JP2021106267A - Icチップ搭載装置、icチップ搭載方法 - Google Patents

Icチップ搭載装置、icチップ搭載方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2021106267A
JP2021106267A JP2020216459A JP2020216459A JP2021106267A JP 2021106267 A JP2021106267 A JP 2021106267A JP 2020216459 A JP2020216459 A JP 2020216459A JP 2020216459 A JP2020216459 A JP 2020216459A JP 2021106267 A JP2021106267 A JP 2021106267A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
antenna
chip
pressing
pressing unit
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2020216459A
Other languages
English (en)
Inventor
禎光 前田
Yoshimitsu Maeda
禎光 前田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sato Holdings Corp
Original Assignee
Sato Holdings Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sato Holdings Corp filed Critical Sato Holdings Corp
Priority to PCT/JP2020/048888 priority Critical patent/WO2021132622A1/ja
Priority to US17/783,830 priority patent/US20230011327A1/en
Publication of JP2021106267A publication Critical patent/JP2021106267A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/741Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L24/743Apparatus for manufacturing layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H05K13/04Mounting of components, e.g. of leadless components
    • H05K13/046Surface mounting
    • H05K13/0469Surface mounting by applying a glue or viscous material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68313Auxiliary support including a cavity for storing a finished device, e.g. IC package, or a partly finished device, e.g. die, during manufacturing or mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27Manufacturing methods
    • H01L2224/273Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector
    • H01L2224/2731Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector in liquid form
    • H01L2224/27312Continuous flow, e.g. using a microsyringe, a pump, a nozzle or extrusion
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199Material of the matrix
    • H01L2224/2929Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/32237Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/75252Means for applying energy, e.g. heating means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/753Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/75301Bonding head
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7565Means for transporting the components to be connected
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757Means for aligning
    • H01L2224/75743Suction holding means
    • H01L2224/75745Suction holding means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757Means for aligning
    • H01L2224/75753Means for optical alignment, e.g. sensors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7598Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors specially adapted for batch processes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832Applying energy for connecting
    • H01L2224/83201Compression bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832Applying energy for connecting
    • H01L2224/83201Compression bonding
    • H01L2224/83203Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83851Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester being an anisotropic conductive adhesive
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83862Heat curing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83874Ultraviolet [UV] curing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83905Combinations of bonding methods provided for in at least two different groups from H01L2224/838 - H01L2224/83904
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83905Combinations of bonding methods provided for in at least two different groups from H01L2224/838 - H01L2224/83904
    • H01L2224/83906Specific sequence of method steps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83905Combinations of bonding methods provided for in at least two different groups from H01L2224/838 - H01L2224/83904
    • H01L2224/83907Intermediate bonding, i.e. intermediate bonding step for temporarily bonding the semiconductor or solid-state body, followed by at least a further bonding step
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83909Post-treatment of the layer connector or bonding area
    • H01L2224/8391Cleaning, e.g. oxide removal step, desmearing
    • H01L2224/83912Mechanical cleaning, e.g. abrasion using hydro blasting, brushes, ultrasonic cleaning, dry ice blasting, gas-flow
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83986Specific sequence of steps, e.g. repetition of manufacturing steps, time sequence
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1515Shape
    • H01L2924/15153Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H01L2924/15155Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device the shape of the recess being other than a cuboid
    • H01L2924/15156Side view

Abstract

【課題】インレイの製造工程においてアンテナに順次ICチップを搭載するときに、同一ライン上で隣接するアンテナの間隔が異なる複数のアンテナに対してICチップを搭載可能とする。【解決手段】基材上にインレイ用の複数のアンテナが連続的に形成されているアンテナ連続体を、各アンテナの所定の基準位置に接着剤とICチップが配置された状態で所定の搬送面上で搬送する搬送部と、アンテナ連続体のうち隣接する2個のアンテナの間隔を検出する検出部と、押圧面を有する複数の押圧ユニットを待機位置から順に送り出し、搬送面に沿って各押圧ユニットを移動させる押圧ユニット移動機構と、各押圧ユニットの押圧面によって搬送面上の各アンテナの基準位置を含む所定の領域を押圧するように、検出部によって検出された間隔に基づいて、各押圧ユニットを待機位置から送り出すタイミングを制御する制御部と、を備えたICチップ搭載装置である。【選択図】図16

Description

本発明は、ICチップ搭載装置、および、ICチップ搭載方法に関する。
RFIDタグの普及に伴い、アンテナと当該アンテナに電気的に接続されるICチップとを有するシート状のインレイの生産が拡大している。インレイを製造するには、ベース基材上に形成されたアンテナにおいて、ICチップを搭載するための基準となるアンテナ上の所定の基準位置に対して、供給されるICチップを配置する工程が設けられる(例えば、特許文献1)。
特許文献1には、フィルム基板上にアンテナが等間隔で連続的に形成され、各アンテナにICチップを配置することが記載されている。
特開2008−123406号公報
ところで、RFIDタグにはアプリケーションに応じて高い設計自由度がもとめられ、それに伴って様々なアンテナ形状のインレイが開発されている。そのため、インレイの生産効率の観点から、同一ライン上で隣接するアンテナの間隔が異なる複数のアンテナを生産可能であることが好ましい。
そこで、本発明のある態様は、インレイの製造工程においてアンテナに順次ICチップを搭載するときに、同一ライン上で隣接するアンテナの間隔が異なる複数のアンテナに対してICチップを搭載可能とすることを目的とする。
本発明のある態様は、基材上にインレイ用の複数のアンテナが連続的に形成されているアンテナ連続体を、各アンテナの所定の基準位置に接着剤とICチップが配置された状態で所定の搬送面上で搬送する搬送部と、前記アンテナ連続体のうち隣接する2個のアンテナの間隔を検出する検出部と、押圧面を有する複数の押圧ユニットを待機位置から順に送り出し、前記搬送面に沿って各押圧ユニットを移動させる押圧ユニット移動機構と、各押圧ユニットの押圧面によって前記搬送面上の各アンテナの前記基準位置を含む所定の領域を押圧するように、前記検出部によって検出された間隔に基づいて、各押圧ユニットを前記待機位置から送り出すタイミングを制御する制御部と、を備えたICチップ搭載装置である。
本発明のある態様によれば、インレイの製造工程においてアンテナに順次ICチップを搭載するときに、同一ライン上で隣接するアンテナの間隔が異なる複数のアンテナに対してICチップを搭載可能となる。
実施形態のアンテナの平面図とそのICチップ搭載前後の部分拡大図である。 アンテナシートと、アンテナシートを巻回したロール体とを示す図である。 実施形態のICチップ搭載装置においてICチップ配置工程に対応する部分を示す図である。 チップ包含テープとその拡大断面を示す図である。 実施形態のICチップ搭載装置におけるロータリーマウンタの側面図である。 ロータリーマウンタとアンテナシートとの関係を概略的に説明する図である。 チップ包含テープが分離ローラによって分離される状態を示す斜視図である。 チップ包含テープからノズルユニットにICチップが供給される動作を説明する図である。 実施形態のICチップ搭載装置において硬化工程に対応する部分を示す図である。 図9の矢視Jから見た押圧ユニットの一部と紫外線照射器を示す図である。 実施形態の硬化装置に含まれる押圧ユニットの正面図と側面図である。 実施形態の硬化装置に含まれる押圧ユニット循環機構の平面図である。 図12のB−B断面およびC−C断面を示す図である。 押圧ユニット循環機構において押圧ユニットの引張状態と押圧状態でのレールに対する位置関係を説明する図である。 押圧ユニットの送り出し動作を説明する図である。 硬化装置を制御する制御部の機能ブロック図である。 撮像装置によって撮像された画像の例を示す図である。 一実施形態のアンテナシートの搬送方法を示す図である。 一実施形態のICチップ配置工程を説明する図である。 一実施形態の硬化工程を説明する図である。 図20における紫外線硬化ユニットの構成例を示す図である。 一実施形態の硬化工程を説明する図である。
以下、実施形態に係るICチップ搭載装置およびICチップ搭載方法について、図面を参照して説明する。
実施形態に係るICチップ搭載装置1は、RFIDインレイ等の非接触通信用インレイを製造する際に、薄膜状のアンテナに対してICチップを搭載する装置である。
図1には、所定のアンテナパターンを有する例示的なアンテナANが示されるが、当該アンテナパターンに限定する意図ではない。図1にはまた、アンテナANにICチップCが搭載される前と搭載された後のE部の拡大図を示している。この例では、アンテナパターンを基準として予め決定されている所定の基準位置PrefにICチップCが搭載される。ICチップCは、例えば縦および横のサイズは数百μmと極めて小さく、この極小サイズのICチップCを正確に基準位置Prefに搭載することが求められる。
アンテナANにICチップCを搭載するには、アンテナANの基準位置Prefに向けて接着剤を塗布し、当該接着剤上にICチップCを配置するICチップ配置工程と、接着剤を硬化させてアンテナANとICチップCの接続を強固にする硬化工程とが必要となる。
後述するICチップ配置工程には、図2に示すように、複数のアンテナANが一定のピッチで基材BM上に形成された帯状のアンテナシートAS(アンテナ連続体の一例)を巻回したロール体PRが設置される。ロール体PRから継続的にアンテナシートASが引き出され、ICチップ配置工程のラインに投入される。
基材BMの材料は、特に限定されるものではないが、例えば、上質紙、コート紙、アート紙のような紙基材、PET(ポリエチレンテレフタレート)、PE(ポリエチレン)、PP(ポリプロピレン)、PS(ポリスチレン)を素材とした合成樹脂フィルムや、前記の合成樹脂を複数種組み合わせたシート、合成樹脂フィルムと紙とを合わせた複合シートも使用できる。
アンテナANは、例えば、基材BMに金属箔を貼り付ける、又は、基材BMに導電材料を所定のパターンでスクリーン印刷若しくは蒸着すること等により形成される。
なお、以下の説明では、図2に示すように、XYZ座標系を定義する。以下の説明では、各工程に配置された状態の図について言及するときには、YZ平面で見た図を正面図、XY平面で見た図を平面図、XZ平面で見た図を側面図という。
X方向は、ロール体PRから引き出されたアンテナシートASが以下で説明される各工程において搬送される方向であり、適宜、搬送方向D1ともいう。また、Y方向は、アンテナシートASの幅方向であり、適宜、幅方向D2ともいう。Z方向は、アンテナシートASと直交する方向である。
(1)ICチップ配置工程
以下、ICチップ配置工程について、図3〜図10を参照して説明する。図3は、実施形態のICチップ搭載装置1においてICチップ配置工程に対応する部分を示す図である。図4は、チップ包含テープCTの平面図とそのA−A断面の拡大図を示す。
ICチップ配置工程では、ICチップ搭載装置1により、アンテナシートAS上の各アンテナANの基準位置Pref(図1参照)に対して、極めて小さいICチップを精度良く配置することが可能である。
図3に示すように、ICチップ配置工程においてICチップ搭載装置1は、コンベア81と、ディスペンサ2と、ロータリーマウンタ3と、紫外線照射器41と、撮像装置CA1〜CA3と、テープフィーダ71と、テープ本体巻取りリール72と、フィルム巻取りリール73と、分離ローラ74と、を含む。
コンベア81は、ロール体PR(図2参照)から引き出されるアンテナシートASを、工程の下流に向けて所定の搬送速度で搬送する。コンベア81の上面が搬送面に相当する。
ディスペンサ2は、搬送される各アンテナANの基準位置Prefに向けて定量の異方性導電ペースト(ACP(Anisotropic Conductive Paste);以下、単に「導電ペースト」という。)を吐出する。この導電ペーストは、紫外線硬化型の接着剤の一例である。ディスペンサ2は、各アンテナANの基準位置Prefに対して正確に吐出位置を位置決めするために、吐出位置を幅方向に調整可能に構成されている。
撮像装置CA1は、ディスペンサ2よりも上流に設けられ、導電ペーストを塗布する位置を決定するために、各アンテナANの基準位置Prefの近傍の部分の画像を撮像する。撮像装置CA2は、ディスペンサ2よりも下流に設けられ、各アンテナANに対する導電ペーストの塗布の有無を検査するとともに、導電ペーストが正確に基準位置Prefを含む領域に塗布されたか否かを検査するために、各アンテナANの基準位置Prefの近傍の部分の画像を撮像する。
ロータリーマウンタ3は、各アンテナANに塗布された導電ペースト上にICチップを配置するチップマウンタであり、図3の反時計回りに回転する。ロータリーマウンタ3は懸架板86に取り付けられており、懸架板86が支持台85に固定される。つまり、ロータリーマウンタ3は、支持台85に上から懸架された構造となっている。
後述するように、ロータリーマウンタ3は、チップ包含テープからICチップを吸着し、アンテナシートAS上の各アンテナANの基準位置Prefに向けて、吸着したICチップを放出して配置(搭載)する。このとき、ICチップを正確にアンテナANの基準位置Prefに配置するために、吸着したICチップの位置および向きを補正する処理を行う。撮像装置CA3は、ICチップをアンテナANに搭載するに際してICチップの位置および向きを補正する補正処理のために、ノズル(後述する)に吸着された状態のICチップを撮像する。
テープフィーダ71は、ICチップを包含するチップ包含テープが巻回された状態で装填され、図3の矢印の方向にロータリーマウンタ3と同期した速度で順次、チップ包含テープを引き出すように構成される。
ここで、図4を参照して、チップ包含テープの一例について説明する。
図4に示すように、チップ包含テープCTは、ICチップCを包含する凹みTdが一定の間隔で形成されたテープ本体Tと、凹みTdを塞ぐようにしてテープ本体Tに貼着されている被覆フィルムCFと、を含む。凹みTdは、例えば、テープ本体Tにエンボス加工を施すことにより形成される。チップ包含テープCTの延伸方向に沿ってICチップCが各凹みTd内に包含されている。チップ包含テープCTの延伸方向には、一定の間隔で取付孔Hが形成されている。この取付孔Hは、分離ローラ74の周面に対する正確な位置決めを行うために設けられており、チップ包含テープCTが分離ローラ74に搬送されるときに、分離ローラ74に設けられる突起74p(後述する)に挿入される。
図4に示すように、凹みTdの底面とテープ本体Tの裏面(被覆フィルムCFが接着されている面とは反対側の面)の間には、吸着孔Tsが形成されている。吸着孔Tsは、被覆フィルムCFを剥離したときに凹みTdからICチップCが落下しないように、分離ローラ74によってICチップCを吸着するために設けられている。
再度図3を参照すると、分離ローラ74において、テープフィーダ71から1又は複数の補助ローラを経て供給されるチップ包含テープCTから被覆フィルムCFが剥離され、テープ本体Tと被覆フィルムCFに分離される。被覆フィルムCFが剥離されて露出したICチップCは、ロータリーマウンタ3に設けられる各ノズルに順次吸着される。
分離ローラ74によってチップ包含テープCTがテープ本体Tと被覆フィルムCFに分離された後、テープ本体Tは、1又は複数の補助ローラを経てテープ本体巻取りリール72に巻き取られ、被覆フィルムCFは、1又は複数の補助ローラを経てフィルム巻取りリール73に巻き取られる。
次に、図5〜図6を参照して、ロータリーマウンタ3について説明する。
図5は、実施形態のICチップ搭載装置1におけるロータリーマウンタ3の側面図である。図6Aは、ロータリーマウンタ3に搭載されるノズルユニットの平面図である。図6Bは、ノズルユニット30の側面図である。図6は、ロータリーマウンタ3とアンテナシートASとの関係を概略的に説明する図である。
図5に示すように、ロータリーマウンタ3には、ロータリーヘッド3Hから放射状に複数(図示の例では12個)のノズルユニット30−1〜30−12が配設される。以下の説明では、ノズルユニット30−1〜30−12に対して共通する事項に言及するときには、総称してノズルユニット30と表記する。
ロータリーヘッド3Hについて詳細は図示しないが、図5の反時計回りにノズルユニット30−1〜30−12を回転させる回転駆動モータと、ノズルユニット30にICチップを吸着させるための真空ポンプと、ノズルユニット30からICチップを放出するためのブロワと、に接続されている。
図6を参照すると、図示しない回転駆動モータによってロータリーヘッド3Hが反時計回りに回転させられ、それによって各ノズルユニット30のロータリーヘッド3Hの周上における位置が順次切り替わる。つまり、特定のノズルユニット30は、ロータリーヘッド3Hの回転に応じて、搬送面に直交する平面上で環状軌道を動くように、位置PAから反時計回りに位置PLまでのロータリーヘッド3Hの周上の12個の位置PA〜PLの各々に順に位置することになる。
ここで、位置PAは、ノズルユニット30がチップ包含テープCTから新たにICチップCを吸着する位置である。位置PEは、ノズルユニット30のノズルに吸着された状態のICチップCの画像が撮像装置CA3によって撮像される位置である。
位置PKは、搬送されるアンテナシートAS上のアンテナANに塗布されている導電ペースト上に、吸着したICチップCを放出する位置である。位置PKでは、ノズル先端の移動方向がアンテナシートASの搬送方向D1と一致する。位置PKでは、ICチップCを放出するためにノズルユニット30のノズルから空気を排出する。
位置PLでは、ICチップCを位置PKで放出済みであるため、ノズルユニット30はICチップCを吸着していない。なお、位置PLでは、ノズルに付着しうるゴミを除去するためにノズルから空気を放出してもよい。図6には、ノズルから放出されうるゴミを収集するために位置PLにゴミ収集トレイTRが配置された例が示される。
例えば、図6において位置PAにあるノズルユニット30−1は、そこでICチップCを新たに吸着し、ICチップCを吸着したまま反時計回りに回転して、位置PKに達するとICチップCを放出し、位置PAに戻ると再度新たなICチップCを吸着することを繰り返し行う。かかるICチップ搭載方法では、アンテナシートASの搬送を止めることなく連続的にICチップを各アンテナANに配置することができ、生産性が高い。
順に位置PKに到達するノズルユニット30が、上流から搬送されるアンテナシートASの各アンテナANの基準位置Prefに向けてICチップCを放出するように、ロータリーヘッド3Hの角速度とアンテナシートASの搬送速度が設定され、又は制御される。確実なICチップCの配置のために、位置PKに近傍のノズルユニット30の先端の速度とアンテナシートASの搬送速度とが等速となる区間を設けることが好ましい。
なお、本実施形態では、ロータリーヘッド3Hに12個のノズルユニット30が配設されている例が示されるが、その限りではない。ロータリーヘッド3Hに配設されるノズルユニット30の数は任意に設定可能である。
次に、図7および図8を参照して、ICチップCがノズルユニット30によって吸着される動作について説明する。
図7は、チップ包含テープCTが分離ローラ74によって分離される状態を示す斜視図である。図8は、分離ローラ74の近傍の側面図であり、チップ包含テープCTからノズルユニット30にICチップCが供給される動作を説明する図である。図8では、チップ包含テープCTの状態がわかるように、チップ包含テープCTのみ断面で示してある。
図7に示すように、テープフィーダ71から供給されるチップ包含テープCTの取付孔Hに分離ローラ74の突起74pが挿入されることで、チップ包含テープCTの幅方向の位置決めが行われた状態でチップ包含テープCTが搬送される。このとき、分岐部材75によってチップ包含テープCTの被覆フィルムCFが剥離されてフィルム巻取りリール73に向かう。他方、チップ包含テープCTのテープ本体Tは、テープ本体巻取りリール72に向かう。
図8に示すように、被覆フィルムCFが剥離されて露出したICチップCは、直ちにノズルユニット30によって吸着される。このとき、ICチップCが露出してからノズルユニット30によって吸着されるまでの僅かな時間にICチップCが落下しないように、分離ローラ74には、分離ローラ74の回転中心に向かってICチップCを吸引するための吸引路(図示せず)が設けられる。この吸引路とテープ本体Tに設けられている吸着孔Ts(図4参照)を通してICチップCが吸引される。
再度、図3を参照すると、ロータリーマウンタ3のノズルユニット30からアンテナANにICチップが放出される位置(図6の位置PK)の近傍には、紫外線照射器41が設けられる。
紫外線照射器41は、搬送されるアンテナAN上の導電ペーストに対して紫外線を照射するように構成される。紫外線照射器41による紫外線の照射は、ICチップ配置工程の後工程である硬化工程で行われる紫外線照射(後述する)とは目的が異なり、アンテナAN上の導電ペーストの粘度を調整することを目的とする。その観点で、紫外線照射器41によって導電ペーストに与えられる紫外線の積算光量は、後の硬化工程で導電ペーストに与えられる紫外線の積算光量よりも少なくすることが好ましい。紫外線照射器41により導電ペーストの粘度を高めることで、導電ペースト上に配置されるICチップCの姿勢が安定する。
(2)硬化工程
次に、硬化工程について、図9〜図15を参照して説明する。
硬化工程では、上述したICチップ配置工程を経た各アンテナに塗布されている導電ペーストを硬化させて、アンテナとICチップの物理的な接続を強固にするとともに、アンテナとICチップの電気的な導通を確実にする。
図9は、実施形態のICチップ搭載装置1において硬化工程に対応する部分を示す図である。図10は、図9の矢視Jから見た押圧ユニット6の一部と紫外線照射器42を示す図である。図11は、実施形態の硬化装置4に含まれる押圧ユニット6を示す図である。図12は、実施形態の硬化装置4に含まれる押圧ユニット循環機構5の平面図である。なお、図12では、後述する下側レール51Lを省略している。
図9に示すように、硬化工程においてICチップ搭載装置1は、コンベア82と、硬化装置4と、撮像装置CA4と、を含む。
コンベア82(搬送部の一例)は、上流のICチップ配置工程から搬送されるアンテナシートASを、下流に向けて所定の搬送速度で搬送する。コンベア82の上面が搬送面に相当する。
撮像装置CA4は、硬化工程において最も上流側(つまり、ICチップ配置工程の最も下流側)において、アンテナシートASの上方に配置されており、ICチップ配置工程から搬送される各アンテナANの画像を撮像する。撮像装置CA4は、ICチップ配置工程においてICチップが適切な位置に配置されているか否かを検査することに加え、アンテナAN間のピッチを検出するために設けられている。そのため、撮像装置CA4は、少なくともアンテナシートASの隣接する2つのアンテナANの画像を撮像できるように構成することが好ましい。
図9に示すように、硬化装置4は、押圧ユニット循環機構5と紫外線照射器42(光線照射部の一例)を有する。図9および図12に示すように、押圧ユニット循環機構5(押圧ユニット移動機構の一例)は、上側レール51Uおよび下側レール51Lからなる循環レール51と、メインベルト52および歯車521,522と、補助ベルト53、送り出し歯車54、および、押圧ユニット6と、を含む。
押圧ユニット循環機構5は、押圧ユニット6を所定の環状軌道を循環移動させる。
押圧ユニット6は、搬送面に直交する方向に昇降動作し、アンテナANの導電ペースト上に配置されたICチップを、各アンテナANに紫外線を照射している間に押圧する。押圧ユニット循環機構5に設けられる押圧ユニット6の数は問わないが、生産性とコストの観点から、2以上の任意の数に設定可能とすることが好ましい。
紫外線照射器42は、搬送方向D1に沿って配置される。そのため、アンテナシートAS上の多くのアンテナANに対して同時に紫外線を照射することが可能である。
本実施形態のICチップ搭載装置1において、ディスペンサ2によってアンテナANにエポキシ系樹脂等の熱硬化型の接着剤を塗布し、紫外線照射器42に代えて、ヒータ等の加熱手段を有する熱硬化装置を設けてもよい。
図9に示すように、好ましくは、複数(図示の例では8個)の押圧ユニット6が、搬送されている複数(図示の例では8個)のアンテナANの導電ペースト上に配置されたICチップをそれぞれ同時に押圧する。このとき、コンベア82はアンテナシートASの搬送を停止することなく、押圧する複数の押圧ユニット6と、押圧される複数のアンテナANとが等速で搬送方向D1に移動しながら、各アンテナANに対して紫外線照射器42による紫外線の照射が行われる。そのため、ICチップをアンテナANに固定するときの生産性が極めて高いという利点がある。
図10を参照すると、各アンテナANに対して紫外線照射器42によって紫外線が照射される状態が示される。
紫外線照射器42は、例えばLED(Light Emitting Device)等の光源42eを有する。光源42eは、搬送面に対して斜めに傾斜した方向からアンテナANに向けて紫外線を照射するように構成されている。
押圧ユニット6の押圧部61の側面(つまり、紫外線照射器42が配置される側の面)は開放している。押圧部61の押圧面を構成するガラス板61pは、紫外線を透過するガラスによって形成されている。
次に、図11を参照して押圧ユニット6の構成について説明する。
図11に示すように、押圧ユニット6は、押圧部61、ハウジング62、シャフト63、および、ローラ保持部66を有する。ハウジング62には、下側レール51L上を回動する一対の下側ローラ64Lおよび一対の横方向ローラ65が取り付けられている。ローラ保持部66には、上側レール51U上を回動する一対の上側ローラ64Uが取り付けられている。下側ローラ64Lおよび上側ローラ64Uは水平面上を回動するのに適合したローラであり、横方向ローラ65は鉛直面上を回動するのに適合したローラである。
シャフト63の一端は押圧部61に連結され、シャフト63の他端はローラ保持部66に連結されている。シャフト63は、ハウジング62に対して図11の上下方向に変位可能である。
ハウジング62の内部には、ばね(図示せず)が組み込まれている。図11では、押圧部61、シャフト63、および、ローラ保持部66について、外力が加わっていない自由状態を実線で表し、引張状態(外力を加えた状態)を仮想線で表している。引張状態での外力を解除するとばねの復元力により自由状態に復帰する。
ばねとしてコイルばねを用いてもよいが、磁気ばねを用いることが好ましい。磁気ばねは、ストローク量に関わらず押し圧が一定となるためにICチップに対する損傷が生じ難く、また、長期間使用後の特性劣化が極めて小さいという利点がある。
ハウジング62には、一対のV溝部62gが形成されている。V溝部62gの溝数は問わないが、各溝は、メインベルト52および送り出し歯車54と嵌合するような形状となっている。
ハウジング62には、永久磁石が内蔵されていることが好ましい。永久磁石が内蔵されることによって、後述するように、複数の押圧ユニット6が待機区間において磁力によって互いに重なり合うようにすることができるため、正確なタイミングで押圧ユニット6を送り出すことができる。
押圧部61は、V溝部62gが形成されている側に空隙61hが形成されており、底部には、紫外線を透過するガラス板61pが取り付けられている。図10に示したように、紫外線照射器42による照射が行われている状態では、ガラス板61pの底面によってICチップが押圧される。ガラス板61pの底部に紫外線を透過するガラス板61pを設けることで、紫外線を照射しながらICチップを押圧することができる。
図12を参照すると、押圧ユニット循環機構5では、歯車521,522が反時計回りに定角速度で回転するようにメインベルト駆動モータM41(図12には図示せず)によって駆動される。歯車521,522の回転に応じて、各歯車に噛み合うメインベルト52が、押圧ユニット6の軌道に沿って一定速で、歯車521,522の周りを循環移動する。
補助ベルト53は、例えば平ベルト、Vベルトであり、補助ベルト駆動モータM42(図12には図示せず)により一定速で図12において時計回りに駆動されている。補助ベルト53は、押圧ユニット6のV溝部62gと係合することによって押圧ユニット6をレールに沿って加速させる役割を備える。
送り出し歯車54は、押圧ユニット6のV溝部62gに噛み合うように構成され、送り出しベルト駆動モータM43(図12には図示せず)によって動作する歯車であり、図12の反時計回りに回転する。送り出し歯車54は、押圧ユニット6を待機位置から、搬送されているアンテナシートASに向けて送り出すために設けられている。送り出し歯車54が動作するタイミングは、後述する制御部200によって制御される。なお、送り出し歯車54に代えて、外側にV溝部を備えた送り出しベルトを適用してもよい。
次に、押圧ユニット循環機構5の動作について、図12〜図15を参照して説明する。
図13は、図12のB−B断面およびC−C断面を示す図である。図14は、押圧ユニット循環機構5において押圧ユニット6の引張状態と押圧状態での循環レール51に対する位置関係を説明する図である。図15は、押圧ユニット6の送り出し動作を説明する図である。
以下の説明の便宜のために、図12において、押圧ユニット6の循環路を区間S1〜S5に分け、各区間について順に説明する。
図13に示すように、押圧ユニット6が循環レール51を循環するときには、押圧ユニット6の一対の上側ローラ64Uが上側レール51Uの上面511に接触しながら回動し、押圧ユニット6の一対の下側ローラ64Lが下側レール51Lの底面512に接触しながら回動する。
ここで、コンベア82の搬送面を基準とした下側レール51Lの底面512の高さは、下側レール51Lの一周に亘って一定である。
それに対して、コンベア82の搬送面を基準とした上側レール51Uの上面511の高さは一周の中で変動する。具体的には、上側レール51Uの上面511の高さは、図12の区間S1で最も低く、区間S3,S4で最も高い。上側レール51Uの上面511の高さは、区間S2では図12の反時計回りに移動するにつれて次第に高くなり、区間S5では図12の反時計回りに移動するにつれて次第に低くなる。
押圧ユニット6が区間S1に位置するときには、上側レール51Uの上面511が一周の中で最も低く、押圧ユニット6は自由状態に近い押圧状態となり、押圧部61が一周の中で最も低い位置になる。この状態でアンテナに対して接触して押圧が行われるように、上側レール51Uの上面511および下側レール51Lの底面512の位置が設定されている。
図12に示すように、区間S1では、各押圧ユニット6は、アンテナシートASの搬送方向D1に沿って、当該アンテナシートASの各アンテナの直上を移動する。区間S1では、各押圧ユニット6のV溝部62gがメインベルト52と噛み合い、メインベルト52の速度に従って各押圧ユニット6が移動する。
前述したように、区間S1では、上側レール51Uの上面511が一周の中で最も低く、図14に示すように、各押圧ユニット6は自由状態に近い押圧状態となるため、押圧部61が下方に突出する。図9に示したように、押圧ユニット6が押圧状態であるときには、押圧ユニット6に内蔵されるばねの反発力によって、アンテナシートASの対応するアンテナ上の導電ペーストに配置されたICチップを押圧する。
区間S2では、前述したように、上側レール51Uの上面511の高さは図12の反時計回りに移動するにつれて次第に高くなる。そのため、ばねの復元力に反してシャフト63が次第に持ち上げられ(引っ張られ)、区間S2の最後には、図14の引張状態となる。区間S2では、各押圧ユニット6のV溝部62gがメインベルト52と噛み合い、メインベルト52の速度に従って各押圧ユニット6が移動する。
区間S2では、上側レール51Uの上面511が区間S1に対して次第に高くなっていくため、各押圧ユニット6のローラ保持部66がばねの復元力に抗して上方に引っ張られ、それによって押圧部61が上方に移動する。
区間S3の開始位置に達すると、押圧ユニット6はメインベルト52との噛み合いが解除される。すなわち、図13のB−B断面とC−C断面とを比較してわかるように、区間S3,S4(C−C断面を参照)では、区間S2の最終位置および区間S5の開始位置(いずれもB−B断面を参照)に対して、上側レール51Uおよび下側レール51Lが全体的に外側にオフセットしており(図13のオフセット量ofs)、押圧ユニット6の一対の横方向ローラ65が下側レール51Lの内側面513に追従して回動する結果、押圧ユニット6のV溝部62gがメインベルト52から離れる。
区間S3では、押圧ユニット6がメインベルト52と接触しなくなった後、図12の時計回りに回転する補助ベルト53が押圧ユニット6の外側のV溝部62gに接触して強く押し出し、それによって、押圧ユニット6が循環レール51に沿って反時計回りに加速する。区間S3で押圧ユニット6を加速させるのは、押圧ユニット6の待機区間である区間S4において押圧ユニット6の数が足りなくなるという状況を回避するためである。
なお、区間S3と後述する区間S4では、上側レール51Uの上面511が一周において最も高く、図14に示すように、各押圧ユニット6は引張状態となっている。
区間S4は、区間S3において順に加速して送られる複数の押圧ユニット6が、送り出しまでの間、待機する待機区間(待機位置の例)である。前述したように、押圧ユニット6のハウジング62には永久磁石が内蔵されていることが好ましく、それによって磁力により複数の押圧ユニット6が密着し、互いに重なり合った状態で待機する。
区間S4では、送り出し歯車54は、待機している複数の押圧ユニット6のうち先頭に位置する押圧ユニット6のV溝部62gと噛み合っている。そして、後述する制御部200によって決定されるタイミングにおいて送り出し歯車54が図12の時計回りに回転し、それによって、先頭に位置する押圧ユニット6が送り出される。待機区間では、各押圧ユニット6が磁力によって互いに重なり合っているため、正確なタイミングで押圧ユニット6を1つずつ待機区間S4から送り出すことができる。
押圧ユニット6の送り出し動作について、図15を参照してさらに説明する。図15は、送り出し歯車54の近傍の押圧ユニット6について、V溝部62gと、メインベルト52および送り出し歯車54との噛み合い状態を示した図である。
図15に示すように、待機区間S4にある複数の押圧ユニット6−1,6−2,…の内側のV溝部62gはメインベルト52に噛み合っていないが、先頭に位置する押圧ユニット6−1は、外側のV溝部62gが送り出し歯車54と噛み合っている状態となる。この状態で、後述する制御部200による指令に基づいて送り出し歯車54が時計回りに回転すると、押圧ユニット6−1が図15の左側に移動して送り出される。このとき、押圧ユニット6の一対の横方向ローラ65が仮想線で示す軌跡で移動する(つまり、図13にも示したオフセット量ofsでメインベルト52側に移動する)ように下側レール51Lが形成されている。そのため、押し出された押圧ユニット6−1は、メインベルト52に向かって内側に移動し、区間S5の開始位置において内側のV溝部62gがメインベルト52と噛み合うようになる。内側のV溝部62gがメインベルト52と噛み合った後、区間S5において押圧ユニット6−1は、メインベルト52の動きに追従して動作する。
すなわち、区間S5では、各押圧ユニット6のV溝部62gがメインベルト52と噛み合い、メインベルト52の速度に従って各押圧ユニット6が移動する。
前述したように、上側レール51Uの上面511の高さは図12の反時計回りに移動するにつれて次第に低くなる。そのため、ばねの復元力によってシャフト63が次第に下がっていき、区間S5の最後には、図14に示す押圧状態となる。押圧状態では、押圧ユニット6の押圧部61が一周において最も低い位置となり、搬送されてくる各アンテナを押圧可能な状態である。この状態で各押圧ユニット6は区間S1に進み、搬送される各アンテナの導電ペースト上に配置されたICチップを押圧する。
以上説明したようにして、各押圧ユニット6は、循環レール51の軌道(区間S1〜S5)に従って循環しつつ搬送面に直交する方向に昇降動作して、アンテナANの導電ペースト上に配置されたICチップを押圧する。押圧ユニット6が循環移動するため、所定数の押圧ユニット6を継続的に押圧のために利用することができる。
次に、図16および図17を参照して、硬化装置4を制御する制御部200によって行われる制御について説明する。図16は、制御部200の機能ブロック図である。図17は、撮像装置CA4によって撮像されたアンテナシートASの一部の画像の例を示す図である。
制御部200は、図示しない回路基板に実装されており、撮像装置CA4、メインベルト駆動モータM41、補助ベルト駆動モータM42、送り出しベルト駆動モータM43、および、紫外線照射器42と電気的に接続されている。
制御部200は、マイクロコンピュータ、メモリ(RAM(Random Access Memory),ROM(Read Only Memory))、ストレージ、駆動回路群を含む。マイクロコンピュータは、メモリに記録されているプログラムを読み出して実行し、ベルト駆動手段201、ピッチ検出手段202、送出タイミング決定手段203、および、硬化実行手段204の各機能を実現する。
ベルト駆動手段201は、メインベルト52および補助ベルト53がそれぞれ等速で駆動されるように、メインベルト駆動モータM41および補助ベルト駆動モータM42の駆動回路に制御信号を送出する。ベルト駆動手段201は、送出タイミング決定手段203によって決定される送出タイミングに応じて送り出しベルト駆動モータM43の駆動回路に制御信号を送出し、それによって当該送出タイミングで送り出し歯車54が回転する。それによって、図15に示したように、待機区間の先頭の押圧ユニット6が送り出される。
ピッチ検出手段202(検出部の一例)は、撮像装置CA4によって撮像された画像に基づいて、搬送されるアンテナシートの隣接するアンテナ間のピッチを検出する。
図17では、隣接する2つのアンテナANを含むアンテナシートASの一部の画像が含まれる。図17に示すように、撮像装置CA4は、各アンテナANのICチップCが配置されるべき基準位置を含む画像を撮像する。一例として、アンテナ間のピッチAPは、各アンテナANに配置されたICチップCの中心間の距離であるが、各アンテナANの形状における所定の特徴点の間の距離であってもよい。
ピッチ検出手段202は、例えば、撮像装置CA4によって撮像された画像を解析して、隣接するアンテナANのICチップCの中心間の距離を検出する。
なお、アンテナ間のピッチの検出は、撮像装置CA4によって撮像された画像に基づいて行われる場合に限られない。各アンテナANに対応して基材上に所定のマークが施されている場合には、基材上の隣接するマークを例えば光学式検出手段によって検出することで、アンテナ間のピッチを検出するようにしてもよい。
送出タイミング決定手段203は、ピッチ検出手段202によって検出されたアンテナ間のピッチに基づいて、押圧ユニット循環機構5において待機区間にある複数の押圧ユニット6のうち先頭の押圧ユニット6を送り出す送出タイミングを決定する。送出タイミングの決定に当たっては、ピッチ検出手段202によって検出されたアンテナ間のピッチ、メインベルト52の速度、および、コンベア82による搬送速度の各パラメータが考慮される。すなわち、待機区間S4から順に送り出される各押圧ユニット6が、撮像装置CA4を通過する対応する各アンテナANと区間S1の開始位置において合流するように、各パラメータに基づき各押圧ユニット6の送出タイミングが決定される。
送出タイミング決定手段203は、各押圧ユニットを待機区間から送り出すタイミングを制御する制御部の一例である。
上述したように、送出タイミング決定手段203では、ピッチ検出手段202によって検出されたアンテナ間のピッチに基づいて待機区間から押圧ユニット6の送出タイミングが決定される。そのため、ライン上のアンテナシートAS上において隣接するアンテナ間のピッチ(間隔)が異なる複数のアンテナに対してICチップを固定することが可能となる。すなわち、本実施形態のICチップ搭載装置1では、異なるピッチの複数のアンテナにICチップを搭載することが可能である。
硬化実行手段204は、搬送されているアンテナANの各々に対して、予め設定された積算光量で紫外線照射器42から紫外線が照射されるように、所定の駆動信号を紫外線照射器42に送出する。
以上説明したようにして、複数のアンテナが一定のピッチで基材上に形成された帯状のアンテナシートがラインに投入され、ICチップ配置工程と硬化工程を経て、各アンテナ上にICチップが搭載される。本実施形態のICチップ搭載装置は、ICチップ配置工程においてアンテナの基準位置に向けて接着剤を塗布するとともに当該接着剤上にICチップを配置し、硬化工程において接着剤を硬化させてアンテナとICチップの接続を強固にする。特に、本実施形態では、ICチップ配置工程においてアンテナに順次ICチップを搭載するときに、同一ライン上で隣接するアンテナの間隔が異なる複数のアンテナに対してICチップを搭載することができる。
以上、ICチップ搭載装置、ICチップ搭載方法の実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されない。また、上記の実施形態は、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更が可能である。
例えば、図3に示した実施形態では、ICチップ配置工程において、アンテナシートASがコンベア81上を一方向に搬送される場合を示したが、その限りではない。
一実施形態では、図18に示すように、ICチップ配置工程において、吸着ドラム92,94と複数の搬送ローラ(例えば、図17では、搬送ローラ91,93,95)によりアンテナシートASを搬送してもよい。図18では、吸着ドラム92の最も高い位置で、アンテナシートASのアンテナANの基準位置にディスペンサ2により導電ペーストが吐出される。また、吸着ドラム94の最も高い位置で、導電ペースト上にICチップが配置される。この場合、少なくとも吸着ドラム92,94は、アンテナシートASの裏面を吸着する吸着ローラであることが好ましい。それによって、アンテナシートASの位置ずれ(特に、長手方向)を防止することができ、導電ペーストの吐出及びICチップの配置を精度良く行うことができる。
一実施形態では、搬送されるアンテナシートAS状のアンテナANに塗布されている導電ペースト上にICチップを放出することに代えて、ICチップを導電ペーストに押し付けることによって配置してもよい。
図19は、ICチップを導電ペーストに押し付けることによって配置する場合のロータリーマウンタ3の動作を時系列で示している。一実施形態では、ロータリーマウンタ3の各ノズルユニット30は、内蔵される駆動装置により個別に放射方向(径方向)に移動可能に構成される。
状態ST1は、ノズルユニット30がICチップCを吸着した状態である。吸着したICチップCを配置するときには、状態ST2に示すように、ノズルユニット30を放射方向(径方向)に延びるように基準位置に向けて(つまり、下方向、すなわち図2のZ方向に)移動させ、アンテナANに塗布されている導電ペースト上にICチップCを押し付けることでICチップCを導電ペースト上に配置する。ICチップCを配置した後は、吸着を解除するとともに状態ST1の位置までノズルユニット30を戻す。例えば、ノズルユニット30が位置PK(図6参照)に達するタイミングで状態ST1〜ST3の動作を行うことで、ICチップCがアンテナANに塗布されている導電ペースト上に配置される。
硬化工程は、押圧ユニット6を循環させる硬化装置4を使用する場合に限られない。
一実施形態の硬化工程を図20に示す。図20には、一実施形態の硬化工程で使用される硬化装置4Aが示される。硬化装置4Aは、複数の紫外線硬化ユニット43が取付板44に取り外し可能に取り付けられている。アンテナシートASの隣接するアンテナANの間隔に応じて、取り付け位置が異なる複数の取付板44を用意しておき、当該間隔に応じて取付板44を取り替えることで、様々なアンテナシートASに対応させることができる。
支持軸45は、取付板44を支持し、取付板44を昇降可能に構成されている。ICチップ配置工程から搬送されてくるアンテナシートASは、搬送ローラ96〜98を介して硬化工程に送られる。搬送ローラ97は、図示しない駆動装置によって昇降可能に構成されている。
紫外線硬化ユニット43の構成例を図21に示す。図21に示すように、紫外線硬化ユニット43は、筐体431内に紫外線を照射するための光源432(例えばLED光源)を内蔵する。光源432は、紫外線硬化ユニット43の外部から提供されるケーブル436(図20には不図示)によって給電される。筐体431内には、光源432によって照射される紫外線を集光する集光レンズを設けてもよい。保持板434は、筐体431に連結されており、ガラス板435を保持する。光源432から照射される紫外線は、各アンテナANに塗布されている導電ペーストに照射され、導電ペーストを硬化させる。
再度図20を参照すると、搬送状態は、ICチップ配置工程からアンテナシートASが搬送される状態を示している。未硬化の導電ペーストが塗布されているアンテナANが紫外線硬化ユニット43の直下に位置するタイミングで、アンテナシートASの搬送が停止される。そして、アンテナシートASの搬送が停止された状態(停止状態)において、紫外線硬化ユニット43を下方向に移動させてアンテナANをガラス板435により押圧しながら紫外線を照射し、導電ペーストを硬化させる。
停止状態のときにおいてもICチップ配置工程からアンテナシートASが搬送されてくるため、紫外線を照射している間は搬送ローラ97が自重で降下し、搬送されてきたアンテナシートASを搬送ローラ96と搬送ローラ98の間で吸収する。紫外線の照射が終了すると、紫外線硬化ユニット43の数に相当するアンテナANを下流に急速に搬送させ、未硬化のアンテナANが紫外線硬化ユニット43の直下に位置するように停止させる。つまり、一実施形態の硬化工程では、アンテナシートASの搬送状態と停止状態(紫外線照射を行う状態)が繰り返し行われる。アンテナANを急速に搬送する際、搬送ローラ97は、アンテナシートASに加わった張力により上昇する。
一実施形態の硬化工程は、熱硬化装置を用いて行ってもよい。すなわち、ディスペンサ2においてエポキシ系樹脂等の熱硬化型の接着剤を塗布した場合には、硬化工程では、熱硬化処理を行うことで接着剤を硬化させる。
図22は、図20と同様に、アンテナシートASの搬送状態と停止状態が繰り返し行われるように構成された硬化装置4Bである。硬化装置4Bは、硬化装置4Aとは異なり、複数の熱硬化ユニット46を備える。各熱硬化ユニット46には、不図示のケーブルにより電源が供給されて動作する熱源が配置される。アンテナシートASが停止状態のときには、支持軸45が下降するように駆動され、各熱硬化ユニット46が対応するアンテナANを押圧しながら接着剤を加熱して硬化させる。加熱が完了すると、支持軸45が上昇するように駆動されるとともに、アンテナシートASの搬送が行われる。
なお、図20において、導電ペーストを紫外線により硬化させる場合、光源を内蔵した紫外線硬化ユニット43に代えて、ガラス板を介してアンテナANを押圧する押圧ユニットを用い、停止状態で押圧されているアンテナAN上の導電ペーストに対して幅方向外部や斜め上方から紫外線を照射する紫外線照射装置を設けてもよい。
一実施形態では、紫外線を照射するときにアンテナシートASを停止状態とすることがないように、図9に示したように、複数の紫外線硬化ユニット43をアンテナシートASの進行速度と連動するように循環移動させ、アンテナANを押圧しながら内蔵する光源により紫外線を照射してもよい。
同様に、一実施形態では、導電ペーストを熱硬化させる場合、複数の熱硬化ユニット46をアンテナシートASの進行速度と連動するように循環移動させ、アンテナANを押圧しながら加熱するように構成してもよい。
1…ICチップ搭載装置、2…ディスペンサ、3…ロータリーマウンタ、3H…ロータリーヘッド、4,4A,4B…硬化装置、5…押圧ユニット循環機構、6…押圧ユニット、30…ノズルユニット、41,42…紫外線照射器、42e…光源、43…紫外線硬化ユニット、44…取付板、45…支持軸、46…熱硬化ユニット、51…循環レール、51L…下側レール、51U…上側レール、52…メインベルト、53…補助ベルト、54…送り出し歯車、61…押圧部、61h…空隙、61p…ガラス板、62…ハウジング、62g…V溝部、63…シャフト、64L…下側ローラ、64U…上側ローラ、65…横方向ローラ、66…ローラ保持部、71…テープフィーダ、72…テープ本体巻取りリール、73…フィルム巻取りリール、74…分離ローラ、74p…突起、75…分岐部材、81,82…コンベア、85…支持台、86…懸架板、91,93,95〜98…搬送ローラ、92,94…吸着ドラム、200…制御部、201…ベルト駆動手段、202…ピッチ検出手段、203…送出タイミング決定手段、204…硬化実行手段、511…上面、512…底面、513…内側面、521,522…歯車、AN…アンテナ、AP…ピッチ、AS…アンテナシート、BM…基材、C…ICチップ、CA1〜CA4…撮像装置、CF…被覆フィルム、CT…チップ包含テープ、H…取付孔、M41…メインベルト駆動モータ、M42…補助ベルト駆動モータ、M43…送り出しベルト駆動モータ、PR…ロール体、T…テープ本体、TR…ゴミ収集トレイ、Td…凹み、Ts…吸着孔

Claims (10)

  1. 基材上にインレイ用の複数のアンテナが連続的に形成されているアンテナ連続体を、各アンテナの所定の基準位置に接着剤とICチップが配置された状態で所定の搬送面上で搬送する搬送部と、
    前記アンテナ連続体のうち隣接する2個のアンテナの間隔を検出する検出部と、
    押圧面を有する複数の押圧ユニットを待機位置から順に送り出し、前記搬送面に沿って各押圧ユニットを移動させる押圧ユニット移動機構と、
    各押圧ユニットの押圧面によって前記搬送面上の各アンテナの前記基準位置を含む所定の領域を押圧するように、前記検出部によって検出された間隔に基づいて、各押圧ユニットを前記待機位置から送り出すタイミングを制御する制御部と、
    を備えた、ICチップ搭載装置。
  2. 前記接着剤は光硬化型であって、
    各押圧ユニットによって押圧されているアンテナに配置されている接着剤に対して光線を照射する光線照射部を備えた、
    請求項1に記載されたICチップ搭載装置。
  3. 前記接着剤は熱硬化型であって、
    各押圧ユニットは加熱手段を有し、前記アンテナが押圧されている間に、前記加熱手段によって前記アンテナに配置されている接着剤を加熱する、
    請求項1に記載されたICチップ搭載装置。
  4. 前記制御部は、各押圧ユニットに対して個別に、前記待機位置から送り出すタイミングを制御する、
    請求項1から3のいずれか一項に記載されたICチップ搭載装置。
  5. 前記押圧ユニット移動機構は、前記押圧ユニットを繰り返し循環させる、
    請求項1から4のいずれか一項に記載されたICチップ搭載装置。
  6. 基材上にインレイ用の複数のアンテナが連続的に形成されているアンテナ連続体の各アンテナの所定の基準位置に接着剤とICチップを配置して、所定の搬送面上で搬送し、
    前記アンテナ連続体のうち隣接する2個のアンテナの間隔を検出し、
    押圧面を有する複数の押圧ユニットを待機位置から送り出し、前記搬送面に沿って各押圧ユニットを移動させ、
    各押圧ユニットの押圧面によって前記搬送面上の各アンテナの前記基準位置を含む所定の領域を押圧するように、検出された前記間隔に基づいて各押圧ユニットを前記待機位置から送り出すタイミングを制御する、
    ICチップ搭載方法。
  7. 前記接着剤は光硬化型であって、
    各押圧ユニットによって押圧されているアンテナに配置されている接着剤に対して光線を照射する、
    請求項6に記載されたICチップ搭載方法。
  8. 前記接着剤は熱硬化型であって、各押圧ユニットは加熱手段を有しており、前記アンテナが押圧されている間に、前記加熱手段によって前記アンテナに配置されている接着剤を加熱する、
    請求項6に記載されたICチップ搭載方法。
  9. 各押圧ユニットに対して個別に、前記待機位置から送り出すタイミングを制御する、
    請求項6から8のいずれか一項に記載されたICチップ搭載方法。
  10. 前記押圧ユニットを繰り返し循環させる、
    請求項6から9のいずれか一項に記載されたICチップ搭載方法。
JP2020216459A 2019-12-26 2020-12-25 Icチップ搭載装置、icチップ搭載方法 Pending JP2021106267A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2020/048888 WO2021132622A1 (ja) 2019-12-26 2020-12-25 Icチップ搭載装置、icチップ搭載方法
US17/783,830 US20230011327A1 (en) 2019-12-26 2020-12-25 Ic chip mounting device and ic chip mounting method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019235418 2019-12-26
JP2019235418 2019-12-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2021106267A true JP2021106267A (ja) 2021-07-26

Family

ID=76919134

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020216459A Pending JP2021106267A (ja) 2019-12-26 2020-12-25 Icチップ搭載装置、icチップ搭載方法

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP4083863A4 (ja)
JP (1) JP2021106267A (ja)
CN (1) CN114830308A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7364820B1 (ja) 2023-06-19 2023-10-18 マルホ発條工業株式会社 コイル付きモジュール製造装置およびコイル付きモジュール製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101073297A (zh) * 2004-12-03 2007-11-14 哈里斯股份有限公司 电子部件的制造方法及电子部件的制造装置
JP2013080795A (ja) * 2011-10-03 2013-05-02 Sinfonia Technology Co Ltd Icチップ実装体の製造装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7364820B1 (ja) 2023-06-19 2023-10-18 マルホ発條工業株式会社 コイル付きモジュール製造装置およびコイル付きモジュール製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN114830308A (zh) 2022-07-29
EP4083863A4 (en) 2023-06-14
EP4083863A1 (en) 2022-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6977020B2 (ja) 半導体デバイスの転写方法
CN101842000B (zh) 贴附装置及使用该贴附装置的贴附方法
CN103987200B (zh) 剥离式补强板假贴机
WO2010082441A1 (ja) フィルム貼り合わせ装置、小片部材の移載定置装置及びそのヘッド装置
JP5777261B2 (ja) ダイボンダー装置
JP2021106263A (ja) Icチップ搭載装置、icチップ搭載方法
WO2021132622A1 (ja) Icチップ搭載装置、icチップ搭載方法
WO2021132613A1 (ja) Icチップ搭載装置、icチップ搭載方法
JP2021106267A (ja) Icチップ搭載装置、icチップ搭載方法
JP2021106264A (ja) Icチップ搭載装置、icチップ搭載方法
JP6153375B2 (ja) 電子部品装着装置
WO2021132614A1 (ja) Icチップ搭載装置、icチップ搭載方法
JP2001055212A (ja) ラベル貼付装置
JP2021106265A (ja) Icチップ搭載装置、icチップ搭載方法
WO2021132621A1 (ja) Icチップ搭載装置、icチップ搭載方法
WO2021132611A1 (ja) Icチップ搭載装置、icチップ搭載方法
WO2021132623A1 (ja) Icチップ搭載装置、icチップ搭載方法
JP2001125274A (ja) 回路板製造用露光装置
JP2021106266A (ja) Icチップ搭載装置、icチップ搭載方法
JP2021106268A (ja) Icチップ搭載装置、icチップ搭載方法
WO2023188538A1 (ja) Icチップ搭載装置、icチップ搭載方法
JP4776700B2 (ja) ヘッド装置
JP6153376B2 (ja) 電子部品装着装置
JP2003258500A (ja) 部品装着確認方法および部品装着確認装置
JP6068989B2 (ja) 電子部品装着装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20231106