勢変動や位置ずれが低減される。
On the other hand, in the second embodiment, since the rigidity of the
また、基板キャリア9bとマスク6との間の空隙dsも、着座時にキャリア9bとマスク6とが良好に密着するためほとんど発生せず、最終的には図4のように隙間の無い状態
で搬送、成膜される。これにより成膜時の有機材料の回り込みを防ぐことができるので有機ELパネル生産の歩留まりが向上する効果がある。
Further, the gap ds between the substrate carrier 9b and the
ここで、さらに詳細に、キャリア支持部8によって支持された基板キャリア9と、マスク支持部によって支持されたマスク6の撓みについて検討する。上述のように、キャリア支持部8によって支持された基板キャリア9(基板5を保持)は、搬送ローラ15の搬送方向に垂直な断面において重力方向下向きに凸な放物線状に撓んだ形状となる。また、マスク支持部によって支持されたマスク6も、搬送ローラ15の搬送方向に垂直な断面において重力方向下向きに凸な放物線状に撓んだ形状となる。本明細書では、この基板キャリア9の撓みの程度とマスク6の撓みの程度を定量的に取り扱うための量として、キャリア自重撓み量dcとマスク自重撓み量dmを、下記のように定義する。
Here, in more detail, the deflection of the
本明細書において、キャリア自重撓み量dcは、キャリア支持部8によって基板キャリア9をある平面(仮想平面)に沿って支持しようとしたときに、その平面に沿った高さ(該仮想平面の高さ)を基準として、基準高さと自重によって撓んだ部分の高さとの差分(絶対値)を指す。例えば、キャリア支持部8によって基板キャリア9を水平に支持しようとしたときには、キャリア受け面41の高さを基準として、基準高さと、基板キャリア9のうち最も大きく撓んだ部分(仮想平面の高さからの高さの変化が最も大きい部分)の基板キャリア9の下面の高さ(典型的には対向配置されたキャリア支持部8の間の中間部分に対応する基板キャリア9の下面の高さ)との差分(絶対値)が、キャリア自重撓み量dcとなる。すなわち、図10(a)に示すように、キャリア支持部8に支持された基板キャリア9の下面において、高さの変化が最も少ない端部の部分の高さを上記仮想平面の高さとし、この仮想平面の高さから、高さの変化が最も大きい中央部の高さまでの差分(絶対値)を、キャリア自重撓み量dcとしている。なお、基板キャリア9の下面ではなく、上面を基準にしてキャリア自重撓み量dcを規定してもよい。この場合、上記仮想平面の高さは、キャリア受け面41の高さと基板キャリア9の厚み(高さ)を基に、取得するようにしてもよい。すなわち、基板キャリア9のキャリア受け面41と当接する部分に着目し、キャリア受け面41の高さに基板キャリア9の厚さを加えた値を、上記仮想平面の高さとしてもよい。
In the present specification, the carrier weight deflection amount dc is the height along a certain plane (virtual plane) when the
また、本明細書において、マスク自重撓み量dmは、マスク支持部によってマスク6をある平面(仮想平面)に沿って支持しようとしたときに、その平面に沿った高さ(該仮想平面の高さ)を基準として、基準高さと自重によって撓んだ部分の高さとの差分(絶対値)を指す。例えば、マスク支持部によってマスク6を水平に支持しようとしたときには、マスク6のマスク受け面33に当接している部分の上面の高さを基準として、基準高さと、マスク6のうち最も大きく撓んだ部分(仮想平面の高さからの高さの変化が最も大きい部分)のマスク6の上面の高さ(典型的には対向配置されたマスク支持部の間の中間部分に対応するマスク6の上面の高さ)との差分(絶対値)が、マスク自重撓み量dmとなる。すなわち、図10(a)に示すように、マスク支持部に支持されたマスク6の上面において、高さの変化が最も少ない端部の部分の高さを上記仮想平面の高さとし、この仮想平面の高さから、高さの変化が最も大きい中央部の高さまでの差分(絶対値)を、マスク自重撓み量dmとしている。なお、上記仮想平面の高さは、マスク受け面33の高さとマスク6の厚み(高さ)を基に、取得するようにしてもよい。すなわち、撓み時のマスク6の端部での傾きは無視できるほど小さいものとして、マスク6の端部における高さをマスク6の厚みと略同じと仮定してよい。また、マスク6の上面ではなく、下面を基準にしてマスク自重撓み量dmを規定してもよく、この場合、マスク受け面33の高さを基準高さとしてよい。
Further, in the present specification, the mask self-weight deflection amount dm is the height along a certain plane (virtual plane) when the mask support portion tries to support the
ここで、基板キャリア9は基板5の撓みを抑制して搬送を容易にするためのものであるから、その目的からすると、基板キャリア9のできるだけ剛性を高くしてできるだけ撓ま
ないようにすることが好ましい。一方、マスク6は上述のようにマスク箔6aが撓まないように剛性の高いマスクフレーム6bを用いているため、基板5と比較すると撓みにくい。従来は基板5およびマスク6の一辺の長さが高々1.5m程度であったためにマスク6の撓みは無視できる程度であったが、第8世代や第10世代などの一辺の長さが2mを大きく超えるような基板5およびマスク6を用いる場合にはマスク6の撓みも無視できなくなってくる。また、本実施形態のように、矩形状のマスク6および基板キャリア9を4辺全てではなく対向する一対の辺でしか支持しないような場合には、マスク6の撓みはますます大きくなる。すなわち、従来の思想通りに基板キャリア9を設計すると、マスク6のほうが基板キャリア9よりも撓みやすくなっていた。
Here, since the
本発明者らが鋭意検討した結果、このような場合に、従来の思想通りに基板キャリア9の剛性をできるだけ高くして撓まないようにすると、いくつかの不都合が生じることがわかった。以下、基板キャリア9の剛性をできるだけ高くして、キャリア自重撓み量dcがマスク自重撓み量dmよりも小さくなった場合(すなわち、dc<dmとなった場合)に生じる不都合について説明する。
As a result of diligent studies by the present inventors, it has been found that in such a case, if the rigidity of the
dc<dmである場合、まず第1に、基板キャリア9とマスク6とを接触させ、マスク6の上に基板キャリア9を載置して基板5にマスク6を装着するときに、マスク6の撓みが基板キャリア9の撓みより大きすぎるとマスク箔6aと基板5との間に大きな隙間が生じてしまう。マスク6と基板5との間に大きな隙間が生じた状態を図9(a)に示す。マスク箔6aと基板5との間に大きな隙間が生じると、基板5および基板キャリア9を挟んで裏側から磁石等の磁気吸着手段によってマスク6を吸着して基板5にマスク箔6aを密着させようとしても隙間が残ってしまう場合がある。このように、基板キャリア9に保持された基板5とマスク6の間に隙間dsが空く状態となり、この状態で搬送されて成膜された場合、成膜時に成膜材料がマスク箔6aと基板5との間の隙間を通って回り込み、膜ボケが発生する状態となる。この結果、成膜ムラが発生することとなり、ディスプレイの輝度ムラによる品質低下を招く恐れがある。
When dc <dm, first, when the
dc<dmである場合、第2に、基板キャリア9とマスク6とを接触させる際に、それぞれの支持部(キャリア支持部、マスク支持部)によって支持された部分である長辺に沿って延びる領域から接触が始まる。基板キャリア9の長辺は全て同じ高さになるようにキャリア受け爪42によって支持され、また、マスク6の長辺は全て同じ高さになるようにマスク支持部によって支持されているため、接触の開始は辺同士(長辺同士または長辺に沿って延びる領域同士)で生じることになる。辺同士が接触する際には、接触する2つの辺が同じ形状で、かつ2辺が平行を保ったまま接近して接触するような理想的な状態であれば辺全体が一度に接触することになるが、実際には、様々な外乱の影響によって辺の中の一部から接触が始まることになる。そしてこの場合、その接触の開始箇所は様々な外乱の影響を受けて毎回変わり、1箇所に定まることがなく、接触の開始箇所がランダムに決まることになる。この結果、基板キャリア9とマスク6の着座時の再現性が低下する。例えば、アライメント時のZ昇降スライダ10はZガイド18によって案内されて下降するが、Zガイドの真直度や姿勢の再現性によって基板キャリア9が下降する過程の経路や姿勢が異なるので、接触開始箇所を一定にすることは困難となる。このため接触開始箇所が変わると基板キャリア9がマスクフレーム6aから受ける反力が変わるため、基板キャリア9(または基板キャリア9に保持された基板5)とマスク6とのアライメントが完了した後、基板キャリア9をマスク6に着座させる時のズレ方が都度大きく異なりばらつく懸念がある。なお、dc=dmの場合も、dc<dmの場合と同様、着座時の振る舞い方が安定しないため、安定的な着座を実現する観点からはあまり好ましくない。
When dc <dm, secondly, when the
そこで、本発明者らは、基板キャリア9の剛性を敢えて高くしすぎないようにし、基板キャリア9の撓み量とマスク6の撓み量を調整することによって、上述の課題を解決した
。本実施形態では、キャリア自重撓み量dcとマスク自重撓み量dmとの関係がdc>dmとなるように、基板キャリア9のレール50、51の剛性の調整している。dc>dmとすることで、図10(a)に示すように、マスク6よりも基板キャリア9のほうが大きく撓むようになる。なお、基板5は基板キャリア9の保持面に沿って基板キャリアに保持されているため、基板5の撓み量もキャリア自重撓み量dcと同等と見なせる。
Therefore, the present inventors have solved the above-mentioned problems by not intentionally increasing the rigidity of the
この状態で基板キャリア9をマスク6に載置すると、基板キャリア9がマスク6に倣うように載置されていくため、載置後は図4のように基板キャリア9とマスク6の撓みを揃えることができるようになる。そのため、マスク箔6aと基板5との間の隙間を十分に小さくすることができ、成膜時の膜ボケを抑制することができるようになる。
When the
また、dc>dmとすることで、基板キャリア9に保持された基板5をマスク6に接触させる際には、基板5の短辺側の最も撓んだ部分から接触が始まるようになる。本実施形態では、基板キャリア9の基板5を保持しているエリアの外側に着座ブロック31が複数配置されており、着座ブロック31は基板5よりも突出するように設けられている。また、複数の着座ブロック31のうちの一部は、基板キャリア9の短辺側の中央、すなわち、最も撓む部分に配置されている。そのため、本実施形態では、基板キャリア9をマスク6に接触させる際には基板キャリア9の短辺側の中央に配置された着座ブロック31から接触が始まるようにすることができるため、着座の再現性を高めることができる。また、最初に接触する着座ブロック31を位置合わせの基準とすることができ、着座による位置の再現性も高めることができるようになる。
Further, by setting dc> dm, when the
(基板載置方法)
以下では、基板5を基板キャリア9にセットし、基板キャリア9上の基板5とマスク6とをアライメントし、基板キャリア9(基板5)をマスク6上に載置するまでの、蒸着装置の一連の動作を説明する。
(Board mounting method)
In the following, a series of vapor deposition apparatus until the
図13は、実施形態の蒸着装置の動作シーケンスを示すフローチャートである。 FIG. 13 is a flowchart showing an operation sequence of the vapor deposition apparatus of the embodiment.
まず、ステップS101では、不図示のローラ搬送機構に搭載された基板キャリア9がゲートバルブを介してチャンバ4内に搬入され、キャリア支持部8の両側のキャリア受け爪42上に載置される。一方のキャリア受け爪42aは、基板5(基板キャリア9)の一辺に沿って所定の間隔を空けて複数配置され、該基板5の一辺近傍において基板キャリア9の周縁部であるレール51aを支持する。他方のキャリア受け爪42bは、基板5の上記一辺と対向する第二辺に沿って所定の間隔を空けて複数配置され、該基板5の第二辺近傍において基板キャリア9の周縁部であるレール51bを支持する。
First, in step S101, the
次に、ステップS103では、基板キャリア9を下降させ、低倍率CCDカメラで撮像する高さにセットする。次に、ステップS104では、低倍率CCDカメラで基板5に設けられた基板マーク37を撮像する。制御部70は、撮像された画像に基づき基板5の位置情報を取得してメモリに保存する。
Next, in step S103, the
ステップS105は、ステップS104に続いて実行される場合と、ステップS109またはステップS113での判定が「NO」のとき、これらのS109またはS113に続いて実行される場合とがある。 Step S105 may be executed following step S104, or may be executed following S109 or S113 when the determination in step S109 or step S113 is "NO".
ステップS104に続いて実行されるステップS105では、基板キャリア9を下降させ、アライメント動作高さにセットし、ステップS104で取得した位置情報に基づいて基板5の位置を調整する。
In step S105, which is executed following step S104, the
まず基板キャリア9の高さについて言えば、キャリア受け面41(キャリア受け爪42の上面)とマスク6とを隔てる距離を、ステップS104のときより低い高さ変更する。ただしこのとき、キャリア受け面41の位置は、自重により撓んだ基板キャリア9上の基板5がマスク6と接触しない高さに設定する。なお、場合によっては、ステップS105とステップS104を同じ高さで実行してもよい。
First, regarding the height of the
ステップS104に続いて実行されるステップS105におけるアライメント動作では、制御部70は、ステップS104で取得した基板5の位置情報に基づいて、アライメント装置1が備える位置合わせ機構60を駆動する。すなわち、制御部70は、基板5の基板マーク37が高倍率CCDカメラの視野内に入るように基板5の位置を調整する。なお、マスク6については、マスクマーク38が高倍率CCDカメラの視野内(望ましくは視野中心)に入るように、予め、マスク6と高倍率CCDカメラの相対位置が調整済みである。このため、ステップS104に続いて実行されるステップS105におけるアライメント動作により、基板マーク37とマスクマーク38の両方が高倍率CCDカメラの視野内に入るように調整される。ただしこの時点では、被写界深度の関係から、基板マーク37が高倍率CCDカメラで撮像できない可能性がある。なお、アライメント動作では、基板5をXYθz方向に移動させるが、前述のように自重により撓んだ基板5がマスク6と接触しない高さで移動させるため、基板5の表面、あるいは、基板5表面に既に形成された膜パターンがマスク6と摺動して破損することはない。
In the alignment operation in step S105 executed following step S104, the
次に、ステップS106では、基板キャリア9を下降させ、高倍率CCDカメラで撮像する高さに基板5をセットする。
Next, in step S106, the
ここでは、被写界深度が浅い高倍率CCDカメラを、基板マーク37とマスクマーク36の両方に合焦させて撮影するために、基板5の少なくとも一部(撓んだ部分)がマスク6に接触して基板マスク当接部ができるまで、基板5をマスク6に近接させる。
Here, in order to take a picture with a high-magnification CCD camera having a shallow depth of field focusing on both the
次に、ステップS108では、高倍率CCDカメラによって基板5の基板マーク37とマスク6のマスクマーク38とを同時に撮像する。制御部70は、撮像された画像に基づき基板5とマスク6の相対位置情報を取得する。ここでいう相対位置情報とは、具体的には、基板マーク37とマスクマーク38の中心位置どうしの距離と位置ズレの方向に関する情報である。ステップS108は、基板5とマスク6の相対位置情報(相対位置ズレ量)を取得し、基板5とマスク6の位置ズレ量を計測する計測工程(計測処理)である。
Next, in step S108, the
次に、ステップS109では、制御部70はステップS108で計測した基板5とマスク6の位置ズレ量が所定の閾値以下かどうかを判定する。所定の閾値は、基板5とマスク6の位置ズレ量が成膜を行っても支障ない範囲内に収まるように、予め設定された値である。閾値は、求められる基板5とマスク6の位置合わせ精度を達成し得るように設定される。閾値は例えば、誤差数μm内のオーダーとする。
Next, in step S109, the
ステップS109において、基板5とマスク6の位置ズレ量が所定の閾値を越えると判定した場合には(ステップS109:NO)、ステップS105に戻ってアライメント動作を実行し、さらにステップS106以降の処理を続行する。
If it is determined in step S109 that the amount of misalignment between the
ステップS109の判定がNOの場合に実行されるステップS105では、基板キャリア9を上昇させ、アライメント動作高さにセットし、ステップS108で取得した相対位置情報に基づいて基板5の位置を調整する。
In step S105, which is executed when the determination in step S109 is NO, the
ステップS109の判定がNOの場合に実行されるアライメント動作では、制御部70は、ステップS108で取得した基板5とマスク6の相対位置情報に基づいて、アライメ
ント装置1が備える位置合わせ機構を駆動する。すなわち、制御部70は、基板5の基板マーク37とマスク6のマスクマーク38とがより近接する位置関係になるように、基板5をXYθz方向に移動させて位置を調整する。
In the alignment operation executed when the determination in step S109 is NO, the
アライメント動作では、基板5をXYθz方向に移動させるが、前述のように自重により撓んだ基板5がマスク6と接触しない高さでの移動であるため、基板5の表面、あるいは、基板5表面に既に形成された膜パターンがマスク6と摺動して破損することはない。
In the alignment operation, the
ステップS105は、基板5とマスク6の位置ズレ量が減少するように基板5を移動させるアライメント工程(アライメント処理)であり、ステップS109の判定がNOの場合にはファインアライメントが行われる。
Step S105 is an alignment step (alignment process) for moving the
ステップS109の判定がYESの場合には、ステップS110において、基板キャリア9をさらに下降して、基板キャリア9全体がマスクフレーム6a上に載置された状態にする。すなわち、キャリア支持部8による基板キャリア9の支持が解かれ、基板キャリア9(基板5)とこれを搭載するマスクフレーム6a(マスク6)とが共に、マスク受け台16(マスク支持部)によって支持される状態となる。そして、ステップS112において、高倍率CCDカメラにより基板マーク37とマスクマーク36を撮像し、基板5とマスク6の相対位置情報を取得する。
If the determination in step S109 is YES, in step S110, the
次に、ステップS113では、制御部70はステップS112で取得した基板5とマスク6の相対位置情報に基づき、基板5とマスク6の位置ズレ量が所定の閾値以下かどうかを判定する。所定の閾値は、その閾値内であれば成膜を行っても支障ない範囲内である条件として、予め設定しておく。
Next, in step S113, the
ステップS113において、基板5とマスク6の位置ズレ量が所定の閾値を越えると判定した場合には(ステップS113:NO)、キャリア受け爪42を基板5の高さに上昇させ基板キャリア9を支持する。なお、かかるNO判定は、例えばステップS109〜ステップS114の間に、外部振動により位置ズレが発生した場合などに起こりえる。
When it is determined in step S113 that the amount of positional deviation between the
そして、ステップS105に戻ってアライメント動作を実行する。その後、ステップS106以降の処理を続行する。 Then, the process returns to step S105 to execute the alignment operation. After that, the processing after step S106 is continued.
一方、ステップS113において、基板5とマスク6aの位置ズレ量が所定の閾値以下であると判定した場合には(ステップS113:YES)、ステップS114に移行し、マスク昇降台16を下降させて、搬送ローラ15に受け渡す。これによりアライメントシーケンスは完了する(END)。
On the other hand, if it is determined in step S113 that the amount of misalignment between the
本実施例では、基板キャリアが、搬送経路において第1方向に搬送される際に、搬送経路に第1方向に沿って複数配置された搬送回転体として搬送ローラ15によって支持される第1被案内部材としての第1のレールと、搬送経路において第2方向に搬送される際に、搬送経路に第2方向に沿って複数配置された搬送回転体として搬送ローラ15によって支持される第2被案内部材としての第2のレールと、を備える。基板キャリアは、成膜後の基板が回収されると、成膜の搬送経路の上流まで循環搬送され、再び、成膜時の基板の保持のために利用される。そのような循環搬送経路(単独搬送経路)において、上述の第1のレールと第2のレールとを備えることで、基板キャリアの向き(方向)を変えずに、互いに直交する第1方向と第2方向に搬送可能となり、所望の経路上流までの循環搬送を効率よく行うことが可能となる。 In this embodiment, when the substrate carrier is transported in the first direction in the transport path, the first guided guide is supported by the transport roller 15 as a transport rotating body in which a plurality of substrate carriers are arranged along the first direction in the transport path. A first rail as a member and a second guided object supported by a transport roller 15 as a transport rotating body arranged in a plurality of directions along the transport path when the rail is transported in the second direction in the transport path. It includes a second rail as a member. When the substrate after film formation is recovered, the substrate carrier is circulated and transported to the upstream of the film formation transport path, and is used again for holding the substrate during film formation. In such a circulation transfer path (single transfer path), by providing the above-mentioned first rail and the second rail, the first direction and the first direction orthogonal to each other are provided without changing the direction (direction) of the substrate carrier. It becomes possible to carry out in two directions, and it becomes possible to efficiently carry out circulation transportation to the upstream of a desired route.
第1レールは、基板キャリアにおいて基板を保持するための板状部材の側面のうち第1
方向と直交する第2方向における両側の側面に、一対で第1方向に沿って(長手方向が第1方向と平行となるように)固定される。一方、第2レールは、基板キャリアにおいて基板を保持するための板状部材の側面のうち第2方向と直交する第1方向における両側の側面に、一対で第2方向に沿って(長手方向が第2方向と平行となるように)固定される。第1レールは、アライメント時においてキヤリア支持部によって支持される部分となり、第2レールは、アライメント時において基板キャリア及び基板の重量(自重)により撓み変形を生じる部分となる。第1レールと第2レールは、それぞれ同じ材料で構成された長尺のレール状部材であり、それぞれの長手に垂直な断面の形状を工夫したり、断面の面性の大きさを第2レールの方が小さくなるように構成することで、第2レールの長手に垂直な断面における断面二次モーメントを、第1レールのそれよりも小さくする、すなわち、第2レールを第1レールよりも撓みやすくする。こうすることで、基板キャリアのマスクに対するアライメント精度の向上を図ることが可能となる。
The first rail is the first of the side surfaces of the plate-shaped member for holding the substrate in the substrate carrier.
A pair of side surfaces in the second direction orthogonal to the direction are fixed along the first direction (so that the longitudinal direction is parallel to the first direction). On the other hand, the second rail is a pair of side surfaces of the plate-shaped member for holding the substrate in the substrate carrier on both side surfaces in the first direction orthogonal to the second direction along the second direction (longitudinal direction is). It is fixed (so that it is parallel to the second direction). The first rail is a portion supported by the carrier support portion at the time of alignment, and the second rail is a portion that bends and deforms due to the weight (own weight) of the substrate carrier and the substrate at the time of alignment. The first rail and the second rail are long rail-like members made of the same material, and the shape of the cross section perpendicular to the length of each is devised, and the size of the surface of the cross section is adjusted to the second rail. The secondary moment of cross section in the cross section perpendicular to the length of the second rail is made smaller than that of the first rail, that is, the second rail is bent more than that of the first rail. Make it easier. By doing so, it is possible to improve the alignment accuracy of the substrate carrier with respect to the mask.
すなわち、本実施形態では、支持工程として、基板キャリア9の周縁部における一対の周縁領域として、基板5の周縁部をなす四辺のうちの一対の対向辺に対応した基板キャリア9の対向周縁部であるレール51a、51bを、該レール51a、51bが所定の方向に沿うように、基板キャリア支持部8で支持する。また、マスク6の周縁部における一対の周縁領域として、マスク6の周縁部をなす四辺のうちの一対の対向辺に対応したマスク6(マスクフレーム6a)の対向周縁部を、該対向周縁部が所定の方向に沿うように、マスク支持部(マスク受け台16)で支持する。なお、本実施形態では、所定の方向(第1方向)をY軸方向とし、第2方向をX軸方向、第3方向をZ軸方向としているがこれに限定されるものではない。また、本実施例では矩形の基板5、矩形のマスク6をそれぞれ例示したが、基板、マスクの形状は矩形に限定されるものでなく、基板やマスクの周縁部をなす複数辺のうち所定の方向に沿って配された一対の対向辺に対応した一対の周縁領域を支持する構成とすることができる。したがって、基板やマスクの形状によっては、第1方向と第2方向の交差は直交に限られない。
That is, in the present embodiment, as a support step, as a pair of peripheral edges in the peripheral edge of the
そして、取付工程として、基板キャリア9とマスク6を、基板キャリア9がマスク6から上方に離れた離隔位置から、基板キャリア9がマスク6の上に載せられる取付位置へと移動させる(離隔状態から取付状態へ移行させる)べく、基板キャリア支持部8を下降させる。本実施例では、第3の方向としてのZ軸方向に沿って下降させているが、本発明の所望の載置動作が実現できる範囲においてZ軸方向に対して多少の角度がついた方向であってもよい。また、基板キャリア支持部8は移動させず、マスク支持部の方を移動させてもよいし、両者を移動させてもよい。
Then, as a mounting step, the
このとき、基板キャリア支持部8のみによって支持された基板キャリア9と、マスク支持部のみによって支持されたマスク6は、上述したようにdc>dm(・・・式(1))の関係を満たすように、それぞれ支持されている。したがって、基板キャリア9とマスク6は、上記離間位置から上記取付位置へ移動する際に、基板キャリア9において上記第3の方向に撓みが最も大きい部分と、マスク6において上記第3の方向に撓みが最も大きい部分と、から接触が開始される。
At this time, the
なお、基板キャリア9は、上記離間位置から上記取付位置への移動においてマスク6と接触した際に、上記第3の方向と直交する方向において、マスク6に対する滑りやすさよりも基板キャリア支持部8(キャリア受け面41)に対する滑りやすさが大きくなるように、基板キャリア支持部8によって支持されていると好適である。すなわち、基板キャリア9は、撓み状態の解消に伴い、上記第2方向における両端部の位置が第2方向に変位するような変形を生じるが、この両端部の変位を、マスク6との滑りではなく、基板キャリア支持部8(キャリア受け面41)との滑りによって吸収、解消できるように構成されている。これにより、基板キャリア9がマスク6の上に載置される際の平面方向の位置ずれ
が効果的に抑制される。
When the
上述した滑りやすさの大小の制御は、種々の手法を用いてよい。例えば、基板キャリア9の着座部材31を、マスク6(マスクフレーム6a)と同様に鉄などの金属製の部材で構成するとともに、少なくとも両者の接触部を研磨加工面や研削加工面で構成し、接触部における接触面積を適宜設定する。一方、キヤリア受け面41には、単独支持の際に基板キャリア9が滑り落ちてしまうことが無い程度の摩擦力は担保しつつ、着座部材31とマスク6との間よりは基板キャリア9に対して滑りやすくなるように、種々のコーティング被膜を施してよい。キャリア受け面41上における基板キャリア9との接触部は、例えば、無機材料、フッ素、DLC、無機セラミックが母材のコーティング(無機材料、フッ素系コート、セラミック系コート、DLCコート)を施してもよい。なお、本実施形態で説明した手法以外の手法を適宜用いてもよい。
Various methods may be used to control the slipperiness described above. For example, the seating
本実施形態によれば、蒸着装置において基板キャリアとマスクをアライメントする際に、基板をマスクに正確に位置合わせすることが可能となり、基板とマスクとの間の隙間を十分に小さくして基板にマスクを装着させることが可能となる。したがって、成膜ムラを低減することが可能となり、成膜精度の向上を図ることが可能となる。 According to this embodiment, when aligning the substrate carrier and the mask in the vapor deposition apparatus, the substrate can be accurately aligned with the mask, and the gap between the substrate and the mask is sufficiently reduced to form the substrate. It is possible to put on a mask. Therefore, it is possible to reduce film formation unevenness and improve film formation accuracy.
[実施形態2]
<電子デバイスの製造方法>
上記の基板処理装置を用いて、電子デバイスを製造する方法について説明する。ここでは、電子デバイスの一例として、有機EL表示装置のようなディスプレイ装置などに用いられる有機EL素子の場合を例にして説明する。なお、本発明に係る電子デバイスはこれに限定はされず、薄膜太陽電池や有機CMOSイメージセンサであってもよい。本実施例においては、上記の成膜方法を用いて、基板5上に有機膜を形成する工程を有する。また、基板5上に有機膜を形成させた後に、金属膜または金属酸化物膜を形成する工程を有する。このような工程により得られる有機EL表示装置600の構造について、以下に説明する。
[Embodiment 2]
<Manufacturing method of electronic devices>
A method of manufacturing an electronic device using the above-mentioned substrate processing apparatus will be described. Here, as an example of an electronic device, the case of an organic EL element used in a display device such as an organic EL display device will be described as an example. The electronic device according to the present invention is not limited to this, and may be a thin-film solar cell or an organic CMOS image sensor. In this embodiment, there is a step of forming an organic film on the
図14(a)は有機EL表示装置600の全体図、図14(b)は一つの画素の断面構造を表している。図14(a)に示すように、有機EL表示装置600の表示領域61には、発光素子を複数備える画素62がマトリクス状に複数配置されている。発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域61において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本図の有機EL表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第1発光素子62R、第2発光素子62G、第3発光素子62Bの組合せにより画素62が構成されている。画素62は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組合せで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも1色以上であれば特に制限されるものではない。また、各発光素子は複数の発光層が積層されて構成されていてもよい。
FIG. 14A shows an overall view of the organic
また、画素62を同じ発光を示す複数の発光素子で構成し、それぞれの発光素子に対応するように複数の異なる色変換素子がパターン状に配置されたカラーフィルタを用いて、1つの画素が表示領域61において所望の色の表示を可能としてもよい。例えば、画素62を少なくとも3つの白色発光素子で構成し、それぞれの発光素子に対応するように、赤色、緑色、青色の各色変換素子が配列されたカラーフィルタを用いてもよい。あるいは、画素62を少なくとも3つの青色発光素子で構成し、それぞれの発光素子に対応するように、赤色、緑色、無色の各色変換素子が配列されたカラーフィルタを用いてもよい。後者の場合には、カラーフィルタを構成する材料として量子ドット(Quantum Dot:QD)材料を用いた量子ドットカラーフィルタ(QD−CF)を用いることで、量子ド
ットカラーフィルタを用いない通常の有機EL表示装置よりも表示色域を広くすることができる。
Further, one pixel is displayed by using a color filter in which the
図14(b)は、図14(a)のA−B線における部分断面模式図である。画素62は、基板5上に、第1電極(陽極)64と、正孔輸送層65と、発光層66R,66G,66Bのいずれかと、電子輸送層67と、第2電極(陰極)68と、を備える有機EL素子を有している。これらのうち、正孔輸送層65、発光層66R,66G,66B、電子輸送層67が有機層に当たる。また、本実施形態では、発光層66Rは赤色を発する有機EL層、発光層66Gは緑色を発する有機EL層、発光層66Bは青色を発する有機EL層である。なお、上述のようにカラーフィルタまたは量子ドットカラーフィルタを用いる場合には、各発光層の光出射側、すなわち、図14(b)の上部または下部にカラーフィルタまたは量子ドットカラーフィルタが配置されるが、図示は省略する。
14 (b) is a schematic partial cross-sectional view taken along the line AB of FIG. 14 (a). The
発光層66R,66G,66Bは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子(有機EL素子と記述する場合もある)に対応するパターンに形成されている。また、第1電極64は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層65と電子輸送層67と第2電極68は、複数の発光素子62R,62G,62Bと共通で形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、第1電極64と第2電極68とが異物によってショートするのを防ぐために、第1電極64間に絶縁層69が設けられている。さらに、有機EL層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機EL素子を保護するための保護層Pが設けられている。
The
次に、電子デバイスとしての有機EL表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。まず、有機EL表示装置を駆動するための回路(不図示)および第1電極64が形成された基板5を準備する。
Next, an example of a method for manufacturing an organic EL display device as an electronic device will be specifically described. First, a
次に、第1電極64が形成された基板5の上にアクリル樹脂やポリイミド等の樹脂層をスピンコートで形成し、樹脂層をリソグラフィ法により、第1電極64が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層69を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。
Next, a resin layer such as an acrylic resin or polyimide is formed by spin coating on the
次に、絶縁層69がパターニングされた基板5を第1の成膜装置に搬入し、基板保持ユニットにて基板を保持し、正孔輸送層65を、表示領域の第1電極64の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層65は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層65は表示領域61よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。ここで、本ステップでの成膜や、以下の各レイヤーの成膜において用いられる成膜装置は、上記各実施形態のいずれかに記載された成膜装置である。
Next, the
次に、正孔輸送層65までが形成された基板5を第2の成膜装置に搬入し、基板保持ユニットにて保持する。基板とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、基板5の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層66Rを成膜する。本例によれば、マスクと基板とを良好に重ね合わせることができ、高精度な成膜を行うことができる。
Next, the
発光層66Rの成膜と同様に、第3の成膜装置により緑色を発する発光層66Gを成膜し、さらに第4の成膜装置により青色を発する発光層66Bを成膜する。発光層66R、66G、66Bの成膜が完了した後、第5の成膜装置により表示領域61の全体に電子輸送層67を成膜する。発光層66R、66G、66Bのそれぞれは単層であってもよいし、複数の異なる層が積層された層であってもよい。電子輸送層65は、3色の発光層66R、66G、66Bに共通の層として形成される。本実施形態では、電子輸送層67、発
光層66R、66G、66Bは真空蒸着により成膜される。
Similar to the film formation of the
続いて、電子輸送層67の上に第2電極68を成膜する。第2電極は真空蒸着によって形成してもよいし、スパッタリングによって形成してもよい。その後、第2電極68が形成された基板を封止装置に移動してプラズマCVDによって保護層Pを成膜して(封止工程)、有機EL表示装置600が完成する。なお、ここでは保護層PをCVD法によって形成するものとしたが、これに限定はされず、ALD法やインクジェット法によって形成してもよい。
Subsequently, the
絶縁層69がパターニングされた基板5を成膜装置に搬入してから保護層Pの成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機EL材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本例において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気または不活性ガス雰囲気の下で行われる。
From the time when the
100:アライメント室,1:アライメント装置,8:基板キャリア支持部,9:基板キャリア,60:位置合わせ機構,11:回転並進機構,10:Z昇降スライダ,13:Z昇降ベース,18:Zガイド,70:制御部,5:基板,6:マスク,6a:マスクフレーム,31:着座ブロック 100: Alignment chamber, 1: Alignment device, 8: Substrate carrier support, 9: Substrate carrier, 60: Alignment mechanism, 11: Rotation translation mechanism, 10: Z elevating slider, 13: Z elevating base, 18: Z guide , 70: Control unit, 5: Substrate, 6: Mask, 6a: Mask frame, 31: Seating block
上記課題を解決するために、本発明の基板キャリアは、
基板を保持する板状部材と、
前記板状部材の第1方向に沿った第1の辺および第2の辺にそれぞれ固定され、それぞれが前記第1方向に延設された一対の第1部材と、
前記板状部材の前記第1方向と交差する第2方向に沿った第3の辺および第4の辺にそれぞれ固定され、それぞれが前記第2方向に延設される一対の第2部材と、を有することを特徴とする。
In order to solve the above problems, the substrate carrier of the present invention is used.
A plate-shaped member that holds the substrate and
A pair of first members fixed to the first side and the second side along the first direction of the plate-shaped member and extending in the first direction, respectively.
A pair of second members fixed to the third side and the fourth side along the second direction intersecting the first direction of the plate-shaped member and extending in the second direction, respectively. It is characterized by having.
Claims (22)
基板を保持する板状部材と、
前記板状部材の前記第2方向における両端部にそれぞれ前記第1方向に沿って前記板状部材に固定して設けられ、前記第1搬送回転体によって支持される一対の第1被案内部材と、
前記板状部材の前記第1方向における両端部にそれぞれ前記第2方向に沿って前記板状部材に固定して設けられ、前記第2搬送回転体によって支持される一対の第2被案内部材と、
を有することを特徴とする基板キャリア。 A plurality of first transport rotating bodies arranged along the first direction and a plurality of second transport rotating bodies arranged along the second direction intersecting the first direction are provided, and a film is formed on the substrate. A substrate carrier used for holding a substrate and transporting it in the first direction and the second direction in the film forming apparatus to be performed.
A plate-shaped member that holds the substrate and
A pair of first guided members which are fixedly provided to the plate-shaped member along the first direction at both ends of the plate-shaped member in the second direction and supported by the first transport rotating body. ,
A pair of second guided members that are fixedly provided to the plate-shaped member along the second direction at both ends of the plate-shaped member in the first direction and supported by the second transport rotating body. ,
A substrate carrier characterized by having.
前記第2被案内部材の前記第2方向と直交する断面における断面二次モーメントは、前記第1被案内部材の前記第1方向と直交する断面における断面二次モーメントよりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の基板キャリア。 The first direction is a direction in which the substrate carrier is conveyed when the film is formed on the substrate in the film forming apparatus.
The moment of inertia of area in the cross section of the second guided member orthogonal to the second direction is smaller than the moment of inertia of area in the cross section of the first guided member orthogonal to the first direction. The substrate carrier according to claim 1.
前記マスクの上に載置される際に、前記マスクに対し、前記基板キャリアにおいて下方に最も突出した撓みの最も大きい部分から接触し始めるように、前記第2被案内部材の前記断面二次モーメントの大きさが設定されることを特徴とする請求項3に記載の基板キャリア。 When placed on the mask, the pair of the first guided members are supported and the pair of the second guided members are not supported, and only both ends in the second direction are supported. It is a substrate carrier that is placed on the mask by moving relative to the mask from a position that is distant from above to a position that is placed on the mask.
When placed on the mask, the moment of inertia of area of the second guided member is such that the mask starts to come into contact with the mask from the portion of the substrate carrier that protrudes most downward and has the largest deflection. The substrate carrier according to claim 3, wherein the size of the substrate carrier is set.
前記マスクの上に載置される際に、前記マスクに対し、前記基板キャリアにおいて下方に最も突出した撓みの最も大きい部分から接触し始めるように、前記第2被案内部材の前記断面二次モーメントの大きさが設定されることを特徴とする請求項3に記載の基板キャリア。 When placed on the mask, a position separated upward from the mask in which only a pair of the first guided members are supported and only both ends in the second direction are supported. It is a substrate carrier that is placed on the mask by moving relative to the mask from the surface to the position on which the mask is placed.
When placed on the mask, the moment of inertia of area of the second guided member is such that the mask starts to come into contact with the mask from the portion of the substrate carrier that protrudes most downward and has the largest deflection. The substrate carrier according to claim 3, wherein the size of the substrate carrier is set.
前記基板キャリアの撓み量は、前記基板キャリアにおける、前記第1被案内部材の高さと、前記板状部材において前記第1被案内部材から前記第3方向に高さの変化が最も大きい部分の高さと、の差の絶対値であり、
前記マスクの撓み量は、前記マスクにおける、前記第2方向の両端部の高さと、前記第2方向の両端部から前記第3方向に高さの変化が最も大きい部分の高さと、の差の絶対値である
ことを特徴とする請求項7に記載の基板キャリア。 When the direction orthogonal to the first direction and the second direction is defined as the third direction,
The amount of deflection of the substrate carrier is the height of the first guided member in the substrate carrier and the height of the portion of the plate-shaped member whose height changes most in the third direction from the first guided member. It is the absolute value of the difference between
The amount of deflection of the mask is the difference between the height of both ends of the mask in the second direction and the height of the portion of the mask where the height change is greatest in the third direction from both ends in the second direction. The substrate carrier according to claim 7, wherein the substrate carrier has an absolute value.
前記第2被案内部材の前記第2方向と直交する断面の面積は、前記第1被案内部材の前記第1方向と直交する断面の面積よりも小さいことを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の基板キャリア。 The first guided member and the second guided member are rail-shaped members made of the same material.
Claims 1 to 8, wherein the area of the cross section of the second guided member orthogonal to the second direction is smaller than the area of the cross section of the first guided member orthogonal to the first direction. The substrate carrier according to any one item.
マスクが取り付けられた前記基板キャリアに保持された基板の成膜面に対し、前記マスクを介して成膜を行うための成膜手段を有する成膜室と、
第1方向に沿って複数配置された複数の第1搬送回転体と、
前記第1方向と交差する第2方向に沿って複数配置された複数の第2搬送回転体と、
を備える成膜装置であって、
前記基板キャリアは、
基板を保持する板状部材と、
前記板状部材の前記第2方向における両端部にそれぞれ前記第1方向に沿って前記板状部材に固定して設けられた一対の第1被案内部材と、
前記板状部材の前記第1方向における両端部にそれぞれ前記第2方向に沿って前記板状部材に固定して設けられた一対の第2被案内部材と、
を有することを特徴とする成膜装置。 A board carrier that holds the board and
A film forming chamber having a film forming means for forming a film through the mask on the film forming surface of the substrate held by the substrate carrier to which the mask is attached, and a film forming chamber.
A plurality of first transport rotating bodies arranged along the first direction, and
A plurality of second transport rotating bodies arranged along the second direction intersecting the first direction, and
It is a film forming apparatus equipped with
The substrate carrier is
A plate-shaped member that holds the substrate and
A pair of first guided members fixed to the plate-shaped member along the first direction at both ends of the plate-shaped member in the second direction, respectively.
A pair of second guided members fixed to the plate-shaped member along the second direction at both ends of the plate-shaped member in the first direction, respectively.
A film forming apparatus characterized by having.
前記複数の第1搬送回転体は、前記基板キャリアが基板を保持しない状態で前記第2方向に搬送される際に前記第2被案内部材を支持しつつ搬送する
ことを特徴とする請求項11に記載の成膜装置。 When the plurality of first transport rotating bodies are transported in the first direction without the substrate carrier holding the substrate, the plurality of first transport rotating bodies are transported while supporting the first guided member.
11. The film forming apparatus according to.
前記第2被案内部材の前記第2方向と直交する断面における断面二次モーメントは、前記第1被案内部材の前記第1方向と直交する断面における断面二次モーメントよりも小さいことを特徴とする請求項11または12に記載の成膜装置。 The first direction is a direction in which the substrate carrier is conveyed when a film is formed on the substrate in the film forming chamber.
The moment of inertia of area in the cross section of the second guided member orthogonal to the second direction is smaller than the moment of inertia of area in the cross section of the first guided member orthogonal to the first direction. The film forming apparatus according to claim 11 or 12.
前記マスク取付室において、前記基板キャリアの前記一対の第1被案内部材をそれぞれ支持する一対の基板キャリア支持部と、
前記マスク取付室において、前記マスクの周縁部をなす複数の辺のうち前記第1方向に
沿って配された一対の対向辺に対応した前記マスクの一対の周縁領域をそれぞれ支持する一対のマスク支持部と、
前記マスク取付室において、前記基板キャリア支持部と前記マスク支持部の少なくとも一方を移動させる移動手段と、
前記移動手段を制御し、前記基板キャリアと前記マスクとが離隔した離隔状態と、前記基板キャリアが前記マスクの上に載せられる取付状態と、にする制御手段と、
をさらに備え、
前記基板キャリアは、前記離隔状態から前記取付状態へと移行する際に、前記基板キャリア支持部によって前記一対の第1被案内部材のみが支持された状態で、前記マスク支持部によって前記一対の周縁領域のみが支持された前記マスクに対し、上方に離れた位置から前記マスクの上に載せられる位置へ前記マスクとの間で相対移動することで、前記マスクの上に載置され、
前記基板キャリアが保持した基板の被成膜面を下方に向けて前記マスクの上に載置された状態で、前記成膜室において前記被成膜面に成膜が行われることを特徴とする請求項13に記載の成膜装置。 A mask mounting chamber for mounting the mask on the substrate carrier, and
In the mask mounting chamber, a pair of substrate carrier support portions for supporting the pair of first guided members of the substrate carrier, respectively.
In the mask mounting chamber, a pair of mask supports each supporting a pair of peripheral regions of the mask corresponding to a pair of opposite sides arranged along the first direction among a plurality of sides forming the peripheral edge of the mask. Department and
In the mask mounting chamber, a moving means for moving at least one of the substrate carrier support portion and the mask support portion, and
A control means for controlling the moving means so that the substrate carrier and the mask are separated from each other and the substrate carrier is mounted on the mask.
With more
When the substrate carrier shifts from the separated state to the mounted state, the substrate carrier supporting portion supports only the pair of first guided members, and the mask supporting portion supports the pair of peripheral edges. The mask is placed on the mask by moving relative to the mask from a position distant from above to a position on which the mask is placed on the mask in which only the region is supported.
It is characterized in that film formation is performed on the film-forming surface in the film-forming chamber with the film-forming surface of the substrate held by the substrate carrier facing downward and placed on the mask. The film forming apparatus according to claim 13.
前記基板キャリアの撓み量は、前記基板キャリアにおける、前記基板キャリア支持部に支持された前記第1被案内部材の高さと、前記板状部材において前記第1被案内部材から前記第3方向に高さの変化が最も大きい部分の高さと、の差の絶対値であり、
前記マスクの撓み量は、前記マスクにおける、前記マスク支持部に支持された前記周縁領域の高さと、前記周縁領域から前記第3方向に高さの変化が最も大きい部分の高さと、の差の絶対値である
ことを特徴とする請求項17に記載の成膜装置。 When the direction orthogonal to the first direction and the second direction is defined as the third direction,
The amount of deflection of the substrate carrier is the height of the first guided member supported by the substrate carrier support portion in the substrate carrier and the height of the plate-shaped member in the third direction from the first guided member. It is the absolute value of the difference between the height of the part where the change is the largest and the difference.
The amount of deflection of the mask is the difference between the height of the peripheral region supported by the mask support portion and the height of the portion of the mask where the height change is greatest in the third direction from the peripheral region. The film forming apparatus according to claim 17, wherein the film forming apparatus has an absolute value.
前記第2被案内部材の前記第2方向と直交する断面の面積は、前記第1被案内部材の前記第1方向と直交する断面の面積よりも小さいことを特徴とする請求項11〜18のいずれか1項に記載の成膜装置。 The first guided member and the second guided member are rail-shaped members made of the same material.
The area of the cross section of the second guided member orthogonal to the second direction is smaller than the area of the cross section of the first guided member orthogonal to the first direction. The film forming apparatus according to any one item.
ことを特徴とする成膜方法。 A film forming method, which comprises forming a film on a substrate held by the substrate carrier according to any one of claims 1 to 10.
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 A method for manufacturing an electronic device, which comprises a step of forming an organic film on a substrate by using the film forming method according to claim 21.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020044314A JP7162631B2 (en) | 2020-03-13 | 2020-03-13 | Substrate carrier, deposition apparatus, substrate carrier transport method, and deposition method |
KR1020210028185A KR102613397B1 (en) | 2020-03-13 | 2021-03-03 | Substrate carrier, film forming apparatus, conveying method of substrate carrier, and film forming method |
CN202110269191.1A CN113394144B (en) | 2020-03-13 | 2021-03-12 | Substrate carrier, film forming apparatus, substrate carrier conveying method, and film forming method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020044314A JP7162631B2 (en) | 2020-03-13 | 2020-03-13 | Substrate carrier, deposition apparatus, substrate carrier transport method, and deposition method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021145096A true JP2021145096A (en) | 2021-09-24 |
JP7162631B2 JP7162631B2 (en) | 2022-10-28 |
Family
ID=77617481
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020044314A Active JP7162631B2 (en) | 2020-03-13 | 2020-03-13 | Substrate carrier, deposition apparatus, substrate carrier transport method, and deposition method |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7162631B2 (en) |
KR (1) | KR102613397B1 (en) |
CN (1) | CN113394144B (en) |
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2020
- 2020-03-13 JP JP2020044314A patent/JP7162631B2/en active Active
-
2021
- 2021-03-03 KR KR1020210028185A patent/KR102613397B1/en active IP Right Grant
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7162631B2 (en) | 2022-10-28 |
CN113394144B (en) | 2023-06-30 |
KR102613397B1 (en) | 2023-12-12 |
KR20210116252A (en) | 2021-09-27 |
CN113394144A (en) | 2021-09-14 |
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