JP2021132065A - マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画機構150と制御系回路160を備えている。描画装置100は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の一例であると共に、マルチ荷電粒子ビーム露光装置の一例である。描画機構150は、電子鏡筒102(電子ビームカラム)と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、成形アパーチャアレイ基板203、ブランキングアパーチャアレイ機構204、縮小レンズ205、制限アパーチャ基板206、対物レンズ207、主偏向器208、及び副偏向器209が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時(露光時)には描画対象基板となるマスク等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスク、或いは、半導体装置が製造される半導体基板(シリコンウェハ)等が含まれる。また、試料101には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。XYステージ105上には、さらに、XYステージ105の位置測定用のミラー210が配置される。
(1−1) Dx=Gx(P)+Cx(B,Bcx,Bcy)+Mx(Tc,B)
(1−2) Dy=Gy(P)+Cy(B,Bcx,Bcy)+My(Tc,B)
11 シフトレジスタ
12 照射位置
20 マルチビーム
22 穴
24 制御電極
25 通過孔
26 対向電極
28,36 画素
29 サブ照射領域
30 描画領域
32 ストライプ領域
34 照射領域
41 制御回路
42,44 レジスタ
45 コンパレータ
46 アンプ
47 個別ブランキング機構
49 アンド回路
60 ラスタライズ処理部
61 ショットサイクル算出部
62 パターン密度算出部
63 補正照射係数算出部
64 照射量密度算出部
65 ショットデータ生成部
66 データ加工部
67 オンビーム量算出部
68 重心算出部
69 シフト量算出部
79 転送制御部
80 描画制御部
100 描画装置
101 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
106 ファラデイカップ
110 制御計算機
112 メモリ
130 偏向制御回路
132,134 DACアンプユニット
136 レンズ制御回路
138 ステージ制御機構
139 ステージ位置測定器
140,142,144 記憶装置
150 描画機構
160 制御系回路
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203 成形アパーチャアレイ基板
204 ブランキングアパーチャアレイ機構
205 縮小レンズ
206 制限アパーチャ基板
207 対物レンズ
208 主偏向器
209 副偏向器
210 ミラー
Claims (6)
- 基板を配置する移動可能なステージと、
マルチ荷電粒子ビームの各ショットのショットデータを生成するショットデータ生成部と、
少なくともk+1回目(kは自然数)以降に照射される前記マルチビームのショットに関するパラメータに基づき、k回目のショットのマルチ荷電粒子ビーム全体を一括して位置補正を行うためのシフト量を算出するシフト量算出部と、
前記シフト量に応じて前記k回目のショットのマルチ荷電粒子ビーム全体を一括偏向によりシフトしながら、前記マルチ荷電粒子ビームを用いて、基板に前記k回目のショットを行う描画機構と、
を備えたことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画装置。 - 基板を配置する移動可能なステージと、
マルチ荷電粒子ビームの各ショットのショットデータを生成するショットデータ生成部と、
少なくともk−1回目(kは自然数)以前に照射される前記マルチビームのショットに関するパラメータに基づき、k回目のショットのマルチ荷電粒子ビーム全体を一括して位置補正を行うためのシフト量を算出するシフト量算出部と、
前記シフト量に応じて前記k回目のショットのマルチ荷電粒子ビーム全体を一括偏向によりシフトしながら、前記マルチ荷電粒子ビームを用いて、基板に前記k回目のショットを行う描画機構と、
を備えたことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記シフト量算出部は、さらに、k−1回目以前に照射される前記マルチビームのショットに関するパラメータに基づき、前記シフト量を算出し、
前記描画機構は、前記シフト量に応じて前記k回目のショットのマルチ荷電粒子ビーム全体を一括偏向によりシフトしながら、前記マルチ荷電粒子ビームを用いて、基板に前記k回目のショットを行うことを特徴とする請求項1記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記シフト量算出部は、さらに、前記k回目に照射される前記マルチビームのショットに関するパラメータに基づき、前記シフト量を算出し、
前記描画機構は、前記シフト量に応じて前記k回目のショットのマルチ荷電粒子ビーム全体を一括偏向によりシフトしながら、前記マルチ荷電粒子ビームを用いて、基板に前記k回目のショットを行うことを特徴とする請求項1乃至3記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。 - k+1回目以降
マルチ荷電粒子ビームの各ショットのショットデータを生成する工程と、
少なくともk+1回目(kは自然数)以降のショットに関するパラメータに基づき、k回目のショットのマルチ荷電粒子ビーム全体を一括して位置補正を行うシフト量を算出する工程と、
前記シフト量に応じて前記k回目のショットのマルチ荷電粒子ビーム全体を一括偏向によりシフトしながら、前記マルチ荷電粒子ビームを用いて、移動可能なステージ上に配置された基板に前記k回目のショットを行う工程と、
を備えたことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画方法。 - さらに、k−1回目(kは自然数)以前及び/またはk回目に照射される前記マルチビームのショットに関するパラメータに基づき、前記シフト量を算出し、
前記シフト量に応じて前記k回目のショットのマルチ荷電粒子ビーム全体を一括偏向によりシフトしながら、前記マルチ荷電粒子ビームを用いて、基板に前記k回目のショットを行うことを特徴とする請求項5記載のマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
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Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2022143308A (ja) * | 2021-03-17 | 2022-10-03 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008041890A (ja) * | 2006-08-04 | 2008-02-21 | Canon Inc | マルチ荷電粒子ビームの計測方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2013074088A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Canon Inc | 荷電粒子線描画装置、描画データ生成方法、描画データ生成プログラム、それを用いた物品の製造方法 |
JP2015109323A (ja) * | 2013-12-04 | 2015-06-11 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2015138882A (ja) * | 2014-01-22 | 2015-07-30 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2018133553A (ja) * | 2016-09-28 | 2018-08-23 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 電子ビーム装置及び電子ビームの位置ずれ補正方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3169399B2 (ja) * | 1990-09-20 | 2001-05-21 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光装置及びその制御方法 |
DE69226553T2 (de) | 1991-03-13 | 1998-12-24 | Fujitsu Ltd | Vorrichtung und Verfahren zur Belichtung mittels Ladungsträgerstrahlen |
JP2751717B2 (ja) | 1991-03-13 | 1998-05-18 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光方法及び荷電粒子ビーム露光装置 |
US6262425B1 (en) * | 1999-03-11 | 2001-07-17 | International Business Machines Corporation | Curvilinear axis set-up for charged particle lithography |
JP5063035B2 (ja) * | 2006-05-30 | 2012-10-31 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
NL2001369C2 (nl) | 2007-03-29 | 2010-06-14 | Ims Nanofabrication Ag | Werkwijze voor maskerloze deeltjesbundelbelichting. |
JP2010192508A (ja) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5403744B2 (ja) * | 2009-08-19 | 2014-01-29 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法、および、荷電粒子ビーム描画用データの処理装置 |
JP5591617B2 (ja) | 2010-07-29 | 2014-09-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置および該装置の制御方法 |
JP6147528B2 (ja) * | 2012-06-01 | 2017-06-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
JP6039970B2 (ja) * | 2012-08-28 | 2016-12-07 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | セトリング時間の設定方法、荷電粒子ビーム描画方法、および荷電粒子ビーム描画装置 |
JP6653125B2 (ja) | 2014-05-23 | 2020-02-26 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
JP6353278B2 (ja) | 2014-06-03 | 2018-07-04 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
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Patent Citations (5)
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JP2008041890A (ja) * | 2006-08-04 | 2008-02-21 | Canon Inc | マルチ荷電粒子ビームの計測方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2013074088A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Canon Inc | 荷電粒子線描画装置、描画データ生成方法、描画データ生成プログラム、それを用いた物品の製造方法 |
JP2015109323A (ja) * | 2013-12-04 | 2015-06-11 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2015138882A (ja) * | 2014-01-22 | 2015-07-30 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2018133553A (ja) * | 2016-09-28 | 2018-08-23 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 電子ビーム装置及び電子ビームの位置ずれ補正方法 |
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