JP2021118248A - 配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】配線基板の信頼性向上。【解決手段】実施形態の配線基板の製造方法は、金属箔を少なくとも１つの表面上に備える絶縁層を準備することと、金属箔の上にめっき膜を形成することと、めっき膜上に部分的にエッチングレジストを形成することと、エッチングレジストから露出するめっき膜を第１のエッチング処理で除去することによって金属箔の一部を露出させることと、エッチングレジストを除去することと、金属箔の露出する部分を第２のエッチング処理で除去することによって所定の導体パターンを含む導体層を形成することと、を含んでいる。エッチングレジストは第２のエッチング処理の前に除去される。【選択図】図１

Description

本発明は配線基板の製造方法に関する。

特許文献１には、絶縁層の上に無電解銅めっき層及び電解銅めっき層からなる銅めっき層が形成され、この銅めっき層に対して、エッチングレジストを用いたエッチングによってパターン加工が施される配線板の製造方法が開示されている。パターン加工によって銅めっき層の不要部分が除去され、残存する銅めっき層によって導体パターンが構成される。

特願２０００−３２３８１４号公報

特許文献１に開示の配線板の製造方法では、エッチングによる銅めっき層の除去によって露出する絶縁層の表面に、完全に除去されなかった銅めっき層、すなわち導体が残存することがある。絶縁層上の導体パターン間に残る導体は、導体パターン間の絶縁性を低下させることがある。

本発明の配線基板の製造方法は、金属箔を少なくとも１つの表面上に備える絶縁層を準備することと、前記金属箔の上にめっき膜を形成することと、前記めっき膜上に部分的にエッチングレジストを形成することと、前記エッチングレジストから露出する前記めっき膜を第１のエッチング処理で除去することによって前記金属箔の一部を露出させることと、前記エッチングレジストを除去することと、前記金属箔の露出する部分を第２のエッチング処理で除去することによって所定の導体パターンを含む導体層を形成することと、を含んでいる。そして、前記エッチングレジストは前記第２のエッチング処理の前に除去される。

本発明の実施形態によれば、所望の導体パターンを有していて絶縁性に関する信頼性の高い配線基板を提供できることがある。

本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示すフローチャート。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法における絶縁層の準備の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法におけるめっき膜の形成の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法におけるエッチングレジストの形成の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法における第１のエッチング処理の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法におけるエッチングレジストの除去後の状態の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法における第２のエッチング処理の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法によって製造される配線基板の一例を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造方法が用いられない場合に絶縁層の表面に残る金属箔の一例を示す拡大図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法における第１のエッチング処理の他の例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板に製造方法における第１のエッチング処理のさらに他の例を示す断面図。

本発明の一実施形態の配線基板の製造方法が図面を参照しながら説明される。図１は、一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示すフローチャートである。図２Ａ〜図２Ｆには、一実施形態の配線基板の製造方法の各ステップにおける配線基板の一部の例がそれぞれ示されている。また図３には、一実施形態の配線基板の製造方法によって製造される配線基板の一例である配線基板１００の一部が示されている。

図１のステップＳＴ１及び図２Ａに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、金属箔２を少なくとも１つの表面上に備える絶縁層１を準備することを含んでいる。図２Ａの例では、金属箔２は絶縁層１の表面１ａ上に備えられている。本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、図２Ｂに示されるように、金属箔２の上にめっき膜４を形成することと（図１のステップＳＴ２）、図２Ｃに示されるように、めっき膜４上に部分的にエッチングレジスト５を形成することと（図１のステップＳＴ３）、を含んでいる。図２Ｂ及び図２Ｃの例では、金属箔２における絶縁層１と反対側の表面上に金属膜３が形成され、金属膜３における金属箔２と反対側の表面上にめっき膜４が形成されている。本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、図２Ｄに示されるように、エッチングレジスト５から露出するめっき膜４をエッチング（第１のエッチング処理）で除去し、それにより金属箔２の一部を露出させること（図１のステップＳＴ４）を含んでいる。金属膜３におけるめっき膜４の除去によって露出する部分も第１のエッチング処理によって除去される。

本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、図２Ｅに示されるように、エッチングレジスト５を除去することと（図１のステップＳＴ５）、図２Ｆに示されるように、金属箔２の露出する部分をエッチング（第２のエッチング処理）で除去することと（図１のステップＳＴ６）を含んでいる。すなわち、本実施形態の配線基板の製造方法では、エッチングレジスト５は第２のエッチング処理の前に除去される。第２のエッチング処理によって、所定の導体パターン６ａが形成される。導体パターン６ａは導体層６の一部を構成する。導体層６は、絶縁層１の表面１ａ上に形成される導体層である。このように本実施形態の配線基板の製造方法は、第２のエッチング処理によって、所定の導体パターン６ａを含む導体層６を形成することを含んでいる。すなわち、本実施形態の配線基板の製造方法は、サブトラクティブ法による導体パターンの形成を含んでいる。

図３に示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法によって製造される配線基板１００は、絶縁層１、及び、絶縁層１の一方の表面（表面１ａ）上に積層されている導体層６を含んでいる。配線基板１００は、さらに１組以上の絶縁層及び導体層を表面１ａ側に備えていてもよい。また、配線基板１００は、表面１ａの反対面である表面１ｂ側にも導体層を備えていてもよく、その場合、表面１ｂ側の導体層上に、さらに１組以上の絶縁層及び導体層を備えていてもよい。すなわち、配線基板１００は、所謂、片面基板若しくは両面基板であってもよく、また多層配線基板であってもよい。また、絶縁層１は、配線基板１００のコア基板を構成する絶縁層であってもよく、ビルドアップ層を構成する層間絶縁層であってもよい。さらに、導体層６は、配線基板１００の表層の導体層であってもよく、配線基板１００が多層配線基板である場合、内層の導体層であってもよい。本実施形態の配線基板の製造方法は、任意の構造及び任意の層構成を有する配線基板の製造に用いられ得る。

図３の例の導体層６は、金属箔２からなる下層、金属膜３からなる中間層、及びめっき膜４からなる上層を含む３層構造を有している。めっき膜４としては、銅の電解めっき膜が例示されるが、めっき膜４はニッケルなどの銅以外の金属からなるめっき膜であってもよい。金属膜３は、めっき膜４が電解めっき膜である場合、めっき膜４の形成時のめっき電流の給電層及び／又はシード層として機能する。金属膜３は、例えば、銅の無電解めっき膜や銅のスパッタリング膜である。なお、金属膜３は形成されないことがある。金属箔２は、電解金属箔又は圧延金属箔が例示されるが、金属箔２はこれらに限定されない。金属箔２は、例えば銅箔であるが、ニッケルや銀などの他の金属からなる箔体であってもよい。

金属箔２における絶縁層１側を向く表面（接合面）は粗面化されており、接合面には複数の突起２ｃが形成されている。金属箔２は、例えば、熱圧着によって絶縁層１と接合されている。金属箔２の突起２ｃは、その接合時に絶縁層１の表面１ａにはまり込む。そのため、絶縁層１の表面１ａは、突起２ｃによって形成された複数の凹み１ｃを有しており、凹み１ｃは金属箔の突起２ｃと噛み合っている。突起２ｃと凹み１ｃとが噛み合うことによって所謂アンカー効果が得られるため、金属箔２と絶縁層１との強固な接合が得られる。

導体層６では、所望の導体パターン６ａを形成すべく、前述したように導体パターン６ａ以外の不要部分がエッチングによって除去される。しかし、エッチングによる除去が十分でない場合、絶縁層１の表面１ａ上に導体層６の一部、例えば金属箔２が残存することがある。特に、図３のように多数の凹み１ｃが存在する場合、金属箔２の一部が表面１ａ上に金属残渣となって残りやすい。

図４には、本実施形態の配線基板の製造方法が用いられない場合に絶縁層１の表面に残ってしまった金属箔２の一部（金属残渣２１）の例が示されている。図４は、図４の例において図３の配線基板１００のIV部に相当する部分の拡大図である。図４に示されるように、絶縁層１の表面１ａ上の金属箔２の除去のためのエッチング処理が適切でない場合、導体層のパターニング後も、金属箔２の一部が表面１ａ上に残って金属残渣２１となることがある。例えば、エッチングの進行と共に、エッチングレジストの表面から、導体層において既に除去された部分（空洞部６ｂ）の底部までの深さが深くなる。そのため、金属箔２が露出する頃には、エッチング液が金属箔２の露出部まで流れ込み難くなると考えられる。その結果、金属箔２の一部が残存してしまうことがある。特に、図４の例のように、凹み１ｃ内に入り込んだ金属箔２の一部は、金属残渣２１として残り易い。導体パターン６ａ（例えば配線パターン）同士の間に金属残渣２１が存在すると、導体パターン６ａ間の絶縁性が低下することがある。特に、隣接する導体パターン６ａ間の間隔が狭い所謂ファインピッチで導体パターンが隣接する配線基板では、金属残渣２１の存在が問題となり易い。

エッチング時間を長くしたり、エッチング液中の反応成分の濃度やエッチング温度を調整したりすることによって、絶縁層１の表面１ａ上の金属箔２の除去を促進し得ると推察される。しかしその場合、残存させるべき導体パターン６ａに対する意図せぬサイドエッチングも同様に進行すると考えられる。その対処として、エッチング液中のサイドエッチング防止剤などの添加剤を増量することが考えられる。しかし、内部構造の異なる金属箔２とめっき膜４との両方において、厚さ方向のエッチング速度とサイドエッチングの速度とを安定してバランスさせるのは困難である。そのため、意図した形状の導体パターン６ａ、例えば意図した配線幅を有する配線パターンが得られないことがある。

本実施形態の配線基板の製造方法は、このような過剰なサイドエッチングを抑制しながら、絶縁層１の表面１ａ上の金属箔２の除去を促進すべく、第１のエッチング処理と第２のエッチング処理とを含んでいる。第１のエッチング処理は、導体パターン６ａに対応する開口を有するエッチングレジスト５を用いて行われる。第１のエッチング処理は、主に、エッチングレジスト５の開口に露出するめっき膜４を除去し、少なくとも金属箔２の一部を露出させる。図３の例のようにめっき膜４と金属箔２との間に金属膜３が介在する場合、第１のエッチング処理は、めっき膜４の除去によって露出する金属膜３も除去して金属箔２を露出させる。

第１のエッチング処理では、主にめっき膜４が除去されるため、めっき膜４（又は、めっき膜４及び金属膜３）の除去に適することを基準にエッチング条件を選択することができる。例えば、第１のエッチング処理は、少なくとも金属箔２が露出するまで行われるため、めっき膜４の厚さ方向に対するエッチング速度が速いエッチング液やエッチング条件を用いることが好ましいことがある。加えて、金属箔２が露出するまで行われる第１のエッチング処理の時間は比較的長いことがあるためサイドエッチングの量も多くなり易い。この点に関し、後述するように、めっき膜４が適度にサイドエッチングされることが、金属箔２の適切な除去の観点から好ましいこともある。そのため、例えばめっき膜４の結晶構造などに基づいて、めっき膜４の厚さ方向のエッチング速度が過剰に制限されない程度に、且つ、好ましくは、サイドエッチングが適度に抑制されるようにエッチング液が調製される。

一方、第２のエッチング処理では主に金属箔２が除去される。第２のエッチング処理は、絶縁層１の表面１ａの凹み１ｃ内の金属残渣２１を除去することを含み得る。第２のエッチング処理は、エッチングレジスト５を除去した後に行われる。そのため、第２のエッチング処理では、エッチングレジスト５がめっき膜４の表面に存在する場合と比べて、少なくともエッチングレジスト５の厚さだけ、エッチング液が金属箔２の露出部まで流れ込み易くなる。そのため、第１のエッチング処理が継続される場合と比べて、金属箔２の除去を促進することができる。さらに、金属箔２の除去が促進されるため、絶縁層１の表面１ａ上の金属箔２が消失するまで第２のエッチング処理が継続されても、サイドエッチングの量は第１のエッチング処理を継続する場合と比べて少ないと考えられる。

また、第２のエッチング処理では、主に金属箔２が除去されるため、金属箔２の除去に適することを基準にエッチング条件を選択することができる。例えば、電解銅箔と圧延銅箔とでは結晶構造が異なるため、金属箔２の構造に適したエッチング液が選択され得る。また、第２のエッチング処理はエッチングレジスト５の除去後に行われるため、第２のエッチング処理の際にはめっき膜４の表面が露出している。従って第２のエッチング処理には、めっき膜４を溶解させ難いエッチング液が用いられてもよい。

一方、第２のエッチング処理で除去されるべき金属箔２の厚さは、第１のエッチング処理で除去されるべきめっき膜４の厚さよりも薄い場合がある。そのため、第２のエッチング処理の時間は第１のエッチング処理の時間よりも短いことがある。従って、第２のエッチング処理におけるサイドエッチングの量は、第１のエッチング処理におけるサイドエッチングの量よりも少ないことがある。

また、めっき膜４の上面（金属箔２と反対側の表面）がエッチング液に晒される第２のエッチング処理は、極力短時間に行うことが好ましいと考えられる。従って、第２のエッチング処理は、少なくとも金属箔２及びめっき膜４の厚さ方向に関して、第１のエッチング処理よりも高いエッチングレートで行われてもよい。

本実施形態の配線基板の製造方法の各ステップが、再度、図２Ａ〜図２Ｆを参照して詳細に説明される。図２Ａ〜図２Ｆは、図３の配線基板１００が製造される場合の各ステップにおける製造途上の配線基板１００の例を示している。

図２Ａに示されるように、絶縁層１が用意される。絶縁層１において厚さ方向に対して垂直な２つの表面（主面）のうちの一方である表面１ａ上に金属箔２が備えられている。金属箔２と絶縁層１とは、例えば、熱圧着によって接合されている。金属箔２としては銅箔及びニッケル箔などが例示されるが、金属箔２を構成する金属は特に限定されない。絶縁層１は、任意の絶縁性樹脂によって形成され得る。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などが例示される。これら絶縁性樹脂を用いて形成される絶縁層１は、シリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。また、絶縁層１は、ガラス繊維、アラミド繊維、ガラス不織布、及びアラミド不織布などで構成される補強材（図示せず）を含んでいてもよい。

図示されていないが、絶縁層１における表面１ａの反対面（表面１ｂ）にも金属箔が接合されていてもよい。例えば、絶縁層１、及び、その表面１ａ、１ｂに銅からなる金属箔２を有する両面銅張積層板が出発基板として用意されてもよい。また、表面１ｂ側に１組以上の導体層及び絶縁層が積層されていてもよい。例えば、絶縁層１及び金属箔２を含む、ビルドアップ製法による製造途上の多層配線基板が用意されてもよい。すなわち、製造途上の多層配線基板における最表層の絶縁層が図２Ａの絶縁層１であってもよい。

用意された絶縁層１及び金属箔２には、絶縁層１を貫通するビア導体又はスルーホール導体（図示せず）を形成するための貫通孔が形成されてもよい。

図２Ｂに示されるように、金属箔２における絶縁層１と反対側の表面上に金属膜３が形成される。さらに、金属膜３における金属箔２と反対側の表面上にめっき膜４が形成される。金属膜３は、例えば、無電解めっき又はスパッタリングなどによって金属箔２の表面の全面に形成される。金属膜３の材料としては、銅又はニッケルなどが例示されるが、金属膜３の材料は、これらに限定されない。

めっき膜４は、例えば、電解めっき又は無電解めっきなどによって金属膜３の上に形成される。電解めっきによってめっき膜が形成される場合、金属膜３が、めっき膜４の形成時の給電層として用いられ得る。例えば硫酸銅などを含む電解溶液への製造途上の配線基板の浸漬、及び通電によって、銅の電解めっき膜が金属膜３の表面の全面にめっき膜４として形成される。めっき膜４を形成するための材料は、ニッケルなどの銅以外の金属であってもよい。好ましくは、金属箔２、金属膜３、及びめっき膜４は、同種の金属材料で形成される。めっき膜４の形成によって、パターニング前の導体層６の形成が完了する。

なお、めっき膜４が無電解めっきによって形成される場合、金属膜３は形成されなくてもよい。また、めっき膜４が電解めっきで形成される場合でも、前述したビア導体など（図示せず）が絶縁層１に設けられない場合は、金属膜３が形成されてなくてもよい。金属箔２を給電層として用いる電解めっきによって金属箔２の表面上にめっき膜４を形成することができる。

図２Ｃに示されるように、めっき膜４上にエッチングレジスト５が形成される。エッチングレジスト５のマスク部５１は、導体層６における導体パターンの形成箇所に対応する領域に設けられる。エッチングレジスト５において導体パターンが設けられない領域に対応する領域には、所定の開口幅を有する開口５２が設けられる。

例えば感光性の有機材料からなるレジストフィルムが、めっき膜４上に積層される。レジストフィルムの積層の代わりに、液状の感光性の有機材料をめっき膜４上に塗布して半硬化状態に硬化することによって、めっき膜４上でレジストフィルムが形成されてもよい。そして、導体層６に設けるべき導体パターンに応じた開口を有する露光マスク（図示せず）が、めっき膜４上に設けられたレジストフィルムに重ねられる。露光マスクを通した紫外線の照射によってレジストフィルムが露光され、レジストフィルムの属性（ポジ／ネガ）に応じて露光された部分が変質する。その後、レジストフィルムのうちの露光された部分又は露光されなかった部分が現像によって除去される。その結果、図２Ｃに示されるような、それぞれ所望の領域にマスク部５１及び開口５２を備えるエッチングレジスト５が形成される。

図２Ｄに示されるように、エッチングレジスト５の開口５２に露出するめっき膜４が第１のエッチング処理によって除去される。第１のエッチング処理は、例えば、製造途上の配線基板へのエッチング液のスプレーや、エッチング液への配線基板の浸漬などによって行われるが、第１のエッチング処理の処理方式はこれらに限定されない。

図２Ｄの例では、第１のエッチング処理によって、エッチングレジスト５の開口５２の開口幅Ｗ５よりも大きく開口する空洞部６ｂがめっき膜４に形成されている。すなわち、図２Ｄの例では、めっき膜４におけるエッチングレジスト５から露出する部分に加えて、平面視でめっき膜４のその露出部分の周囲の部分も除去されている。その結果、めっき膜４の表面４ａに、エッチングレジスト５の開口５２と平面視で重なり、且つ開口幅Ｗ５よりも大きい開口幅Ｗ４を有する開口４２が設けられている。換言すると、エッチングレジスト５の開口５２よりも大きな開口部（開口４２）を表面４ａに有する空洞部６ｂが、導体層６に形成されている。

図２Ｄの例では、第１のエッチング処理後にエッチングレジスト５を除去することによって、その後の第２のエッチング処理で用いられるエッチング液（第２エッチング液）にとっての空洞部６ｂへの流入口が、エッチングレジスト５の除去前よりも拡大される。従って、第２エッチング液が金属箔２まで達し易くなり、その結果、金属箔２の除去が一層促進されると考えられる。なお、図２Ｄの例のような開口４２は、例えば、第１のエッチング処理で用いられるエッチング液（第１エッチング液）内のサイドエッチング防止剤の含有量、時間や液温などのエッチング条件、及びめっき膜４の材料などの適切な選択によって形成され得る。

なお「平面視」は、配線基板１００を外部から見るときの見方に関し、配線基板１００の厚さ方向と平行な視線で配線基板１００を見ることを意味している。また「開口幅」は、開口４２又は開口５２の平面視における任意の１方向に沿った長さを意味している。すなわち、開口４２又は開口５２が、例えば平面視で長手方向を有している場合、「開口幅」は、各開口の長手方向の長さであってもよく、長手方向に直交する方向の長さであってもよい。また、各開口が例えば円形又は楕円形の平面形状を有している場合、「開口幅」は、各開口の直径、長径、又は短径の長さであってもよい。

図２Ｄの例のように金属膜３が形成されている場合は、めっき膜４の除去によって露出する金属膜３も第１のエッチング処理によって除去される。このように第１のエッチング処理は、少なくとも金属箔２の一部が露出するまで行われる。めっき膜４及び金属膜３の除去によって導体層６に空洞部６ｂが形成される。

第１エッチング液には、主に電解めっきなどによって形成されるめっき膜４のエッチングに関して適切なエッチング液が用いられる。第１エッチング液は、例えば、塩化銅、又は塩化鉄などを含んでいる。塩化銅を含む第１エッチング液は、塩化第一銅、塩化第二銅、及び塩酸などを含んでいてもよい。また塩化鉄を含む第１エッチング液は、塩化第二鉄及び塩酸などを含み得る。

さらに第１エッチング液は、適度にサイドエッチングを抑制すべく含有される添加剤を含み得る。例えば、第１エッチング液は、イオン系／又は非イオン系の界面活性剤、又はポリアミン化合物を、サイドエッチング防止剤として含み得る。図２Ｄの例のように、エッチングレジスト５の開口幅Ｗ５よりも大きい開口幅Ｗ４を有する開口４２を導体層６に設けることが意図される場合は、サイドエッチング防止剤（添加剤）の量が適度に調整される。

図２Ｄの例では、第１のエッチング処理によって、金属箔２も、その厚さ方向において部分的に除去されている。金属箔２におけるめっき膜４側の表面２ａからの金属箔２のエッチング深さＤ２は、例えば、金属箔２の厚さＴ２の１／３以上、２／３以下である。第１エッチング液による金属箔２のエッチング速度が比較的遅い場合でも過大な時間を要さずに第１のエッチング処理を終了することができ、且つ、エッチングレジスト５の除去後に行う第２のエッチング処理も速やかに終えられるものと考えられる。なお、金属箔２の厚さＤ２としては、５μｍ以上、１５μｍ以下が例示される。また、その場合の金属膜３の厚さは１μｍ以上、４μｍ以下、めっき膜４の厚さは１５μｍ以上、３０μｍ以下が例示される。

図２Ｅに示されるように、エッチングレジスト５が除去される。例えば、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムなどの溶液を用いて、有機材料からなるエッチングレジスト５が除去される。例えばこれらの溶液への浸漬や溶液のスプレーによって、エッチングレジスト５が除去される。エッチングレジスト５の除去によって、後工程の第２のエッチング処理において、第２エッチング液が空洞部６ｂの底部に露出する金属箔２に達し易くなると考えられる。すなわち、エッチングレジスト５の除去によって、空洞部６ｂへの第２エッチング液の流入口が、エッチングレジスト５の表面５ａからめっき膜４の表面４ａ（エッチングレジスト５側の表面）へとシフトする。第２エッチング液にとっての空洞部６ｂの深さが、エッチングレジスト５の除去前よりも浅くなる。また、図２Ｅの例では、前述したように、第２エッチング液の流入口の開口幅も、エッチングレジスト５の除去前よりも広くなる。そのため、第２エッチング液が、空洞部６ｂの底部に露出する金属箔２に達し易く、結果として、第２のエッチング処理による金属箔２の除去が促進される。

図２Ｆに示されるように、金属箔２のうちの空洞部６ｂ内に露出する部分が、第２のエッチング処理で除去される。その結果、空洞部６ｂからなる導体非形成領域を挟んで隣接する所望の導体パターン６ａが形成される。所望の導体パターン６ａを含む導体層６の形成が完了する。

第２のエッチング処理によって、空洞部６ｂの底部に残存する金属箔２、すなわち、隣接する導体パターン６ａ間に残存する金属箔２が略完全に除去される。金属箔２のうちの絶縁層１の凹み１ｃに入り込んでいた部分も全て除去されると考えられる。従って、導体パターン６ａ同士の絶縁性が低下し難い。絶縁性に関する信頼性の高い配線基板１００を得ることができる。

第２のエッチング処理は、エッチングレジスト５の除去後の配線基板への第２エッチング液のスプレーや、第２エッチング液への配線基板の浸漬などによって行われるが、第２のエッチング処理の処理方式はこれらに限定されない。また、第２のエッチング処理は、空洞部６ｂに残る金属箔２を除去するだけなので、処理時間に関して第１のエッチング処理よりも短い。第２のエッチング処理の処理時間は、例えば、第１のエッチング処理の処理時間の１／５以下である。第２のエッチング処理の処理時間が短いと、エッチングレジスト５の除去によって露出するめっき膜４に対する過剰なエッチングが抑制され得る。

第２エッチング液には、金属箔２のエッチングに関して適切なエッチング液が用いられる。好ましくは、金属箔２を速やかに溶解させる一方、めっき膜４を溶解させ難いエッチング液が第２エッチング液に用いられる。第２エッチング液は、例えば、硫酸及び過酸化水素を含んでいる。第２エッチング液は、硫酸−過酸化水素系以外のアルカリ系エッチング液、又は有機酸系エッチング液であってもよい。

第２エッチング液も、第１エッチング液と同様にサイドエッチング抑制作用を有する添加剤を含み得る。このような添加剤の含有率は、第２エッチング液の方が第１エッチング液よりも高くてもよい。第２エッチング液は、例えば、界面活性剤、又はポリアミン化合物をサイドエッチング防止剤（添加剤）として含んでいてもよい。

以上の工程を経ることによって、図３の状態の配線基板１００が完成する。配線基板１００には、さらに１組以上の絶縁層及び導体層が、絶縁層１の表裏いずれか又は両方に積層されてもよい。さらに、配線基板１００には、最外の導体層及び絶縁層上にソルダーレジスト（図示せず）が形成されてもよい。さらに、配線基板１００における導体層の露出部分には、無電解めっきなどによって金などからなる表面保護膜が形成されてもよい。

図５及び図６を参照して、第１のエッチング処理に関して、図２Ｄの例に対する変形例が説明される。図５及び図６は、それぞれ、第１のエッチング処理の終了後の状態を示している。

図５の例は、金属箔２が部分的に厚さ方向に関して全て除去されて絶縁層１の一部が露出するまで、第１のエッチング処理が行われる例である。すなわち、本実施形態の配線基板の製造方法において第１のエッチング処理は、金属箔２の一部を厚さ方向において全て除去することによって絶縁層１の一部を露出させることを含んでいてもよい。

図５の例のように第１のエッチング処理が行われると、第２のエッチング処理は、意図しないサイドエッチングを除いて、絶縁層１の凹み１ｃ内に入り込んでいる金属箔２だけを除去する。第２のエッチング処理の処理時間を一層短くすることができる。第１のエッチング処理及び第２のエッチング処理それぞれにおける金属箔２の溶解能力及びサイドエッチング特性、さらに金属箔２の厚さに応じて、第１のエッチング処理による金属箔２のエッチング量が選択されてもよい。その選択の結果に応じて、図５に示されるように、絶縁層１を露出させるまで第１のエッチング処理が行われてもよい。すなわち、第１のエッチング処理においてめっき膜４の除去後に露出する金属箔２の一部が、第１のエッチング処理によって厚さ方向において全て除去されてもよい。

図６の例は、図２Ｄの例と異なり、第１のエッチング処理によって、エッチングレジスト５の開口５２の開口幅と略同じ開口幅を有する空洞部６ｂが導体層６に形成される例である。図６の例においても、第１のエッチング処理に加えてエッチングレジスト５の除去後に第２のエッチング処理を行うことによって、残渣の発生を抑制して金属箔２を適切に除去することができる。前述したように、金属箔２に適したエッチング液（第２エッチング液）を選択し易かったり、エッチングレジスト５の除去によって第２エッチング液にとっての空洞部６ｂへの流入口が金属箔２側にシフトしたりするからである。なお、図６の例のようにエッチングレジスト５の開口幅と略同じ開口幅を有する空洞部６ｂが形成される第１のエッチング処理は、例えば、第１エッチング液におけるサイドエッチング防止剤の含有率の調整などによって実現され得る。

実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されない。例えば、絶縁層１の表面１ａに凹み１ｃが形成されていなくてもよい。エッチングレジスト５は無機系の材料で形成されてもよく、露光及び現像以外の方法で開口５２が形成されてもよい。第１エッチング液及び第２エッチング液は、塩化鉄系、塩化銅系、又は硫酸−過酸化水素系以外のエッチング液であってもよい。実施形態の配線基板の製造方法には、前述された各工程以外に任意の工程が追加されてもよく、前述された工程のうちの一部が省略されてもよい。

１００ 配線基板
１ 絶縁層
１ａ、１ｂ 絶縁層の表面
１ｃ 絶縁層の表面の凹み
２ 金属箔
２１ 金属残渣
２ｃ 金属箔の突起
３ 金属膜
４ めっき膜
４ａ めっき膜の表面
４２ めっき膜の開口
５ エッチングレジスト
５２ エッチングレジストの開口
６ 導体層
６ａ 導体パターン

Claims (9)

1. 金属箔を少なくとも１つの表面上に備える絶縁層を準備することと、
   前記金属箔の上にめっき膜を形成することと、
   前記めっき膜上に部分的にエッチングレジストを形成することと、
   前記エッチングレジストから露出する前記めっき膜を第１のエッチング処理で除去することによって前記金属箔の一部を露出させることと、
   前記エッチングレジストを除去することと、
   前記金属箔の露出する部分を第２のエッチング処理で除去することによって所定の導体パターンを含む導体層を形成することと、
   を含む配線基板の製造方法であって、
   前記エッチングレジストは前記第２のエッチング処理の前に除去される。
2. 請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記めっき膜を形成することは、前記金属箔上に金属膜を形成することと、前記金属膜上に電解めっき膜を形成することと、を含んでいる。
3. 請求項１記載の配線基板の製造方法であって、
   前記金属箔は銅箔であり、
   前記めっき膜を形成することは、銅の電解めっき膜を形成することを含んでいる。
4. 請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記第１のエッチング処理は、前記金属箔を部分的に除去することによって前記絶縁層の一部を露出させることを含んでいる。
5. 請求項１記載の配線基板の製造方法であって、
   前記絶縁層は、前記金属箔を備える表面において、前記金属箔の表面の突起と噛み合う凹みを有しており、
   前記第２のエッチング処理は、前記凹み内の金属残渣を除去することを含んでいる。
6. 請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記第１のエッチング処理に用いられるエッチング液は塩化銅を含んでいる。
7. 請求項６記載の配線基板の製造方法であって、前記第２のエッチング処理に用いられるエッチング液は硫酸及び過酸化水素を含んでいる。
8. 請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記第２のエッチング処理に用いられるエッチング液は、サイドエッチング抑制作用を有する添加剤を含んでいる。
9. 請求項１記載の配線基板の製造方法であって、
   前記エッチングレジストを形成することは、前記エッチングレジストに所定の開口幅を有する開口を設けることを含み、
   前記第１のエッチング処理は、前記エッチングレジストから露出する前記めっき膜の露出部及び前記めっき膜における前記露出部の周囲を除去することによって、平面視で前記開口と重なり且つ前記開口幅よりも大きい開口幅を有する開口を、前記エッチングレジスト側の表面に設けることを含んでいる。

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