JP2021109855A - ジアンモニウム塩及びその用途 - Google Patents

Abstract

【課題】ジアンモニウム塩の提供および同塩を用いたゼオライトの製造方法の提供。【解決手段】式（１）で表されるジアンモニウム塩。［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、アルキル基など、Ｙ−は、ハロゲン化物イオン、Ｒ５ＳＯ２Ｏ−で表されるスルホン酸イオン、Ｒ６ＣＯＯ−で表されるカルボン酸イオン又はＯＨ−（水酸化物イオン）を表す。Ｒ５及びＲ６は、アルキル基などを表す。］【選択図】なし

Description

本発明は、新規なジアンモニウム塩及びその用途に関する。

ゼオライトは、各種の有機構造指向剤（以下、「ＳＤＡ」ともいう。）を含む組成物の結晶化により製造されている。Ｔ（Ｔはケイ素、アルミ、リン、ガリウム、チタンなど）原子及び酸素原子で形成される８員環を最大細孔として有するゼオライト（以下、「小細孔ゼオライト」ともいう。）を製造するための公知の有機構造指向剤として、アダマンチルアンモニウム誘導体、テトラアルキルアンモニウムカチオン、及びキヌクリジン誘導体などが知られているが（特許文献１〜３）、ジアンモニウム塩であるトリシクロ［７．３．０．０^３，７］ドデカン−５，１１−ジアザニウム塩をゼオライト製造用有機構造指向剤として利用した例はない。

米国特許４５４４５３８号 米国特許４４９５３０３号 米国特許４５０８８３７号

本発明の目的は、ゼオライトのＳＤＡとして有用なジアンモニウム塩を提供することにある。さらに、本発明は、該ジアンモニウム塩を用いたゼオライト、好ましくは小細孔ゼオライト、より好ましくはＡＦＸ型ゼオライトの製造方法を提供することを別の目的とする。

本発明者らは、上記の課題を解決すべく鋭意検討を行った結果、下記一般式（１）で表される新規なジアンモニウム塩を見出し、本発明を完成するに至った。さらには、このようなジアンモニウム塩がゼオライトの構造指向剤として好適に機能することを見出した。

すなわち本発明の要旨は以下のとおりである。
［１］ 一般式（１）で表されるジアンモニウム塩。

［式中、
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、各々独立に、炭素数１から１０のアルキル基、炭素数１から１０のハロアルキル基又は炭素数６から１０の芳香族炭化水素基を表し、これらの置換基は、水酸基、炭素数１から６のアルキル基、炭素数６から１０のアリール基、炭素数１から６のアルコキシ基、炭素数６から１０のアリールオキシ基、炭素数２から１２のジアルキルアミノ基、炭素数６から１０のモノアリールアミノ基及び炭素数１２から２０のジアリールアミノ基からなる群から選択される１つ以上の置換基で置換されていてもよい。

Ｙ⁻は、同一又は相異なって、ハロゲン化物イオン、Ｒ^５ＳＯ_２Ｏ⁻で表されるスルホン酸イオン、Ｒ^６ＣＯＯ⁻で表されるカルボン酸イオン又はＯＨ⁻（水酸化物イオン）を表す。

Ｒ^５は、炭素数１から９のアルキル基、炭素数１から９のフルオロアルキル基、又はフェニル基を表し、該フェニル基は、炭素数１から４のアルキル基、炭素数１から４のフルオロアルキル基、炭素数１から４のアルコキシ基、炭素数１から４のフルオロアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基及びニトロ基からなる群から選択される１つ以上の置換基で置換されていてもよい。

Ｒ^６は、炭素数１から６のアルキル基、炭素数１から４のフルオロアルキル基又はフェニル基を表し、該フェニル基は、炭素数１から４のアルキル基で置換されていてもよい。］
［２］ Ｙ⁻が、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、ベンゼンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン又はＯＨ⁻（水酸化物イオン）である［１］に記載のジアンモニウム塩。
［３］ Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４が、各々独立に、炭素数１から１０のアルキル基又は炭素数６から１０の芳香族炭化水素基を表し、これらの置換基は、炭素数１から６のアルキル基、炭素数６から１０のアリールオキシ基、炭素数２から１２のジアルキルアミノ基、炭素数１から６のアルコキシ基及び炭素数１２から２０のジアリールアミノ基からなる群から選択される１つ以上の置換基で置換されていてもよい、である［１］又は［２］に記載のジアンモニウム塩。
［４］ Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４が、各々独立に、炭素数１から６のアルキル基、炭素数６から１０のアリールオキシ基、炭素数２から１２のジアルキルアミノ基、炭素数１から６のアルコキシ基及び炭素数１２から２０のジアリールアミノ基からなる群から選択される１つ以上の置換基で置換されていてもよい炭素数１から１０のアルキル基である［１］乃至［３］に記載のジアンモニウム塩。
［５］ Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４が、各々独立に、炭素数２から４のジアルキルアミノ基及び炭素数１から４のアルコキシ基からなる群から選択される１つ以上の置換基で置換されていてもよい炭素数１から６のアルキル基である［１］乃至［４］に記載のジアンモニウム塩。
［６］ Ｒ^１とＲ^２とが同一、且つＲ^３とＲ^４とが同一の置換基である［１］乃至［５］に記載のジアンモニウム塩。
［７］ Ｒ^１とＲ^２が同一且つメチル基又はエチル基であり、Ｒ^３とＲ^４とが同一且つメチル基又はエチル基であり、Ｙ⁻が塩化物イオン、臭化物イオン又はＯＨ⁻（水酸化物イオン）である［１］乃至［６］のいずれか一項に記載のジアンモニウム塩。
［８］ ［１］に記載の一般式（１）で表されるジアンモニウム塩、シリカ源、アルミナ源、アルカリ源及び水を含む組成物を結晶化させる結晶化工程、を有することを特徴とするゼオライトの製造方法。
［９］ ゼオライトが小細孔ゼオライトである、前記［８］に記載のゼオライトの製造方法。
［１０］ ゼオライトがＡＦＸ型ゼオライトである、前記［８］又は［９］に記載のゼオライトの製造方法。

本発明により、新規なジアンモニウム塩を提供できる。さらに、本発明により、該ジアンモニウム塩を使用するゼオライト、好ましくは小細孔ゼオライト、より好ましくはＡＦＸ型ゼオライトの製造方法を提供することができる。

実施例２−１のＡＦＸ型ゼオライトのＸＲＤパターン 実施例２−１のＡＦＸ型ゼオライトのＳＥＭ観察像

以下、本発明について、実施形態の一例を示して説明する。

まず一般式（１）中のＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＹ⁻の定義について詳細に説明する。

Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４で表される炭素数１から１０のアルキル基は、直鎖状、分岐状又は環状のいずれかのアルキル基であればよく、特に限定するものではないが、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、シクロヘキシルメチル基、２−シクロペンチルエチル基、２−メチルプロピル基、２，２−ジメチルプロピル基、３−シクロプロピルプロピル基、シクロプロピル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、３−メチルブタン−２−イル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロブチル基、ペンチル基、２−メチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルペンタン−２−イル基、４，４−ジメチルペンタン−２−イル基、２−エチルプロピル基、３−エチルペンタン−３−イル基、シクロペンチル基、２，５−ジメチルシクロペンチル基、３−エチルシクロペンチル基、ヘキシル基、２−メチルヘキシル基、３，３−ジメチルヘキシル基、４−エチルヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−メチルヘキサン−２−イル基、５，５−ジメチルヘキサン−２−イル基、２−エチルブチル基、２，４−ジメチルヘキサン−３−イル基、シクロヘキシル基、４−エチルシクロヘキシル基、４−プロピルシクロヘキシル基、４，４−ジメチルシクロヘキシル基、ヘプチル基、１−メチルヘキシル基、１−エチルペンチル基、１−プロピルブチル基、ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２−イル基、オクチル基、１−メチルヘプチル基、１−エチルへキシル基、１−プロピルペンチル基、シクロオクチル基、ビシクロ［２．２．２］オクタン−２−イル基、ノニル基、１−ブチルペンチル基、デシル基、１−メチルノニル基、又は１−ブチルヘキシル基が例示できる。

Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４で表される炭素数１から１０のハロアルキル基は、直鎖状、分岐状又は環状のいずれかのハロアルキル基であればよく、特に限定するものではないが、フルオロアルキル基が特に好ましく、例えば、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、１，１−ジフルオロエチル基、２，２−ジフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、２，２，３，３−テトラフルオロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、１，１−ジフルオロプロピル基、ペルフルオロ（１−メチルプロピル）基、２，２，２−トリフルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチル基、ペルフルオロシクロプロピル基、２，２，３，３−テトラフルオロシクロプロピル基、ペルフルオロブチル基、２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロブチル基、３，３，４，４，４−ペンタフルオロブチル基、４，４，４−トリフルオロブチル基、１，２，２，３，３，３−ヘキサフルオロ−１−（トリフルオロメチル）プロピル基、１−（トリフルオロメチル）プロピル基、１−メチル−３，３，３−トリフルオロプロピル基、ペルフルオロシクロブチル基、２，２，３，３，４，４−ヘキサフルオロシクロブチル基、ペルフルオロペンチル基、２，２，３，３，４，４，５，５，５−ノナフルオロペンチル基、３，３，４，４，５，５，５−ヘプタフルオロペンチル基、４，４，５，５，５−ペンタフルオロペンチル基、５，５，５−トリフルオロペンチル基、１，２，２，３，３，３−ヘキサフルオロ−１−（ペルフルオロエチル）プロピル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロ−１−（ペルフルオロエチル）プロピル基、ペルフルオロシクロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，６−ウンデカフルオロヘキシル基、３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシル基、４，４，５，５，６，６，６−ヘプタフルオロヘキシル基、５，５，６，６，６−ペンタフルオロヘキシル基、６，６，６−トリフルオロヘキシル基、ペルフルオロシクロヘキシル基などを例示できる。

Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４で表される炭素数６から１０の芳香族炭化水素基としては、特に限定するものではないが、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基などを例示できる。

Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４で表される炭素数１から１０のアルキル基、炭素数１から１０のハロアルキル基、及び炭素数６から１０の芳香族炭化水素基については、上記の通り、各々独立に、水酸基、炭素数１から６のアルキル基、炭素数６から１０のアリール基、炭素数１から６のアルコキシ基、炭素数６から１０のアリールオキシ基、炭素数２から１２のジアルキルアミノ基、炭素数６から１０のモノアリールアミノ基及び炭素数１２から２０のジアリールアミノ基の群から選択される１つ以上で置換されていてもよい。

前記の炭素数１から６のアルキル基は、直鎖状、分岐状又は環状のいずれかのアルキル基であればよく、特に限定するものではないが、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、シクロヘキシルメチル基、２−シクロペンチルエチル基、２−メチルプロピル基、２，２−ジメチルプロピル基、３−シクロプロピルプロピル基、シクロプロピル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、３−メチルブタン−２−イル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロブチル基、ペンチル基、２−メチルペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルペンタン−２−イル基、２−エチルプロピル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−エチルブチル基、シクロヘキシル基などを例示できる。

前記の炭素数６から１０のアリール基としては、特に限定するものではないが、例えば、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２，３−ジメチルフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基、２，５−ジメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、３，４−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、２，３，４−トリメチルフェニル基、２，３，５−トリメチルフェニル基、２，３，６−トリメチルフェニル基、２，４，５−トリメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、３，４，５−トリメチルフェニル基、２，３，４，５−テトラメチルフェニル基、２，３，４，６−テトラメチルフェニル基、２，３，５，６−テトラメチルフェニル基、２−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、４−エチルフェニル基、２，３−ジエチルフェニル基、２，４−ジエチルフェニル基、２，５−ジエチルフェニル基、２，６−ジエチルフェニル基、３，４−ジエチルフェニル基、３，５−ジエチルフェニル基、２−プロピルフェニル基、３−プロピルフェニル基、４−プロピルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、３−イソプロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、２−シクロプロピルフェニル基、３−シクロプロピルフェニル基、４−シクロプロピルフェニル基、２−ブチルフェニル基、３−ブチルフェニル基、４−ブチルフェニル基、２−（１−メチルプロピル）フェニル基、３−（１−メチルプロピル）フェニル基、４−（１−メチルプロピル）フェニル基、２−（２−メチルプロピル）フェニル基、３−（２−メチルプロピル）フェニル基、４−（２−メチルプロピル）フェニル基、２−シクロブチルフェニル基、３−シクロブチルフェニル基、４−シクロブチルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基などを例示できる。

前記の炭素数１から６のアルコキシ基としては、特に限定するものではないが、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、２−メチルプロポキシ基、２，２−ジメチルプロポキシ基、３−シクロプロピルプロポキシ基、シクロプロポキシ基、２−メチルブトキシ基、３−メチルブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、シクロブトキシ基、ペンチルオキシ基、２−メチルペンチルオキシ基、１−メチルブトキシ基、１，２−ジメチルブトキシ基、１−エチルプロポキシ基、シクロペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基などを例示できる。

前記の炭素数６から１０のアリールオキシ基としては、特に限定するものではないが、例えば、フェニルオキシ基、２−メチルフェニルオキシ基、３−メチルフェニルオキシ基、４−メチルフェニルオキシ基、２，３−ジメチルフェニルオキシ基、２，４−ジメチルフェニルオキシ基、２，５−ジメチルフェニルオキシ基、２，６−ジメチルフェニルオキシ基、３，４−ジメチルフェニルオキシ基、３，５−ジメチルフェニルオキシ基、２，３，４−トリメチルフェニルオキシ基、２，３，５−トリメチルフェニルオキシ基、２，３，６−トリメチルフェニルオキシ基、２，４，５−トリメチルフェニルオキシ基、２，４，６−トリメチルフェニルオキシ基、３，４，５−トリメチルフェニルオキシ基、２，３，４，５−テトラメチルフェニルオキシ基、２，３，４，６−テトラメチルフェニルオキシ基、２，３，５，６−テトラメチルフェニルオキシ基、２−エチルフェニルオキシ基、３−エチルフェニルオキシ基、４−エチルフェニルオキシ基、２，３−ジエチルフェニルオキシ基、２，４−ジエチルフェニルオキシ基、２，５−ジエチルフェニルオキシ基、２，６−ジエチルフェニルオキシ基、３，４−ジエチルフェニルオキシ基、３，５−ジエチルフェニルオキシ基、２−プロピルフェニルオキシ基、３−プロピルフェニルオキシ基、４−プロピルフェニルオキシ基、２−イソプロピルフェニルオキシ基、３−イソプロピルフェニルオキシ基、４−イソプロピルフェニルオキシ基、２−シクロプロピルフェニルオキシ基、３−シクロプロピルフェニルオキシ基、４−シクロプロピルフェニルオキシ基、２−ブチルフェニルオキシ基、３−ブチルフェニルオキシ基、４−ブチルフェニルオキシ基、２−（１−メチルプロピル）フェニルオキシ基、３−（１−メチルプロピル）フェニルオキシ基、４−（１−メチルプロピル）フェニルオキシ基、２−（２−メチルプロピル）フェニルオキシ基、３−（２−メチルプロピル）フェニルオキシ基、４−（２−メチルプロピル）フェニルオキシ基、２−シクロブチルフェニルオキシ基、３−シクロブチルフェニルオキシ基、４−シクロブチルフェニルオキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基などを例示できる。

前記の炭素数２から１２のジアルキルアミノ基としては、特に限定するものではないが、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ビス（２−メチルプロピル）アミノ基、ビス（２，２−ジメチルプロピル）アミノ基、ビス（３−シクロプロピルプロピル）アミノ基、ジシクロプロピルアミノ基、ビス（２−メチルブチル）アミノ基、ビス（３−メチルブチル）アミノ基、ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）アミノ基、ジシクロブチルアミノ基、ジペンチルアミノ基、ビス（２−メチルペンチル）アミノ基、ジ（１−メチルブチル）アミノ基、ビス（１，２−ジメチルブチル）アミノ基、ジ（１−エチルプロピル）アミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、ジヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、Ｎ−エチル−Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピル基、Ｎ−シクロプロピル−Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−ブチル−Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−シクロブチル−Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−ペンチル基、Ｎ−シクロペンチル−Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−ヘキシル−Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−シクロヘキシル−Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−シクロヘプチル−Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−オクチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−ノニルアミノ基、Ｎ−デシル−Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−ウンデシルアミノ基などを例示できる。

前記の炭素数６から１０のモノアリールアミノ基としては、特に限定するものではないが、例えば、フェニルアミノ基、２−メチルフェニルアミノ基、３−メチルフェニルアミノ基、４−メチルフェニルアミノ基、２，３−ジメチルフェニルアミノ基、２，４−ジメチルフェニルアミノ基、２，５−ジメチルフェニルアミノ基、２，６−ジメチルフェニルアミノ基、３，４−ジメチルフェニルアミノ基、３，５−ジメチルフェニルアミノ基、２，３，４−トリメチルフェニルアミノ基、２，３，５−トリメチルフェニルアミノ基、２，３，６−トリメチルフェニルアミノ基、２，４，５−トリメチルフェニルアミノ基、２，４，６−トリメチルフェニルアミノ基、３，４，５−トリメチルフェニルアミノ基、２，３，４，５−テトラメチルフェニルアミノ基、２，３，４，６−テトラメチルフェニルアミノ基、２，３，５，６−テトラメチルフェニルアミノ基、２−エチルフェニルアミノ基、３−エチルフェニルアミノ基、４−エチルフェニルアミノ基、２，３−ジエチルフェニルアミノ基、２，４−ジエチルフェニルアミノ基、２，５−ジエチルフェニルアミノ基、２，６−ジエチルフェニルアミノ基、３，４−ジエチルフェニルアミノ基、３，５−ジエチルフェニルアミノ基、２−プロピルフェニルアミノ基、３−プロピルフェニルアミノ基、４−プロピルフェニルアミノ基、２−イソプロピルフェニルアミノ基、３−イソプロピルフェニルアミノ基、４−イソプロピルフェニルアミノ基、２−シクロプロピルフェニルアミノ基、３−シクロプロピルフェニルアミノ基、４−シクロプロピルフェニルアミノ基、２−ブチルフェニルアミノ基、３−ブチルフェニルアミノ基、４−ブチルフェニルアミノ基、２−（１−メチルプロピル）フェニルアミノ基、３−（１−メチルプロピル）フェニルアミノ基、４−（１−メチルプロピル）フェニルアミノ基、２−（２−メチルプロピル）フェニルアミノ基、３−（２−メチルプロピル）フェニルアミノ基、４−（２−メチルプロピル）フェニルアミノ基、２−シクロブチルフェニルアミノ基、３−シクロブチルフェニルアミノ基、４−シクロブチルフェニルアミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基などを例示できる。

前記の炭素数１２から２０のジアリールアミノ基としては、特に限定するものではないが、例えば、ジフェニルアミノ基、ビス（２−メチルフェニル）アミノ基、ビス（３−メチルフェニル）アミノ基、ビス（４−メチルフェニル）アミノ基、ビス（２，３−ジメチルフェニル）アミノ基、ビス（２，４−ジメチルフェニル）アミノ基、ビス（２，５−ジメチルフェニル）アミノ基、ビス（２，６−ジメチルフェニル）アミノ基、ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミノ基、ビス（３，５−ジメチルフェニル）アミノ基、ビス（２，３，４−トリメチルフェニル）アミノ基、ビス（２，３，５−トリメチルフェニル）アミノ基、ビス（２，３，６−トリメチルフェニル）アミノ基、ビス（２，４，５−トリメチルフェニル）アミノ基、ビス（２，４，６−トリメチルフェニル）アミノ基、ビス（３，４，５−トリメチルフェニル）アミノ基、ビス（２，３，４，５−テトラメチルフェニル）アミノ基、ビス（２，３，４，６−テトラメチルフェニル）アミノ基、ビス（２，３，５，６−テトラメチルフェニル）アミノ基、ビス（２−エチルフェニル）アミノ基、ビス（３−エチルフェニル）アミノ基、ビス（４−エチルフェニル）アミノ基、ビス（２，３−ジエチルフェニル）アミノ基、ビス（２，４−ジエチルフェニル）アミノ基、ビス（２，５−ジエチルフェニル）アミノ基、ビス（２，６−ジエチルフェニル）アミノ基、ビス（３，４−ジエチルフェニル）アミノ基、ビス（３，５−ジエチルフェニル）アミノ基、ビス（２−プロピルフェニル）アミノ基、ビス（３−プロピルフェニル）アミノ基、ビス（４−プロピルフェニル）アミノ基、ビス（２−イソプロピルフェニル）アミノ基、ビス（３−イソプロピルフェニル）アミノ基、ビス（４−イソプロピルフェニル）アミノ基、ビス（２−シクロプロピルフェニル）アミノ基、ビス（３−シクロプロピルフェニル）アミノ基、ビス（４−シクロプロピルフェニル）アミノ基、ビス（２−ブチルフェニル）アミノ基、ビス（３−ブチルフェニル）アミノ基、ビス（４−ブチルフェニル）アミノ基、ビス［２−（１−メチルプロピル）フェニル］アミノ基、ビス［３−（１−メチルプロピル）フェニル］アミノ基、ビス［４−（１−メチルプロピル）フェニル］アミノ基、ビス［２−（２−メチルプロピル）フェニル］アミノ基、ビス［３−（２−メチルプロピル）フェニル］アミノ基、ビス［４−（２−メチルプロピル）フェニル］アミノ基、ビス（２−シクロブチルフェニル）アミノ基、ビス（３−シクロブチルフェニル）アミノ基、ビス（４−シクロブチルフェニル）アミノ基、ジ（１−ナフチル）アミノ基、ジ（２−ナフチル）アミノ基、Ｎ−（２−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−（４−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−（２，３−ジメチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−（２，４−ジメチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−（２，５−ジメチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−（２，６−ジメチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−（３，４−ジメチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−（３，５−ジメチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−（２，３，４−トリメチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−（２，３，５−トリメチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−（２，３，６−トリメチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−（２，４，５−トリメチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−（２，４，６−トリメチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−（３，４，５−トリメチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ基などを例示できる。

Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４が、合成が容易な点で、各々独立に、炭素数１から１０のアルキル基又は炭素数６から１０の芳香族炭化水素基であって、これらの置換基は、炭素数１から６のアルキル基、炭素数６から１０のアリールオキシ基、炭素数２から１２のジアルキルアミノ基、炭素数１から６のアルコキシ基及び炭素数１２から２０のジアリールアミノ基からなる群から選択される１つ以上の置換基で置換されていてもよい、であることが好ましく、各々独立に、炭素数１から６のアルキル基、炭素数６から１０のアリールオキシ基、炭素数２から１２のジアルキルアミノ基、炭素数１から６のアルコキシ基及び炭素数１２から２０のジアリールアミノ基からなる群から選択される１つ以上の置換基で置換されていてもよい炭素数１から１０のアルキル基であることがより好ましく、各々独立に、炭素数２から４のジアルキルアミノ基及び炭素数１から４のアルコキシ基からなる群から選択される１つ以上の置換基で置換されていてもよい炭素数１から６のアルキル基であることが更に好ましく、Ｒ^１とＲ^２が同一且つメチル基又はエチル基であり、Ｒ^３とＲ^４とが同一且つメチル基又はエチル基であることが更に好ましく、Ｒ^１とＲ^２とＲ^３とＲ^４とが全て同一であってメチル基又はエチル基であることが殊更好ましい。

なお、上記のＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４については、合成が容易な点で、Ｒ^１とＲ^２とが同一で、尚且つＲ^３とＲ^４とが同一であるものが好ましく、Ｒ^１とＲ^２とＲ^３とＲ^４とが全て同一であることがより好ましい。

Ｙ⁻がハロゲン化物イオンである場合、該ハロゲン化物イオンは、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン又はヨウ化物イオンであり、合成が容易な点で塩化物イオン、臭化物イオン又はヨウ化物イオンであることが好ましく、塩化物イオン又は臭化物イオンであることがより好ましい。

Ｙ⁻がＲ^５ＳＯ_２Ｏ⁻で表されるスルホン酸イオンである場合、Ｒ^５は、炭素数１から９のアルキル基、炭素数１から９のフルオロアルキル基、又はフェニル基（該フェニル基は、炭素数１から４のアルキル基、炭素数１から４のフルオロアルキル基、炭素数１から４のアルコキシ基、炭素数１から４のフルオロアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基及びニトロ基からなる群から選択される１つ以上の置換基で置換されていてもよい）を表す。

前記のＲ^５で表される炭素数１から９のアルキル基としては、直鎖状、分岐状又は環状のいずれかのアルキル基であればよく、特に限定するものではないが、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、シクロヘキシルメチル基、２−シクロペンチルエチル基、２−メチルプロピル基、２，２−ジメチルプロピル基、３−シクロプロピルプロピル基、シクロプロピル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、３−メチルブタン−２−イル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロブチル基、ペンチル基、２−メチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルペンタン−２−イル基、４，４−ジメチルペンタン−２−イル基、２−エチルプロピル基、３−エチルペンタン−３−イル基、シクロペンチル基、２，５−ジメチルシクロペンチル基、３−エチルシクロペンチル基、ヘキシル基、２−メチルヘキシル基、３，３−ジメチルヘキシル基、４−エチルヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−メチルヘキサン−２−イル基、５，５−ジメチルヘキサン−２−イル基、２−エチルブチル基、２，４−ジメチルヘキサン−３−イル基、シクロヘキシル基、４−エチルシクロヘキシル基、４−プロピルシクロヘキシル基、４，４−ジメチルシクロヘキシル基、ヘプチル基、１−メチルヘキシル基、１−エチルペンチル基、１−プロピルブチル基、ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２−イル基、オクチル基、１−メチルヘプチル基、１−エチルへキシル基、１−プロピルペンチル基、シクロオクチル基、ビシクロ［２．２．２］オクタン−２−イル基、ノニル基、１−ブチルペンチル基などを例示できる。

前記のＲ^５で表される炭素数１から９のフルオロアルキル基としては、直鎖状、分岐状又は環状のいずれかのフルオロアルキル基であればよく、特に限定するものではないが、例えば、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、１，１−ジフルオロエチル基、２，２−ジフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、２，２，３，３−テトラフルオロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、１，１−ジフルオロプロピル基、ペルフルオロ（１−メチルプロピル）基、２，２，２−トリフルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチル基、ペルフルオロシクロプロピル基、２，２，３，３−テトラフルオロシクロプロピル基、ペルフルオロブチル基、２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロブチル基、３，３，４，４，４−ペンタフルオロブチル基、４，４，４−トリフルオロブチル基、１，２，２，３，３，３−ヘキサフルオロ−１−（トリフルオロメチル）プロピル基、１−（トリフルオロメチル）プロピル基、１−メチル−３，３，３−トリフルオロプロピル基、ペルフルオロシクロブチル基、２，２，３，３，４，４−ヘキサフルオロシクロブチル基、ペルフルオロペンチル基、２，２，３，３，４，４，５，５，５−ノナフルオロペンチル基、３，３，４，４，５，５，５−ヘプタフルオロペンチル基、４，４，５，５，５−ペンタフルオロペンチル基、５，５，５−トリフルオロペンチル基、１，２，２，３，３，３−ヘキサフルオロ−１−（ペルフルオロエチル）プロピル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロ−１−（ペルフルオロエチル）プロピル基、ペルフルオロシクロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，６−ウンデカフルオロヘキシル基、３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシル基、４，４，５，５，６，６，６−ヘプタフルオロヘキシル基、５，５，６，６，６−ペンタフルオロヘキシル基、６，６，６−トリフルオロヘキシル基、ペルフルオロシクロヘキシル基などを例示できる。

Ｒ^５がフェニル基である場合、該フェニル基は炭素数１から４のアルキル基、炭素数１から４のフルオロアルキル基、炭素数１から４のアルコキシ基、炭素数１から４のフルオロアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基のニトロ基の群から選ばれる１つ以上の置換基で置換されていてもよい。

前記の炭素数１から４のアルキル基は、直鎖状、分岐状又は環状のいずれかのアルキル基であればよく、特に限定するものではないが、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、２−メチルプロピル基、シクロプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロブチル基などを例示できる。

前記の炭素数１から４のフルオロアルキル基は、直鎖状、分岐状又は環状のいずれかのフルオロアルキル基であればよく、特に限定するものではないが、例えば、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、１，１−ジフルオロエチル基、２，２−ジフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、２，２，３，３−テトラフルオロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、１，１−ジフルオロプロピル基、ペルフルオロ（１−メチルプロピル）基、２，２，２−トリフルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチル基、ペルフルオロシクロプロピル基、２，２，３，３−テトラフルオロシクロプロピル基、ペルフルオロブチル基、２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロブチル基、３，３，４，４，４−ペンタフルオロブチル基、４，４，４−トリフルオロブチル基、１，２，２，３，３，３−ヘキサフルオロ−１−（トリフルオロメチル）プロピル基、１−（トリフルオロメチル）プロピル基、１−メチル−３，３，３−トリフルオロプロピル基、ペルフルオロシクロブチル基、２，２，３，３，４，４−ヘキサフルオロシクロブチル基などを例示できる。

前記の炭素数１から４のアルコキシ基は、直鎖状、分岐状又は環状のいずれかのアルコキシ基であればよく、特に限定するものではないが、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、２−メチルプロポキシ基、シクロプロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、シクロブトキシ基などを例示できる。

前記の炭素数１から４のフルオロアルコキシ基は、直鎖状、分岐状又は環状のいずれかのフルオロアルコキシ基であればよく、特に限定するものではないが、例えば、トリフルオロメチルオキシ基、ジフルオロメチルオキシ基、ペルフルオロエチルオキシ基、２，２，２−トリフルオロエチルオキシ基、１，１−ジフルオロエチルオキシ基、２，２−ジフルオロエチルオキシ基、ペルフルオロプロピルオキシ基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピルオキシ基、２，２，３，３−テトラフルオロプロピルオキシ基、３，３，３−トリフルオロプロピルオキシ基、１，１−ジフルオロプロピルオキシ基、ペルフルオロ（１−メチルプロピル）オキシ基、２，２，２−トリフルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチルオキシ基、ペルフルオロシクロプロピルオキシ基、２，２，３，３−テトラフルオロシクロプロピルオキシ基、ペルフルオロブチルオキシ基、２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロブチルオキシ基、３，３，４，４，４−ペンタフルオロブチルオキシ基、４，４，４−トリフルオロブチルオキシ基、１，２，２，３，３，３−ヘキサフルオロ−１−（トリフルオロメチル）プロピルオキシ基、１−（トリフルオロメチル）プロピルオキシ基、１−メチル−３，３，３−トリフルオロプロピルオキシ基、ペルフルオロシクロブチルオキシ基、２，２，３，３，４，４−ヘキサフルオロシクロブチルオキシ基などを例示できる。

前記のハロゲン原子としては、特に限定するものではないが、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子が例示できる。

Ｒ^５で表される炭素数１から４のアルキル基、炭素数１から４のフルオロアルキル基、炭素数１から４のアルコキシ基、炭素数１から４のフルオロアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基及びニトロ基からなる群から選択される１つ以上の置換基で置換されていてもよいフェニル基（以下、「置換フェニル基」ともいう。）としては、特に限定するものではないが、例えば、フェニル基、２−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２，５−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、２，４，６−トリイソプロピルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２−トリフルオロメチルフェニル基、３−（トリフルオロメチル）フェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル基、４−メトキシフェニル基、４−（イソプロポキシ）フェニル基、４−トリフルオロメトキシフェニル基、２−フルオロフェニル基、３−フルオロフェニル基、４−フルオロフェニル基、２−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、４−クロロフェニル基、３，５−ジクロロフェニル基、２，６−ジクロロフェニル基、２−ブロモフェニル基、３−ブロモフェニル基、４−ブロモフェニル基、２−シアノフェニル基、３−シアノフェニル基、４−シアノフェニル基、２−ニトロフェニル基、３−ニトロフェニル基、４−ニトロフェニル基などを例示できる。

Ｒ^５は、原料が容易に入手可能な点でフェニル基、４−メチルフェニル基、メチル基又はトリフルオロメチル基であることが好ましい。すなわち、Ｒ_５ＳＯ_２Ｏ⁻で表されるスルホン酸イオンが、Ｃ_６Ｈ_５ＳＯ_２Ｏ⁻で表されるベンゼンスルホン酸イオン、ｐ−ＣＨ_３Ｃ_６Ｈ_４ＳＯ_２Ｏ⁻で表されるｐ−トルエンスルホン酸イオン、ＣＨ_３ＳＯ_２Ｏ⁻で表されるメタンスルホン酸イオン、又はＣＦ_３ＳＯ_２Ｏ⁻で表されるトリフルオロメタンスルホン酸イオンであることが好ましい。

Ｙ⁻がＲ^６ＣＯＯ⁻で表されるカルボン酸イオンである場合、Ｒ^６は、炭素数１から６のアルキル基、炭素数１から４のフルオロアルキル基、又はフェニル基（該フェニル基は、炭素数１から４のアルキル基で置換されていてもよい）を表す。

前記の炭素数１から６のアルキル基は、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であればよく、特に限定するものではないが、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、２−メチルプロピル基、２，２−ジメチルプロピル基、３−シクロプロピルプロピル基、シクロプロピル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、３−メチルブタン−２−イル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロブチル基、ペンチル基、２−メチルペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルペンタン−２−イル基、１−エチルプロピル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、１−メチルペンチル基、１−エチルブチル基、シクロヘキシル基などを例示できる。

前記の炭素数１から４のフルオロアルキル基は、特に限定するものではないが、例えば、Ｒ^５の説明で例示した炭素数１から４のフルオロアルキル基と同じ基が例示できる。

前記の炭素数１から４のアルキル基は、特に限定するものではないが、例えば、Ｒ^５の説明で例示した炭素数１から４のアルキル基と同じ基が例示できる。

Ｒ^６は、原料が容易に入手可能な点でフェニル基、４−メチルフェニル基、メチル基又はトリフルオロメチル基のいずれかであることが好ましい。すなわち、Ｒ^６ＣＯＯ⁻で表されるカルボン酸イオンが、Ｃ_６Ｈ_５ＣＯＯ⁻で表される安息香酸イオン、４−ＣＨ_３Ｃ_６Ｈ_４ＣＯＯ⁻で表される４−メチル安息香酸イオン、ＣＨ_３ＣＯＯ⁻で表される酢酸イオン又はＣＦ_３ＣＯＯ⁻で表されるトリフルオロ酢酸イオンであることが好ましい。

なお、Ｙ⁻は、合成が容易な点でハロゲン化物イオン、Ｒ^５ＳＯ_２Ｏ⁻で表されるスルホン酸イオン又はＯＨ⁻（水酸化物イオン）であることが好ましく、Ｃｌ⁻（塩化物イオン）、Ｂｒ⁻（臭化物イオン）、Ｉ⁻（ヨウ化物イオン）、Ｃ_６Ｈ_５ＳＯ_２Ｏ⁻で表されるベンゼンスルホン酸イオン、ｐ−ＣＨ_３Ｃ_６Ｈ_４ＳＯ_２Ｏ⁻で表されるｐ−トルエンスルホン酸イオン、ＣＨ_３ＳＯ_２Ｏ⁻で表されるメタンスルホン酸イオン、ＣＦ_３ＳＯ_２Ｏ⁻で表されるトリフルオロメタンスルホン酸イオン又はＯＨ⁻（水酸化物イオン）であることがより好ましく、Ｂｒ⁻（臭化物イオン）、Ｃｌ⁻（塩化物イオン）又はＯＨ⁻（水酸化物イオン）であることがより好ましい。

ジアンモニウム塩（１）の具体例としては、以下の（１−１）から（１−１０３２）を例示できるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

なお、本明細書中のＭｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、Ｐｒはプロピル基、ｉＰｒはイソプロピル基、Ｂｕはブチル基、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基、Ｃｙはシクロヘキシル基、Ｐｈはフェニル基、ＴｓＯ⁻はｐ−トルエンスルホン酸イオン、Ｃ_６Ｈ_１３はへキシル基、Ｃ_７Ｈ_１５はへプチル基、Ｃ_８Ｈ_１７はオクチル基、Ｃ_９Ｈ_１９はノニル基、Ｃ_１０Ｈ_２１はデシル基、Ｃ_１１Ｈ_２３はウンデシル基、Ｃ_１２Ｈ_２５はドデシル基、Ｃ_１８Ｈ_３７はオクタデシル基を表す。

（１−１）から（１−１０３２）で示される化合物のうち、本発明のジアンモニウム塩としては１−２、１−３、１−５、１−２６、１−２７、１−２９、１−３８、１−３９、１−４１、１−６２、１−６３、１−６５、１−５９０、１−５９１及び１−５９２で示される化合物が、合成が容易な点で好ましい。

次に、本発明のジアンモニウム塩の製造方法について詳細に説明する。

＜製造方法の実施形態１＞
本発明のジアンモニウム塩（１）の製造方法として、下記一般式（２）で表される脂肪族化合物と、下記一般式（３ａ）で表される第二級アミンと、下記一般式（３ｂ）で表される第二級アミンとを反応させる工程、を含む、一般式（１ａ）で表されるジアンモニウム塩の製造方法（以下、「製法１」ともいう。）を挙げることができる。

Ｙａは、同一又は相異なって、ハロゲン原子又はＲ^５ＳＯ_２Ｏで表される有機スルホニルオキシ基を表す。

Ｒ^５は、一般式（１）のＲ^５と同義である。

Ｒ^１及びＲ^３は、各々独立に、炭素数１から１０のアルキル基、炭素数１から１０のハロアルキル基又は炭素数６から１０の芳香族炭化水素基（これらの置換基は、水酸基、炭素数１から６のアルキル基、炭素数６から１０のアリール基、炭素数１から６のアルコキシ基、炭素数６から１０のアリールオキシ基、炭素数２から１２のジアルキルアミノ基、炭素数６から１０のモノアリールアミノ基及び炭素数１２から２０のジアリールアミノ基からなる群から選択される１つ以上の置換基で置換されていてもよい）を表す。

Ｒ^２及びＲ^４は、各々独立に、炭素数１から１０のアルキル基、炭素数１から１０のハロアルキル基又は炭素数６から１０の芳香族炭化水素基（これらの置換基は、水酸基、炭素数１から６のアルキル基、炭素数６から１０のアリール基、炭素数１から６のアルコキシ基、炭素数６から１０のアリールオキシ基、炭素数２から１２のジアルキルアミノ基、炭素数６から１０のモノアリールアミノ基及び炭素数１２から２０のジアリールアミノ基からなる群から選択される１つ以上の置換基で置換されていてもよい）を表す。

Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、前記と同じ意味を表す。

Ｙａ⁻は、ハロゲン化物イオン又はＲ^５ＳＯ_２Ｏ⁻で表されるスルホン酸イオンを表す。

Ｒ^５は、一般式（１）におけるＲ^５と同義である。

上記のＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４で表される各置換基（炭素数１から１０のアルキル基、炭素数１から１０のハロアルキル基、炭素数６から１０の芳香族炭化水素基、炭素数１から６のアルキル基、炭素数６から１０のアリール基、炭素数１から６のアルコキシ基、炭素数６から１０のアリールオキシ基、炭素数２から１２のジアルキルアミノ基、炭素数６から１０のモノアリールアミノ基、炭素数１２から２０のジアリールアミノ基）については、一般式（１）の説明で示したＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４における各置換基の定義と同義である。

製法１では以下に示す反応によって、一般式（１ａ）で表されるジアンモニウム塩が得られる。

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｙａ及びＹａ⁻は前述と同じである。）
製法１の反応に供する、第二級アミン（３ａ）及び第二級アミン（３ｂ）は、同一の第二級アミンを用いても良いし、異なる２種類の第二級アミンを用いても良く、異なる２種類の第二級アミンを用いた場合、非対称の本発明のジアンモニウム塩（１ａ）を得ることができる。

製法１において、第二級アミン（３ａ）及び第二級アミン（３ｂ）は、脂肪族化合物（２）と段階的に反応させてもよい。

製法１の反応に供する、脂肪族化合物（２）、第二級アミン（３ａ）及び第二級アミン（３ｂ）は、市販のものを用いることができ、また公知の脂肪族化合物の入手方法、例えば、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，７１巻，６９４４−６９５５頁，２００５年やＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ａｍｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，１２９巻，１３３６２−１３３６３頁，２００７年などで開示された製造方法に準じて入手することができる。

製法１の反応において、脂肪族化合物（２）に対する、第二級アミン（３ａ）及び第二級アミン（３ｂ）は、それぞれ１〜１００モル当量であることが好ましく、それぞれ１〜１０モル当量であることがより好ましい。

製法１において、脂肪族化合物（２）と第二級アミン（３ａ）及び第二級アミン（３ｂ）は塩基存在下で反応させることが好ましい。該塩基として有機塩基又は無機塩基が挙げられる。有機塩基としては、特に限定するものではないが、例えば、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、ピロリジン、ジエチルアミン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセンなどが、無機塩基としては、特に限定するものではないが、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水素化ナトリウム、水素化カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウムなどが、それぞれ、例示できる。

該塩基としては、ジイソプロピルエチルアミン、トリエチルアミン、ピリジン、ピロリジン、ジエチルアミン、水酸化ナトリウム、炭酸カリウム又は炭酸ナトリウムであることが好ましく、ピロリジン、ジエチルアミン又は水酸化ナトリウムが好ましい。

また、第二級アミン（３ａ）及び第二級アミン（３ｂ）は、前記の塩基として作用させることができる。例えば第二級アミン（３ａ）及び第二級アミン（３ｂ）の添加量を過剰量とすること、例えば脂肪族化合物（２）に対して２モル当量以上、更には５モル当量以上とすること、で製法１の反応を塩基存在下の反応とすることができる。

製法１の反応において、脂肪族化合物（２）と第二級アミン（３ａ）及び第二級アミン（３ｂ）は、溶媒中で反応させることが好ましい。該溶媒は反応を阻害しないものであれば制限は無く、例えば、芳香族炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、ハロゲン系溶媒、アミド系溶媒、ウレア系溶媒、ケトン系溶媒、ニトリル系溶媒、スルホキシド系溶媒、アルコール系溶媒及び水が挙げられる。

これらの溶媒の具体的なものとして、芳香族炭化水素系溶媒としてトルエン、キシレン及びクロロベンゼンが、エーテル系溶媒としてテトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン及び１，４−ジオキサンが、エステル系溶媒として酢酸エチル又は酢酸ブチルが、ハロゲン系溶媒としてクロロホルム、四塩化炭素、及びクロロベンゼンが、アミド系溶媒としてＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド又はＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドが、ウレア系溶媒として、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン又は１，３−ジメチル−３，４，５，６−テトラヒドロピリミジン−２（１Ｈ）−オンが、ケトン系溶媒としてアセトン又はメチルエチルケトンが、ニトリル系溶媒としてアセトニトリル、プロピオニトリル及びベンゾニトリルが、スルホキシド系溶媒としてジメチルスルホキシドが、アルコール系溶媒としてメタノール、エタノール及びプロパノールが、それぞれ、例示できる。

製法１において、好ましい溶媒としてエーテル系溶媒、アルコール系溶媒及びニトリル系溶媒が、より好ましい溶媒としてテトラヒドロフラン、エタノール及びアセトニトリルが、例示できる。

製法１において、反応温度は、特に限定するものではないが、室温以上２００℃以下の任意の温度であることが好ましい。ジアンモニウム塩の収率が高くなる傾向があるため、反応温度は室温以上８０℃以下であることがより好まし。一方、反応時間に特に制限はなく、例えば、１時間以上１００時間以下を挙げることができる。

製法１の反応において、脂肪族化合物（２）の活性化のために無機塩を添加して行ってもよい。該無機塩は反応を阻害しないものであれば制限は無く、例えば、ヨウ化リチウム、ヨウ化ナトリウム、ヨウ化カリウム等のヨウ化物塩及び臭化リチウム、臭化ナトリウム、臭化カリウム等の臭化物塩及びが挙げられる。該無機塩としては、ヨウ化リチウム、ヨウ化ナトリウム、ヨウ化カリウムであることが好ましい。製法１の反応において、脂肪族化合物（２）に対する、該無機塩は、それぞれ０．１〜１００モル当量であることが好ましく、それぞれ０．５〜５モル当量であることがより好ましい。

製法１は、一般式（１ａ）で表されるジアンモニウム塩を単離する工程（以下、「単離工程」ともいう。）、更に必要に応じて、単離後のジアンモニウム塩をイオン交換する工程（以下、「イオン交換工程」ともいう。）を含んでいてもよい。

単離工程において、ジアンモニウム塩（１ａ）が反応混合物から単離できればその方法は任意であり、単離方法として当業者が通常用いる一般的な精製方法をも用いることが出来、具体的には溶媒抽出、カラムクロマトグラフィー、分取薄層クロマトグラフィー、分取液体クロマトグラフィー、再結晶などが例示できる。

イオン交換工程では、ジアンモニウム塩（１ａ）をイオン交換する。これにより、本発明の一般式（１）で表されるジアンモニウム塩を得ることができる。

イオン交換の方法としては、例えば、当業者が四級アンモニウム塩のイオン交換に用いる一般的な方法を用いることが出来る。例えば、ジアンモニウム塩（１ａ）と、イオン交換樹脂とを接触させればよい。イオン交換樹脂として、交換基Ｙｂ⁻を有するイオン交換樹脂であればよく、例えば、アンバーライトＩＲＡ−４００、アンバーライトＩＲＡ−４０２、アンバーライトＩＲＡ−４０４、アンバーライトＩＲＡ−９００、アンバーライトＩＲＡ−９０４、アンバーライトＩＲＡ−４５８、アンバーライトＩＲＡ−９５８、アンバーライトＩＲＡ−４２０、アンバーライトＩＲＮ−７８、アンバーライトＩＲＡ−４１１及びアンバーライトＩＲＡ−９１０が例示でき、好ましくはアンバーライトＩＲＡ−４００が例示できる。

イオン交換は、イオン交換を阻害しない溶媒中で実施すればよい。該溶媒として、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、ニトリル系溶媒、アルコール系溶媒及び水の群から選択される１つ以上が挙げられる。具体的な溶媒は、それぞれ、前述の製法１の説明で例示した具体的な溶媒と同じものが例示できる。

＜製造方法の実施形態２＞
本実施形態のジアンモニウム塩の製造方法の別の実施形態として、下記一般式（４ａ）で表されるジアミンと、下記一般式（５ａ）で表されるアルキル化剤と、下記一般式（５ｂ）で表されるアルキル化剤とを反応させる工程、を有することを特徴とする、一般式（１ｂ）で表されるジアンモニウム塩の製造方法（以下、「製法２」ともいう。）が挙げられる。

式中、２つのＲ^７は、同一又は相異なって、炭素数１から１０のアルキル基又は炭素数６から１０の芳香族炭化水素基（これらの置換基は、水酸基、炭素数１から６のアルキル基、炭素数６から１０のアリール基、炭素数１から６のアルコキシ基、炭素数６から１０のアリールオキシ基、炭素数２から１２のジアルキルアミノ基、炭素数６から１０のモノアリールアミノ基及び炭素数１２から２０のジアリールアミノ基からなる群から選択される１つ以上の置換基で置換されていてもよい）を表す。

式中、Ｒ^８ａは、炭素数１から１０のアルキル基（これらの置換基は、水酸基、炭素数１から６のアルキル基、炭素数６から１０のアリール基、炭素数１から６のアルコキシ基、炭素数６から１０のアリールオキシ基、炭素数２から１２のジアルキルアミノ基、炭素数６から１０のモノアリールアミノ基及び炭素数１２から２０のジアリールアミノ基の群から選択される１つ以上の置換基で置換されていてもよい）を表し、
Ｙａは、ハロゲン原子又はＲ^５ＳＯ_２Ｏで表される有機スルホニルオキシ基を表す。

Ｒ^５は、一般式（１）におけるＲ^５と同義である。

式中、Ｒ^８ｂは、炭素数１から１０のアルキル基（これらの置換基は、水酸基、炭素数１から６のアルキル基、炭素数６から１０のアリール基、炭素数１から６のアルコキシ基、炭素数６から１０のアリールオキシ基、炭素数２から１２のジアルキルアミノ基、炭素数６から１０のモノアリールアミノ基及び炭素数１２から２０のジアリールアミノ基の群から選択される１つ以上の置換基で置換されていてもよい）を表し、
Ｙａは、ハロゲン原子又はＲ^５ＳＯ_２Ｏで表される有機スルホニルオキシ基を表す。

Ｒ^５は、一般式（１）におけるＲ^５と同義である。

式中、Ｒ^７、Ｒ^８ａ及びＲ^８ｂは、前記と同じ意味を表す。

Ｙａ⁻は、同一又は相異なって、ハロゲン化物イオン又はＲ^５ＳＯ_２Ｏ⁻で表されるスルホン酸イオンを表す。

Ｒ^５は、一般式（１）におけるＲ^５と同義である。

Ｒ^７における、炭素数１から１０のアルキル基、炭素数６から１０の芳香族炭化水素基、炭素数１から６のアルキル基、炭素数６から１０のアリール基、炭素数１から６のアルコキシ基、炭素数６から１０のアリールオキシ基、炭素数２から１２のジアルキルアミノ基、炭素数６から１０のモノアリールアミノ基、及び炭素数１２から２０のジアリールアミノ基については、特に限定するものではないが、Ｒ^１〜Ｒ^４における、炭素数１から１０のアルキル基、炭素数６から１０の芳香族炭化水素基、炭素数１から６のアルキル基、炭素数１から６のアルコキシ基、炭素数６から１０のアリールオキシ基、炭素数２から１２のジアルキルアミノ基、炭素数６から１０のモノアリールアミノ基、及び炭素数１２から２０のジアリールアミノ基と同じものを例示することができる。

Ｒ^８ａ及びＲ^８ｂにおける、炭素数１から１０のアルキル基、炭素数１から６のアルキル基、炭素数６から１０の芳香族炭化水素基、炭素数１から６のアルコキシ基、炭素数６から１０のアリールオキシ基、炭素数２から１２のジアルキルアミノ基、炭素数６から１０のモノアリールアミノ基、及び炭素数１２から２０のジアリールアミノ基については、特に限定するものではないが、Ｒ^１〜Ｒ^４における、炭素数１から１０のアルキル基、炭素数１から６のアルキル基、炭素数６から１０のアリール基、炭素数１から６のアルコキシ基、炭素数６から１０のアリールオキシ基、炭素数２から１２のジアルキルアミノ基、炭素数６から１０のモノアリールアミノ基、及び炭素数１２から２０のジアリールアミノ基と同じものを例示することができる。

製法２では以下に示す反応によって、一般式（１ｂ）で表されるジアンモニウム塩が得られる。

（式中、Ｒ^７、Ｒ^８ａ、Ｒ^８ｂ、Ｙａ及びＹａ⁻は前述と同じである。）
製法２の反応に供する、アルキル化剤（５ａ）及びアルキル化剤（５ｂ）は、同一のアルキル化剤を用いても良いし、異なる２種類のアルキル化剤を用いても良く、異なる２種類のアルキル化剤を用いた場合、非対称の本発明のジアンモニウム塩（１ｂ）を得ることができる。

製法２において、アルキル化剤（５ａ）及びアルキル化剤（５ｂ）は、ジアミン（４ａ）と段階的に反応させてもよい。

製法２の反応に供する、ジアミン（４ａ）、アルキル化剤（５ａ）及びアルキル化剤（５ｂ）は、市販のものを入手することが出来、また後述の原料製法１にしたがってジアミン（４ａ）を入手することも出来る。

製法２の反応において、ジアミン（４ａ）に対する、アルキル化剤（５ａ）及びアルキル化剤（５ｂ）は、それぞれ１〜１００モル当量であることが好ましく、それぞれ１〜１０モル当量であることがより好ましい。

製法２の反応において、ジアミン（４ａ）とアルキル化剤（５ａ）及びアルキル化剤（５ｂ）を溶媒中で反応させることが好ましい。該溶媒は、反応を阻害しないものが好ましく、製法１の反応における溶媒と同じものが例示できる。

製法２の反応における、具体的な溶媒、好ましい溶媒、反応温度及び反応時間その他条件は、製法１の反応における条件と同じ条件が例示できる。

製法２は、ジアンモニウム塩（１ｂ）を単離する工程、若しくは、これ（又は単離後の一般式（１ｂ）で表されるジアンモニウム塩）をイオン交換する工程の少なくともいずれか、を含んでいてもよい。

単離方法その他の条件は、製法１の単離工程と同じ条件が例示できる。

一般式（１ｂ）で表されるジアンモニウム塩のイオン交換により、一般式（１ｃ）で表されるジアンモニウム塩を得ることができる。

式中、Ｒ^７、Ｒ^８ａ及びＲ^８ｂは、一般式（１ｂ）におけるＲ^７、Ｒ^８ａ及びＲ^８ｂと同義であり、Ｙ⁻は、同一又は相異なって、ハロゲン化物イオン、Ｒ^５ＳＯ_２Ｏ⁻で表されるスルホン酸イオン、Ｒ^６ＣＯＯ⁻で表されるカルボン酸イオン又はＯＨ⁻（水酸化物イオン）を表す。

Ｙ⁻、Ｒ^５及びＲ^６は、一般式（１）のＹ⁻、Ｒ^５及びＲ^６と同義である。

イオン交換は、例えばジアンモニウム塩（１ｂ）と、イオン交換樹脂とを接触させればよい。該イオン交換における、イオン交換樹脂、及び、溶媒その他の条件は、製法１のイオン交換工程と同じ条件が例示できる。

＜一般式（４ａ）で表されるジアミンの製造方法＞
製法２に供するジアミン（４ａ）の製造方法の実施形態の一例として、一般式（６ａ）で表されるジイミドと、還元剤とを反応させる工程、を有することを特徴とする、ジアミン（４ａ）の製造方法（以下、「原料製法１」ともいう。）、を挙げることができる。

式中、二つのＲ^７は、同一又は相異なっていてよく、一般式（４ａ）におけるＲ^７と同義である。

式中、二つのＲ^７は、同一又は相異なっていてもよく、一般式（４ａ）におけるＲ^７と同義である。

原料製法１におけるＲ^７、好ましい又はより好ましいＲ^７は、製法２におけるものと同じである。

原料製法１に用いる還元剤としては、特に限定するものではないが、例えば、水素化アルミニウム、水素化アルミニウムリチウム、水素化ビス（２−メトキシエトキシ）アルミニウムナトリウム、ボラン−ジメチルスルフィド錯体、ボラン−テトラヒドロフラン錯体、ボラン−ピリジン錯体、及び、水素化ホウ素ナトリウム／三フッ化ホウ素―ジエチルエーテル錯体が例示でき、収率が良い点で、水素化アルミニウムリチウム、水素化ビス（２−メトキシエトキシ）アルミニウムナトリウム、ボラン−ジメチルスルフィド錯体、及び、ボラン−テトラヒドロフラン錯体が好ましく、水素化アルミニウムリチウム又はボラン−ジメチルスルフィド錯体がより好ましい。

原料製法１において、ジイミド（６ａ）に対する、還元剤は、２〜５０モル当量であることが好ましく、４〜１０モル当量であることがより好ましい。

原料製法１は、ジイミド（６ａ）と還元剤とを溶媒中で反応させればよい。該溶媒は反応を阻害しないものであればよく、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン、シクロペンチルメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチルｔｅｒｔ−ブチルエーテルなどのエーテル系溶媒、及びメタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール系溶媒の群から還元剤の種類に応じて適宜選択される１つ以上が例示でき、好ましい溶媒として芳香族炭化水素系溶媒又はエーテル系溶媒が、より好ましい溶媒としてトルエン又はテトラヒドロフランが、例示できる。

原料製法１において、反応温度は、特に限定するものではないが、２０℃以上１５０℃以下の任意の温度であることが好ましい。一般式（２ａ）で表されるジアミン化合物の収率が良くなる点で、反応温度は、４０℃以上１２０℃以下であることがより好ましい。一方、反応時間に特に制限はなく、例えば、１時間以上１００時間以下を挙げることができる。

原料製法１は、ジアミン（４ａ）を単離する工程、を含んでいてもよい。単離方法その他の条件は、製法１の単離工程と同じ条件が例示できる。

本発明のジアンモニウム塩（１）は、公知のアンモニウム塩の用途に適用できるが、遷移金属触媒の配位子、又は、ゼオライトの製造における有機構造指向剤（以下、「ＳＤＡ」ともいう。）として適しており、特に小細孔ゼオライトのＳＤＡとして適している。

以下、本発明のジアンモニウム塩（１）をＳＤＡとして適用したゼオライトの製造方法について説明する。

本実施形態のゼオライトの製造方法は、一般式（１）で表されるジアンモニウム塩、シリカ源、アルミナ源、アルカリ源及び水を含む組成物（以下、「原料組成物」ともいう。）を結晶化させる結晶化工程、を有することを特徴とするゼオライトの製造方法である。

以下、結晶化工程について説明する。 本発明のジアンモニウム塩をＳＤＡとして使用するゼオライトの製造方法により得られるゼオライトは、リン酸（ＰＯ_４）を骨格に含まないゼオライトであることが好ましく、アルミノシリケートであることが好ましい。

本発明のジアンモニウム塩（１）は、小細孔ゼオライト、特にＡＦＸ型ゼオライト、を指向するＳＤＡとして用いることが出来る。本実施形態において、ＡＦＸ型ゼオライトとは、ＡＦＸ構造を有するゼオライトであり、ＡＦＸ構造を有する結晶性アルミノシリケートである。

以下、得られるゼオライトとしてＡＦＸ型ゼオライトを例に挙げ、本発明のジアンモニウム塩をＳＤＡとして使用するゼオライトの製造方法について説明する。

ＡＦＸ型ゼオライトとは、ＡＦＸ構造を有するゼオライトである。ＡＦＸ構造とは、国際ゼオライト学会（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｚｅｏｌｉｔｅ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ；以下、「ＩＺＡ」とする。）のＳｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｃｏｍｍｉｓｓｉｏｎが定めているＩＵＰＡＣ構造コードで、ＡＦＸ型となる構造である。

本実施形態において、結晶性アルミノシリケートはアルミニウム（Ａｌ）とケイ素（Ｓｉ）を骨格金属（以下、「Ｔ原子」ともいう。）とし、Ｔ原子が酸素原子（Ｏ）を介して結合した三次元のネットワークからなる骨格構造を有する。

本発明のゼオライト製造方法は、シリカ源、アルミナ源、構造指向剤、アルカリ源及び水を含む組成物（以下、「原料組成物」ともいう。）を結晶化する。

シリカ源は、シリカ（ＳｉＯ_２）又はその前駆体となるケイ素化合物であり、例えば、コロイダルシリカ、無定型シリカ、珪酸ナトリウム、テトラエチルオルトシリケート、沈殿法シリカ、ヒュームドシリカ、結晶性アルミノシリケート及びアルミノシリケートゲルからなる群の少なくとも１種を挙げることができ、結晶性アルミノシリケート又はアルミノシリケートゲルの少なくともいずれかであることが好ましい。

アルミナ源は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）又はその前駆体となるアルミニウム化合物であり、例えば、硫酸アルミニウム、アルミン酸ナトリウム、水酸化アルミニウム、塩化アルミニウム、アルミノシリケートゲル、結晶性アルミノシリケート及び金属アルミニウムからなる群の少なくとも１種を用いることができ、結晶性アルミノシリケート又はアルミノシリケートゲルの少なくともいずれかであることが好ましい。

アルカリ源は、アルカリ金属の水酸化物又はアルカリ金属のハロゲン化物として原料組成物に含まれていればよく、特に塩基性を示すアルカリ金属の水酸化物として原料組成物に含まれていればよい。具体的には、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化ルビジウム及び水酸化セシウムからなる群の少なくとも１種、並びに、シリカ源及びアルミナ源の少なくともいずれかに含まれるアルカリ成分として原料組成物に含まれていることが挙げられる。

原料組成物は一般式（１）で示されるジアンモニウム塩を含む。本発明のジアンモニウム塩に含まれるジアンモニウムカチオンはＳＤＡとして機能し、ＡＦＸ型ゼオライトを指向するため、原料組成物を結晶化することでＡＦＸ型ゼオライトが得られる。本発明のゼオライト製造方法において、一般式（１）中のＹ⁻の種類はゼオライトの指向性への影響はほとんどないが、例えば、Ｙ⁻は、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、ベンゼンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン又はＯＨ⁻（水酸化物イオン）のいずれかであることが好ましく、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、及びＯＨ⁻（水酸化物イオン）からなる群のいずれかであることがより好ましい。

ＳＤＡが多くなると製造コストが高くなりやすいため、原料組成物は、シリカに対する本発明のジアンモニウム塩のモル比（以下、「ＳＤＡ／ＳｉＯ_２」ともいう。）が２．０以下であることが好ましく、１．０以下、更には０．５０以下、また更には０．３０以下であることが好ましい。ＳＤＡ／ＳｉＯ_２は、０．０１以上、更には０．０２以上、また更には０．０３以上であれば、ＡＦＸ型以外の構造を有するゼオライトの生成がより抑制される。

原料組成物のシリカに対する水のモル比（以下、「Ｈ_２Ｏ／ＳｉＯ_２」とする。）は、５以上６０以下であることが好ましく、１０以上４５以下であることがより好ましく、１０以上３０以下であることが更に好ましい。Ｈ_２Ｏ／ＳｉＯ_２がこの範囲であれば、結晶化中に適度な撹拌が可能な粘度の混合物となる。

ゼオライトの結晶成長を促進するために、原料組成物は種晶を含んでいてもよい。種晶を含む場合、原料組成物の種晶の含有量は、シリカに対する種晶の重量割合として、１０．０重量％以下、更には５．０重量％以下、また更には３．５重量％以下であることが挙げられる。

種晶は、結晶構造中に奇数員環を含まないゼオライトであればよく、例えば、ＦＡＵ、ＣＨＡ、ＡＥＩ、ＬＥＶ、ＡＦＸ、ＥＲＩ、ＯＦＦ、ＬＴＬ及びＧＭＥからなる群のいずれかの構造を有するゼオライト、更にはＣＨＡ、ＡＥＩ、ＬＥＶ、ＡＦＸ及びＥＲＩからなる群のいずれかの構造を有するゼオライト、また更にはＡＦＸ型ゼオライトを挙げることができる。

原料組成物は以下の組成を有することが好ましい。なお、以下の組成におけるＭはアルカリ金属、各割合はモル（ｍｏｌ）割合、及び、種晶は重量割合である。

ＳｉＯ_２／Ａｌ_２Ｏ_３ ５以上１００以下、
好ましくは１０以上５０以下、
より好ましくは１０以上４０以下
ＯＨ／ＳｉＯ_２ ０．０６以上１．０以下、
好ましくは０．０８以上０．６０以下、
より好ましくは０．１０以上０．４０以下
Ｍ／ＳｉＯ_２ ０．０６以上１．０以下、
好ましくは０．０８以上０．６０以下、
より好ましくは０．１０以上０．４０以下
ＳＤＡ／ＳｉＯ_２ ０．０１以上２．０以下、
好ましくは０．０２以上１．０以下、
より好ましくは０．０３以上０．５以下
Ｈ_２Ｏ／ＳｉＯ_２ ５以上６０以下、
好ましくは１０以上４５以下、
より好ましくは１０以上３０以下
種晶 １０．０重量％以下、
好ましくは５．０重量％以下、
より好ましくは３．５重量％以下
上記組成において、ＳｉＯ_２／Ａｌ_２Ｏ_３は原料組成物中のアルミナに対するシリカのモル比であり、ＯＨ／ＳｉＯ_２、Ｍ／ＳｉＯ_２、ＳＤＡ／ＳｉＯ_２及びＨ_２Ｏ／ＳｉＯ_２は、それぞれ、原料組成物中のシリカに対する水酸化物イオン、アルカリ金属、ＳＤＡ又は水のモル比である。なお、Ｍはアルカリ金属であり、例えば、アルカリ金属がナトリウムである場合、又は、アルカリ金属がナトリウムとカリウムである場合、Ｍ／ＳｉＯ_２は、それぞれ、Ｎａ／ＳｉＯ_２、又は（Ｎａ＋Ｋ）／ＳｉＯ_２となる。

本実施形態において、原料組成物は種晶を含んでいてもよい。種晶を含む場合、原料組成物の種晶の含有量は、原料組成物中のケイ素をシリカ（ＳｉＯ_２）換算した重量に対する種晶中のケイ素をシリカ換算した重量割合として、０重量％以上１０．０重量％以下、更には０．５重量％以上５．０重量％以下、また更には０．５重量％以上３．５重量％以下であることが挙げられる。

種晶は、結晶構造中に奇数員環を含まないゼオライトであればよく、例えば、ＦＡＵ、ＣＨＡ、ＡＥＩ、ＬＥＶ、ＡＦＸ、ＥＲＩ、ＯＦＦ、ＬＴＬ及びＧＭＥの群から選ばれるいずれかの構造を有するゼオライトであることが好ましく、ＣＨＡ、ＡＥＩ、ＬＥＶ、ＡＦＸ及びＥＲＩの群から選ばれるいずれかの構造を有するゼオライトであることがより好ましく、ＡＦＸ型ゼオライトであることが更に好ましい。

結晶化工程において、原料組成物の結晶化方法は適宜選択すればよい。好ましい結晶化方法として、原料組成物を水熱処理することが挙げられる。水熱処理は、原料組成物を密閉耐圧容器に入れ、これを加熱すればよい。水熱処理条件として以下のものを挙げることができる。

処理温度 ：８０℃以上１９０℃以下、好ましくは１５０℃以上１９０℃以下
処理時間 ：２時間以上５００時間以下
処理圧力 ：自生圧
結晶化における原料組成物の状態は任意であり、静置下又は撹拌下のいずれでもよいが、撹拌下であることが好ましい。

本実施形態のゼオライト製造方法は、洗浄工程、乾燥工程、ＳＤＡ除去工程、又は、アンモニウム処理工程などの後処理工程を含んでもよい。

前記の洗浄工程は、ゼオライトを洗浄する。洗浄方法は任意であるが、ゼオライトを十分量の純水と接触させることが例示できる。

前記の乾燥工程は、ゼオライトから水分を除去する。乾燥方法は任意であるが、ゼオライトを、大気中、１００℃以上、１５０℃以下で２時間以上処理することが例示できる。

前記のＳＤＡ除去工程は、ゼオライトに残存するＳＤＡを除去する。ＳＤＡ除去方法として、大気中、４００℃以上７００℃以下で、１〜２時間処理することが挙げられる。

前記のアンモニウム処理工程は、ゼオライトからのアルカリ金属の除去、及び、カチオンタイプをアンモニウム型（以下、「ＮＨ_４ ^＋型」とする。）にする。アンモニウム処理方法は、アンモニウムイオンを含有する水溶液とゼオライトと接触させることが挙げられる。なお、ＮＨ_４ ^＋型のゼオライトを、熱処理し、カチオンタイプがプロトン型（以下、「Ｈ^＋型」とする。）のゼオライトとしてもよい。具体的な熱処理条件として、大気中、５００℃、１〜２時間が例示できる。

本実施形態のゼオライトの製造方法により得られるゼオライトは、例えば、吸着剤、触媒、吸着剤の担体又は触媒担体など、公知のゼオライトの用途に使用することができる。

結晶化は静置又は撹拌のいずれの状態で行ってもよい。得られるＡＦＸ型ゼオライトの組成がより均一になるため、結晶化は原料組成物が撹拌された状態で行うことが好ましい。

本発明のゼオライト製造方法では、結晶化工程の後、洗浄工程及び乾燥工程、若しくは、洗浄工程、乾燥工程及びＳＤＡ除去工程を含んでもよい。

洗浄工程は、結晶化工程後の生成物からＡＦＸ型ゼオライトと液相とを固液分離する。洗浄工程は、公知の方法で固液分離をし、固相として得られるＡＦＸ型ゼオライトを純水で洗浄すればよい。具体的には、生成物をろ過、洗浄し、液相と固相に分離し、ＡＦＸ型ゼオライトを得る方法が挙げられる。

乾燥工程は、結晶化工程後又は洗浄工程後のＡＦＸ型ゼオライトから水分を除去する。乾燥工程の条件は任意であるが、結晶化工程後の生成物、又は洗浄工程後で得られたＡＦＸ型ゼオライトを、大気中、１００℃以上、１５０℃以下の条件下で２時間以上処理することが例示できる。乾燥方法として、静置又はスプレードライヤーが例示できる。

ＳＤＡ除去工程では、例えばＳＤＡの除去を焼成又は分解により行うことができる。 焼成は４００℃以上、８００℃以下の温度で行う。更には７００℃以下の温度で行うことが好ましい。これにより脱アルミニウムの少ないＡＦＸ型ゼオライトが得られやすい。具体的な熱処理条件としては、大気中、６００℃、１〜２時間を挙げることができる。

本発明の製造方法では、必要に応じてアンモニウム処理工程を有していてもよい。

アンモニウム処理工程は、ＡＦＸ型ゼオライトに含有されるアルカリ金属を除去し、カチオンタイプをアンモニウム型（以下、「ＮＨ_４ ^＋型」とする。）にするために行う。アンモニウム処理工程は、例えば、アンモニウムイオンを含有する水溶液をＡＦＸ型ゼオライトと接触させることで行う。

ＮＨ_４ ^＋型のＡＦＸ型ゼオライトである場合、再度熱処理を行なってもよい。当該熱処理により、カチオンタイプがプロトン型（以下、「Ｈ^＋型」とする。）のＡＦＸ型ゼオライトとなる。より具体的な熱処理条件としては、大気中、５００℃、１〜２時間を挙げることができる。

また、本実施形態のゼオライト製造方法は、ＳＤＡを含むゼオライトを用いて、ゼオライトの修飾等を行う修飾工程を含んでいても良い。

前記の修飾工程は、ゼオライトの表面や内部を金属塩や有機物で修飾する工程であり、方法は任意であるが、例えばゼオライトと金属塩を含む溶液とを接触させることが例示できる。

本発明のＡＦＸ型ゼオライトに遷移金属を含有させる場合、本発明の製造方法は、ＡＦＸ型ゼオライトに遷移金属を含有させる遷移金属含有工程を有していてもよい。

遷移金属含有工程で使用する遷移金属としては、周期表の７族、８族、９族、１０族、１１族及び１３族からなる群の１種以上の遷移金属を含む化合物であることが好ましく、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、銀（Ａｇ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、マンガン（Ｍｎ）及びインジウム（Ｉｎ）からなる群の１種以上を含む化合物であることがより好ましく、鉄又は銅の少なくともいずれかを含む化合物であることが更により好ましく、銅を含む化合物であることが好ましい。遷移金属を含む化合物として、これらの遷移金属の硝酸塩、硫酸塩、酢酸塩、塩化物、錯塩、酸化物及び複合酸化物からなる群の少なくとも１種を挙げることができる。

ＡＦＸ型ゼオライトに遷移金属を含有させる方法としては、例えば、イオン交換法、含浸担持法、蒸発乾固法、沈殿担持法、及び物理混合法からなる群の少なくとも１種を挙げることができる。

本発明のゼオライト製造方法により得られたＡＦＸ型ゼオライトは触媒又は吸着剤、並びに、これらの基材の少なくともいずれか、更には高温高湿下に晒される触媒又は吸着剤の少なくともいずれか、並びに、触媒基材又は吸着剤基材の少なくともいずれとして使用することができ、特に触媒又は触媒基材として使用することが好ましい。さらに、本発明のＡＦＸ型ゼオライトは、遷移金属を含有させることにより、これを窒素酸化物還元触媒として、特にＳＣＲ触媒として使用することができる。さらには、排気ガス温度が高いディーゼル車用のＳＣＲ触媒として使用することができる。

本発明のＡＦＸ型ゼオライトを含む窒素酸化物還元触媒は、窒素酸化物還元方法に使用することができる。

次に、本発明を実施例によって説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（Ｈ^１−ＮＭＲ）
Ａｓｃｅｎｄ^ＴＭ ４００（４００ＭＨｚ、Ｂｒｕｋｅｒ製）又はＵｌｔｒａＳｈｉｅｌｄ^ＴＭ Ｐｌｕｓ ４００（４００ＭＨｚ、Ｂｒｕｋｅｒ製）を使用して、試料のＨ^１−ＮＭＲ測定を行った。測定溶媒として、重クロロホルム（ＣＤＣｌ_３）、重ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ−ｄ_６）又は重水（Ｄ_２Ｏ）を、内部標準物質としてテトラメチルシラン（ＴＭＳ）を用いて試料のＨ^１−ＮＭＲを測定した。測定データは、化学シフト、多重度、カップリング定数（Ｈｚ）、積分値の順に記載した。
（イオンクロマトグラフ）
イオンクロマトグラフ装置ＩＣ−２００１（東ソー製）を使用し、陰イオンクロマトグラフを測定した。測定条件は以下のとおりである。

カラム： ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＩＣ−ＡＺ
溶離液： ７．５ｍｍｏｌ／Ｌ炭酸水素ナトリウム水溶液
＋１．１ｍｍｏｌ／Ｌ炭酸ナトリウム水溶基
流速 ： ０．８ｍＬ／ｍｉｎ
温度 ： ４０℃
検出 ： 電気伝導度
（粉末Ｘ線回折）
一般的なＸ線回折装置（装置名：Ｕｌｔｉｍａ ＩＶ、ＲＩＧＡＫＵ製）を使用し、試料のＸＲＤ測定を行った。測定条件は以下のとおりである。

線源 ： ＣｕＫα線（λ＝１．５４０５Å）
測定モード ： ステップスキャン
スキャン幅 ： ０．０２°
発散スリット： １．００ｄｅｇ
散乱スリット： 開放
受光スリット： 開放
計測時間 ： １．０分
測定範囲 ： ２θ＝３．０°〜４３．０°
得られたＸＲＤのパターンとＩＺＡのＳｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｃｏｍｍｉｓｓｉｏｎのホーム−ページに掲載されたＸＲＤパターンとを比較することによって、試料の結晶相及びＸＲＤピーク強度比を確認した。
（ケイ素、アルミニウムの定量）
一般的な誘導結合プラズマ発光分析装置（装置名：ＯＰＴＩＭＡ３３００ＤＶ、ＰＥＲＫＩＮ ＥＬＭＥＲ製）を用いて、試料の組成分析を行った。試料をフッ酸と硝酸の混合溶液に溶解させ、測定溶液を調製した。得られた測定溶液を装置に投入して試料の組成を分析した。得られたケイ素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）のモル濃度から、ＳｉＯ_２／Ａｌ_２Ｏ_３を算出した。

（ジアンモニウム塩の合成）
実施例１−１

水素化アルミニウムリチウム（１．６７ｇ，４３．９ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（７３ｍＬ）の懸濁液に、Ｎ，Ｎ’−ジエチルシクロヘキサンテトラカルボキシジイミド（２．０４ｇ，７．３１ｍｍｏｌ）を氷浴下で加え、６０℃で９時間撹拌した。反応後、反応液を氷浴で冷却し、水（１．７ｍＬ）、１５％水酸化ナトリウム水溶液（１．７ｍＬ）、水（５．１ｍＬ）を順次加えて撹拌した。反応液から析出した固体をろ別し、固体をテトラヒドロフラン及び酢酸エチルで洗浄した後、ろ液から溶媒を減圧下で留去して、５，１１−ジエチル−５，１１−ジアザトリシクロ［７．３．０．０^３，７］ドデカンの粗生成物（１．７９ｇ）を得た。

５，１１−ジエチル−５，１１−ジアザトリシクロ［７．３．０．０^３，７］ドデカンの粗生成物のＮＭＲスペクトル：^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：３．０４〜２．８７（ｍ，４Ｈ），２．４０（ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，４Ｈ），２．２１〜２．０６（ｍ，４Ｈ），１．９４〜１．８３（ｍ，４Ｈ），１．６６〜１．５５（ｍ，２Ｈ），１．２０〜１．０３（ｍ，２Ｈ），１．１０（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，６Ｈ）。

５，１１−ジエチル−５，１１−ジアザトリシクロ［７．３．０．０^３，７］ドデカンの粗生成物（１．７９ｇ）のテトラヒドロフラン／エタノール（１ｍＬ／１．２６ｍＬ）溶液に、ブロモエタン（１．７８ｍＬ，２４．０ｍｍｏｌ）を加え、室温で１８時間撹拌した後、６０℃で３０時間撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、析出した固体をろ取し、テトラヒドロフラン／エタノール混合液（１：１）で洗浄することで、白色固体の５，５，１１，１１−テトラエチルトリシクロ［７．３．０．０^３，７］ドデカン−５，１１−ジアザニウム＝ジブロミド（３．４７ｇ，２工程での総収率４０％）を得た。得られた化合物をイオンクロマトグラフにて分析した結果、臭化物イオンの存在を確認した。

５，５，１１，１１−テトラエチルトリシクロ［７．３．０．０^３，７］ドデカン−５，１１−ジアザニウム＝ジブロミドのＮＭＲスペクトル：^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｄ_２Ｏ）δ（ｐｐｍ）：４．００〜３．８６（ｍ，４Ｈ），３．４５〜３．３０（ｍ，８Ｈ），３．１４〜２．９９（ｍ，４Ｈ），２．７０〜２．５３（ｍ，４Ｈ），２．００〜１．８９（ｍ，２Ｈ），１．４０〜１．２３（ｍ，１４Ｈ）。

（１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸テトラエチルの合成）
参考例１−１

１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物（２．２３ｇ，９．９５ｍｍｏｌ）のエタノール／トルエン（１：１）混合溶液（２０ｍＬ）に、ｐ−トルエンスルホン酸位置一水和物（９９．０ｍｇ，０．５２ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流下で１６時間撹拌した。反応後、反応液を室温に放冷し、溶媒を減圧下で留去し、得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘキサン／酢酸エチル）により精製することで、無色油状物の１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸テトラエチル（３．５１ｇ，収率９５％）を得た。

１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸テトラエチルのＮＭＲスペクトル：^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ_６）δ（ｐｐｍ）：４．０８〜３．８９（ｍ，８Ｈ），２．９３〜２．７７（ｍ，４Ｈ），２．４０〜２．２７（ｍ，２Ｈ），２．１７〜２．０６（ｍ，２Ｈ），１．１４（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，１２Ｈ）。
（１，２，４，５−テトラキシ（ヒドロキシメチル）シクロヘキサンの合成）

水素化アルミニウムリチウム（５．０５ｇ，１３３ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（１２０ｍＬ）の懸濁液に、１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸テトラエチル（８．２４ｇ，２２．１ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（１１５ｍＬ）溶液を氷浴下で加え、６５℃で３時間、室温で１５時間撹拌した。反応後、反応液を氷浴で冷却し、水（５．８ｍＬ）、１Ｍの水酸化ナトリウム水溶液（２２ｍＬ）、水（１７ｍＬ）を順次加えて撹拌した。反応液から析出した固体をろ別し、固体をテトラヒドロフラン及び酢酸エチルで洗浄した。ろ液から溶媒を減圧下で留去し、得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィー （溶離液：クロロホルム／メタノール）により精製することで、白色固体の１，２，４，５−テトラキス（ヒドロキシメチル）シクロヘキサン（２．９８ｇ，収率６６％）を得た。

１，２，４，５−テトラキス（ヒドロキシメチル）シクロヘキサンのＮＭＲスペクトル：^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ_６）δ（ｐｐｍ）：４．４３（ｔ，Ｊ＝４．９Ｈｚ，４Ｈ），３．４７〜３．３６（ｍ，４Ｈ），３．２８〜３．１８（ｍ，４Ｈ），１．５２〜１．４０（ｍ，２Ｈ），１．４０〜１．３０（ｍ，２Ｈ）。
（１，２，４，５−テトラキス（メタンスルホニルオキシメチル）シクロヘキサンの合成）

１，２，４，５−テトラキス（ヒドロキシメチル）シクロヘキサン（４０１ｍｇ，１．９６ｍｍｏｌ）及びトリエチルアミン（１．４ｍＬ，１０．１ｍｍｏｌ）のジクロロメタン（５．８ｍＬ）溶液に、塩化メタンスルホニル（０．６９ｍＬ，８．９２ｍｍｏｌ）を氷浴下で加え、０℃で２１．５時間撹拌した。反応混合物に水（５ｍＬ）を入れ、分液後、水層をクロロホルム（５ｍＬｘ３）で抽出した。併せた有機相を飽和炭酸水素ナトリウム水様液（５ｍＬ）で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧濃縮することで、黄色油状物の１，２，４，５−テトラキス（メタンスルホニルオキシメチル）シクロヘキサン（９７４ｍｇ，収率９６％）を得た。

１，２，４，５−テトラキス（メタンスルホニルオキシメチル）シクロヘキサンのＮＭＲスペクトル：^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ_６）δ（ｐｐｍ）：４．３１〜４．２０（ｍ，４Ｈ），４．１４〜４．０３（ｍ，４Ｈ），３．２１（ｓ，１２Ｈ），２．３０〜２．０９（ｍ，４Ｈ），１．７５〜１．５８（ｍ，４Ｈ）。

実施例１−２

１，２，４，５−テトラキス（メタンスルホニルオキシメチル）シクロヘキサン（４００ｍｇ，０．７７ｍｍｏｌ）のアセトニトリル（１．０ｍＬ）溶液に、ビス（２−エトキシエチル）アミン（０．５９ｍＬ，３．２３ｍｍｏｌ）を入れ、封管中９０℃にて１６時間撹拌した。反応液を室温に放冷後、濃縮し、得られた粗生成物をメタノールに溶かし、陰イオン交換樹脂（アンバーライトＩＲＡ−４００ Ｃｌ⁻型，１２ｃｍ^３）を入れ、室温で３時間撹拌した。ろ過にて陰イオン交換樹脂を除き、濃縮した。得られた粗生成物にクロロホルムを入れ、析出した固体をろ別し、ろ液を濃縮した。そこに氷冷したアセトンを加え、析出した固体をろ取することで、５，５，１１，１１−テトラキス（エトキシエチル）−トリシクロ［７．３．０．０^３．７］ドデカン−５，１１−ジアザニウム＝ジクロリド（１１２ｍｇ，収率２８％）を白色固体として得た。得られた化合物をイオンクロマトグラフにて分析した結果、塩化物イオンの存在を確認した。

５，５，１１，１１−テトラキス（エトキシエチル）−トリシクロ［７．３．０．０^３．７］ドデカン−５，１１−ジアザニウム＝ジクロリドのＮＭＲスペクトル：^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｄ_２Ｏ）δ（ｐｐｍ）：４．０６（ｄｄ，Ｊ＝１２．３，６．６Ｈｚ，４Ｈ），３．８０（ｂｒｓ，８Ｈ），３．６１（ｂｒｄｄ，Ｊ＝５．０，４．１Ｈｚ，４Ｈ），３．５４〜３．４６（ｍ，１２Ｈ），３．０７（ｄｄ，Ｊ＝１０．７，１０．７Ｈｚ，４Ｈ），２．６０〜２．４４（ｍ，４Ｈ），１．８５（ｂｒｄ，Ｊ＝１３．４，２Ｈ），１．２７〜１．１３（ｍ，２Ｈ），１．１０（ｔ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，６Ｈ），１．０９（ｔ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，６Ｈ）。

実施例１−３

１，２，４，５−テトラキス（メタンスルホニルオキシメチル）シクロヘキサン（３５０ｍｇ，０．６８ｍｍｏｌ）のアセトニトリル（１．０ｍＬ）溶液に、１１％ジメチルアミン（１．６ｍＬ，３．２０ｍｍｏｌ）のエタノール溶液を入れ、封管中９０℃にて１９時間撹拌した。反応液を室温に放冷後、濃縮し、得られた粗生成物をメタノールに溶かし、陰イオン交換樹脂（アンバーライトＩＲＡ４００ Ｃｌ⁻型，８．３ｃｍ^３）を入れ、室温で４時間撹拌した。ろ過にて陰イオン交換樹脂を除き、濃縮した。得られた粗生成物にクロロホルムを入れ、析出した固体をろ取することで、５，５，１１，１１−テトラメチルトリシクロ［７．３．０．０^３．７］ドデカン−５，１１−ジアザニウム＝ジクロリド（１３．１ｍｇ，収率７％）を白色固体として得た。得られた化合物をイオンクロマトグラフにて分析した結果、塩化物イオンの存在を確認した。

５，５，１１，１１−テトラメチルトリシクロ［７．３．０．０^３．７］ドデカン−５，１１−ジアザニウム＝ジクロリドのＮＭＲスペクトル：^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｄ_２Ｏ）δ（ｐｐｍ）：３．７６（ｄｄ，Ｊ＝１２．６，７．７Ｈｚ，４Ｈ），３．１３（ｂｒｓ，６Ｈ），３．１６〜３．０７（ｍ，４Ｈ），３．０３（ｂｒｓ，６Ｈ），２．６８〜２．５２（ｍ，４Ｈ），１．８５（ｄｔ，Ｊ＝１３．１，４．７Ｈｚ，２Ｈ），１．３０〜１．１５（ｍ，２Ｈ）。

実施例１−４

１，２，４，５−テトラキス（メタンスルホニルオキシメチル）シクロヘキサン（３７２ｍｇ，０．７２ｍｍｏｌ）のアセトニトリル（１．０ｍＬ）溶液に、Ｎ−エチルメチルアミン（０．２７ｍＬ，３．１５ｍｍｏｌ）を入れ、封管中９０℃にて１６時間撹拌した。反応液を室温に放冷後、濃縮し、得られた粗生成物をメタノールに溶かし、陰イオン交換樹脂（アンバーライトＩＲＡ４００ Ｃｌ⁻型，８．３ｃｍ^３）を入れ、室温で３時間撹拌した。ろ過にて陰イオン交換樹脂を除き、濃縮した。得られた粗生成物に氷冷したアセトンを加え、さらにクロロホルムを入れ、析出した固体をろ取することで、５，１１−ジエチル−５，１１−ジメチルトリシクロ［７．３．０．０^３．７］ドデカン−５，１１−ジアザニウム＝ジクロリド（２１．２ｍｇ，収率９％）を白色固体として得た。得られた化合物をイオンクロマトグラフにて分析した結果、塩化物イオンの存在を確認した。

５，１１−ジエチル−５，１１−ジメチルトリシクロ［７．３．０．０^３．７］ドデカン−５，１１−ジアザニウム＝ジクロリドのＮＭＲスペクトル：^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｄ_２Ｏ）δ（ｐｐｍ）：３．８９〜３．６８（ｍ，４Ｈ），３．４１〜３．２２（ｍ，４Ｈ），３．０８〜２．９８（ｍ，４Ｈ），３．１０〜２．８９（ｍ，１０Ｈ），２．６６〜２．４４（ｍ，４Ｈ），１．８８〜１．７８（ｍ，２Ｈ），１．３４〜１．１２（ｍ，８Ｈ）。

実施例１−５

１，２，４，５−テトラキス（メタンスルホニルオキシメチル）シクロヘキサン（１．０６ｇ，２．１ｍｍｏｌ）、アセトニトリル（７．０ｍＬ）およびジエチルアミン（０．８３ｍＬ，８．０ｍｍｏｌ）を入れ、封管中８５℃にて１７時間撹拌した。反応液を室温に放冷後、濃縮し、得られた粗生成物をメタノールに溶かし、陰イオン交換樹脂（アンバーライトＩＲＡ４００ Ｃｌ⁻型，１６ｃｍ^３）を入れ、室温で３時間撹拌した。ろ過にて陰イオン交換樹脂を除き、ろ液を減圧濃縮後、残渣にアセトンを加え、析出した固体をろ取した。得られた固体をクロロホルムで洗浄することで、５，５，１１，１１−テトラエチル−５，１１−ジアザトリシクロ［７．３．０．０^３．７］ドデカニウム＝ジクロリド（５４．８ｍｇ，収率８％）を白色固体として得た。得られた化合物をイオンクロマトグラフにて分析した結果、塩化物イオンの存在を確認した。

５，５，１１，１１−テトラエチル−５，１１−ジアザトリシクロ［７．３．０．０^３．７］ドデカニウム＝ジクロリドのＮＭＲスペクトル：^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｄ_２Ｏ）δ（ｐｐｍ）：３．９９〜３．８５（ｍ，４Ｈ），３．４４〜３．２８（ｍ，８Ｈ），３．１１〜２．９７（ｍ，４Ｈ），２．６８〜２．５１（ｍ，４Ｈ），１．９８〜１．８６（ｍ，２Ｈ），１．３９〜１．２１（ｍ，１４Ｈ）。

実施例１−６

５，５，１１，１１−テトラエチル−５，１１−ジアザトリシクロ［７．３．０．０^３．７］ドデカニウム＝ジクロリド（５４．８ｍｇ，０．１５６ｍｍｏｌ）の水溶液を陰イオン交換樹脂（アンバーライトＩＲＮ−７８ ＯＨ⁻型，７．９ｃｍ^３）を充填したカラムに通し、５，５，１１，１１−テトラエチル−５，１１−ジアザトリシクロ［７．３．０．０^３．７］ドデカニウム＝ジヒドロキシドの水溶液（１０ｍＬ）を得た。これをイオン交換水で希釈し、０．０１０Ｍ塩酸で滴定し、イオン交換率を測定したところ６７％のイオン交換率であった。

５，５，１１，１１−テトラエチル−５，１１−ジアザトリシクロ［７．３．０．０^３．７］ドデカニウム＝ジヒドロキシドの水溶液のＮＭＲスペクトル：^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｄ_２Ｏ）δ（ｐｐｍ）：３．９９〜３．８５（ｍ，４Ｈ），３．４４〜３．２８（ｍ，８Ｈ），３．１１〜２．９７（ｍ，４Ｈ），２．６８〜２．５１（ｍ，４Ｈ），１．９８〜１．８６（ｍ，２Ｈ），１．３９〜１．２１（ｍ，１４Ｈ）。

実施例１−７

１，２，４，５−テトラキス（メタンスルホニルオキシメチル）シクロヘキサン（３２０ｍｇ）、アセトニトリル（１．０ｍＬ）およびＮ，Ｎ−ジエチル−Ｎ’−メチルエチレンジアミン（０．３４ｍＬ，２．７ｍｍｏｌ）を入れ、封管中９０℃にて１７時間撹拌した。反応液を室温に放冷後、濃縮し、得られた粗生成物をメタノールに溶かし、陰イオン交換樹脂（アンバーライトＩＲＡ４００ Ｃｌ⁻型，１６ｃｍ^３）を入れ、室温で３時間撹拌した。ろ過にて陰イオン交換樹脂を除き、ろ液を減圧濃縮後、残渣にアセトンを加え、析出した固体をろ取した。得られた固体をメタノールに溶かし、活性炭で洗浄することで、５，１１−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチル−５，１１−ジメチル−５，１１−ジアザトリシクロ［７．３．０．０^３．７］ドデカニウム＝ジクロリド（９０．２ｍｇ，収率２７％）を白色固体として得た。５，１１−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチル−５，１１−ジメチル−５，１１−ジアザトリシクロ［７．３．０．０^３．７］ドデカニウム＝ジクロリドのＮＭＲスペクトル：^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｄ_２Ｏ）δ（ｐｐｍ）：４．０３−３．８６（ｍ，４Ｈ），３．５８−３．３６（ｍ，４Ｈ），３．２７−３．１４（ｍ，６Ｈ），３．１４−３．０５（ｍ，４Ｈ），３．０４−２．９４（ｍ，４Ｈ），２．７６−２．５４（ｍ，１２Ｈ），２．００−１．８９（ｍ，２Ｈ），１．４０−１．２２（ｍ，２Ｈ），１．０４（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，１２Ｈ）。

（ＡＦＸ型ゼオライトの合成）
実施例２−１
実施例１−１で得られた５，５，１１，１１−テトラエチルトリシクロ［７．３．０．０^３，７］ドデカン−５，１１−ジアザニウム＝ジブロミド、４８％ＮａＯＨ及びＹ型ゼオライト（商品名：ＨＳＺ−３５０ＨＵＡ、東ソー製）を混合し組成物を得た。得られた組成物の組成を示す。

ＳｉＯ_２／Ａｌ_２Ｏ_３ ＝ １１．１
ＯＨ／ＳｉＯ_２ ＝ ０．３５
Ｎａ／ＳｉＯ_２ ＝ ０．３５
ＳＤＡ／ＳｉＯ_２ ＝ ０．０８
Ｈ_２Ｏ／ＳｉＯ_２ ＝ ２５
組成物の種晶含有量が３．０重量％となるように、組成物にＡＦＸ型ゼオライトを添加した後、十分に撹拌した。

攪拌後の組成物をステンレス製オートクレーブに密閉し、当該オートクレーブを回転させながら、１８０℃で１６８時間加熱して生成物を得た。

生成物を濾過、洗浄し、大気中１１０℃で一晩乾燥させた。生成物はＡＦＸ型ゼオライトの単一相であり、ＳｉＯ_２／Ａｌ_２Ｏ_３は９．８であった。

本実施例のＡＦＸ型ゼオライトのＸＲＤパターンを図１、ＳＥＭイメージを図２に示す。

Claims (10)

1. 一般式（１）で表されるジアンモニウム塩。
   

   

   ［式中、
   Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、各々独立に、炭素数１から１０のアルキル基、炭素数１から１０のハロアルキル基又は炭素数６から１０の芳香族炭化水素基を表し、これらの置換基は、水酸基、炭素数１から６のアルキル基、炭素数６から１０のアリール基、炭素数１から６のアルコキシ基、炭素数６から１０のアリールオキシ基、炭素数２から１２のジアルキルアミノ基、炭素数６から１０のモノアリールアミノ基及び炭素数１２から２０のジアリールアミノ基からなる群から選択される１つ以上の置換基で置換されていてもよい。
   Ｙ⁻は、同一又は相異なって、ハロゲン化物イオン、Ｒ^５ＳＯ_２Ｏ⁻で表されるスルホン酸イオン、Ｒ^６ＣＯＯ⁻で表されるカルボン酸イオン又はＯＨ⁻（水酸化物イオン）を表す。
   Ｒ^５は、炭素数１から９のアルキル基、炭素数１から９のフルオロアルキル基、又はフェニル基を表し、該フェニル基は、炭素数１から４のアルキル基、炭素数１から４のフルオロアルキル基、炭素数１から４のアルコキシ基、炭素数１から４のフルオロアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基及びニトロ基からなる群から選択される１つ以上の置換基で置換されていてもよい。
   Ｒ^６は、炭素数１から６のアルキル基、炭素数１から４のフルオロアルキル基又はフェニル基を表し、該フェニル基は、炭素数１から４のアルキル基で置換されていてもよい。］
2. Ｙ⁻が、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、ベンゼンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン又はＯＨ⁻（水酸化物イオン）である請求項１に記載のジアンモニウム塩。
3. Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４が、各々独立に、炭素数１から１０のアルキル基又は炭素数６から１０の芳香族炭化水素基を表し、これらの置換基は、炭素数１から６のアルキル基、炭素数６から１０のアリールオキシ基、炭素数２から１２のジアルキルアミノ基、炭素数１から６のアルコキシ基及び炭素数１２から２０のジアリールアミノ基からなる群から選択される１つ以上の置換基で置換されていてもよい、である請求項１又は２に記載のジアンモニウム塩。
4. Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４が、各々独立に、炭素数１から６のアルキル基、炭素数６から１０のアリールオキシ基、炭素数２から１２のジアルキルアミノ基、炭素数１から６のアルコキシ基及び炭素数１２から２０のジアリールアミノ基からなる群から選択される１つ以上の置換基で置換されていてもよい炭素数１から１０のアルキル基である請求項１乃至３に記載のジアンモニウム塩。
5. Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４が、各々独立に、炭素数２から４のジアルキルアミノ基及び炭素数１から４のアルコキシ基からなる群から選択される１つ以上の置換基で置換されていてもよい炭素数１から６のアルキル基である請求項１乃至４に記載のジアンモニウム塩。
6. Ｒ^１とＲ^２とが同一、且つＲ^３とＲ^４とが同一の置換基である請求項１乃至５に記載のジアンモニウム塩。
7. Ｒ^１とＲ^２が同一且つメチル基又はエチル基であり、Ｒ^３とＲ^４とが同一且つメチル基又はエチル基であり、Ｙ⁻が塩化物イオン、臭化物イオン又はＯＨ⁻（水酸化物イオン）である請求項１乃至６のいずれか一項に記載のジアンモニウム塩。
8. 請求項１に記載の一般式（１）で表されるジアンモニウム塩、シリカ源、アルミナ源、アルカリ源及び水を含む組成物を結晶化させる結晶化工程、を有することを特徴とするゼオライトの製造方法。
9. ゼオライトが小細孔ゼオライトである、前記請求項８に記載のゼオライトの製造方法。
10. ゼオライトがＡＦＸ型ゼオライトである、前記請求項８又は請求項９に記載のゼオライトの製造方法。

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