JP2021111671A - Die bonding apparatus, method for manufacturing semiconductor device, and expanding apparatus - Google Patents
Die bonding apparatus, method for manufacturing semiconductor device, and expanding apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021111671A JP2021111671A JP2020001710A JP2020001710A JP2021111671A JP 2021111671 A JP2021111671 A JP 2021111671A JP 2020001710 A JP2020001710 A JP 2020001710A JP 2020001710 A JP2020001710 A JP 2020001710A JP 2021111671 A JP2021111671 A JP 2021111671A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- die
- expanding
- dicing tape
- rotary table
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 33
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 44
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 10
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 101710171187 30S ribosomal protein S10 Proteins 0.000 description 1
- 101710171221 30S ribosomal protein S11 Proteins 0.000 description 1
- 101710171220 30S ribosomal protein S12 Proteins 0.000 description 1
- 101710171219 30S ribosomal protein S13 Proteins 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
Description
本開示はダイボンディング装置に関し、例えばエキスパンド機構を備えるダイボンダに適用可能である。 The present disclosure relates to a die bonding apparatus, and is applicable to, for example, a die bonder provided with an expanding mechanism.
一般に、ダイと呼ばれる半導体チップを、例えば、配線基板やリードフレームなど(以下、総称して基板という。)の表面に搭載するダイボンダにおいては、一般的に、コレット等の吸着ノズルを用いてダイを基板上に搬送し、押付力を付与すると共に、接合材を加熱することによりボンディングを行うという動作(作業)が繰り返して行われる。 Generally, in a die bonder in which a semiconductor chip called a die is mounted on the surface of, for example, a wiring board or a lead frame (hereinafter, collectively referred to as a board), the die is generally used by using a suction nozzle such as a collet. The operation (work) of transporting the bonding material onto the substrate, applying a pressing force, and heating the bonding material to perform bonding is repeated.
ダイボンダ等の半導体製造装置によるダイボンディング工程の中には、半導体ウェハ(以下、ウェハという。)から分割されたダイを剥離する剥離工程がある。剥離工程では、ダイシングテープ裏面から突上げユニットによってダイを突き上げて、ダイ供給部に保持されたダイシングテープから、1個ずつ剥離し、コレット等の吸着ノズルを使って基板上に搬送する。 Among the die bonding steps by a semiconductor manufacturing apparatus such as a die bonder, there is a peeling step of peeling a die divided from a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer). In the peeling step, the die is pushed up from the back surface of the dicing tape by a push-up unit, peeled one by one from the dicing tape held in the die supply unit, and conveyed onto the substrate using a suction nozzle such as a collet.
一般に、伸縮性のシート材から成るウェハシート(ダイシングテープ)に接着(貼付)された複数の半導体チップを、コレットによってピックアップする際、半導体チップ同士の接触を避けるために、ウェハシートを引き伸ばすことによって半導体チップ相互間の隙間を拡大させることが行われている。 Generally, when a plurality of semiconductor chips adhered (attached) to a wafer sheet (dicing tape) made of an elastic sheet material are picked up by a collet, the wafer sheet is stretched to avoid contact between the semiconductor chips. The gap between the semiconductor chips is expanded.
一般に、ウェハが貼付されたウェハシートの外周部は円環状のウェハリングに保持されている。そして、エキスパンド装置は、そのウェハリングを固定リングの回り(外側)に同心状に配置して、昇降機構を使用して加圧リングを引き下げることによりウェハリングを下降させるという動作を行う(例えば、特許文献1参照)。この動作により、ウェハリングに保持されているウェハシートが固定リングの上において外周の方向に向かって伸張されるので、半導体チップ同士の間隔が広がる。 Generally, the outer peripheral portion of the wafer sheet to which the wafer is attached is held by an annular wafer ring. Then, the expanding device performs an operation of arranging the wafer rings concentrically around the fixing ring (outside) and lowering the wafer ring by pulling down the pressure ring using an elevating mechanism (for example,). See Patent Document 1). By this operation, the wafer sheet held by the wafer ring is stretched on the fixing ring toward the outer circumference, so that the distance between the semiconductor chips is widened.
特許文献1では、加圧リングが二つに分割されているが、昇降用モータによりベースリングが昇降して二つの加圧リングに均一に荷重が負荷される。しかし、均一の荷重では、ダイシングシート(ダイシングテープ)からダイがピックアップされると、ダイシングテープの張力が変化してしまう。
本開示の課題はダイシングテープの張力の均一性を向上させる技術を提供することにある。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
In
An object of the present disclosure is to provide a technique for improving the tension uniformity of a dicing tape.
Other challenges and novel features will become apparent from the description and accompanying drawings herein.
本開示によれば、
回転テーブルと、
前記回転テーブルの外周上であって、前記回転テーブルの中心から放射状に仮想的に並べられた複数の直線上にそれぞれ設けられ、前記ダイシングテープを引き伸ばすエキスパンド部と、を備え、
前記エキスパンド部のそれぞれは、
前記ダイシングテープを下から支持する支持部と、
前記ウェハリングに上から当接して押し下げる加圧部と、
前記加圧部を回転させるアクチュエータと、を備える技術が提供される。
According to this disclosure
Rotating table and
An expanding portion, which is provided on the outer circumference of the rotary table and is provided on a plurality of straight lines virtually arranged radially from the center of the rotary table and stretches the dicing tape, is provided.
Each of the expanded parts
A support portion that supports the dicing tape from below, and
A pressurizing part that comes into contact with the wafer ring from above and pushes it down,
A technique comprising an actuator for rotating the pressurizing portion is provided.
本開示によれば、ダイシングテープの張力の均一性を向上させることが可能である。 According to the present disclosure, it is possible to improve the tension uniformity of the dicing tape.
以下、実施例について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。なお、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。 Hereinafter, examples will be described with reference to the drawings. However, in the following description, the same components may be designated by the same reference numerals and repeated description may be omitted. In addition, in order to clarify the explanation, the drawings may schematically represent the width, thickness, shape, etc. of each part as compared with the actual embodiment, but this is just an example, and the interpretation of the present invention is used. It is not limited.
図1は実施例におけるダイボンダを上から見た概念図である。図2は図1において矢印A方向から見たときに、ピックアップヘッド及びボンディングヘッドの動作を説明する図である。図3はウェハリングにマウントされたウェハを表わす斜視図である。 FIG. 1 is a conceptual diagram of the die bonder in the embodiment as viewed from above. FIG. 2 is a diagram illustrating the operation of the pickup head and the bonding head when viewed from the direction of arrow A in FIG. FIG. 3 is a perspective view showing a wafer mounted on a wafer ring.
ダイボンダ10は、大別して、基板Sに実装するダイDを供給するダイ供給部1と、ピックアップ部2、中間ステージ部3と、ボンディング部4と、搬送部5、基板供給部6と、基板搬出部7と、各部の動作を監視し制御する制御部8と、を有する。Y軸方向がダイボンダ10の前後方向であり、X軸方向が左右方向である。ダイ供給部1がダイボンダ10の手前側に配置され、ボンディング部4が奥側に配置される。ここで、基板Sには、一つ又は複数の最終1パッケージとなる製品エリア(以下、パッケージエリアPという。)がプリントされている。
The
ダイ供給部1は基板SのパッケージエリアPに実装するダイDを供給する。ダイ供給部1は、ウェハ11を保持するウェハ保持台12と、ウェハ11からダイDを突き上げる点線で示す剥離ユニット13と、を有する。ウェハ保持台12は後述するXY駆動機構によってXY軸方向にウェハ11を移動させ、ピックアップするダイDを剥離ユニット13の位置に移動させる。ここで、ウェハ11は、図3に示すように、伸張性を有する樹脂テープで構成され、片面に粘着層が形成された厚さ100μm程度のダイシングテープ16に裏面を貼り付けられ、剛性のあるリング状のフレームであるウェハリング14にマウントされている。そして、ウェハリング14には、方向検出のための切欠部14aおよび外周の4方向に直線部分14b1〜14b4が設けられている。ウェハ11はウェハリング14にマウントされた状態でダイシング工程内、ダイシング工程−ダイボンディング工程間、及びダイボンディング工程内を搬送される。
The die
ピックアップ部2は、ダイDをピックアップするピックアップヘッド21と、ピックアップヘッド21をY軸方向に移動させるピックアップヘッドのY駆動部23と、コレット22を昇降、回転及びX軸方向移動させる図示しない各駆動部と、ウェハ保持台12上のダイDを認識する為のウェハ認識カメラ24(図2参照)と、を有する。ピックアップヘッド21は、突き上げられたダイDを先端に吸着保持するコレット22(図2も参照)を有し、ダイ供給部1からダイDをピックアップし、中間ステージ31に載置する。ピックアップヘッド21は、コレット22を昇降、回転及びX軸方向移動させる図示しない各駆動部を有する。
The
中間ステージ部3は、ダイDを一時的に載置する中間ステージ31と、中間ステージ31上のダイDを認識する為のステージ認識カメラ32と、を有する。
The
ボンディング部4は、中間ステージ31からダイDをピックアップし、搬送されてくる基板SのパッケージエリアP上にボンディングし、又は既に基板SのパッケージエリアPの上にボンディングされたダイの上に積層する形でボンディングする。ボンディング部4は、ピックアップヘッド21と同様にダイDを先端に吸着保持するコレット42(図2も参照)を備えるボンディングヘッド41と、ボンディングヘッド41をY軸方向に移動させるY駆動部43と、基板SのパッケージエリアPの位置認識マーク(図示せず)を撮像し、ボンディング位置を認識する基板認識カメラ44とを有する。このような構成によって、ボンディングヘッド41は、ステージ認識カメラ32の撮像データに基づいてピックアップ位置・姿勢を補正し、中間ステージ31からダイDをピックアップし、基板認識カメラ44の撮像データに基づいて基板SにダイDをボンディングする。
The
搬送部5は、基板Sを掴み搬送する基板搬送爪51と、基板Sが移動する搬送レーン52と、を有する。基板Sは、例えば搬送レーン52に設けられた基板搬送爪51の図示しないナットを搬送レーン52に沿って設けられた図示しないボールネジで駆動することによって移動する。このような構成によって、基板Sは、基板供給部6から搬送レーン52に沿ってボンディング位置まで移動し、ボンディング後、基板搬出部7まで移動して、基板搬出部7に基板Sを渡す。
The
制御部8は、ダイボンダ10の各部の動作を監視し制御するプログラム(ソフトウェア)を格納するメモリと、メモリに格納されたプログラムを実行する中央処理装置(CPU)と、を備える。
The
次に、ダイ供給部1について図4〜図8を用いて説明する。図4は図1のウェハ保持台の主要部を示す側面図である。図5は図4のウェハ保持台の主要部を示す上面図である。図6は図4のウェハ保持台の動作を説明する上面図であり、図6(a)はウェハ保持台におけるウェハの受け払い出し時の状態を示し、図6(b)はウェハ保持台における径が大きいウェハをエキスパンドする状態を示し、図6(c)はウェハ保持台における径が小さいウェハをエキスパンドする状態を示す。図7は図4のウェハ保持台の動作を説明する断面図であり、図7(a)は図6(a)のB−B線における断面図を示し、図7(b)は図6(b)のB−B線における断面図を示し、図7(c)は図6(b)のB−B線におけるエキスパンドした状態の断面図を示す。図8は図4のエキスパンド機構の動作を説明するフローチャートである。図9は図4のウェハ保持台の動作を説明する断面図であり、図9(a)は図6(a)のB−B線における断面図を示し、図9(b)は図6(c)のB−B線における断面図を示し、図9(c)は図6(c)のB−B線におけるエキスパンドした状態の断面図を示す。
Next, the
ダイ供給部1は、ウェハ11を水平方向(XY軸方向)に移動させるウェハ保持台12と、上下方向に移動する剥離ユニット13と、を備える。剥離ユニット13はウェハ保持台12の内側に配置される。ダイ供給部1は、ダイDのピックアップ時に、ウェハ保持台12のエキスパンド機構15によりウェハリング14に保持されているダイシングテープ16を引き伸ばしてダイDの間隔を広げると共に、剥離ユニット13によりダイD下方よりダイDを突き上げたりスライドしたりして、ダイDのピックアップ性を向上させている。
The
ウェハ保持台12は、図4に示すように、エキスパンド機構15と、エキスパンド機構15を水平面(XY平面)内で回転させるθ回転機構17と、θ回転機構17を水平面内のX軸方向およびY軸方向に移動させるXY駆動機構18と、を備える。
As shown in FIG. 4, the wafer holding table 12 includes an expanding
図4に示すように、θ回転機構17は、XY駆動機構18の上に回動自在に取り付けられた回転テーブル171と、XY駆動機構18の上に固定して設けられ、回転テーブル171をXY平面内で回転させる回転駆動部172と、を備える。図7(a)に示すように、回転テーブル171は、断面五角形状のリング体であり、水平部171aと、水平部171aの外周側から外周縁に向かって厚さが薄くなるように延びる外周部171bとで構成される。外周部171bの先端部は回転駆動部172の凹部に嵌合して、回転テーブル171は回転駆動部172により回転する。図4に示すように、回転テーブル171の水平部171aの上に、ウェハリング14を載置してダイシングテープ16を引き伸ばすエキスパンド機構15が設けられている。
As shown in FIG. 4, the
図5に示すように、エキスパンド機構15は、ダイシングテープ16を引き伸ばすエキスパンド部151と、エキスパンド部151を半径方向に移動させる開閉移動部152と、ウェハリング14をアライメント調整する外側当て部153および内側当て部154と、をそれぞれ十二個備える。十二組のエキスパンド部151と開閉移動部152と外側当て部153と内側当て部154はリング体の回転テーブル171の上に略等間隔に配置されている。すなわち、エキスパンド部151は、回転テーブル171の外周に位置する水平部171aの上であって、回転テーブル171の中心0から十二方向に放射状に仮想的に並べられた直線上に配置されている。
As shown in FIG. 5, the expanding
図7(a)に示すように、エキスパンド部151は、ベース部151aと、回転テーブル171の上に固定される固定部151bと、ベース部151aの下部に設けられてベース部151aを固定部151bに対して回転テーブル171の半径方向に摺動するスライド部151cと、モータ等のアクチュエータ151dと、アクチュエータ151dに取り付けられる円盤状の回転体151eと、回転体151eの回転中心から偏心して設けられる円柱状の加圧部151fと、を備える。加圧部151fの径は回転体151eの径よりも小さい。
As shown in FIG. 7A, the expanding
図7(a)に示すように、エキスパンド部151は、さらに、アクチュエータ151dを固定する第一垂直部151gと、ダイシングテープ16を下から支持する支持部としての第二垂直部151hと、開閉移動部152のアーム部152bが取り付けられる穴152iと、を備える。図5に示すように、ベース部151aは上面視で矩形状であり、回転テーブル171の半径方向に沿う方向の長さは回転テーブル171の円周の接線方向に沿う方向の長さ(幅)よりも長く構成されている。ベース部151aの幅は隣合うエキスパンド151の間の間隔よりも狭く構成されている。
As shown in FIG. 7A, the expanding
図7(a)に示すように、第一垂直部151gはベース部151aの回転テーブル171の半径方向における中央付近の上面から垂直に上方に伸びており、上面視で矩形状であり、回転テーブル171の半径方向の長さ(幅)は回転テーブル171の円周の接線方向の長さよりも短く構成されている。第二垂直部151hはベース部151aの回転テーブル171の半径方向における内側端部の上面から垂直に上方に伸びており、上面視で矩形状であり、回転テーブル171の半径方向の長さ(幅)は回転テーブル171の円周の接線方向の長さよりも短く構成されている。第一垂直部151gの垂直方向の長さ(高さ)は第二垂直部151hの垂直方向の長さ(高さ)よりも大きく、第一垂直部151gの幅は第二垂直部151hの幅よりも広く構成されている。
As shown in FIG. 7A, the first
図7(a)に示すように、第一垂直部151gと第二垂直部151hとで凹部151jが構成され、凹部151j内に回転体151eと加圧部151fが納められている。第一垂直部151gは第二垂直部151hの上面の高さ付近に回転テーブル171の半径方向内側および外側に開口を有する孔が形成されており、その孔にアクチュエータ151dが挿入されて固定されている。アクチュエータ151dの回転テーブル171の半径方向内側には回転体151eが取り付けられている。回転体151eの回転軸は水平方向に延伸し、回転体151eは回転軸を中心とする円柱状の第一回転部と、第一回転部の外径よりも大きい外径を有する円盤状の第二回転部とで構成されている。図5に示すように、回転体151eの回転軸は第一垂直部151gの回転テーブル171の円周の接線方向における中央からずれて端部に近く位置する。ただし、回転体151eは、回転テーブル171の外周に位置する水平部171aの上であって、回転テーブル171の中心Oから十二方向に放射状に仮想的に並べられた直線上に配置されている。
As shown in FIG. 7A, a recess 151j is formed by the first
図7(b)および図7(c)に示すように、加圧部151fは、第二垂直部151hの外周側に配設され、回転体151eの回転により降下されることによって、ウェハリング14を第二垂直部151h側へ押し付けて、ダイシングテープ16を引き伸ばすものである。加圧部151fがウェハリング14と接する円周方向の幅は隣り合う加圧部151fの間隔よりも小さい。
As shown in FIGS. 7 (b) and 7 (c), the pressurizing
図5に示すように、ウェハリング14の四方向の外側には直線部分14b1〜14b4があり、直線部分ではウェハリング14の外径が小さくなっている。当該直線部分に対向する箇所にもエキスパンド部151を設けている。よって、当該直線部分に対向するエキスパンド部151の加圧部151fと回転体151eの第二回転部との間に長さ調整部151kを有しており、回転体151eの第二回転部から加圧部151fの先端までの回転テーブル171の半径方向の長さは、他のエキスパンド部151の回転体151eの第二回転部から加圧部151fの先端までの長さよりも長くなってウェハリング14を押し付けられるようになっている。
As shown in FIG. 5, there are straight portions 14b1 to 14b4 outside the
開閉移動部152は、図5に示すように、回転テーブル171の水平部171aの上面に配置されるアクチュエータ152aと、エキスパンド部151のベース部151aの穴152iに嵌合してエキスパンド部151をスライドさせるリンク状のアーム部152bとを備えている。
As shown in FIG. 5, the opening /
次に、エキスパンド機構15によって、ダイシングテープ16をエキスパンドする方法について図5〜8を用いて説明する。
Next, a method of expanding the dicing
(ステップS1:ウェハ受入れ)
まず、ウェハリング14をウェハ保持台12のエキスパンド機構15に搬入する場合は、制御部8は、図示しない搬送手段によってウェハリング14を保持し、移送してエキスパンド機構15に搬入する。制御部8は、図5、図6(a)および図7(a)に示すように、アクチュエータ152aを動作させることにより、アーム部152bを回転テーブル171の半径方向外側に駆動させて、エキスパンド部151を回転テーブル171の半径方向外側に移動させる。その際、制御部8は、ウェハリング14が第二垂直部151hの上面に載置されるようエキスパンド部151を移動させる。エキスパンド部151の移動の際には、スライド部151cが固定部151bに対して摺動することになる。
(Step S1: Wafer acceptance)
First, when the
(ステップS2:ウェハセンタリング)
次に、制御部8は、アクチュエータ152aを動作させることにより、アーム部152bを回転テーブル171の半径方向内側に駆動させて、図6(b)に示すように、エキスパンド部151を回転テーブル171の半径方向内側に移動させる。これにより、図7(b)に示すように、ウェハリング14の外周縁が加圧部151fの回転テーブル171の半径方向の中央部に位置し、ウェハリング14の内周縁が第二垂直部151hよりも回転テーブル171の半径方向外側に位置する。このとき、加圧部151fがウェハリング14の上方に位置するように、アクチュエータ151dを動作させている。
(Step S2: Wafer centering)
Next, the
(ステップS3:ダイシングテープ引伸ばし)
次に、制御部8は、アクチュエータ151dを動作させることにより、回転体151eを介して加圧部151fを回転させて、加圧部151fを降下させる。加圧部151fの降下に伴って、図6(c)に示すように、加圧部151fがウェハリング14を押し下げる。そして、回転テーブル171の円周上に設けられた十二個のエキスパンド部151により、ダイシングテープ16が放射状に引き伸ばされ、ダイD相互間が拡大される。なお、各エキスパンド部151はアクチュエータ152aを備えており、回転体151eの回転角度により、加圧部151fによる引き伸ばし力を調整することが可能であり、十二個のエキスパンド部151それぞれの引き伸ばし力を個別に調整することが可能である。
(Step S3: Stretching dicing tape)
Next, the
(ステップS4:ダイピックアップ)
制御部8は、ダイシングテープ16が引き伸ばされた状態で、ダイシングテープ16からピックアップされるダイDは、ウェハ認識カメラ24による撮像画像に基づいてθ回転機構17およびXY駆動機構18により位置決めする。その後、制御部8は、剥離ユニット13とコレット22との協働によりダイDをピックアップする。
(Step S4: Die pickup)
The
(ステップS5:ウェハ払出し)
ピックアップされるダイが全てピックアップされた後、制御部8は、アクチュエータ151dにより回転体151eを介して加圧部151fを回転させて、加圧部151fを上昇させる。加圧部151fの上昇に伴って、ウェハリング14が上昇し、図6(b)の状態となる。その後、制御部8は、アクチュエータ152aを動作させることにより、アーム部152bを回転テーブル171の半径方向外側に駆動させて、エキスパンド部151を回転テーブル171の半径方向外側に移動させる。これにより、図6(a)に示す初期状態となり、図示しない搬送手段によってウェハリング14を保持し、エキスパンド機構15から移送して搬出する。
(Step S5: Wafer dispensing)
After all the dies to be picked up are picked up, the
次に、図6(c)に示すように、半導体ウェハの径(ウェハリングの外径)が図6(b)よりも小さい場合におけるエキスパンド機構15によって、ダイシングテープ16をエキスパンドする方法について図9を用いて説明する。
Next, as shown in FIG. 6 (c), a method of expanding the dicing
(ステップS1:ウェハ受入れ)
まず、ウェハリング14をウェハ保持台12のエキスパンド機構15に搬入する場合は、制御部8は、図示しない搬送手段によってウェハリング14を保持し、移送してエキスパンド機構15に搬入する。その際、エキスパンド部151は、図9(a)に示す初期状態から、アクチュエータ152aを動作させることにより、アーム部152bを回転テーブル171の半径方向内側に駆動させて、エキスパンド部151を回転テーブル171の半径方向内側に移動させてウェハリング14が第二垂直部151hの上面に載置されるようにする。この状態をウェハ受入れ状態としてもよい。
(Step S1: Wafer acceptance)
First, when the
(ステップS2:ウェハセンタリング)
次に、制御部8は、アクチュエータ152aを動作させることにより、アーム部152bを回転テーブル171の半径方向内側に駆動させて、エキスパンド部151を回転テーブル171の半径方向内側に移動させる。これにより、図9(b)に示すように、ウェハリング14の外周縁が加圧部151fの回転テーブル171の半径方向の中央部に位置し、ウェハリング14の内周縁が第二垂直部151hよりも回転テーブル171の半径方向外側に位置する。このとき、加圧部151fがウェハリング14の上方に位置するように、アクチュエータ151dを動作させている。
(Step S2: Wafer centering)
Next, the
ステップS3,S4は図6(b)のウェハ大口径の場合と同様である。 Steps S3 and S4 are the same as in the case of the large wafer diameter of FIG. 6B.
(ステップS5:ウェハ払出し)
ピックアップされるダイが全てピックアップされた後、制御部8は、アクチュエータ151dにより回転体151eを介して加圧部151fを回転させて、加圧部151fを上昇させる。加圧部151fの上昇に伴って、ウェハリング14が上昇し、図9(b)の状態となる。その後、制御部8は、アクチュエータ152aを動作させることにより、アーム部152bを回転テーブル171の半径方向外側に駆動させて、エキスパンド部151を回転テーブル171の半径方向外側に移動させて、初期状態またはウェハ受入れ払出し状態にする。その後、制御部8は、図示しない搬送手段によってウェハリング14を保持し、エキスパンド機構15から移送して搬出する。
(Step S5: Wafer dispensing)
After all the dies to be picked up are picked up, the
例えば、図6(b)に示すウェハ11の径は約300mm(12インチ)であり、図6(c)に示すウェハ11の径は約200mm(8インチ)であるが、これに限定されるものではなく、例えば図6(b)に示すウェハ11の径は約400mm(16インチ)であり、図6(c)に示すウェハ11の径は約300mmであってもよい。
For example, the diameter of the
なお、ダイを基板に接着する接着剤は、液状からフィルム状となり、ウェハ11とダイシングテープ16との間にダイアタッチフィルム(DAF)と呼ばれるフィルム状の接着材料を貼り付けている。DAFを有するウェハ11では、ダイシングは、ウェハ11とDAFに対して行なわれる。従って、剥離工程では、ウェハ11とDAFをダイシングテープ16から剥離する。
The adhesive for adhering the die to the substrate changes from a liquid to a film, and a film-like adhesive material called a die attach film (DAF) is attached between the
次に、実施例に係るダイボンダを用いた半導体装置の製造方法について図10を用いて説明する。図10は図1のダイボンダを用いた半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。 Next, a method of manufacturing a semiconductor device using a die bonder according to an embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a flowchart showing a method of manufacturing a semiconductor device using the die bonder of FIG.
(ステップBS11:ウェハ・基板搬入工程)
ウェハ11から分割されたダイDが貼付されたダイシングテープ16を保持したウェハリング14をウェハカセット(不図示)に格納し、ダイボンダ10に搬入する。制御部8はウェハリング14が充填されたウェハカセットからウェハリング14をダイ供給部1に供給する。また、基板Sを準備し、ダイボンダ10に搬入する。制御部8は基板供給部6で基板Sを基板搬送爪51に取り付ける。
(Step BS11: Wafer / substrate loading process)
The
(ステップBS12:ピックアップ工程)
制御部8は上述したステップS1〜S4により、ダイシングテープ16を引き伸ばしてダイDを剥離し、剥離したダイDをウェハ11からピックアップする。このようにして、DAFと共にダイシングテープ16から剥離されたダイDは、コレット22に吸着、保持されて次工程(ステップBS13)に搬送される。そして、ダイDを次工程に搬送したコレット22がダイ供給部1に戻ってくると、上記した手順に従って、次のダイDがダイシングテープ16から剥離され、以後同様の手順に従ってダイシングテープ16から1個ずつダイDが剥離される。
(Step BS12: Pickup process)
The
(ステップBS13:ボンディング工程)
制御部8はピックアップしたダイを基板S上に搭載又は既にボンディングしたダイの上に積層する。制御部8はウェハ11からピックアップしたダイDを中間ステージ31に載置し、ボンディングヘッド41で中間ステージ31から再度ダイDをピックアップし、搬送されてきた基板Sにボンディングする。
(Step BS13: Bonding process)
The
(ステップBS14:基板搬出工程)
制御部8は基板搬出部7で基板搬送爪51からダイDがボンディングされた基板Sを取り出す。ダイボンダ10から基板Sを搬出する。
(Step BS14: Substrate unloading process)
The
上述したように、ダイDは、DAFを介して基板S上に実装され、ダイボンダから搬出される。積層パッケージの場合は、その後、ワイヤボンディング工程でAuワイヤを介して基板Sの電極と電気的に接続される。続いて、ダイDが実装された基板Sがダイボンダに搬入されて基板S上に実装されたダイDの上にDAFを介して第2のダイDが積層され、ダイボンダから搬出された後、ワイヤボンディング工程でAuワイヤを介して基板Sの電極と電気的に接続される。第2のダイDは、前述した方法でダイシングテープ16から剥離された後、ペレット付け工程に搬送されてダイDの上に積層される。上記工程が所定回数繰り返された後、基板Sをモールド工程に搬送し、複数個のダイDとAuワイヤとをモールド樹脂(図示せず)で封止することによって、積層パッケージが完成する。
As described above, the die D is mounted on the substrate S via the DAF and carried out from the die bonder. In the case of a laminated package, it is then electrically connected to the electrodes of the substrate S via Au wires in a wire bonding step. Subsequently, the substrate S on which the die D is mounted is carried into the die bonder, the second die D is laminated on the die D mounted on the substrate S via the DAF, and is carried out from the die bonder, and then the wire. In the bonding step, it is electrically connected to the electrode of the substrate S via the Au wire. The second die D is peeled from the dicing
実施例によれば、以下に示す一つまたは複数の効果がある。 According to the examples, there are one or more effects shown below.
(1)エキスパンド部をコンパクトにユニット化して円周上に複数配置することにより、ダイシングシートの張力及び面内均一性を安定化することが可能になる。ここで、コンパクトとは、例えば、エキスパンド部の幅を隣り合うエキスパンド部の間隔よりも小さくすることである。 (1) By compactly unitizing the expanding portion and arranging a plurality of the expanding portions on the circumference, it is possible to stabilize the tension and the in-plane uniformity of the dicing sheet. Here, "compact" means, for example, to make the width of the expanding portion smaller than the distance between the adjacent expanding portions.
特許文献1の加圧リングでダイシングテープを引き伸ばすと、全体に力が一様に掛かるが、ダイのピックアップが進むと、ダイがピックアップされた箇所と、ダイが残っている箇所とでは、ダイシングテープの引き伸ばす量が変化する(ピックアップ過程で発生する張力の変化がある)。各エキスパンド部は回転体151eの角度を変えて加圧部151fの上下方向の位置を変えることによりダイシングシートの張力が調整可能であるので、ピックアップする各ダイの張力(ウェハ内のエリア毎も)一定にすることが可能である。
When the dicing tape is stretched with the pressure ring of
なお、ダイシングテープ上のダイの位置、ダイシングテープの張力およびエキスパンド部の回転体の角度との関係を予め求めて、制御部の記憶装置等に記憶させておくことにより、制御部はダイがピックアップされた箇所(ピックアップされていない箇所)に基づいて、ダイシングテープの張力を均一になるよう回転体の角度を調整することが可能である。 The relationship between the position of the die on the dicing tape, the tension of the dicing tape, and the angle of the rotating body of the expanding unit is obtained in advance and stored in a storage device of the control unit, so that the die picks up the control unit. It is possible to adjust the angle of the rotating body so that the tension of the dicing tape becomes uniform based on the portion (the portion not picked up).
(2)エキスパンド部をコンパクトにユニット化して円周上に複数配置し、エキスパンド部のアクチュエータとしてのモータにトルク制御を掛けることで、テンションを引下量ではなく張力で調整することが可能である。 (2) By compactly unitizing the expanding part and arranging a plurality of them on the circumference and applying torque control to the motor as the actuator of the expanding part, it is possible to adjust the tension by the tension instead of the pulling amount. ..
(3)エキスパンド部をコンパクトにユニット化して円周上に複数配置し、さらに、エキスパンド部に個別に圧力センサや水平センサ等の張力センサを設け、その検出結果をフィードバックして張力の安定化を図る。これにより、ピックアップ過程で発生する張力の変化に対してもフィードバックを図り、安定した張力においてピックアップ処理を行うことが可能である。 (3) The expanding part is compactly unitized and arranged on the circumference, and the expanding part is individually provided with a tension sensor such as a pressure sensor or a horizontal sensor, and the detection result is fed back to stabilize the tension. Try. As a result, it is possible to provide feedback on the change in tension generated in the pickup process and perform the pickup process at a stable tension.
(4)張力を掛けるエキスパンド部をコンパクトにユニット化して円周上に複数配置する。これにより、エキスパンド部とθ回転機構を各々独立配置することができ、エキスパンド部のユニット内で張力を受ける部分と発生させる部分が完結するので、θ回転機構に張力が影響しない構造となる。これにより、θ回転機構は自重のみ保持できる強度があればすむので、θ回転機構の剛性を上げる必要がないため、ウェハ保持台を軽量化および薄型化することができる。その結果、突上げユニットの高さを低くすることができ、突上げユニットの設計自由度を向上することができる。 (4) A plurality of expanded parts to which tension is applied are compactly unitized and arranged on the circumference. As a result, the expanding portion and the θ-rotating mechanism can be arranged independently, and the portion that receives the tension and the portion that generates the tension are completed in the unit of the expanding portion, so that the structure is such that the tension does not affect the θ-rotating mechanism. As a result, since the θ rotation mechanism only needs to have the strength to hold only its own weight, it is not necessary to increase the rigidity of the θ rotation mechanism, so that the wafer holding base can be made lighter and thinner. As a result, the height of the push-up unit can be lowered, and the degree of freedom in designing the push-up unit can be improved.
(5)エキスパンド部をコンパクトにユニット化して円周上に複数配置することにより、個々に必要な剛性を小さくする事ができる。 (5) By compactly unitizing the expanding portion and arranging a plurality of expanding portions on the circumference, the rigidity required for each can be reduced.
(6)エキスパンド部をユニット化して円周上に複数配置し、開閉機構を設けてエキスパンド部の移動を可能とする。エキスパンド部の移動によるウェハサイズに自動対応することで多種のウェハサイズに適用可能とする。このエキスパンド部の分散化とサイズ変更機構でウェハのセンタリング機能を付加することが可能となる。 (6) A plurality of expanding portions are unitized and arranged on the circumference, and an opening / closing mechanism is provided so that the expanding portion can be moved. It can be applied to various wafer sizes by automatically responding to the wafer size due to the movement of the expanding part. The wafer centering function can be added by the decentralization and size change mechanism of the expanding portion.
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。 Although the invention made by the present inventor has been specifically described above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the above Examples and can be modified in various ways.
例えば、実施例ではエキスパンド部151を十二個設けた例を説明したが、これに限定されるものではく、八個から十六個であってもよい。ウェハ保持台が保持する最大のウェハ径が小さい場合は上記よりも少なくてもよいし、ウェハ径が大きい場合は上記よりも多くてもよい。エキスパンド部151を八個未満にする場合は四個以上が好ましい。
For example, in the examples, the example in which twelve expanding
また、実施例では回転テーブルは断面五角形状のリング体であり、外周部171bの先端部は回転駆動部172の凹部に嵌合して、回転テーブル171は回転駆動部172により回転する例として説明したが、リング体は円盤状であって中央部に剥離ユニットが挿入可能な孔が開いているものであってもよく、また外周部171bの先端部は回転駆動部172の凹部に嵌合ではなく、軸受けベアリング等の構造でリング対の円周全体を固定し回転駆動部172により回転するようにしてもよい。
Further, in the embodiment, the rotary table is a ring body having a pentagonal cross section, the tip portion of the outer
また、実施例では、ダイアタッチフィルムを用いる例を説明したが、基板に接着剤を塗布するプリフォーム部を設けてダイアタッチフィルムを用いなくてもよい。 Further, in the examples, the example of using the die attach film has been described, but it is not necessary to provide the preform portion for applying the adhesive to the substrate and not use the die attach film.
また、実施例では、ダイ供給部からダイをピックアップヘッドでピックアップして中間ステージに載置し、中間ステージに載置されたダイをボンディングヘッドで基板にボンディングするダイボンダについて説明したが、これに限定されるものではなく、ダイ供給部からダイをピックアップする半導体製造装置に適用可能である。 Further, in the embodiment, a die bonder in which the die is picked up from the die supply unit by the pickup head and placed on the intermediate stage, and the die placed on the intermediate stage is bonded to the substrate by the bonding head has been described, but the present invention is limited to this. It can be applied to a semiconductor manufacturing apparatus that picks up a die from a die supply unit.
例えば、中間ステージとピックアップヘッドがなく、ダイ供給部のダイをボンディングヘッドで基板にボンディングするダイボンダにも適用可能である。 For example, it can be applied to a die bonder that does not have an intermediate stage and a pickup head and bonds a die of a die supply unit to a substrate with a bonding head.
また、中間ステージがなく、ダイ供給部からダイをピックアップしダイピックアップヘッドを上に回転してダイをボンディングヘッドに受け渡しボンディングヘッドで基板にボンディングするフリップチップボンダに適用可能である。 Further, there is no intermediate stage, and it can be applied to a flip chip bonder that picks up a die from a die supply unit, rotates the die pickup head upward, delivers the die to the bonding head, and bonds the die to the substrate by the bonding head.
また、中間ステージとボンディングヘッドがなく、ダイ供給部からピックアップヘッドでピックアップしたダイをトレイ等に載置するダイソータに適用可能である。 Further, it does not have an intermediate stage and a bonding head, and can be applied to a die sorter in which a die picked up by a pickup head from a die supply unit is placed on a tray or the like.
10:ダイボンダ
11:ウェハ
12:ウェハ保持台
13:剥離ユニット
14:ウェハリング
151:エキスパンド部
151d:アクチュエータ
151e:回転体
151h:第二垂直部(支持部)
151f:加圧部
16:ダイシングテープ
17:回転テーブル
22:コレット
D:ダイ
10: Die bonder 11: Wafer 12: Wafer holding base 13: Peeling unit 14: Wafer ring 151: Expanding
151f: Pressurizing part 16: Dicing tape 17: Rotating table 22: Collet D: Die
Claims (15)
ダイを吸着するコレットと、
前記ダイシングテープの下面と接触し、前記コレットと協働して前記ダイを前記ダイシングテープから剥がす剥離ユニットと、
前記ウェハ保持台を制御する制御部と、
を備え、
前記ウェハ保持台は、
回転テーブルと、
前記回転テーブルの外周上であって、前記回転テーブルの中心から放射状に仮想的に並べられた複数の直線上にそれぞれ設けられ、前記ダイシングテープを引き伸ばすエキスパンド部と、
を備え、
前記エキスパンド部のそれぞれは、
前記ダイシングテープを下から支持する支持部と、
前記ウェハリングに上から当接して押し下げる加圧部と、
前記加圧部を回転させるアクチュエータと、
を備え、
前記制御部は、前記エキスパンド部それぞれの前記加圧部の位置を変えることにより前記ウェハリングに掛ける圧力を調整するよう構成されるダイボンディング装置。 A wafer holding table that holds a dicing tape to which a wafer is attached and a wafer ring is attached to the periphery of the wafer.
Collet that adsorbs the die and
A peeling unit that comes into contact with the lower surface of the dicing tape and cooperates with the collet to peel the die from the dicing tape.
A control unit that controls the wafer holding table and
With
The wafer holding table is
Rotating table and
An expanding portion on the outer circumference of the rotary table, which is provided on a plurality of straight lines virtually arranged radially from the center of the rotary table and stretches the dicing tape.
With
Each of the expanded parts
A support portion that supports the dicing tape from below, and
A pressurizing part that comes into contact with the wafer ring from above and pushes it down,
An actuator that rotates the pressurizing unit and
With
The control unit is a die bonding device configured to adjust the pressure applied to the wafer ring by changing the position of the pressure unit of each of the expanding units.
ダイを吸着するコレットと、
前記ダイシングテープの下面と接触し、前記コレットと協働して前記ダイを前記ダイシングテープから剥がす剥離ユニットと、
を備え、
前記ウェハ保持台は、
回転テーブルと、
前記回転テーブルの外周上であって、前記回転テーブルの中心から放射状に仮想的に並べられた複数の直線上にそれぞれ設けられ、前記ダイシングテープを引き伸ばすエキスパンド部と、
を備え、
前記エキスパンド部のそれぞれは、前記回転テーブルよりも上に、
前記ダイシングテープを下から支持する支持部と、
前記ウェハリングに上から当接して押し下げる加圧部と、
その回転中心から外れた位置に前記加圧部が固定された回転体と、
前記回転体を回転させるアクチュエータと、
を備えるダイボンディング装置。 A wafer holding table that holds a dicing tape to which a wafer is attached and a wafer ring is attached to the periphery of the wafer.
Collet that adsorbs the die and
A peeling unit that comes into contact with the lower surface of the dicing tape and cooperates with the collet to peel the die from the dicing tape.
With
The wafer holding table is
Rotating table and
An expanding portion on the outer circumference of the rotary table, which is provided on a plurality of straight lines virtually arranged radially from the center of the rotary table and stretches the dicing tape.
With
Each of the expanded portions is above the rotary table.
A support portion that supports the dicing tape from below, and
A pressurizing part that comes into contact with the wafer ring from above and pushes it down,
A rotating body in which the pressurizing portion is fixed at a position deviated from the center of rotation, and
An actuator that rotates the rotating body and
A die bonding device equipped with.
前記制御部は、前記ダイシングテープ上のダイの位置または前記エキスパンド部に設けられた張力センサまたは前記アクチュエータのトルクに基づいて前記加圧部の位置を調整するよう構成されるダイボンディング装置。 In the die bonding apparatus of claim 1,
The control unit is a die bonding device configured to adjust the position of the pressurizing unit based on the position of the die on the dicing tape or the torque of the tension sensor or the actuator provided on the expanding unit.
前記エキスパンド部のそれぞれは、前記回転テーブルよりも上に、
前記支持部と、
前記加圧部と、
前記アクチュエータと、
その回転中心から外れた位置に前記加圧部が固定された回転体と、
を備え、
前記アクチュエータは前記回転体を回転させるよう構成されるダイボンディング装置。 In the die bonding apparatus of claim 1,
Each of the expanded portions is above the rotary table.
With the support part
With the pressure section
With the actuator
A rotating body in which the pressurizing portion is fixed at a position deviated from the center of rotation, and
With
The actuator is a die bonding device configured to rotate the rotating body.
前記エキスパンド部の前記回転テーブルの外周の接線方向に沿う長さ(幅)は隣り合う前記エキスパンド部間の間隔よりも小さく構成されるダイボンディング装置。 In the die bonding apparatus according to claim 1 or 2.
A die bonding apparatus in which the length (width) of the expanding portion along the tangential direction of the outer circumference of the rotary table is smaller than the distance between adjacent expanding portions.
前記ウェハリングの四方向の外側には直線部分があり、当該直線部分のそれぞれに対向する箇所に前記エキスパンド部が設けられているダイボンディング装置。 In the die bonding apparatus according to claim 1 or 2.
A die bonding apparatus in which straight portions are provided on the outer sides of the wafer ring in four directions, and the expanding portions are provided at locations facing each of the straight portions.
前記エキスパンド部は、さらに、
ベース部と、
前記ベース部の上面から垂直方向に伸びる第一垂直部および第二垂直部と、
を備え、
前記第一垂直部は前記アクチュエータを固定し、
前記第二垂直部は前記支持部を構成しているダイボンディング装置。 In the die bonding apparatus according to claim 1 or 2.
The expanded part further
With the base part
The first vertical portion and the second vertical portion extending in the vertical direction from the upper surface of the base portion,
With
The first vertical portion fixes the actuator and
The second vertical portion is a die bonding device that constitutes the support portion.
前記第二垂直部の高さは前記第一垂直部の高さよりも低く、
前記第一垂直部は前記アクチュエータを固定する孔を有するダイボンディング装置。 In the die bonding apparatus of claim 7,
The height of the second vertical portion is lower than the height of the first vertical portion,
The first vertical portion is a die bonding device having a hole for fixing the actuator.
前記ウェハ保持台は、さらに、
前記回転テーブルの上に設けられ、前記各エキスパンド部を前記回転テーブルの半径方向に移動させる開閉移動部と、
前記回転テーブルの上に固定された固定部と、
を備え、
前記エキスパンド部のそれぞれは、さらに、前記固定部を摺動するスライダー部を備えるダイボンディング装置。 In the die bonding apparatus according to claim 1 or 2.
The wafer holding table further
An opening / closing moving portion provided on the rotary table and moving each of the expanding portions in the radial direction of the rotary table.
The fixing part fixed on the rotary table and
With
Each of the expanding portions is a die bonding device including a slider portion that slides the fixing portion.
前記開閉移動部は、
前記エキスパンド部に取り付けられたアーム部と、
前記アーム部を駆動するアクチュエータと、
を備えるダイボンディング装置。 In the die bonding apparatus of claim 9,
The opening / closing moving part is
The arm part attached to the expanding part and
The actuator that drives the arm and
A die bonding device equipped with.
前記ウェハ保持台は、さらに、
前記回転テーブルを回転させる駆動部と、
前記回転テーブルを回動可能に取り付けるXY駆動機構と、
を備えるダイボンディング装置。 In the die bonding apparatus according to claim 1 or 2.
The wafer holding table further
The drive unit that rotates the rotary table and
An XY drive mechanism that rotatably attaches the rotary table,
A die bonding device equipped with.
を備えるダイボンディング装置に、前記ウェハリングを搬入する工程と、
(b)前記剥離ユニットと協働して前記コレットで前記ダイをピックアップする工程と、
を備え、
前記(b)工程は、
(b1)前記エキスパンド部を前記回転テーブルの半径方向外側に移動し、前記ウェハリングを前記ウェハ保持台に搬入する工程と、
(b2)前記エキスパンド部それぞれの前記加圧部の位置を変えることにより前記ウェハリングに掛ける圧力を調整して前記ダイシングテープを引き伸ばす工程と、
を備える半導体装置の製造方法。 (A) A wafer holding table that holds a dicing tape to which a wafer is attached and a dicing tape is attached to the periphery thereof, a collet that attracts the die, and a collet that attracts the die come into contact with the lower surface of the dicing tape and cooperate with the collet. A plurality of wafer holding tables, including a peeling unit for peeling the die from the dicing tape, are provided on the rotary table and the outer periphery of the rotary table, which are virtually arranged radially from the center of the rotary table. Each of the expanding portions is provided on a straight line of the dicing tape and includes an expanding portion that stretches the dicing tape. The pressing part, the actuator that rotates the pressing part, and
The step of carrying the wafer ring into the die bonding apparatus including
(B) A step of picking up the die with the collet in cooperation with the peeling unit.
With
The step (b) is
(B1) A step of moving the expanding portion to the outside in the radial direction of the rotary table and carrying the wafer ring into the wafer holding table.
(B2) A step of adjusting the pressure applied to the wafer ring by changing the position of the pressurizing portion of each of the expanding portions and stretching the dicing tape.
A method for manufacturing a semiconductor device.
前記(b2)工程は、前記ダイシングテープ上のダイの位置または前記エキスパンド部に設けられた張力センサに基づいて前記加圧部の位置を調整する半導体装置の製造方法。 In the method for manufacturing a semiconductor device according to claim 12,
The step (b2) is a method for manufacturing a semiconductor device that adjusts the position of the pressurizing portion based on the position of the die on the dicing tape or the tension sensor provided in the expanding portion.
回転テーブルと、
前記回転テーブルの外周上であって、前記回転テーブルの中心から放射状に仮想的に並べられた複数の直線上にそれぞれ設けられ、前記ダイシングテープを引き伸ばすエキスパンド部と、
を備え、
前記エキスパンド部のそれぞれは、前記回転テーブルよりも上に、
前記ダイシングテープを下から支持する支持部と、
前記ウェハリングに上から当接して押し下げる加圧部と、
その回転中心から外れた位置に前記加圧部が固定された回転体と、
前記回転体を回転させるアクチュエータと、
を備えるエキスパンド装置。 An expanding device used for a wafer holding table that holds a dicing tape to which a wafer is attached and a wafer ring is attached to the periphery thereof.
Rotating table and
An expanding portion on the outer circumference of the rotary table, which is provided on a plurality of straight lines virtually arranged radially from the center of the rotary table and stretches the dicing tape.
With
Each of the expanded portions is above the rotary table.
A support portion that supports the dicing tape from below, and
A pressurizing part that comes into contact with the wafer ring from above and pushes it down,
A rotating body in which the pressurizing portion is fixed at a position deviated from the center of rotation, and
An actuator that rotates the rotating body and
An expanding device equipped with.
前記エキスパンド部のそれぞれは、さらに、張力センサを備えるエキスパンド装置。 In the expanding device of claim 14,
Each of the expanding portions is an expanding device further including a tension sensor.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020001710A JP7343402B2 (en) | 2020-01-08 | 2020-01-08 | Die bonding equipment, semiconductor device manufacturing method, and expanding equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020001710A JP7343402B2 (en) | 2020-01-08 | 2020-01-08 | Die bonding equipment, semiconductor device manufacturing method, and expanding equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021111671A true JP2021111671A (en) | 2021-08-02 |
JP7343402B2 JP7343402B2 (en) | 2023-09-12 |
Family
ID=77060206
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020001710A Active JP7343402B2 (en) | 2020-01-08 | 2020-01-08 | Die bonding equipment, semiconductor device manufacturing method, and expanding equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7343402B2 (en) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070218651A1 (en) * | 2006-03-14 | 2007-09-20 | Renesas Technology Corp. | Manufacturing method of a semiconductor device |
JP2011210973A (en) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Toyota Motor Corp | Semiconductor device manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
JP2016081975A (en) * | 2014-10-10 | 2016-05-16 | リンテック株式会社 | Separation device and separation method |
JP2019054209A (en) * | 2017-09-19 | 2019-04-04 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | Semiconductor manufacturing device, method of manufacturing semiconductor device, and collet |
-
2020
- 2020-01-08 JP JP2020001710A patent/JP7343402B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070218651A1 (en) * | 2006-03-14 | 2007-09-20 | Renesas Technology Corp. | Manufacturing method of a semiconductor device |
JP2011210973A (en) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Toyota Motor Corp | Semiconductor device manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
JP2016081975A (en) * | 2014-10-10 | 2016-05-16 | リンテック株式会社 | Separation device and separation method |
JP2019054209A (en) * | 2017-09-19 | 2019-04-04 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | Semiconductor manufacturing device, method of manufacturing semiconductor device, and collet |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7343402B2 (en) | 2023-09-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6584234B2 (en) | Die bonder, bonding method and semiconductor device manufacturing method | |
KR101489054B1 (en) | Die bonder and pickup method and pickup device | |
TWI639210B (en) | Semiconductor manufacturing device and method for manufacturing semiconductor device | |
JP5253996B2 (en) | Work dividing method and tape expansion device | |
KR102003130B1 (en) | Semiconductor manufacturing device and manufacturing method of semiconductor device | |
JP6685245B2 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
TWI692844B (en) | Semiconductor manufacturing equipment | |
JP6941513B2 (en) | Semiconductor manufacturing equipment and manufacturing method of semiconductor equipment | |
KR102490394B1 (en) | Die bonding apparatus, manufacturing method of semiconductor apparatus and peeling apparatus | |
US11450548B2 (en) | Wafer processing method | |
JP2020047871A (en) | Semiconductor manufacturing apparatus, push-up jig and manufacturing method of semiconductor device | |
JP2021111671A (en) | Die bonding apparatus, method for manufacturing semiconductor device, and expanding apparatus | |
JP6200735B2 (en) | Die bonder and bonding method | |
JP3468671B2 (en) | Bump bonding apparatus and method | |
JP4202376B2 (en) | Semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
JP2021153176A (en) | Die bonding device, peeling jig and manufacturing method of semiconductor device | |
TW202139273A (en) | Manufacturing method of chip bonding device, stripping jig and semiconductor device characterized by reducing chip cracks and defects during pickup period | |
JP2020141114A (en) | Semiconductor manufacturing device and manufacturing method thereof | |
JP2022114399A (en) | Die bonding apparatus and manufacturing method of semiconductor device | |
US20230290666A1 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus, carrier jig, and manufacturing method of semiconductor device | |
JPH09223728A (en) | Pickup method of pellet | |
JP2916333B2 (en) | Semiconductor parts supply equipment | |
JPS63229723A (en) | Die bonding device | |
JP4883502B2 (en) | Wafer expansion equipment | |
JP3949035B2 (en) | Die bonding equipment |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221006 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230804 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230815 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230831 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7343402 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |