JP2021124666A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表示品位の向上が可能な表示装置を提供する。【解決手段】 本実施形態の表示装置は、第１基板と、第１基板と向かい合う第２基板と、第１基板と第２基板との間に設けられた液晶層と、を備えている。第１基板は、第１金属材料により形成され、第１方向に沿って隣り合う第１信号線及び第２信号線と、第２金属材料により形成され、第１方向と交差する第２方向に沿って隣り合う第１走査線及び第２走査線と、第１信号線及び第１走査線と電気的に接続された半導体層と、半導体層と接触した第１透明電極と、第１透明電極まで貫通したコンタクトホールを有する有機絶縁層と、コンタクトホールを通じて第１透明電極と接触した第２透明電極と、を備えている。第１透明電極は、平面視で、第１信号線、第２信号線、第１走査線、及び第２走査線によって囲まれた画素領域の中央に位置している。コンタクトホールは、第１金属材料及び前記第２金属材料に重ならない。【選択図】 図４

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

一般に、液晶表示装置は、液晶層に電圧を印加するための画素電極及び共通電極と、画素電極と接続されるスイッチング素子とを備えている。画素電極とスイッチング素子とは、コンタクトホールを通じて接続される。コンタクトホール近傍では液晶層の制御が困難となるため、コンタクトホールが設けられた領域は、表示に寄与しない領域となる。したがって、コンタクトホールは、画素の境界近傍に設けられる場合が多い。また、コンタクトホールと重ねて配置される画素電極は、隣り合う画素電極と電気的に絶縁する必要があるため、互いに離間して配置される。

近年、表示装置の高精細化が進められている。例えばVirtual Reality（ＶＲ）ビュアーとして用いられる表示装置では、２０００ｐｐｉ以上の画素数が求められる。このような液晶表示装置において、画素面積の縮小に伴い、コンタクトホールが形成された領域や、隣り合う画素電極の間隙などが無視できない大きさになっている。また、画素面積の縮小により、画素電極と共通電極との間で液晶層の配向を保持するのに十分な容量を形成することが困難となっている。

特開２０１０−１８１８７４号公報

本実施形態の目的は、表示品位を向上することが可能な表示装置を提供することにある。

本実施形態の表示装置は、第１基板と、第１基板と向かい合う第２基板と、第１基板と第２基板との間に設けられた液晶層と、を備えている。第１基板は、第１金属材料により形成され、第１方向に沿って隣り合う第１信号線及び第２信号線と、第２金属材料により形成され、第１方向と交差する第２方向に沿って隣り合う第１走査線及び第２走査線と、第１信号線及び第１走査線と電気的に接続された半導体層と、半導体層と接触した第１透明電極と、第１透明電極まで貫通したコンタクトホールを有する有機絶縁層と、コンタクトホールを通じて第１透明電極と接触した第２透明電極と、を備えている。第１透明電極は、平面視で、第１信号線、第２信号線、第１走査線、及び第２走査線によって囲まれた画素領域の中央に位置している。コンタクトホールは、第１金属材料及び前記第２金属材料に重ならない。

本実施形態の表示装置は、半導体層と、半導体層と接触した第１透明電極と、第１透明電極と接触した第２透明電極と、第１透明電極及び第２透明電極と重なる第３透明電極と、を備えている。第１透明電極は、第１領域と、４つの第２領域とを有している。第１領域において、第１透明電極は、第２透明電極と重なり第３透明電極と重なっていない。第２領域において、第１透明電極は、第２透明電極及び前記第３透明電極と重なっている。４つの第２領域は、互いに離間している。

本実施形態の表示装置は、半導体層と、半導体層と接触した第１透明電極と、第１透明電極と接触した第２透明電極と、第１透明電極及び第２透明電極と重なる第３透明電極と、を備えている。第３透明電極は、開口を有している。第１透明電極の外周と、開口のエッジとは、８点で交差している。

図１は、本実施形態に係る表示装置の外観の一例を示す平面図である。 図２は、図１に示す第１基板の一例を概略的に示す斜視図である。 図３は、図２に示す画素領域の一例を概略的に示す平面図である。 図４は、画素領域における第１基板の構成例を示す平面図である。 図５は、図４に示す第１透明電極、第２透明電極、及び開口を拡大して示す平面図である。 図６は、開口を拡大して示す平面図である。 図７は、図３に示すＶＩＩ−ＶＩＩ’線に沿った断面図である。 図８は、図４に示すＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ’線に沿った断面図である。 図９は、図８に示すフリンジ電界によって形成される液晶ドメインの一例を示す平面図である。 図１０は、カラーフィルタの配置例を概略的に示す平面図である。 図１１Ａは、コンタクトホールの形成に関する工程の一例を概略的に示す断面図である。 図１１Ｂは、図１１Ａに続く工程を概略的に示す断面図である。 図１１Ｃは、図１１Ｂに続く工程を概略的に示す断面図である。 図１１Ｄは、図１１Ｃに続く工程を概略的に示す断面図である。 図１２Ａは、液晶層の形成に関する工程の一例を概略的に示す図である。 図１２Ｂは、図１２Ａに続く工程を概略的に示す断面図である。 図１３は、比較例の画素領域を概略的に示す平面図である。 図１４は、比較例における第１透明電極を概略的に示す平面図である。 図１５は、図１３に示すＸＶ−ＸＶ’線に沿った断面図である。 図１６は、本実施形態の第１変形例を示す平面図である。 図１７は、図１６に示すＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ’線に沿った断面図である。 図１８は、図１７に示す絶縁層の形成に関する工程の一例を示す断面図である。 図１９は、本実施形態の第２変形例を示す平面図である。 図２０は、本実施形態の第３変形例を示す平面図である。 図２１は、第３変形例におけるカラーフィルタの配置例を概略的に示す平面図である。

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

本実施形態において、表示装置の一例として、透過型の液晶表示装置を開示する。この液晶表示装置は、例えば、Virtual Reality（ＶＲ）ビュアー、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、ノートブックタイプのパーソナルコンピュータ、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。

図１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの外観の一例を示す平面図である。図に示す第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当する。第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。本明細書において、第３方向Ｚを示す矢印の先端側に表示装置ＤＳＰを観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ−Ｙ平面に向かって見ることを平面視という。

表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、照明装置（バックライト）ＢＬと、偏光板ＰＬ２と、を備えている。照明装置ＢＬ、表示パネルＰＮＬ、及び、偏光板ＰＬ２は、この順で第３方向Ｚに積層されている。

表示パネルＰＮＬは、アクティブマトリクス型の液晶表示パネルである。表示パネルＰＮＬは、一例では、第２方向Ｙに長い略長方形状に形成されている。表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵ１と、第２基板ＳＵ２と、を備えている。第１基板ＳＵ１は、第２基板ＳＵ２よりも延出した領域に、接続部ＣＮを有している。接続部ＣＮは、フレキシブルプリント回路基板やＩＣチップなどの信号供給源を接続するための端子を含んでいる。

照明装置ＢＬは、第１基板ＳＵ１と対向する導光板、導光板の側面に配置された光源、導光板と表示パネルＰＮＬの間に配置された各種光学シートなどを備えている。光学シートは、例えばプリズムシート、拡散シート等である。光源は、例えば青色発光ダイオードに蛍光体を積層した構造を有しており、白色光を導光板に照射する。ただし、光源の構成はこの例に限定されない。

図２は、図１に示す第１基板ＳＵ１の一例を概略的に示す斜視図である。第１基板ＳＵ１は、画像を表示する表示部ＤＡにおいて、複数の画素領域ＰＸを備えている。画素領域ＰＸは、映像信号に対して個別に制御できる最小単位である。図示した例では、画素領域ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに沿ってマトリクス状に配置されている。また、第１基板ＳＵ１は、表示部ＤＡの外側において、一対の制御回路ＰＣを備えている。制御回路ＰＣは、接続部ＣＮを介して外部から入力された制御信号に基づいて、画素領域ＰＸにおける表示を制御する。なお、制御回路ＰＣは、例えば、接続部ＣＮに接続されるフレキシブルプリント回路基板に設けられていてもよい。

図３は、図２に示す画素領域ＰＸの一例を概略的に示す平面図である。第１基板ＳＵ１は、複数の信号線Ｓ（Ｓ１、Ｓ２）と、複数の走査線Ｇ（Ｇ１、Ｇ２）と、半導体層ＯＳと、第１透明電極ＩＴ１と、を備えている。信号線Ｓ１は、一例では、第２方向Ｙに沿って延出し、第１方向Ｘに沿って並んでいる。走査線Ｇは、一例では、第１方向Ｘに沿って延出し、第２方向Ｙに沿って並んでいる。本明細書において、画素領域ＰＸとは、表示に寄与する領域、すなわち照明装置ＢＬから出射された光を透過することが可能な領域であり、隣り合う信号線Ｓと隣り合う走査線Ｇとによって囲まれた領域に相当する。

画素領域ＰＸは、第１方向Ｘに沿った幅Ｗｘと第２方向Ｙに沿った幅Ｗｙとを有している。幅Ｗｘは、一例では、幅Ｗｙよりも小さい。幅Ｗｘと幅Ｗｙとの比Ｗｘ：Ｗｙは、一例では、３：４である。高解像度が求められる場合、表示パネルＰＮＬが有する画素領域ＰＸの密度は、例えば１０００ｐｐｉ以上であることが好ましく、２０００ｐｐｉ以上であることがより好ましい。画素領域ＰＸの密度が例えば２０００ｐｐｉである場合、幅Ｗｘは、例えば６．３μｍである。

半導体層ＯＳは、スイッチング素子ＳＷとしての薄膜トランジスタを構成している。半導体層ＯＳは、例えば、透明な酸化物半導体によって形成されている。半導体層ＯＳの一端側は、コンタクトホールＣＨ１を通じて信号線Ｓ１と接続されている。半導体層ＯＳの他端側は、コンタクトホールＣＨ２を通じて第１透明電極ＩＴ１と接続されている。図示した例では、半導体層ＯＳは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに対し斜め方向に屈曲しており、走査線Ｇ１と交差している。走査線Ｇ１のうち、半導体層ＯＳと重なる部分は、スイッチング素子ＳＷのゲート電極ＧＥとして機能する。

２０００ｐｐｉのような高精細化された画素領域ＰＸである場合、半導体層をコンタクトホールＣＨ１からコンタクトホールＣＨ２にかけてＬ字形状に形成するには画素領域ＰＸが小さい。このため、第２方向Ｙに沿って隣り合う半導体層同士がショート（あるいは接触）してしまう可能性がある。

一方、本実施形態における半導体層ＯＳは、コンタクトホールＣＨ２に向けて第２方向Ｙに対して斜め方向に屈曲させ延出させている。したがって、第２方向Ｙに沿って隣り合う画素領域ＰＸの半導体層ＯＳと近接するという不具合を避けることができる。

第１透明電極ＩＴ１は、画素領域ＰＸ内に位置している。換言すると、第１透明電極ＩＴ１は、信号線Ｓ１、信号線Ｓ２、走査線Ｇ１、及び走査線Ｇ２のいずれとも重なっていない。図示した例では、第１透明電極ＩＴ１は、第１方向Ｘに長い略長方形状であり、４つの角部が曲線状に形成されている。

本実施形態において、第１透明電極ＩＴ１は、画素領域ＰＸのほぼ中央に位置している。ここで、中央とは、第１透明電極ＩＴ１と信号線Ｓ１及びＳ２との距離Ｄ１及びＤ２が互いに等しく、且つ、第１透明電極ＩＴ１と走査線Ｇ１及びＧ２との距離Ｄ３及びＤ４が互いに等しいこという。距離Ｄ１及びＤ２は、第１方向Ｘに沿った距離であり、距離Ｄ３及びＤ４は、第２方向Ｙに沿った距離である。なお、距離Ｄ１と距離Ｄ２、及び距離Ｄ３と距離Ｄ４とは、それぞれ製造工程における精度の範囲内で等しければよく、「等しい」とは製造後における完全一致を意味するものではなく、製造工程における精度のズレを許容する範囲である。精度の範囲内は例えば±０．５μｍとする。

また、第１基板ＳＵ１は、信号線Ｓ及び走査線Ｇと重なる壁構造ＷＬを有している。すなわち、壁構造ＷＬは、平面視で格子状に設けられている。このような壁構造ＷＬは、一例では、第１基板ＳＵ１と第２基板ＳＵ２との間隔を保持するスペーサと機能するものであってもよい。信号線Ｓに沿って延出した壁構造ＷＬは、信号線Ｓの幅よりも若干大きい幅を有し、図示した例では、信号線Ｓのすべてと重なっている。走査線Ｇに沿って延出した壁構造ＷＬは、走査線Ｇの幅よりも若干大きい幅を有し、図示した例では、走査線Ｇのすべてと重なっている。

図４は、画素領域ＰＸにおける第１基板ＳＵ１の構成例を示す平面図である。第１基板ＳＵ１は、信号線Ｓ１及びＳ２、走査線Ｇ１及びＧ２、半導体層ＯＳ、第１透明電極ＩＴ１、に加え、第２透明電極ＩＴ２と第３透明電極ＩＴ３とを備えている。

第２透明電極ＩＴ２は、画素領域ＰＸよりもわずかに大きい面積を有し、画素領域ＰＸのすべてと重なっている。すなわち、第２透明電極ＩＴ２の外周ＯＥ２は、信号線Ｓ１、信号線Ｓ２、走査線Ｇ１、及び走査線Ｇ２と重なっている。第２透明電極ＩＴ２は、コンタクトホールＣＨ３を通じて第１透明電極ＩＴ１と接続されている。コンタクトホールＣＨ３は、画素領域ＰＸのほぼ中央に位置している。換言すると、コンタクトホールＣＨ３は、第２透明電極ＩＴ２の中央に位置している。ここで、コンタクトホールＣＨ３が画素領域ＰＸのほぼ中央に位置している、の「ほぼ中央」とは、上述の通り、製造工程のズレを許容するものである。

第３透明電極ＩＴ３は、第１基板ＳＵ１の全体に亘って形成されている。第３透明電極ＩＴ３は、コンタクトホールＣＨ３と重なる開口ＯＰを有している。開口ＯＰは、画素領域ＰＸ内に位置し、信号線Ｓ１、信号線Ｓ２、走査線Ｇ１、及び走査線Ｇ２のいずれとも重なっていない。本実施形態において、開口ＯＰは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに関して対称な形状であり、図示した例では、略十字型である。

図５は、図４に示す第１透明電極ＩＴ１、第２透明電極ＩＴ２、及び第３透明電極ＩＴ３の開口ＯＰを拡大して示す平面図である。図において、第１透明電極ＩＴ１と第２透明電極ＩＴ２とが重なる領域は、右上がりの斜線を付して示し、第２透明電極ＩＴ２と第３透明電極ＩＴ３とが重なる領域は、右下がりの斜線を付して示し、第１透明電極ＩＴ１、第２透明電極ＩＴ２、及び第３透明電極ＩＴ３が重なる領域は、右上がりの斜線と右下がりの斜線の双方を付して示している。

第１透明電極ＩＴ１と開口ＯＰとは、いずれも第２透明電極ＩＴ２が設けられた領域内に位置している。すなわち、第１透明電極ＩＴ１と開口ＯＰとは、平面視で、第２透明電極ＩＴ２の外周ＯＥ２によって囲まれている。

第１透明電極ＩＴ１と開口ＯＰとは、部分的に重なっている。第１透明電極ＩＴ１は、開口ＯＰと重なる１つの第１領域Ａ１と、開口ＯＰと重ならない４つの第２領域Ａ２とを有している。換言すると、第１領域Ａ１において、第１透明電極ＩＴ１は、第２透明電極ＩＴ２と重なっているが、第３透明電極ＩＴ３とは重なっていない。第２領域Ａ２において、第１透明電極ＩＴ１は、第２透明電極ＩＴ２と第３透明電極ＩＴ３の双方と重なっている。図において、第１領域Ａ１は、右上がりの斜線を付した領域に相当し、コンタクトホールＣＨ３を含む。第２領域Ａ２は、右上がりの斜線と右下がりの斜線の双方を付した領域に相当し、互いに離間している。

上記の構成は、第１透明電極ＩＴ１の外周ＯＥ１と、開口ＯＰを規定する第３透明電極ＩＴ３のエッジ（以下、開口ＯＰのエッジと称す）Ｅ３との関係から、以下のように説明することができる。すなわち、第１透明電極ＩＴ１の外周ＯＥ１と開口ＯＰのエッジＥ３は、８つの点Ｐにおいて交差している。

第２透明電極ＩＴ２は、第１透明電極ＩＴ１よりも外側の領域において、開口ＯＰと重なる４つの第３領域Ａ３と、開口ＯＰと重ならない１つの第４領域Ａ４とを有している。換言すると、第３領域Ａ３において、第２透明電極ＩＴ２は、第１透明電極ＩＴ１及び第３透明電極ＩＴ３のいずれとも重なっていない。第４領域Ａ４において、第２透明電極ＩＴ２は、第３透明電極ＩＴ３と重なっているが、第１透明電極ＩＴ１と重なっていない。図において、第３領域Ａ３は、斜線の付されていない領域に相当し、互いに離間するとともに第１領域Ａ１とそれぞれ隣接している。第４領域Ａ４は、右下がりの斜線を付した領域に相当し、第１領域Ａ１、第２領域Ａ２、及び第３領域Ａ３を囲んでいる。

図６は、開口ＯＰを拡大して示す平面図である。本実施形態において、開口ＯＰのコンタクトホールＣＨ３に近接する側の幅は、開口ＯＰのコンタクトホールＣＨ３から離間する側の幅よりも大きい。

例えば、第１領域Ａ１と第２方向Ｙに隣接した第３領域Ａ３１は、第１方向Ｘに沿った幅Ｗ３１を有している。第３領域Ａ３１とコンタクトホールＣＨ３との間において、第１領域Ａ１は、第１方向Ｘに沿った幅Ｗ１１を有している。幅Ｗ１１は、幅Ｗ３１よりも大きい。換言すると、第３透明電極ＩＴ３の向かい合う２つの辺ＳＯ１１及びＳＯ１２は、互いに交差する方向に沿って延出し、且つ、配向処理方向ＡＤに対して傾いて延出している。ここで、辺ＳＯ１１及びＳＯ１２は、第３領域Ａ３１から第１領域Ａ１に亘って延出した辺であり、開口ＯＰのエッジＥ３の一部である。

また、第１領域Ａ１と第１方向Ｘに隣接した第３領域Ａ３２は、第２方向Ｙに沿った幅Ｗ３２を有している。第３領域Ａ３２とコンタクトホールＣＨ３との間において、第１領域Ａ１は、第２方向Ｙに沿った幅Ｗ１２を有している。幅Ｗ１２は、幅Ｗ３２よりも大きい。換言すると、第３透明電極ＩＴ３の向かい合う２つの辺ＳＯ２１及びＳＯ２２は、互いに交差する方向に沿って延出し、且つ、配向処理方向ＡＤに対して傾いて延出している。ここで、辺ＳＯ２１及びＳＯ２２は、第３領域Ａ３２から第１領域Ａ１に亘って延出した辺であり、開口ＯＰのエッジＥ３の一部である。

図７は、図３に示すＶＩＩ−ＶＩＩ’線に沿った断面図である。なお、本明細書において、第１基板ＳＵ１から第２基板ＳＵ２に向かう方向を「上側」（あるいは、単に上）と称し、第２基板ＳＵ２から第１基板ＳＵ１に向かう方向を「下側」（あるいは、単に下）と称する。「第１部材の上の第２部材」及び「第１部材の下の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよいし、第１部材から離間していてもよい。

表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵ１、第２基板ＳＵ２、及び、偏光板ＰＬ２に加え、液晶層ＬＣ、及び偏光板ＰＬ１を備えている。

第１基板ＳＵ１は、半導体層ＯＳ、信号線Ｓ１、走査線Ｇ１、第１透明電極ＩＴ１、第２透明電極ＩＴ２、第３透明電極ＩＴ３、及び壁構造ＷＬに加え、絶縁基板１０、絶縁層１１、１２、１３、１４、１５、及び１６、カラーフィルタ層ＣＦ、配向膜ＡＬ１、などを備えている。

絶縁基板１０は、ガラスや樹脂などの絶縁材料からなる透明基板である。絶縁層１１は、絶縁基板１０の第２基板ＳＵ２と対向する面を覆っている。絶縁層１２は、絶縁層１１を覆っている。半導体層ＯＳは、絶縁層１２の上に形成され、絶縁層１３によって覆われている。走査線Ｇ１は、絶縁層１３の上に形成され、絶縁層１４によって覆われている。絶縁層１１、１２、１３、及び１４は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁材料により形成されている。走査線Ｇ１は、第２金属材料によって形成される。第２金属材料は、アルミニウム、チタン、銀、モリブデン、タングステン、銅、クロムなどの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。

信号線Ｓ１と第１透明電極ＩＴ１とは、絶縁層１４の上に形成されている。信号線Ｓ１は、絶縁層１４及び１３を半導体層ＯＳまで貫通したコンタクトホールＣＨ１を通じて、半導体層ＯＳと接している。第１透明電極ＩＴ１は、絶縁層１４及び１３を半導体層ＯＳまで貫通したコンタクトホールＣＨ２を通じて、半導体層ＯＳと接している。信号線Ｓ１を形成する材料は、第１金属材料である。第１金属材料は、上記の金属材料が適用可能であり、第２金属材料と同じであっても異なる金属材料であってもよい。第１透明電極ＩＴ１は、例えばインジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）等の透明な導電材料によって形成されている。信号線Ｓ１及び第１透明電極ＩＴ１は、カラーフィルタ層ＣＦによって覆われている。

カラーフィルタ層ＣＦは、着色された樹脂によって形成されている。カラーフィルタ層ＣＦは、一例では、赤色のカラーフィルタＣＦＲ、緑色のカラーフィルタＣＦＧ、及び青色のカラーフィルタＣＦＢ、を含む。カラーフィルタ層ＣＦは、透明な有機絶縁材料からなる絶縁層（平坦化層）１５によって覆われている。なお、カラーフィルタ層ＣＦ及び絶縁層１５を有機絶縁層と称する場合もある。

壁構造ＷＬは、絶縁層１５の上に形成されている。壁構造ＷＬは、例えばポリイミド等の有機絶縁材料によって形成されている。壁構造ＷＬは、傾斜した側面ＷＳを有している。第２透明電極ＩＴ２は、側面ＷＳを覆うとともに、絶縁層１５の上にも形成されている。また、第２透明電極ＩＴ２は、有機絶縁層（すなわち絶縁層１５及びカラーフィルタ層ＣＦ）を第１透明電極ＩＴ１まで貫通したコンタクトホールＣＨ３を通じて、第１透明電極ＩＴ１と接している。絶縁層１６は、壁構造ＷＬ及び第２透明電極ＩＴ２を覆っている。第３透明電極ＩＴ３は、コンタクトホールＣＨ３の周辺を除き、絶縁層１６の上のほぼ全体に形成されている。第３透明電極ＩＴ３は、配向膜ＡＬ１によって覆われている。

絶縁層１６は、例えば窒化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁材料により形成されている。なお、絶縁層１６を無機絶縁層と称する場合もある。第２透明電極ＩＴ２及び第３透明電極ＩＴ３は、第１透明電極ＩＴ１と同様、例えばＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電材料によって形成されている。壁構造ＷＬの側面ＷＳにおいて、第２透明電極ＩＴ２と第３透明電極ＩＴ３とは、絶縁層１６を介して対向している。すなわち、第２透明電極ＩＴ２、絶縁層１６、及び第３透明電極ＩＴ３は、この順で側面ＷＳに重なっている。第２透明電極ＩＴ２と第３透明電極ＩＴ３との間には、液晶層ＬＣの配向状態を保持するための容量が形成される。

また、第１透明電極ＩＴ１及び第２透明電極ＩＴ２は、透明な導電材料によって形成されているため、コンタクトホールＣＨ２及びコンタクトホールＣＨ３が形成された領域は、信号線Ｓや走査線Ｇなどの金属材料によって遮光されていない領域となる。ここで、コンタクトホールが形成された領域とは、コンタクトホールを通じて２つの導電性材料、又は導電性材料と半導体層とが接触している領域に相当する。つまり、コンタクトホールＣＨ２において半導体層ＯＳと第１透明電極ＩＴ１とが接している領域は、信号線Ｓ及び走査線Ｇ形成する第１金属材料及び第２金属材料と重なっていない。また、コンタクトホールＣＨ３において第１透明電極ＩＴ１と第２透明電極ＩＴ２とが接している領域は、信号線Ｓ及び走査線Ｇを形成する第１金属材料及び第２金属材料と重なっていない。

第２基板ＳＵ２は、絶縁基板２０、配向膜ＡＬ２、などを備えている。絶縁基板２０は、ガラスや樹脂などの絶縁材料からなる透明基板である。配向膜ＡＬ２は、絶縁基板２０の第１基板ＳＵ１と対向する面を覆っている。また、本実施例においては、多くの液晶表示装置に用いられるような絶縁基板２０に設けられたブラックマトリクス層（遮光層）が存在しない。つまり、コンタクトホールＣＨ２及びコンタクトホールＣＨ３はブラックマトリクスなどの遮光体によって遮光されるものではない。

液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵ１と第２基板ＳＵ２との間に位置し、配向膜ＡＬ１と配向膜ＡＬ２との間に保持されている。配向膜ＡＬ１及びＡＬ２の配向処理方向ＡＤは、一例では、第２方向Ｙと平行である。

偏光板ＰＬ１は、絶縁基板１０の外面、すなわち第２基板ＳＵ２と対向する面と反対側の面に設けられている。偏光板ＰＬ２は、絶縁基板２０の外面、すなわち第１基板ＳＵ１と対向する面と反対側の面に設けられている。偏光板ＰＬ１の吸収軸及び偏光板ＰＬ２の吸収軸の一方は、配向処理方向ＡＤと平行であり、他方は、配向処理方向ＡＤと垂直である。このような構成において、表示装置ＤＳＰは、第２透明電極ＩＴ２と第３透明電極ＩＴ３との間に電圧が印加されていない場合に光の透過率が小さい暗表示状態となり、第２透明電極ＩＴ２と第３透明電極ＩＴ３との間に電圧が印加された場合に光の透過率が大きい表示状態となる。

本実施形態において、壁構造ＷＬが設けられた領域において、第１基板ＳＵ１と第２基板ＳＵ２とは、互いに接している。すなわち、壁構造ＷＬが設けられた領域において、配向膜ＡＬ１と配向膜ＡＬ２とは、互いに接している。なお、図示は省略するが、信号線Ｓに沿って設けられた壁構造ＷＬの高さと走査線Ｇに沿って設けられた壁構造ＷＬの高さとは、互いに異なっていてもよい。この場合、信号線Ｓ及び走査線Ｇのいずれか一方と重なる領域において第１基板ＳＵ１と第２基板ＳＵ２とが接し、他方が設けられた領域において第１基板ＳＵ１と第２基板ＳＵ２との間に液晶層ＬＣが介在する。

図８は、図４に示すＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ’線に沿った断面図である。第２透明電極ＩＴ２と第３透明電極ＩＴ３との間に電圧が印加された場合、第３透明電極ＩＴ３が有する開口ＯＰのエッジＥ３の近傍において、フリンジ電界が形成される。図において、フリンジ電界の一例を破線で示している。液晶層ＬＣが含む液晶分子は、一例では、長軸（分子軸）方向の誘電率が短軸方向の誘電率よりも大きい、正の誘電率異方性を有する液晶分子である。電圧印加時においては、当該フリンジ電界の方向に対して液晶分子の長軸が平行となるように、液晶分子を回転させる力が働く。なお、液晶分子は、負の誘電率異方性を有していてもよい。この場合、液晶分子の応答速度は低いが、より高い光の透過率が実現される。

図９は、図８に示すフリンジ電界によって形成される液晶ドメインの一例を示す平面図である。図において、液晶分子の長軸方向を矢印で示している。上述したように、配向膜ＡＬ１及びＡＬ２の配向処理方向ＡＤは、第２方向Ｙと平行である。壁構造（例えば信号線Ｓと重なる壁構造）ＷＬの近傍では、配向膜ＡＬ１のアンカリング力によって、液晶分子の長軸方向は、配向処理方向ＡＤに維持される。一方、壁構造ＷＬとフリンジ電界との間では、スプレイ変形を主とした液晶分子の配向変化が生じる。より具体的には、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙと平行な平面内において、液晶分子のスプレイ変形が生じる。スプレイ変形に対応する弾性係数は、ツイスト変形やベンド変形に対応する弾性係数よりも大きい。したがって、スプレイ変形を主とした配向変化を生じさせることで、より良好な表示パネルＰＮＬの応答特性が得られる。なお、第３方向Ｚにおいては、液晶分子のねじれ配向が生じている。

図示した例では、４つの液晶ドメインが形成されている。隣り合う液晶ドメインにおいて、互いに逆方向のねじれ配向が生じている。例えば、図において、画素領域ＰＸの右上と左下の領域において同一のねじれ配向が生じ、画素領域ＰＸの左上と右下の領域において、画素領域ＰＸの右上と左下の領域とは反対方向のねじれ配向が生じている。また、図において斜線を付して示すように、画素領域ＰＸの中央部において、互いに反対方向の液晶変化が拮抗することで暗線領域ＤＲが形成される。図示した例では、暗線領域ＤＲは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに関して対称に分布し、コンタクトホールＣＨ３のすべてと重なっている。暗線領域ＤＲでは、液晶分子の配向方向は、配向処理方向ＡＤからほとんど変化しない。このため、照明装置ＢＬから出射された光は、暗線領域ＤＲをほとんど透過しない。

図１０は、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、及びＣＦＢの配置例を概略的に示す平面図である。カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、及びＣＦＢは、それぞれ第１方向Ｘ及び第２方向Ｙと交差する対角方向に並んでいる。換言すると、第１方向Ｘにおいて、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、及びＣＦＢがこの順で並び、第２方向Ｙおいて、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＢ、及びＣＦＧがこの順で並んでいる。このような配置では、異なる色のカラーフィルタが第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにおいて分散されるために、表示むらが認識されにくくなる。異なる色のカラーフィルタの境界は、走査線Ｇおよび信号線Ｓと重なっている。

次に、図１１Ａ乃至図１２Ｂを参照して、表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。図１１Ａ乃至１１Ｄは、表示装置ＤＳＰの製造工程のうち、コンタクトホールＣＨ３の形成に関する工程を概略的に示している。図１１Ａ乃至１１Ｄは、図１０に示すＸＩ−ＸＩ’線に沿った第１基板ＳＵ１の一部の断面図に相当する。

まず、図１１Ａに示すように、絶縁層１４、信号線Ｓ、及び第１透明電極ＩＴ１の上に、カラーフィルタ層ＣＦを形成する。各カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、及びＣＦＢは、一例では、顔料が混合されたシラキサン系の樹脂からなり、ウェットエッチングによりパターニングされる。カラーフィルタＣＦＧ、カラーフィルタＣＦＲ、及びカラーフィルタＣＦＢは、例えばこの順で形成されるが、この例に限定されない。

次に、図１１Ｂに示すように、シラキサン系の樹脂からなる透明な絶縁層１５が形成される。次いで、絶縁層１５の上に、壁構造ＷＬが形成される。壁構造ＷＬは、例えば感光性を有するポリイミド等の有機絶縁材料からなり、フォトリソグラフィによってパターニングされる。

次に、図１１Ｃに示すように、壁構造ＷＬ及び絶縁層１５の上にフォトレジストＰＲが塗布され、フォトリソグラフィによって第１透明電極ＩＴ１と重なる位置に開口ＯＰＲが形成される。次いで、このフォトレジストＰＲをマスクとして、ドライエッチングが施される。エッチングガスは、例えばＣＦ_４とＯ_２とが混合されたフッ素系ガスであり、プラズマ化される。図において矢印で示すように、エッチングガスは、電界によって加速され、フォトレジストＰＲの上から照射される。

これにより、図１１Ｄに示すように、絶縁層１５及びカラーフィルタ層ＣＦを第１透明電極ＩＴ１まで貫通するコンタクトホールＣＨ３が形成される。その後、フォトレジストＰＲが除去され、コンタクトホールＣＨ３を備える第１基板ＳＵ１が得られる。なお、ドライエッチングにおいてカラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、及びＣＦＢに含まれる顔料が残渣となる場合があるが、酸素アッシングあるいは有機溶剤を用いた洗浄により、当該残渣を除去してもよい。

図１２Ａ及び１２Ｂは、表示装置ＤＳＰの製造工程のうち、液晶層ＬＣの形成に関する工程を示す図である。まず、図１２Ａに示すように、配向膜ＡＬ２によって覆われた第２基板ＳＵ２の内面に、枠上のシール材ＳＥが塗布される。次いで、シール材ＳＥによって囲まれた領域内に液晶ＤＬが滴下される。その後、図１２Ｂに示すように、第２基板ＳＵ２を第１基板ＳＵ１に貼り合わせることで、第１基板ＳＵ１と第２基板ＳＵ２との間の全体に亘って液晶層ＬＣが形成される。

次に、図１３乃至図１５を参照して、本実施形態の比較例について説明する。
図１３は、比較例の画素領域ＰＸを概略的に示す平面図である。図１３に示す比較例は、コンタクトホールＣＨ３が画素領域ＰＸの外側に設けられている点で、本実施形態と相違している。コンタクトホールＣＨ３は、一例では、走査線Ｇ１と重なっている。また、図１３は、走査線Ｇ２と重なるコンタクトホールＣＨ３ａ、及びコンタクトホールＣＨ３ａと重なる第２透明電極ＩＴ２ａを示している。

第２透明電極ＩＴ２は、コンタクトホールＣＨ３と重なるとともに、走査線Ｇ１を超えて第２方向Ｙに隣り合う画素領域ＰＸまで延在している。一方、第２透明電極ＩＴ２は、走査線Ｇ２とは重なっていない。これは、コンタクトホールＣＨ３ａと重なる第２透明電極ＩＴ２ａと電気的に絶縁するために、第２透明電極ＩＴ２は、第２透明電極ＩＴ２ａから離間されている必要があるためである。したがって、画素領域ＰＸには第２透明電極ＩＴ２に覆われない領域、すなわち第２透明電極ＩＴ２と第２透明電極ＩＴ２ａとの間隙が生じる。

第３透明電極ＩＴ３は、第２透明電極ＩＴ２が設けられた領域内に開口ＯＰを有している。したがって、開口ＯＰは、走査線Ｇ１と重なるとともに、コンタクトホールＣＨ３とも部分的に重なっている。

図１４は、図１３に示す比較例における第１透明電極ＩＴ１を概略的に示す平面図である。本比較例において、第１透明電極ＩＴ１は、画素領域ＰＸの外側にも配置されている。すなわち、第１透明電極ＩＴ１は、コンタクトホールＣＨ３が設けられる領域まで延在し、走査線Ｇ１と重なっている。

また、壁構造ＷＬは、第２方向Ｙに沿って延出した帯状に形成されている。すなわち壁構造ＷＬは、コンタクトホールＣＨ３が設けられる領域には、配置されていない。より具体的には、壁構造ＷＬは、信号線Ｓ１及びＳ２と重なる領域に設けられ、信号線Ｓ１と信号線Ｓ２との間には設けられていない。

図１５は、図１３に示すＸＶ−ＸＶ’線に沿った断面図である。図示した例では、コンタクトホールＣＨ３が設けられた領域において、絶縁層１６と第３透明電極ＩＴ３との間に、絶縁層１７が設けられている。絶縁層１７は、一例では、ポリイミド等の有機絶縁材料であり、コンタクトホールＣＨ３及びＣＨ３ａを埋めている。第３透明電極ＩＴ３は、絶縁層１６の上に形成されるとともに、コンタクトホールＣＨ３及びＣＨ３ａが設けられた領域においては、絶縁層１７の上にも延在している。

以上のように、コンタクトホールＣＨ３を走査線Ｇ１と重ねて配置する比較例においては、隣り合う第２透明電極ＩＴ２と第２透明電極ＩＴ２ａとを電気的に絶縁させるために、画素領域ＰＸには、第２透明電極ＩＴ２が配置されない領域が生じる。第２透明電極ＩＴ２が配置されない領域では液晶層ＬＣに電圧が印加されにくく、液晶分子の配向方向は、配向処理方向ＡＤから変化しづらい。すなわち、画素領域ＰＸのうち第２透明電極ＩＴ２が配置されない領域は、照明装置ＢＬから出射された光がほとんど透過しない領域となる。この結果、画素領域ＰＸの実効的な面積（あるいは、表示パネルＰＮＬの実効的な開口率）が低下し、表示パネルＰＮＬの光の透過率が低下する。このような傾向は、画素領域ＰＸの面積が小さい高精細な表示パネルＰＮＬにおいて特に顕著である。

一方、本実施形態によれば、第１透明電極ＩＴ１と第２透明電極ＩＴ２とを接続するためのコンタクトホールＣＨ３は、画素領域ＰＸの中央に配置されている。このため、第２透明電極ＩＴ２を隣り合う画素領域ＰＸに延出させることなく、第２透明電極ＩＴ２とコンタクトホールＣＨ３とを重ねることができる。また、第２透明電極ＩＴ２の外周ＯＥ２は、画素領域ＰＸの境界である信号線Ｓ及び走査線Ｇと重なっている。すなわち、隣り合う第２透明電極ＩＴ２が互いに接触することなく、且つ、第２透明電極ＩＴ２が画素領域ＰＸの全体に亘って配置されている。この結果、画素領域ＰＸの全体を活用することができ、表示パネルＰＮＬの実効的な開口率を向上することができる。したがって、表示パネルＰＮＬの光の透過率を向上することができる。

また、コンタクトホールＣＨ３が画素領域ＰＸ内に位置しているため、信号線Ｓ及び走査線Ｇの双方と重なる領域にスペーサとして機能する壁構造ＷＬを形成することができる。また、壁構造ＷＬが格子状に設けられたことで、画素領域ＰＸの全周に亘って壁構造ＷＬの側面ＷＳが形成される。この結果、例えば壁構造ＷＬが信号線Ｓと重なる領域のみに形成された場合よりも、側面ＷＳに重なる第２透明電極ＩＴ２、絶縁層１６、及び第３透明電極ＩＴ３の面積を増大することができる。したがって、高精細化により画素領域ＰＸの面積が小さくなった場合であっても、電極と絶縁層との積層数を増やすことなく、十分な保持容量を確保することができる。

さらに、第３透明電極ＩＴ３は、画素領域ＰＸの中央に開口ＯＰを有している。開口ＯＰのエッジＥ３近傍に形成されるフリンジ電界と壁構造ＷＬの側面ＷＳにおけるアンカリング力とを利用することで、画素領域ＰＸに単一の第２透明電極ＩＴ２が配置された場合であっても、液晶層ＬＣにスプレイ変形を主とした配向変化を生じさせることができる。すなわち、画素領域ＰＸ内に複数の第２透明電極ＩＴ２を配置することなく、液晶分子のスプレイ変形を生じさせることができ、液晶分子の高速応答が実現される。

また、開口ＯＰの幅は、コンタクトホールＣＨ３に近接するにつれて大きくなっている。例えば、開口ＯＰのエッジＥ３を構成する辺ＳＯ１１と辺ＳＯ１２、及び辺ＳＯ２１と辺ＳＯ２２は、配向処理方向ＡＤに対して傾いている。このような構成によれば、フリンジ電界の方向が配向処理方向ＡＤに対して直角を除く角度で交わるために、辺ＳＯ１１、ＳＯ１２、ＳＯ２１、及びＳＯ２２の近傍に位置する液晶分子の回転方向を、概ね一意に定めることができる。したがって、液晶分子の配向安定性を確保することができる。

また、開口ＯＰが第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに関して対称な略十字型であるため、フリンジ電界によって形成される液晶ドメインも、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに関して対称に分布される。反対方向の液晶変化が拮抗することで生じる暗線領域ＤＲは、画素領域ＰＸのほぼ中央に向かって広がり、コンタクトホールＣＨ３の全体と重なっている。一般に、コンタクトホールの近傍では液晶分子の制御が困難となるため、色純度の低下が生じやすい。しかしながら、本実施形態によれば、暗線領域ＤＲがコンタクトホールＣＨ３を覆うため、遮光層を設けることなく、コンタクトホールＣＨ３による色純度の低下を抑制することができる。

次に、図１６乃至図２１を参照して、本実施形態の変形例について説明する。
図１６は、本実施形態の第１変形例を示す平面図である。第１変形例は、図において斜線を付して示すように、コンタクトホールＣＨ３が設けられた領域内に絶縁層１８が形成されている点で、図４に示す例と相違している。また、第３透明電極ＩＴ３の開口ＯＰのエッジＥ３は、部分的にコンタクトホールＣＨ３と重なっている。換言すると、第３透明電極ＩＴ３の一部は、絶縁層１８と重なっている。

図１７は、図１６に示すＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ’線に沿った断面図である。絶縁層１８は、コンタクトホールＣＨ３が形成された領域において、第１透明電極ＩＴ１と絶縁層１６との間に設けられている。絶縁層１８は、一例では、黒色に着色された有機絶縁層である。コンタクトホールＣＨ３が絶縁層１８によって埋められることで、絶縁層１６は、コンタクトホールＣＨ３の近傍であっても、ほぼ平坦に形成される。この結果、絶縁層１６の上に形成された第３透明電極ＩＴ３は、コンタクトホールＣＨ３と重なる領域まで延在している。

図１８は、図１７に示す絶縁層１８の形成に関する工程の一例を示す断面図である。図１８は、第２透明電極ＩＴ２が形成された後の様子を示している。

まず、顔料が混合されたポジ型のフォトレジストが第１基板ＳＵ１の全面に塗布される。顔料は、黒色顔料でもよく、赤色顔料、緑色顔料、及び青色顔料の混合物であってもよい。フォトレジストは、コンタクトホールＣＨ３内にも設けられる。

次いで、フォトレジストが露光される。このとき、図において矢印で示すように、コンタクトホールＣＨ３内には、光はほとんど到達しない。したがって、コンタクトホールＣＨ３内に設けられたフォトレジストは、感光されず、現像後にもコンタクトホールＣＨ３内に残留する。この結果、コンタクトホールＣＨ３を埋める絶縁層１８が形成される。

第１変形例においても、図４に示す例と同様の効果を得ることができる。さらに、第１変形例によれば、コンタクトホールＣＨ３が黒色の絶縁層１８によって埋められているため、色純度の低下をさらに抑制することができる。

また、コンタクトホールＣＨ３の近傍であっても絶縁層１６が平坦化されているため、絶縁層１６の上に形成された第３透明電極ＩＴ３のパターニングが容易になる。すなわち、コンタクトホールＣＨ３の近傍であっても、開口ＯＰを形成する際に第３透明電極ＩＴ３の上に塗布されるフォトレジストの膜厚が均一になる。この結果、エッジＥ３がコンタクトホールＣＨ３と重なるような開口ＯＰを形成することが可能になる。

図１９は、本実施形態の第２変形例を示す平面図である。第２変形例は、２つの暗線領域ＤＲ１及びＤＲ２が形成されている点で、図９に示す例と相違している。暗線領域ＤＲ１及びＤＲ２は、円弧状であり、図示した例では、画素領域ＰＸの左上と右下に出現している。このような暗線領域ＤＲ１及びＤＲ２は、液晶層ＬＣにカイラル剤を添加することで実現される。

すなわち、カイラル剤を添加することで、液晶分子の２つのねじれ配向のうち、一方向のねじれ配向が容易になり、当該ねじれ配向が生じる領域が拡大する。一方、反対方向のねじれ配向が生じる領域は、縮小する。この結果、図１９に示す暗線領域ＤＲ１及びＤＲ２が形成される。なお、第２変形例においても第１変形例と同様、コンタクトホールＣＨ３は、黒色に着色された絶縁層１８によって埋められている。したがって、コンタクトホールＣＨ３が暗線領域ＤＲ１及びＤＲ２によって覆われていない場合であっても、色純度の低下を防ぐことができる。

第２変形例においても、図９に示す例と同様の効果を得ることができる。さらに、第２変形例によれば、暗線領域ＤＲ１及びＤＲ２の面積を大幅に縮小することができる。この結果、表示パネルＰＮＬの光の透過率をさらに向上することができる。

図２０は、本実施形態の第３変形例を示す平面図である。第３変形例は、画素領域ＰＸの第１方向Ｘに沿った幅Ｗｘと第２方向Ｙに沿った幅Ｗｙとの比Ｗｘ：Ｗｙが１：３である点で、図４に示す例と相違している。

図２１は、第３変形例におけるカラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、及びＣＦＢの配置例を概略的に示す平面図である。第１方向Ｘにおいて、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、及びＣＦＢは、この順で並んでいる。一方、第２方向Ｙおいて、同色のカラーフィルタが並んでいる。すなわち、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＢ、及びＣＦＧは、それぞれ第２方向Ｙに沿って並んでいる。

第３変形例においても、第１透明電極ＩＴ１とコンタクトホールＣＨ３とは、画素領域ＰＸの中央に位置し、第２透明電極ＩＴ２は、画素領域ＰＸの全体と重なっている。また、第３透明電極ＩＴ３の開口ＯＰは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに関して対称な略十字型であり、画素領域ＰＸの中央に位置している。したがって、第３変形例においても、図４に示す例と同様の効果を得ることができる。

以上のように、本実施形態によれば、表示品位を向上することが可能な表示装置を提供することができる。

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

ＤＳＰ…表示装置、ＰＮＬ…表示パネル、Ｓ１，Ｓ２…信号線、Ｇ１，Ｇ２…走査線、ＰＸ…画素領域、ＯＳ…半導体層、ＩＴ１…第１透明電極、ＯＥ１…外周、ＩＴ２…第２透明電極、ＯＥ２…外周、ＩＴ３…第３透明電極、ＯＰ…開口、Ｅ３…エッジ、ＣＦ…カラーフィルタ層（有機絶縁層）、１５…絶縁層（有機絶縁層）、１６…絶縁層（無機絶縁層）、ＷＬ…壁構造、ＷＳ…側面。

Claims (19)

1. 第１基板と、
   前記第１基板と向かい合う第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層と、
   を備え、
   前記第１基板は、
   第１金属材料により形成され、第１方向に沿って隣り合う第１信号線及び第２信号線と、
   第２金属材料により形成され、前記第１方向と交差する第２方向に沿って隣り合う第１走査線及び第２走査線と、
   前記第１信号線及び前記第１走査線と電気的に接続された半導体層と、
   前記半導体層と接触した第１透明電極と、
   前記第１透明電極まで貫通したコンタクトホールを有する有機絶縁層と、
   前記コンタクトホールを通じて前記第１透明電極と接触した第２透明電極と、
   を備え、
   前記第１透明電極は、平面視で、前記第１信号線、前記第２信号線、前記第１走査線、及び前記第２走査線によって囲まれた画素領域の中央に位置し、
   前記コンタクトホールは、前記第１金属材料及び前記第２金属材料に重ならない、表示装置。
2. 前記コンタクトホールは、平面視で、前記画素領域の中央に位置している、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第２透明電極の外周は、前記第１信号線、前記第２信号線、前記第１走査線、及び前記第２走査線と重なっている、請求項１又は２に記載の表示装置。
4. 前記第１基板は、前記第２透明電極と重なる第３透明電極をさらに備え、
   前記第３透明電極は、前記画素領域内に位置する開口を有している、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置。
5. 前記第１透明電極は、前記第２透明電極と重なり前記第３透明電極と重ならない第１領域と、前記第２透明電極及び前記第３透明電極と重なる４つの第２領域と、を有し、
   前記第２領域は、互いに離間している、請求項４に記載の表示装置。
6. 前記第２透明電極は、前記第１透明電極及び前記第３透明電極の双方と重ならない４つの第３領域を有し、
   前記第３領域は、互いに離間し、前記第１領域とそれぞれ隣接している、請求項５に記載の表示装置。
7. 前記第１領域の幅は、前記第３領域の幅よりも大きい、請求項６に記載の表示装置。
8. 前記第１基板は、
   前記有機絶縁層の上に形成され、側面を有する壁構造と、
   前記第２透明電極と前記第３透明電極との間に位置する無機絶縁層と、
   をさらに備え、
   前記壁構造は、前記第１信号線、前記第２信号線、前記第１走査線、及び前記第２走査線と重なり、
   前記第２透明電極、前記無機絶縁層、及び前記第３透明電極は、前記側面に重なっている、請求項４乃至７のいずれか１項に表示装置。
9. 前記第１基板は、前記コンタクトホールと重なり、前記第２透明電極と前記無機絶縁層との間に設けられた樹脂層をさらに備える、請求項８に記載の表示装置。
10. 前記樹脂層は、黒色である、請求項９に記載の表示装置。
11. 前記第１基板は、前記壁構造が設けられた領域において、前記第２基板と接している、請求項８乃至１０のいずれか１項に記載の表示装置。
12. 前記第１透明電極と、前記第１信号線及び前記第２信号線とは、同層に形成されている、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の表示装置。
13. 前記有機絶縁層は、カラーフィルタと、前記カラーフィルタと覆う透明な平坦化層と、を含む、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の表示装置。
14. 前記半導体層は、酸化物半導体である、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の表示装置。
15. 前記液晶層は、カイラル剤を含む、請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の表示装置。
16. 半導体層と、
    前記半導体層と接触した第１透明電極と、
    前記第１透明電極と接触した第２透明電極と、
    前記第１透明電極及び前記第２透明電極と重なる第３透明電極と、
    を備え、
    前記第１透明電極は、前記第２透明電極と重なり前記第３透明電極と重ならない第１領域と、前記第２透明電極及び前記第３透明電極と重なる４つの第２領域と、を有し、
    前記第２領域は、互いに離間している、表示装置。
17. 前記第２透明電極は、前記第１透明電極及び前記第２透明電極の双方と重ならない４つの第３領域を有し、
    前記第３領域は、互いに離間し、前記第１領域とそれぞれ隣接している、請求項１６に記載の表示装置。
18. 前記第２透明電極は、前記第３透明電極と重なり前記第１透明電極と重ならない第４領域を有し、
    前記第４領域は、前記第１領域、前記第２領域、及び前記第３領域を囲んでいる、請求項１７に記載の表示装置。
19. 半導体層と、
    前記半導体層と接触した第１透明電極と、
    前記第１透明電極と接触した第２透明電極と、
    前記第１透明電極及び前記第２透明電極と重なる第３透明電極と、
    を備え、
    前記第３透明電極は、開口を有し、
    前記第１透明電極の外周と、前記開口のエッジとは、８点で交差している、表示装置。

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