JP2021128159A - センサの堅牢性を向上させるシステムおよび方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】センサの堅牢性を向上させるシステムおよび方法を提供すること。【解決手段】装置は、基板と、基板上に形成された1つまたは複数のセンサおよび1つまたは複数の電気回路と、センサの上方に形成された金属層とを備えている。1つまたは複数の電気回路は、1つまたは複数のセンサの少なくとも1つと電気的に接続されている。金属層は、障壁部を提供するように1つまたは複数のセンサの上方に形成されている。【選択図】図19
Description
本発明の実施形態は、電気部品の堅牢性を向上させるシステムおよび方法に関する。より詳細には、本発明の実施形態は、劣化に対する電気部品の耐性を向上させるシステムおよび方法に関する。
回路やセンサを備えた装置は、装置の1つまたは複数の要素を劣化させて装置の機能に障害をもたらす環境に置かれる場合が多い。金属膜や金属箔から回路およびセンサを形成する従来の方法は、劣化に対する耐久性の高い装置を形成するという点で不十分である。従来の製造方法にはこのような課題があり、その結果、装置の耐久性が低下し、メンテナンスコストが高くなるおそれがある。さらに、従来方法において装置の耐久性を向上させるためには、リードタイムが長くなる場合もある。また、所望のサイズ、使用可能な寿命および性能特性を満たすためには多大な費用を要する場合もある。
記載される装置は、基板と、基板上に形成された1つまたは複数のセンサおよび1つまたは複数の電気回路と、センサの上方に形成された金属層とを備えている。1つまたは複数の電気回路は、1つまたは複数のセンサの少なくとも1つと電気的に接続されている。金属層は、障壁部を提供するように1つまたは複数のセンサの上方に形成されている。
本発明の実施形態の他の特徴および利点は、添付の図面および以下の詳細な説明から明らかとなる。
本発明の実施形態は例示であり、添付の図面に限定されない。図面において、類似の要素には同様の符号が付されている。
本発明の実施形態は例示であり、添付の図面に限定されない。図面において、類似の要素には同様の符号が付されている。
装置の堅牢性を向上させるシステムおよび方法について以下に記載する。装置は、金属膜または金属箔を用いて形成されたセンサおよび回路を備えている。様々な実施形態において、装置は、1つまたは複数の集積電気回路に統合された能動および/または受動部品を含むセンサを有している。センサの例としては、RTD(測温抵抗体)(ニッケル、ニッケル−クロムおよび/またはプラチナ等から形成)、熱電対、ひずみゲージ(コンスタンタン等から形成)、静電容量センサ、熱電対列、サーミスタ、センサ、ヒーター(ニクロム等から形成)、参照電極(銀/塩化銀等から形成)およびEKG(心電図検査法)や医療用電子マッピングパッチ等の電気センサ/刺激装置(金またはプラチナ電極で形成)が挙げられる。能動および/または受動部品は、1つまたは複数の電気回路および/または他の能動および/または受動部品に統合された無線通信部品を含む。堅牢性を向上させる装置の製造方法についても記載する。
いくつかの実施形態では、1つまたは複数の電気回路が、受動/能動部品とは別の層の基板上に形成される。1つまたは複数の電気回路を、例えば、絶縁層内を延びる1つまたは複数のビアを介して、1つまたは複数の受動/能動部品と電気的に接続してもよい。いくつかの実施形態は、複数の層に配置された複数種類の能動/受動要素を有し、複数の種類の要素がそれぞれ別の層に配置される。しかしながら、いくつかの実施形態では、1つまたは複数の電気回路および1つまたは複数の種類の能動/受動部品が同じ層の上に配置される。能動または受動部品は、添加剤薄膜、めっき、エッチングまたはコーティングされたセンサ材料等を用いた方法によって形成されるが、これらに限定されない。
いくつかの実施形態では、1つまたは複数の電気回路に含まれる能動/受動要素の1つまたは複数の層の上に1つまたは複数の障壁部が形成される。障壁部によって、電気回路の金属膜/箔層の酸化の量および/または速度が低減されるため、1つまたは複数の電気回路の堅牢性が向上する。いくつかの実施形態では、障壁部は、金属膜/箔層に浸透する水分および/または酸素の量を減少させることによって酸化を抑制する。障壁部は、金属層の酸化量を低減させて、過酷な環境でも電気回路の電気的特性を維持し、センサの性能と精度を長期にわたって維持する。
図1に、一実施形態に係る、電気回路に統合された複数のセンサを有する装置を示す。装置100は、複数のトレース106を介して1つまたは複数の電気回路と電気的に接続された複数のひずみゲージセンサ102およびRTDセンサ104を有している。センサ、電気回路およびトレースは、同様の製造方法によって同じ基板108上に一体的に形成される。このため、電気回路を含む基板にディスクリート部品を追加する必要がなく、ディスクリート部品を電気回路に電気的に接続するための実装パッドが不要である。基板に取り付けるためのパッケージや接点を有するディスクリート部品は、余分なスペースを必要とする。さらに、ディスクリート部品のパッケージおよび実装パッドは、容量損失や抵抗損失等の寄生損失を発生させる可能性があるため、各装置の電気回路の特性が変化し、電気回路の性能が最適な動作特性から低下するおそれがある。
電気回路に統合された複数の能動/受動部品を有する装置は、大きなスペースを要するディスクリート部品のパッケージおよび実装パッドを必要としない。したがって、本明細書に記載の実施形態に係る装置は、統合された能動/受動部品がディスクリート部品のパッケージを含んでおらず、また、実装パッドが不要であるため、寸法をより小さくできる。さらに、本明細書に記載の実施形態に係る装置では、実装パッドに起因する寄生損失が発生しない。さらに、基板上に電気回路を配置して能動/受動部品を製造できるため、能動/受動部品と電気回路とを同様の技術を用いて製造できる。その結果、性能特性の向上が可能であり、作業範囲を狭くできる。
図2に、一実施形態に係る、電気回路に統合されたRTDを示す。RTD部品202は、本明細書に記載の方法等によって、1つまたは複数の電気回路204に統合される。
図3〜18に、実施形態に係る、電気基板に統合された1つまたは複数の能動/受動部品を有する装置を製造するためのプロセスを示す。同じ基板上に1つまたは複数の能動/受動部品を電気回路と一体的に形成することによって、従来装置、例えば回路基板にディスクリート部品を取り付ける必要のある装置と比較して、装置を小型化できる。さらに、同一の基板上に1つまたは複数の能動/受動部品を電気回路と一体的に形成することによって、パッケージをより小さくできる。また、本明細書に記載の実施形態による装置を独立型装置として構成できるため、本実施形態のように形成されていない装置では誤動作や故障が発生する可能性のある悪環境下でも本装置を使用できる。
図3〜18に、実施形態に係る、電気基板に統合された1つまたは複数の能動/受動部品を有する装置を製造するためのプロセスを示す。同じ基板上に1つまたは複数の能動/受動部品を電気回路と一体的に形成することによって、従来装置、例えば回路基板にディスクリート部品を取り付ける必要のある装置と比較して、装置を小型化できる。さらに、同一の基板上に1つまたは複数の能動/受動部品を電気回路と一体的に形成することによって、パッケージをより小さくできる。また、本明細書に記載の実施形態による装置を独立型装置として構成できるため、本実施形態のように形成されていない装置では誤動作や故障が発生する可能性のある悪環境下でも本装置を使用できる。
図3に、1つまたは複数の電気回路に統合された1つまたは複数の能動/受動部品を形成するための基板302を示す。基板302は、例えばステンレス鋼、銅、ポリマー膜、セラミック、ガラス、半導体、ニチノールまたは他の材料から構成されるが、これらに限定されない。いくつかの実施形態では、基板302は、リール・ツー・リール製造プロセスで使用されるロール状をなしている。
図4に、誘電体層が配置された基板を示す。図4Aは、誘電体層304が配置された基板302の断面図である。図4Bは、誘電体層304が配置された基板302の斜視図である。いくつかの実施形態においては、誘電体層304は基板302上に配置される。導電性基板を使用しない実施形態では、基板302上に誘電体層304の配置を必要としない場合もある。誘電体層304は、フォトレジスト、ポリイミド、KMPR、SU−8または他の絶縁材料等を含むが、これらに限定されない。いくつかの実施形態では、誘電体層304は、コーティング法(液体コーティングまたはドライフィルムコーティング)によって、基板302上に配置される。しかしながら、誘電体層304は、当技術分野で周知の方法を含む他の方法を用いて基板302上に形成してもよい。
図5に、一実施形態によってパターン形成された誘電体層を備えた基板を示す。図5Aは、一実施形態によってパターン形成された誘電体層304を備えた基板302の断面図である。図5Bは、一実施形態によってパターン形成された誘電体層304を備えた基板302の斜視図である。いくつかの実施形態では、フォトレジスト層が誘電体層304上に形成される。いくつかの実施形態においては、フォトレジストは、当技術分野で周知のフォトリソグラフィ法等によって露光され、当技術分野で周知のウェットエッチング法によって現像される。このパターン形成されたフォトレジスト層によって、ウェットエッチングまたはドライエッチングのいずれかによる誘電体除去処理時に、誘電体層304のパターンが形成される。他の実施形態では、誘電体層304は、感光性ポリイミド層であり、当技術分野で周知のフォトリソグラフィ法等によって直接パターン形成され、当技術分野で周知のウェットエッチング法等によって現像される。さらに別のパターン形成方法では、レーザーアブレーションによって不要な誘電体が除去される。
図6に、一実施形態に係る、誘電体層上に配置された金属層を示す。図6Aは、一実施形態に係る、誘電体層304上に配置された金属層306の断面図である。図6Bは、一実施形態に係る、誘電体層304上に配置された金属層304の斜視図である。金属層306は、物理蒸着、化学蒸着および無電解化学蒸着等の方法によって誘電体層304上に形成されるが、方法はこれらに限定されない。いくつかの実施形態では、金属層306の形成の最初の工程として、シード層が誘電体層304上に形成される。例えば、ニッケルクロム等のシード層が誘電体層304上にスパッタリングされる。無電解化学蒸着法等によって、例えば銅がシード層上に成膜される。いくつかの実施形態においては、金属層306を用いて、誘電体層304上に1つまたは複数のセンサが形成される。いくつかの実施形態では、金属層306は、1つまたは複数のひずみゲージを形成するために誘電体層304上にスパッタリングされたコンスタンタンである。
いくつかの実施形態においては、金属層304にセンサを形成する工程が、コンスタンタン層等の金属層上にフォトレジスト層を成膜することと、フォトレジスト層をパターン形成することとを含んでいる。フォトレジスト層は、液体スロットダイ、ローラー塗布、スプレー、カーテン式塗布、ドライフィルム積層およびスクリーン印刷等の方法によって形成されるが、方法はこれらに限定されない。フォトレジストは、例えば、当技術分野で周知のフォトリソグラフィ法およびエッチング法等によってパターン形成される。次いで、フォトレジスト層の一部がエッチングされることによって露出した金属層304の部分がエッチングされて、センサ、電気トレース、電気接点および他の回路部品が形成される。いくつかの実施形態においては、レーザーアブレーションを用いて、金属層からセンサ、電気トレース、電気接点および他の回路部品が形成される。
図7に、一実施形態に係る、誘電体層304上に形成されたひずみゲージ308を示す。図7Aは、一実施形態に係る、誘電体層304上に形成されたひずみゲージ308の断面図である。図7Bは、一実施形態に係る、誘電体層304上に形成されたひずみゲージ308の斜視図である。誘電体層304上に形成された金属層306は、当技術分野で周知の方法等によってパターン形成およびエッチングされる。例えば、フォトレジストが、当技術分野で周知の方法等によって金属層306上に形成される。フォトレジストは、本明細書に記載の方法等によってパターン形成およびエッチングされる。
図8に、一実施形態に係る、ひずみゲージの上に形成された第2の誘電体層を示す。図8Aは、一実施形態に係る、ひずみゲージ308の上に形成された第2の誘電体層310の断面図である。図8Bは、一実施形態に係る、ひずみゲージ308の上に形成された第2の誘電体層310の斜視図である。本明細書に記載の方法によって第1の誘電体層304上に1つまたは複数のセンサを形成した後に、形成された1つまたは複数のセンサ上に第2の誘電体層310が形成される。1つまたは複数のセンサが形成された後に第2の誘電体層310を積層することによって、後工程で形成される他の構造からセンサを隔離できるため、装置の後続の処理過程においてセンサが破損しないように保護できる。いくつかの実施形態では、第2の誘電体層310は、本明細書に記載の方法等によって形成されたポリイミド層である。
図9に、一実施形態によってパターン形成された第2の誘電体層を備えた基板302を示す。図9Aは、一実施形態によってパターン形成された第2の誘電体層310を備えた基板の断面図である。図9Bは、一実施形態によってパターン形成された第2の誘電体層310を備えた基板302の斜視図である。第2の誘電体層310は、当技術分野で周知のフォトリソグラフィ法等によってパターン形成され、当技術分野で周知のウェットエッチング法等によって現像される。
図10に、一実施形態に係る、第2の誘電体層310上に形成された第2の金属層312を示す。図10Aは、一実施形態に係る、第2の誘電体層310上に形成された第2の金属層312の断面図である。図10Bは、一実施形態に係る、第2の誘電体層310上に形成された第2の金属層312の斜視図である。第2の金属層312は、物理蒸着、化学蒸着および無電解化学蒸着等の方法によって第2の誘電体層310上に形成されるが、方法はこれらに限定されない。いくつかの実施形態では、第2の金属層312等の金属層の形成の最初の工程として、シード層が誘電体層上に形成される。例えば、ニッケルクロム等のシード層が誘電体層上にスパッタリングされる。無電解化学蒸着または電気めっきによって、例えば銅がシード層上に成膜される。いくつかの実施形態においては、第2の金属層312を用いて、1つまたは複数のトレース、ビアおよび電気回路が形成される。例えば、第2の金属層312は、基板上にすでに形成されているか、もしくは後で形成される1つまたは複数のセンサを相互接続し、1つまたは複数のセンサを他の電気回路に接続するためのトレースおよびビアを有していてもよい。図11に、一実施形態に係る方法を用いて金属層から形成されたトレース、電気回路およびビアを示す。図11Aは、一実施形態に係る方法を用いて金属層から形成されたトレース、電気回路およびビアの断面図である。図11Bは、一実施形態に係る方法を用いて金属層から形成されたトレース、電気回路およびビアの斜視図である。いくつかの実施形態では、第2の金属層312は、1つまたは複数のセンサを含むようにパターン形成され、別の誘電体層が第2のセンサ層の上に形成され、別の金属層がトレース、電気回路および/またはビアを含むように形成される。したがって、当業者は、本明細書に記載の方法等によって、任意の数および種類のセンサおよび電気回路を含むように、任意の数の誘電体層およびパターン形成された金属層を形成できることを理解するであろう。
図12に、一実施形態に係る、パターン形成された金属層上に配置された第3の誘電体層314を示す。図12Aは、一実施形態に係る、パターン形成された金属層上に配置された第3の誘電体層314の断面図である。図12Bは、一実施形態に係る、パターン形成された金属層上に配置された第3の誘電体層314の斜視図である。第3の誘電体層314は、本明細書に記載の方法等によって形成される。例えば、第3の誘電体層314は、ポリイミド層である。
図13に、1つまたは複数の開口部316を含むようにパターン形成された第3の誘電体層314を示す。図13Aは、1つまたは複数の開口部316を含むようにパターン形成された第3の誘電体層314の断面図である。図13Bは、1つまたは複数の開口部316を含むようにパターン形成された第3の誘電体層314の斜視図である。誘電体層は、本明細書に記載の方法等によってパターン形成される。いくつかの実施形態では、誘電体層に1つまたは複数の開口部316が形成されるため、誘電体層の一部が除去されており、トレース、ビアおよび電気回路のうちの1つまたは複数が露出している。このような開口部は、例えば、1つまたは複数の電気回路および/またはセンサを、本明細書に記載の方法等によって形成された他の電気回路および/または他のセンサと相互接続するために使用される。
図14に、一実施形態によって形成された金めっきパッド318を示す。図14Aは、一実施形態によって形成された金めっきパッド318の断面図である。図14Bは、一実施形態によって形成された金めっきパッド318の斜視図である。いくつかの実施形態では、露出した金属層の1つまたは複数の部分が金めっきされている。例えば、1つまたは複数の部分に金めっきを施して電気接点が形成される。金属層312は、本明細書に記載の方法等の1つまたは複数の成膜方法およびパターン形成方法を用いて金めっきされている。図15に、基板に形成された金めっきパッド320を示す。金めっきパッド320は、1つまたは複数の誘電体層およびパターン形成された金属層が配置された面とは反対側の面に形成されている。図15Aは、1つまたは複数の誘電体層およびパターン形成された金属層が配置された面とは反対側の基板の面に形成された金めっきパッド320を示す断面図である。図15Bは、1つまたは複数の誘電体層およびパターン形成された金属層が配置された面とは反対側の基板の面に形成された金めっきパッド320を示す斜視図である。金めっきパッド320は、本明細書に記載の方法等の1つまたは複数の成膜方法およびパターン形成方法を用いて形成される。このような実施形態では、基板302は金属層であり、基板に形成された金めっきパッド320は、装置にすでに形成されているか、もしくは後で形成される1つまたは複数の電気回路および/または1つまたは複数のセンサのための1つまたは複数の接地端子および/または負端子を形成するために使用される。
図16に、一実施形態に係る、パターン形成された基板層322を示す。図16Aは、一実施形態に係る、パターン形成された基板層322の断面図である。図16Bは、一実施形態に係る、パターン形成された基板層322(上面および下面)の斜視図である。基板は、本明細書に記載の方法、例えば、金属層のパターン形成に関する方法を用いてパターン形成される。また、基板は、当技術分野で周知のレーザーアブレーション方法等によってパターン形成してもよい。いくつかの実施形態では、基板は、1つまたは複数の回路の少なくとも一部を形成することと、装置を所望の形状に形成することとの少なくともいずれか一方を行うためにパターン形成される。所望の形状の例としては、パッケージの形状、取り付けの形状、ハードウェアを取り付けるための穴の形成および他の機械的特徴部の形成が挙げられるが、これらに限定されない。いくつかの実施形態において、パターン形成は、本明細書に記載の方法等のパターン形成方法を用いて、基板に質感またはパターンを形成することを含む。
図17に、一実施形態に係る、機械的特徴部324を含むように形成された装置を示す。いくつかの実施形態では、機械的特徴部324を有するように装置がパターン形成もしくは成形され、機械的特徴部324によって、所望の機械的特性の達成および/またはシステムへの組み込みが可能となる。例えば、基板は、補強レール形状をなすように曲げられるか、他の方法によって成形される。他の機械的特徴部324は、装置をシステムに固定するため、または別の装置もしくは回路を基板に固定するための1つまたは複数の溶接点を含んでいてもよい。さらに、基板に施される接着剤の接着力を上げるために、高表面積の接着剤装着特徴部を1つまたは複数含むように、本明細書に記載の方法等によって基板がパターン形成されてもよい。接着剤を基板に塗布することによって、1つまたは複数の部品の貼り付けや、システムへの装置の取り付けを行うことができる。
図18に、形成された一実施形態の装置を示す。形成された装置は、本明細書に記載のセンサ等の1つまたは複数の種類のセンサを有していてもよい。各種センサは、本明細書に記載の方法等によって、異なるセンサを同一の層上に形成してもよいし、異なる層の上に形成してもよい。形成された装置はまた、例えば、装置上に形成された1つまたは複数の電気回路を完成させるために、装置にディスクリート部品を装着するための1つまたは複数の接点パッドを有していてもよい。さらに、1つまたは複数の接点パッドは、形成された装置を別のシステムに電気的に接続するように構成してもよい。いくつかの実施形態では、装置上に形成される1つまたは複数の電気回路は、無線通信回路またはその一部として構成された電気回路を含む。例えば、装置は、1つまたは複数のコイル、アンテナ、インダクタ、コンデンサ、スタブ要素または無線通信回路の他の要素を含んでいてもよい。
いくつかの実施形態では、1つまたは複数の電気回路は、例えば8〜12ミクロンの範囲のライン間隔を有するトレースおよび他の特徴を含むように形成してもよい。他の実施形態では、ライン間隔の範囲は、12〜50ミクロンである。しかしながら、当業者は、ライン間隔がこれより大きくても小さくてもよいことを理解するであろう。
いくつかの実施形態において、一実施形態に係る温度センサは、第1の電気トレースおよび第2の電気トレースと電気的に接続された測温抵抗体として構成される。温度センサは、誘電体層上に配置された蛇行状の線として構成される。蛇行線は、蛇行線の第1の端部で第1の電気トレースに電気的に接続され、第2の端部で第2の電気トレースに電気的に接続されている。
いくつかの実施形態において、基板は、リール・ツー・リール製造プロセスのウェブに取り付けられて、本明細書に記載の1つまたは複数のセンサおよび/または電気回路を形成する。リール・ツー・リール製造プロセスでは、本明細書に記載の方法等によって、任意の金属層および任意の誘電体層ならびに1つまたは複数のセンサおよび電気回路が形成およびパターン形成される。
図19に、図3〜18を参照して説明した製造プロセスの実施形態によって形成された装置1900を示す。いくつかの実施形態では、装置1900は、1つまたは複数の集積電気回路に統合された能動および/または受動部品を含む。例えば、センサは、RTD(測温抵抗体)、熱電対、ひずみゲージ、静電容量センサ、熱電対列、サーミスタ、ヒーター、参照電極または心電図検査や医療用電子マッピングパッチ等の電気センサ/刺激装置である。
いくつかの実施形態では、センサ1922は、第1の誘電体層1910が積層された基板1912の上に形成される。基板1912は、例えばステンレス鋼、銅、ポリマー膜、セラミック、ガラス、半導体、ニチノールまたは他の材料から構成されるが、これらに限定されない。いくつかの実施形態では、基板1912は、厚さが50〜100ミクロンの範囲である薄い金属膜/箔である。しかしながら、基板1912の厚さがこれより大きくても小さくてもよいことを当業者は理解するであろう。
第1の誘電体層1910は、上記の成膜方法によって基板1912上に成膜される。第1の誘電体層1910は、フォトレジスト、ポリイミド、KMPR、SU−8または他の絶縁材料等を含むが、これらに限定されない。いくつかの実施形態では、第1の誘電体層1910は、第1の誘電体層1910上に形成されたフォトレジスト層を使用してパターン形成される。他の実施形態においては、第1の誘電体層1910は、フォトリソグラフィ法を用いて直接パターン形成される感光性ポリイミド層である。一実施形態においては、第1の誘電体層1910の厚さは例えば5〜10ミクロンの範囲である。しかしながら、第1の誘電体層1910の厚さがこれより大きくても小さくてもよいことを当業者は理解するであろう。
いくつかの実施形態では、金属層1908が第1の誘電体層1910上に形成される。例えば、金属層1908は、第1の誘電体層1910上にスパッタリングされたニッケルクロムのシード層上に積層された銅の層、または第1の誘電体層1910上にスパッタリングされたコンスタンタンの層であるが、これらに限定されない。いくつかの実施形態では、金属層1908を使用して、誘電体層上に1つまたは複数のセンサが形成される。例えば、センサは、RTD(測温抵抗体)、熱電対、ひずみゲージ、静電容量センサ、熱電対列、サーミスタ、ヒーター、参照電極または心電図検査や医療用電子マッピングパッチ等の電気センサ/刺激装置である。いくつかの実施形態では、センサ1922は、1つまたは複数の端子で測定された抵抗に基づいてひずみを求めるクォーターブリッジひずみゲージである。一実施形態においては、センサ1922は、入力電圧を受け取る電圧端子1920を有するとともに、クォーターブリッジ回路全体の抵抗の2つの測定値を取得する主端子1926および冗長端子1924を有している。
いくつかの実施形態では、第2の誘電体層1906が、金属層1908に形成された1つまたは複数のセンサ1922の上方に形成される。1つまたは複数のセンサ1922が形成された後に第2の誘電体層1906を積層することによって、後工程で形成される他の構造からセンサ1922を隔離できるため、装置1900の後続の処理過程においてセンサ1922が破損しないように保護できる。いくつかの実施形態では、第2の誘電体層1906は、本明細書に記載の方法等を用いて形成されたポリイミド層である。一実施形態においては、第2の誘電体層1906は、当技術分野で周知のフォトリソグラフィ法等を用いてパターン形成され、当技術分野で周知のウェットエッチング法等によって現像される。一実施形態においては、第2の誘電体層1906の厚さは5〜10ミクロンの範囲である。しかしながら、第2の誘電体層1906の厚さがこれより大きくても小さくてもよいことを当業者は理解するであろう。
いくつかの実施形態では、第2の金属層1904が、第2の誘電体層1906上に形成される。第2の金属層1904は、金属層1908に形成されたセンサ1922の上方に配置された障壁部である。いくつかの実施形態では、第2の金属層1904によって構成された障壁部によって、外部環境から水分および/または酸素が金属層1904に形成されたセンサ1922まで浸透することを抑制し、これによってセンサ材料の酸化を防ぐ。センサ1922の耐久性および堅牢性を向上させるために、第2の金属層は、センサ1922の表面を覆い、センサ1922において被覆されていない部分および/または外部環境に露出している部分を減少させる。第2の金属層1904は、例えば、スパッタリングされた銅クロム層、スパッタリングされたクロム層または銅めっき層である。
いくつかの実施形態において、第2の金属層1904は、酸化を防ぐ障壁部を形成するだけではなく、1つまたは複数のトレース、ビアおよび電気回路を形成している。例えば、第2の金属層1904は、基板1912上にすでに形成されているか、もしくは後で形成される1つまたは複数のセンサ1922を相互接続し、1つまたは複数のセンサ1922を他の電気回路に接続するためのトレースおよびビアを有していてもよい。いくつかの実施形態では、第2の金属層1904は、1つまたは複数のセンサを含むようにパターン形成され、別の誘電体層が第2のセンサ層の上に形成され、別の金属層がトレース、電気回路および/またはビアを含むように形成される。一実施形態において、第2の金属層1904の厚さは例えば12ミクロンである。しかしながら、第2の金属層1904の厚さがこれより大きくても小さくてもよいことを当業者は理解するであろう。
いくつかの実施形態では、第3の誘電体層1902が第2の金属層1904上に形成される。第3の誘電体層1902は、本明細書に記載の方法等によって形成される。第3の誘電体層1902は、例えばポリイミド層であるが、これに限定されない。一実施形態においては、第3の誘電体層1902の厚さは例えば5〜10ミクロンの範囲である。しかしながら、第3の誘電体層1902の厚さがこれより大きくても小さくてもよいことを当業者は理解するであろう。また、本明細書に記載の作用効果が、実施形態とは異なる金属層および誘電体層の配置によっても達成可能であることを、当業者は理解するであろう。
図20に、境界保護特徴部2002を含む例示的なセンサ2000の実施形態を示す。いくつかの実施形態では、境界保護特徴部2002は、センサ2000の外周に形成された追加的環状部であり、非活性センサ材料から構成される。境界保護特徴部2002は、金属材料(例えば、コンスタンタン)を含むが、これに限定されない。いくつかの実施形態では、境界保護特徴部2002は、センサ2000の回路2004への水分の侵入を防ぎ、センサ2000内部の金属部品よりも先に破壊される犠牲陽極として機能する。いくつかの実施形態では、センサ2000は、本明細書に記載の装置の金属層に形成される。センサ2000は、本明細書に記載の方法等によって形成される。
図21は、一実施形態に係る、装置2100の堅牢性を向上させる障壁部を有する装置2100の断面図である。装置2100は、基板2102と、基板2102の上に形成された第1の誘電体層2114とを有している。いくつかの実施形態では、基板2102はステンレス鋼膜/箔であり、第1の誘電体層2114は、フォトレジスト、ポリイミド、KMPR、SU−8または他の絶縁材料を含むが、これらに限定されない。第1の金属層2104が、第1の誘電体層2114上に形成されている。いくつかの実施形態では、第1の金属層2104は、第1の金属層2104にセンサを形成するようにパターン形成されている。一実施形態では、センサはひずみゲージである。第1の金属層2104は、センサの外周に形成された境界障壁部2106を有する。いくつかの実施形態においては、境界障壁部2106は、例えばコンスタンタンまたは他の金属材料からなる非活性センサ材料の追加的環状部である。境界障壁部2106は、センサ外面の周囲の第1の誘電体層2114に形成される。境界障壁部2106は、センサの外周に配置されて、第1の金属層2104に形成されたセンサへの水分の侵入を防ぐ物理的障壁部として機能する。さらに境界障壁部2106は、水分/空気の存在下でセンサ材料よりも先に酸化する犠牲陽極として機能する。
一実施形態において、装置2100は、第1の金属層2104上に形成された第2の誘電体層2112を有している。第2の誘電体層2112によって、第1の金属層2104が装置2100の他の活性/非活性層から絶縁および/または隔離される。一実施形態において、第2の金属層2108が第2の誘電体層2112上に形成される。第2の金属層2108は、第1の金属層2104の上方の第2の誘電体層2112にめっきされた銅の層であるが、これに限定されない。いくつかの実施形態では、第2の金属層2108は、本明細書に記載の方法等によって、第2の誘電体層2112上にめっきされる。第2の金属層2108は、第1の金属層2104に形成されたセンサの上方に配置され、水分および酸素の浸透から金属センサ材料を封止する物理的障壁部として機能する。
いくつかの実施形態では、第2の金属層2108は、例えば銅めっき等の熱伝導性材料であるが、これに限定されない。第2の金属層2108が熱伝導性を有していることによって、障壁部が熱拡散効果をもたらし、その結果、センサの表面全体にわたって温度が分散される。この熱拡散効果により、温度を感知するセンサや、温度によって性能が変化するセンサの精度が向上される。例えば、ひずみゲージ(クォーターブリッジひずみゲージ等)または温度センサ(測温抵抗体等)に統合された電気回路に含まれるワイヤの抵抗は、温度によって変化する。したがって、第2の金属層2108は、センサ表面において温度を平衡化させることによってセンサの性能を向上させる。一実施形態においては、装置2100が、第2の金属層2108上に形成された第3の誘電体層2110を備えている。
図22は、一実施形態に係る、装置2200の堅牢性を向上させる障壁部を有する装置2200の断面図である。装置2200は、基板2202と、基板2202の上に形成された第1の誘電体層2212とを有している。いくつかの実施形態では、基板2202はステンレス鋼膜/箔であり、第1の誘電体層2212は、フォトレジスト、ポリイミド、KMPR、SU−8または他の絶縁材料を含むが、これらに限定されない。第1の金属層2204が、第1の誘電体層2212上に形成されている。いくつかの実施形態では、第1の金属層2204は、第1の金属層2204にセンサを形成するようにパターン形成されている。一実施形態において、センサは、ひずみゲージである。第1の金属層2204は、センサの外周に形成された境界障壁部2206を有する。いくつかの実施形態においては、境界障壁部2206は、例えばコンスタンタンまたは他の金属材料等の非活性センサ材料からなる追加的環状部である。境界障壁部2206は、第1の誘電体層2212上のセンサ外面の周囲に形成される。境界障壁部2206は、センサの外周に配置されて、第1の金属層2204に形成されたセンサへの水分の侵入を防ぐ物理的障壁部として機能する。さらに境界障壁部2206は、水分/空気の存在下でセンサ材料よりも先に酸化する犠牲陽極として機能する。
一実施形態において、装置2200は、第1の金属層2204上に形成された第2の誘電体層2210を有している。第2の誘電体層2210によって、第1の金属層2204が装置2200の他の活性/非活性層から絶縁および/または隔離される。一実施形態において、第2の金属層2208が第2の誘電体層2210上に形成される。いくつかの実施形態では、第2の金属層2208は、スパッタリングされた層である。第2の金属層2208は、スパッタリングされたクロム層、スパッタリングされたニッケルクロム層またはスパッタリングされた銅クロム層であるが、これらに限定されない。いくつかの実施形態では、第2の金属層2208は、本明細書に記載の方法等によって、第2の誘電体層2210上にスパッタリングされる。第2の金属層2208は、第1の金属層2204に形成されたセンサの上面を覆うように配置されている。いくつかの実施形態では、センサの側面、第2の誘電体層2210の側面および第1の誘電体層2212の側面を含む装置の側面が、基板2202まで全体にわたって第2の金属層2208によって覆われている。第2の金属層2208は、第1の金属層2204および/または装置の側面を覆って、装置2200の外部環境から水分および酸素がセンサまで浸透することを防ぐ物理的障壁部を構成している。
いくつかの実施形態では、第2の金属層2208が帯電防止成分を含んでいる。帯電防止成分の例としては、クロム化合物、クロム錯体(例えば、カルボン酸を含むクロム錯体)およびクロム塩が挙げられるが、これらに限定されない。第2の金属層2208が帯電防止成分を有していることによって、センサの上方に形成された障壁部が、電気回路を静電放電から保護できる。電荷を帯びた電気回路および/またはセンサの他の部品によって、センサが帯電する。帯電したセンサが他の帯電した物体(例えば他の電気部品や人間)と接触すると、静電気が放電されてセンサに入る。センサ内に静電気が入るとセンサの性能が阻害される(例えば、精度に影響を与えるノイズが発生したり、センサの校正が妨害される)。センサ内に放電された静電気の電圧が高い場合、センサに統合された電気回路が静電気に破壊される場合もある。第2の金属層2208の帯電防止成分によって、センサの静電気の蓄積や、センサが他の帯電物に接触したときの静電放電が抑制および除去されるため、センサの耐久性、信頼性、および性能が向上する。
図23に、センサの堅牢性を向上させるプロセスの例を示す。2302において、金属層が基板上に形成される。基板は、例えばステンレス鋼、銅、ポリマー膜、セラミック、ガラス、半導体、ニチノールおよび他の材料から構成される薄い膜/箔であるが、これらに限定されない。いくつかの実施形態では、1つまたは複数の誘電体層が、基板と金属層との間において、基板上に形成される。金属層は、基板上に形成された誘電体層上にスパッタリングされたニッケルクロムのシード層上に成膜された銅の層、または基板上に形成された誘電体層上にスパッタリングされたコンスタンタンの層であるが、これらに限定されない。金属層は、本明細書に記載の方法等によって基板上に形成される。
2304において、金属層を用いて、1つまたは複数のセンサが形成される。例えば、センサは、RTD(測温抵抗体)、熱電対、ひずみゲージ、静電容量センサ、熱電対列、サーミスタ、ヒーター、参照電極または心電図検査や医療用電子マッピングパッチ等の電気センサ/刺激装置である。センサは、本明細書に記載の方法等によって金属層に形成される。2306では、必要に応じて、境界特徴部が1つまたは複数のセンサの周囲に形成される。境界特徴部の例としては、非活性材料(コンスタンタンまたは他のセンサ材料等)からなる追加的環状部が挙げられるが、これに限定されない。境界特徴部は、センサへの水分の侵入を防ぎ、腐食を防ぐための犠牲陽極として機能する。
2308において、第2の金属層が金属層の上方に形成される。いくつかの実施形態では、1つまたは複数の誘電体層を金属層上に形成することによって、第1の金属層の絶縁や、第1の金属層と第2の金属層との分離が達成される。第2の金属層は、銅めっき層およびスパッタリングされたクロム層等であるが、これらに限定されない。第2の金属層は、本明細書に記載の技術を含む方法を用いて、第1の金属層の上に形成される。第2の金属層は、第1の金属層に形成された1つまたは複数のセンサの上方に配置され、センサを覆い、水分および/または酸素がセンサまで浸透することを防ぐ障壁部を形成している。いくつかの実施形態では、第2の金属層は熱伝導性を有し、センサ全体にわたって温度を均等に分散させてセンサの性能を改善する熱拡散効果をもたらす。いくつかの実施形態においては、第2の金属層が、センサを静電放電から保護する帯電防止成分を有しており、その結果、センサの耐久性、信頼性、および性能が向上する。
これらの実施形態に関連して説明されているが、当業者は、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、態様および詳細において変更を行うことができることを認識するであろう。
Claims (26)
- 装置であって、
基板と、
前記基板上に配置された第1の金属層であって、第1の金属層に形成された1つまたは複数のセンサを有する第1の金属層と、
前記第1の金属層の上方に配置された第2の金属層であって、第1の金属層に形成された前記1つまたは複数のセンサの少なくとも1つと電気的に接続された1つまたは複数の電気回路を有する第2の金属層と、を備え、
前記第2の金属層が、前記第1の金属層の上方に配置されるとともに、前記1つまたは複数のセンサを覆う物理的障壁部を提供するように構成される装置。 - 前記物理的障壁部は、水分または酸素が前記センサまで浸透することを防ぐように構成される、請求項1に記載の装置。
- 前記第2の金属層が銅めっきである、請求項1に記載の装置。
- 前記銅めっきが、前記1つまたは複数のセンサの上面の上方において熱を分散させる熱拡散効果をもたらす、請求項3に記載の装置。
- 前記第2の金属層が、スパッタリングされたクロムを含む、請求項1に記載の装置。
- 前記スパッタリングされたクロムが、静電放電を低減させる1つまたは複数の帯電防止成分を含む、請求項4に記載の装置。
- 前記第1の金属層が、前記1つまたは複数のセンサの周囲に配置された境界特徴部を有している、請求項1に記載の装置。
- 前記境界特徴部が、前記1つまたは複数のセンサへの水分の侵入を防ぐように構成された物理的障壁部である、請求項7に記載の装置。
- 前記境界特徴部が、前記1つまたは複数のセンサの腐食を防ぐために水分または酸素の存在下で破壊される犠牲陽極である、請求項7に記載の装置。
- 前記1つまたは複数のセンサのうちの少なくとも1つが測温抵抗体である、請求項1に記載の装置。
- 前記1つまたは複数のセンサのうちの少なくとも1つが、複数の測温抵抗体の配列を含む、請求項1に記載の装置。
- 前記1つまたは複数のセンサのうちの少なくとも1つが圧力センサである、請求項1に記載の装置。
- 前記圧力センサがひずみゲージである、請求項12に記載の装置。
- 前記圧力センサが静電容量センサである、請求項12に記載の装置。
- モノのインターネット装置、医療装置、スマートセンサ、ホームオートメーション装置、産業用センサ、自動車用センサ、環境装置、警備装置、公共安全装置、小売装置、ロジスティクス装置および消費者装置のいずれか1つを含む、請求項1に記載の装置。
- センサであって、
基板と、
前記基板上に配置された誘電体層と、
前記誘電体層上に配置された金属層であって、金属層に形成された1つまたは複数のセンサ部品を有する金属層と、
前記1つまたは複数のセンサ部品の周囲に配置された境界特徴部と、を備えたセンサ。 - 前記境界特徴部が、前記金属層と同じ組成を有する金属材料からなる追加的環状部である、請求項16に記載のセンサ。
- 前記境界特徴部が、前記1つまたは複数のセンサ部品への水分の侵入を防ぐ部分であるか、または、前記1つまたは複数のセンサ部品の腐食を防ぐために水分または酸素の存在下で破壊される犠牲陽極である、請求項16に記載のセンサ。
- センサの堅牢性を向上させる方法であって、
基板上に第1の金属層を形成することと、
前記第1の金属層に1つまたは複数のセンサを形成することと、
前記第1の金属層の上方に第2の金属層を形成することであって、前記第2の金属層が前記1つまたは複数のセンサの上方に配置されることによって、水分または酸素が1つまたは複数のセンサまで浸透することを防ぐ障壁部が形成されることと、を含む方法。 - 前記1つまたは複数のセンサの周囲に境界特徴部を形成することをさらに含む、請求項19に記載の方法。
- 前記第2の金属層が、該第2の金属層に形成された1つまたは複数のセンサを含む、請求項1に記載の装置。
- 前記第2の金属層の上方に配置された第3の金属層を備える、請求項1に記載の装置。
- 前記第1の金属層と前記第2の金属層との間に配置された第1の絶縁層を備える、請求項1に記載の装置。
- 前記第2の金属層と前記第3の金属層との間に配置された第2の絶縁層を備える、請求項23に記載の装置。
- 前記第3の金属層が、1つまたは複数の電気回路および少なくとも1つまたは複数のセンサを有し、第3の金属層が、前記第2の金属層の上方に配置されて物理的障壁部を提供するように構成される、請求項22に記載の装置。
- 装置であって、
基板と、
前記基板上に配置されるとともに、1つまたは複数の電気回路を有する第1の金属層と、
前記第1の金属層の上方に配置されるとともに、前記1つまたは複数のセンサの少なくとも1つを有する第2の金属層と、
前記第1の金属層と前記第2の金属層との間に配置された第1の絶縁層と、
前記第2の金属層の上方に配置されるとともに、前記1つまたは複数のセンサを覆う物理的障壁部を提供するように構成された第3の金属層と、を備えた装置。
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