JP2021125618A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】制御ソフトウェアの誤った更新を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理装置においては、制御部が制御ソフトウェアを実行することによって半導体ウェハーの処理が行われる。基板処理装置のシステム構成が変更されたときには、それにともなって制御ソフトウェアも更新する必要がある。制御ソフトウェアの更新を行おうとする際に、新たな制御ソフトウェアへの更新に必要な前提構成情報が取得される。制御部の記憶部には、基板処理装置にて実際に実行されている制御ソフトウェアに適合するシステム構成を示す実装構成情報が格納されている。前提構成情報と実装構成情報とを比較し、両者が一致している場合には新たな制御ソフトウェアへの更新が実行される。一方、両者が一致していない場合にはアラームが発報される。【選択図】図９

Description

本発明は、半導体ウェハー等の薄板状精密電子基板（以下、単に「基板」と称する）に熱処理等の所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。

半導体デバイスの製造プロセスにおいて、極めて短時間で半導体ウェハーを加熱するフラッシュランプアニール（ＦＬＡ）が注目されている。フラッシュランプアニールは、キセノンフラッシュランプ（以下、単に「フラッシュランプ」とするときにはキセノンフラッシュランプを意味する）を使用して半導体ウェハーの表面にフラッシュ光を照射することにより、半導体ウェハーの表面のみを極めて短時間（数ミリ秒以下）に昇温させる熱処理技術である。

キセノンフラッシュランプの放射分光分布は紫外域から近赤外域であり、従来のハロゲンランプよりも波長が短く、シリコンの半導体ウェハーの基礎吸収帯とほぼ一致している。よって、キセノンフラッシュランプから半導体ウェハーにフラッシュ光を照射したときには、透過光が少なく半導体ウェハーを急速に昇温することが可能である。また、数ミリ秒以下の極めて短時間のフラッシュ光照射であれば、半導体ウェハーの表面近傍のみを選択的に昇温できることも判明している。

このようなフラッシュランプアニールは、極短時間の加熱が必要とされる処理、例えば典型的には半導体ウェハーに注入された不純物の活性化に利用される。イオン注入法によって不純物が注入された半導体ウェハーの表面にフラッシュランプからフラッシュ光を照射すれば、当該半導体ウェハーの表面を極短時間だけ活性化温度にまで昇温することができ、不純物を深く拡散させることなく、不純物活性化のみを実行することができるのである。

特許文献１には、半導体ウェハーを収容するチャンバーの下側にハロゲンランプを設けるとともに、上側にフラッシュランプを設けたフラッシュランプアニール装置が開示されている。特許文献１に開示の装置においては、チャンバー内にて石英のサセプタに保持した半導体ウェハーの下方からハロゲンランプが光を照射して予備加熱を行った後に、半導体ウェハーの表面にフラッシュランプからフラッシュ光を照射して当該表面を所定の処理温度に加熱している。また、特許文献１に開示の装置においては、ハロゲンランプ等の装置に搭載された機器の動作を制御部によって制御している。

特開２０１８−４９９６７号公報

上述したフラッシュランプアニール装置等の基板処理装置においては、制御部が制御ソフトウェアを実行することによって各機器を制御している。基板処理装置のシステム構成が変更された場合（例えば、処理ガスを供給するガス供給系が変更になった場合等）には、それに応じて制御ソフトウェアも更新する必要がある。制御ソフトウェアの更新は任意に行えるものではなく、決められた制御ソフトウェアに対して新たな制御ソフトウェアをインストールしなければならない。従って、基板処理装置のシステム構成が複数変更され、それに応じて複数の新たな制御ソフトウェアが供給された場合には、決められた順番で制御ソフトウェアをインストールしなければならない。

しかし、比較的短い期間に基板処理装置のシステム構成が複数変更されて新たな制御ソフトウェアが多数蓄積されているような場合には、それらのインストールの順番を間違えることもある。制御ソフトウェアのインストールの順番を間違えると、基板処理装置において誤作動が生じて多数の処理不良を発生させるおそれがある。

また、基板処理装置においては、半導体ウェハーに対する処理手順および処理条件を規定したレシピに従って処理が進行する。典型的には、基板処理装置には処理目的および処理内容に応じて多数のレシピが作成されて保存されている。基板処理装置のシステム構成が変更された場合には、レシピの書き換えを行う必要もあるが、多数のレシピを逐一書き換えることは繁雑な作業である。よって、処理条件の一部を書き換える場合、変更が必要な一部のレシピについての書き換え漏れが生じたり、逆に変更が必要ないレシピに対して誤った書き換えを行うおそれがあった。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、制御ソフトウェアの誤った更新を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを第１の目的とする。

また、本発明は、レシピに対する必要な書き換えを確実に行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを第２の目的とする。

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置において、前記基板処理装置にて実行されている制御ソフトウェアを更新する更新部と、前記基板処理装置にて実際に実行されている制御ソフトウェアに適合するシステム構成を示す実装構成情報を格納する記憶部と、前記更新部が制御ソフトウェアを更新する際に取得した更新に必要な前提構成情報と前記記憶部に格納されている前記実装構成情報とが一致するか否かを判定する判定部と、を備え、前記更新部は、前記前提構成情報と前記実装構成情報とが一致する場合に制御ソフトウェアを更新することを特徴とする。

また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置において、前記前提構成情報と前記実装構成情報とが一致しない場合に制御ソフトウェアの更新を禁止するとともに警告を発報する発報部をさらに備えることを特徴とする。

また、請求項３の発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置において、前記基板処理装置における処理条件を規定したレシピを書き換える書換部と、前記基板処理装置にて使用されている複数の設定レシピを格納する記憶部と、レシピを書き換える際の前提条件を含む適合レシピを前記記憶部に格納されている前記複数の設定レシピから抽出する抽出部と、を備え、前記書換部は、前記抽出部によって抽出された前記適合レシピに対して書き換えを実行することを特徴とする。

また、請求項４の発明は、基板処理装置にて基板に所定の処理を行う基板処理方法において、前記基板処理装置にて実際に実行されている制御ソフトウェアに適合するシステム構成を示す実装構成情報を記憶部に格納する記憶工程と、前記基板処理装置にて実行されている制御ソフトウェアを更新するのに必要な前提構成情報と前記記憶部に格納されている前記実装構成情報とが一致するか否かを判定する判定工程と、前記前提構成情報と前記実装構成情報とが一致する場合に制御ソフトウェアを更新する更新工程と、を備えることを特徴とする。

また、請求項５の発明は、請求項４の発明に係る基板処理方法において、前記前提構成情報と前記実装構成情報とが一致しない場合に制御ソフトウェアの更新を禁止するとともに警告を発報する発報工程をさらに備えることを特徴とする。

また、請求項６の発明は、基板処理装置にて処理条件を規定したレシピを用いて基板に所定の処理を行う基板処理方法において、前記基板処理装置にて使用されている複数の設定レシピを記憶部に格納する記憶工程と、レシピを書き換える際の前提条件を含む適合レシピを前記記憶部に格納されている前記複数の設定レシピから抽出する抽出工程と、前記抽出工程にて抽出された前記適合レシピに対して書き換えを実行する書換工程と、を備えることを特徴とする。

請求項１および請求項２の発明によれば、基板処理装置にて実際に実行されている制御ソフトウェアに適合するシステム構成を示す実装構成情報と制御ソフトウェアを更新する際に取得された更新に必要な前提構成情報とが一致する場合に制御ソフトウェアを更新するため、更新に必要な前提構成情報が実装構成情報と異なる場合には制御ソフトウェアが更新されず、制御ソフトウェアの誤った更新を防止することができる。

請求項３の発明によれば、記憶部に格納されている複数の設定レシピのうちレシピを書き換える際の前提条件を含む適合レシピに対して書き換えが実行されるため、過不足無く書き換えが行われることとなり、レシピに対する必要な書き換えを確実に行うことができる。

請求項４および請求項５の発明によれば、基板処理装置にて実際に実行されている制御ソフトウェアに適合するシステム構成を示す実装構成情報と基板処理装置にて実行されている制御ソフトウェアを更新するのに必要な前提構成情報とが一致する場合に制御ソフトウェアを更新するため、更新に必要な前提構成情報が実装構成情報と異なる場合には制御ソフトウェアが更新されず、制御ソフトウェアの誤った更新を防止することができる。

請求項６の発明によれば、記憶部に格納されている複数の設定レシピのうちレシピを書き換える際の前提条件を含む適合レシピに対して書き換えが実行されるため、過不足無く書き換えが行われることとなり、レシピに対する必要な書き換えを確実に行うことができる。

本発明に係る基板処理装置の一例である熱処理装置の構成を示す縦断面図である。 保持部の全体外観を示す斜視図である。 サセプタの平面図である。 サセプタの断面図である。 移載機構の平面図である。 移載機構の側面図である。 複数のハロゲンランプの配置を示す平面図である。 制御部の構成を示すブロック図である。 熱処理装置における制御ソフトウェアの更新手順を示すフローチャートである。 熱処理装置におけるシステム構成変更の一例を示す図である。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。

＜第１実施形態＞
図１は、本発明に係る基板処理装置の一例である熱処理装置１の構成を示す縦断面図である。図１の熱処理装置１は、基板として円板形状の半導体ウェハーＷに対してフラッシュ光照射を行うことによってその半導体ウェハーＷを加熱するフラッシュランプアニール装置である。処理対象となる半導体ウェハーＷのサイズは特に限定されるものではないが、例えばφ３００ｍｍやφ４５０ｍｍである（本実施形態ではφ３００ｍｍ）。なお、図１および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。

熱処理装置１は、半導体ウェハーＷを収容するチャンバー６と、複数のフラッシュランプＦＬを内蔵するフラッシュ加熱部５と、複数のハロゲンランプＨＬを内蔵するハロゲン加熱部４と、を備える。チャンバー６の上側にフラッシュ加熱部５が設けられるとともに、下側にハロゲン加熱部４が設けられている。また、熱処理装置１は、チャンバー６の内部に、半導体ウェハーＷを水平姿勢に保持する保持部７と、保持部７と装置外部との間で半導体ウェハーＷの受け渡しを行う移載機構１０と、を備える。さらに、熱処理装置１は、ハロゲン加熱部４、フラッシュ加熱部５およびチャンバー６に設けられた各動作機構を制御して半導体ウェハーＷの熱処理を実行させる制御部３を備える。

チャンバー６は、筒状のチャンバー側部６１の上下に石英製のチャンバー窓を装着して構成されている。チャンバー側部６１は上下が開口された概略筒形状を有しており、上側開口には上側チャンバー窓６３が装着されて閉塞され、下側開口には下側チャンバー窓６４が装着されて閉塞されている。チャンバー６の天井部を構成する上側チャンバー窓６３は、石英により形成された円板形状部材であり、フラッシュ加熱部５から出射されたフラッシュ光をチャンバー６内に透過する石英窓として機能する。また、チャンバー６の床部を構成する下側チャンバー窓６４も、石英により形成された円板形状部材であり、ハロゲン加熱部４からの光をチャンバー６内に透過する石英窓として機能する。

また、チャンバー側部６１の内側の壁面の上部には反射リング６８が装着され、下部には反射リング６９が装着されている。反射リング６８，６９は、ともに円環状に形成されている。上側の反射リング６８は、チャンバー側部６１の上側から嵌め込むことによって装着される。一方、下側の反射リング６９は、チャンバー側部６１の下側から嵌め込んで図示省略のビスで留めることによって装着される。すなわち、反射リング６８，６９は、ともに着脱自在にチャンバー側部６１に装着されるものである。チャンバー６の内側空間、すなわち上側チャンバー窓６３、下側チャンバー窓６４、チャンバー側部６１および反射リング６８，６９によって囲まれる空間が熱処理空間６５として規定される。

チャンバー側部６１に反射リング６８，６９が装着されることによって、チャンバー６の内壁面に凹部６２が形成される。すなわち、チャンバー側部６１の内壁面のうち反射リング６８，６９が装着されていない中央部分と、反射リング６８の下端面と、反射リング６９の上端面とで囲まれた凹部６２が形成される。凹部６２は、チャンバー６の内壁面に水平方向に沿って円環状に形成され、半導体ウェハーＷを保持する保持部７を囲繞する。チャンバー側部６１および反射リング６８，６９は、強度と耐熱性に優れた金属材料（例えば、ステンレススチール）にて形成されている。

また、チャンバー側部６１には、チャンバー６に対して半導体ウェハーＷの搬入および搬出を行うための搬送開口部（炉口）６６が形設されている。搬送開口部６６は、ゲートバルブ１８５によって開閉可能とされている。搬送開口部６６は凹部６２の外周面に連通接続されている。このため、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を開放しているときには、搬送開口部６６から凹部６２を通過して熱処理空間６５への半導体ウェハーＷの搬入および熱処理空間６５からの半導体ウェハーＷの搬出を行うことができる。また、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を閉鎖するとチャンバー６内の熱処理空間６５が密閉空間とされる。

さらに、チャンバー側部６１には、貫通孔６１ａおよび貫通孔６１ｂが穿設されている。貫通孔６１ａは、後述するサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの上面から放射された赤外光を上部放射温度計２５の赤外線センサー２９に導くための円筒状の孔である。一方、貫通孔６１ｂは、半導体ウェハーＷの下面から放射された赤外光を下部放射温度計２０の赤外線センサー２４に導くための円筒状の孔である。貫通孔６１ａおよび貫通孔６１ｂは、それらの貫通方向の軸がサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの主面と交わるように、水平方向に対して傾斜して設けられている。貫通孔６１ａの熱処理空間６５に臨む側の端部には、上部放射温度計２５が測定可能な波長領域の赤外光を透過させるフッ化カルシウム材料からなる透明窓２６が装着されている。また、貫通孔６１ｂの熱処理空間６５に臨む側の端部には、下部放射温度計２０が測定可能な波長領域の赤外光を透過させるフッ化バリウム材料からなる透明窓２１が装着されている。

また、チャンバー６の内壁上部には熱処理空間６５に処理ガスを供給するガス供給孔８１が形設されている。ガス供給孔８１は、凹部６２よりも上側位置に形設されており、反射リング６８に設けられていても良い。ガス供給孔８１はチャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８２を介してガス供給管８３に連通接続されている。ガス供給管８３は処理ガス供給源８５に接続されている。また、ガス供給管８３の経路途中にはバルブ８４が介挿されている。バルブ８４が開放されると、処理ガス供給源８５から緩衝空間８２に処理ガスが送給される。緩衝空間８２に流入した処理ガスは、ガス供給孔８１よりも流体抵抗の小さい緩衝空間８２内を拡がるように流れてガス供給孔８１から熱処理空間６５内へと供給される。処理ガスとしては、例えば窒素（Ｎ_２）等の不活性ガス、または、水素（Ｈ_２）、アンモニア（ＮＨ_３）等の反応性ガス、或いはそれらを混合した混合ガスを用いることができる（本実施形態では窒素ガス）。

一方、チャンバー６の内壁下部には熱処理空間６５内の気体を排気するガス排気孔８６が形設されている。ガス排気孔８６は、凹部６２よりも下側位置に形設されており、反射リング６９に設けられていても良い。ガス排気孔８６はチャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８７を介してガス排気管８８に連通接続されている。ガス排気管８８は排気部１９０に接続されている。また、ガス排気管８８の経路途中にはバルブ８９が介挿されている。バルブ８９が開放されると、熱処理空間６５の気体がガス排気孔８６から緩衝空間８７を経てガス排気管８８へと排出される。なお、ガス供給孔８１およびガス排気孔８６は、チャンバー６の周方向に沿って複数設けられていても良いし、スリット状のものであっても良い。また、処理ガス供給源８５および排気部１９０は、熱処理装置１に設けられた機構であっても良いし、熱処理装置１が設置される工場のユーティリティであっても良い。

また、搬送開口部６６の先端にも熱処理空間６５内の気体を排出するガス排気管１９１が接続されている。ガス排気管１９１はバルブ１９２を介して排気部１９０に接続されている。バルブ１９２を開放することによって、搬送開口部６６を介してチャンバー６内の気体が排気される。

図２は、保持部７の全体外観を示す斜視図である。保持部７は、基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４を備えて構成される。基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４はいずれも石英にて形成されている。すなわち、保持部７の全体が石英にて形成されている。

基台リング７１は円環形状から一部が欠落した円弧形状の石英部材である。この欠落部分は、後述する移載機構１０の移載アーム１１と基台リング７１との干渉を防ぐために設けられている。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されることによって、チャンバー６の壁面に支持されることとなる（図１参照）。基台リング７１の上面に、その円環形状の周方向に沿って複数の連結部７２（本実施形態では４個）が立設される。連結部７２も石英の部材であり、溶接によって基台リング７１に固着される。

サセプタ７４は基台リング７１に設けられた４個の連結部７２によって支持される。図３は、サセプタ７４の平面図である。また、図４は、サセプタ７４の断面図である。サセプタ７４は、保持プレート７５、ガイドリング７６および複数の基板支持ピン７７を備える。保持プレート７５は、石英にて形成された略円形の平板状部材である。保持プレート７５の直径は半導体ウェハーＷの直径よりも大きい。すなわち、保持プレート７５は、半導体ウェハーＷよりも大きな平面サイズを有する。

保持プレート７５の上面周縁部にガイドリング７６が設置されている。ガイドリング７６は、半導体ウェハーＷの直径よりも大きな内径を有する円環形状の部材である。例えば、半導体ウェハーＷの直径がφ３００ｍｍの場合、ガイドリング７６の内径はφ３２０ｍｍである。ガイドリング７６の内周は、保持プレート７５から上方に向けて広くなるようなテーパ面とされている。ガイドリング７６は、保持プレート７５と同様の石英にて形成される。ガイドリング７６は、保持プレート７５の上面に溶着するようにしても良いし、別途加工したピンなどによって保持プレート７５に固定するようにしても良い。或いは、保持プレート７５とガイドリング７６とを一体の部材として加工するようにしても良い。

保持プレート７５の上面のうちガイドリング７６よりも内側の領域が半導体ウェハーＷを保持する平面状の保持面７５ａとされる。保持プレート７５の保持面７５ａには、複数の基板支持ピン７７が立設されている。本実施形態においては、保持面７５ａの外周円（ガイドリング７６の内周円）と同心円の周上に沿って３０°毎に計１２個の基板支持ピン７７が立設されている。１２個の基板支持ピン７７を配置した円の径（対向する基板支持ピン７７間の距離）は半導体ウェハーＷの径よりも小さく、半導体ウェハーＷの径がφ３００ｍｍであればφ２７０ｍｍ〜φ２８０ｍｍ（本実施形態ではφ２７０ｍｍ）である。それぞれの基板支持ピン７７は石英にて形成されている。複数の基板支持ピン７７は、保持プレート７５の上面に溶接によって設けるようにしても良いし、保持プレート７５と一体に加工するようにしても良い。

図２に戻り、基台リング７１に立設された４個の連結部７２とサセプタ７４の保持プレート７５の周縁部とが溶接によって固着される。すなわち、サセプタ７４と基台リング７１とは連結部７２によって固定的に連結されている。このような保持部７の基台リング７１がチャンバー６の壁面に支持されることによって、保持部７がチャンバー６に装着される。保持部７がチャンバー６に装着された状態においては、サセプタ７４の保持プレート７５は水平姿勢（法線が鉛直方向と一致する姿勢）となる。すなわち、保持プレート７５の保持面７５ａは水平面となる。

チャンバー６に搬入された半導体ウェハーＷは、チャンバー６に装着された保持部７のサセプタ７４の上に水平姿勢にて載置されて保持される。このとき、半導体ウェハーＷは保持プレート７５上に立設された１２個の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。より厳密には、１２個の基板支持ピン７７の上端部が半導体ウェハーＷの下面に接触して当該半導体ウェハーＷを支持する。１２個の基板支持ピン７７の高さ（基板支持ピン７７の上端から保持プレート７５の保持面７５ａまでの距離）は均一であるため、１２個の基板支持ピン７７によって半導体ウェハーＷを水平姿勢に支持することができる。

また、半導体ウェハーＷは複数の基板支持ピン７７によって保持プレート７５の保持面７５ａから所定の間隔を隔てて支持されることとなる。基板支持ピン７７の高さよりもガイドリング７６の厚さの方が大きい。従って、複数の基板支持ピン７７によって支持された半導体ウェハーＷの水平方向の位置ずれはガイドリング７６によって防止される。

また、図２および図３に示すように、サセプタ７４の保持プレート７５には、上下に貫通して開口部７８が形成されている。開口部７８は、下部放射温度計２０が半導体ウェハーＷの下面から放射される放射光（赤外光）を受光するために設けられている。すなわち、下部放射温度計２０が開口部７８およびチャンバー側部６１の貫通孔６１ｂに装着された透明窓２１を介して半導体ウェハーＷの下面から放射された光を受光して当該半導体ウェハーＷの温度を測定する。さらに、サセプタ７４の保持プレート７５には、後述する移載機構１０のリフトピン１２が半導体ウェハーＷの受け渡しのために貫通する４個の貫通孔７９が穿設されている。

図５は、移載機構１０の平面図である。また、図６は、移載機構１０の側面図である。移載機構１０は、２本の移載アーム１１を備える。移載アーム１１は、概ね円環状の凹部６２に沿うような円弧形状とされている。それぞれの移載アーム１１には２本のリフトピン１２が立設されている。移載アーム１１およびリフトピン１２は石英にて形成されている。各移載アーム１１は水平移動機構１３によって回動可能とされている。水平移動機構１３は、一対の移載アーム１１を保持部７に対して半導体ウェハーＷの移載を行う移載動作位置（図５の実線位置）と保持部７に保持された半導体ウェハーＷと平面視で重ならない退避位置（図５の二点鎖線位置）との間で水平移動させる。水平移動機構１３としては、個別のモータによって各移載アーム１１をそれぞれ回動させるものであっても良いし、リンク機構を用いて１個のモータによって一対の移載アーム１１を連動させて回動させるものであっても良い。

また、一対の移載アーム１１は、昇降機構１４によって水平移動機構１３とともに昇降移動される。昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置にて上昇させると、計４本のリフトピン１２がサセプタ７４に穿設された貫通孔７９（図２，３参照）を通過し、リフトピン１２の上端がサセプタ７４の上面から突き出る。一方、昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置にて下降させてリフトピン１２を貫通孔７９から抜き取り、水平移動機構１３が一対の移載アーム１１を開くように移動させると各移載アーム１１が退避位置に移動する。一対の移載アーム１１の退避位置は、保持部７の基台リング７１の直上である。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されているため、移載アーム１１の退避位置は凹部６２の内側となる。なお、移載機構１０の駆動部（水平移動機構１３および昇降機構１４）が設けられている部位の近傍にも図示省略の排気機構が設けられており、移載機構１０の駆動部周辺の雰囲気がチャンバー６の外部に排出されるように構成されている。

図１に戻り、チャンバー６の上方に設けられたフラッシュ加熱部５は、筐体５１の内側に、複数本（本実施形態では３０本）のキセノンフラッシュランプＦＬからなる光源と、その光源の上方を覆うように設けられたリフレクタ５２と、を備えて構成される。また、フラッシュ加熱部５の筐体５１の底部にはランプ光放射窓５３が装着されている。フラッシュ加熱部５の床部を構成するランプ光放射窓５３は、石英により形成された板状の石英窓である。フラッシュ加熱部５がチャンバー６の上方に設置されることにより、ランプ光放射窓５３が上側チャンバー窓６３と相対向することとなる。フラッシュランプＦＬはチャンバー６の上方からランプ光放射窓５３および上側チャンバー窓６３を介して熱処理空間６５にフラッシュ光を照射する。

複数のフラッシュランプＦＬは、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように平面状に配列されている。よって、フラッシュランプＦＬの配列によって形成される平面も水平面である。

キセノンフラッシュランプＦＬは、その内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設された棒状のガラス管（放電管）と、該ガラス管の外周面上に付設されたトリガー電極とを備える。キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、コンデンサーに電荷が蓄積されていたとしても通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気がガラス管内に瞬時に流れ、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。このようなキセノンフラッシュランプＦＬにおいては、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが０．１ミリセカンドないし１００ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、ハロゲンランプＨＬの如き連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。すなわち、フラッシュランプＦＬは、１秒未満の極めて短い時間で瞬間的に発光するパルス発光ランプである。なお、フラッシュランプＦＬの発光時間は、フラッシュランプＦＬに電力供給を行うランプ電源のコイル定数によって調整することができる。

また、リフレクタ５２は、複数のフラッシュランプＦＬの上方にそれら全体を覆うように設けられている。リフレクタ５２の基本的な機能は、複数のフラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を熱処理空間６５の側に反射するというものである。リフレクタ５２はアルミニウム合金板にて形成されており、その表面（フラッシュランプＦＬに臨む側の面）はブラスト処理により粗面化加工が施されている。

チャンバー６の下方に設けられたハロゲン加熱部４は、筐体４１の内側に複数本（本実施形態では４０本）のハロゲンランプＨＬを内蔵している。ハロゲン加熱部４は、複数のハロゲンランプＨＬによってチャンバー６の下方から下側チャンバー窓６４を介して熱処理空間６５への光照射を行って半導体ウェハーＷを加熱する。

図７は、複数のハロゲンランプＨＬの配置を示す平面図である。４０本のハロゲンランプＨＬは上下２段に分けて配置されている。保持部７に近い上段に２０本のハロゲンランプＨＬが配設されるとともに、上段よりも保持部７から遠い下段にも２０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。各ハロゲンランプＨＬは、長尺の円筒形状を有する棒状ランプである。上段、下段ともに２０本のハロゲンランプＨＬは、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように配列されている。よって、上段、下段ともにハロゲンランプＨＬの配列によって形成される平面は水平面である。

また、図７に示すように、上段、下段ともに保持部７に保持される半導体ウェハーＷの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域におけるハロゲンランプＨＬの配設密度が高くなっている。すなわち、上下段ともに、ランプ配列の中央部よりも周縁部の方がハロゲンランプＨＬの配設ピッチが短い。このため、ハロゲン加熱部４からの光照射による加熱時に温度低下が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部により多い光量の照射を行うことができる。

また、上段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群と下段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群とが格子状に交差するように配列されている。すなわち、上段に配置された２０本のハロゲンランプＨＬの長手方向と下段に配置された２０本のハロゲンランプＨＬの長手方向とが互いに直交するように計４０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。

ハロゲンランプＨＬは、ガラス管内部に配設されたフィラメントに通電することでフィラメントを白熱化させて発光させるフィラメント方式の光源である。ガラス管の内部には、窒素やアルゴン等の不活性ガスにハロゲン元素（ヨウ素、臭素等）を微量導入した気体が封入されている。ハロゲン元素を導入することによって、フィラメントの折損を抑制しつつフィラメントの温度を高温に設定することが可能となる。したがって、ハロゲンランプＨＬは、通常の白熱電球に比べて寿命が長くかつ強い光を連続的に照射できるという特性を有する。すなわち、ハロゲンランプＨＬは少なくとも１秒以上連続して発光する連続点灯ランプである。また、ハロゲンランプＨＬは棒状ランプであるため長寿命であり、ハロゲンランプＨＬを水平方向に沿わせて配置することにより上方の半導体ウェハーＷへの放射効率が優れたものとなる。

また、ハロゲン加熱部４の筐体４１内にも、２段のハロゲンランプＨＬの下側にリフレクタ４３が設けられている（図１）。リフレクタ４３は、複数のハロゲンランプＨＬから出射された光を熱処理空間６５の側に反射する。

図１に示すように、チャンバー６には、上部放射温度計２５および下部放射温度計２０の２つの放射温度計（本実施形態ではパイロメーター）が設けられている。上部放射温度計２５は、サセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの斜め上方に設置され、その半導体ウェハーＷの上面から放射された赤外光を受光して上面の温度を測定する。上部放射温度計２５の赤外線センサー２９は、フラッシュ光が照射された瞬間の半導体ウェハーＷの上面の急激な温度変化に対応できるように、ＩｎＳｂ（インジウムアンチモン）の光学素子を備えている。一方、下部放射温度計２０は、サセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの斜め下方に設けられ、その半導体ウェハーＷの下面から放射された赤外光を受光して下面の温度を測定する。

制御部３は、熱処理装置１に設けられた上記の種々の動作機構を制御する。図８は、制御部３の構成を示すブロック図である。制御部３のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部３は、各種演算処理を行う回路であるＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスク３５を備えている。制御部３のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって熱処理装置１における処理が進行する。

図８に示すように、制御部３は更新部３１、判定部３２、発報部３３、書換部３６および抽出部３７を備える。更新部３１、判定部３２、発報部３３、書換部３６および抽出部３７は、制御部３のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって実現される機能処理部である。更新部３１、判定部３２、発報部３３、書換部３６および抽出部３７の処理内容についてはさらに後述する。

また、制御部３には表示部３９および入力部３８が接続されている。制御部３は、表示部３９に種々の情報を表示する。熱処理装置１のオペレータは、表示部３９に表示された情報を確認しつつ、入力部３８から種々のコマンドやパラメータを入力することができる。入力部３８としては、例えばキーボードやマウスを用いることができる。表示部３９としては、例えば液晶ディスプレイを用いることができる。本実施形態においては、表示部３９および入力部３８として、熱処理装置１の外壁に設けられた液晶のタッチパネルを採用して双方の機能を併せ持たせるようにしている。

上記の構成以外にも熱処理装置１は、半導体ウェハーＷの熱処理時にハロゲンランプＨＬおよびフラッシュランプＦＬから発生する熱エネルギーによるハロゲン加熱部４、フラッシュ加熱部５およびチャンバー６の過剰な温度上昇を防止するため、様々な冷却用の構造を備えている。例えば、チャンバー６の壁体には水冷管（図示省略）が設けられている。また、ハロゲン加熱部４およびフラッシュ加熱部５は、内部に気体流を形成して排熱する空冷構造とされている。また、上側チャンバー窓６３とランプ光放射窓５３との間隙にも空気が供給され、フラッシュ加熱部５および上側チャンバー窓６３を冷却する。

次に、熱処理装置１における処理動作について説明する。ここではまず、製品となる通常の半導体ウェハー（プロダクトウェハー）Ｗに対する熱処理動作について説明する。以下に説明する半導体ウェハーＷの処理手順は、制御部３が熱処理装置１の各動作機構を制御することにより進行する。

まず、半導体ウェハーＷの処理に先立って給気のためのバルブ８４が開放されるとともに、排気用のバルブ８９が開放されてチャンバー６内に対する給排気が開始される。バルブ８４が開放されると、ガス供給孔８１から熱処理空間６５に窒素ガスが供給される。また、バルブ８９が開放されると、ガス排気孔８６からチャンバー６内の気体が排気される。これにより、チャンバー６内の熱処理空間６５の上部から供給された窒素ガスが下方へと流れ、熱処理空間６５の下部から排気される。

また、バルブ１９２が開放されることによって、搬送開口部６６からもチャンバー６内の気体が排気される。さらに、図示省略の排気機構によって移載機構１０の駆動部周辺の雰囲気も排気される。なお、熱処理装置１における半導体ウェハーＷの熱処理時には窒素ガスが熱処理空間６５に継続的に供給されており、その供給量は処理工程に応じて適宜変更される。

続いて、ゲートバルブ１８５が開いて搬送開口部６６が開放され、装置外部の搬送ロボットにより搬送開口部６６を介して処理対象となる半導体ウェハーＷがチャンバー６内の熱処理空間６５に搬入される。このときには、半導体ウェハーＷの搬入にともなって装置外部の雰囲気を巻き込むおそれがあるが、チャンバー６には窒素ガスが供給され続けているため、搬送開口部６６から窒素ガスが流出して、そのような外部雰囲気の巻き込みを最小限に抑制することができる。

搬送ロボットによって搬入された半導体ウェハーＷは保持部７の直上位置まで進出して停止する。そして、移載機構１０の一対の移載アーム１１が退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２が貫通孔７９を通ってサセプタ７４の保持プレート７５の上面から突き出て半導体ウェハーＷを受け取る。このとき、リフトピン１２は基板支持ピン７７の上端よりも上方にまで上昇する。

半導体ウェハーＷがリフトピン１２に載置された後、搬送ロボットが熱処理空間６５から退出し、ゲートバルブ１８５によって搬送開口部６６が閉鎖される。そして、一対の移載アーム１１が下降することにより、半導体ウェハーＷは移載機構１０から保持部７のサセプタ７４に受け渡されて水平姿勢にて下方より保持される。半導体ウェハーＷは、保持プレート７５上に立設された複数の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。また、半導体ウェハーＷは、被処理面である表面を上面として保持部７に保持される。複数の基板支持ピン７７によって支持された半導体ウェハーＷの裏面（表面とは反対側の主面）と保持プレート７５の保持面７５ａとの間には所定の間隔が形成される。サセプタ７４の下方にまで下降した一対の移載アーム１１は水平移動機構１３によって退避位置、すなわち凹部６２の内側に退避する。

半導体ウェハーＷが石英にて形成された保持部７のサセプタ７４によって水平姿勢にて下方より保持された後、ハロゲン加熱部４の４０本のハロゲンランプＨＬが一斉に点灯して予備加熱（アシスト加熱）が開始される。ハロゲンランプＨＬから出射されたハロゲン光は、石英にて形成された下側チャンバー窓６４およびサセプタ７４を透過して半導体ウェハーＷの下面に照射される。ハロゲンランプＨＬからの光照射を受けることによって半導体ウェハーＷが予備加熱されて温度が上昇する。なお、移載機構１０の移載アーム１１は凹部６２の内側に退避しているため、ハロゲンランプＨＬによる加熱の障害となることは無い。

ハロゲンランプＨＬからの光照射によって昇温する半導体ウェハーＷの温度は下部放射温度計２０によって測定される。測定された半導体ウェハーＷの温度は制御部３に伝達される。制御部３は、ハロゲンランプＨＬからの光照射によって昇温する半導体ウェハーＷの温度が所定の予備加熱温度Ｔ１に到達したか否かを監視しつつ、ハロゲンランプＨＬの出力を制御する。すなわち、制御部３は、下部放射温度計２０による測定値に基づいて、半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１となるようにハロゲンランプＨＬの出力をフィードバック制御する。

半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達した後、制御部３は半導体ウェハーＷをその予備加熱温度Ｔ１に暫時維持する。具体的には、下部放射温度計２０によって測定される半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達した時点にて制御部３がハロゲンランプＨＬの出力を調整し、半導体ウェハーＷの温度をほぼ予備加熱温度Ｔ１に維持している。

このようなハロゲンランプＨＬによる予備加熱を行うことによって、半導体ウェハーＷの全体を予備加熱温度Ｔ１に均一に昇温している。ハロゲンランプＨＬによる予備加熱の段階においては、より放熱が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部の温度が中央部よりも低下する傾向にあるが、ハロゲン加熱部４におけるハロゲンランプＨＬの配設密度は、半導体ウェハーＷの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域の方が高くなっている。このため、放熱が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部に照射される光量が多くなり、予備加熱段階における半導体ウェハーＷの面内温度分布を均一なものとすることができる。

半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達して所定時間が経過した時点でフラッシュ加熱部５のフラッシュランプＦＬがサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの表面にフラッシュ光照射を行う。このとき、フラッシュランプＦＬから放射されるフラッシュ光の一部は直接にチャンバー６内へと向かい、他の一部は一旦リフレクタ５２により反射されてからチャンバー６内へと向かい、これらのフラッシュ光の照射により半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱が行われる。

フラッシュ加熱は、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光（閃光）照射により行われるため、半導体ウェハーＷの表面温度を短時間で上昇することができる。すなわち、フラッシュランプＦＬから照射されるフラッシュ光は、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間が０．１ミリセカンド以上１００ミリセカンド以下程度の極めて短く強い閃光である。そして、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射によりフラッシュ加熱される半導体ウェハーＷの表面温度は、瞬間的に１０００℃以上の処理温度Ｔ２まで上昇した後、急速に下降する。

フラッシュ加熱処理が終了した後、所定時間経過後にハロゲンランプＨＬが消灯する。これにより、半導体ウェハーＷが予備加熱温度Ｔ１から急速に降温する。降温中の半導体ウェハーＷの温度は下部放射温度計２０によって測定され、その測定結果は制御部３に伝達される。制御部３は、下部放射温度計２０の測定結果より半導体ウェハーＷの温度が所定温度まで降温したか否かを監視する。そして、半導体ウェハーＷの温度が所定以下にまで降温した後、移載機構１０の一対の移載アーム１１が再び退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２がサセプタ７４の上面から突き出て熱処理後の半導体ウェハーＷをサセプタ７４から受け取る。続いて、ゲートバルブ１８５により閉鎖されていた搬送開口部６６が開放され、リフトピン１２上に載置された半導体ウェハーＷが装置外部の搬送ロボットによりチャンバー６から搬出され、半導体ウェハーＷの加熱処理が完了する。

上述のような半導体ウェハーＷに対する一連の処理は、制御部３が熱処理装置１に備えられた各機構を制御することによって行われる。制御部３には予め制御ソフトウェアがインストールされており、制御部３のＣＰＵがその制御ソフトウェアを実行することによって制御部３による各機構に対する制御が行われる。

ところで、熱処理装置１のシステム構成が変更されることがある。例えば、従前はアンモニア雰囲気中で半導体ウェハーＷの窒化処理を行っていたのを酸素雰囲気中で酸化膜の成膜処理を行うようにするときには処理ガスを供給するガス供給系統が変更されることなる。熱処理装置１のシステム構成が変更されたときには、それに応じて熱処理装置１にて実行されている制御ソフトウェアも更新する必要がある。以下、制御ソフトウェアの更新処理について説明する。

図９は、熱処理装置１における制御ソフトウェアの更新手順を示すフローチャートである。また、図１０は、熱処理装置１におけるシステム構成変更の一例を示す図である。制御ソフトウェアの更新前における熱処理装置１のシステム構成は図１０のＡに示すものであるとする。システム構成Ａでは、処理ガス供給源８５からのガス供給ラインが”Gas1：窒素”、”Gas2：アンモニア”、”Gas3：ヘリウム”の３系統設けられている。そして、このシステム構成Ａに適合した制御ソフトウェアαが制御部３にインストールされている。制御部３が制御ソフトウェアαを実行することによって、処理ガス供給源８５からチャンバー６に窒素、アンモニアまたはヘリウムが適宜に供給されることとなる。

熱処理装置１におけるシステム構成がＡからＢに変更されたとする。すなわち、処理ガス供給源８５からのガス供給ラインが”Gas1：窒素”、”Gas2：アンモニア”、”Gas3：ヘリウム”、”Gas4：アルゴン”の４系統に変更されたとする。熱処理装置１のシステム構成の変更にともなって、熱処理装置１にて実行されている制御ソフトウェアの更新が必要となる。変更後のシステム構成Ｂに適合するのは制御ソフトウェアβである。

制御ソフトウェアの更新は熱処理装置１のオペレータが新たな制御ソフトウェアβのインストールを指示することによって開始される（ステップＳ１１）。オペレータが例えば入力部３８から新たな制御ソフトウェアβのインストールを指示すると、更新部３１が制御ソフトウェアの更新に必要な前提構成情報を取得する（ステップＳ１２）。「前提構成情報」とは、新たな制御ソフトウェアに更新する際に必要な前提となるシステム構成に関する情報である。制御ソフトウェアβをインストールするのに必要な前提構成情報はシステム構成Ａの情報である。更新部３１は、例えば制御ソフトウェアβが格納されている記録媒体から読み込むことによって、または、オンライン経由にてダウンロードすることによって制御ソフトウェアβをインストールするのに必要な前提構成情報を取得する。

一方、制御部３の記憶部である磁気ディスク３５には実装構成情報９５が格納されている（図８参照）。実装構成情報９５は、その時点で熱処理装置１にて実際に実行されている制御ソフトウェアに適合するシステム構成を示す情報である。制御ソフトウェアβのインストールが指示された時点で熱処理装置１にて実際に実行されているのは制御ソフトウェアαであり、制御ソフトウェアαに適合するシステム構成はシステム構成Ａである。すなわち、制御ソフトウェアβのインストールが指示された時点で磁気ディスク３５に格納されている実装構成情報９５はシステム構成Ａの情報である。

次に、判定部３２が新たな制御ソフトウェアに更新するのに必要な前提構成情報と磁気ディスク３５に格納されている実装構成情報９５とを比較し、両者が一致しているか否かを判定する（ステップＳ１３）。上記の例では、新たな制御ソフトウェアβに更新するのに必要な前提構成情報がシステム構成Ａの情報であり、磁気ディスク３５に格納されている実装構成情報９５もシステム構成Ａの情報であり、両者は一致する。

判定部３２による判定の結果、前提構成情報と実装構成情報９５とが一致する場合にはステップＳ１３からステップＳ１４に進み、更新部３１が新たな制御ソフトウェアをインストールする。上記の例では、制御ソフトウェアβに更新するのに必要な前提構成情報と磁気ディスク３５に格納されている実装構成情報９５とが一致するため、更新部３１が新たな制御ソフトウェアβを制御部３にインストールする。ソフトウェア更新後は、システム構成Ｂに適合する制御ソフトウェアβが制御部３によって実行されることとなるため、処理ガス供給源８５からチャンバー６に窒素、アンモニア、ヘリウムまたはアルゴンが必要に応じて適切に供給される。

一方、前提構成情報と実装構成情報９５とが一致しない場合にはステップＳ１３からステップＳ１５に進み、制御ソフトウェアの更新を行うことなく発報部３３がアラーム発報を行う。前提構成情報と実装構成情報９５とが一致しない場合は、制御ソフトウェアの更新に必要な前提となるシステム構成と、熱処理装置１にて実際に実行されている制御ソフトウェアに適合するシステム構成とが相違する場合である。このような場合に新たな制御ソフトウェアをインストールすると、誤作動の原因となるため、制御ソフトウェアの更新を禁止するとともに、発報部３３が表示部３９に制御ソフトウェアの更新ができない旨のアラームを発報するのである。

次に、熱処理装置１におけるシステム構成がＢからＣにさらに変更されたとする。このときには、”Gas2”のラインがアンモニアから酸素に変更されている。すなわち、変更後のシステム構成Ｃでは、処理ガス供給源８５からのガス供給ラインが”Gas1：窒素”、”Gas2：酸素”、”Gas3：ヘリウム”、”Gas4：アルゴン”の４系統である。このシステム構成Ｃに適合するのは制御ソフトウェアγである。

熱処理装置１のオペレータが新たな制御ソフトウェアγのインストールを指示すると、更新部３１が制御ソフトウェアγへの更新に必要な前提構成情報を取得する。制御ソフトウェアγをインストールするのに必要な前提構成情報はシステム構成Ｂの情報である。また、制御ソフトウェアγのインストールが指示された時点で熱処理装置１にて実際に実行されているのは制御ソフトウェアβであり、磁気ディスク３５に格納されている実装構成情報９５は制御ソフトウェアβに適合するシステム構成Ｂの情報である。

新たな制御ソフトウェアγに更新するのに必要な前提構成情報はシステム構成Ｂの情報であり、磁気ディスク３５に格納されている実装構成情報９５もシステム構成Ｂの情報である。よって、判定部３２による判定の結果、新たな制御ソフトウェアγに更新するのに必要な前提構成情報と磁気ディスク３５に格納されている実装構成情報９５とが一致するため、更新部３１が新たな制御ソフトウェアγを制御部３にインストールする。

ここで仮に、システム構成Ａからシステム構成Ｂに変更されたときに制御ソフトウェアαから制御ソフトウェアβへの更新が行われていなかったとする。このような場合、システム構成Ｂからシステム構成Ｃに変更されたときに、制御ソフトウェアαから直接に制御ソフトウェアγへの更新が指示されることもある。オペレータが制御ソフトウェアγのインストールを指示すると、更新部３１が制御ソフトウェアγへの更新に必要な前提構成情報を取得する。制御ソフトウェアγへの更新に必要な前提構成情報はシステム構成Ｂの情報である。ところが、制御ソフトウェアγへの更新が指示された時点で熱処理装置１にて実際に実行されているのは制御ソフトウェアαであり、磁気ディスク３５に格納されている実装構成情報９５は制御ソフトウェアαに適合するシステム構成Ａの情報である。すなわち、新たな制御ソフトウェアγに更新するのに必要な前提構成情報はシステム構成Ｂの情報であるのに対して、磁気ディスク３５に格納されている実装構成情報９５はシステム構成Ａの情報である。

従って、判定部３２が新たな制御ソフトウェアγに更新するのに必要な前提構成情報と磁気ディスク３５に格納されている実装構成情報９５とを比較したときに、両者が一致しないという判定がなされることとなる。判定部３２による判定の結果、新たな制御ソフトウェアγに更新するのに必要な前提構成情報と磁気ディスク３５に格納されている実装構成情報９５とが一致しないため、制御ソフトウェアγへの更新を禁止するとともに、発報部３３が表示部３９に制御ソフトウェアの更新ができない旨のアラームを発報する。これにより、制御ソフトウェアαから直接に制御ソフトウェアγに更新されることに起因した誤作動を未然に防止することができる。

第１実施形態においては、制御ソフトウェアの更新を行おうとする際に、更新部３１が新たな制御ソフトウェアへの更新に必要な前提構成情報を取得する。また、制御部３の記憶部である磁気ディスク３５には、制御ソフトウェアの更新を行おうとする時点で熱処理装置１にて実際に実行されているのは制御ソフトウェアに適合するシステム構成を示す実装構成情報９５が格納されている。そして、判定部３２が新たな制御ソフトウェアに更新するのに必要な前提構成情報と磁気ディスク３５に格納されている実装構成情報９５とを比較し、両者が一致している場合には更新部３１が新たな制御ソフトウェアへの更新を実行している。一方、両者が一致していない場合には発報部３３が制御ソフトウェアの更新を行うことなく表示部３９にアラームを発報している。

上記の例において、制御ソフトウェアαから制御ソフトウェアβへの更新を行い、次いで制御ソフトウェアβから制御ソフトウェアγへの更新を行うというのが正しい更新の順番である。第１実施形態のようにすれば、制御ソフトウェアαから直接に制御ソフトウェアγへの更新、或いは制御ソフトウェアγから制御ソフトウェアβへの更新のような間違った順番での制御ソフトウェアのインストールを防止することができる。すなわち、第１実施形態のようにすれば、制御ソフトウェアの誤った更新を確実に防止して、それに起因した誤作動を未然に防ぐことができるのである。

第１実施形態に係る技術は、熱処理装置１のシステム構成が短期間の間に頻繁に変更され、新たにインストールすべき制御ソフトウェアが多数蓄積されているような場合に、それらの制御ソフトウェアの更新を正しい順番で確実に行わせることができるため好適である。

＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態の熱処理装置の構成は第１実施形態と全く同じである。また、第２実施形態における半導体ウェハーＷに対する処理手順も第１実施形態と同じである。第１実施形態では制御ソフトウェアの更新について説明したのに対して、第２実施形態ではレシピの書き換えについて説明する。

典型的には熱処理装置１における半導体ウェハーＷに対する処理は、レシピに従って実行される。レシピとは、半導体ウェハーＷの処理手順および処理条件を規定したものである。熱処理装置１においては、処理目的および処理内容に応じて複数のレシピ９７が作成されている。熱処理装置１にて使用される複数のレシピ９７は磁気ディスク３５に格納されている（図８参照）。磁気ディスク３５に格納されている設定済みのレシピ９７は「設定レシピ」とも称する。磁気ディスク３５に格納される設定レシピ９７の総数は１万以上になることもある。半導体ウェハーＷに対する処理を行う際には、磁気ディスク３５に格納されている複数の設定レシピ９７から１つが選択され、その選択されたレシピ９７に従って処理が行われる。

第１実施形態のように熱処理装置１のシステム構成が変更されたときには、制御ソフトウェアを更新するだけでなく、処理手順および処理条件を規定したレシピ９７も書き換える必要がある。また、レシピ９７は、熱処理装置１のシステム構成が変更されていない場合であっても、処理内容を変更する場合には書き換える必要性が生じる。例えば、半導体ウェハーＷの予備加熱温度Ｔ１を６００℃から７００℃に変更する場合には、以下のようにしてレシピ９７を書き換えている。

まず、熱処理装置１のオペレータがレシピ９７に記述されている予備加熱温度Ｔ１を６００℃から７００℃に書き換える指示を入力部３８から与える。この場合、レシピ９７を書き換える際の前提条件は「予備加熱温度Ｔ１が６００℃」である。

次に、抽出部３７が記憶部たる磁気ディスク３５に格納されている複数の設定レシピ９７から上記前提条件を含むレシピ９７を抽出する。上記の例では抽出部３７は、予備加熱温度Ｔ１が６００℃と記述されているレシピ９７を磁気ディスク３５に格納されている複数の設定レシピ９７から抽出する。上記前提条件を含んで抽出部３７によって抽出されたレシピ９７は「適合レシピ」とも称する。

続いて、書換部３６が抽出部３７によって抽出された適合レシピ９７のみに対して書き換えを実行する。具体的には、書換部３６は、適合レシピ９７に記述されている「予備加熱温度Ｔ１は６００℃」を「予備加熱温度Ｔ１は７００℃」に書き換える。抽出部３７によって抽出された適合レシピ９７が複数の場合には、書換部３６はそれら複数の適合レシピ９７に対して一括して書き換えを実行する。

第２実施形態においては、レシピの書き換えを行おうとする際に、レシピを書き換える際の前提条件を含む適合レシピを磁気ディスク３５に格納されている複数の設定レシピから抽出部３７が抽出している。そして、抽出部３７によって抽出された適合レシピのみに対して書換部３６が書き換えを実行している。

第２実施形態のようにすれば、レシピを書き換える際の前提条件を含む複数の適合レシピに対して一括して書き換えを実行することとなるため、変更が必要なレシピに対しては漏れなく確実に書き換えを行うことができる。その一方、変更が必要ないレシピに対して誤った書き換えを行うことも防止される。すなわち、第２実施形態のようにすれば、過不足無く書き換えを実行してレシピに対する必要な書き換えを確実に行うことができる。

第２実施形態に係る技術は、熱処理装置１に多数のレシピが保存されている場合に、それら複数のレシピに対して過不足無く書き換えを行うことができるため好適である。

＜変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態においては、熱処理装置１のシステム構成としてガス供給系を例示していたが、これに限定されるものではなく、例えばフラッシュランプＦＬの規格、または、ハロゲンランプＨＬの配列等であっても良い。また、システム構成は、純粋なハードウェア構成のみならず、熱処理装置１におけるプロセス条件も含む概念である。例えば、チャンバー６内の圧力、半導体ウェハーＷの熱処理温度、および、フラッシュランプＦＬから照射されるフラッシュ光の波形等もシステム構成に含まれる。さらには、ダミーウェハーの反射率が所定の閾値以上であると処理を停止するというシステムにおいて、その閾値を変更することもシステム構成の変更に含まれる。

また、上記実施形態においては、フラッシュ加熱部５に３０本のフラッシュランプＦＬを備えるようにしていたが、これに限定されるものではなく、フラッシュランプＦＬの本数は任意の数とすることができる。また、フラッシュランプＦＬはキセノンフラッシュランプに限定されるものではなく、クリプトンフラッシュランプであっても良い。また、ハロゲン加熱部４に備えるハロゲンランプＨＬの本数も４０本に限定されるものではなく、任意の数とすることができる。

また、上記実施形態においては、１秒以上連続して発光する連続点灯ランプとしてフィラメント方式のハロゲンランプＨＬを用いて半導体ウェハーＷの予備加熱を行っていたが、これに限定されるものではなく、ハロゲンランプＨＬに代えて放電型のアークランプ（例えば、キセノンアークランプ）を連続点灯ランプとして用いて予備加熱を行うようにしても良い。

また、熱処理装置１によって処理対象となる基板は半導体ウェハーに限定されるものではなく、液晶表示装置などのフラットパネルディスプレイに用いるガラス基板や太陽電池用の基板であっても良い。

また、本発明に係る技術の対象となるのはフラッシュランプアニールを行う熱処理装置１に限定されるものではなく、基板に所定の処理を行う基板処理装置であれば良い。このような基板処理装置としては、例えば、半導体ウェハーＷの洗浄処理を行う基板洗浄装置および半導体ウェハーＷにレジスト塗布を行うとともに現像処理を行うコータ・デベロッパ等が挙げられる。

１ 熱処理装置
３ 制御部
４ ハロゲン加熱部
５ フラッシュ加熱部
６ チャンバー
７ 保持部
１０ 移載機構
２０ 下部放射温度計
２５ 上部放射温度計
３１ 更新部
３２ 判定部
３３ 発報部
３５ 磁気ディスク
３６ 書換部
３７ 抽出部
３８ 入力部
３９ 表示部
６３ 上側チャンバー窓
６４ 下側チャンバー窓
６５ 熱処理空間
７４ サセプタ
ＦＬ フラッシュランプ
ＨＬ ハロゲンランプ
Ｗ 半導体ウェハー

Claims (6)

1. 基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
   前記基板処理装置にて実行されている制御ソフトウェアを更新する更新部と、
   前記基板処理装置にて実際に実行されている制御ソフトウェアに適合するシステム構成を示す実装構成情報を格納する記憶部と、
   前記更新部が制御ソフトウェアを更新する際に取得した更新に必要な前提構成情報と前記記憶部に格納されている前記実装構成情報とが一致するか否かを判定する判定部と、
   を備え、
   前記更新部は、前記前提構成情報と前記実装構成情報とが一致する場合に制御ソフトウェアを更新することを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１記載の基板処理装置において、
   前記前提構成情報と前記実装構成情報とが一致しない場合に制御ソフトウェアの更新を禁止するとともに警告を発報する発報部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
3. 基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
   前記基板処理装置における処理条件を規定したレシピを書き換える書換部と、
   前記基板処理装置にて使用されている複数の設定レシピを格納する記憶部と、
   レシピを書き換える際の前提条件を含む適合レシピを前記記憶部に格納されている前記複数の設定レシピから抽出する抽出部と、
   を備え、
   前記書換部は、前記抽出部によって抽出された前記適合レシピに対して書き換えを実行することを特徴とする基板処理装置。
4. 基板処理装置にて基板に所定の処理を行う基板処理方法であって、
   前記基板処理装置にて実際に実行されている制御ソフトウェアに適合するシステム構成を示す実装構成情報を記憶部に格納する記憶工程と、
   前記基板処理装置にて実行されている制御ソフトウェアを更新するのに必要な前提構成情報と前記記憶部に格納されている前記実装構成情報とが一致するか否かを判定する判定工程と、
   前記前提構成情報と前記実装構成情報とが一致する場合に制御ソフトウェアを更新する更新工程と、
   を備えることを特徴とする基板処理方法。
5. 請求項４記載の基板処理方法において、
   前記前提構成情報と前記実装構成情報とが一致しない場合に制御ソフトウェアの更新を禁止するとともに警告を発報する発報工程をさらに備えることを特徴とする基板処理方法。
6. 基板処理装置にて処理条件を規定したレシピを用いて基板に所定の処理を行う基板処理方法であって、
   前記基板処理装置にて使用されている複数の設定レシピを記憶部に格納する記憶工程と、
   レシピを書き換える際の前提条件を含む適合レシピを前記記憶部に格納されている前記複数の設定レシピから抽出する抽出工程と、
   前記抽出工程にて抽出された前記適合レシピに対して書き換えを実行する書換工程と、
   を備えることを特徴とする基板処理方法。

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