JP2021117198A - ポアデバイスおよび微粒子測定システム - Google Patents
ポアデバイスおよび微粒子測定システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021117198A JP2021117198A JP2020012751A JP2020012751A JP2021117198A JP 2021117198 A JP2021117198 A JP 2021117198A JP 2020012751 A JP2020012751 A JP 2020012751A JP 2020012751 A JP2020012751 A JP 2020012751A JP 2021117198 A JP2021117198 A JP 2021117198A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- pore
- layer
- chip
- pore device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011148 porous material Substances 0.000 title claims abstract description 138
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 7
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 40
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 20
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 20
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 6
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 description 3
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 3
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/10—Investigating individual particles
- G01N15/1031—Investigating individual particles by measuring electrical or magnetic effects
- G01N15/12—Investigating individual particles by measuring electrical or magnetic effects by observing changes in resistance or impedance across apertures when traversed by individual particles, e.g. by using the Coulter principle
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
【課題】運用コストが安く、寄生容量を低減したポアデバイスを提供する。【解決手段】ポアチップ６００は、チップケース５００に収容される。チップケース５００は、その表面に第１電極４１０と第２電極４２０が形成される絶縁フィルム５５０と、ポアチップ６００を挟み込む第１層５１０および第２層５２０と、を含む積層構造を有する。チップケース５００には、第１空間５１２から第１電極４１０の一端に連通する第１流路５６０と、第２空間５２２から第２電極４２０の一端に連通する第２流路５７０が形成される。第１電極４１０のコンタクト部分４１４と第２電極４２０のコンタクト部分４２４は外部に露出している。【選択図】図４
Description
本発明は、ポアデバイスを用いた計測に関する。
電気的検知帯法（コールター原理）と呼ばれる粒度分布測定法が知られている。この測定法では、粒子を含む電解液を、ナノポアと称される細孔を通過させる。粒子が細孔を通過するとき、細孔中の電解液は粒子の体積に相当する量だけ減少し、細孔の電気抵抗を増加させる。したがって細孔の電気抵抗を測定することで、粒子より細孔の厚みの方が大きい場合には通過する粒子の体積を測定することができ、粒子より細孔の厚みの方が十分に小さい場合、通過している粒子の断面積（すなわち粒径）を測定することができる。
図１は、電気的検知帯法を用いた微粒子測定システム１Ｒのブロック図である。微粒子測定システム１Ｒは、ポアデバイス１００、計測装置２００Ｒおよびデータ処理装置３００を備える。
ポアデバイス１００の内部は、検出対象の粒子４を含む電解液２が満たされる。ポアデバイス１００の内部は、ポアチップ１０２によって２つの空間に隔てられており、２つの空間には電極１０６と電極１０８が設けられる。電極１０６と電極１０８の間に電位差を発生させると、電極間にイオン電流が流れ、また電気泳動によって粒子４が細孔１０４を経由して、一方の空間から他方の空間に移動する。
計測装置２００Ｒは、電極対１０６，１０８の間に電位差を発生させるとともに、電極対の間の抵抗値Ｒｐと相関を有する情報を取得する。計測装置２００Ｒは、トランスインピーダンスアンプ２１０、電圧源２２０、デジタイザ２３０を含む。電圧源２２０は電極対１０６，１０８の間に電位差Ｖｂを発生させる。この電位差Ｖｂは、電気泳動の駆動源であるとともに、抵抗値Ｒｐを測定するためのバイアス信号となる。
電極対１０６，１０８の間には、細孔１０４の抵抗に反比例する微小電流Ｉｓが流れる。
Ｉｓ＝Ｖｂ／Ｒｐ …（１）
Ｉｓ＝Ｖｂ／Ｒｐ …（１）
トランスインピーダンスアンプ２１０は、微小電流Ｉｓを電圧信号Ｖｓに変換する。変換ゲインをｒとするとき、以下の式が成り立つ。
Ｖｓ＝−ｒ×Ｉｓ …（２）
式（１）を式（２）に代入すると、式（３）が得られる。
Ｖｓ＝−Ｖｂ×ｒ／Ｒｐ …（３）
デジタイザ２３０は、電圧信号ＶｓをデジタルデータＤｓに変換する。このように計測装置２００Ｒにより、細孔１０４の抵抗値Ｒｐに反比例する電圧信号Ｖｓを得ることができる。
Ｖｓ＝−ｒ×Ｉｓ …（２）
式（１）を式（２）に代入すると、式（３）が得られる。
Ｖｓ＝−Ｖｂ×ｒ／Ｒｐ …（３）
デジタイザ２３０は、電圧信号ＶｓをデジタルデータＤｓに変換する。このように計測装置２００Ｒにより、細孔１０４の抵抗値Ｒｐに反比例する電圧信号Ｖｓを得ることができる。
図２は、計測装置２００Ｒにより測定される例示的な微小電流Ｉｓの波形図である。なお本明細書において参照する波形図やタイムチャートの縦軸および横軸は、理解を容易とするために適宜拡大、縮小したものであり、また示される各波形も、理解の容易のために簡略化され、あるいは誇張もしくは強調されている。
粒子が通過する短い期間、細孔１０４の抵抗値Ｒｐが増大する。したがって、粒子が通過するごとに電流Ｉｓはパルス状に減少する。個々のパルス電流の振幅は、粒径と相関を有する。データ処理装置３００は、デジタルデータＤｓを処理し、電解液２に含まれる粒子４の個数や粒径分布などを解析する。
図３（ａ）〜（ｂ）は、本発明者らが検討したポアデバイスの断面図である。図３（ａ）のポアデバイス１００Ｒには、電極対１０６，１０８に相当する２本の電極Ｅ１，Ｅ２が設けられる。電極Ｅ１，Ｅ２は、電極棒や電極板であり、一方の電極Ｅ１は、ポアチップ１０２の上側の空間に挿入され、他方の電極Ｅ２は、ポアチップ１０２の下側の空間に挿入される。
図３（ａ）の構造では、電極Ｅ１，Ｅ２の位置ズレが測定誤差の原因となりうる。また、電極Ｅ１，Ｅ２は、電解質溶液と直接接触するため、腐食・劣化が避けられず、頻繁に交換する必要があることから、装置のコストが高くなる。
図３（ｂ）のポアデバイス１００Ｓにおいて、電極対１０６，１０８に相当する電極Ｅ３，Ｅ４が、ポアチップ１０２の表面と裏面の上に直接形成される。この場合、電極Ｅ３，Ｅ４は、半導体製造プロセスにより安価に形成することができ、電極Ｅ３，Ｅ４は、ポアデバイス１００Ｓとともに使い捨てが可能である。一方でポアチップ１０２の厚みは、数百μｍ〜数ｍｍのオーダーと薄いため、図３（ｂ）の構造では、電極Ｅ３，Ｅ４の間の寄生容量が大きくなり、測定器の応答速度が低下するという問題が生ずる。
本発明は係る状況においてなされたものであり、そのある態様の例示的な目的のひとつは、製造が容易であり、運用コストが安いポアデバイスの提供にある。
本発明のある態様は、ポアデバイスに関する。ポアデバイスは、細孔を有するポアチップと、ポアチップを収容するチップケースと、を備える。チップケースは、その表面に第１電極と第２電極が形成される絶縁フィルムと、ポアチップを挟み込む第１層および第２層と、を含む積層構造を有する。第１層の内部には、ポアチップの細孔と連続する第１空間が形成され、第２層の内部には、ポアチップの細孔と連続する第２空間が形成され、チップケースには、第１空間から第１電極の一端に連通する第１流路と、第２空間から第２電極の一端に連通する第２流路が形成され、第１電極のコンタクト部分と第２電極のコンタクト部分が外部に露出している。
第１層や第２層には、流路や空間、ポアチップを収容する凹部などの機械的構造（微細構造）が形成されるところ、この構成では、電極は、機械的構造を有する第１層や第２層ではなく、専用の絶縁フィルムに形成される。つまり、電極を形成するプロセスと、機械的構造を形成するプロセスを分離することができるため、製造が容易となり、コストを下げることができる。
第１電極および第２電極の一端は、第１材料で形成され、第１電極および第２電極のコンタクト部分は、第１材料と異なる第２材料で形成されてもよい。第１材料を、プローブの腐食を防止できる材料とし、第２材料を、電解質溶液との間の等価的な接触抵抗が小さくなる材料とすることにより、プローブの寿命を延ばしつつ、測定精度を高めることができる。
第１材料は、Ａｇ／ＡｇＣｌであってもよい。第２材料は、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔのいずれかを含んでもよい。
第１層および第２層は、絶縁フィルムと材料が異なってもよい。第１層および第２層は、機械的構造の形成に適した材料を選び、絶縁フィルムは、電極形成に適した材料とすることができる。
第１電極および第２電極は印刷により形成されてもよい。これにより電極形成のコストを下げることができる。
絶縁フィルムは、第１層および第２層より上側に設けられてもよい。絶縁フィルムは、積層構造の最下層に設けられてもよい。
なお、以上の構成要素の任意の組み合わせや本発明の構成要素や表現を、方法、装置などの間で相互に置換したものもまた、本発明の態様として有効である。
本発明のある態様によれば、運用コストが安いポアデバイスを提供できる。
以下、本発明を好適な実施の形態をもとに図面を参照しながら説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付するものとし、適宜重複した説明は省略する。また、実施の形態は、発明を限定するものではなく例示であって、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは、必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。
本明細書において、「部材Ａが、部材Ｂと接続された状態」とは、部材Ａと部材Ｂが物理的に直接的に接続される場合のほか、部材Ａと部材Ｂが、それらの電気的な接続状態に実質的な影響を及ぼさない、あるいはそれらの結合により奏される機能や効果を損なわせない、その他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
同様に、「部材Ｃが、部材Ａと部材Ｂの間に設けられた状態」とは、部材Ａと部材Ｃ、あるいは部材Ｂと部材Ｃが直接的に接続される場合のほか、それらの電気的な接続状態に実質的な影響を及ぼさない、あるいはそれらの結合により奏される機能や効果を損なわせない、その他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
また図面に記載される各部材の寸法（厚み、長さ、幅など）は、理解の容易化のために適宜、拡大縮小されている場合がある。さらには複数の部材の寸法は、必ずしもそれらの大小関係を表しているとは限らず、図面上で、ある部材Ａが、別の部材Ｂよりも厚く描かれていても、部材Ａが部材Ｂよりも薄いこともあり得る。
（実施の形態１）
図４は、実施の形態１に係るポアデバイス４００の基本構成を示す断面図である。ポアデバイス４００は、ポアチップ６００と、ポアチップ６００を収容するチップケース５００を備える。
図４は、実施の形態１に係るポアデバイス４００の基本構成を示す断面図である。ポアデバイス４００は、ポアチップ６００と、ポアチップ６００を収容するチップケース５００を備える。
ポアチップ６００は、細孔６０２を有する。ポアチップ６００のうち、細孔の径がナノオーダーのものをナノポアチップと称する。実施の形態に係るポアデバイス４００は、特にナノポアチップとの組み合わせに好適であるが、細孔の径に限定されずに適用可能である。なお、ナノポアチップを有するポアデバイスを特にナノポアデバイスと称する。
チップケース５００は積層構造を有しており、第１層５１０、第２層５２０、第３層５３０、第４層５４０、絶縁フィルム（絶縁シートともいう）５５０を備える。第１層５１０〜第４層５４０は、アクリル、ＰＤＭＳ（ポリジメチルシロキサン）、ＣＯＰ（シクロオレフィンポリマー）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）などの樹脂系材料のいずれか、あるいはそれらの組み合わせなどで構成できる。
絶縁フィルム５５０の表面には、第１電極４１０および第２電極４２０が形成される。ポアチップ６００は、第１層５１０および第２層５２０によって挟まれている。
第１層５１０の内部には、ポアチップ６００の細孔６０２と連続する第１空間５１２が形成される。第２層５２０の内部には、ポアチップ６００の細孔６０２と連続する第２空間５２２が形成される。
チップケース５００には、第１空間５１２から第１電極４１０の一端４１２に連通する第１流路５６０と、第２空間５２２から第２電極４２０の一端４２２に連通する第２流路５７０が形成される。
第１流路５６０および第２流路５７０の経路は特に限定されず、第１層５１０〜第４層５４０のいくつかに跨がって形成される。第１流路５６０および第２流路５７０はそれぞれ、第１層５１０〜第４層５４０の表面に形成された溝であってもよい。
第１電極４１０のコンタクト部分４１４、第２電極４２０のコンタクト部分４２４は、プローブのコンタクトのために外部に露出している。この例では、第４層５４０に、コンタクト部分４１４，４２４を露出するために、切り欠き５４２，５４４が設けられる。
第１電極４１０、第２電極４２０それぞれの浸潤部分４１２，４２２には貫通孔が設けられている。第４層５４０には、浸潤部分４１２、浸潤部分４２２とオーバーラップする箇所に、開口５４６，５４８が設けられる。
第１電極４１０、第２電極４２０の浸潤部分４１２，４２２は、使用において、粒子を含む電解質溶液に浸潤する。したがって浸潤部分４１２，４２２は、Ａｇ／ＡｇＣｌ（銀・塩化銀）など、平衡状態を保つことができる金属材料で形成される。一方、コンタクト部分４１４，４２４は、電解質溶液には浸潤しないため、浸潤部分４１２，４２２と異なる金属材料で形成することができる。たとえばコンタクト部分４１４，４２４は、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、白金（Ｐｔ）などの、プローブコンタクトに適した金属材料を用いるとよい。
またチップケース５００は、第１空間５１２からデバイス表面の開口５６３に連通する第３流路５６２、第２空間５２２からデバイス表面の開口５７３に連通する第４流路５７２を備える。
以上がポアデバイス４００の基本構成である。続いてポアデバイス４００の使用について説明する。
使用において、開口５４６および５６３の一方が、電解質溶液の注入口となり、第１流路５６０および第３流路５６２の一方を介して、第１空間５１２に、電解質溶液が注入される。また、第１流路５６０および第３流路５６２の他方は、空気抜きとして機能する。
同様に使用において、開口５４８および５７３の一方が、電解質溶液の注入口となり、第２流路５７０および第４流路５７２の一方を介して、第２空間５２２に、電解質溶液が注入される。また、第２流路５７０と第４流路５７２の他方は、空気抜きとして機能する。
第１空間５１２、第２空間５２２を電解質溶液で満たした後に、第１電極４１０のコンタクト部分４１４、第２電極４２０のコンタクト部分４２４にプローブが当てられる。
続いてポアデバイス４００の利点を説明する。図４のポアデバイス４００によれば、図３（ｂ）のポアデバイス１００Ｓと比べて、第１電極４１０と第２電極４２０の間の寄生容量を大幅に減らすことができる。
一般的にプローブには、黄銅や真鍮（銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ））などの表面をニッケル（Ｎｉ）でメッキし、さらに金（Ａｕ）でメッキしたポゴピンが使用される。Ｃｕ、Ｚｎ，Ｎｉはいずれも、酸素、塩素により腐食しやすい金属であり、耐腐食性の高いＡｕであっても、塩素系溶液中では、塩化物を生成しやすい。この点において、ポアデバイス４００を用いる場合、コンタクト用のプローブは、第１電極４１０、第２電極４２０のコンタクト部分４１４,４２４と接触することとなり、電解質溶液と直接接触しないため、プローブの寿命を延ばすことができる。
さらに、第１電極４１０、第２電極４２０に関して、コンタクト部分４１４、４２４は、プローブとのコンタクトに適した金属材料で形成し、浸潤部分４１２、４２２は、電解質溶液との間の等価的な接触抵抗が低い金属材料で形成した。これによる利点を説明する。
もし、第１電極４１０、第２電極４２０の全体を、プローブとのコンタクトに適したＡｕ、ＡｇやＰｔなどで形成した場合、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔなどの金属は、電解質溶液との間の等価的な接触抵抗が大きくなり、測定誤差が大きくなる。反対に、第１電極４１０、第２電極４２０の全体を、Ａｇ／ＡｇＣｌで形成した場合、プローブが、ＡｇＣｌの塩素と接触することにより、プローブが腐食するという問題が生ずる。
実施の形態では、コンタクト部分４１４，４２４と、浸潤部分４１２，４２２とで異なる金属材料を用いることにより、電解質溶液との間の接触抵抗を下げつつ、プローブの腐食を防止できる。
またポアデバイス４００において、第１電極４１０、第２電極４２０を、絶縁フィルム５５０上に形成することとした。第１層５１０〜第４層５４０は、溝や開口が多いため、その上に電極を形成しようとすると、パッケージの形状や段差を考慮した３次元でのプロセス設計が必要となり、コストアップの要因となる。これに対して、実施の形態では、第１層５１０〜第４層５４０への流路や溝などの形成プロセスと、平坦な絶縁フィルム５５０上への電極形成プロセスと、を完全に分離することができ、製造コストを下げることができ、および／または、組み立てのコストの削減、工期の短縮といった効果が得られる。
たとえば、絶縁フィルム５５０としては、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）やガラスなどの、電極形成に耐えうるフィルム（シート）を用いるとよい。第１電極４１０および第２電極４２０の形成方法は特に限定されないが、たとえば導電性インク（金属ナノインク）を印刷することにより形成することができる。これによりポアデバイス４００のコストをさらに下げることができる。
続いて、図４のポアデバイス４００のより具体的な構成例を、実施例１として説明する。図５は、実施例１に係るポアデバイス４００Ａの外観斜視図である。ポアデバイス４００Ａは、第４層５４０、絶縁フィルム５５０、第１層５１０、第２層５２０、第３層５３０の積層構造であるチップケース５００を有している。ポアチップ６００はチップケース５００の内部に収容されるため、外部からは見えない。
図６（ａ）、（ｂ）は、実施例１に係るポアデバイス４００Ａの分解斜視図である。図６（ａ）は上側から見た斜視図であり、図６（ｂ）は下側から見た斜視図である。
図７は、ポアチップ６００の断面図である。ポアチップ６００は、フィルム６１４と基材６１６を含む。フィルム６１４は、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）などであり、穴開け加工により細孔６０２が形成される。細孔６０２の径φ１は、数ナノメートル〜ミクロンオーダであり、被測定検体に含まれる粒子の径よりも大きい。フィルム６１４の厚みは、２０〜５０ｎｍ程度であり、粒子の径より小さいことが望ましい。このような薄いフィルム６１４を補強するために、フィルム６１４は、基材６１６の上に形成される。基材６１６の材料はシリコン（Ｓｉ）などの半導体材料や、ガラスなどの絶縁体を選択することができ、その厚みは５００μｍ程度とすることができる。シリコンは、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の上に結晶成長で形成してもよい。細孔６０２の直下において、基材６１６は開口されている。基材６１６の開口径φ２は、細孔の径φ１より十分に大きく、数百μｍ程度（たとえば２００〜３００μｍ）とすることができる。その限りでないが、ＳｉＯ２の上に、Ｓｉを成長し、その上にＳｉ３Ｎ４薄膜を形成した上で、基材６１６を裏面側からエッチングにより開口し、またフィルム６１４を開口してもよい。
（実施の形態２）
続いて、実施の形態２に係るポアデバイス４００Ｂについて説明する。図８は、実施の形態２に係るポアデバイス４００Ｂの基本構成を示す断面図である。ポアデバイス４００Ｂは、ポアチップ６００およびチップケース５００Ｂを備える。絶縁フィルム５５０上には、第１電極４１０、第２電極４２０に加えて、第３電極４３０、第４電極４４０が形成されている。
続いて、実施の形態２に係るポアデバイス４００Ｂについて説明する。図８は、実施の形態２に係るポアデバイス４００Ｂの基本構成を示す断面図である。ポアデバイス４００Ｂは、ポアチップ６００およびチップケース５００Ｂを備える。絶縁フィルム５５０上には、第１電極４１０、第２電極４２０に加えて、第３電極４３０、第４電極４４０が形成されている。
第３電極４３０、第４電極４４０のコンタクト部分４３４，４４４は、プローブコンタクトのために外部に露出している。また第３流路５６２は、第１空間５１２と第３電極４３０の浸潤部分４３２に連通している。また第４流路５７２は、第２空間５２２と第４電極４４０の浸潤部分４４２に連通している。
実施の形態２に係るポアデバイス４００Ｂでは、第１空間５１２、第２空間５２２それぞれについて、２個の電極が設けられる。２個の電極の利用方法は特に限定されないが、たとえば、２個の電極を共通に結線してもよい。これにより、電極と電解質溶液が、二箇所で接触することとなるため、実効的なコンタクト抵抗をさらに下げることができる。あるいは２個の電極の一方をフォース、他方をセンスに利用してもよい。これらの利用法により、微粒子測定の精度を高めることができる。
続いて、図８のポアデバイス４００Ｂのより具体的な構成例を、実施例２として説明する。図９は、実施例２に係るポアデバイス４００Ｂの外観斜視図である。
ポアデバイス４００Ｂは、第４層５４０、絶縁フィルム５５０、第１層５１０、第２層５２０、第３層５３０の積層構造であるチップケース５００Ｂを有している。ポアチップ６００はチップケース５００の内部に収容されるため、外部からは見えない。
図１０は、実施例２に係るポアデバイス４００Ｂの分解斜視図である。
（実施の形態３）
実施の形態１、２では、絶縁フィルム５５０が、第１層５１０の上側に挿入されたが、その限りでない。実施の形態３では絶縁フィルム５５０が最下層に設けられる。
実施の形態１、２では、絶縁フィルム５５０が、第１層５１０の上側に挿入されたが、その限りでない。実施の形態３では絶縁フィルム５５０が最下層に設けられる。
図１１は、実施の形態３に係るポアデバイス７００の基本構成を示す断面図である。ポアデバイス７００は、ポアチップ６００と、ポアチップ６００を収容するチップケース８００を備える。
チップケース８００は、第１層８１０、第２層８２０、第３層８３０、絶縁フィルム８５０を含む積層構造を有する。ポアチップ６００は、第１層８１０と第２層８２０に挟み込まれる。絶縁フィルム８５０は、積層構造の最下層に設けられており、絶縁フィルム８５０の上面には、第１電極７１０および第２電極７２０が形成される。
第１層８１０〜第３層８３０には、第１電極７１０のコンタクト部分７１４、第２電極７２０のコンタクト部分７２４とオーバーラップする部分に切り欠き８４２，８４４が設けられており、コンタクト部分７１４、７２４が外部に露出している。
第１電極７１０の浸潤部分７１２は、第１流路８６０を介して、第１空間８１２と繋がっている。第２電極７２０の浸潤部分７２２は、第２流路８７０を介して、第２空間８２２と繋がっている。
また第１空間８１２および第１流路８６０は、チップケース８００の上面に設けられた開口８４６と繋がっている。第２空間８２２および第２流路８７０は、チップケース８００の上面に設けられた開口８４８と繋がっている。さらに第１空間８１２は、第３流路８６２を介してチップケース８００の上面に設けられた開口８６３と連通しており、第２空間８２２は、第４流路８７２を介してチップケース８００の上面に設けられた開口８７３と連通している。開口８４６と８６３の一方は電解質溶液の注入口であり、他方は空気抜きの穴となる。また開口８４８と８７３の一方は電解質溶液の注入口であり、他方は空気抜きの穴となる。
以上が実施の形態３に係るポアデバイス７００の構成である。このポアデバイス７００によれば、実施の形態１と同様の効果が得られる。
続いて、図１１のポアデバイス７００のより具体的な構成例を、実施例３として説明する。図１２は、実施例３に係るポアデバイス７００Ａの外観斜視図である。ポアデバイス７００Ａは、第１層８１０、第２層８２０、第３層８３０および絶縁フィルム８５０の積層構造であるチップケース８００を有している。ポアチップ６００はチップケース８００の内部に収容されるため、外部からは見えない。実施例３において、図１１における切り欠き８４２，８４４は連続した１個の切り欠き８４５として形成されている。
図１３は、実施例３に係るポアデバイス７００Ａの分解斜視図である。
続いて、ポアデバイスを収容するインタフェースソケットの構造を説明する。
図１４は、図５のポアデバイス４００Ａを収容するインタフェースソケット９００を示す図である。インタフェースソケット９００は、容器９１０と上蓋９２０とを備える。容器９１０は、ポアデバイス４００Ａを収容するための空間９１２を有する。
上蓋９２０には、ポアデバイス４００Ａの第１電極４１０、第２電極４２０のコンタクト部分と接触可能なコンタクトプローブＰ１、Ｐ２が設けられる。コンタクトプローブＰ１、Ｐ２は、ＳＭＡ（Sub Miniature Type A）や中空同軸用のコネクタ９２２、９２４と接続される。コンタクトプローブＰ１，Ｐ２は、ポゴピンを用いてもよい。コネクタ９２２，９２４は、計測装置本体（図１の２００Ｒ）と接続される。
また上蓋９２０には、電解質溶液や被測定検体を注入するための開口が設けられるが、図１４では省略している。
以上、本発明について、実施の形態をもとに説明した。この実施の形態は例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセスの組み合わせにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。以下、こうした変形例について説明する。
（変形例１）
実施の形態１〜３では、第１電極および第２電極が、ポアデバイスの上側に露出する場合を説明したがその限りでなく、それらの両方あるいは片方は、下側に露出していてもよい。
実施の形態１〜３では、第１電極および第２電極が、ポアデバイスの上側に露出する場合を説明したがその限りでなく、それらの両方あるいは片方は、下側に露出していてもよい。
たとえば実施の形態３（実施例３，図１２）において、第１電極７１０、第２電極７２０を、絶縁フィルム８５０の上面に形成したがその限りでなく、絶縁フィルム８５０の底面に形成してもよい。
（変形例２）
実施の形態では、１枚の絶縁フィルムに、複数の電極を形成したがその限りでない。チップケースの積層構造は、複数の絶縁フィルムを含み、複数の絶縁フィルムそれぞれに、ひとつ、あるいは複数の電極を形成してもよい。この場合でも、電極を形成する層と、流路等の機械的構造を形成する層を分けることができ、製造コストを下げるという利点を享受できる。たとえば、実施の形態１と実施の形態３を組み合わせた構造としてもよい。すなわち、上側の絶縁フィルム（図５の５５０）と下側の絶縁フィルム（図１２の８５０）の両方を備える積層構造を作成し、一方の絶縁フィルムに第１電極を形成し、他方の絶縁フィルムに第２電極を形成してもよい。
実施の形態では、１枚の絶縁フィルムに、複数の電極を形成したがその限りでない。チップケースの積層構造は、複数の絶縁フィルムを含み、複数の絶縁フィルムそれぞれに、ひとつ、あるいは複数の電極を形成してもよい。この場合でも、電極を形成する層と、流路等の機械的構造を形成する層を分けることができ、製造コストを下げるという利点を享受できる。たとえば、実施の形態１と実施の形態３を組み合わせた構造としてもよい。すなわち、上側の絶縁フィルム（図５の５５０）と下側の絶縁フィルム（図１２の８５０）の両方を備える積層構造を作成し、一方の絶縁フィルムに第１電極を形成し、他方の絶縁フィルムに第２電極を形成してもよい。
（変形例３）
２つの絶縁フィルムを有する構成（変形例２）において、下側の絶縁フィルムに形成する電極を、底面側に形成してもよい。
２つの絶縁フィルムを有する構成（変形例２）において、下側の絶縁フィルムに形成する電極を、底面側に形成してもよい。
（変形例４）
第１電極および第２電極を、導電性インク（金属ナノインク）を手塗りして形成してもよいし、蒸着やスパッタ、メッキなどで形成してもよい。
第１電極および第２電極を、導電性インク（金属ナノインク）を手塗りして形成してもよいし、蒸着やスパッタ、メッキなどで形成してもよい。
（変形例５）
本明細書では微粒子計測装置について説明したが本発明の用途はそれに限定されず、ＤＮＡシーケンサをはじめとするポアデバイスを用いた微小電流計測を伴う計測器に広く用いることができる。
本明細書では微粒子計測装置について説明したが本発明の用途はそれに限定されず、ＤＮＡシーケンサをはじめとするポアデバイスを用いた微小電流計測を伴う計測器に広く用いることができる。
実施の形態にもとづき本発明を説明したが、実施の形態は、本発明の原理、応用を示しているにすぎず、実施の形態には、請求の範囲に規定された本発明の思想を逸脱しない範囲において、多くの変形例や配置の変更が認められる。
１ 微粒子測定システム
２ 電解液
４ 粒子
１００ ポアデバイス
２００ 計測装置
２１０ トランスインピーダンスアンプ
２２０ 電圧源
２３０ デジタイザ
３００ データ処理装置
４００ ポアデバイス
４１０ 第１電極
４１２ 浸潤部分
４１４ コンタクト部分
４２０ 第２電極
４２２ 浸潤部分
４２４ コンタクト部分
４３０ 第３電極
４３２ 浸潤部分
４３４ コンタクト部分
４４０ 第４電極
４４２ 浸潤部分
４４４ コンタクト部分
５００ チップケース
５１０ 第１層
５１２ 第１空間
５２０ 第２層
５２２ 第２空間
５３０ 第３層
５４０ 第４層
５４２，５４４ 切り欠き
５４６，５４８ 開口
５５０ 絶縁フィルム
５６０ 第１流路
５６２ 第３流路
５７０ 第２流路
５７２ 第４流路
６００ ポアチップ
６０２ 細孔
７００ ポアデバイス
７１０ 第１電極
７１２ 浸潤部分
７１４ コンタクト部分
７２０ 第２電極
７２２ 浸潤部分
７２４ コンタクト部分
８００ チップケース
８１０ 第１層
８１２ 第１空間
８２０ 第２層
８２２ 第２空間
８３０ 第３層
８４２，８４４ 切り欠き
８４６，８４８ 開口
８５０ 絶縁フィルム
８６０ 第１流路
８６２ 第３流路
８６３ 開口
８７０ 第２流路
８７２ 第４流路
８７３ 開口
９００ インタフェースソケット
９１０ 容器
９２０ 上蓋
Ｐ１，Ｐ２ プローブ
２ 電解液
４ 粒子
１００ ポアデバイス
２００ 計測装置
２１０ トランスインピーダンスアンプ
２２０ 電圧源
２３０ デジタイザ
３００ データ処理装置
４００ ポアデバイス
４１０ 第１電極
４１２ 浸潤部分
４１４ コンタクト部分
４２０ 第２電極
４２２ 浸潤部分
４２４ コンタクト部分
４３０ 第３電極
４３２ 浸潤部分
４３４ コンタクト部分
４４０ 第４電極
４４２ 浸潤部分
４４４ コンタクト部分
５００ チップケース
５１０ 第１層
５１２ 第１空間
５２０ 第２層
５２２ 第２空間
５３０ 第３層
５４０ 第４層
５４２，５４４ 切り欠き
５４６，５４８ 開口
５５０ 絶縁フィルム
５６０ 第１流路
５６２ 第３流路
５７０ 第２流路
５７２ 第４流路
６００ ポアチップ
６０２ 細孔
７００ ポアデバイス
７１０ 第１電極
７１２ 浸潤部分
７１４ コンタクト部分
７２０ 第２電極
７２２ 浸潤部分
７２４ コンタクト部分
８００ チップケース
８１０ 第１層
８１２ 第１空間
８２０ 第２層
８２２ 第２空間
８３０ 第３層
８４２，８４４ 切り欠き
８４６，８４８ 開口
８５０ 絶縁フィルム
８６０ 第１流路
８６２ 第３流路
８６３ 開口
８７０ 第２流路
８７２ 第４流路
８７３ 開口
９００ インタフェースソケット
９１０ 容器
９２０ 上蓋
Ｐ１，Ｐ２ プローブ
Claims (8)
- 細孔を有するポアチップと、
前記ポアチップを収容するチップケースと、
を備え、
前記チップケースは、
その表面に第１電極と第２電極が形成される絶縁フィルムと、
前記ポアチップを挟み込む第１層および第２層と、
を含む積層構造を有し、
前記第１層の内部には、前記ポアチップの前記細孔と連続する第１空間が形成され、
前記第２層の内部には、前記ポアチップの前記細孔と連続する第２空間が形成され、
前記チップケースには、前記第１空間から前記第１電極の一端に連通する第１流路と、前記第２空間から前記第２電極の一端に連通する第２流路が形成され、
前記第１電極のコンタクト部分と前記第２電極のコンタクト部分が外部に露出していることを特徴とするポアデバイス。 - 前記第１電極および前記第２電極の前記一端は、第１材料で形成され、
前記第１電極および前記第２電極の前記コンタクト部分は、前記第１材料と異なる第２材料で形成されることを特徴とする請求項１に記載のポアデバイス。 - 前記第１材料は、Ａｇ／ＡｇＣｌであり、前記第２材料は、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔのいずれかを含むことを特徴とする請求項２に記載のポアデバイス。
- 前記第１層および前記第２層は、前記絶縁フィルムと材料が異なることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のポアデバイス。
- 前記第１電極および前記第２電極は印刷により形成されることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のポアデバイス。
- 前記絶縁フィルムは、前記第１層および前記第２層より上側に設けられることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のポアデバイス。
- 前記絶縁フィルムは、前記積層構造の最下層に設けられることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のポアデバイス。
- 請求項１から７のいずれかに記載のポアデバイスと、
前記ポアデバイスが装着されるインタフェースソケットを有する計測装置と、
を備えることを特徴とする微粒子測定システム。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020012751A JP7034429B2 (ja) | 2020-01-29 | 2020-01-29 | ポアデバイスおよび微粒子測定システム |
| PCT/JP2020/041932 WO2021152954A1 (ja) | 2020-01-29 | 2020-11-10 | ポアデバイスおよび微粒子測定システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020012751A JP7034429B2 (ja) | 2020-01-29 | 2020-01-29 | ポアデバイスおよび微粒子測定システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021117198A true JP2021117198A (ja) | 2021-08-10 |
| JP7034429B2 JP7034429B2 (ja) | 2022-03-14 |
Family
ID=77078935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020012751A Active JP7034429B2 (ja) | 2020-01-29 | 2020-01-29 | ポアデバイスおよび微粒子測定システム |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7034429B2 (ja) |
| WO (1) | WO2021152954A1 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1673279A1 (de) * | 1967-07-18 | 1971-06-09 | Transform Roentgen Matern Veb | Einrichtung zur Groessenbestimmung und Zaehlung von in einer Suspension enthaltenen Teilchen |
| JP2004184406A (ja) * | 2002-11-21 | 2004-07-02 | Sysmex Corp | 測定ユニットと、それに用いる仕切り部材と、仕切り部材を成型する金型と、仕切り部材の製造方法 |
| US20150060276A1 (en) * | 2012-03-13 | 2015-03-05 | Peking University | Nanopore Control With Pressure and Voltage |
| WO2017149756A1 (ja) * | 2016-03-04 | 2017-09-08 | 株式会社日立製作所 | 粒子分析装置及び粒子分析方法 |
| US20180238824A1 (en) * | 2017-02-21 | 2018-08-23 | Qualcomm Incorporated | Noise improvement in dna sequencing circuit by finfet-like nanopore formation |
-
2020
- 2020-01-29 JP JP2020012751A patent/JP7034429B2/ja active Active
- 2020-11-10 WO PCT/JP2020/041932 patent/WO2021152954A1/ja not_active Application Discontinuation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1673279A1 (de) * | 1967-07-18 | 1971-06-09 | Transform Roentgen Matern Veb | Einrichtung zur Groessenbestimmung und Zaehlung von in einer Suspension enthaltenen Teilchen |
| JP2004184406A (ja) * | 2002-11-21 | 2004-07-02 | Sysmex Corp | 測定ユニットと、それに用いる仕切り部材と、仕切り部材を成型する金型と、仕切り部材の製造方法 |
| US20150060276A1 (en) * | 2012-03-13 | 2015-03-05 | Peking University | Nanopore Control With Pressure and Voltage |
| WO2017149756A1 (ja) * | 2016-03-04 | 2017-09-08 | 株式会社日立製作所 | 粒子分析装置及び粒子分析方法 |
| US20180238824A1 (en) * | 2017-02-21 | 2018-08-23 | Qualcomm Incorporated | Noise improvement in dna sequencing circuit by finfet-like nanopore formation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP7034429B2 (ja) | 2022-03-14 |
| WO2021152954A1 (ja) | 2021-08-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10976301B2 (en) | Wafer-scale assembly of insulator-membrane-insulator devices for nanopore sensing | |
| US5344545A (en) | Electrolytic sensor for measuring the content of gas in a fluid | |
| CA1184251A (en) | Probe for medical application | |
| JPH01112149A (ja) | 電気化学的電極構造 | |
| JPH03505785A (ja) | マイクロ多電極構造 | |
| Hwang et al. | CMOS microelectrode array for electrochemical lab-on-a-chip applications | |
| US9201058B2 (en) | Apparatus and method for sensing a time varying ionic current in an electrolytic system | |
| US5352352A (en) | Carbonic acid gas sensor | |
| US20030217919A1 (en) | Electrochemical sensor | |
| US20190271657A1 (en) | Arrangement and method for the electrochemical analysis of liquid samples by means of lateral flow assays | |
| TW201736838A (zh) | 具有電極電壓感測連接的電化學式分析測試條及搭配其使用的手持式測試計 | |
| JP7034429B2 (ja) | ポアデバイスおよび微粒子測定システム | |
| JP7058579B2 (ja) | ポアデバイスおよび微粒子測定システム | |
| CN102770756B (zh) | 具有工作电极的受控变化的层压电化学传感器 | |
| US20160313283A1 (en) | Sensor device, a method and a sensor to determine a relative concentration of a first kind of ions with respect to a second kind of ions solute in a drop of liquid | |
| US20100019782A1 (en) | Cellular potential measurement container | |
| JP4691407B2 (ja) | 細胞電位測定用容器 | |
| CN114460147A (zh) | 一种直立石墨烯电化学微电极结构 | |
| JP7325614B2 (ja) | 電気化学分析チップ | |
| CN220983183U (zh) | 电极芯片及电化学检测装置 | |
| JP7082020B2 (ja) | ポアチップケースおよび微粒子測定システム | |
| JP4834335B2 (ja) | 細胞電位測定用容器 | |
| JP2019513980A (ja) | 試験要素分析システム | |
| JP2016529529A (ja) | 極薄不連続金属層を備える電気化学式分析試験ストリップ | |
| Zheng et al. | Notice of Violation of IEEE Publication Principles: Chip Based Microelectrochemical Cell Array for Whole-Cell Patch-Clamp Recording |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220118 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20220118 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220201 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220204 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7034429 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S801 | Written request for registration of abandonment of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R311801 |
|
| ABAN | Cancellation due to abandonment | ||
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |